JPH1064871A - Treatment device and treatment method - Google Patents

Treatment device and treatment method

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JPH1064871A
JPH1064871A JP23981696A JP23981696A JPH1064871A JP H1064871 A JPH1064871 A JP H1064871A JP 23981696 A JP23981696 A JP 23981696A JP 23981696 A JP23981696 A JP 23981696A JP H1064871 A JPH1064871 A JP H1064871A
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processing tank
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一剛 水本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a means to prevent bubbles from mixing in a treatment liquid in a treatment tank, in which an object to be treated such as wafer, etc., is immersed in the treatment liquid. SOLUTION: A discharge port 63 of a filling nozzle 62 for filling a treatment liquid into a treatment tank 12 is arranged on the side wall of the tank 12, and the tip end face of the port 63 is made higher as it is apart from the side wall of the tank 12. In addition, when the treatment liquid is discharged through a circulation nozzle 65 on the bottom of the tank 12 so as to circulate the treatment liquid within the tank 12, an air in the nozzle 65 is discharged to the tank 12 through an exhaust circuit before the treatment liquid is discharged from the nozzle 65.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェハやL
CD基板等の被処理体を処理液に浸漬して洗浄処理など
を行う装置と方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention
The present invention relates to an apparatus and a method for performing a cleaning process or the like by immersing an object to be processed such as a CD substrate in a processing liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造工程にお
いては、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という)表面
のパーティクル、有機汚染物等のコンタミネーションを
除去するために洗浄システムが使用されている。その中
でもウェハを処理槽内にて洗浄液に浸漬して洗浄するウ
エット型の洗浄システムは、ウェハに付着したパーティ
クルを効果的に除去できる長所がある。
2. Description of the Related Art For example, in a semiconductor device manufacturing process, a cleaning system is used to remove contamination such as particles and organic contaminants on the surface of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "wafer"). Among them, a wet-type cleaning system in which a wafer is immersed in a cleaning liquid in a processing bath for cleaning has an advantage that particles attached to the wafer can be effectively removed.

【0003】このウエット型の洗浄システムは、連続バ
ッチ処理を可能とするため、例えば25枚のウェハをキ
ャリア単位で装置内にロードするローダと、このローダ
によってロードされたキャリア2個分の50枚のウェハ
を一括して搬送する搬送手段と、この搬送手段によって
搬送される50枚のウェハを処理液中に浸漬して洗浄
し、更に乾燥するように配列された各処理槽を備えてお
り、さらに各処理槽によって洗浄、乾燥されたウェハを
アンロードするアンローダも備えている。このウエット
型の洗浄システムの各処理槽では、各種の処理液を用い
ることにより、アンモニア処理、フッ酸処理、硫酸処
理、塩酸処理などの薬液処理と、純水などによる水洗処
理とを交互に行い、更に最終的に、乾燥処理を行ってい
る。
In order to enable continuous batch processing, this wet-type cleaning system loads, for example, 25 wafers into the apparatus in carrier units, and 50 loaders for two carriers loaded by the loader. Transport means for collectively transporting the wafers, and each processing tank arranged so that 50 wafers transported by the transport means are immersed in the processing liquid, washed, and further dried. Further, an unloader for unloading the wafers cleaned and dried by each processing tank is provided. In each treatment tank of this wet type cleaning system, various treatment liquids are used to alternately perform chemical treatments such as ammonia treatment, hydrofluoric acid treatment, sulfuric acid treatment, hydrochloric acid treatment, and water washing treatment with pure water or the like. Finally, a drying process is performed.

【0004】また、ウェハを洗浄液中に浸漬して洗浄す
る各処理槽内においては、槽上部から取り出した処理液
を処理槽底部の循環ノズルから吐き出すことにより、処
理液を循環させている。このように処理槽内において処
理液を循環させて、ウェハ表面に処理液を常に流通させ
ることにより、洗浄処理の効率化を図り、処理時間を短
縮させている。
Further, in each processing tank for cleaning the wafer by immersing the wafer in the cleaning liquid, the processing liquid taken out from the upper part of the tank is discharged from a circulation nozzle at the bottom of the processing tank to circulate the processing liquid. As described above, by circulating the processing liquid in the processing tank and constantly circulating the processing liquid on the wafer surface, the efficiency of the cleaning processing is improved and the processing time is shortened.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なウェハの各洗浄を行う処理槽に充填された薬液やリン
ス液などの処理液中には、空気の泡が混入していないこ
とが重要である。処理槽内の処理液中に空気が泡となっ
て混入していると、その泡がウェハの表面に付着する恐
れがあり、そのように泡が付着した箇所については処理
液による洗浄ができなくなってしまう。その結果、ウェ
ハへのパーティクルの付着、エッチングの均一性不良と
いった問題を引き起こし、半導体デバイスの製造におけ
る歩留まり低下の原因となる。しかし、特に処理液とし
てフッ酸などを使用したした場合は、処理液中に空気の
泡が混入しやすく、洗浄不良を生ずる恐れがある。
By the way, it is important that air bubbles are not mixed in the processing liquid such as the chemical liquid or the rinsing liquid filled in the processing tank for performing each cleaning of the wafer as described above. It is. If air is mixed into the processing solution in the processing tank as bubbles, the bubbles may adhere to the surface of the wafer, and the portion where such bubbles adhere cannot be cleaned with the processing solution. Would. As a result, problems such as adhesion of particles to the wafer and poor etching uniformity are caused, which causes a reduction in yield in the manufacture of semiconductor devices. However, in particular, when hydrofluoric acid or the like is used as the processing liquid, air bubbles easily enter the processing liquid, which may cause poor cleaning.

【0006】処理液中へ泡が混入する要因としては、次
の二つが主に考えられる。先ず一つは、処理槽に処理液
を充填する際に処理液の液面近傍に発生した泡が処理槽
の内壁やウェハを支持するためのボートなどに付着して
処理液中へ泡が残ることによるものである。即ち、搬送
装置によってウェハを処理槽に搬入する前に、処理槽に
は充填ノズルから予め薬液が充填されるが、この充填を
行っている最中に処理液の液面近傍に泡が発生する。ま
た、処理槽に充填した薬液を数バッチ毎に交換している
が、この交換のために新しい処理液を充填ノズルから処
理槽に充填している最中に処理液の液面近傍において泡
が発生する。そして、この泡は処理槽の内壁やウェハを
支持するためのボートなどに付着して処理液中へ残る場
合がある。こうして処理液中へ残った泡は、ウェハを処
理槽内に搬入した際の振動などによって処理槽内壁など
から剥離して浮上し、その浮上の途中でウェハの表面に
付着する可能性がある。
[0006] The following two factors are mainly considered as factors that cause bubbles to enter the processing solution. First, when a processing tank is filled with a processing liquid, bubbles generated near the liquid surface of the processing liquid adhere to the inner wall of the processing tank or a boat for supporting a wafer, and the bubbles remain in the processing liquid. It is because of that. That is, before the wafer is carried into the processing tank by the transfer device, the processing tank is pre-filled with the chemical liquid from the filling nozzle, and bubbles are generated near the liquid surface of the processing liquid during the filling. . In addition, the chemical liquid filled in the processing tank is replaced every several batches.For this replacement, bubbles are generated near the liquid level of the processing liquid while a new processing liquid is being filled from the filling nozzle into the processing tank. Occur. The foam may adhere to the inner wall of the processing tank or a boat for supporting the wafer and remain in the processing liquid. The bubbles remaining in the processing liquid in this manner may be separated from the inner walls of the processing tank and floated by vibrations when the wafer is carried into the processing tank, and may adhere to the surface of the wafer during the floating.

