JPH1050682A - Method and apparatus for manufacturing semiconductor device and semiconductor device - Google Patents
Method and apparatus for manufacturing semiconductor device and semiconductor deviceInfo
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- JPH1050682A JPH1050682A JP20399896A JP20399896A JPH1050682A JP H1050682 A JPH1050682 A JP H1050682A JP 20399896 A JP20399896 A JP 20399896A JP 20399896 A JP20399896 A JP 20399896A JP H1050682 A JPH1050682 A JP H1050682A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造プロ
セスにおけるＳｉ窒化膜（以下窒化膜）の除去方法及び
製造装置及び半導体装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for removing a Si nitride film (hereinafter referred to as a nitride film) in a semiconductor device manufacturing process, a manufacturing apparatus, and a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の窒化膜除去は、加熱して循環され
ている燐酸（以下熱燐酸）中に窒化膜とＳｉ酸化膜がパ
ターニングされているＳｉ基板を浸漬させて窒化膜のみ
を溶解除去するものである。2. Description of the Related Art Conventionally, removing a nitride film involves dissolving and removing only the nitride film by immersing a Si substrate on which a nitride film and a Si oxide film are patterned in phosphoric acid (hereinafter, hot phosphoric acid) circulated by heating. Is what you do.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では次のような問題を有していた。However, the prior art has the following problems.
【０００４】まず熱燐酸による窒化膜のエッチングメカ
ニズムであるが、以下の反応式に従っていると考えられ
ている。First, the etching mechanism of a nitride film by hot phosphoric acid is considered to follow the following reaction formula.
【０００５】 ここでエッチングされたＳｉ3Ｎ4中のＳｉはポリシロキ
サン（（−Ｓｉ−Ｏ−）n）として熱燐酸中に溶解す
る。一方熱燐酸は循環ポンプで循環されフィルタリング
された後、加熱ヒーターで所定の温度になるよう制御さ
れている。このポリシロキサンは低濃度では熱燐酸中に
溶解したままだが、多数のＳｉ基板の窒化膜除去処理に
伴いその濃度は次第に高くなり、飽和濃度（Ｓｉ濃度に
換算して約１２０ｍｇ／ｌ）に達した以降は循環系配管
内壁やフィルターに析出して最期には配管・フィルター
を詰まらせてしまう。従って、熱燐酸中のＳｉ濃度が飽
和濃度に達する時点（いわば熱燐酸の液寿命）毎に頻繁
に液交換するか、ある程度析出させた上で定期的に循環
系内をＨＦ洗浄してＳｉ析出物除去及びフィルター交換
を行っていくこと等が必要である。そのため、頻繁な液
交換により燐酸を多量に使用せねばならずこれがコスト
アップという問題点につながり、また定期的に装置の運
転停止を行わなければならないことから、装置の連続運
転ができないという問題点を有していた。[0005] The Si in the etched Si 3 N 4 dissolves in hot phosphoric acid as polysiloxane ((—Si—O—) n ). On the other hand, hot phosphoric acid is circulated by a circulation pump and filtered, and then controlled to a predetermined temperature by a heater. At low concentrations, this polysiloxane remains dissolved in hot phosphoric acid, but its concentration gradually increases with the removal of the nitride film from many Si substrates, reaching a saturation concentration (about 120 mg / l in terms of Si concentration). After that, it deposits on the inner wall of the circulating system piping and the filter, and finally clogs the piping and filter. Therefore, the liquid is frequently changed every time the Si concentration in the hot phosphoric acid reaches the saturation concentration (so-called liquid life of the hot phosphoric acid), or the circulating system is subjected to HF cleaning periodically after the precipitation to some extent, and then the Si precipitation is performed. It is necessary to remove substances and replace filters. Therefore, a large amount of phosphoric acid must be used by frequent liquid exchange, which leads to an increase in cost. Further, since the apparatus must be periodically stopped, the apparatus cannot be operated continuously. Had.
