JPH1062604A - Manufacture of optical board and liquid crystal display - Google Patents
Manufacture of optical board and liquid crystal displayInfo
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- JPH1062604A JPH1062604A JP8216995A JP21699596A JPH1062604A JP H1062604 A JPH1062604 A JP H1062604A JP 8216995 A JP8216995 A JP 8216995A JP 21699596 A JP21699596 A JP 21699596A JP H1062604 A JPH1062604 A JP H1062604A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、透光性基板にマイ
クロレンズやマイクロプリズムから成る光学部分を形成
する光学基板の製造方法および液晶表示装置の製造方法
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an optical substrate and a method for manufacturing a liquid crystal display device in which an optical portion including a microlens and a microprism is formed on a light-transmitting substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】液晶プロジェクター等の液晶表示装置で
は、TFT等の駆動素子が形成された駆動基板に対向す
る対向基板にマイクロレンズアレイやマイクロプリズム
アレイを形成し、照明光を画素領域に集光して表示画像
の明るさを向上させる技術が提案されている。2. Description of the Related Art In a liquid crystal display device such as a liquid crystal projector, a microlens array or a microprism array is formed on a counter substrate opposite to a driving substrate on which driving elements such as TFTs are formed, and illumination light is focused on a pixel area. There has been proposed a technique for improving the brightness of a display image.
【0003】このマイクロレンズアレイの形成方法とし
ては、特公平6−42126号公報の投影型画像表示装
置に記載されている。また、他の形成方法としいては、
ガラス基板に凹部を形成してそこに高屈折率透明樹脂を
埋め込むことでマイクロレンズアレイを形成する技術も
考えられている。A method for forming the microlens array is described in a projection type image display device disclosed in Japanese Patent Publication No. 6-42126. Also, as another forming method,
A technique of forming a microlens array by forming a concave portion in a glass substrate and embedding a high-refractive-index transparent resin therein is also considered.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】先に示したように、マ
イクロレンズアレイやマイクロプリズムアレイが形成さ
れた光学基板は、画素領域に照明光を集光させて表示画
像の明るさを向上させる必要があることから、TFT等
が形成された駆動基板との位置合わせが非常に重要とな
る。また、マイクロレンズアレイ等が形成された光学基
板を所定の大きさにダイシングする際にも、アライメン
トが必要となる。As described above, the optical substrate on which the microlens array and the microprism array are formed needs to collect illumination light on the pixel area to improve the brightness of the displayed image. Therefore, alignment with the driving substrate on which TFTs and the like are formed becomes very important. Also, alignment is required when dicing the optical substrate on which the microlens array and the like are formed into a predetermined size.
【0005】ところが、マイクロレンズアレイ等を形成
する基板としては光を透過する透光性基板が用いられて
おり、主としてガラス基板から成る透光性基板の表面に
位置合わせ用のアライメントマークを別途形成するには
非常に手間のかかる工程が必要となる。However, a light-transmitting substrate that transmits light is used as a substrate on which a microlens array or the like is formed. An alignment mark for positioning is separately formed on the surface of a light-transmitting substrate mainly composed of a glass substrate. This requires a very laborious process.
【0006】また、高屈折率透明樹脂を用いてマイクロ
レンズアレイ等を形成する場合には、この高屈折率透明
樹脂の埋め込みによってアライメントマークを形成する
ことも考えられるが、斜光、レーザ光等のアライメント
照明ではパターン判別が困難であり、正確なアライメン
トを自動的に行うことができない。When a microlens array or the like is formed by using a high-refractive-index transparent resin, an alignment mark may be formed by embedding the high-refractive-index transparent resin. It is difficult to determine the pattern by the alignment illumination, and accurate alignment cannot be performed automatically.
【0007】しかも、マイクロレンズアレイ等を形成す
る基板が透光性基板から成ることから、対向する液晶駆
動基板の駆動回路に不要な光が入射して駆動特性を変動
させるという問題がある。また、これを解消するために
遮光膜を設けることも考えられるが、別途このような遮
光膜を形成することにより製造工程の煩雑化を招くこと
になる。In addition, since the substrate on which the microlens array and the like are formed is a light-transmitting substrate, there is a problem that unnecessary light is incident on the driving circuit of the opposing liquid crystal driving substrate to change the driving characteristics. In order to solve this problem, it is conceivable to provide a light-shielding film. However, forming such a light-shielding film separately complicates the manufacturing process.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成された光学基板の製造方法である。
すなわち、本発明は、透光性基板の表面に保護膜で覆わ
れる部分と保護膜で覆われないで透光性基板の表面が露
出する部分とを形成する工程と、保護膜をマスクとして
透光性基板の表面が露出する部分を加工して光学部分を
形成していく工程と、加工によって光学部分が完成する
までの間に、光学部分を形成するためのマスクになる保
護膜を完全に除去するとともに、光学部分を形成するた
めのマスクにならない保護膜を残しておく工程とから成
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is a method for manufacturing an optical substrate which has been made to solve such a problem.
That is, the present invention provides a process of forming a portion of a surface of a light-transmitting substrate covered with a protective film and a portion of the surface of the light-transmitting substrate which is not covered with the protective film and is exposed, and using the protective film as a mask. The process of forming the optical part by processing the part where the surface of the optical substrate is exposed, and completely protecting the protective film that serves as a mask for forming the optical part before the optical part is completed by processing Removing and leaving a protective film that does not become a mask for forming an optical portion.
【0009】また、上記製造方法で製造した光学基板を
対向基板に貼り合わせ、液晶駆動基板と重ね合わせるに
あたり、残す保護膜を液晶駆動基板の駆動回路の遮光用
の膜として使用する液晶表示装置の製造方法でもある。Further, in bonding the optical substrate manufactured by the above-described manufacturing method to an opposing substrate and superimposing the optical substrate on a liquid crystal driving substrate, a liquid crystal display device in which a remaining protective film is used as a light shielding film of a driving circuit of the liquid crystal driving substrate. It is also a manufacturing method.
【0010】本発明では、透光性基板に光学部分を形成
する際の保護膜を被着する際、光学部分を形成するため
のマスクと、光学部分を形成しないマスクとを同時に設
けておき、光学部分を形成するための加工で前者の保護
膜を完全に除去し、後者の保護膜を残しておくようにし
ている。この残った保護膜で形成されるパターンが透光
性基板のアライメントマークとなるため、別途アライメ
ントマークを形成する必要がなくなる。In the present invention, a mask for forming an optical portion and a mask for not forming an optical portion are provided at the same time when a protective film for forming an optical portion is applied to a light transmitting substrate. The former protective film is completely removed by the processing for forming the optical part, and the latter protective film is left. Since the pattern formed by the remaining protective film becomes the alignment mark of the translucent substrate, there is no need to separately form an alignment mark.
