JPH1048632A - Liquid crystal cell and its orientation treatment - Google Patents

Liquid crystal cell and its orientation treatment

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JPH1048632A
JPH1048632A JP20499396A JP20499396A JPH1048632A JP H1048632 A JPH1048632 A JP H1048632A JP 20499396 A JP20499396 A JP 20499396A JP 20499396 A JP20499396 A JP 20499396A JP H1048632 A JPH1048632 A JP H1048632A
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JP
Japan
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liquid crystal
electrode substrate
rubbing
electrode substrates
orientation
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JP20499396A
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Japanese (ja)
Inventor
Koji Ishikawa
幸司 石川
Tetsuya Sano
哲也 佐野
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Denso Corp
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Denso Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal cell constituted to aver the extension of the orientation defect of smectic liquid crystals generated near a seal to a display region by devising the orientation treatment to the inside surfaces of both electrode substrates and an orientation treatment method for the same. SOLUTION: The inside surface 10A the electrode substrate 10 is subjected to the rubbing treatment in such a manner that the rubbing direction P1 of the inside surface part R1 of the electrode substrate 10 and the rubbing direction Q1 of the inside surface part R4 of the electrode substrate 20 intersect orthogonally with the rubbing direction P2 of both inside surface parts R2, R3 of the electrode substrate 10 and the rubbing direction Q2 of both inside surface parts R5, R6 of the electrode substrate 20. The inside surface of the electrode substrates countering the electrode substrate 10 are similarly varied in the rubbing directions.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、スメクチック液晶
を用いる液晶セル及びその配向処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal cell using a smectic liquid crystal and a method for aligning the liquid crystal cell.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の液晶セルの配向処理は、
特開平6−289397号公報にて示されているよう
に、各電極基板において配向膜を形成した内表面の全面
に亘り、ラビングにより行うのが一般的である。このラ
ビングは、各電極基板の内表面全体を一定方向にローラ
により擦ることによりなされる。
2. Description of the Related Art Conventionally, the alignment treatment of this type of liquid crystal cell has been performed by
As shown in JP-A-6-289977, rubbing is generally performed over the entire inner surface of each electrode substrate on which an alignment film is formed. This rubbing is performed by rubbing the entire inner surface of each electrode substrate with a roller in a certain direction.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
配向処理した各電極基板は、その一方の内表面外周部に
形成した環状シール(図8にて符号1参照)を介し互い
に重ね合わされた後、シールを介し強誘電性液晶を封入
される。しかし、上記シール1に含まれるシール硬化剤
成分であるアミンが、シール近傍の液晶部分に悪影響を
及ぼしその配向を乱す。このため、この配向の乱れが、
両電極基板の表示領域(図8にて符号2参照)における
液晶部分にも悪影響を及ぼすという不具合が生ずる。
By the way, each of the electrode substrates which have been subjected to the orientation treatment as described above are overlapped with each other via an annular seal (see reference numeral 1 in FIG. 8) formed on the outer peripheral portion of one of the inner surfaces. A ferroelectric liquid crystal is sealed through a seal. However, the amine which is a seal hardener component contained in the seal 1 has an adverse effect on the liquid crystal portion near the seal and disturbs the alignment. Therefore, this disorder of the orientation
There is a disadvantage that the liquid crystal portion in the display area (see reference numeral 2 in FIG. 8) of both electrode substrates is adversely affected.

【0004】具体的には、シール1近傍に発生した配向
欠陥が、図8にて符号3にて示すように、表示領域2の
液晶部分まで成長してしまい、表示不良を招く。これに
対し、強誘電性液晶のラビングによる配向状態を検討し
た。これによれば、各液晶分子(図9にて符号4参照)
の層方向は、ラビング方向(図9にて符号6参照)に対
し、直交する方向(図9にて符号5参照)に形成され、
その配向欠陥は、両隣接層の間を割るように上記層方向
と同一方向(図10にて符号7参照)に成長する。
More specifically, the alignment defect generated in the vicinity of the seal 1 grows to the liquid crystal portion of the display area 2 as indicated by reference numeral 3 in FIG. On the other hand, the alignment state of the ferroelectric liquid crystal by rubbing was examined. According to this, each liquid crystal molecule (see reference numeral 4 in FIG. 9)
Is formed in a direction (see reference numeral 5 in FIG. 9) orthogonal to the rubbing direction (see reference numeral 6 in FIG. 9),
The orientation defect grows in the same direction as the above-mentioned layer direction (see reference numeral 7 in FIG. 10) so as to split between the adjacent layers.

