JPH1065133A

JPH1065133A - 赤外線撮像素子

Info

Publication number: JPH1065133A
Application number: JP8215766A
Authority: JP
Inventors: Naoki Oyama; 直樹大山
Original assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Current assignee: Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date: 1996-08-15
Filing date: 1996-08-15
Publication date: 1998-03-06

Abstract

(57)【要約】【課題】構造が簡易で、冷却が不要な赤外線撮像素子を
提供する。【解決手段】シリコン単結晶基板が１、１画素の周辺部
で同一面を有するバルク領域と、四角錘状に削られた断
熱領域とから構成されている。シリコン単結晶基板１の
バルク領域の面上にＳｉＯ₂ 膜２が形成されている。Ｓ
ｉＯ₂ 膜２は、バルク領域全面に形成された部分２ａ
と、且つ断熱領域の中央部に四角状に形成された基台部
２ｂと、この基台部を支えるための４本の梁部２ｃとか
らなる。基台部２ｂ上に、多結晶シリコン抵抗膜３がジ
グザグ状に形成されている。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３
は、温度上昇に対し、一定の温度係数に従って抵抗値が
変化する。ＳｉＯ₂ 膜２及び多結晶シリコン抵抗膜３上
にＰＳＧ膜４が積層されている。多結晶シリコン抵抗膜
３の両端にそれぞれ接続するアルミ配線５が形成されて
いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、赤外線領域の画像
を得るための赤外線撮像素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】赤外線撮像素子は、防犯及び防災用赤外
線カメラに適用されている。従来の赤外線撮像素子の１
画素当たりの構成の断面図を図８に示す。５１はＺｎＯ
反射防止膜で、５２はｐ型シリコン領域（以下ｐ型Ｓｉ
領域と記す）で、５３はｎ型シリコン領域（以下ｎ型Ｓ
ｉ領域と記す）で、５４はｐ⁺ 型シリコン領域（以下ｐ
⁺ 型Ｓｉ領域と記す）で、５５はｎ⁺ 型シリコン領域
（以下ｎ⁺ 型Ｓｉ領域と記す）で、５６はＰｔＳｉ膜
で、５７はＳｉＯ₂ 膜で、５８は多結晶シリコン膜（以
下ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜と記す）で、５９はＰＳＧ（Phosph
o Silicate Glass）膜で、６０はＡｌ走査線で、６１は
ＳｉＯ₂ 膜で、６２はＡｌ反射膜である。

【０００３】図中の下方から入射した光は、ＺｎＯ反射
防止膜５１を通過してさらにｐ型Ｓｉ領域５２を通り、
直接、あるいはＡｌ反射膜６２から反射してＰｔＳｉ膜
５６に入射する。このＰｔＳｉ膜５６では、バリア高約
０．２ｅＶのショットキーバリアダイオードが形成され
ており、波長約６．１μｍまでの赤外線入射により、そ
の強さに応じた電荷が発生する。発生した電荷は、多結
晶シリコン膜５８にゲート電圧が印加されると、ＰｔＳ
ｉ膜５６からｎ型Ｓｉ領域５３に電荷量を保持しながら
伝えられる。このように各画素において発生した電荷
量、すなわち赤外線入射強度を知り、さらにこれらを一
画面に結合することで赤外線画像を得る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来の赤外線撮像素子
は、素子構造が複雑である。特に上面、下面の両面に各
々構造が形成されている。そのため、現在普及している
半導体デバイス製造技術の観点からみると、製造工程が
多くなることを意味し、量産性を損ねる要因になる。

【０００５】また、ショットキーバリアを形成するた
め、ＰｔＳｉ膜を形成しているが、この材料は半導体デ
バイスの製造工程では一般に使われておらず、この材料
を用いた赤外線撮像素子の製造ラインを形成するために
は、新たな投資と技術開発が必要となる。

【０００６】さらに、ショットキーバリアによる検出は
高感度という利点があるが、熱雑音に弱く、熱雑音を低
減するために液体窒素温度レベルの冷却を必要とするた
め、装置が大きくなるという問題点があった。