【0011】しかも、この残った保護膜を遮光膜とする
ことで、液晶駆動基板との重ね合わせを行う際、この遮
光用の保護膜を液晶駆動基板の駆動回路と対向させるこ
とで、別途遮光膜を形成することなく駆動回路の遮光を
行うことができるようになる。Further, by using the remaining protective film as a light-shielding film, the light-shielding protective film is opposed to the driving circuit of the liquid crystal driving substrate when the liquid crystal driving substrate is superimposed. The light-shielding of the drive circuit can be performed without forming a film.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の光学基板の製造
方法における実施の形態を図に基づいて説明する。本実
施形態では、主としてマイクロレンズやマイクロプリズ
ムを備えた光学基板の製造方法を例として説明を行う。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the method for manufacturing an optical substrate according to the present invention will be described below with reference to the drawings. In the present embodiment, a method for manufacturing an optical substrate including a microlens and a microprism will be mainly described as an example.
【0013】図1〜図2は第1実施形態を説明する模式
断面図である。先ず、図1(a)に示すように、透光性
を備えたガラス基板1の表面にフォトレジスト2を塗布
し、フォトリソグラフィーを用いて後述のマイクロレン
ズを形成する部分であるレンズ部Rおよびアライメント
マークを形成するためのアライメントマーク部AMを開
口する。FIGS. 1 and 2 are schematic sectional views for explaining the first embodiment. First, as shown in FIG. 1A, a photoresist 2 is applied to the surface of a glass substrate 1 having a light-transmitting property, and a lens portion R, which is a portion where a microlens to be described later is formed using photolithography, is formed. Open an alignment mark part AM for forming an alignment mark.
【0014】ガラス基板1としては、例えば6インチ
径、0.8mm厚の石英ガラス基板(屈折率1.47
2)を使用し、フォトレジスト2としては、例えばネガ
型フォトレジストを用いて、マスク露光および現像によ
ってパターニングした後、所定の温度でポストベークを
施し、ガラス基板1との密着性向上を図っておく。As the glass substrate 1, for example, a quartz glass substrate having a diameter of 6 inches and a thickness of 0.8 mm (refractive index: 1.47)
Using 2), as the photoresist 2, for example, using a negative photoresist, patterning is performed by mask exposure and development, and then post-baking is performed at a predetermined temperature to improve adhesion to the glass substrate 1. deep.
【0015】次に、図1(b)に示すように、ガラス基
板1上のフォトレジスト2をマスクとしてエッチング処
理を施し、レンズ部Rに凹状の窪みを形成する。エッチ
ング処理としてウェットエッチングを用いる場合には、
HF系のエッチング液を使用し、またドライエッチング
を用いる場合には、CCl4 ガスを使用する。Next, as shown in FIG. 1B, an etching process is performed using the photoresist 2 on the glass substrate 1 as a mask to form a concave depression in the lens portion R. When wet etching is used as the etching process,
When an HF-based etchant is used, and when dry etching is used, CCl 4 gas is used.
【0016】そして、このエッチングによるレンズ部R
の形成を、レンズ部R間にあるフォトレジスト2(図1
(b)の例では左側2つのフォトレジスト)が剥離する
まで続ける。これによって、レンズ部Rの窪みが形成さ
れるとともに、図1(b)の例では右側2つのフォトレ
ジスト2が残る状態となる。図1(c)に示すように、
このフォトレジスト2’を利用して間をアライメントマ
ーク部AMとして使用することになる。The lens portion R formed by this etching
Is formed using a photoresist 2 (FIG. 1) between the lens portions R.
(In the example of (b), the left two photoresists) are peeled off. Thereby, a depression of the lens portion R is formed, and in the example of FIG. 1B, two photoresists 2 on the right side remain. As shown in FIG.
Utilizing this photoresist 2 ', the space is used as the alignment mark part AM.
【0017】つまり、本実施形態では、レンズ部Rを形
成するためのフォトレジスト2はエッチングによって除
去してしまい、アライメントマーク部AMを構成するフ
ォトレジスト2’はエッチングしても残るような大きさ
にパターニングしてある。これによって、レンズ部Rの
形成のためのエッチングと同時に、このレンズ部Rが形
成された段階で残ったフォトレジスト2’を用いてアラ
イメントマーク部AMを構成できるようになる。なお、
このアライメントマークAMと同様な考え方でスクライ
ブラインを構成することもできる。That is, in the present embodiment, the photoresist 2 for forming the lens portion R is removed by etching, and the photoresist 2 'forming the alignment mark portion AM has such a size that it remains even after etching. It is patterned. Thus, the alignment mark part AM can be formed by using the photoresist 2 ′ remaining at the stage when the lens part R is formed, simultaneously with the etching for forming the lens part R. In addition,
A scribe line can be formed in the same way as the alignment mark AM.
【0018】次に、図2(a)に示すように、ガラス基
板1のレンズ部R、アライメントマーク部AMおよびス
クライブライン(図示せず)に高屈折率透明樹脂3をコ
ーティングし、基台ガラス4を貼り合わせる処理を行
う。高屈折率透明樹脂3としては、紫外線照射硬化型、
または紫外線照射+加熱硬化型、または熱硬化型のもの
(屈折率1.60〜1.70)を使用し、基台ガラス4
としては例えば6インチ径、0.5〜0.8mm厚の石
英ガラス(屈折率1.472)を使用する。この高屈折
率透明樹脂3と基台ガラス4およびガラス基板1との屈
折率差によって、レンズ部Rのレンズ効果が発揮される
ことになる。Next, as shown in FIG. 2A, the lens portion R, the alignment mark portion AM and the scribe line (not shown) of the glass substrate 1 are coated with a high-refractive-index transparent resin 3 to form a base glass. 4 is performed. As the high-refractive-index transparent resin 3, an ultraviolet irradiation curing type,
Alternatively, use an ultraviolet irradiation + heat-curing type or a thermosetting type (refractive index: 1.60 to 1.70).
For example, quartz glass having a diameter of 6 inches and a thickness of 0.5 to 0.8 mm (refractive index: 1.472) is used. Due to the refractive index difference between the high refractive index transparent resin 3 and the base glass 4 and the glass substrate 1, the lens effect of the lens portion R is exhibited.
【0019】また、高屈折率透明樹脂3をコーティング
して基台ガラス4を貼り合わせた後は、高屈折率透明樹
脂3に紫外線を照射したり(例えば、2000〜300
0mJ/cm2 )、加熱(例えば、150〜180℃)
によって硬化させ、基台ガラス4を固着する。After the high refractive index transparent resin 3 is coated and the base glass 4 is bonded thereto, the high refractive index transparent resin 3 is irradiated with ultraviolet rays (for example, 2000 to 300).
0 mJ / cm 2 ), heating (for example, 150 to 180 ° C.)
To fix the base glass 4.
【0020】この基台ガラス4の貼り合わせによって、
レンズ部Rの形成されたガラス基板1と基台ガラス4と
の間にフォトレジスト2’で形成されたアライメントマ
ーク部AMが挟まれた状態となって、例えばTFT基板
との重ね合わせやダイシングまたはスクライブブレーク
時等、後の工程での位置合わせの目標として使用できる
ようになる。By bonding the base glass 4,
An alignment mark portion AM formed of a photoresist 2 ′ is sandwiched between the glass substrate 1 on which the lens portion R is formed and the base glass 4. It can be used as a target for alignment in a later process such as a scribe break.