【０００６】しかるに本発明は係る問題点を解決するも
ので、熱燐酸の液寿命延長により使用量を削減してコス
トダウンを可能とし、また定期的なＨＦ洗浄及びフィル
ター交換を必要としないか、又はそれらの頻度を減少さ
せたことで従来以上に装置の連続運転を可能とする窒化
膜のエッチング除去方法を得て、その方法を実施する製
造装置及びその方法を用いた半導体装置を提供すること
を目的とする。However, the present invention solves the above-mentioned problems, and it is possible to reduce the amount of hot phosphoric acid to reduce the amount of use by extending the service life of the hot phosphoric acid, and to reduce the need for periodic HF cleaning and filter replacement. Also, it is possible to obtain a method of etching and removing a nitride film that enables continuous operation of the device more than ever by reducing the frequency thereof, and to provide a manufacturing apparatus for implementing the method and a semiconductor device using the method. With the goal.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、Ｓｉ基板又はＳｉ薄膜を主体構成する半導体
装置のＳｉ窒化膜を燐酸でエッチング除去する工程にお
いて、燐酸に弗化水素を添加することを特徴とする。According to a method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, in a step of etching and removing a Si nitride film of a semiconductor device mainly composed of a Si substrate or a Si thin film with phosphoric acid, hydrogen fluoride is added to phosphoric acid. It is characterized by doing.
【０００８】また弗化水素は、弗化水素酸や弗化水素ガ
スを用いることが好ましい。It is preferable to use hydrofluoric acid or hydrogen fluoride gas as hydrogen fluoride.
【０００９】また弗化水素添加条件は、ＳｉＯ2のエッ
チングレートが２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件である
ことがより好ましい。[0009] More preferably, the hydrogen fluoride addition condition is such that the etching rate of SiO 2 satisfies 2 ° / min or less.
【００１０】また弗化水素を添加する場所は、循環ライ
ン内石英製加熱ヒーター出口で添加することが最も好ま
しい。It is most preferable to add hydrogen fluoride at the outlet of the quartz heater in the circulation line.
【００１１】本発明の半導体装置の製造装置は、Ｓｉ基
板又はＳｉ薄膜を主体構成する半導体装置のＳｉ窒化膜
を燐酸でエッチング除去する工程において、燐酸に弗化
水素を添加する半導体装置の製造方法を用いたことを特
徴とする。A semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device in which hydrogen fluoride is added to phosphoric acid in a step of etching and removing a Si nitride film of a semiconductor device mainly comprising a Si substrate or a Si thin film with phosphoric acid. Is used.
【００１２】また弗化水素は、弗化水素酸や弗化水素ガ
スを用いることが好ましい。It is preferable to use hydrofluoric acid or hydrogen fluoride gas as hydrogen fluoride.
【００１３】また弗化水素添加条件は、ＳｉＯ2のエッ
チングレートが２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件である
ことがより好ましい。Further, the hydrogen fluoride addition condition is more preferably a condition that the etching rate of SiO 2 satisfies 2 ° / min or less.
【００１４】また弗化水素を添加する場所は、循環ライ
ン内石英製加熱ヒーター出口で添加することが最も好ま
しい。It is most preferable to add hydrogen fluoride at the outlet of the quartz heater in the circulation line.
【００１５】本発明の半導体装置は、Ｓｉ基板又はＳｉ
薄膜を主体構成する半導体装置のＳｉ窒化膜を燐酸でエ
ッチング除去する工程において、燐酸に弗化水素を添加
する半導体装置の製造方法を用いたことを特徴とする。[0015] The semiconductor device of the present invention comprises a Si substrate or a Si substrate.
In the step of etching and removing the Si nitride film of a semiconductor device mainly including a thin film with phosphoric acid, a method for manufacturing a semiconductor device in which hydrogen fluoride is added to phosphoric acid is used.
【００１６】また弗化水素は、弗化水素酸や弗化水素ガ
スを用いることが好ましい。It is preferable to use hydrofluoric acid or hydrogen fluoride gas as hydrogen fluoride.