【０００７】本発明の目的は、ショットキーバリアを原
理とした赤外線検出方法のように複雑な構造を持たず構
造が簡易で、室温で動作可能な赤外線撮像素子を提供す
ることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の赤外線撮像素子
は、以下のように構成されている。（１）本発明の赤外線撮像素子（請求項１）は、半導
体基板上に赤外線の光を感知する画素が複数個マトリク
ス状に配置され、赤外線の像を撮像する赤外線撮像素子
において、前記半導体基板は前記画素領域の一部にくぼ
みを有し、前記画素には赤外線照射による温度変化を検
出するセンサ部が形成され、このセンサ部の少なくとも
一部は前記基板のくぼみ上に形成され、該基板と接触し
ないことを特徴とする。（２）本発明の赤外線撮像素子（請求項２）は、半導
体基板上に赤外線の光を感知する画素が複数個マトリク
ス状に配置され、赤外線の像を撮像する赤外線撮像素子
において、前記半導体基板は前記画素領域の一部にくぼ
みを有し、前記画素には、赤外線照射による温度変化を
抵抗値の変化によって検出する抵抗を含むセンサ部が形
成され、このセンサ部は梁によって該基板に支持される
ことによって、前記半導体基板に接触することなく該基
板のくぼみ上に形成されていることを特徴とする。（３）本発明の赤外線撮像素子（請求項３）は、半導
体基板上に赤外線の光を感知する画素が複数個マトリク
ス状に配置され、赤外線の像を撮像する赤外線撮像素子
において、前記半導体基板は表面の一部にくぼみを有
し、前記画素には赤外線照射による温度変化によって熱
起電力を発生する熱電対列を含むセンサ部が形成され、
該センサ部の熱電対列の測温接点が形成されている領域
は前記半導体基板に接触せずに該基板のくぼみ上に突き
出して形成され、且つ該センサ部の熱電対列の基準接点
が形成されている領域は該基板上に接触して形成されて
いることを特徴とする。（４）（２）に記載の赤外線撮像素子において、前記
抵抗は、多結晶シリコンからなる。（５）（２）に記載の赤外線撮像素子において、前記
抵抗は、前記基台上にジグザグに形成されている。（６）（３）に記載の赤外線撮像素子において、前記
熱電対列は、ｐ型多結晶シリコンとアルミからなる第１
の熱電対と、ｎ型多結晶シリコンとアルミとからなる第
２の熱電対とが直列的に接続された物である。（７）（３）に記載の赤外線撮像素子において、バル
ク領域がカバーで覆われている。（８）（２），（３）に記載の赤外線撮像素子におい
て、画素は温度を感知する感知手段の一端が第１の共通
端子に接続され、感知手段の他端が、回路部を介して第
２の共通端子に接続されている。回路部は横アドレスラ
イン及び縦アドレスラインが接続され、横，縦アドレス
ラインから同時に入力があったときに、前記感知手段の
他端と第２の共通端子を電気的に接続する。

【０００９】本発明の赤外線撮像素子は上記構成によっ
て以下の作用・効果を有する。画素のセンサ部の下方
は、熱伝導率の高い基板が取り除かれている。そのた
め、センサ部の少なくとも一部の下方に基板が存在しな
いので、センサ部は基板と断熱され、入射赤外線エネル
ギーが熱的エネルギーとしてセンサ部に吸収され、温度
が上昇する。そのセンサ部の温度を検出することで、入
射赤外線強度を検出することができる。

【００１０】この構造を１画素を検知する素子としてマ
トリクス状に配列すると、この面に赤外線画像を結像し
たとき、各画素のセンサ部は基板と断熱されているので
各画素が熱的に干渉し合うことなく、入射した赤外線強
度に応じて各画素毎で独立に温度が上昇する。温度を検
出する検出手段によって、各画素の温度（すなわち入射
赤外線強度）がわかり、最終的にそれらの温度分布によ
って、赤外線の画像を生成することができる。

【００１１】特に「請求項２」においては、センサ部
が、梁によって支持されて、基板と断熱されている。そ
して、センサ部上に、温度に応じて抵抗値が変化する抵
抗が形成されている。

