JPH1064880A - Substrate treatment device - Google Patents

Substrate treatment device

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Publication number
JPH1064880A
JPH1064880A JP22290496A JP22290496A JPH1064880A JP H1064880 A JPH1064880 A JP H1064880A JP 22290496 A JP22290496 A JP 22290496A JP 22290496 A JP22290496 A JP 22290496A JP H1064880 A JPH1064880 A JP H1064880A
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JP
Japan
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nozzles
substrate
wafer
processing liquid
arm
Prior art date
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Pending
Application number
JP22290496A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tatsumi Shimomura
辰美 下村
Katsuyuki Miyake
克之 三宅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication of JPH1064880A publication Critical patent/JPH1064880A/en
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
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    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treatment device with which the lower surface of a wafer is uniformly treated, by uninterruptedly making a treating liquid reach the lower surface of the wafer. SOLUTION: A rotary board 21 contains arms 24 provided along the circumference thereof at equal angle spaces and treating liquid channel 70 formed between adjacent arms 24. Nozzles 11a, 11b, 11c, 11d, 11e, and 11f for jetting a liquid chemicals A, a liquid chemicals B and a pure water C are assigned diagonally below the rotary board 21. The nozzles are not assigned along the circumference at an equal angle, but, so that two nozzles for jetting the same kind of treating liquid are placed at an angle of 90 deg. with respect to a center axis O as a center. As a result, for example, the liquid chemicals A from the nozzle 11b reaches the lower surface of a wafer W through the channel 70 when the liquid chemicals A from the nozzle 11a is blocked with the arm 24. Conversely, when the liquid chemicals A from the nozzle 11b is blocked with the arm 24, the liquid chemicals A from the nozzle 11a reaches the lower surface of the wafer W through the channel 70.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばLCD(L
iquid Crystal Display)製造装置、PDP(Plasma Disp
lay Panel)製造装置または半導体製造装置に適用され、
LCD用ガラス基板やPDP用ガラス基板、半導体ウエ
ハなどの基板に処理を施すための基板処理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
iquid Crystal Display) manufacturing equipment, PDP (Plasma Disp.
lay Panel) applied to manufacturing equipment or semiconductor manufacturing equipment,
The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing on a substrate such as a glass substrate for LCD, a glass substrate for PDP, and a semiconductor wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】LCD、PDPおよびIC(Integrated
Circuit)の製造工程には、ガラス基板や半導体ウエハな
どに電子回路を形成する工程が含まれている。電子回路
を基板に形成する工程では、基板表面を洗浄したり基板
表面に薄膜パターンを形成したりするために、これら各
表面処理を施すための基板処理装置が用いられる。この
種の基板処理装置は、たとえば特公平3−9607号公
報に開示されている。
2. Description of the Related Art LCDs, PDPs and ICs (Integrated
The circuit manufacturing process includes a process of forming an electronic circuit on a glass substrate, a semiconductor wafer, or the like. In the step of forming an electronic circuit on a substrate, a substrate processing apparatus for performing each of these surface treatments is used to clean the substrate surface or to form a thin film pattern on the substrate surface. This type of substrate processing apparatus is disclosed, for example, in Japanese Patent Publication No. 3-9607.

【0003】この公告公報に開示されている装置には、
回転可能に設けられた回転軸、および回転軸の上端部に
設けられ、基板を挾持するためのスピンチャックが備え
られている。スピンチャックには、回転軸の上端部に取
り付けられた回転ヘッド、回転ヘッドから径方向に等角
度間隔で突設された6本のスピンアーム、スピンアーム
の先端部に立設され、基板を挾持するための挾持爪が含
まれる。
[0003] The devices disclosed in this publication include:
A rotatable rotation shaft and a spin chuck provided at the upper end of the rotation shaft for holding the substrate are provided. The spin chuck has a rotating head attached to the upper end of the rotating shaft, six spin arms protruding from the rotating head at equal angular intervals in the radial direction, and a standing upright end at the tip of the spin arm to hold the substrate. To hold the jaws.

【0004】スピンチャックの斜め下方には、基板の下
面に向けて処理液をほぼ直線的に噴射するための6個の
ノズルが平面視においてスピンチャックを包囲する円周
に沿ってほぼ等角度間隔で配設されている。ノズルは、
同種の処理液を噴射するノズルが2個ずつ対になってい
る。挾持爪に基板が挾持されている状態で処理が開始さ
れると、スピンチャックが回転させられ、その一方で所
定の対のノズルから処理液が同時に噴射される。その結
果、ノズルから噴射された処理液はスピンアームの間を
通り抜けて基板の下面に吹き付けられる。これにより、
基板の下面に処理が施される。
Below the spin chuck, six nozzles for spraying the processing liquid substantially linearly toward the lower surface of the substrate are provided at substantially equal angular intervals along the circumference surrounding the spin chuck in plan view. It is arranged in. The nozzle is
Nozzles for injecting the same type of processing liquid are paired two by two. When the processing is started with the substrate being held by the holding claws, the spin chuck is rotated, and on the other hand, the processing liquid is simultaneously ejected from a predetermined pair of nozzles. As a result, the processing liquid sprayed from the nozzle passes between the spin arms and is sprayed on the lower surface of the substrate. This allows
Processing is performed on the lower surface of the substrate.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記公告公
報に開示されている装置では、スピンアームおよびノズ
ルがいずれも平面視において6つずつ等角度間隔で設け
られているために、対となっているノズルから噴射され
る処理液がスピンアームによって同時に遮られる場合が
ある。具体的には、スピンアームが1回転する間に処理
液が同時に遮られるタイミングは6回存在する。
However, in the apparatus disclosed in the above-mentioned publication, the spin arms and the nozzles are provided at equal angular intervals of six in a plan view, so that they are paired. There is a case where the processing liquid ejected from the nozzle which is in use is simultaneously blocked by the spin arm. Specifically, there are six times when the processing liquid is simultaneously blocked during one rotation of the spin arm.

【0006】その結果、処理液の種類によっては、基板
に施される処理にむらが生じ、処理が均一に進まないお
それがある。たとえば、基板にエッチング液を供給する
ことで基板に形成されている薄膜を削るエッチング処理
では、エッチング液が当たっているときには薄膜の浸食
が速やかに進行し、エッチング液がスピンアームで遮ら
れているときには薄膜の浸食速度が遅くなる。そのた
め、基板全面にわたって高精度な加工を均一に施すこと
ができないという不具合がある。
As a result, depending on the type of the processing liquid, the processing performed on the substrate may be uneven, and the processing may not proceed uniformly. For example, in an etching process for shaving a thin film formed on a substrate by supplying an etching solution to the substrate, the erosion of the thin film proceeds rapidly when the etching solution is being applied, and the etching solution is blocked by the spin arm. Sometimes the erosion rate of the thin film becomes slow. Therefore, there is a problem that high-precision processing cannot be performed uniformly over the entire surface of the substrate.