【0021】次いで、図2(b)に示すように、基台ガ
ラス4の片面研磨を行い、所定の厚さに成形する。片面
研磨はガラス基板1を基準に光学研磨加工する。つま
り、屈折率差とレンズ部Rの曲率半径とで決まる焦点距
離のために基台ガラス4の厚みが重要となる。Next, as shown in FIG. 2B, the base glass 4 is polished on one side to form a predetermined thickness. In one-side polishing, optical polishing is performed based on the glass substrate 1. That is, the thickness of the base glass 4 is important for the focal length determined by the refractive index difference and the radius of curvature of the lens portion R.
【0022】このとき、ガラス基板1、基台ガラス4、
高屈折率透明樹脂3ともに透明であり、光学研磨途中で
の基台ガラス4の厚み測定が不正確となり、焦点距離も
不正確となり、十分なレンズ効果を発揮できない。しか
し、本実施形態のフォトレジスト2’は不透明であるこ
とから、それを基準として片面研磨中の基台ガラス4の
厚さを正確に測定でき、焦点距離の精度が向上し、十分
なレンズ効果を発揮できるようになる。At this time, the glass substrate 1, the base glass 4,
Since both the high refractive index transparent resin 3 is transparent, the thickness measurement of the base glass 4 during optical polishing becomes inaccurate, the focal length becomes inaccurate, and a sufficient lens effect cannot be exhibited. However, since the photoresist 2 ′ of the present embodiment is opaque, the thickness of the base glass 4 during single-side polishing can be accurately measured based on the opacity, the accuracy of the focal length is improved, and a sufficient lens effect is obtained. Can be demonstrated.
【0023】ここで、レンズの焦点距離f=(r/Δ
n)n、r:レンズ部Rの曲率半径、Δn:屈折率差、
n:高屈折率である。したがって、例えばr=25μ
m、Δn=1.7(高屈折率)−1.472(低屈折
率)とした場合、レンズの焦点距離f=(2.5/
(1.7−1.472))×1.7=186μmとな
る。Here, the focal length of the lens f = (r / Δ)
n) n, r: radius of curvature of lens portion R, Δn: difference in refractive index,
n: High refractive index. Therefore, for example, r = 25 μ
m, Δn = 1.7 (high refractive index)-1.472 (low refractive index), the focal length f of the lens = (2.5 /
(1.7-1.472)) × 1.7 = 186 μm.
【0024】基台ガラス4を所定の厚さに成形した後
は、その表面にITO5をスパッターによって形成す
る。ITO5の厚さとしては130〜150nm程度で
ある。これによって、マイクロレンズアレイを備えた光
学基板が完成する。After the base glass 4 is formed to a predetermined thickness, ITO 5 is formed on the surface thereof by sputtering. The thickness of ITO5 is about 130 to 150 nm. Thus, an optical substrate including the microlens array is completed.
【0025】マイクロレンズアレイを備えた光学基板が
完成した後は、TFT基板に所定のポリイミド配向膜を
形成し、ラビング処理を施し、光学基板側にシール剤塗
布、TFT基板側にコモン剤を塗布し、双方のアライメ
ントマークを用いて重ね合わせを行う。その後、アライ
メントマークとスクライブラインとでスクライブブレー
クを行い、液晶注入および熱処理をして液晶表示装置を
完成させる。After the optical substrate provided with the microlens array is completed, a predetermined polyimide alignment film is formed on the TFT substrate, rubbing is performed, a sealing agent is applied on the optical substrate side, and a common agent is applied on the TFT substrate side. Then, superposition is performed using both alignment marks. Thereafter, a scribe break is performed between the alignment mark and the scribe line, and liquid crystal injection and heat treatment are performed to complete the liquid crystal display device.
【0026】なお、マイクロレンズアレイを備えた光学
基板とTFT基板とに所定のポリイミド配向膜を形成
し、ラビング処理後にアライメントマークでダイシング
分割して光学基板を光学チップ、TFT基板をTFTチ
ップとし、光学チップにシール剤を塗布、TFTチップ
にコモン剤を塗布して双方のアライメントマークを用い
て重ね合わせを行う。その後、液晶注入および熱処理を
して液晶表示装置を完成させてもよい。A predetermined polyimide alignment film is formed on the optical substrate provided with the microlens array and the TFT substrate, and after the rubbing treatment, the substrate is diced and divided by an alignment mark to make the optical substrate an optical chip and the TFT substrate a TFT chip. A sealant is applied to the optical chip, a common agent is applied to the TFT chip, and superposition is performed using both alignment marks. Thereafter, liquid crystal injection and heat treatment may be performed to complete the liquid crystal display device.
【0027】図3は液晶表示装置が完成した状態を示す
概略断面図、図4は液晶表示装置の概略平面図である。
先に説明した製造方法によってマイクロレンズアレイ部
MRの周辺にはアライメントマーク部AMを構成するた
めのフォトレジスト2’が形成されている。このフォト
レジスト2’を遮光膜から構成し、図5に示すようにマ
イクロレンズアレイ部MRの周囲を囲む状態に残してお
く。FIG. 3 is a schematic sectional view showing a state where the liquid crystal display device is completed, and FIG. 4 is a schematic plan view of the liquid crystal display device.
A photoresist 2 'for forming the alignment mark part AM is formed around the microlens array part MR by the manufacturing method described above. This photoresist 2 'is formed of a light-shielding film, and is left so as to surround the microlens array portion MR as shown in FIG.
【0028】これにより、TFT基板7を重ね合わせた
状態で、有効画素領域Gの周辺に設けられた駆動回路部
71を入射光から遮光することが可能となり、動作を安
定させることが可能となる。Thus, it is possible to shield the drive circuit section 71 provided around the effective pixel area G from incident light in a state where the TFT substrates 7 are superimposed, thereby stabilizing the operation. .