【００１２】センサ部に形成された抵抗は、赤外線入射
による温度上昇によって抵抗値が変化する。この抵抗値
を測定することで、センサ部の温度を検出することがで
きる。

【００１３】この構造を１画素としてマトリクス状に配
置すると、この面に赤外線が入射したときに各画素が熱
的に干渉し合うことなく、入射した赤外線強度に応じて
各画素毎に独立に温度が上昇する。そして、各画素の抵
抗の抵抗値を測定することで、各位置での画素の温度
（すなわち入射赤外線強度）がわかり、最終的にそれら
の温度分布により、赤外線の画像を抽出することができ
る。

【００１４】そして、「請求項３」においては、センサ
部が半導体基板のくぼみ上にひさし状に突き出して形成
されている。このセンサ部に熱電対列の測温接点が配置
され、基板の断熱領域上に熱電対列の基準接点が配置さ
れている。

【００１５】センサ部では基板と接触していないので、
赤外線入射強度に応じてセンサ部の温度が上昇する。そ
れに対し、熱電対列の基準接点が形成されている基板の
バルク領域では、赤外線が入射しても熱エネルギーは基
板を通して拡散してしまうために、温度の変化はほとん
どない。従って、熱電対列の基準接点の温度はかわらな
い。そのため、測温接点と基準接点とで温度差が生じる
ため熱起電力が発生し、センサ部の温度を検知すること
ができる。また、熱電対列を用いることによって、わず
かな温度差を感度良く測定することができる。

【００１６】この構造を１画素としてマトリクス状に配
置すると、この面に赤外線が入射したときに各画素が熱
的に干渉し合うことがなく、入射した赤外線強度に応じ
て各画素毎で独立に温度が上昇する。各画素の熱起電力
を測定することで、各画素の温度（すなわち入射赤外線
強度）がわかり、最終的にそれらの温度分布により、赤
外線の画像を抽出することができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。（第１実施形態）図１は本発明の第１実施形態に係わる
赤外線撮像素子の１画素あたりの構成を示す図である。
図１の（ａ）は斜視図で、図１の（ｂ）は図１の（ａ）
のＡ−Ａ’部の断面図である。シリコン単結晶基板１
が、１画素の周辺部で同一面を有するバルク領域と、四
角錘状に削られバルク領域の表面より低い表面を有する
断熱領域とから構成されている。なお、ウエットエッチ
ングのエッチングレートの異方性を用いることで、四角
錘状に削れた断熱領域を形成することができる。

【００１８】シリコン単結晶基板１上及び上方にＳｉＯ
₂ 膜２が形成されている。ＳｉＯ₂膜２は、バルク領域
全面に形成されたバルク部２ａと、且つ断熱領域の中央
部上方に四角形に形成され、基板と接触しない基台部２
ｂと、この基台部２ｂとバルク部２ａとを接続する４本
の梁部２ｃとからなる。なお、基台部２ｂ及び梁部２ｃ
は、厚さを数μｍオーダーで極めて薄く形成し、且つ梁
部２ｂの幅を１０数μｍ程度にして形成する。

【００１９】基台部２ｂ上に、多結晶シリコン抵抗膜
（ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗膜）３がジグザグ状に形成されて
いる。このｐｏｌｙ−Ｓｉ膜３は、温度上昇に対し、一
定の温度係数に従って抵抗値が変化する。ＳｉＯ₂ 膜２
及びｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗膜３上にＰＳＧ膜４が積層され
ている。ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗膜３の両端にそれぞれ接続
するアルミ配線５が形成されている。ここで、ｐｏｌｙ
−Ｓｉ抵抗膜３が形成されている基台部２ｂ上の構造が
センサ部６である。

【００２０】この画素に赤外線が入射すると、センサ部
６は熱伝導率の高いシリコン単結晶基板１に接触してお
らず、入射赤外線エネルギーが熱的エネルギーとしてセ
ンサ部６に吸収されるため、入射赤外線の強度に応じて
センサ部６の温度が上昇する。そして、ｐｏｌｙ−Ｓｉ
抵抗膜３は、この温度上昇に対し、一定の温度係数に従
って抵抗値が変化する。そのため、抵抗値から赤外線入
射強度を知ることができる。