【００１７】また弗化水素添加条件は、ＳｉＯ2のエッ
チングレートが２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件である
ことがより好ましい。It is more preferable that the hydrogen fluoride is added under such a condition that the etching rate of SiO 2 satisfies 2 ° / min or less.
【００１８】また弗化水素を添加する場所は、循環ライ
ン内石英製加熱ヒーター出口で添加することが最も好ま
しい。It is most preferable to add hydrogen fluoride at the outlet of the quartz heater in the circulation line.
【００１９】[0019]
【作用】熱燐酸中に弗化水素を添加することにより、熱
燐酸中に溶解しているＳｉ成分（＝ポリシロキサン）と
弗化水素とを反応させる。これは反応式では次のように
表わせられる。ただし、Ｓｉ成分はＳｉＯ2として示
す。By adding hydrogen fluoride to hot phosphoric acid, the Si component (= polysiloxane) dissolved in hot phosphoric acid reacts with hydrogen fluoride. This is expressed in the reaction formula as follows. However, the Si component is shown as SiO 2 .
【００２０】 ＳｉＯ2＋６ＨＦ → Ｈ2ＳｉＦ6＋２Ｈ2Ｏ これらの反応によって生成したＨ2ＳｉＦ6（ヘキサフル
オロケイ酸）は水蒸気と共に熱燐酸中から除去される。SiO 2 + 6HF → H 2 SiF 6 + 2H 2 O H 2 SiF 6 (hexafluorosilicic acid) generated by these reactions is removed from the hot phosphoric acid together with water vapor.
【００２１】従って、窒化膜のエッチング除去に伴って
熱燐酸中に溶解してくるＳｉ成分に対し、適当な量の弗
化水素を添加すれば溶解したＳｉ成分の一部又は全部が
ヘキサフルオロケイ酸となって除去され、Ｓｉ濃度の増
加速度は未添加時に比べ減少するか又は０（ゼロ）とな
る。この時、Ｓｉ濃度が飽和濃度以下に維持されていれ
ば循環系配管内壁やフィルターに析出することはなく、
また飽和濃度に達してきても弗化水素によって除去され
ている分Ｓｉの析出は減少する。Therefore, if an appropriate amount of hydrogen fluoride is added to the Si component dissolved in hot phosphoric acid as the nitride film is removed by etching, a part or all of the dissolved Si component becomes hexafluorosilicon. It is removed as an acid, and the rate of increase of the Si concentration is reduced or becomes 0 (zero) as compared with the case where no Si is added. At this time, if the Si concentration is maintained at or below the saturation concentration, it does not precipitate on the inner wall of the circulation system pipe or the filter,
Further, even when the saturation concentration is reached, the precipitation of Si is reduced by the amount removed by hydrogen fluoride.
【００２２】[0022]
【発明の実施の形態】図１及び図２は本発明の半導体装
置の製造方法の一実施例を示す図である。1 and 2 are views showing one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
【００２３】熱燐酸中に浸漬されるＳｉ基板１０１に
は、パターニングされた窒化膜１０２とＳｉ酸化膜１０
３が形成されている。窒化膜１０２は熱燐酸との反応に
よりＳｉ成分の溶解が進行する。なおＳｉ酸化膜１０３
も、熱燐酸によりわずかにエッチングされる。Ｓｉ成分
の溶解した熱燐酸は燐酸槽２０１よりポンプ２０２にて
吸引されフィルター２０３でフィルタリングされた後、
石英製加熱ヒーター２０４で所定の液温となるよう加熱
され沸騰状態のまま再び燐酸槽２０１に戻り循環してい
る。弗化水素は石英製加熱ヒーター２０４出口で、弗化
水素供給装置２０５を用いて弗化水素酸又は弗化水素ガ
スとして添加される。添加された弗化水素は循環中に熱
燐酸中に溶解しているＳｉ成分と反応してヘキサフルオ
ロケイ酸となり、燐酸槽液面より沸騰時の水蒸気と共に
除去される。ここで弗化水素の供給源として弗化水素酸
や弗化水素ガスを用いることが好ましいのは、定量ポン
プやマスフローコントローラー等により熱燐酸中への添
加量の制御が容易なためである。また弗化水素添加条件
がＳｉＯ2のエッチングレートで２Å／ｍｉｎ以下を満
足する条件であると好ましいのは、後述の理由による。On a Si substrate 101 immersed in hot phosphoric acid, a patterned nitride film 102 and a Si oxide film 10 are formed.