【0007】もう一つの要因は、処理槽底部の循環ノズ
ルから処理液を吐き出して循環を開始した際に、循環ノ
ズル内に残っている空気が始めに吐き出されることによ
るものである。即ち、充填ノズルから処理液を処理槽内
に充填する前は循環ノズルは空気中に曝された状態とな
っており、循環ノズル内部に入り込んだ空気が処理液を
充填した後においても循環ノズル内部に残った状態とな
ってしまう。また、処理槽内の処理液を新しいものに交
換する場合、最初に処理槽内の古い処理液を全部排出し
た後、次の新しい処理液が処理槽内に充填される。この
場合も、古い処理液を排出した際に処理槽底部の循環ノ
ズルが空気中に曝されるため、循環ノズル内部に空気が
入り込んだ状態となる。このように循環ノズル内部に入
り込んだ空気は、新しい処理液を処理槽内に充填した場
合にも循環ノズル内部に残った状態となってしまう。そ
して、このように循環ノズル内部に空気が残った状態で
処理液の循環を開始すると、循環の開始当初では循環ノ
ズル内に残っていた空気が始めに吐き出されることにな
る。このように循環ノズルから吐き出された空気は泡と
なって処理槽内を浮上し、その浮上の途中でウェハの表
面に付着する可能性がある。
Another factor is that when the processing liquid is discharged from the circulation nozzle at the bottom of the processing tank and circulation is started, the air remaining in the circulation nozzle is discharged first. That is, before the processing liquid is filled into the processing tank from the filling nozzle, the circulation nozzle is in a state of being exposed to the air. Will be left in the state. Further, when replacing the processing liquid in the processing tank with a new processing liquid, first, all the old processing liquid in the processing tank is discharged, and then the next new processing liquid is filled in the processing tank. Also in this case, when the old processing liquid is discharged, the circulation nozzle at the bottom of the processing tank is exposed to the air, so that the air enters the circulation nozzle. The air that has entered the circulation nozzle in this way remains in the circulation nozzle even when a new processing solution is filled in the processing tank. Then, when the circulation of the processing liquid is started in a state where the air remains in the circulation nozzle, the air remaining in the circulation nozzle at the beginning of the circulation is discharged first. In this way, the air discharged from the circulation nozzle becomes bubbles and floats in the processing tank, and may adhere to the surface of the wafer during the floating.

【0008】本発明の目的は、ウェハの如き被処理体を
処理液中に浸漬させて処理を行う処理槽において、処理
液中への空気の泡の混入を防止する手段を提供すること
にある。
An object of the present invention is to provide a means for preventing air bubbles from being mixed into a processing liquid in a processing tank in which a processing object such as a wafer is immersed in the processing liquid for processing. .

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1の発明は、被処理体を収納する処理槽と、
該処理槽に処理液を充填する充填ノズルとを備える処理
装置において、前記充填ノズルの吐き出し口を処理槽の
側壁に接触させて配置すると共に、該吐き出し口の先端
面の高さが処理槽の側壁から離れるに従って次第に高く
なるように形成したことを特徴とする。この請求項1の
処理装置において、前記充填ノズルの吐き出し口の先端
面の高さが処理槽の側壁から離れるに従って次第に高く
なる傾斜面に形成することができる。
In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention provides a processing tank for storing an object to be processed,
In a processing apparatus having a filling nozzle for filling the processing tank with the processing liquid, the discharge port of the filling nozzle is disposed in contact with the side wall of the processing tank, and the height of the tip end surface of the discharge port is set in the processing tank. It is characterized in that it is formed so as to gradually increase as the distance from the side wall increases. In the processing apparatus according to the first aspect, the height of the tip end surface of the discharge port of the filling nozzle may be gradually increased as the distance from the side wall of the processing tank increases.

【0010】また、請求項2の発明は、被処理体を収納
して処理液中に浸漬させる処理槽と、該処理槽から取り
出した処理液を処理槽の底部にて吐き出す循環ノズルと
を備える処理装置において、前記循環ノズル内の空気を
処理槽外に排出させる排気回路を設けたことを特徴とす
る。
Further, the invention according to claim 2 includes a processing tank for accommodating the object to be processed and immersing it in the processing liquid, and a circulation nozzle for discharging the processing liquid taken out of the processing tank at the bottom of the processing tank. In the processing apparatus, an exhaust circuit for discharging air in the circulation nozzle out of the processing tank is provided.

【0011】更に、請求項3の発明は、被処理体を収納
する処理槽に充填ノズルから処理液を充填し、該処理槽
から取り出した処理液を処理槽の底部にて循環ノズルか
ら吐き出して処理を行う方法において、前記循環ノズル
から処理液を吐き出す前に、循環ノズル内の空気を処理
槽外に排出させることを特徴とする。
Further, according to a third aspect of the present invention, a processing tank for storing an object to be processed is filled with a processing liquid from a filling nozzle, and the processing liquid taken out of the processing tank is discharged from a circulation nozzle at the bottom of the processing tank. In the method for performing processing, the air in the circulation nozzle is discharged out of the processing tank before the processing liquid is discharged from the circulation nozzle.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を、被処理体の一例としてのウェハWを洗浄するため
の洗浄システム1に基づいて説明する。図1は、洗浄シ
ステム1の斜視図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described based on a cleaning system 1 for cleaning a wafer W as an example of an object to be processed. FIG. 1 is a perspective view of the cleaning system 1.

【0013】この洗浄システム1は、洗浄前のウェハW
をキャリアCから取り出す搬入・取出部2と、その複数
枚数の(例えば50枚の)ウェハWをバッチ式に洗浄、
乾燥する洗浄乾燥処理部3と、そのウェハWをキャリア
Cに装填して搬出する装填・搬出部4の三つの箇所に大
別できる。
The cleaning system 1 includes a wafer W before cleaning.
Loading / unloading unit 2 for removing the wafer W from the carrier C, and cleaning a plurality of (for example, 50) wafers W in a batch manner.
The cleaning / drying processing unit 3 for drying and the loading / unloading unit 4 for loading and unloading the wafer W into the carrier C can be roughly classified into three parts.

【0014】搬入・取出部2には、洗浄前のウェハWを
例えば25枚収納可能なキャリアCを搬入して載置させ
る搬入部5と、そのキャリアCからウェハWを取り出し
て整列させる取出部6が隣接して配置されており、更
に、キャリアCを搬入部5から取出部6へ一度に適宜数
(例えば2個)ずつ移送するための移送装置7が設けら
れている。
The loading / unloading section 2 has a loading section 5 for loading and mounting a carrier C capable of storing, for example, 25 wafers W before cleaning, and an unloading section for taking out and aligning the wafers W from the carrier C. 6 are arranged adjacent to each other, and a transfer device 7 for transferring an appropriate number (for example, two) of the carriers C from the loading unit 5 to the unloading unit 6 at a time is provided.

【0015】この実施の形態では、洗浄乾燥処理部3に
は、搬入・取出部2側から装填・搬出部4側の順に、搬
送装置30のウェハチャック36を洗浄および乾燥する
ための処理槽11、洗浄液を用いてウェハWを洗浄する
処理槽12、この処理槽12で洗浄されたウェハWをリ
ンス洗浄する処理槽13、14、前記処理槽12の洗浄
液とは異なる洗浄液を用いてウェハWを洗浄する処理槽
15、この処理槽15で洗浄されたウェハWをリンス洗
浄する処理槽16、17、搬送装置32のウェハチャッ
ク38を洗浄および乾燥するための処理槽18および各
処理槽11〜17で洗浄されたウェハWを例えばIPA
(イソプロピルアルコール)等で蒸気乾燥させる処理槽
19が配置される。
In this embodiment, the cleaning / drying processing section 3 includes a processing tank 11 for cleaning and drying the wafer chuck 36 of the transfer device 30 in order from the loading / unloading section 2 to the loading / unloading section 4. A processing tank 12 for cleaning the wafer W using a cleaning liquid, processing tanks 13 and 14 for rinsing the wafer W cleaned in the processing tank 12, and a wafer W using a cleaning liquid different from the cleaning liquid for the processing tank 12. A processing tank 15 for cleaning, processing tanks 16 and 17 for rinsing the wafer W cleaned in the processing tank 15, a processing tank 18 for cleaning and drying the wafer chuck 38 of the transfer device 32, and respective processing tanks 11 to 17 Of the wafer W cleaned by, for example, IPA
A treatment tank 19 for steam drying with (isopropyl alcohol) or the like is provided.