【0005】しかも、電極基板の内表面の全体に亘り同
一方向にラビング処理が施されるため、上記配向欠陥の
成長は、表示領域2にも及ぶ。そこで、本発明は、以上
のようなことに対処するため、両電極基板の内表面に対
する配向処理に工夫を凝らし、シール近傍に生じるスメ
クチック液晶の配向欠陥が表示領域まで及ばないによう
にした液晶セル及びその配向処理方法を提供することを
目的とする。
Moreover, since the rubbing treatment is performed in the same direction over the entire inner surface of the electrode substrate, the growth of the alignment defects extends to the display region 2. In order to cope with the above, the present invention has devised an alignment treatment for the inner surfaces of the two electrode substrates so that the alignment defect of the smectic liquid crystal generated near the seal does not reach the display area. An object of the present invention is to provide a cell and a method for aligning the cell.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1乃至4に記載の発明によれば、スメクチッ
ク液晶を介し互いに対向する両電極基板の各内表面のう
ち両電極基板の四角状表示領域に対応する四角状内表面
部が、それぞれ、一方向に配向処理されており、両電極
基板の各内表面のうち四角状内表面部の外側に位置する
環状内表面部が、少なくとも四角状内表面部の配向処理
方向に並行な領域にて、この配向処理方向と交差する方
向に配向処理されている。
In order to achieve the above-mentioned object, according to the first to fourth aspects of the present invention, of the inner surfaces of the two electrode substrates facing each other via the smectic liquid crystal, the squares of the two electrode substrates are used. The rectangular inner surface portions corresponding to the shape display region are respectively oriented in one direction, and among the inner surfaces of both electrode substrates, the annular inner surface portion located outside the square inner surface portion is at least. In a region parallel to the orientation direction of the square inner surface portion, the orientation process is performed in a direction intersecting the orientation direction.

【0007】これにより、スメクチック液晶の層方向
が、両電極基板の四角状内表面部に対応する液晶部分と
その他の液晶部分とにおいて互いに交差するように配向
処理される。その結果、両電極基板の四角状内表面部に
対応する液晶部分以外の液晶部分が、シール中のアミン
成分により配向を乱されたために、この液晶部分の配向
欠陥が表示領域に向けて成長しても、この成長が、両電
極基板の四角状内表面部に対応する液晶部分の層により
阻止される。また、上記配向欠陥が、スメクチック液晶
の層方向の制約上、シールに沿って成長しても、表示領
域には及ばない。
As a result, the alignment treatment is performed so that the layer direction of the smectic liquid crystal intersects the liquid crystal portion corresponding to the square inner surface portions of both electrode substrates and the other liquid crystal portions. As a result, the liquid crystal portions other than the liquid crystal portions corresponding to the square inner surface portions of both electrode substrates were disturbed in the alignment by the amine component in the seal, and the alignment defects in the liquid crystal portions grew toward the display region. However, this growth is prevented by the layer of the liquid crystal portion corresponding to the square inner surface portions of both electrode substrates. Further, even if the alignment defect grows along the seal due to the restriction of the layer direction of the smectic liquid crystal, it does not reach the display area.