3 are formed. The dissolution of the Si component in the nitride film 102 progresses due to the reaction with the hot phosphoric acid. Note that the Si oxide film 103
Are also slightly etched by hot phosphoric acid. The hot phosphoric acid in which the Si component is dissolved is sucked by the pump 202 from the phosphoric acid tank 201 and filtered by the filter 203.
It is heated to a predetermined liquid temperature by a quartz heater 204 and returned to the phosphoric acid tank 201 in a boiling state and circulated. Hydrogen fluoride is added as hydrofluoric acid or hydrogen fluoride gas at the outlet of the quartz heater 204 using a hydrogen fluoride supply device 205. The added hydrogen fluoride reacts with the Si component dissolved in the hot phosphoric acid during circulation to form hexafluorosilicic acid, and is removed from the phosphoric acid tank liquid surface together with the steam at the time of boiling. Here, it is preferable to use hydrofluoric acid or hydrogen fluoride gas as a supply source of hydrogen fluoride, because the amount of addition to hot phosphoric acid can be easily controlled by a metering pump, a mass flow controller, or the like. The reason why the hydrogen fluoride addition condition is preferably a condition satisfying an etching rate of SiO 2 of 2 ° / min or less is as follows.
【００２４】図３は、１６０℃の熱燐酸中のＳｉ濃度と
それに対応するＳｉＯ2のエッチングレートの関係、及
び１５５℃の熱燐酸中に一定量の弗化水素酸を連続して
添加し続けた時の熱燐酸中のＳｉ濃度とそれに対応する
ＳｉＯ2のエッチングレートの関係を示したものであ
る。いずれの場合もＳｉ濃度が高い時ほどＳｉＯ2のエ
ッチングレートは低い。また従来から用いている熱燐酸
だけでもＳｉＯ2を最大で約２Å／ｍｉｎのエッチング
レートでエッチングし、弗化水素酸を添加した場合は液
温が５℃低くても熱燐酸だけの時より全体的にエッチン
グレートが高い値を示していることが分かる。FIG. 3 shows the relationship between the Si concentration in hot phosphoric acid at 160 ° C. and the corresponding etching rate of SiO 2 , and the continuous addition of a certain amount of hydrofluoric acid in hot phosphoric acid at 155 ° C. The relationship between the concentration of Si in the hot phosphoric acid and the corresponding etching rate of SiO 2 is shown. In any case, the higher the Si concentration, the lower the etching rate of SiO 2 . Also, conventionally used hot phosphoric acid alone is used to etch SiO 2 at an etching rate of about 2 約 / min at the maximum, and when hydrofluoric acid is added, the overall temperature is lower than that of hot phosphoric acid alone even when the solution temperature is 5 ° C. lower. It can be seen that the etching rate shows a high value.
【００２５】図４は、Ｓｉ初期濃度が約７０ｍｇ／ｌ以
上である１６０℃の熱燐酸に対し、一定量のＳｉ成分を
溶解させながら一定量の弗化水素を添加していった時
に、添加量をそれぞれ変えていった時のＳｉ濃度の増加
速度の変化を示したものである。弗化水素未添加（つま
り添加量＝０）の時がＳｉ成分の溶解に伴うＳｉ濃度の
本来の増加速度であり、この時には約１７．３ｍｇ／ｌ
・ｈｒづつ濃度が増加していくことを示している。添加
量を増やすにつれＳｉ濃度の増加速度は減少し、ある量
で０となり、それ以上添加すると逆にＳｉ濃度は減少し
ていく。FIG. 4 shows that when a certain amount of hydrogen fluoride was added to hot phosphoric acid at 160 ° C. having an initial Si concentration of about 70 mg / l or more while a certain amount of the Si component was dissolved. It shows the change in the rate of increase of the Si concentration when the amount is changed. When hydrogen fluoride is not added (that is, the amount of addition is 0), the original increase rate of the Si concentration accompanying the dissolution of the Si component is about 17.3 mg / l.