【0007】そこで、本発明の目的は、前述の技術的課
題を解決し、処理液を途切れることなく基板に供給する
ことができる基板処理装置を提供することである。
It is an object of the present invention to solve the above-mentioned technical problems and to provide a substrate processing apparatus capable of supplying a processing liquid to a substrate without interruption.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の請求項1記載の発明は、回転可能に設けられ、上面お
よび下面を有し、この上面と下面とを貫通する貫通部が
形成された回転部材を備え、この回転部材の上面側で基
板を保持するための基板保持部と、この基板保持部の下
方に設けられ、同種の処理液を前記基板保持部に保持さ
れる基板の下面に向けて同時に供給するための複数のノ
ズルとを含み、前記貫通部と前記複数のノズルから供給
される各処理液の経路との位置関係は、前記複数のノズ
ルのうち少なくともいずれか1つのノズルから供給され
る処理液が前記基板保持部に形成された貫通部を通過し
て基板の下面に到達するように定められていることを特
徴とする基板処理装置である。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a rotatable rotatable device having an upper surface and a lower surface, and a penetrating portion penetrating the upper surface and the lower surface. A substrate holding portion for holding a substrate on the upper surface side of the rotating member, and a lower surface of the substrate provided below the substrate holding portion and holding the same type of processing liquid on the substrate holding portion. And a plurality of nozzles for simultaneously supplying the processing liquid supplied from the plurality of nozzles, and a positional relationship between the through portion and a path of each processing liquid supplied from the plurality of nozzles is at least one of the plurality of nozzles. The substrate processing apparatus is characterized in that the processing liquid supplied from the substrate is defined so as to pass through a penetrating part formed in the substrate holding part and reach the lower surface of the substrate.

【0009】本発明によれば、複数のノズルのうち少な
くともいずれか1つのノズルから供給される処理液が前
記回転部材に形成された貫通部を通過して基板の下面に
到達するようにされている。具体的には、たとえば、複
数の貫通部が回転中心を中心にした円周に沿って形成さ
れ、かつ一対のノズルが回転中心を中心にした円周に沿
って配設されている場合、回転中心と任意の一対の貫通
部とがなす角度と、回転中心と同種の処理液を基板の下
面に供給する一対のノズルとの間をなす角度とが異なる
ように設定される。さらに具体的には、回転中心と同種
の処理液を基板の下面に供給する一対のノズルとの間を
なす角度は、平面視において、回転中心と各ノズルの処
理液の経路とがなす角度である。
According to the present invention, the processing liquid supplied from at least one of the plurality of nozzles passes through the penetrating portion formed in the rotating member and reaches the lower surface of the substrate. I have. Specifically, for example, when a plurality of penetrating portions are formed along a circumference centered on the rotation center and a pair of nozzles are arranged along a circumference centered on the rotation center, The angle formed between the center and an arbitrary pair of penetrating portions is set to be different from the angle formed between the center of rotation and a pair of nozzles for supplying the same type of processing liquid to the lower surface of the substrate. More specifically, the angle between the rotation center and a pair of nozzles that supply the same type of processing liquid to the lower surface of the substrate is an angle formed by the rotation center and the path of the processing liquid of each nozzle in plan view. is there.

【0010】このように、複数のノズルのうち少なくと
もいずれか1つのノズルから供給される処理液が基板の
下面に到達するようにされているから、基板の下面には
途切れることなく処理液が供給される。
As described above, since the processing liquid supplied from at least one of the plurality of nozzles reaches the lower surface of the substrate, the processing liquid is supplied to the lower surface of the substrate without interruption. Is done.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発
明の一実施形態が適用される基板処理装置の構成を簡略
化して示す断面図である。この基板処理装置は、挾持機
構1に挾持されている半導体ウエハ(以下、単に「ウエ
ハ」という。)Wをカップ2内で高速回転させつつ当該
ウエハWの下面に処理液を供給して当該ウエハWに薬液
による処理や純水による洗浄処理を施すためのものであ
る。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a simplified cross-sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus to which an embodiment of the present invention is applied. In this substrate processing apparatus, a processing liquid is supplied to a lower surface of a semiconductor wafer (hereinafter, simply referred to as “wafer”) W held by a holding mechanism 1 while the wafer W is rotated at a high speed in a cup 2. This is for subjecting W to a treatment with a chemical solution or a washing treatment with pure water.

【0012】挾持機構1には、挾持されている状態のウ
エハWの中心を中心軸Oが通るように設けられた円筒状
の回転構造物3が連結されている。回転構造物3は、円
筒状の回転軸4および回転軸4に内設されたチャック軸
5を含む。回転軸4は、この装置の土台となる基台6に
取付部材7を介して固定された固定筒体8の上端部およ
び下端部の内壁面にそれぞれ配置された軸受9a,9b
を介して軸支されており、モータMの駆動力によって所
定の回転方向に回転される。チャック軸5は、回転軸4
の上端付近から基台6の下方まで延びた小径部5aと、
小径部5aの上方に一体的に形成されている大径部5b
とを有し、小径部5aと大径部5bとの間で形成される
段差面が回転軸4の上端面に支持されている。
The holding mechanism 1 is connected to a cylindrical rotary structure 3 provided so that the center axis O passes through the center of the held wafer W. The rotating structure 3 includes a cylindrical rotating shaft 4 and a chuck shaft 5 provided inside the rotating shaft 4. The rotating shaft 4 includes bearings 9a and 9b disposed on inner wall surfaces of upper and lower ends of a fixed cylindrical body 8 fixed via a mounting member 7 to a base 6 serving as a base of the apparatus.
And is rotated in a predetermined rotation direction by the driving force of the motor M. The chuck shaft 5 is a rotating shaft 4
A small diameter portion 5a extending from near the upper end of the base to below the base 6,
Large diameter portion 5b integrally formed above small diameter portion 5a
And a step surface formed between the small diameter portion 5a and the large diameter portion 5b is supported by the upper end surface of the rotating shaft 4.

【0013】なお、本実施形態では、挾持機構1、回転
構造物3およびチャック駆動機構30が基板保持部に相
当する。カップ2は、固定配置された支持板10に支持
されており、下方に向かって径が小さくなるように傾斜
した筒状の外縁部2aによって外観が形成され、上面は
開口している。カップ2の底央部分には起伏部2bが形
成されており、底上げ状になっている。起伏部2bの中
央には円形の穴が形成されており、この穴に回転構造物
3が挿通され、その上端に連結された挾持機構1がカッ
プ2内に収容されるようになっている。カップ2の底部
には、排液パイプ2cが連結された排液口2dが形成さ
れており、ノズル11から噴射され、カップ2内に飛び
散った処理液を外部に排出できるようにされている。
In this embodiment, the holding mechanism 1, the rotary structure 3, and the chuck driving mechanism 30 correspond to a substrate holding unit. The cup 2 is supported by a support plate 10 that is fixedly arranged, and has an outer appearance formed by a cylindrical outer edge 2a that is inclined so as to decrease in diameter downward, and has an open upper surface. An undulating portion 2b is formed in the center of the bottom of the cup 2, and is raised. A circular hole is formed in the center of the undulating portion 2b, and the rotating structure 3 is inserted into the hole, and the holding mechanism 1 connected to the upper end thereof is accommodated in the cup 2. A drain port 2d to which a drain pipe 2c is connected is formed at the bottom of the cup 2, so that the processing liquid injected from the nozzle 11 and scattered in the cup 2 can be discharged to the outside.

【0014】カップ2の外縁部2aの内壁には、ウエハ
Wの下面に処理液を供給するための6個(図1では2個
だけが表されている。)のノズル11が配設されてい
る。ノズル11は、図示しない処理液供給タンクに接続
されており、挾持機構1に挾持されているウエハWの下
面に対して斜め下方から処理液が噴射されるようになっ
ている。ノズル11は、同種の処理液を噴射する2個の
ノズル11同士で対となっている。たとえば、薬液Aを
噴射するノズル対、薬液Bを噴射するノズル対、および
純水を噴射するノズル対というように分かれており、各
ノズル対からは処理液が同時に噴射されるようになって
いる。
On the inner wall of the outer edge 2a of the cup 2, six nozzles 11 (only two are shown in FIG. 1) for supplying a processing liquid to the lower surface of the wafer W are arranged. I have. The nozzle 11 is connected to a processing liquid supply tank (not shown), and the processing liquid is sprayed obliquely from below onto the lower surface of the wafer W held by the holding mechanism 1. The nozzles 11 are paired with each other by two nozzles 11 that eject the same type of processing liquid. For example, a nozzle pair for injecting the chemical solution A, a nozzle pair for injecting the chemical solution B, and a nozzle pair for injecting pure water are separated, and the processing liquid is simultaneously injected from each nozzle pair. .