【0029】なお、図5は対向基板にプリズムPを備え
る場合の製造方法を示す概略断面図である。プリズムP
を備える場合には、以下の手順で行う。 (1)マイクロレンズアレイ部MAが形成された基板
(マイクロレンズ基板)にマイクロプリズム用基板8を
高屈折率透明樹脂3を介して貼り合わせる。 (2)マイクロレンズ基板のアライメントマーク部AM
を基準にマイクロプリズム用基板8を所定の厚さ(例え
ば0.2mm厚)となるよう光学研磨する。 (3)マイクロレンズ基板のアライメントマーク部AM
を基準にフォトリソグラフィーを行い、CCl4 等でド
ライエッチングを行ってマイクロプリズム部MPを形成
する(図5(a)参照)。 (4)マイクロプリズム部MPを高屈折率透明樹脂3で
埋め、カバーガラス9(例えば、0.5mm厚)を貼り
合わせる(図5(b)参照)。 (5)カバーガラス9を所定の厚さ(例えば、0.1m
m厚)となるまで光学研磨する。 (6)ITO5(透明電極)を成膜する(130〜15
0nm厚)(図5(c)参照)。 なお、マイクロプリズム用基板8、カバーガラス9の厚
さは、レンズ部Rの曲率半径、高屈折率透明樹脂等のパ
ラメータで決まる。FIG. 5 is a schematic sectional view showing a manufacturing method when the opposing substrate is provided with the prism P. Prism P
In the case of having, the following procedure is performed. (1) The substrate for microprisms 8 is bonded to the substrate (microlens substrate) on which the microlens array section MA is formed via the high-refractive-index transparent resin 3. (2) Alignment mark part AM of microlens substrate
Is optically polished so that the microprism substrate 8 has a predetermined thickness (for example, 0.2 mm thickness). (3) Alignment mark part AM of microlens substrate
Is performed and dry etching is performed with CCl 4 or the like to form a microprism portion MP (see FIG. 5A). (4) The microprism section MP is filled with the high-refractive-index transparent resin 3 and a cover glass 9 (for example, 0.5 mm thick) is attached (see FIG. 5B). (5) The cover glass 9 has a predetermined thickness (for example, 0.1 m).
(m thickness). (6) ITO5 (transparent electrode) is formed (130 to 15)
0 nm thick) (see FIG. 5C). The thicknesses of the microprism substrate 8 and the cover glass 9 are determined by parameters such as the radius of curvature of the lens portion R and a transparent resin having a high refractive index.
【0030】図6はアライメントマークの形状を示す平
面図である。先に説明した図1(c)に示す工程で、レ
ンズ部Rの完成の後に残ったフォトレジスト2’がアラ
イメントマーク部AMとして使用されるが、この残った
フォトレジスト2’を利用して図6(a)〜(c)に示
すような形状にする。FIG. 6 is a plan view showing the shape of the alignment mark. In the step shown in FIG. 1C described above, the photoresist 2 ′ remaining after the completion of the lens portion R is used as the alignment mark portion AM. 6 (a) to 6 (c).
【0031】すなわち、図6(a)は十文字にフォトレ
ジスト2’を残してアライメントマーク部AMを構成し
ており、この十文字の方向が各々ガラス基板のxy方向
を示している。また、図6(b)は十文字を中抜きとし
てアライメントマーク部AMを構成しており、この中抜
きとなった十文字の方向が各々ガラス基板のxy方向を
示している。さらに、図6(c)は4つのL型のフォト
レジストによってxy方向を示すようにしたアライメン
トマーク部AMである。なお、アライメントマーク部A
Mは、200(μm)×200(μm)程度の大きさが
良い。That is, FIG. 6A shows an alignment mark portion AM with the photoresist 2 'remaining on the cross, and the direction of each cross indicates the xy direction of the glass substrate. In FIG. 6B, the alignment mark part AM is configured with a cross in the shape of a cross, and the directions of the cross in the cross indicate the xy directions of the glass substrate. Further, FIG. 6C shows an alignment mark part AM in which the xy directions are indicated by four L-type photoresists. Note that the alignment mark portion A
M preferably has a size of about 200 (μm) × 200 (μm).
【0032】このように、残すフォトレジスト2’の形
状によってガラス基板の方向性を特定できるようなアラ
イメントマーク部AMを構成すればよく、ガラス基板の
方向性を特定できれば図6(a)〜(c)に示す形状に
限定されることはない。また、アライメントマーク部A
Mと同様な方法でスクライブラインを形成する場合に
は、250〜300μm程度の幅が良い。As described above, it is sufficient to form the alignment mark portion AM so that the direction of the glass substrate can be specified by the shape of the remaining photoresist 2 '. If the direction of the glass substrate can be specified, FIGS. The shape shown in c) is not limited. In addition, alignment mark portion A
When scribe lines are formed in the same manner as M, the width is preferably about 250 to 300 μm.
【0033】次に、図7の模式断面図に基づいて第2実
施形態の説明を行う。第2実施形態では、保護膜として
フォトレジスト2と金属膜6とを用いている点に特徴が
ある。Next, a second embodiment will be described with reference to the schematic sectional view of FIG. The second embodiment is characterized in that the photoresist 2 and the metal film 6 are used as protective films.
【0034】先ず、図7(a)に示すように、透光性を
備えたガラス基板1の表面に遮光性を備えた金属膜6を
被着し、その上にフォトレジスト2を塗布してフォトリ
ソグラフィーを用いて後述のマイクロレンズを形成する
部分であるレンズ部R、アライメントマーク部AMおよ
びスクライブラインに対応したフォトレジスト2を開口
する。First, as shown in FIG. 7A, a metal film 6 having a light-shielding property is applied to the surface of a glass substrate 1 having a light-transmitting property, and a photoresist 2 is applied thereon. Using photolithography, openings are formed in the photoresist 2 corresponding to the lens portion R, the alignment mark portion AM, and the scribe line, which are portions for forming microlenses described later.
【0035】その後、このフォトレジスト2をマスクと
して金属膜6のエッチングを行い、レンズ部Rと対応し
た金属膜6を開口する。Thereafter, the metal film 6 is etched using the photoresist 2 as a mask to open the metal film 6 corresponding to the lens portion R.
【0036】ガラス基板1としては、例えば6インチ
径、0.8mm厚の石英ガラス基板(屈折率1.47
2)を使用し、また金属膜6としては、例えばクロムや
アルミニウム、タンタル、モリブデン、タングステン、
酸化クロム等をスパッターによって200nm程度被着
する。なお、金属膜6としてはクロム、酸化クロム等の
遮光性および低反射性を備えたものが望ましい。As the glass substrate 1, for example, a quartz glass substrate having a diameter of 6 inches and a thickness of 0.8 mm (refractive index: 1.47)
2) is used, and as the metal film 6, for example, chromium, aluminum, tantalum, molybdenum, tungsten,
Chromium oxide or the like is deposited to a thickness of about 200 nm by sputtering. It is desirable that the metal film 6 be made of chromium, chromium oxide, or the like having a light-shielding property and a low reflection property.
【0037】フォトレジスト2としては、例えばネガ型
フォトレジストを用いて、マスク露光および現像によっ
てパターニングした後、所定の温度でポストベークし
て、金属膜6との密着性向上を図っておく。そして、こ
のフォトレジスト2をマスクとして金属膜6を例えばC
F4 ガスにてドライエッチングする。As the photoresist 2, for example, a negative type photoresist is used, and after patterning by mask exposure and development, post-baking is performed at a predetermined temperature to improve adhesion to the metal film 6. Then, using the photoresist 2 as a mask, the metal film 6
Dry etching with F 4 gas.
【0038】次に、図7(b)に示すように、ガラス基
板1上のフォトレジスト2および金属膜6をマスクとし
てエッチング処理を施し、レンズ部Rに凹状の窪みを形
成する。エッチング処理としてウェットエッチングを用
いる場合には、HF系のエッチング液を使用し、またド
ライエッチングを用いる場合には、CCl4 ガスを使用
する。Next, as shown in FIG. 7B, an etching process is performed using the photoresist 2 and the metal film 6 on the glass substrate 1 as a mask to form a concave depression in the lens portion R. When wet etching is used as the etching treatment, an HF-based etchant is used, and when dry etching is used, CCl 4 gas is used.