・ Indicates that the concentration increases hour by hour. As the amount of addition increases, the rate of increase of the Si concentration decreases, becomes 0 at a certain amount, and conversely, the Si concentration decreases when added more.
【００２６】図５はこの時のＳｉＯ2のエッチングレー
トの変化、また図６はＳｉ3Ｎ4のエッチングレートの変
化を示したものだが、いずれも添加と共に増加する傾向
を示している。FIG. 5 shows the change in the etching rate of SiO 2 at this time, and FIG. 6 shows the change in the etching rate of Si 3 N 4 , both of which tend to increase with the addition.
【００２７】ここで弗化水素を添加した時にＳｉＯ2の
エッチングレートが２Å／ｍｉｎを超える様になると、
弗化水素は石英製加熱ヒーター２０４のＳｉＯ2（石
英）部やウェハ表面に形成されているＳｉ酸化膜１０３
のＳｉＯ2を従来以上にエッチングしてしまう。これは
石英に穴が開いて液漏れを起こすまでのヒーター寿命が
従来よりも短くなることを意味する。またＳｉ基板表面
に半導体装置を形成する上で必要な酸化膜が削られれ
ば、電気特性の変化による不良発生にもつながる。Here, if the etching rate of SiO 2 exceeds 2 ° / min when hydrogen fluoride is added,
Hydrogen fluoride is deposited on the SiO 2 (quartz) portion of the heater 204 made of quartz or the Si oxide film 103 formed on the wafer surface.
Etches the SiO 2 more than ever. This means that the heater life until a hole is formed in the quartz and a liquid leak occurs is shorter than before. In addition, if an oxide film necessary for forming a semiconductor device on the surface of the Si substrate is shaved, a defect due to a change in electrical characteristics is caused.
【００２８】従ってＳｉＯ2のエッチングレートは低い
方が望ましく、それには添加時に熱燐酸中にある濃度以
上のＳｉ成分が溶解していなければならず、また添加す
る量は熱燐酸中のＳｉ濃度だけでなく、窒化膜除去に伴
って新たに溶解してくるＳｉ成分の量とのバランスをと
ることも必要である。これらのＳｉ濃度、弗化水素添加
量、Ｓｉ溶解量等の条件がＳｉＯ2のエッチングレート
で２Å／ｍｉｎ以下を満足する条件であれば、従来と同
様の頻度でヒーター交換すればよくまた半導体装置の電
気特性への影響もないと考えられるからである。ただ
し、ヒーター交換を頻繁に行い半導体装置の電気特性へ
の影響がなければこの限りではない。Therefore, it is desirable that the etching rate of SiO 2 is low, and it is necessary that at least the concentration of Si component in hot phosphoric acid is dissolved at the time of addition, and the amount to be added is only the concentration of Si in hot phosphoric acid. Instead, it is necessary to balance the amount of the Si component newly dissolved with the removal of the nitride film. As long as the conditions such as the Si concentration, the amount of hydrogen fluoride added, and the amount of dissolved Si satisfy the etching rate of SiO 2 of 2 ° / min or less, the heater may be replaced at the same frequency as the conventional one. This is because it is considered that there is no influence on the electrical characteristics of the semiconductor device. However, this does not apply unless the heater is frequently replaced and the electrical characteristics of the semiconductor device are not affected.