【0016】但し、各処理槽11〜19の配列、組合わ
せはウェハWに対する洗浄の種類によって任意に組み合
わせることができ、場合によってはある処理槽を省略し
たり、逆に他の処理槽を付加してもよい。但し、ウェハ
Wの乾燥を行う処理槽19は最も最後に配置されるのが
一般的である。
However, the arrangement and combination of the processing tanks 11 to 19 can be arbitrarily combined depending on the type of cleaning for the wafer W. In some cases, some processing tanks may be omitted, or conversely, other processing tanks may be added. May be. However, the processing tank 19 for drying the wafer W is generally disposed last.

【0017】装填・搬出部4には、搬入・取出部2の取
出部6と同様の構成の装填部20、搬入部5と同様の構
成の搬出部21および移送装置7と同様の構成の移送装
置(図示せず)が設けられる。
The loading / unloading section 4 includes a loading section 20 having the same configuration as the unloading section 6 of the loading / unloading section 2, an unloading section 21 having the same configuration as the loading section 5, and a transfer having the same configuration as the transfer device 7. An apparatus (not shown) is provided.

【0018】洗浄乾燥処理部3の前面側(図1における
手前側)には、搬入・取出部2側から装填・搬出部4側
の順に、三つの搬送装置30、31、32が配列されて
おり、これら各搬送装置30、31、32は、何れもガ
イド33に沿って洗浄システム1の長手方向にスライド
移動自在に構成されている。各搬送装置30、31、3
2は、それぞれウェハチャック36、37、38を備
え、各搬送装置30、31、32はそのウェハチャック
36、37、38によって所定枚数のウェハW(例えば
キャリアC二個分の50枚のウェハW)を一括して把持
することが可能である。
On the front side (front side in FIG. 1) of the washing / drying processing section 3, three transporting devices 30, 31, 32 are arranged in order from the loading / unloading section 2 side to the loading / unloading section 4 side. Each of the transporting devices 30, 31, and 32 is configured to be slidable along the guide 33 in the longitudinal direction of the cleaning system 1. Each transport device 30, 31, 3,
2 includes wafer chucks 36, 37, and 38, respectively, and each of the transfer devices 30, 31, and 32 has a predetermined number of wafers W (for example, 50 wafers W for two carriers C) by the wafer chucks 36, 37, and 38. ) Can be grasped collectively.

【0019】これらの内、搬入・取出部2側に位置する
搬送装置30はウェハチャック36でウェハWを保持し
てガイド33に沿ってスライド移動して、搬入・取出部
2の取出部6から取り出したウェハWを処理槽12、1
3、14の順に一括して搬送する。また、中央に位置す
る搬送装置31はウェハチャック37でウェハWを保持
してガイド33に沿ってスライド移動して、処理槽1
4、15、16、17の順にウェハWを一括して搬送す
る。また、装填・搬出部4側に位置する搬送装置32は
ウェハチャック38でウェハWを保持してガイド33に
沿ってスライド移動して、処理槽17、処理槽19の順
にウェハWを一括して搬送し、更に処理槽19から装填
・搬出部4の搬出部20にウェハWを一括して搬送す
る。
Of these, the transfer device 30 located on the side of the loading / unloading unit 2 holds the wafer W with the wafer chuck 36 and slides along the guide 33 to move out of the unloading unit 6 of the loading / unloading unit 2. The taken-out wafer W is placed in the processing tanks 12, 1
They are conveyed collectively in the order of 3 and 14. The transfer device 31 located at the center holds the wafer W with the wafer chuck 37 and slides along the guide 33 to move the processing tank 1.
The wafers W are collectively transported in the order of 4, 15, 16, and 17. Further, the transfer device 32 located on the loading / unloading unit 4 side holds the wafer W with the wafer chuck 38 and slides along the guide 33 to collectively transfer the wafers W in the processing tank 17 and the processing tank 19 in this order. The wafer W is further transferred from the processing tank 19 to the unloading section 20 of the loading / unloading section 4 at a time.

【0020】ここで搬送装置30、31、32は何れも
同様の構成を備えているので、取出部6および処理槽1
2、13、14の間でウェハWを搬送する搬送装置30
を例にして説明すると、搬送装置30のウェハチャック
36は、図2に示すように、例えばキャリアC二つ分と
しての50枚のウェハWを一括して把持する左右一対の
把持部材41a、41bを備えている。
Here, since the transfer devices 30, 31, and 32 have the same configuration, the take-out unit 6 and the processing tank 1
Transfer device 30 that transfers wafer W between 2, 13, and 14
For example, as shown in FIG. 2, the wafer chuck 36 of the transfer device 30 includes a pair of left and right holding members 41a and 41b that collectively hold, for example, 50 wafers W as two carriers C. It has.

【0021】把持部材41a、41bは左右対称形であ
り、これら各把持部材41a、41bは各々対応する回
動軸42a、42bによって、搬送装置30における支
持部43に支持され、開脚、閉脚自在に構成されてい
る。この支持部43は、駆動機構44によって上下方向
(Z方向)に移動し、ウェハチャック36自体は支持部
43に内蔵された駆動機構(図示せず)によって前後方
向(Y方向)に移動自在に構成されている。また駆動機
構44自体は、図1に示した搬入・取出部2、洗浄乾燥
処理部3および装填・搬出部4の長手方向(X方向)に
沿って移動自在な搬送ベース45の上部に設けられてい
る。そして支持部43内に設けられたモータなどの駆動
体(図示せず)によって、回動軸42a、42bは、図
2中の往復回動矢印θに示されたように、往復回動自在
となるように構成されている。また支持部43自体も水
平面内においてその角度を微調整できるように構成され
ている。
The gripping members 41a and 41b are symmetrical. The gripping members 41a and 41b are supported by the supporting portion 43 of the transport device 30 by the corresponding rotating shafts 42a and 42b, and can be freely opened and closed. Is configured. The support 43 is moved in the vertical direction (Z direction) by a drive mechanism 44, and the wafer chuck 36 itself is movable in the front-rear direction (Y direction) by a drive mechanism (not shown) built in the support 43. It is configured. The drive mechanism 44 itself is provided on an upper portion of a transport base 45 movable along the longitudinal direction (X direction) of the loading / unloading section 2, the washing / drying processing section 3, and the loading / unloading section 4 shown in FIG. ing. The rotating shafts 42a and 42b are reciprocally rotatable by a driving body (not shown) such as a motor provided in the support portion 43, as shown by a reciprocating rotation arrow θ in FIG. It is configured to be. The support 43 itself is also configured so that its angle can be finely adjusted in a horizontal plane.

【0022】回動軸42a、42bには、支柱46a、
46a、46b、46bの各上端部が固着され、これら
支柱46a、46aの下端部間および支柱46b、46
bの下端部間には上下2段に把持棒47a、47b、4
8a、48bがそれぞれ平行に渡されている。各把持棒
47a、47b、48a、48bの表面には、ウェハW
の周縁部が挿入される把持溝が例えば50本形成されて
いる。それら把持溝同士の間隔(溝ピッチ)は何れも前
後方向(Y方向)に等しくなるように所定の距離に配置
されている。そして各支柱46a、46bは、回転軸4
2a、42bの回転操作に従って、その把持棒47a、
47b、48a、48bにてウェハWを把持し、上下方
向(Z方向)および長手方向(X方向)の所望の位置に
移載することが可能なように構成されている。
On the rotating shafts 42a and 42b, columns 46a,
The upper ends of the columns 46a, 46b, 46b are fixed, and the lower ends of the columns 46a, 46a and the columns 46b, 46b are fixed.
b between the lower ends of the gripping bars 47a, 47b, 4
8a and 48b are passed in parallel. The surface of each gripping rod 47a, 47b, 48a, 48b has a wafer W
For example, fifty grip grooves into which the peripheral portion of the frame is inserted are formed. The gaps (groove pitches) between the holding grooves are arranged at a predetermined distance so as to be equal in the front-rear direction (Y direction). Each of the columns 46a and 46b has a rotating shaft 4
According to the rotation operation of 2a, 42b, the grip bar 47a,
The wafer W is gripped by 47b, 48a, and 48b, and can be transferred to desired positions in the vertical direction (Z direction) and the longitudinal direction (X direction).