【0039】そして、このエッチングによるレンズ部R
の形成を、レンズ部R間にあるフォトレジスト2および
金属膜6(図7(b)の例では左側2つのフォトレジス
トおよび金属膜)が剥離するまで続ける。これによっ
て、レンズ部Rの窪みが形成されるとともに、図7
(b)の例では右側2つのフォトレジスト2および金属
膜6が残る状態となる。図7(c)に示すように、この
フォトレジスト2’および金属膜を利用してアライメン
トマーク部AMが構成されることになる。The lens portion R formed by this etching
Is continued until the photoresist 2 and the metal film 6 (the two left photoresists and the metal film in the example of FIG. 7B) between the lens portions R are peeled off. As a result, a depression of the lens portion R is formed, and at the same time, FIG.
In the example of (b), two photoresists 2 and a metal film 6 on the right side remain. As shown in FIG. 7C, the alignment mark portion AM is formed using the photoresist 2 'and the metal film.
【0040】なお、このフォトレジストおよび金属膜を
残すことで形成されるアライメントマーク部AMとして
は、例えば図6に示すような、ガラス基板の方向性を特
定できるような形状にしておく。The shape of the alignment mark AM formed by leaving the photoresist and the metal film is such that the orientation of the glass substrate can be specified, as shown in FIG. 6, for example.
【0041】次に、図7(d)に示すように、ガラス基
板1のレンズ部R、アライメントマーク部AMおよびス
クライブラインに高屈折率透明樹脂3をコーティング
し、基台ガラス4を貼り合わせる処理を行う。高屈折率
透明樹脂3としては、紫外線照射硬化型、または紫外線
照射+加熱硬化型、または熱硬化型のもの(屈折率1.
60〜1.70)を使用し、基台ガラス4としては例え
ば石英ガラス(屈折率1.472)を使用する。この高
屈折率透明樹脂3と基台ガラス4との屈折率差によっ
て、レンズ部Rのレンズ効果が発揮されることになる。Next, as shown in FIG. 7D, a process of coating the lens portion R, the alignment mark portion AM and the scribe line of the glass substrate 1 with the high refractive index transparent resin 3 and bonding the base glass 4 thereto. I do. The high-refractive-index transparent resin 3 is a UV-curable resin, a UV-irradiation + heat-curable resin, or a thermosetting resin (refractive index 1.
60 to 1.70), and the base glass 4 is, for example, quartz glass (refractive index: 1.472). Due to the difference in the refractive index between the high-refractive-index transparent resin 3 and the base glass 4, the lens effect of the lens portion R is exhibited.
【0042】また、高屈折率透明樹脂3をコーティング
して基台ガラス4を貼り合わせた後は、高屈折率透明樹
脂3に紫外線を照射したり(例えば、2000〜300
0mJ/cm2 )、加熱(例えば、150〜180℃)
によって硬化させ、基台ガラス4を固着する。After coating the high-refractive-index transparent resin 3 and bonding the base glass 4 thereto, the high-refractive-index transparent resin 3 is irradiated with ultraviolet rays (for example, 2000 to 300).
0 mJ / cm 2 ), heating (for example, 150 to 180 ° C.)
To fix the base glass 4.
【0043】第1実施形態と同様、この基台ガラス4の
貼り合わせによって、レンズ部Rの形成されたガラス基
板1と基台ガラス4との間にアライメントマーク部AM
が挟まれた状態となって、例えばTFT基板との重ね合
わせやダイシングまたはスクライブブレーク時等、後の
工程での位置合わせの目標として使用できるようにな
る。As in the first embodiment, by bonding the base glass 4, an alignment mark portion AM is formed between the glass substrate 1 on which the lens portion R is formed and the base glass 4.
Are sandwiched, and can be used as a target for alignment in a later process, for example, at the time of superposition with a TFT substrate, dicing or scribe break.
【0044】次いで、図2(b)に示す工程と同様に、
基台ガラス4の片面研磨を行い、所定の厚さに成形す
る。片面研磨はガラス基板1を基準に光学研磨加工す
る。つまり、屈折率差とレンズ部Rの曲率半径とで決ま
る焦点距離のために基台ガラス4の厚みが重要となる。Next, similar to the step shown in FIG.
The base glass 4 is polished on one side to form a predetermined thickness. In one-side polishing, optical polishing is performed based on the glass substrate 1. That is, the thickness of the base glass 4 is important for the focal length determined by the refractive index difference and the radius of curvature of the lens portion R.
【0045】このとき、ガラス基板1、基台ガラス4、
高屈折率透明樹脂3ともに透明であり、光学研磨途中で
の基台ガラス4の厚み測定が不正確となり、焦点距離も
不正確となり、十分なレンズ効果を発揮できない。しか
し、本実施形態のフォトレジスト2’は不透明であるこ
とから、それを基準として片面研磨中の基台ガラス4の
厚さを正確に測定でき、焦点距離の精度が向上し、十分
なレンズ効果を発揮できるようになる。At this time, the glass substrate 1, the base glass 4,
Since both the high refractive index transparent resin 3 is transparent, the thickness measurement of the base glass 4 during optical polishing becomes inaccurate, the focal length becomes inaccurate, and a sufficient lens effect cannot be exhibited. However, since the photoresist 2 ′ of the present embodiment is opaque, the thickness of the base glass 4 during single-side polishing can be accurately measured based on the opacity, the accuracy of the focal length is improved, and a sufficient lens effect is obtained. Can be demonstrated.
【0046】ここで、レンズの焦点距離f=(r/Δ
n)n、r:レンズ部Rの曲率半径、Δn:屈折率差、
n:高屈折率である。したがって、例えばr=25μ
m、Δn=1.7(高屈折率)−1.472(低屈折
率)とした場合、レンズの焦点距離f=(2.5/
(1.7−1.472))×1.7=186μmとな
る。Here, the focal length of the lens f = (r / Δ
n) n, r: radius of curvature of lens portion R, Δn: difference in refractive index,
n: High refractive index. Therefore, for example, r = 25 μ
m, Δn = 1.7 (high refractive index)-1.472 (low refractive index), the focal length f of the lens = (2.5 /
(1.7-1.472)) × 1.7 = 186 μm.
【0047】この後の工程としては第1実施形態と同様
である。すなわち、図2(b)に示すように、基台ガラ
ス4の片面研磨を行い、所定の厚さに成形する。この厚
さとしては高屈折率透明樹脂3の屈折率によっても異な
るが、150〜200μm程度にする。The subsequent steps are the same as in the first embodiment. That is, as shown in FIG. 2B, the base glass 4 is polished on one side to form a predetermined thickness. The thickness varies depending on the refractive index of the high-refractive-index transparent resin 3, but is set to about 150 to 200 μm.