【００２１】また、図２は、本発明の第１実施形態に係
わる赤外線撮像素子の全体の構成を示す平面図である。
図３は、本発明の第１実施形態に係わる赤外線撮像素子
の１画素を含む周辺領域の構成を示す平面図である。マ
トリクス状に画素１０が配置されている。一列に並んで
いる画素１０を挟んで第１の共通端子１１と第２の共通
端子１２が配置されている。第１の共通端子１１は、ア
ルミ配線５ａを介して、ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗膜３の一端
に接続されている。ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗膜３の他端は、
アルミ配線５ｂ及び回路部２０を介して第２の共通端子
１２に接続されている。そして、縦アドレスライン１３
と横アドレスライン１４とが回路部２０に接続されてい
る。

【００２２】複数本の縦，横アドレスライン１３，１４
からそれぞれ１本ずつ選択して電圧を印加し、抵抗を測
定する画素を選択する。そして、選択されたされた回路
部２０はｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗膜３と接続するアルミ配線
５ｂと第２の共通端子１２とを接続する。そして第１，
第２の共通端子１１，１２間で抵抗を計測することによ
って、ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗膜３の抵抗を測定する。

【００２３】そして、上記動作を各画素毎に行い、各画
素のｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗膜３の抵抗値を計測することに
よって、入射赤外線画像を生成する。次に、回路部２０
の構成について図４の回路図を用いて説明する。縦，横
アドレスライン１３，１４がＮＡＮＤ回路３１の入力側
に接続されている。ＮＡＮＤ回路３１の出力がインバー
タ回路３２に接続されている。ＮＡＮＤ回路３１とイン
バータ回路３２の出力がアナログスイッチ回路３３に入
力されている。また、ｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗膜と接続する
アルミ配線５ｂがアナログスイッチ回路３３を介して第
２の共通端子１２に接続されている。

【００２４】横アドレスライン１３と縦アドレスライン
１４との両方から入力があると、ＮＡＮＤ回路３１から
信号が出力され、アナログスイッチ回路３３が、ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ抵抗膜と接続するアルミ配線５ｂと第２の共通
端子１２とを接続する。

【００２５】本実施形態の赤外線撮像素子の画素は、セ
ンサ部が梁部によって支持されて基板と断熱されること
によって、赤外線入射時にセンサ部の温度が上昇し、且
つ他の画素に熱的干渉を与えることがない。また、セン
サ部は、薄くて細い梁部によって支えられているので、
基板に熱が伝わりにくくなっている。センサ部に形成さ
れたｐｏｌｙ−Ｓｉ抵抗膜によって、センサ部の温度
（つまり赤外線強度）を抵抗膜の抵抗値によって知るこ
とができ、ジグザグ状に形成することによって、温度を
感度良く検出することができる。そして、各画素のｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ抵抗膜の抵抗値を測定することによって、赤
外線領域の画像を得ることができる。また、素子構造が
簡易で、通常の半導体デバイスで用いられる材料を用い
ているので、製造コスト，設備投資及び研究開発比の低
減を図ることができる。

【００２６】（第２実施形態）また、本発明の第２実施
形態に係わる赤外線撮像素子の構成を図に示す。図５の
（ａ）は、斜視図で、図５の（ｂ）はＡ−Ａ’部の断面
図である。

【００２７】シリコン単結晶基板１は、同一面を有する
バルク領域と、四角錘状に削られた断熱領域とに分かれ
ている。基板１上及び上方にＳｉＯ₂ 膜４１が形成され
ている。ＳｉＯ₂ 膜４１はバルク領域の全面に形成され
たバルク部４１ａと断熱領域の一部にひさし上に突き出
した基台部４１ｂとからなる。ＳｉＯ₂ 膜４１上にｐ型
多結晶シリコン膜（以下ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜と記す）
４２が複数本平行に配列されている。そして、ＳｉＯ₂
膜４１及びｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４２上にＰＳＧ膜４３
が積層されている。ＰＳＧ膜４３上に、２本のｐ型ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ膜４２を挟むように、ｎ型多結晶シリコン膜
（以下ｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜と記す）４４が複数本平行
に配列されている。全面にＰＳＧ膜４５が積層されてい
る。ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４２及びｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜４４の両端上のＰＳＧ膜４３，４５にコンタクトホー
ルが形成されている。ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４２とｎ型
ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４４とを接続するアルミ配線４６が形
成されている。そして全面にＰＳＧ膜４７が積層されて
いる。