【0023】なお、その他の搬送装置31、32および
そのウェハチャック37、38も前記した搬送装置3
0、ウェハチャック36と同一の構成を有しており、上
記と同様に、例えば50枚のウェハWを一括して把持
し、搬送する。
The other transfer devices 31 and 32 and the wafer chucks 37 and 38 thereof are also provided in the transfer device 3 described above.
0, has the same configuration as the wafer chuck 36, and holds and conveys, for example, 50 wafers W at a time in the same manner as described above.

【0024】また、各処理槽12〜17の底部には、各
処理槽内でウェハWを保持するための保持具となるボー
ト51がそれぞれ設置されている。ここで、図2を基に
して処理槽12に設置されているボート51について代
表して説明すると、このボート51は、処理槽13内に
垂設された支持体52、52’の下端に渡って水平に取
り付けられた三本の平行な保持棒53、54、55を備
えている。これら保持棒53、54、55の内、中央の
保持棒54の高さが最も低く、左右の保持棒53、55
は保持棒54を中心に対称の位置に、かつ、保持棒54
よりも高い位置に配置されている。これら保持棒53、
保持棒54、および保持棒55の上面には、保持溝が例
えばそれぞれ50本ずつ形成されている。これらの保持
溝同士の間隔(溝ピッチ)も何れも前後方向(Y方向)
に等しくなるように所定の距離に配置されている。
At the bottom of each of the processing tanks 12 to 17, a boat 51 serving as a holder for holding the wafer W in each processing tank is installed. Here, the boat 51 installed in the processing tank 12 will be described as a representative with reference to FIG. 2. The boat 51 extends over the lower ends of the supports 52 and 52 ′ vertically installed in the processing tank 13. And three parallel holding rods 53, 54, 55 mounted horizontally. Of these holding rods 53, 54, 55, the center holding rod 54 has the lowest height, and the left and right holding rods 53, 55
Are positioned symmetrically about the holding rod 54 and
It is located at a higher position. These holding rods 53,
On the upper surfaces of the holding rods 54 and 55, for example, 50 holding grooves are formed respectively. The distance between these holding grooves (groove pitch) is also the front-back direction (Y direction).
At a predetermined distance.

【0025】そして、前述のウェハチャック36によっ
て一括して把持された50枚のウェハWは、搬送装置3
0の駆動機構44による支持部43の下降に伴って処理
槽12内に挿入され、50枚のウェハWの下端がボート
51の保持棒53、54、55の保持溝にそれぞれ嵌入
すると、搬送装置30の駆動機構44による支持部43
の下降が停止するように構成されている。こうして、5
0枚のウェハWはボート51の保持棒53、54、55
の保持溝によって一括して保持された状態となり、その
後、ウェハチャック36は回動軸42a、42bの回動
により把持部材41a、41bによるウェハWの把持状
態を開放し、搬送装置30の駆動機構44による支持部
43の上昇に伴ってウェハチャック36は処理槽12の
上方に退避するようになっている。
The 50 wafers W held together by the wafer chuck 36 are transferred to the transfer device 3
When the lower end of the 50 wafers W is inserted into the holding grooves of the holding rods 53, 54, and 55 of the boat 51, respectively, the transfer device is moved. The support part 43 by the drive mechanism 44 of the 30
Is configured to stop descending. Thus, 5
The zero wafer W is held by the holding rods 53, 54, 55 of the boat 51.
After that, the wafer chuck 36 releases the holding state of the wafer W by the holding members 41a and 41b by the rotation of the rotation shafts 42a and 42b, and the driving mechanism of the transfer device 30 The wafer chuck 36 is retracted above the processing bath 12 as the support 43 is raised by 44.

【0026】そして、処理槽12における所定の処理が
終了すると、再び搬送装置30の駆動機構44による支
持部43の下降に伴ってウェハチャック36が処理槽1
2内に挿入され、回動軸42a、42bの回動により把
持部材41a、41bが閉じられてボート51の保持棒
53、54、55上に保持された50枚のウェハWを一
括して把持するようになっている。その後、支持部23
が上昇することによってウェハチャック36が処理槽1
2内から上方に退避し、それに伴って50枚のウェハW
は一括して処理槽12から取り出され、次の処理槽13
に搬送される。
When the predetermined processing in the processing tank 12 is completed, the wafer chuck 36 is moved down again by the lowering of the support section 43 by the driving mechanism 44 of the transfer device 30.
2, the gripping members 41a, 41b are closed by the rotation of the rotation shafts 42a, 42b, and the 50 wafers W held on the holding rods 53, 54, 55 of the boat 51 are collectively gripped. It is supposed to. Then, the support part 23
Rises, the wafer chuck 36 is placed in the processing tank 1.
2 upward, and 50 wafers W
Are collectively taken out of the processing tank 12 and the next processing tank 13
Transported to

【0027】なお、処理槽12以外の各処理槽13〜1
7にも、以上に説明したボート51と同じものが設置さ
れており、上記と同様に、各処理槽13〜17において
も、50枚のウェハWを一括して保持できるように構成
されている。
Each of the processing tanks 13 to 1 other than the processing tank 12
7 is also provided with the same boat 51 as described above, and is configured to be able to collectively hold 50 wafers W in each of the processing tanks 13 to 17 as described above. .

【0028】次に、図3〜7を参照しながら、本発明の
実施の形態にかかる処理装置の構造について、洗浄液と
してフッ酸を用いた洗浄を行う処理槽12を例に挙げて
説明する。
Next, the structure of the processing apparatus according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3 to 7 by taking as an example a processing tank 12 for performing cleaning using hydrofluoric acid as a cleaning liquid.

【0029】図3に示すように、この処理槽12は、被
処理体としてのウェハWを収納するのに充分な大きさを
有する箱形の内槽60と、この内槽60の上端からオー
バーフローする処理液を受けとめる外槽61とから構成
されている。この図3では省略しているが、内槽60内
には、上述のように搬送装置30のウェハチャック36
によって処理槽12内に搬入されたウェハWを例えば5
0枚垂直に保持するボート51が配置されている。
As shown in FIG. 3, the processing tank 12 has a box-shaped inner tank 60 having a size large enough to accommodate a wafer W to be processed, and overflows from the upper end of the inner tank 60. And an outer tank 61 for receiving the processing solution to be processed. Although omitted in FIG. 3, the wafer chuck 36 of the transfer device 30 is provided in the inner tank 60 as described above.
The wafer W carried into the processing tank 12 by, for example, 5
A boat 51 that holds zero sheets vertically is arranged.

【0030】内槽60の上面は開口しており、その開口
部からは内槽60内に処理液としてのフッ酸を充填する
ための充填ノズル62が挿入されている。図4に拡大し
て示すように、この充填ノズル62の吐き出し口63を
内槽60の内側壁60aに接触させて配置している。ま
た、充填ノズル62の吐き出し口63の先端面63’の
高さが、内槽60の内側壁60aから離れるに従って次
第に高くなるように、傾斜面に形成している。
The upper surface of the inner tank 60 is open, and a filling nozzle 62 for filling hydrofluoric acid as a processing liquid is inserted into the inner tank 60 from the opening. As shown in an enlarged manner in FIG. 4, the discharge port 63 of the filling nozzle 62 is arranged in contact with the inner wall 60 a of the inner tank 60. Further, the filling nozzle 62 is formed on an inclined surface such that the height of the distal end face 63 ′ of the discharge port 63 gradually increases as the distance from the inner wall 60 a of the inner tank 60 increases.