【0015】挾持機構1は、回転軸4の上端部に取り付
けられた回転ヘッド20を備えている。回転ヘッド20
の下面には、固定筒体8の上端面に取り付けられた保護
筒部8aを間に挟むように、内周筒部20aおよび中間
筒部20bが一体的に形成されており、内周筒部20a
は、その内周面が回転軸4の外周面に密接するように、
回転軸4に取り付けられている。回転ヘッド20の下面
にはまた、外周筒部20cがカップ2の起伏部2bに沿
うように設けられている。
The holding mechanism 1 has a rotary head 20 mounted on the upper end of the rotary shaft 4. Rotating head 20
An inner peripheral cylindrical portion 20a and an intermediate cylindrical portion 20b are formed integrally with the lower surface of the inner cylindrical portion so as to sandwich the protective cylindrical portion 8a attached to the upper end surface of the fixed cylindrical body 8 therebetween. 20a
, So that its inner peripheral surface is in close contact with the outer peripheral surface of the rotating shaft 4,
It is attached to the rotating shaft 4. On the lower surface of the rotary head 20, an outer peripheral cylindrical portion 20c is provided along the undulating portion 2b of the cup 2.

【0016】回転ヘッド20の上面には、回転板21が
ボルト22で取り付けられている。回転板21は、中心
軸Oまわりに設けられたアーム取付部23、およびアー
ム取付部23に一体的に形成された6本(図1では2本
だけが表されている。)のスピンアーム24を含む。ス
ピンアーム24は、アーム取付部23から径方向に放射
状に延びている。
A rotary plate 21 is attached to the upper surface of the rotary head 20 with bolts 22. The rotating plate 21 includes an arm mounting portion 23 provided around the central axis O, and six (only two in FIG. 1) spin arms 24 integrally formed with the arm mounting portion 23. including. The spin arm 24 extends radially from the arm mounting portion 23 in the radial direction.

【0017】スピンアーム24の先端部には、ウエハW
を挾持するための挾持爪25が設けられている。6本の
挾持爪25の中には3本の固定爪25aおよび3本の可
動爪25bが含まれており、固定爪25aおよび可動爪
25bは交互に配置されている。固定爪25aは、スピ
ンアーム24の先端部にボルト(図示せず。)で固定さ
れている。可動爪25bは、スピンアーム24の先端部
に鉛直軸まわりに回動自在に取り付けられており、その
下端部には揺動腕26が一体的に形成されている。
The tip of the spin arm 24 has a wafer W
Is provided with a holding claw 25 for holding the holding member. The six holding claws 25 include three fixed claws 25a and three movable claws 25b, and the fixed claws 25a and the movable claws 25b are alternately arranged. The fixed claw 25a is fixed to the tip of the spin arm 24 with a bolt (not shown). The movable claw 25b is attached to a tip end of the spin arm 24 so as to be rotatable around a vertical axis, and a swing arm 26 is integrally formed at a lower end thereof.

【0018】揺動腕26の先端部には爪操作リンク27
の一端が連結されており、爪操作リンク27の他端はチ
ャック軸5の上端に取り付けられた爪操作部材28に回
動可能に連結されている。爪操作リンク27は、チャッ
ク軸5の回動に連動して揺動するようになっている。こ
の揺動に伴って可動爪25bが鉛直軸まわりに回動し、
可動爪25bがチャック状態/チャック解除状態に変位
する。
A pawl operation link 27 is provided at the tip of the swing arm 26.
Is connected, and the other end of the claw operation link 27 is rotatably connected to a claw operation member 28 attached to the upper end of the chuck shaft 5. The pawl operation link 27 swings in conjunction with the rotation of the chuck shaft 5. With this swing, the movable claw 25b rotates around a vertical axis,
The movable claw 25b is displaced between the chuck state and the chuck release state.

【0019】回転軸4の下端部付近には、チャック軸5
を回転軸4に対して相対的に回動させるためのチャック
駆動機構30が設けられている。チャック駆動機構30
は、回転軸4の外周面に取り付けられたフランジ30
a、フランジ30aから下方に突出したベースピン30
b、チャック軸5に垂直に突設したシリンダ用ピン30
c、ベースピン30bとシリンダ用ピン30cとの間に
介装されたコイルばね30d、およびエアシリンダ30
eを含む。チャック軸5は、コイルばね30dにより可
動爪25bがチャック状態となる方向に向けて付勢され
ている。
Near the lower end of the rotating shaft 4, a chuck shaft 5 is provided.
Is provided with a chuck drive mechanism 30 for rotating the rotary shaft 4 relatively to the rotary shaft 4. Chuck drive mechanism 30
Is a flange 30 attached to the outer peripheral surface of the rotating shaft 4.
a, base pin 30 projecting downward from flange 30a
b, a cylinder pin 30 projecting vertically from the chuck shaft 5
c, a coil spring 30d interposed between the base pin 30b and the cylinder pin 30c, and an air cylinder 30
e. The chuck shaft 5 is urged by a coil spring 30d in a direction in which the movable claw 25b is in a chuck state.

【0020】エアシリンダ30eは、回転軸4が後述す
る搬入/搬出位置に停止している状態でロッド30gが
シリンダ用ピン30cに対向するように、基台6の下面
に配設されている。ロッド30gを突出させるようにエ
アシリンダ30eに図外の空気供給源から加圧空気が供
給されると、エアシリンダ30eから突出したロッド3
0gは、コイルばね30dのばね力に抗してシリンダ用
ピン30cを押す。その結果、チャック軸5が回転軸4
に対して相対的に回動する。これに伴い、チャック軸5
の上端側に設けられた爪操作リンク27が揺動し、可動
爪25bをチャック状態からチャック解除状態に回動さ
せる。
The air cylinder 30e is disposed on the lower surface of the base 6 such that the rod 30g faces the cylinder pin 30c while the rotating shaft 4 is stopped at a loading / unloading position described later. When pressurized air is supplied from an air supply source (not shown) to the air cylinder 30e so as to make the rod 30g protrude, the rod 3 protruding from the air cylinder 30e
0g pushes the cylinder pin 30c against the spring force of the coil spring 30d. As a result, the chuck shaft 5 is
Rotate relative to. Accordingly, the chuck shaft 5
The pawl operation link 27 provided on the upper end side of the oscillating member swings to rotate the movable pawl 25b from the chucked state to the chuck released state.

【0021】エアシリンダ30eのロッド30gを引っ
込ませると、チャック軸5はコイルばね30dのばね力
によって元の位置に復帰する。その結果、爪操作リンク
27がチャック解除状態に変位するときとは逆方向に動
作し、可動爪25bは元のチャック状態に戻る。なお、
参照符号30fは停止ピンである。停止ピン30fは、
ウエハWが挾持機構1に挾持されていない状態で、かつ
エアシリンダ30eによりシリンダ用ピン30cが押さ
れていないときに、ベースピン30bに当接するように
されており、これによりチャック軸5の変位が規制され
る。
When the rod 30g of the air cylinder 30e is retracted, the chuck shaft 5 returns to the original position by the spring force of the coil spring 30d. As a result, the claw operation link 27 operates in the direction opposite to the direction in which it is displaced to the chuck release state, and the movable claw 25b returns to the original chuck state. In addition,
Reference numeral 30f is a stop pin. The stop pin 30f is
When the wafer W is not held by the holding mechanism 1 and the cylinder pin 30c is not pushed by the air cylinder 30e, the wafer W comes into contact with the base pin 30b, thereby displacing the chuck shaft 5. Is regulated.