【0008】その結果、液晶セルの表示不良を招くこと
はない。また、請求項4、6乃至9に記載の発明によれ
ば、両電極基板の各内表面を、各環状内表面部のうち少
なくとも四角状内表面部の配向処理方向に並行な領域を
第1薄層により順次マスクした状態で、一方向に配向処
理し、両電極基板の各内表面を、各環状内表面部のうち
少なくとも四角状内表面部の配向処理方向に並行な領域
以外の各領域を第2薄層により順次マスクした状態に
て、交差する方向に配向処理する。
As a result, display defects of the liquid crystal cell do not occur. According to the invention described in claims 4, 6 to 9, each of the inner surfaces of the two electrode substrates is made to have a region parallel to the orientation processing direction of at least the square inner surface portion of each of the annular inner surface portions. In the state of being sequentially masked by the thin layers, orientation treatment is performed in one direction, and each inner surface of both electrode substrates is formed in each of the annular inner surface portions except for a region parallel to at least the square-shaped inner surface portion in the orientation treatment direction. Are successively masked by the second thin layer, and orientation treatment is performed in the direction crossing.

【0009】これにより、請求項1に記載の発明の作用
効果を達成し得るような液晶セルの配向処理方法が提供
され得る。また、請求項5乃至9に記載の発明によれ
ば、両電極基板の各内表面を、その全面に亘り、前記一
方向又は前記交差する方向に順次配向処理し、この工程
後、各環状内表面部のうち少なくとも四角状内表面部の
配向処理方向に並行な領域又はこの領域以外の各領域
を、薄層により順次マスクした状態にて、両電極基板の
各内表面を、交差する方向又は一方向に配向処理する。
According to the present invention, there can be provided a liquid crystal cell alignment treatment method capable of achieving the function and effect of the first aspect of the present invention. According to the invention as set forth in claims 5 to 9, each of the inner surfaces of the two electrode substrates is sequentially oriented in the one direction or the intersecting direction over the entire surface thereof. At least a region parallel to the orientation processing direction of the square inner surface portion or each region other than this region in the surface portion, in a state where each region is sequentially masked by a thin layer, the inner surface of both electrode substrates, a direction intersecting or An orientation treatment is performed in one direction.

【0010】これによっても、上記請求項4に記載の発
明と実質的に同様の作用効果を達成できる。ここで、請
求項9に記載の発明のように、各電極基板の四角状内表
面部と環状内表面部との間には、約0.5mmの幅の環
状境界領域が設けられておれば、上述のごとく、配向欠
陥が表示領域に向けて成長しても、この成長は、上記環
状境界領域の外周縁にて阻止される。従って、表示領域
の外周部にて配向乱れ等の不具合が生ずることはない。
According to this, substantially the same operation and effect as the invention described in claim 4 can be achieved. Here, as in the invention according to claim 9, if an annular boundary region having a width of about 0.5 mm is provided between the square inner surface portion and the annular inner surface portion of each electrode substrate. As described above, even if the alignment defect grows toward the display region, this growth is stopped at the outer peripheral edge of the annular boundary region. Therefore, there is no problem such as alignment disorder at the outer peripheral portion of the display area.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】 (第1実施形態)以下、本発明の第1実施形態を図面に
基づいて説明する。図1及び図2は、本発明に係る液晶
セルを示している。この液晶セルは、両電極基板10、
20を備えている。これら両電極基板10、20は、環
状シール30、スペーサ40及び接着微粒子50を介し
互いに重ね合わされており、当該両電極基板10、20
の間には、強誘電性液晶や反強誘電性液晶等のスメクチ
ック液晶60が、シール30を介し封入されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS (First Embodiment) A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 show a liquid crystal cell according to the present invention. This liquid crystal cell has two electrode substrates 10,
20. These two electrode substrates 10 and 20 are overlapped with each other via the annular seal 30, the spacer 40 and the adhesive fine particles 50, and the two electrode substrates 10 and 20 are
Between them, a smectic liquid crystal 60 such as a ferroelectric liquid crystal or an antiferroelectric liquid crystal is sealed via a seal 30.