【0031】内槽60の底部には、後述するように外槽
61から取り出した処理液を内槽60の底部にて再び吐
き出して処理液を循環させる一対の循環ノズル65が、
平行に配置されている。図5に拡大して示すように、こ
の実施の形態の循環ノズル65は中空の円筒形状を有し
ており、その周面には処理液を吐き出すための複数の吐
き出し孔66が穿設されている。図6に示すように、こ
の循環ノズル65から処理液を吐き出すことによって、
内槽60内においてボート51の保持棒53、54、5
5上に保持されたウェハWの表面に処理液を流通させる
ことができる。また、この循環によって内槽60の上方
から溢れ出た処理液を外槽61に受け止めるようになっ
ている。
At the bottom of the inner tank 60, a pair of circulating nozzles 65 for discharging the processing liquid taken out of the outer tank 61 again at the bottom of the inner tank 60 and circulating the processing liquid, as described later, are provided.
They are arranged in parallel. As shown in FIG. 5 in an enlarged manner, the circulation nozzle 65 of this embodiment has a hollow cylindrical shape, and a plurality of discharge holes 66 for discharging the processing liquid are formed in the peripheral surface thereof. I have. As shown in FIG. 6, by discharging the processing liquid from the circulation nozzle 65,
In the inner tank 60, the holding rods 53, 54, 5
The processing liquid can be circulated on the surface of the wafer W held on 5. Further, the processing liquid overflowing from above the inner tank 60 due to this circulation is received by the outer tank 61.

【0032】図7に示すように、内槽60の底面には、
弁70を備えるドレン回路71が接続されている。この
弁70を開くことにより、内槽60内の処理液をドレン
回路71から系外に排出することができる。
As shown in FIG. 7, on the bottom of the inner tank 60,
A drain circuit 71 having a valve 70 is connected. By opening this valve 70, the processing liquid in the inner tank 60 can be discharged from the drain circuit 71 to the outside of the system.

【0033】外槽61の底面には、回路72が接続され
ており、上述のように内槽60の上方から溢れ出て外槽
61に受け止められた処理液が、この回路72からドレ
イン回路73と循環回路74の何れか一方に選択的に流
れるようになっている。即ち、ドレイン回路73には弁
75が設けられており、この弁75を開くことにより、
外槽61内の処理液を回路72およびドレン回路73を
経て系外に排出することができる。一方、循環回路74
にはポンプ80、ダンパ81、フィルタ82、温調器8
3が流れの順に設けられており、循環回路74の最も下
流側は、先に説明した円筒形状をなす循環ノズル65の
一端面に接続されている。そして、ポンプ80を稼働す
ることにより、外槽61内の処理液を回路72および循
環回路74を経て循環ノズル65に供給することによ
り、処理槽12内の処理液を循環させ、ボート51によ
って内槽60内に保持しているウェハWの表面に処理液
を流通させることができるように構成されている。な
お、このように循環回路74を流れる間に、フィルタ8
2で処理液の浄化が行われ、温調器83で処理液の温度
が適温に調整されるようになっている。また、特に処理
液中に過酸化水素水などを含んでいる場合は、フィルタ
82内にエアが溜まることにより、濾過面積の減少に伴
って濾過効率が低下する心配があるので、フィルタ82
の上部には、フィルタ82内部に溜まったエアを抜き取
るためのエア抜き回路76が接続してある。このエア抜
き回路76には、フィルタ82内からエアと一緒に濾過
前の処理液が入り込む可能性があるので、そのような処
理液を外槽61に再び戻すようにエア抜き回路76を構
成している。
A circuit 72 is connected to the bottom surface of the outer tub 61, and the processing liquid overflowing from above the inner tub 60 and received by the outer tub 61 as described above is drained from the circuit 72 by the drain circuit 73. And the circulation circuit 74 selectively flows. That is, the drain circuit 73 is provided with a valve 75, and by opening this valve 75,
The processing liquid in the outer tank 61 can be discharged out of the system via the circuit 72 and the drain circuit 73. On the other hand, the circulation circuit 74
Pump 80, damper 81, filter 82, temperature controller 8
3 are provided in the order of flow, and the most downstream side of the circulation circuit 74 is connected to one end surface of the circulation nozzle 65 having the cylindrical shape described above. By operating the pump 80, the processing liquid in the outer tank 61 is supplied to the circulation nozzle 65 through the circuit 72 and the circulation circuit 74, thereby circulating the processing liquid in the processing tank 12, and The processing liquid is configured to be able to flow through the surface of the wafer W held in the tank 60. During the flow through the circulation circuit 74, the filter 8
In 2, the processing liquid is purified, and the temperature controller 83 adjusts the temperature of the processing liquid to an appropriate temperature. In particular, when the processing liquid contains hydrogen peroxide solution or the like, since air is accumulated in the filter 82, there is a concern that the filtration efficiency is reduced with a decrease in the filtration area.
An air bleeding circuit 76 for bleeding air collected inside the filter 82 is connected to the upper part of the filter 82. Since there is a possibility that the processing liquid before filtration may enter the air bleeding circuit 76 together with air from inside the filter 82, the air bleeding circuit 76 is configured to return such processing liquid to the outer tank 61 again. ing.

【0034】円筒形状をなす循環ノズル65の他端面
(先に説明した循環回路74が接続されている端面と反
対の端面)には、循環ノズル65内の空気を処理槽12
外に排出させる排気回路77が接続されている。この排
気回路77の直径は、先に説明した循環ノズル65周面
に穿設された吐き出し孔66の直径よりも十分に大きく
形成されている。例えば、吐き出し孔66の直径は約1
mm程度以下に形成することにより、循環ノズル65内
の空気が気泡となって吐き出し孔66から噴出すること
を妨げている。一方、排気回路77の直径は数mm程度
の大きさに形成することにより、循環ノズル65内の空
気を吐き出し孔66から噴出させることなく排気回路7
7内に流し出すように構成している。排気回路77の途
中には弁78が設けてあり、また図示の例では、排気回
路77の先端を外槽61の上方にて開口させることによ
り、循環ノズル65内から空気と一緒に処理液が入り込
んだ場合に、その処理液を外槽61に再び戻すように構
成している。
The air in the circulation nozzle 65 is supplied to the processing tank 12 on the other end surface (the end surface opposite to the end surface to which the circulation circuit 74 described above is connected) of the circulation nozzle 65 having a cylindrical shape.
An exhaust circuit 77 for discharging air to the outside is connected. The diameter of the exhaust circuit 77 is formed sufficiently larger than the diameter of the discharge hole 66 formed in the peripheral surface of the circulation nozzle 65 described above. For example, the diameter of the discharge hole 66 is about 1
By forming it to be about mm or less, the air in the circulation nozzle 65 is prevented from forming bubbles and being ejected from the discharge hole 66. On the other hand, by forming the diameter of the exhaust circuit 77 to be about several mm, the air in the circulation nozzle 65 can be exhausted without discharging the air in the circulation nozzle 65 from the discharge hole 66.
7. A valve 78 is provided in the middle of the exhaust circuit 77, and in the example shown in the figure, by opening the tip of the exhaust circuit 77 above the outer tank 61, the processing liquid is supplied from the circulation nozzle 65 together with air. When entering, the processing liquid is returned to the outer tank 61 again.