【0022】基台6には、回転軸4を回転させるための
モータMが取り付けられている。モータMは、たとえば
交流(AC)サーボモータであり、その回転は制御部3
5によって制御されるようになっている。モータMは、
プーリ36が固定された駆動軸37を上向きにして取り
付けられている。また、回転軸4には、駆動軸37のプ
ーリ36に対応する位置にプーリ38が固定されてお
り、プーリ36,38の間には無端状のベルト39が掛
け回されている。
A motor M for rotating the rotating shaft 4 is attached to the base 6. The motor M is, for example, an alternating current (AC) servo motor, and its rotation is controlled by the control unit 3.
5 is controlled. The motor M is
The pulley 36 is attached with the fixed drive shaft 37 facing upward. A pulley 38 is fixed to the rotary shaft 4 at a position corresponding to the pulley 36 of the drive shaft 37, and an endless belt 39 is looped between the pulleys 36, 38.

【0023】制御部35によってモータMが駆動される
と、その駆動力は、駆動軸37に伝達され、さらにプー
リ36、ベルト39およびプーリ38を介して回転軸4
に伝達される。その結果、回転軸4の上端に固定された
回転ヘッド20が高速回転する。また、回転ヘッド20
にスピンアーム24、可動爪25b、爪操作リンク2
7、および爪操作部材28を介して連結されたチャック
軸5も高速回転する。すなわち、ウエハWを挾持するた
めの挾持機構1全体が回転軸4とともに回転する。この
とき、固定筒体8およびカップ2は回転することなく、
静止している。
When the motor M is driven by the control unit 35, the driving force is transmitted to the drive shaft 37, and further transmitted to the rotary shaft 4 via a pulley 36, a belt 39 and a pulley 38.
Is transmitted to As a result, the rotary head 20 fixed to the upper end of the rotary shaft 4 rotates at high speed. The rotating head 20
Arm 24, movable claw 25b, claw operation link 2
7, and the chuck shaft 5 connected via the claw operating member 28 also rotates at high speed. That is, the entire holding mechanism 1 for holding the wafer W rotates together with the rotating shaft 4. At this time, the fixed cylinder 8 and the cup 2 do not rotate,
It is stationary.

【0024】回転軸4の下端側の部位に関連して、回転
軸4の回転位置を検出するための位置検出機構40が備
えられている。位置検出機構40は、回転軸4の外周面
に取り付けられ、所定の位置に切欠きを有する回転円板
40a、および回転円板40aを発光素子と受光素子と
で挟むように配置された透過型の光電センサ40bを含
む。光電センサ40bは、回転円板40aに形成された
切欠きが光電センサ40bの発光素子と受光素子との間
に位置すればオン信号を出力し、さもなければオフ信号
を出力する。オン/オフ信号は制御部35に与えられ
る。
A position detecting mechanism 40 for detecting the rotational position of the rotating shaft 4 is provided in relation to the lower end portion of the rotating shaft 4. The position detecting mechanism 40 is mounted on the outer peripheral surface of the rotary shaft 4 and has a rotary disk 40a having a notch at a predetermined position, and a transmissive type in which the rotary disk 40a is interposed between a light emitting element and a light receiving element. Of the photoelectric sensor 40b. The photoelectric sensor 40b outputs an ON signal if the notch formed in the rotating disk 40a is located between the light emitting element and the light receiving element of the photoelectric sensor 40b, and otherwise outputs an OFF signal. The ON / OFF signal is provided to the control unit 35.

【0025】制御部35は、光電センサ40bから与え
られるオン/オフ信号に基づいて、モータMの回転を制
御する。たとえば、搬送ロボットのアームによって運ば
れてきたウエハWを受け取るとき、制御部35は、前記
オン/オフ信号に基づいて回転軸4の回転位置を監視
し、回転軸4が所定の回転位置(以下「搬入/搬出位
置」という。)になったと判断した場合に、モータMの
回転を停止させる。これにより、回転軸4および挾持機
構1を搬入/搬出位置近傍に粗位置決めすることができ
る。なお、粗位置決めされた回転軸4および挾持機構1
は、位置決め機構50によって搬入/搬出位置に正確に
位置決めされる。
The control section 35 controls the rotation of the motor M based on the on / off signal given from the photoelectric sensor 40b. For example, when receiving the wafer W carried by the arm of the transfer robot, the control unit 35 monitors the rotational position of the rotary shaft 4 based on the on / off signal, and controls the rotary shaft 4 to rotate at a predetermined rotational position (hereinafter, referred to as the rotational position). When it is determined that the position has reached the “load-in / load-out position”, the rotation of the motor M is stopped. Thereby, the rotary shaft 4 and the holding mechanism 1 can be roughly positioned near the carry-in / out position. The rotating shaft 4 and the holding mechanism 1 which are roughly positioned
Is accurately positioned at the loading / unloading position by the positioning mechanism 50.

【0026】前記搬入/搬出位置は、搬送ロボットのア
ームがウエハWを挾持機構1に受け渡したり挾持機構1
から取り出すときに、挾持爪25がアームの邪魔になら
ないようにするための位置である。したがって、挾持機
構1が搬入/搬出位置に停止している場合には、ウエハ
Wの搬入/搬出をスムーズに行うことができる。基台6
は、昇降シリンダ45のロッド45aに取り付けられて
おり、昇降シリンダ45が伸長作動/収縮作動すると、
実線で示すホームポジションと二点鎖線で示すウエハ受
取位置との間をガイド46a,46bに沿って上下方向
に移動する。基台6が上昇/下降すると、基台6に取り
付けられている回転構造物3、モータM、および固定筒
体8も上昇/下降し、さらに回転構造物3の上端部に設
けられている挾持機構1も上昇/下降する。
The loading / unloading position is determined by the transfer robot arm transferring the wafer W to the holding mechanism 1 or the holding mechanism 1.
This is a position for preventing the holding claws 25 from interfering with the arm when taking out from the arm. Therefore, when the holding mechanism 1 is stopped at the loading / unloading position, loading / unloading of the wafer W can be performed smoothly. Base 6
Is attached to the rod 45a of the lift cylinder 45, and when the lift cylinder 45 extends / contracts,
It moves vertically between the home position shown by the solid line and the wafer receiving position shown by the two-dot chain line along the guides 46a and 46b. When the base 6 moves up / down, the rotary structure 3, the motor M, and the fixed cylinder 8 attached to the base 6 also move up / down, and furthermore, a clamp provided at the upper end of the rotary structure 3. The mechanism 1 also moves up / down.

【0027】位置決め機構50は、粗位置決めされた挾
持機構1を搬入/搬出位置に正確に位置決めするための
もので、回転軸4の外周に取り付けられたピンホルダ5
0a、ピンホルダ50aに取り付けられ、回転軸4の長
手方向に垂直な方向に延びた円柱状の位置決め用ピン5
0b、および位置決め部材50cを含む。位置決め部材
50cは、図2に示すように、固定部材60に固定され
た略直方体状のもので、その下面61のほぼ中央部に
は、逆V字状の溝62が回転軸4の長手方向P1に対し
て垂直な方向P2に沿って形成されている。位置決め部
材50cは、基台6をウエハ受取位置に上昇させたとき
に位置決め用ピン50bが溝62に係合でき、かつこの
状態で挾持機構1が搬入/搬出位置に正確に位置決めさ
れるような位置に、配設されている。
The positioning mechanism 50 is for accurately positioning the roughly positioned holding mechanism 1 at the loading / unloading position, and includes a pin holder 5 attached to the outer periphery of the rotating shaft 4.
0a, a cylindrical positioning pin 5 attached to the pin holder 50a and extending in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the rotating shaft 4.
0b, and a positioning member 50c. As shown in FIG. 2, the positioning member 50 c has a substantially rectangular parallelepiped shape fixed to the fixing member 60, and a substantially V-shaped groove 62 is formed in a substantially central portion of the lower surface 61 in the longitudinal direction of the rotating shaft 4. It is formed along a direction P2 perpendicular to P1. The positioning member 50c is such that the positioning pins 50b can be engaged with the grooves 62 when the base 6 is raised to the wafer receiving position, and in this state, the holding mechanism 1 is accurately positioned at the loading / unloading position. It is arranged in a position.