【0012】ここで、電極基板10は、ガラス基板の内
表面に複数条の透明電極及び絶縁膜11を介し、シール
30の内周側にて、四角状配向膜12を設けて構成され
ている。一方、電極基板20は、ガラス基板の内表面に
複数条の透明電極(上記複数条の透明電極と共にマトリ
クス状画素を構成する)及び四角状絶縁膜21を介し、
シール30の内周側にて、配向膜22を設けて構成され
ている。
Here, the electrode substrate 10 is formed by providing a square alignment film 12 on the inner peripheral side of the seal 30 with a plurality of transparent electrodes and insulating films 11 interposed on the inner surface of a glass substrate. . On the other hand, the electrode substrate 20 has a plurality of transparent electrodes (which constitute a matrix pixel together with the plurality of transparent electrodes) and a square insulating film 21 on the inner surface of the glass substrate.
The alignment film 22 is provided on the inner peripheral side of the seal 30.

【0013】ここで、電極基板10の内表面(以下、内
表面10Aという)は、配向膜12及び絶縁膜11の配
向膜12の外周側部分により構成される。一方、電極基
板20の内表面(以下、内表面20Aという)は、配向
膜22及び絶縁膜21の配向膜22の外周側部分により
構成される。但し、両配向膜12、22は、両電極基板
10、20の四角状表示領域D(図1及び図2参照)よ
りも広い面積(A×B)を有し、シール30の内周近傍
まで延在している。
Here, the inner surface of the electrode substrate 10 (hereinafter referred to as the inner surface 10A) is constituted by the alignment film 12 and the outer peripheral portion of the alignment film 12 of the insulating film 11. On the other hand, an inner surface of the electrode substrate 20 (hereinafter, referred to as an inner surface 20 </ b> A) is configured by the alignment film 22 and the outer peripheral portion of the alignment film 22 of the insulating film 21. However, both alignment films 12 and 22 have an area (A × B) larger than the square display area D (see FIGS. 1 and 2) of both electrode substrates 10 and 20 and extend to the vicinity of the inner periphery of seal 30. Extending.

【0014】次に、上記液晶セルの製造方法につき、図
3乃至図5を参照して説明する。図3の両電極基板形成
工程S1では、電極基板10が、ガラス基板の内表面に
複数条の透明電極及び絶縁膜11(図4参照)を介し配
向膜12を設けて形成される。一方、電極基板20が、
ガラス基板の内表面に複数条の透明電極及び絶縁膜21
を介し配向膜22を設けて形成される。
Next, a method of manufacturing the liquid crystal cell will be described with reference to FIGS. In the two-electrode substrate forming step S1 of FIG. 3, the electrode substrate 10 is formed by providing an alignment film 12 on the inner surface of a glass substrate via a plurality of transparent electrodes and an insulating film 11 (see FIG. 4). On the other hand, the electrode substrate 20
A plurality of transparent electrodes and insulating films 21 are formed on the inner surface of a glass substrate.
It is formed by providing the alignment film 22 through the intermediary of

【0015】この工程後、第1ラビング工程S2におい
て、電極基板10の内表面10Aを、図4にて示すごと
く、三つの内表面部R1、R2、R3に分割する。ここ
で、内表面部R1は、電極基板10の内表面10Aのう
ち、表示領域Dを含む四角領域Da及びこの四角領域D
aの図4にて図示左右領域に対応する部分に相当する。
但し、四角領域Daと表示領域Dとの間の環状境界部の
幅Wは、0.5mm程度に設定されている。
After this step, in a first rubbing step S2, the inner surface 10A of the electrode substrate 10 is divided into three inner surface portions R1, R2, R3 as shown in FIG. Here, the inner surface portion R1 is a square region Da including the display region D and the square region D of the inner surface 10A of the electrode substrate 10.
4A corresponds to the portion corresponding to the left and right regions in FIG.
However, the width W of the annular boundary between the square area Da and the display area D is set to about 0.5 mm.

【0016】しかして、両内表面部R2、R3を第1の
両薄板によりそれぞれマスクした状態にて、電極基板1
0の内表面10Aを、ラビング方向P1に沿いラビング
することにより配向処理する。ここで、上記第1の各薄
板としては、0.03mm乃至0.2mmの範囲の板厚
を有するステンレス板やポリエステルフィルム等が採用
される。
In the state where both inner surface portions R2 and R3 are respectively masked by the first thin plates, the electrode substrate 1
The inner surface 10A is rubbed along the rubbing direction P1 to perform an alignment treatment. Here, as each of the first thin plates, a stainless plate or a polyester film having a plate thickness in the range of 0.03 mm to 0.2 mm is employed.