【0035】さて、以上のように構成された洗浄システ
ム1におけるウェハWの処理工程を説明すると、先ず、
図示しない搬送ロボットの如き適当な搬送手段により、
キャリアCが搬入・取出部2の搬入部5に載置される。
このキャリアCにはまだ洗浄されていないウェハWが、
例えば25枚の如き所定枚数装填されている。そして、
載置部5に載置されたキャリアCは移送装置7によって
整列部6へ移送され、例えばキャリアC二個分の50枚
のウェハWがオリフラ合わせされた状態で整列部6に整
列して、後続の洗浄処理を待機する。
Now, the processing steps of the wafer W in the cleaning system 1 configured as described above will be described.
By an appropriate transfer means such as a transfer robot (not shown),
The carrier C is placed on the loading section 5 of the loading / unloading section 2.
A wafer W that has not been cleaned yet is contained in the carrier C.
For example, a predetermined number such as 25 sheets is loaded. And
The carrier C placed on the placement unit 5 is transferred to the alignment unit 6 by the transfer device 7, and is aligned with the alignment unit 6 in a state where, for example, 50 wafers W for two carriers C are aligned with the orientation flat. Wait for the subsequent cleaning process.

【0036】こうして搬入・取出部2の取出部6におい
て整列されたウェハWは、次に、既に洗浄乾燥処理部3
の処理槽11において洗浄および乾燥処理された搬送装
置30のウェハチャック36によって整列状態を維持し
たまま一括して把持され、各処理部12、13、14へ
と搬送されて、そこでウェハWは洗浄液中に浸漬されて
順次洗浄処理されていく。
The wafers W aligned in the unloading section 6 of the loading / unloading section 2 are then transferred to the cleaning / drying processing section 3
Are cleaned and dried in the processing tank 11, and are collectively gripped by the wafer chuck 36 of the transfer device 30 while maintaining the aligned state, and transferred to each of the processing units 12, 13, and 14, where the wafer W is subjected to the cleaning liquid. It is immersed in and sequentially washed.

【0037】ここで、洗浄液としてフッ酸を用いた洗浄
を行う処理槽12を例に挙げて洗浄工程を説明すると、
処理槽12の内槽60には、搬送装置30のウェハチャ
ック36によってウェハWが搬送される前に、処理液と
してのフッ酸が充填ノズル62から充填される。この充
填に際しては、先に説明したように、充填ノズル62の
吐き出し口63が内槽60の内側壁60aに接触させて
配置してあり、また、充填ノズル62の吐き出し口63
の先端面63’の高さが、内槽60の内側壁60aから
離れるに従って次第に高くなるように傾斜面に形成して
あるので、充填ノズル62から吐き出された処理液が内
槽60の内側壁60aに添って円滑に流れることとな
り、泡の発生が抑制される。そして、この充填を継続し
て行うことにより内槽60内から処理液が溢れ出て外槽
61にまで処理液が充填された状態になると、充填ノズ
ル62からの処理液の充填は一旦終了する。そして、図
2で説明した搬送装置30のウェハチャック36で把持
された50枚のウェハWが一括して下降し、処理槽12
の内槽60内に搬入される。こうして50枚のウェハW
を内槽60内のボート51上に整列状態で受け渡した
後、ウェハチャック36はウェハWの把持状態を開放
し、更に、ウェハチャック36は処理槽12の上方に退
避する。
Here, the cleaning step will be described by taking as an example the processing tank 12 for performing cleaning using hydrofluoric acid as a cleaning liquid.
Before the wafer W is transferred by the wafer chuck 36 of the transfer device 30, the inner tank 60 of the processing tank 12 is filled with hydrofluoric acid as a processing liquid from the filling nozzle 62. At the time of filling, as described above, the discharge port 63 of the filling nozzle 62 is arranged in contact with the inner side wall 60a of the inner tank 60, and the discharge port 63 of the filling nozzle 62 is formed.
Is formed on the inclined surface so that the height of the front end surface 63 ′ gradually increases as the distance from the inner wall 60 a of the inner tank 60 increases, so that the processing liquid discharged from the filling nozzle 62 is It flows smoothly along 60a, and generation of bubbles is suppressed. When the processing liquid overflows from the inner tank 60 to fill the outer tank 61 with the processing liquid by continuously performing the filling, the filling of the processing liquid from the filling nozzle 62 ends once. . Then, the 50 wafers W held by the wafer chuck 36 of the transfer device 30 described with reference to FIG.
Is carried into the inner tank 60. Thus, 50 wafers W
Is transferred to the boat 51 in the inner tank 60 in an aligned state, the wafer chuck 36 releases the gripping state of the wafer W, and the wafer chuck 36 retreats above the processing tank 12.

【0038】このウェハWの搬入が終了すると、図7で
説明したポンプ80の稼働が開始する。これにより外槽
61内の処理液が回路72および循環回路74を経て循
環ノズル65に供給され始めるが、この循環ノズル65
への処理液の供給し始めの、まだ循環ノズル65内に空
気が残っている時期においては、図7で説明した排気回
路77の弁78を開放し、排気回路77を大気圧に開放
しておく。先にも述べたように、排気回路77の直径は
循環ノズル65周面の吐き出し孔66の直径よりも十分
に大きく、例えば吐き出し孔66の直径が約1mm程度
以下であるのに対して排気回路77の直径は数mm程度
の大きさであるので、循環ノズル65に処理液を供給し
た際に、循環ノズル65内に残っている空気は、吐き出
し孔66から気泡となって噴出することがなく、大気圧
に開放されている排気回路77に円滑に流れ出ることと
なる。従って、吐き出し孔66から空気が気泡となって
噴出することを防ぐことができる。
When the transfer of the wafer W is completed, the operation of the pump 80 described with reference to FIG. 7 starts. As a result, the processing liquid in the outer tank 61 starts to be supplied to the circulation nozzle 65 via the circuit 72 and the circulation circuit 74.
At the time when air is still remaining in the circulation nozzle 65 at the start of supplying the processing liquid to the circulation nozzle 65, the valve 78 of the exhaust circuit 77 described with reference to FIG. 7 is opened, and the exhaust circuit 77 is opened to atmospheric pressure. deep. As described above, the diameter of the exhaust circuit 77 is sufficiently larger than the diameter of the discharge hole 66 on the peripheral surface of the circulation nozzle 65. For example, while the diameter of the discharge hole 66 is about 1 mm or less, the exhaust circuit 77 Since the diameter of 77 is about several mm, when the processing liquid is supplied to the circulation nozzle 65, the air remaining in the circulation nozzle 65 does not blow out from the discharge hole 66 as bubbles. , Flows smoothly into the exhaust circuit 77 which is open to the atmospheric pressure. Therefore, it is possible to prevent the air from being emitted from the discharge hole 66 as bubbles.

【0039】こうして、循環ノズル65から処理液を吐
き出す前に循環ノズル65内に残っている空気を排気回
路77から十分に排出させた後、弁78を閉じ、循環ノ
ズル65周面の吐き出し孔66から処理液を吐き出すこ
とによって、内槽60内においてボート51上に保持さ
れているウェハWの表面に処理液を循環させて供給す
る。そして、この循環によって内槽60の上方から溢れ
出た処理液を外槽61に受け止め、その処理液を再び回
路72および循環回路74を経て循環ノズル65に供給
する。なお、排気回路77の先端を外槽61の上方に開
口させているので、循環ノズル65から排気回路77内
に多少の処理液が入り込んだとしても、その処理液を外
槽61に戻すことができるので、循環ノズル65内に残
っている空気を排気回路77に十分に追い出してから弁
78を閉じて、処理液の循環を開始すればよい。
After the air remaining in the circulation nozzle 65 is sufficiently discharged from the exhaust circuit 77 before the processing liquid is discharged from the circulation nozzle 65, the valve 78 is closed and the discharge hole 66 on the peripheral surface of the circulation nozzle 65 is discharged. , The processing liquid is circulated and supplied to the surface of the wafer W held on the boat 51 in the inner tank 60. Then, the processing liquid overflowing from above the inner tank 60 due to this circulation is received by the outer tank 61, and the processing liquid is again supplied to the circulation nozzle 65 via the circuit 72 and the circulation circuit 74. Since the tip of the exhaust circuit 77 is opened above the outer tank 61, even if some processing liquid enters the exhaust circuit 77 from the circulation nozzle 65, the processing liquid can be returned to the outer tank 61. Since it is possible, the air remaining in the circulation nozzle 65 is sufficiently expelled to the exhaust circuit 77, and then the valve 78 is closed to start circulation of the processing liquid.