【0028】挾持機構1が粗位置決めされたとき、位置
決め用ピン50bは、図2に実線で示すように、位置決
め部材50cの溝62のほぼ真下に位置している。この
状態から基台6を上昇させると、回転軸4が上昇し、こ
れに伴ってピンホルダ50aおよび位置決め用ピン50
bも上昇する。基台6がウエハ受取位置に達するとき、
位置決め用ピン50bは、図2に二点鎖線で示すよう
に、溝62に係合した状態となる。このようにして、挾
持機構1の正確な位置決めが達成される。
When the holding mechanism 1 is roughly positioned, the positioning pin 50b is located almost directly below the groove 62 of the positioning member 50c as shown by the solid line in FIG. When the base 6 is raised from this state, the rotating shaft 4 is raised, and accordingly, the pin holder 50a and the positioning pin 50 are moved.
b also rises. When the base 6 reaches the wafer receiving position,
The positioning pin 50b is engaged with the groove 62 as shown by a two-dot chain line in FIG. In this way, accurate positioning of the holding mechanism 1 is achieved.

【0029】この基板処理装置によるウエハWの処理に
ついて概説すれば、次のとおりである。すなわち、処理
対象のウエハWが、図示しない搬送ロボットのアームに
よって搬送されてくるのに先立ち、回転軸4が回転させ
られ、位置検出機構40の検出結果に基づいて搬入/搬
出位置近傍で停止させられる。これにより、挾持機構1
が粗位置決めされ、位置決め用ピン50bが位置決め部
材50cに形成された溝62の真下付近に移動される。
The processing of the wafer W by the substrate processing apparatus will be briefly described as follows. That is, before the wafer W to be processed is transferred by the arm of the transfer robot (not shown), the rotating shaft 4 is rotated and stopped near the loading / unloading position based on the detection result of the position detection mechanism 40. Can be Thereby, the clamping mechanism 1
Are roughly positioned, and the positioning pin 50b is moved to a position immediately below the groove 62 formed in the positioning member 50c.

【0030】その後、エアシリンダ30eのロッド30
gを突出させ、シリンダ用ピン30cがコイルばね30
dのばね力に抗して押される。その結果、チャック軸5
が回転軸4に対して相対的に回動し、これに連動して爪
操作リンク27が動く。これにより、挾持爪25はチャ
ック解除状態となる。次いで、昇降シリンダ45が伸長
作動させられる。その結果、ホームポジションにあった
基台6が上昇し、これに伴い回転軸4および挾持機構1
なども上昇する。昇降シリンダ45の伸長作動は、挾持
機構1がウエハ受取位置まで上昇したときに停止させら
れる。ここで、搬送ロボットのアームによってウエハW
が搬送され、挾持機構1に受け渡される。
Thereafter, the rod 30 of the air cylinder 30e is
g of the coil spring 30.
It is pushed against the spring force of d. As a result, the chuck shaft 5
Rotates relative to the rotation shaft 4, and the claw operation link 27 moves in conjunction with the rotation. As a result, the holding claws 25 enter the chuck release state. Next, the elevating cylinder 45 is extended. As a result, the base 6 at the home position is raised, and accordingly, the rotating shaft 4 and the holding mechanism 1 are moved.
And so on. The extension operation of the lifting cylinder 45 is stopped when the holding mechanism 1 is raised to the wafer receiving position. Here, the wafer W is moved by the arm of the transfer robot.
Is conveyed and transferred to the holding mechanism 1.

【0031】一方、挾持機構1がウエハ受取位置まで上
昇したときには、回転軸4に取り付けられている位置決
め用ピン50bも上昇し、位置決め部材50cの溝62
に係合する。すなわち、挾持機構1がウエハ受取位置ま
で上昇した結果挾持機構1が搬入/搬出位置に正確に位
置決めされる。そのため、ウエハWが受け渡されるとき
に、搬送ロボットのアームと挾持爪25とが干渉するこ
とはない。
On the other hand, when the holding mechanism 1 is raised to the wafer receiving position, the positioning pins 50b attached to the rotary shaft 4 are also raised, and the grooves 62 of the positioning member 50c are moved.
Engages. That is, as a result of the holding mechanism 1 being raised to the wafer receiving position, the holding mechanism 1 is accurately positioned at the loading / unloading position. Therefore, when the wafer W is transferred, the arms of the transfer robot and the holding claws 25 do not interfere with each other.

【0032】その後、エアシリンダ30eのロッド30
gを引っ込ませ、シリンダ用ピン30cがコイルばね3
0dのばね力によって元の位置に戻る。その結果、挾持
爪25はチャック状態に戻る。これにより、ウエハWが
挾持爪25にチャックされる。その後、昇降シリンダ4
5を収縮作動させ、基台6を下降させる。その結果、挾
持爪25も下降し、ウエハWがカップ2内に収容され
る。このとき、位置決め用ピン50bの位置決め部材5
0cへの係合状態も解除され、位置決め用ピン50bは
図2の実線に示すような位置に下降する。
Thereafter, the rod 30 of the air cylinder 30e is
g is retracted, and the cylinder pin 30c is
It returns to the original position by the spring force of 0d. As a result, the holding claws 25 return to the chuck state. As a result, the wafer W is chucked by the holding claws 25. Then, lift cylinder 4
5 is contracted, and the base 6 is lowered. As a result, the holding claws 25 are also lowered, and the wafer W is accommodated in the cup 2. At this time, the positioning member 5 of the positioning pin 50b is used.
The engagement state with 0c is also released, and the positioning pin 50b is lowered to the position shown by the solid line in FIG.

【0033】その後、モータMが駆動され、回転軸4が
高速回転させられる。また、処理液供給手段からノズル
11に処理液が供給され、処理液がノズル11から斜め
上方に噴射される。その結果、ウエハWの下面に処理液
が供給される。このようにして、ウエハWの下面への処
理が行われる。ウエハWに対する処理を終了するときに
は、モータMの駆動および処理液の供給が停止される。
処理終了後、回転軸4を回転させて挾持機構1を粗位置
決めし、昇降シリンダ45を伸長作動させて挾持機構1
をウエハ受取位置まで上昇させる。このとき、挾持機構
1は位置決め機構50で搬入/搬出位置に正確に位置決
めされる。
Thereafter, the motor M is driven, and the rotating shaft 4 is rotated at high speed. The processing liquid is supplied to the nozzle 11 from the processing liquid supply unit, and the processing liquid is jetted obliquely upward from the nozzle 11. As a result, the processing liquid is supplied to the lower surface of the wafer W. In this way, the processing on the lower surface of the wafer W is performed. When the processing on the wafer W ends, the driving of the motor M and the supply of the processing liquid are stopped.
After the processing is completed, the holding mechanism 1 is roughly positioned by rotating the rotary shaft 4 and the elevating cylinder 45 is extended to operate the holding mechanism 1.
To the wafer receiving position. At this time, the holding mechanism 1 is accurately positioned at the loading / unloading position by the positioning mechanism 50.