【００２９】なお弗化水素を添加する場所として循環ラ
イン内石英製加熱ヒーター出口が好ましいのは、出口で
添加された弗化水素が循環中に熱燐酸と混合・希釈さ
れ、またＳｉ成分と反応した上でヒーターに戻る循環ラ
イン構造であれば、添加直後の弗化水素が濃く溶解した
熱燐酸によりヒーター石英部がエッチングされることは
なく、石英へのエッチングは最小限に抑えられると考え
られるからである。The place where hydrogen fluoride is added is preferably a quartz heater outlet in the circulation line because the added hydrogen fluoride is mixed and diluted with hot phosphoric acid during circulation and reacts with the Si component. If the circulation line structure returns to the heater after the addition, the heater quartz portion will not be etched by hot phosphoric acid in which hydrogen fluoride has been dissolved deeply immediately after the addition, and it is considered that etching to quartz is minimized. Because.
【００３０】本実施例では熱燐酸中のＳｉ濃度が７０ｍ
ｇ／ｌ以上の時に、窒化膜除去に伴うＳｉ溶解量＝約１
７．３ｍｇ／ｌ・ｈｒに対し、弗化水素添加量＝約３１
５ｍｇ／ｌ・ｈｒとすれば、ＳｉＯ2のエッチングレー
トは２Å／ｍｉｎ以下を満足し、かつ熱燐酸中のＳｉ濃
度増加速度はほぼ０となった。またＳｉ3Ｎ4のエッチン
グレートは未添加時の約６０Å／ｍｉｎに対し約１４０
Å／ｍｉｎまで向上した。In this embodiment, the Si concentration in the hot phosphoric acid is 70 m
g / l or more, the amount of Si dissolved due to nitride film removal = about 1
For 7.3 mg / l · hr, the amount of hydrogen fluoride added is about 31
At 5 mg / l · hr, the etching rate of SiO 2 satisfied 2 ° / min or less, and the rate of increase in the Si concentration in the hot phosphoric acid was almost zero. The etching rate of Si 3 N 4 is about 140 ° C./min.
Å / min.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上の様に本発明によれば、熱燐酸中に
弗化水素を添加して熱燐酸中のＳｉ成分を除去すること
により、Ｓｉ成分が析出しにくくなるか又は析出しなく
なる。よって熱燐酸の液寿命が延長されたことにより液
使用量が削減され、コストダウンが可能となる。As described above, according to the present invention, by adding hydrogen fluoride to hot phosphoric acid and removing the Si component in the hot phosphoric acid, the Si component hardly precipitates or does not precipitate. . Therefore, the amount of liquid used can be reduced by extending the liquid life of the hot phosphoric acid, and the cost can be reduced.
【００３２】さらに循環系内の定期的なＨＦ洗浄及びフ
ィルター交換の頻度は減少するか又は必要としなくなっ
て、装置の連続運転が可能となる。In addition, the frequency of periodic HF cleaning and filter replacement in the circulation is reduced or eliminated, allowing continuous operation of the device.
【００３３】また本発明においては、弗化水素が添加さ
れたことで窒化膜のエッチングレート自体も倍以上に向
上するため、処理時間の短縮により装置の処理能力を倍
以上に向上させるもことも可能となる。In the present invention, since the etching rate itself of the nitride film is more than doubled by adding hydrogen fluoride, the processing capacity of the apparatus can be more than doubled by shortening the processing time. It becomes possible.
【図１】本発明の実施例に係わる半導体装置の断面図で
ある。FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例に係わる半導体装置の製造方法
を示す図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例に係わる熱燐酸中のＳｉ濃度と
ＳｉＯ2のエッチングレートの関係を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing the relationship between the Si concentration in hot phosphoric acid and the etching rate of SiO 2 according to an example of the present invention.