【0040】こうして、例えば所定の時間が経過するこ
とによって処理槽12における洗浄が終了すると、搬送
装置30のウェハチャック36が処理槽12の内槽60
内に下降し、ボート51上に保持された50枚のウェハ
Wを一括して把持して上昇する。そして、50枚のウェ
ハWを一括して処理槽12の内槽60内から取り出し、
次の処理槽13に搬送する。処理槽13に搬入された5
0枚のウェハWは、同様に槽底部より循環供給される純
水によってリンス洗浄される。更に、処理槽13でのリ
ンス洗浄が終了したウェハWは、同様に搬送装置30の
ウェハチャック36で次の処理槽14に搬送され、再び
リンス洗浄される。こうして、フッ酸による洗浄を終了
したウェハWは、処理槽14底部のボート上にて後続の
処理槽15〜17における他の処理液による洗浄を待機
する。そして、次のウェハ搬送装置31が処理槽14底
部のボート上にて待機しているウェハWを取り出して、
各処理槽14〜17に搬送する。そして、先と同様の工
程に従う所定の洗浄処理後に、ウェハWは、処理槽17
底部のボート上にて後続の処理槽19における乾燥処理
を待機する。以下、乾燥処理槽19にてIPAによる蒸
気乾燥処理を行った後、装填・搬出部4を介してウェハ
WがキャリアC単位で装置外に搬出される。
When the cleaning in the processing tank 12 is completed, for example, after a predetermined time has elapsed, the wafer chuck 36 of the transfer device 30 is moved to the inner tank 60 of the processing tank 12.
And the 50 wafers W held on the boat 51 are collectively gripped and lifted. Then, 50 wafers W are collectively taken out of the inner tank 60 of the processing tank 12, and
It is transported to the next processing tank 13. 5 carried into processing tank 13
The zero wafer W is similarly rinsed with pure water circulated and supplied from the bottom of the tank. Further, the wafer W that has been rinsed in the processing tank 13 is similarly transferred to the next processing tank 14 by the wafer chuck 36 of the transfer device 30 and rinsed again. In this way, the wafer W that has been cleaned with hydrofluoric acid waits for cleaning with another processing liquid in the subsequent processing tanks 15 to 17 on the boat at the bottom of the processing tank 14. Then, the next wafer transfer device 31 takes out the wafer W waiting on the boat at the bottom of the processing tank 14,
It is conveyed to each processing tank 14-17. After a predetermined cleaning process according to the same process as above, the wafer W is placed in the processing tank 17.
The drying process in the subsequent processing tank 19 is on standby on the bottom boat. Hereinafter, after performing the steam drying process by the IPA in the drying process tank 19, the wafer W is carried out of the apparatus by the carrier C via the loading / unloading unit 4.

【0041】一方、以上のような処理液を用いた洗浄を
良好に行うためには、各処理槽12〜17内の処理液が
常に新鮮な状態であることが必要である。そこで、各処
理槽12〜17の処理液を数バッチ毎に新しい処理液に
交換する作業が行われる。この交換作業を処理槽12に
ついて説明すると、先ず、図7で説明した弁70を開
き、内槽60内の処理液をドレン回路71から系外に排
出する。また、弁75を開くことにより、外槽61内の
処理液を回路72およびドレン回路73を経て系外に排
出する。
On the other hand, in order to perform the above-mentioned cleaning using the processing liquid well, it is necessary that the processing liquid in each of the processing tanks 12 to 17 is always fresh. Therefore, an operation of replacing the processing liquid in each of the processing tanks 12 to 17 with a new processing liquid every several batches is performed. This exchange work will be described for the processing tank 12. First, the valve 70 described with reference to FIG. 7 is opened, and the processing liquid in the inner tank 60 is discharged from the drain circuit 71 to the outside of the system. When the valve 75 is opened, the processing liquid in the outer tank 61 is discharged out of the system via the circuit 72 and the drain circuit 73.

【0042】こうして、処理槽12の内槽60および外
槽61からの古い処理液の排出を終了した後、弁70、
75を閉じる。そして、新しい処理液が充填ノズル62
から内槽60内に充填される。なお、この充填に際して
も同様に充填ノズル62から吐き出した処理液を内槽6
0の内側壁60aに添って円滑に流すことによって、泡
の発生を抑制することができる。そして、内槽60内か
ら処理液が溢れ出て外槽61にまで処理液が充填された
状態となると、充填ノズル62からの処理液の供給が停
止し、次のウェハWの搬入を待機する状態となる。
After discharging the old processing liquid from the inner tank 60 and the outer tank 61 of the processing tank 12 in this manner, the valve 70,
Close 75. Then, the new processing liquid is supplied to the filling nozzle 62.
Is filled into the inner tank 60. At the time of this filling, the processing liquid discharged from the filling nozzle 62 is also supplied to the inner tank 6.
By smoothly flowing along the inner wall 60a of 0, generation of bubbles can be suppressed. Then, when the processing liquid overflows from the inner tank 60 to fill the outer tank 61 with the processing liquid, the supply of the processing liquid from the filling nozzle 62 is stopped, and the loading of the next wafer W is awaited. State.

【0043】また、次のウェハWが搬入された場合は、
先と同様に図7で説明したポンプ80の稼働が開始し、
外槽61内の処理液が回路72および循環回路74を経
て循環ノズル65に供給され始めるが、この場合も同様
に、循環ノズル65から処理液を吐き出す前に、図7で
説明した排気回路77の弁78を開放して循環ノズル6
5内に残っている空気を処理槽外に排出させる。そし
て、循環ノズル65内に残っている空気を排気回路77
から十分に排出させた後、弁78を閉じて循環ノズル6
5周面の吐き出し孔66からの処理液の吐き出しを開始
する。
When the next wafer W is loaded,
The operation of the pump 80 described with reference to FIG.
The processing liquid in the outer tank 61 starts to be supplied to the circulation nozzle 65 through the circuit 72 and the circulation circuit 74. In this case, similarly, before the processing liquid is discharged from the circulation nozzle 65, the exhaust circuit 77 described in FIG. Opening the valve 78 of the circulation nozzle 6
The air remaining in 5 is discharged out of the processing tank. Then, the air remaining in the circulation nozzle 65 is discharged into the exhaust circuit 77.
After sufficient discharge from the circulation nozzle 6
The discharge of the processing liquid from the discharge holes 66 on the fifth circumferential surface is started.

【0044】かくして、以上の操作を行って処理槽12
の内槽60内における処理液中への空気の混入を防ぐこ
とにより、洗浄不良を減少させることができ、半導体デ
バイスの製造における歩留まりを向上させることが可能
となる。なお、処理液としてフッ酸を用いた洗浄を行う
処理槽12について主たる説明を行ったが、本発明は、
例えば他の洗浄処理等を行う洗浄槽13〜17、その他
の各種処理液を用いて処理を行う方法や装置に適応させ
ることが可能である。
Thus, the processing tank 12
By preventing air from being mixed into the processing liquid in the inner tank 60, cleaning defects can be reduced, and the yield in the manufacture of semiconductor devices can be improved. In addition, although the main description was given of the processing tank 12 for performing cleaning using hydrofluoric acid as a processing liquid, the present invention provides:
For example, the present invention can be applied to cleaning tanks 13 to 17 for performing other cleaning processing and the like, and a method and an apparatus for performing processing using other various processing liquids.

【0045】[0045]

【実施例】次に、本発明の効果を確認すべく、処理槽1
2の内槽60内へ処理液を充填する充填ノズルについて
実験を行った。以下にその結果を示す。
EXAMPLE Next, in order to confirm the effect of the present invention, the processing tank 1 was used.
An experiment was conducted on a filling nozzle for filling the inner tank 60 with the processing liquid. The results are shown below.