【００２８】なお、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４２，アルミ
配線４６及びアルミ配線４６が形成されている領域が特
許請求の範囲に記載のセンサ部である。基台部４１ｂ上
に形成されているｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４２とアルミ配
線４６の接点，ｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜４４とアルミ配線
との接点が請求項に記載の熱電対列の測温接点である。
また、バルク部４１ａに形成されているｐ型ｐｏｌｙ−
Ｓｉ膜４２とアルミ配線４６の接点，ｎ型ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜４４とアルミ配線４６との接点が「特許請求の範
囲」に記載の熱電対列の基準接点である。

【００２９】この画素に赤外線が入射すると、バルク領
域では温度変化がほとんどないのに対して、断熱領域で
は入射赤外線エネルギーが熱的エネルギーとして吸収さ
れるため、入射赤外線の強度に応じて断熱領域の温度が
上昇する。

【００３０】断熱領域及びバルク領域上のｐ型ｐｏｌｙ
−Ｓｉ膜４２：Ａｌ配線４６間とｎ型ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
４４：Ａｌ配線４６は、各々同じ極性の熱起電力を発生
する熱電対であるので、この接続列は、基板１のバルク
領域を基準接点とする熱電対列となり、測温接点と基準
接点との温度差に応じて熱起電力を発生する。そして、
電圧を測定することで、その画素への入射赤外線の大き
さを知ることができる。さらに図６で示したようなカバ
ー４８で熱電対列の基準接点を覆うことによって、基準
接点に赤外線が照射されず温度が上昇しないので、熱電
対列の基準接点としての効果を高めることができる。

【００３１】本実施形態の赤外線撮像素子の全体の構成
を示す平面図は、画素の構成が異なる以外は図２と同様
なので、図示及び詳しい説明を省略する。また、図７は
本発明の第２実施形態に係わる赤外線撮像素子の１画素
を含む周辺領域の構成を示す平面図である。熱電対列の
一端に接続するアルミ配線４６ａが第１の共通端子１１
が接続されている。熱電対列の他端に接続するアルミ配
線４６ｂが、ｏｎ，ｏｆｆを制御する回路部２０を介し
て第２の共通端子１２に接続されている。横アドレスラ
イン１３と縦アドレスライン１４とが回路部２０に接続
されている。

【００３２】複数本の横アドレスライン１３、縦アドレ
スライン１４から、それぞれ１本ずつに電圧を印加する
ことで、マトリクス状に配列された画素の内、何れの信
号を取り出すかを選択する。回路部２０は、その選択さ
れた画素のアルミ配線４６ｂと第２の共通端子１２とを
接続する。そして、その第１の共通端子１１と第２の共
通端子１２との間の電圧値を計測することによって、熱
電対列の熱起電力値を計測することができる。そして上
記手順を繰り返し行って全ての画素の熱起電力を測定す
ることによって、入射赤外線画像を得ることができる。
なお、回路部の構成は第１実施形態の図４と同様なの
で、図示及び説明を省略する。