【0048】基台ガラス4を所定の厚さに形成した後
は、その表面にITO5をスパッターによって形成す
る。ITO5の厚さとしては130〜150nm程度で
ある。これによって、マイクロレンズアレイを備えた光
学基板が完成する。After the base glass 4 is formed to a predetermined thickness, ITO 5 is formed on the surface thereof by sputtering. The thickness of ITO5 is about 130 to 150 nm. Thus, an optical substrate including the microlens array is completed.
【0049】また、対向基板にプリズムPを備える場合
には、図5に示す工程と同様な手順によってプリズムP
を形成する。そして、このプリズムPの上にITO5を
スパッターによって形成することで光学基板が完成す
る。When the opposing substrate is provided with the prism P, the prism P is formed in the same procedure as that shown in FIG.
To form Then, an optical substrate is completed by forming ITO5 on the prism P by sputtering.
【0050】マイクロレンズアレイ部MAを備えた光学
基板が完成した後は、TFT基板に所定のポリイミド配
向膜を形成し、ラビング処理を施し、光学基板側にシー
ル剤塗布、TFT基板側にコモン剤を塗布し、双方のア
ライメントマーク部AMを用いて重ね合わせを行う。そ
の後、アライメントマーク部AMとスクライブラインと
でスクライブブレークを行い、液晶注入および熱処理を
して液晶表示装置を完成させる。After the optical substrate having the microlens array section MA is completed, a predetermined polyimide alignment film is formed on the TFT substrate, rubbing is performed, a sealant is applied to the optical substrate, and a common agent is applied to the TFT substrate. Is applied, and superposition is performed using both alignment mark portions AM. Thereafter, a scribe break is performed between the alignment mark portion AM and the scribe line, and liquid crystal injection and heat treatment are performed to complete the liquid crystal display device.
【0051】なお、マイクロレンズアレイ部MAを備え
た光学基板とTFT基板とに所定のポリイミド配向膜を
形成し、ラビング処理後にアライメントマークでダイシ
ング分割して光学基板を光学チップ、TFT基板をTF
Tチップとし、光学チップにシール剤を塗布、TFTチ
ップにコモン剤を塗布して双方のアライメントマーク部
AMを用いて重ね合わせを行う。その後、液晶注入およ
び熱処理をして液晶表示装置を完成させてもよい。A predetermined polyimide alignment film is formed on the optical substrate having the microlens array section MA and the TFT substrate, and after the rubbing treatment, the optical substrate is optically chipped by dicing with an alignment mark, and the TFT substrate is converted into a TF.
As a T chip, a sealant is applied to the optical chip, a common agent is applied to the TFT chip, and superposition is performed using both alignment mark portions AM. Thereafter, liquid crystal injection and heat treatment may be performed to complete the liquid crystal display device.
【0052】上記説明した第1実施形態および第2実施
形態では、いずれもレンズ部Rの形成としてガラス基板
1のウェットエッチングまたはドライエッチングを用い
る例を説明したが、他の方法を用いてもよい。In each of the first and second embodiments described above, the example in which wet etching or dry etching of the glass substrate 1 is used to form the lens portion R has been described, but other methods may be used. .
【0053】例えば、フォトレジスト2として耐サンド
ブラスト性の良好な感光性ドライフィルムフォトレジス
トを使用し、フォトリソグラフィーによってレンズ部R
と対応する部分の開口を行った後、サンドブラスト法に
よって物理的に窪みを形成する。その後、サンドブラス
ト処理で生じた窪み表面の細かい凹凸をわずかにHF系
のエッチング液でウェットエッチングまたはCCl4 等
を用いたドライエッチングを行って所定のレンズ形状へ
と整えるようにする。For example, a photosensitive dry film photoresist having good sandblast resistance is used as the photoresist 2, and the lens portion R is formed by photolithography.
After opening the portion corresponding to the above, a depression is physically formed by sandblasting. After that, the fine irregularities on the surface of the depression generated by the sandblasting process are slightly wet-etched with an HF-based etchant or dry-etched using CCl 4 or the like so as to be adjusted to a predetermined lens shape.
【0054】また、上記と同じ感光性ドライフィルムフ
ォトレジストを使用し、サンドブラスト法の代わりに、
セラミックス微粒子を吹き付けて削るパウダービーム加
工を用いてもよい。この場合にも、パウダービーム加工
後に窪み表面に生じた細かい凹凸をわずかにHF系のエ
ッチング液でウェットエッチングまたはCCl4 等を用
いたドライエッチングを行って所定のレンズ形状へと整
えるようにする。Also, using the same photosensitive dry film photoresist as above, instead of the sandblast method,
Powder beam processing for spraying and cutting ceramic fine particles may be used. Also in this case, fine irregularities formed on the surface of the depression after the powder beam processing are slightly adjusted to a predetermined lens shape by wet etching with an HF-based etchant or dry etching using CCl 4 or the like.
【0055】このようなサンドブラスト法やパウダービ
ーム加工によるレンズ部Rの形成法を適用する場合に
は、レンズ部Rを形成するガラス基板1として石英ガラ
ス基板を用いる必要がなく、ほうけい酸ガラス基板等の
安価なものを使用することができる。つまり、サンドブ
ラスト法やパウダービーム加工では、ガラス基板1を物
理的に削ることができるため、化学的なウェットエッチ
ングまたはドライエッチングで所定形状のレンズ部Rを
形成する時のような高いエッチング均一性は要求されな
い。したがって、石英ガラス基板よりも安価で大型のほ
うけい酸ガラス基板を使用することができ、ほうけい酸
ガラス基板を用いることで、大型の基板による大量生産
を行うことも可能となる。しかも、ウェットエッチング
やドライエッチングのみの場合と比べてレンズ形状の均
一化、再現性を向上でき、大型ガラス基板によるコスト
ダウンが可能となる。When such a method of forming the lens portion R by sandblasting or powder beam processing is applied, it is not necessary to use a quartz glass substrate as the glass substrate 1 on which the lens portion R is formed. And the like can be used. That is, since the glass substrate 1 can be physically shaved by the sand blast method or the powder beam processing, high etching uniformity such as when the lens portion R having a predetermined shape is formed by chemical wet etching or dry etching is not obtained. Not required. Therefore, a large-sized borosilicate glass substrate can be used at a lower cost than a quartz glass substrate, and mass production using a large-sized substrate can be performed by using the borosilicate glass substrate. In addition, the lens shape can be made more uniform and reproducibility can be improved as compared with the case of only wet etching or dry etching, and the cost can be reduced by using a large glass substrate.
【0056】また、上記説明したいずれの実施形態にお
いても、フォトレジスト2として遮光性を備えたものを
使用してもよい。すなわち、汎用のフォトレジスト2に
黒色有機顔料やカーボンを混合したものを用いた遮光性
を持たせるようにする。また、汎用のフォトレジスト2
の上に黒色有機顔料やカーボンを混合した樹脂ブラック
マスク用フォトレジストを形成しても良い。In any of the embodiments described above, a photoresist 2 having a light-shielding property may be used. That is, the general-purpose photoresist 2 is made to have a light shielding property using a mixture of a black organic pigment and carbon. Also, general-purpose photoresist 2
On top of this, a photoresist for a resin black mask in which a black organic pigment or carbon is mixed may be formed.