【0034】そして、エアシリンダ30eのロッド30
gを突出させ、挾持機構1をチャック解除状態にする。
また、搬送ロボットのアームがウエハWの下面側に挿入
される。この場合、挾持機構1は搬入/搬出位置に正確
に位置決めされているから、挿入時のアームと挾持爪2
5とが干渉することはない。このように本実施形態によ
れば、位置決め機構50により装置を上昇させるだけで
挾持機構1の正確な位置決めを行うことができるから、
位置決めした後装置を上昇させるという2段階の動作が
必要である場合に比べて、全体的に処理時間の短縮化を
実現できる。これにより、処理スピードの高速化を図る
ことができ、処理効率を格段に向上できる。
The rod 30 of the air cylinder 30e is
g, so that the holding mechanism 1 is released from the chuck state.
Further, the arm of the transfer robot is inserted into the lower surface side of the wafer W. In this case, since the holding mechanism 1 is accurately positioned at the loading / unloading position, the arm and the holding claw 2 at the time of insertion are set.
5 does not interfere. As described above, according to the present embodiment, the positioning of the clamping mechanism 1 can be performed accurately only by raising the apparatus by the positioning mechanism 50.
The processing time can be shortened as a whole as compared with the case where a two-stage operation of raising the apparatus after positioning is required. As a result, the processing speed can be increased, and the processing efficiency can be significantly improved.

【0035】また、位置決め用のシリンダが不要となる
から、装置全体の構成が簡単になるとともに、装置コス
トを低減できる。図3は、カップ2内の構成を示す平面
図である。挾持機構1に含まれる6本のスピンアーム2
4は、前述のように、径方向に放射状に延びており、隣
接するスピンアーム24の間には、貫通部に相当する切
欠き状の処理液通路70が形成されている。一方、ノズ
ル11は、隣接するスピンアーム24の間に形成された
処理液通路70を通過してウエハWの下面に処理液が供
給されるように、スピンアーム24の斜め下方のカップ
2の内壁に配設されている。
Further, since a positioning cylinder is not required, the configuration of the entire apparatus can be simplified and the cost of the apparatus can be reduced. FIG. 3 is a plan view showing the configuration inside the cup 2. Six spin arms 2 included in clamping mechanism 1
4 extends radially in the radial direction as described above, and a notched processing liquid passage 70 corresponding to a penetrating portion is formed between the adjacent spin arms 24. On the other hand, the nozzle 11 is provided on the inner wall of the cup 2 obliquely below the spin arm 24 so that the processing liquid is supplied to the lower surface of the wafer W through the processing liquid passage 70 formed between the adjacent spin arms 24. It is arranged in.

【0036】ノズル11は、前述のように、同種の処理
液を噴射する2個のノズル11同士で対になっており、
薬液Aを噴射する2個のノズル11a,11b、薬液B
を噴射する2個のノズル11c,11d、および純水C
を噴射する2個のノズル11e,11fに分かれてい
る。ノズル11a,11bから噴射される薬液Aの経路
71a,71bは異なる経路となっている。同様に、ノ
ズル11c,11dから噴射される薬液Bの経路71
c,71d、およびノズル11e,11fから噴射され
る純水Cの経路71e,71fもそれぞれ異なる経路と
なっている。すなわち、対となっているノズルから噴射
される処理液は、ウエハWの下面の異なる位置に供給さ
れることになる。なお、経路71a〜71fは、平面視
において、いずれも中心軸Oに向いている。
As described above, the nozzles 11 are paired with each other by two nozzles 11 that spray the same type of processing liquid.
Two nozzles 11a and 11b for injecting a chemical A, a chemical B
Nozzles 11c and 11d for injecting water and pure water C
Are sprayed into two nozzles 11e and 11f. The routes 71a and 71b of the chemical solution A ejected from the nozzles 11a and 11b are different routes. Similarly, the path 71 of the chemical solution B ejected from the nozzles 11c and 11d
The paths 71e and 71f of the pure water C injected from the nozzles c and 71d and the nozzles 11e and 11f are also different paths. That is, the processing liquid ejected from the paired nozzles is supplied to different positions on the lower surface of the wafer W. The paths 71a to 71f are all directed to the central axis O in plan view.

【0037】スピンアーム24は、平面視において径方
向に等角度間隔に形成されている。すなわち、中心軸O
から隣接するスピンアーム24の先端を見込む角度(以
下「アーム間角度」という。)は、図4(a) に示すよう
に、60度となっている。一方、ノズル11は、平面視
において中心軸Oを包囲する円周に沿って等角度間隔に
配設されているのではなく、図4(b) に示すように、中
心軸Oからノズル対を構成する2個のノズルを見込む角
度(以下「ノズル間角度」という。)が60×n(nは
自然数)度とならないように、中心軸Oを包囲する円周
に沿って配設されている。
The spin arms 24 are formed at equal angular intervals in the radial direction in plan view. That is, the central axis O
The angle (hereinafter, referred to as “inter-arm angle”) from which the front end of the adjacent spin arm 24 is viewed is 60 degrees, as shown in FIG. On the other hand, the nozzles 11 are not arranged at equal angular intervals along the circumference surrounding the central axis O in plan view, and as shown in FIG. The nozzles are arranged along the circumference surrounding the central axis O such that the angle (hereinafter referred to as “nozzle angle”) at which the two nozzles are formed is not 60 × n (n is a natural number) degrees. .

【0038】具体的には、ノズル11a,11bは、図
4(b) に示すように、中心軸Oからノズル11aに至る
半直線72aと中心軸Oからノズル11bに至る半直線
72bとがなす角度が90度となるように、配設されて
いる。他のノズル11c,11dおよびノズル11e,
11fについても同様に、それぞれ90度離されて配設
されている。
Specifically, as shown in FIG. 4B, the nozzles 11a and 11b form a half line 72a extending from the central axis O to the nozzle 11a and a half line 72b extending from the central axis O to the nozzle 11b. They are arranged so that the angle is 90 degrees. The other nozzles 11c and 11d and the nozzles 11e,
Similarly, 11f is also disposed at 90 degrees apart.

【0039】たとえば薬液Aによる処理を実行する場
合、薬液Aを噴射するノズル11a,11bから噴射さ
れる薬液Aが回転中のスピンアーム24のいずれかによ
って遮られるときがある。一方、ノズル11a,11b
はノズル間角度が60×n度ではなく90度に設定され
ており、またアーム間角度は60度に設定されているか
ら、2個のノズル11a,11bから噴射される薬液A
の経路がスピンアーム24で同時に遮られることはな
い。
For example, when the process using the chemical solution A is performed, the chemical solution A ejected from the nozzles 11a and 11b for ejecting the chemical solution A may be blocked by any of the spin arms 24 that are rotating. On the other hand, the nozzles 11a and 11b
Since the angle between the nozzles is set to 90 degrees instead of 60 × n degrees and the angle between the arms is set to 60 degrees, the chemical solution A injected from the two nozzles 11a and 11b
Are not interrupted by the spin arm 24 at the same time.

【0040】具体的には、図5(a) に示すように、ノズ
ル11aから噴射される薬液Aがスピンアーム24で遮
られるときにはノズル11bから噴射される薬液Aは遮
られない。反対に、図5(b) に示すように、ノズル11
bから噴射される薬液Aがスピンアーム24で遮られる
ときにはノズル11aから噴射される薬液Aは遮られな
い。
More specifically, as shown in FIG. 5A, when the chemical solution A ejected from the nozzle 11a is blocked by the spin arm 24, the chemical solution A ejected from the nozzle 11b is not blocked. Conversely, as shown in FIG.
When the chemical A ejected from the nozzle b is blocked by the spin arm 24, the chemical A ejected from the nozzle 11a is not interrupted.