【００３３】本実施形態の赤外線撮像素子の画素は、熱
電対列の測温接点を含む領域が基板の断熱領域上にひさ
し状に突き出して形成されて基板と断熱されることによ
って、赤外線入射時に基台部の温度が上昇し、且つ他の
画素に熱的干渉を与えることがない。基板の断熱領域の
上方に形成された測温接点と基板のバルク領域上に形成
された基準接点とからなる熱電対列によって、測温接点
の温度を熱電対列の熱起電力によって知ることができ
る。熱電対列を複数直列に接続した熱電対列にすること
によって、測温接点と基準接点とのわずかな温度差を感
知することができ、測温接点の温度を感度良く測定する
ことができる。またさらに、基準接点をカバーで覆うこ
とによって、赤外線照射による温度変化を抑えることが
でき、測温接点の温度を感度良く測定することができ
る。そして、各画素の熱起電力を測定することによっ
て、赤外線領域の画像を得ることができる。また、素子
構造が簡易で、通常の半導体デバイスで用いられる材料
を用いているので、製造コスト，設備投資及び研究開発
費の低減を図ることができる。本発明は上記実施形態に
限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することが可能である。

【００３４】

【発明の効果】本発明の赤外線撮像素子は、構造が簡易
で、構成材料も現在半導体デバイスに用いられている材
料を用いているので、設備投資，コストが少なくなる。
そして、赤外線エネルギーを熱エネルギーとして検出
し、ショットキーバリアを原理として赤外線検出を行わ
ず、冷却する必要がないので、冷却機構が不要となっ
て、小型化を図ることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態に係わる赤外線撮像素子の画素の
構成を示す図。

【図２】第１実施形態に係わる赤外線撮像素子の構成を
示す平面図。

【図３】第１実施形態に係わる赤外線撮像素子の１画素
を含む周辺領域の構成を示す平面図。

【図４】第１実施形態に係わる赤外線撮像素子の制御回
路の構成を示す回路図。

【図５】第２実施形態に係わる赤外線撮像素子の画素の
構成を示す図。

【図６】第２実施形態に係わる赤外線撮像素子の画素の
構成を示す図。

【図７】第２実施形態に係わる赤外線撮像素子の１画素
を含む周辺領域の構成を示す回路図。

【図８】従来の赤外線撮像素子の構成を示す断面図。

【符号の説明】

１シリコン単結晶基板２ＳｉＯ₂ 膜２ａバルク部２ｂ基台部２ｃ梁部３多結晶シリコン抵抗膜４ＰＳＧ膜５アルミ配線６センサ部１０画素１１第１の共通端子１２第２の共通端子１３横アドレスライン１４縦アドレスライン２０回路部３１ＮＡＮＤ回路３２インバータ回路３３アナログスイッチ回路４１ＳｉＯ₂ 膜４１ａバルク部４１ｂ基台部４２ｐ型多結晶シリコン膜４３ＰＳＧ膜４４ｎ型多結晶シリコン膜４５ＰＳＧ膜４６アルミ配線４８カバー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に赤外線の光を感知する画素
が複数個マトリクス状に配置され、赤外線の像を撮像す
る赤外線撮像素子において、前記半導体基板は前記画素領域の一部にくぼみを有し、前記画素には赤外線照射による温度変化を検出するセン
サ部が形成され、このセンサ部の少なくとも一部は前記
基板のくぼみ上に形成され、該基板と接触しないことを
特徴とする赤外線撮像素子。
【請求項２】半導体基板上に赤外線の光を感知する画素
が複数個マトリクス状に配置され、赤外線の像を撮像す
る赤外線撮像素子において、前記半導体基板は前記画素領域の一部にくぼみを有し、前記画素には、赤外線照射による温度変化を抵抗値の変
化によって検出する抵抗を含むセンサ部が形成され、こ
のセンサ部は梁によって該基板に支持されることによっ
て、前記半導体基板に接触することなく該基板のくぼみ
上に形成されていることを特徴とする赤外線撮像素子。
【請求項３】半導体基板上に赤外線の光を感知する画素
が複数個マトリクス状に配置され、赤外線の像を撮像す
る赤外線撮像素子において、前記半導体基板は前記画素領域の表面の一部にくぼみを
有し、前記画素には赤外線照射による温度変化によって熱起電
力を発生する熱電対列を含むセンサ部が形成され、該セ
ンサ部の熱電対列の測温接点が形成されている領域は前
記半導体基板に接触せずに該基板のくぼみ上に突き出し
て形成され、且つ該センサ部の熱電対列の基準接点が形
成されている領域は該基板上に接触して形成されている
ことを特徴とする赤外線撮像素子。