【0057】この場合、図1(c)に示すようにレンズ
部Rおよび残ったフォトレジスト2’によりアライメン
トマーク部AMが形成された状態で、表面に樹脂ブラッ
クマスク用フォトレジストを3〜5μm厚塗布し、ガラ
ス基板1の裏面からフォトレジスト2’をマスクとして
セルフアライメントによる裏面露光、現像、ポストベー
クを行う。これによって、フォトレジスト2’の表面に
樹脂ブラックマスク用フォトレジストが形成されるよう
になる。In this case, as shown in FIG. 1C, in a state where the alignment mark portion AM is formed by the lens portion R and the remaining photoresist 2 ', a photoresist for a resin black mask having a thickness of 3 to 5 μm is formed on the surface. After application, the back surface exposure, development, and post-baking are performed from the back surface of the glass substrate 1 by self-alignment using the photoresist 2 'as a mask. As a result, a photoresist for a resin black mask is formed on the surface of the photoresist 2 ′.
【0058】これにより、製造した光学基板を液晶表示
装置の駆動基板に対する対向基板として使用する際の遮
光性を向上させることができるようになる。つまり、外
乱光をこのフォトレジスト2で遮ることができ、TFT
素子の閾値電圧変動等の動作不安定要素を減少させるこ
とができるようになる。なお、このためには、光学的濃
度(Optical Density)が3.0以上と
なるように遮光性膜を形成することが重要である。This makes it possible to improve the light-shielding property when the manufactured optical substrate is used as a counter substrate for a driving substrate of a liquid crystal display device. That is, disturbance light can be blocked by the photoresist 2, and the TFT 2
It becomes possible to reduce an unstable operation element such as a threshold voltage fluctuation of the element. To this end, it is important to form a light-shielding film so that the optical density (Optical Density) is 3.0 or more.
【0059】[0059]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光学基板
の製造方法によれば次のような効果がある。すなわち、
マイクロレンズ等の光学部分を製造する際に用いる保護
膜の一部を残してアライメントマークにすることから、
別途の工程でアライメントマークを形成する必要が無く
なり、工程の簡素化を図ることが可能となるとともに、
読み取りやすいアライメントマークによる透光性基板の
位置合わせを容易にしかも正確に行うことが可能とな
る。As described above, according to the method of manufacturing an optical substrate of the present invention, the following effects can be obtained. That is,
Since part of the protective film used when manufacturing optical parts such as microlenses is left as an alignment mark,
There is no need to form an alignment mark in a separate step, and the process can be simplified.
It is possible to easily and accurately perform the alignment of the translucent substrate with the easily read alignment marks.
【0060】また、保護膜から成るアライメントマーク
によって、アライメントマークの判別が容易となり、T
FT等の液晶駆動基板との自動での位置合わせを的確に
行うことが可能となって、高精度、高生産性しかもレン
ズ効果の高い液晶表示装置を製造することが可能とな
る。Further, the alignment mark composed of the protective film facilitates the discrimination of the alignment mark.
Automatic alignment with a liquid crystal driving substrate such as FT can be accurately performed, and a liquid crystal display device having high accuracy, high productivity, and a high lens effect can be manufactured.
【0061】さらに、このアライメントマークと同様に
製造したスクライブまたはダイシングアライメントマー
クを使用することで、高精度の自動化スクライブまたは
ダイシングが可能となり生産性の向上を図ることが可能
となる。Further, by using a scribe or dicing alignment mark manufactured in the same manner as this alignment mark, highly accurate automated scribe or dicing can be performed, and the productivity can be improved.
【0062】また、スクライブまたはダイシングライン
が明確となることから、高精度のスクライブまたはダイ
シングが可能となる。Further, since the scribe or dicing line becomes clear, scribe or dicing with high accuracy can be performed.
【0063】また、光学部分等を形成する際に残った保
護膜によって液晶駆動基板の駆動回路を外部光より遮へ
いすることができ、駆動回路のトランジスタの閾値電圧
変動を防止でき、安定した高画質の液晶表示が可能とな
る。Further, the drive circuit of the liquid crystal drive substrate can be shielded from external light by the protective film left when forming the optical portion and the like, and the threshold voltage fluctuation of the transistor of the drive circuit can be prevented, and stable high image quality can be obtained. Liquid crystal display becomes possible.
【0064】さらに、光学部分等を形成した後に保護膜
を剥離する必要がないことから、工程数の削減、剥離液
等の間接材料の不要によりコストダウンを図ることが可
能となる。Further, since it is not necessary to peel off the protective film after forming the optical portion and the like, the number of steps can be reduced, and the cost can be reduced because an indirect material such as a peeling liquid is not required.
【0065】また、光学部分等を形成した後に残った保
護膜を基準として透光性基板に貼り合わせた基台ガラス
の厚さを正確に測定できるので、レンズの焦点距離が正
確となり、レンズ効果を高めることが可能となる。これ
によって、液晶表示装置の照度を高めることが可能とな
る。Further, since the thickness of the base glass bonded to the translucent substrate can be accurately measured with reference to the protective film remaining after forming the optical portion and the like, the focal length of the lens becomes accurate, and the lens effect is improved. Can be increased. Thus, the illuminance of the liquid crystal display device can be increased.
【図1】第1実施形態を説明する模式断面図(その1)
である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating a first embodiment (part 1).
It is.
【図2】第1実施形態を説明する模式断面図(その2)
である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view illustrating a first embodiment (part 2).
It is.
【図3】液晶表示装置の完成状態を示す概略断面図であ
る。FIG. 3 is a schematic sectional view showing a completed state of the liquid crystal display device.
【図4】液晶表示装置を説明する概略平面図である。FIG. 4 is a schematic plan view illustrating a liquid crystal display device.
【図5】プリズムを備える場合の製造工程図である。FIG. 5 is a manufacturing process diagram when a prism is provided.
【図6】アライメントマークの形状を示す平面図であ
る。FIG. 6 is a plan view showing the shape of an alignment mark.
【図7】第2実施形態を説明する模式断面図である。FIG. 7 is a schematic sectional view illustrating a second embodiment.
1 ガラス基板 2 フォトレジスト 3 高屈折
率透明樹脂 4 基台ガラス 5 ITO 6 金属膜 AM アライメントマーク部 P プリズム R
レンズ部Reference Signs List 1 glass substrate 2 photoresist 3 transparent resin with high refractive index 4 base glass 5 ITO 6 metal film AM alignment mark part P prism R
Lens section
Claims (16)
分と該保護膜で覆われないで該透光性基板の表面が露出
する部分とを形成する工程と、 前記保護膜をマスクとして前記透光性基板の表面が露出
する部分を加工して光学部分を形成していく工程と、 前記加工によって前記光学部分が完成するまでの間に、
該光学部分を形成するためのマスクになる保護膜を完全
に除去するとともに、該光学部分を形成するためのマス
クにならない保護膜を残しておく工程とから成ることを
特徴とする光学基板の製造方法。Forming a portion of the surface of the light-transmitting substrate that is covered with a protective film and a portion of the surface of the light-transmitting substrate that is not covered with the protective film and that is exposed; Processing the part where the surface of the light-transmitting substrate is exposed to form an optical part, and until the optical part is completed by the processing.