【図４】本発明の実施例に係わる熱燐酸中にＳｉ成分の
溶解と弗化水素の添加を行った時の添加量とＳｉ濃度の
増加速度との関係を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the relationship between the amount of Si dissolved in hot phosphoric acid and the rate of increase in the concentration of Si when hydrogen fluoride is added according to an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例に係わる熱燐酸中にＳｉ成分の
溶解と弗化水素の添加を行った時の添加量とＳｉＯ2の
エッチングレートとの関係を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the amount of addition of a Si component and addition of hydrogen fluoride in hot phosphoric acid and the etching rate of SiO 2 according to an embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施例に係わる熱燐酸中にＳｉ成分の
溶解と弗化水素の添加を行った時の添加量とＳｉ3Ｎ4の
エッチングレートとの関係を示す図である。FIG. 6 is a graph showing the relationship between the amount of Si dissolved in hot phosphoric acid and the amount of hydrogen fluoride added and the etching rate of Si 3 N 4 according to an embodiment of the present invention.
１０１ Ｓｉ基板 １０２ 窒化膜 １０３ Ｓｉ酸化膜 ２０１ 燐酸槽 ２０２ ポンプ ２０３ フィルター ２０４ 石英製加熱ヒーター ２０５ 弗化水素供給装置 Reference Signs List 101 Si substrate 102 Nitride film 103 Si oxide film 201 Phosphoric acid tank 202 Pump 203 Filter 204 Heater made of quartz 205 Hydrogen fluoride supply device
Claims (7)
体装置のＳｉ窒化膜を燐酸でエッチング除去する工程に
おいて、燐酸に弗化水素を添加することを特徴とする半
導体装置の製造方法。1. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising adding hydrogen fluoride to phosphoric acid in a step of etching and removing a Si nitride film of a semiconductor device mainly comprising a Si substrate or a Si thin film with phosphoric acid.
弗化水素を弗化水素酸で添加することを特徴とする半導
体装置の製造方法。2. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising adding hydrogen fluoride with hydrofluoric acid.
弗化水素を弗化水素ガスで添加することを特徴とする半
導体装置の製造方法。3. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising adding hydrogen fluoride with a hydrogen fluoride gas.
半導体装置の製造方法で、ＳｉＯ2のエッチングレート
が２Å／ｍｉｎ以下を満足する弗化水素添加条件とする
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。4. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the etching rate of SiO 2 is set to be not more than 2 ° / min. A method for manufacturing a semiconductor device.
求項４記載の半導体装置の製造方法で、循環ライン内石
英製加熱ヒーター出口で添加することを特徴とする半導
体装置の製造方法。5. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the addition is performed at an outlet of a quartz heater in a circulation line. .
を構成要素とする半導体装置を浸漬する燐酸溶液を貯留
した洗浄槽と前記燐酸溶液を循環させる循環手段と前記
燐酸を加熱する加熱手段と前記洗浄槽に弗化水素を添加
する供給手段とを有することを特徴とする半導体装置の
製造装置。6. A cleaning tank for storing a phosphoric acid solution for immersing a semiconductor device having a Si substrate or a Si thin film having a Si nitride film as a component, a circulating means for circulating the phosphoric acid solution, and a heating means for heating the phosphoric acid. A semiconductor device manufacturing apparatus, comprising: a supply unit for adding hydrogen fluoride to the cleaning tank.
導体装置において、前記Ｓｉ基板又はＳｉ薄膜上に設け
られたＳｉ窒化膜を弗化水素を添加した燐酸により除去
してなることを特徴とする半導体装置。7. A semiconductor device comprising a Si substrate or a Si thin film as a component, wherein the Si nitride film provided on the Si substrate or the Si thin film is removed by phosphoric acid to which hydrogen fluoride has been added. Semiconductor device.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20399896A JPH1050682A (en) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20399896A JPH1050682A (en) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050682A true JPH1050682A (en) | 1998-02-20 |
Family
ID=16483091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20399896A Withdrawn JPH1050682A (en) | 1996-08-01 | 1996-08-01 | Method and apparatus for manufacturing semiconductor device and semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050682A (en) |
Cited By (4)
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1996
- 1996-08-01 JP JP20399896A patent/JPH1050682A/en not_active Withdrawn
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