【0046】先ず、図8〜10に示すものは、何れも比
較例である。即ち、図8の充填ノズル90は、処理槽1
2の内槽60の開口部にて吐き出しを行うように配置し
た。図9の充填ノズル91は、処理槽12の内槽60内
壁面から少し離した位置で吐き出しを行うように配置し
た。この充填ノズル91の吐き出し口の先端面は平面形
状である。図10の充填ノズル92は、先端部を処理槽
12の内槽60内方向に直角に折り曲げ、内槽60内方
向に向けて吐き出しを行うようにした。
8 to 10 are comparative examples. That is, the filling nozzle 90 of FIG.
The second inner tank 60 was disposed so as to discharge at the opening. The filling nozzle 91 shown in FIG. 9 is disposed so as to perform discharge at a position slightly away from the inner wall surface of the inner tank 60 of the processing tank 12. The tip surface of the discharge port of the filling nozzle 91 has a planar shape. The filling nozzle 92 shown in FIG. 10 has a tip bent at a right angle to the inside of the inner tank 60 of the processing tank 12 so as to perform discharge toward the inside of the inner tank 60.

【0047】一方、図11に示すものは、本発明の実施
例である。この充填ノズル93の吐き出し口は処理槽1
2の内槽60の側壁に接触させて配置し、吐き出し口の
先端面の高さは内槽60の側壁から離れるに従って次第
に高くなるように形成した。
FIG. 11 shows an embodiment of the present invention. The discharge port of the filling nozzle 93 is the processing tank 1
2 was arranged so as to be in contact with the side wall of the inner tank 60, and the height of the tip end surface of the discharge port was formed so as to gradually increase as the distance from the side wall of the inner tank 60 increased.

【0048】なお、図8〜11の何れの場合も処理槽1
2の内槽60内にボート51を設置して実験した。ま
た、処理槽12の内槽60内へ充填する処理液として、
容量比で49%フッ酸溶液:水が1:19の希フッ酸溶
液を用い、該処理液を各充填ノズル90〜93によって
充填した際に、内槽60内に付着する泡を目視によって
観察した。充填流量は8リットル/minである。
In any of the cases of FIGS.
The experiment was conducted with the boat 51 installed in the inner tank 60 of No. 2. Further, as a processing liquid to be filled into the inner tank 60 of the processing tank 12,
Using a 49% hydrofluoric acid solution in a volume ratio of 1:19 dilute hydrofluoric acid solution, when the treatment liquid is filled by each of the filling nozzles 90 to 93, bubbles adhering to the inner tank 60 are visually observed. did. The filling flow rate is 8 liter / min.

【0049】その結果、図8に示した充填ノズル90か
ら処理液を充填した場合は、内槽60壁面とボート51
側面に多くの泡が付着した。また、図9に示した充填ノ
ズル91から処理液を充填した場合は、内槽60壁面に
付着する泡はほとんどなくなったが、ボート51側面に
は若干の泡の付着が認められた。また、図10に示した
充填ノズル91から処理液を充填した場合は、内槽60
壁面に付着する泡はほとんどなくなったが、ボート51
側面には多くの泡の付着が認められた。
As a result, when the processing liquid is filled from the filling nozzle 90 shown in FIG.
Many bubbles adhered to the side. When the processing liquid was filled from the filling nozzle 91 shown in FIG. 9, almost no bubbles adhered to the wall surface of the inner tank 60, but some bubbles adhered to the side surface of the boat 51. When the processing liquid is filled from the filling nozzle 91 shown in FIG.
Almost no bubbles adhered to the wall.
Many bubbles adhered to the side.

【0050】これに対して、図11に示した実施例の充
填ノズル93から処理液を充填した場合は、内槽60壁
面とボート51側面の何れにも泡が殆ど付着しなかっ
た。
On the other hand, when the processing liquid was filled from the filling nozzle 93 in the embodiment shown in FIG. 11, almost no bubbles adhered to either the wall surface of the inner tank 60 or the side surface of the boat 51.

【0051】[0051]

【発明の効果】本発明によれば、処理液中への空気の混
入を防ぐことにより、洗浄処理などの処理不良を大幅に
減少させることが可能となる。従って、本発明によれば
被処理体の処理を円滑に行うことができ、例えば、半導
体デバイスの製造における歩留まりを向上させることが
可能となる。
According to the present invention, it is possible to greatly reduce processing defects such as cleaning processing by preventing air from being mixed into the processing liquid. Therefore, according to the present invention, the processing of the object to be processed can be performed smoothly, and for example, the yield in the manufacture of semiconductor devices can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】洗浄システム1の斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a cleaning system 1. FIG.

【図2】搬送装置の一例を拡大して示す斜視図である。FIG. 2 is an enlarged perspective view showing an example of a transport device.

【図3】処理槽の一例を概略的に示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view schematically showing an example of a processing tank.

【図4】充填ノズルの拡大縦断面図である。FIG. 4 is an enlarged vertical sectional view of a filling nozzle.

【図5】循環ノズルの斜視図である。FIG. 5 is a perspective view of a circulation nozzle.

【図6】処理槽の縦断面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a processing tank.

【図7】処理槽の配管図である。FIG. 7 is a piping diagram of a processing tank.

【図8】充填ノズルの比較例の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a comparative example of a filling nozzle.

【図9】充填ノズルの比較例の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of a comparative example of a filling nozzle.

【図10】充填ノズルの比較例の説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a comparative example of a filling nozzle.

【図11】充填ノズルの実施例の説明図である。FIG. 11 is an explanatory view of an embodiment of a filling nozzle.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

W ウェハ 12 処理槽 60 内槽 61 外槽 62 充填ノズル 63 吐き出し口 65 循環ノズル 77 排気回路 W Wafer 12 Processing tank 60 Inner tank 61 Outer tank 62 Filling nozzle 63 Discharge port 65 Circulation nozzle 77 Exhaust circuit

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理体を収納する処理槽と、該処理槽
に処理液を充填する充填ノズルとを備える処理装置にお
いて、 前記充填ノズルの吐き出し口を処理槽の側壁に接触させ
て配置すると共に、該吐き出し口の先端面の高さが処理
槽の側壁から離れるに従って次第に高くなるように形成
したことを特徴とする処理装置。
1. A processing apparatus comprising: a processing tank for storing an object to be processed; and a filling nozzle for filling the processing tank with a processing liquid, wherein a discharge port of the filling nozzle is arranged in contact with a side wall of the processing tank. A processing apparatus, wherein the height of the tip end surface of the discharge port is gradually increased as the distance from the side wall of the processing tank increases.
【請求項2】 被処理体を収納して処理液中に浸漬させ
る処理槽と、該処理槽から取り出した処理液を処理槽の
底部にて吐き出す循環ノズルとを備える処理装置におい
て、 前記循環ノズル内の空気を処理槽外に排出させる排気回
路を設けたことを特徴とする処理装置。
2. A processing apparatus comprising: a processing tank for storing an object to be processed and immersed in a processing liquid; and a circulation nozzle for discharging a processing liquid taken out of the processing tank at a bottom of the processing tank. A processing apparatus provided with an exhaust circuit for discharging air inside the processing tank to the outside of the processing tank.
【請求項3】 被処理体を収納する処理槽に充填ノズル
から処理液を充填し、該処理槽から取り出した処理液を
処理槽の底部にて循環ノズルから吐き出して処理を行う
方法において、 前記循環ノズルから処理液を吐き出す前に、循環ノズル
内の空気を処理槽外に排出させることを特徴とする処理
方法。
3. A method for performing processing by filling a processing tank containing an object to be processed with a processing liquid from a filling nozzle and discharging the processing liquid taken out of the processing tank from a circulation nozzle at the bottom of the processing tank. A processing method, wherein air in the circulation nozzle is discharged out of the processing tank before the processing liquid is discharged from the circulation nozzle.
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