Completely removing the protective film serving as a mask for forming the optical portion and leaving a protective film not serving as a mask for forming the optical portion. Method.
率と異なる屈折率の透光性樹脂を充填し、マイクロレン
ズを構成することを特徴とする請求項1記載の光学基板
の製造方法。2. The manufacturing method of an optical substrate according to claim 1, wherein the optical part is filled with a light-transmitting resin having a refractive index different from that of the light-transmitting substrate to form a microlens. Method.
率と異なる屈折率の透光性樹脂を充填し、マイクロプリ
ズムを構成することを特徴とする請求項1記載の光学基
板の製造方法。3. The optical substrate according to claim 1, wherein the optical portion is filled with a light-transmitting resin having a refractive index different from that of the light-transmitting substrate to form a microprism. Method.
ことを特徴とする請求項1記載の光学基板の製造方法。4. The method according to claim 1, wherein the protective film is made of a photoresist film.
とする請求項1記載の光学基板の製造方法。5. The method according to claim 1, wherein the protective film is made of a metal film.
とから構成されることを特徴とする請求項1記載の光学
基板の製造方法。6. The method according to claim 1, wherein the protective film comprises a photoresist film and a metal film.
徴とする請求項1記載の光学基板の製造方法。7. The method according to claim 1, wherein the protective film is made of a light-shielding film.
スト法を用いて前記透光性基板の表面の露出する部分を
削る加工を行い、前記光学部分を形成することを特徴と
する請求項1記載の光学基板の製造方法。8. The optical part according to claim 1, wherein the optical part is formed by shaving the exposed part of the surface of the light-transmitting substrate by sandblasting using the protective film as a mask. A method for manufacturing an optical substrate.
ス微粒子を前記透光性基板の表面の露出する部分に吹き
付けて削る加工を行い、前記光学部分を形成することを
特徴とする請求項1記載の光学基板の製造方法。9. The optical part according to claim 1, wherein the optical part is formed by spraying ceramic fine particles onto an exposed part of the surface of the light-transmitting substrate by using the protective film as a mask. A method for manufacturing an optical substrate.
光性基板の表面に残っている保護膜を利用して、該透光
性基板の位置合わせマークを構成することを特徴とする
請求項1記載の光学基板の製造方法。10. The alignment mark of the light-transmitting substrate is formed by using a protective film remaining on the surface of the light-transmitting substrate when the optical part is completed. 2. The method for manufacturing an optical substrate according to 1.
おいて、前記サンドブラスト法を用いて前記透光性基板
の表面の露出する部分を削る工程を行った後、その削っ
た部分の表面にエッチング処理を施して前記光学部分を
形成することを特徴とする光学基板の製造方法。11. The method of manufacturing an optical substrate according to claim 8, wherein a step of shaving an exposed portion of the surface of the light-transmitting substrate is performed by using the sandblasting method, and then the surface of the shaved portion is etched. A method for manufacturing an optical substrate, comprising performing the treatment to form the optical portion.
おいて、前記セラミックス微粒子を前記透光性基板の表
面の露出する部分に吹き付けて削る工程を行った後、そ
の削った部分の表面にエッチング処理を施して前記光学
部分を形成することを特徴とする光学基板の製造方法。12. The method for manufacturing an optical substrate according to claim 9, wherein the step of spraying the ceramic fine particles onto an exposed portion of the surface of the light-transmitting substrate and shaving is performed, and then etching the surface of the shaved portion. A method for manufacturing an optical substrate, comprising performing the treatment to form the optical portion.
に前記透光性基板の屈折率と異なる屈折率の透光性樹脂
を充填することを特徴とする請求項10記載の光学基板
の製造方法。13. The method of manufacturing an optical substrate according to claim 10, wherein a portion forming the alignment mark is filled with a light-transmitting resin having a refractive index different from that of the light-transmitting substrate.
れる部分と該遮光保護膜で覆われないで該透光性基板の
表面が露出する部分とを形成する工程と、 前記遮光保護膜をマスクとして前記透光性基板の表面が
露出する部分を加工して複数のマイクロレンズまたは複
数のマイクロプリズムが並ぶ光学アレイ領域を形成する
工程と、 前記加工によって前記光学アレイ領域が完成するまでの
間に、該光学アレイ領域を形成するためのマスクになる
遮光保護膜を完全に除去するとともに、該光学アレイ領
域を形成するためのマスクにならない遮光保護膜を該光
学アレイ領域の周囲を囲む状態で残しておく工程と前記
光学アレイ領域の形成された透光性基板を対向基板に貼
り合わせる工程と、 前記対向基板の光学アレイ領域の周辺を囲む状態で残さ
れた遮光保護膜と、液晶駆動基板の有効画素領域の周辺
に設けられた駆動回路とを対向させるよう該液晶駆動基
板と該対向基板とを重ね合わせる工程と、 前記液晶駆動基板と前記対向基板との間に液晶を注入す
る工程とから成ることを特徴とする液晶表示装置の製造
方法。14. A step of forming a portion of the surface of the light-transmitting substrate covered with a light-shielding protective film and a portion of the surface of the light-transmitting substrate that is not covered with the light-shielding protective film and is exposed. Processing a portion where the surface of the light-transmitting substrate is exposed by using a film as a mask to form an optical array region in which a plurality of microlenses or a plurality of microprisms are arranged; and until the processing completes the optical array region. In the meantime, the light-shielding protective film serving as a mask for forming the optical array region is completely removed, and the light-shielding protective film not serving as a mask for forming the optical array region surrounds the periphery of the optical array region. Leaving the optical array area formed on the opposing substrate, and leaving the optical array area formed around the optical array area on the opposing substrate. Overlapping the liquid crystal driving substrate and the opposing substrate so that the light-shielding protective film and the driving circuit provided around the effective pixel area of the liquid crystal driving substrate are opposed to each other; And a step of injecting a liquid crystal therebetween.
保護膜には、所定形状の位置合わせマークが形成されて
いることを特徴とする請求項14記載の液晶表示装置の
製造方法。15. The method according to claim 14, wherein an alignment mark having a predetermined shape is formed on the light-shielding protective film surrounding the periphery of the optical array region.
わせマークには、前記透光性基板の屈折率と異なる屈折
率の透光性樹脂を充填することを特徴とする請求項15
記載の液晶表示装置の製造方法。16. The optical array region and the alignment mark are filled with a light-transmitting resin having a refractive index different from that of the light-transmitting substrate.
The manufacturing method of the liquid crystal display device according to the above.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP8216995A JPH1062604A (en) | 1996-08-19 | 1996-08-19 | Manufacture of optical board and liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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JPH1062604A true JPH1062604A (en) | 1998-03-06 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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