【0041】以上のことは、薬液Bによる処理を実行す
る場合や純水Cによる処理を実行する場合も同様であ
る。すなわち、薬液Bを噴射するノズル11c,11
d、および純水Cを噴射するノズル11e,11fは、
いずれも、薬液Aを噴射するノズル11a,11bと同
じく、ノズル間角度が90度になるように配設されてい
るからである。
The same applies to the case where the processing with the chemical B is performed and the case where the processing with the pure water C is performed. That is, the nozzles 11c and 11 that inject the chemical solution B
d and the nozzles 11e and 11f for injecting pure water C
This is because, similarly to the nozzles 11a and 11b for injecting the chemical A, the nozzles are arranged so that the angle between the nozzles is 90 degrees.

【0042】このように、スピンアーム24の形成パタ
ーンと異なるパターンでノズル11を配設しているか
ら、同種の処理液を噴射する2個のノズルのうちいずれ
かから噴射される処理液は常にウエハWの下面に達す
る。したがって、処理を均一に進めることができる。そ
のため、高精度な処理を実現できるから、ウエハWの高
品質化を図ることができる。
As described above, since the nozzles 11 are arranged in a pattern different from the formation pattern of the spin arm 24, the processing liquid jetted from one of the two nozzles jetting the same type of processing liquid is always used. It reaches the lower surface of the wafer W. Therefore, the processing can proceed uniformly. Therefore, high-precision processing can be realized, so that the quality of the wafer W can be improved.

【0043】図6は、本発明の第2実施形態の基板処理
装置におけるスピンアーム24の形成パターンとノズル
11の配設パターンを説明するための図である。前記第
1実施形態では、アーム間角度を等角度とするとともに
ノズル間角度を等角度としないことでスピンアーム24
の形成パターンとノズル11の配設パターンを異なるも
のにしているのに対して、この第2実施形態では、前記
第1実施形態とは逆に、6個のノズルのノズル間角度を
等角度とするとともに6本のスピンアーム24のアーム
間角度を60度とは異なる角度とすることで、スピンア
ーム24の形成パターンとノズル11の配設パターンと
を異なるものとしている。より具体的には、アーム間角
度として、たとえばθ1 =θ3 =θ4 =θ6 =70度、
θ2 =θ5 =40度となるように、スピンアーム24を
配設する。
FIG. 6 is a diagram for explaining the formation pattern of the spin arm 24 and the arrangement pattern of the nozzles 11 in the substrate processing apparatus according to the second embodiment of the present invention. In the first embodiment, the angle between the arms is made equal and the angle between the nozzles is not made equal, so that the spin arm 24
In contrast to the first embodiment, the formation pattern of the nozzles and the arrangement pattern of the nozzles 11 are different from each other. In addition, the formation pattern of the spin arms 24 and the arrangement pattern of the nozzles 11 are made different by setting the angle between the six spin arms 24 to an angle different from 60 degrees. More specifically, as the angle between the arms, for example, θ 1 = θ 3 = θ 4 = θ 6 = 70 degrees,
The spin arm 24 is disposed so that θ 2 = θ 5 = 40 degrees.

【0044】この構成では、ノズル11a,11bおよ
びノズル11c,11dの各ノズル間角度は120度で
あり、またノズル11e,11fのノズル間角度は60
度となっている。これに対して、スピンアーム24は、
1本のスピンアーム24を基準にした場合に、当該スピ
ンアーム24と他の任意のスピンアーム24との間の角
度が60×n度とならないように、形成されている。し
たがって、同種の処理液を噴射する2個のノズルのうち
いずれかから噴射される処理液は常にウエハWの下面に
達する。そのため、処理が均一に進むから、高精度な処
理を実現できる。
In this configuration, the angle between the nozzles 11a and 11b and the nozzles 11c and 11d is 120 degrees, and the angle between the nozzles 11e and 11f is 60 degrees.
Degree. On the other hand, the spin arm 24
When one spin arm 24 is used as a reference, the angle between the spin arm 24 and any other spin arm 24 is not set to 60 × n degrees. Therefore, the processing liquid jetted from one of the two nozzles that jet the same type of processing liquid always reaches the lower surface of the wafer W. Therefore, since the processing proceeds uniformly, highly accurate processing can be realized.

【0045】図7は、本発明の第3実施形態の基板処理
装置におけるスピンアーム24の形成パターンとノズル
11の配設パターンとを説明するための図である。前記
第1実施形態では、アーム間角度を等角度とするととも
にノズル間角度を等角度からずらすことでスピンアーム
24の形成パターンとノズル11の配設パターンを異な
るものにしているのに対して、この第3実施形態では、
スピンアーム24の本数をノズルの個数と異ならせるこ
とで各パターンを異なるものとしている。より具体的に
は、図6(b) のように等角度間隔で配設された6個のノ
ズル11に対してスピンアーム24を5本にし、そのう
えスピンアーム24を60度とは異なる角度間隔となる
ように形成している。すなわち、アーム間角度が72度
に設定されている。
FIG. 7 is a view for explaining a formation pattern of the spin arm 24 and an arrangement pattern of the nozzles 11 in the substrate processing apparatus according to the third embodiment of the present invention. In the first embodiment, the formation pattern of the spin arm 24 and the arrangement pattern of the nozzles 11 are made different by making the angle between arms equal and displacing the angle between nozzles from the same angle. In the third embodiment,
Each pattern is made different by making the number of spin arms 24 different from the number of nozzles. More specifically, as shown in FIG. 6B, five spin arms 24 are provided for six nozzles 11 arranged at equal angular intervals, and the spin arms 24 are arranged at angular intervals different from 60 degrees. It is formed so that it becomes. That is, the angle between the arms is set to 72 degrees.

【0046】この構成においても、前記第2実施形態と
同様に、ノズル11a,11b、ノズル11c,11d
およびノズル11e,11fのノズル間角度は、それぞ
れ、120度、120度および60度であるのに対し
て、スピンアーム24は、1本のスピンアーム24を基
準にした場合に、当該スピンアーム24と他の任意のス
ピンアーム24との間の角度が60×n度とならないよ
うに形成されているから、同種の処理液を噴射する2個
のノズルのうちいずれかから噴射される処理液は常にウ
エハWの下面に達する。そのため、処理が均一に進むか
ら、高精度な処理を実現できる。
In this configuration, as in the second embodiment, the nozzles 11a and 11b, the nozzles 11c and 11d
And the angles between the nozzles of the nozzles 11e and 11f are 120 degrees, 120 degrees and 60 degrees, respectively. On the other hand, when one spin arm 24 is used as a reference, Is formed so that the angle between it and another arbitrary spin arm 24 does not become 60 × n degrees, the processing liquid ejected from one of the two nozzles that eject the same type of processing liquid is It always reaches the lower surface of the wafer W. Therefore, since the processing proceeds uniformly, highly accurate processing can be realized.

【0047】本発明の実施の形態の説明は以上のとおり
であるが、本発明は前述の実施形態に限定されるもので
はない。たとえば前記実施形態では、2個のノズルから
同種の処理液を噴射する場合について説明しているが、
たとえば3個以上のノズルから同種の処理液を噴射する
ようにしてもよい。たとえば3個のノズルから同種の処
理液を噴射するようにした場合、少なくとも2個のノズ
ルのノズル間角度をアーム間角度の整数倍と異なる角度
にすれば、前記3個のノズルのうちいずれかから噴射さ
れる処理液は常にウヘハWの下面に達することになる。
そのため、処理が均一に進むから、高精度な処理を実現
できる。
Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above embodiments. For example, in the above-described embodiment, a case is described in which the same type of processing liquid is ejected from two nozzles.
For example, the same type of processing liquid may be ejected from three or more nozzles. For example, in the case where the same type of processing liquid is ejected from three nozzles, any one of the three nozzles may be used if the angle between the nozzles of at least two nozzles is different from an integral multiple of the angle between the arms. The processing liquid ejected from the nozzle always reaches the lower surface of the wafer W.
Therefore, since the processing proceeds uniformly, highly accurate processing can be realized.

【0048】また、前記実施形態では、回転板21の構
成として、アーム取付部23、およびアーム取付部23
に一体的に形成された6本のスピンアーム24を有し、
隣接するスピンアーム24の間に切欠き状の処理液通路
70が形成された構成を採用しているが、このような構
成の回転板21の代わりにたとえば図8に示すような円
盤状の回転板80を採用してもよい。回転板80には、
処理液を通過させるための円形の処理液通路81が中心
軸Oを中心にした円周に沿って等角度間隔で形成されて
いる。
In the above embodiment, the rotary plate 21 has an arm mounting portion 23 and an arm mounting portion 23.
Has six spin arms 24 integrally formed with
A configuration in which a notched processing liquid passage 70 is formed between the adjacent spin arms 24 is employed. Instead of the rotating plate 21 having such a configuration, for example, a disk-shaped rotation as shown in FIG. A plate 80 may be employed. In the rotating plate 80,
Circular processing liquid passages 81 for allowing the processing liquid to pass therethrough are formed at equal angular intervals along a circumference around the central axis O.

【0049】この構成の回転板80では、ノズル11を
等角度間隔で配設するとともに処理液通路81を等角度
間隔で形成すれば、従来と同様に、対となっている2個
のノズル11から噴射される処理液は、隣接する処理液
通路81の間の回転板80の下面において同時に遮られ
る。したがって、この構成の回転板80を採用した場合
にも、前記各実施形態のように、対となっている2個の
ノズル11の間の角度を90度にしたり、処理液通路8
1の間の角度を60度でなく40度や70度にしたり、
処理液通路81の数を減らしたりすれば、対となってい
る2個のノズル11から噴射される処理液が回転板80
で同時に遮られることはない。
In the rotating plate 80 having this configuration, if the nozzles 11 are arranged at equal angular intervals and the processing liquid passages 81 are formed at equal angular intervals, the two nozzles 11 in a pair are formed as in the conventional case. From the processing liquid passage 81 is simultaneously blocked on the lower surface of the rotating plate 80 between the adjacent processing liquid passages 81. Therefore, even when the rotating plate 80 having this configuration is adopted, the angle between the pair of two nozzles 11 can be set to 90 degrees or the processing liquid passage 8 can be formed as in the above-described embodiments.
The angle between 1 is 40 degrees or 70 degrees instead of 60 degrees,
If the number of the processing liquid passages 81 is reduced, for example, the processing liquid ejected from the two nozzles 11 that form a pair
It will not be interrupted at the same time.

【0050】さらに、以上の本発明の実施形態では、I
Cの製造に用いられるウエハWに処理を施すための基板
処理装置に本発明を適用する場合を説明しているが、本
発明は、たとえばLCD用ガラス基板やPDP用ガラス
基板に対して処理を施すための基板処理装置に適用する
ことができるのはもちろんである。その他、特許請求の
範囲に記載された範囲内で種々の設計変更を施すことが
可能である。
Further, in the above embodiment of the present invention,
The case where the present invention is applied to a substrate processing apparatus for performing a process on a wafer W used for manufacturing C is described. However, the present invention applies a process to a glass substrate for LCD or a glass substrate for PDP, for example. Needless to say, the present invention can be applied to a substrate processing apparatus for performing coating. In addition, various design changes can be made within the scope described in the claims.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、複数のノ
ズルから同時に供給される処理液のうちいずれか1つの
ノズルから供給される処理液が必ず基板の下面に到達す
るから、基板の下面には途切れることなく処理液が供給
される。そのため、基板に施すべき処理を均一に進める
ことができるから、高精度な処理を実現することができ
る。
As described above, according to the present invention, the processing liquid supplied from any one of the processing liquids simultaneously supplied from a plurality of nozzles always reaches the lower surface of the substrate. The processing liquid is supplied to the lower surface without interruption. Therefore, the processing to be performed on the substrate can be performed uniformly, so that highly accurate processing can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1実施形態が適用される基板処理装
置の構成を簡略化して示す縦断面図である。
FIG. 1 is a simplified longitudinal sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus to which a first embodiment of the present invention is applied.

【図2】位置決め機構の構成を説明するための概略図で
ある。
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a configuration of a positioning mechanism.

【図3】カップ内の構成を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a configuration inside a cup.

【図4】スピンアームの形成パターンとノズルの配設パ
ターンとを説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a formation pattern of a spin arm and an arrangement pattern of nozzles.

【図5】2個のノズルから噴射される薬液Aがスピンア
ームで同時に遮られることがないことを説明するための
図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining that a chemical solution A ejected from two nozzles is not simultaneously blocked by a spin arm.

【図6】本発明の第2実施形態が適用される基板処理装
置におけるスピンアームの形成パターンとノズルの配設
パターンとを説明するための図である。
FIG. 6 is a diagram for explaining a formation pattern of a spin arm and an arrangement pattern of nozzles in a substrate processing apparatus to which a second embodiment of the present invention is applied.

【図7】本発明の第3実施形態が適用される基板処理装
置におけるスピンアームの形成パターンとノズルの配設
パターンとを説明するための図である。
FIG. 7 is a diagram for explaining a formation pattern of a spin arm and a nozzle arrangement pattern in a substrate processing apparatus to which a third embodiment of the present invention is applied.

【図8】回転板の他の構成例を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing another configuration example of the rotating plate.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 挾持機構 3 回転構造物 4 回転軸 5 チャック軸 11,11a〜11f ノズル 21,80 回転板 23 アーム取付部 24 スピンアーム 25 挾持爪 26 揺動腕 27 爪操作リンク 28 爪操作部材 30 チャック駆動機構 70,81 処理液通路 Reference Signs List 1 clamping mechanism 3 rotating structure 4 rotating shaft 5 chuck shaft 11, 11a to 11f nozzle 21, 80 rotating plate 23 arm mounting portion 24 spin arm 25 clamping claw 26 swing arm 27 claw operating link 28 claw operating member 30 chuck driving mechanism 70, 81 Processing liquid passage

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】回転可能に設けられ、上面および下面を有
し、この上面と下面とを貫通する貫通部が形成された回
転部材を備え、この回転部材の上面側で基板を保持する
ための基板保持部と、 この基板保持部の下方に設けられ、同種の処理液を前記
基板保持部に保持される基板の下面に向けて同時に供給
するための複数のノズルとを含み、 前記貫通部と前記複数のノズルから供給される各処理液
の経路との位置関係は、前記複数のノズルのうち少なく
ともいずれか1つのノズルから供給される処理液が前記
基板保持部に保持される基板の下面に前記貫通部を通過
して到達するように定められていることを特徴とする基
板処理装置。
A rotating member having an upper surface and a lower surface rotatably provided with a penetrating portion penetrating the upper surface and the lower surface, and for holding a substrate on the upper surface side of the rotating member. A substrate holding unit, including a plurality of nozzles provided below the substrate holding unit and configured to simultaneously supply the same type of processing liquid toward the lower surface of the substrate held by the substrate holding unit; The positional relationship between the processing liquids supplied from the plurality of nozzles and the path of the processing liquid supplied from at least one of the plurality of nozzles is determined on the lower surface of the substrate held by the substrate holding unit. A substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus is defined so as to reach through the through portion.
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