【0017】なお、ラビングは、レーヨン、ナイロン、
木綿等の不織布や植毛布を用いて電極基板10の内表面
10Aを擦ることにより行う。また、電極基板20の内
表面20Aを、図5にて示すごとく、三つの内表面部R
4、R5、R6に分割する。ここで、内表面部R4は、
電極基板20の内表面20Aのうち、表示領域Dを含む
四角領域Da及びこの四角領域Daの図5にて図示左右
領域に対応する部分に相当する。
The rubbing is made of rayon, nylon,
This is performed by rubbing the inner surface 10A of the electrode substrate 10 using a nonwoven fabric such as cotton or a flocking cloth. Further, as shown in FIG. 5, the inner surface 20A of the electrode substrate 20 has three inner surface portions R.
4, divided into R5 and R6. Here, the inner surface portion R4 is
In the inner surface 20A of the electrode substrate 20, it corresponds to a square area Da including the display area D and a part of the square area Da corresponding to the left and right areas shown in FIG.

【0018】しかして、両内表面部R5、R6を上記第
1の両薄板によりそれぞれマスクした状態にて、電極基
板20の内表面20Aを、ラビング方向Q1に沿いラビ
ングすることにより配向処理する。ついで、第2ラビン
グ工程S3において、電極基板10の両内表面部R2、
R3から上記第1の両薄板を除去し、内表面部R1を第
2薄板(上記第1薄板と同様の材料及び板厚からなる)
によりマスクした状態にて、電極基板10の内表面10
Aを、ラビング方向P2(図4参照)に沿いラビングす
ることにより配向処理する。ここで、両ラビング方向P
2、P1は互いに直交している。
With the inner surfaces R5 and R6 masked by the first thin plates, the inner surface 20A of the electrode substrate 20 is rubbed along the rubbing direction Q1 to perform an alignment process. Next, in the second rubbing step S3, both inner surface portions R2 of the electrode substrate 10 are formed.
The first two thin plates are removed from R3, and the inner surface portion R1 is replaced with a second thin plate (made of the same material and thickness as the first thin plate).
The inner surface 10 of the electrode substrate 10 is
A is aligned by rubbing A in the rubbing direction P2 (see FIG. 4). Here, both rubbing directions P
2, P1 is orthogonal to each other.

【0019】また、電極基板20の両内表面部R5、R
6から上記第1の両薄板を除去し、内表面部R4を上記
第2薄板によりマスクした状態にて、電極基板20の内
表面20Aを、ラビング方向Q2(図5参照)に沿いラ
ビングすることにより配向処理する。但し、両ラビング
方向Q2、Q1は互いに直交している。然る後、スペー
サ・接着微粒子散布工程S4において、電極基板10の
内表面10A上に、スペーサ40及び接着微粒子50を
散布する。一方、シール印刷工程S5において、電極基
板20の内表面20Aの外周縁部上に、シール30をシ
ール剤の印刷により環状に形成する。なお、このシール
30の一部には、液晶注入口が形成される。
Further, both inner surface portions R5 and R5 of the electrode substrate 20 are formed.
6, the inner surface 20A of the electrode substrate 20 is rubbed along the rubbing direction Q2 (see FIG. 5) with the first and second thin plates removed and the inner surface portion R4 masked by the second thin plate. For orientation treatment. However, both rubbing directions Q2 and Q1 are orthogonal to each other. Thereafter, in the spacer / adhesion fine particle dispersing step S4, the spacers 40 and the adhesive fine particles 50 are dispersed on the inner surface 10A of the electrode substrate 10. On the other hand, in the seal printing step S5, the seal 30 is formed annularly on the outer peripheral edge of the inner surface 20A of the electrode substrate 20 by printing a sealant. Note that a liquid crystal injection port is formed in a part of the seal 30.

【0020】ついで、重ね合わせ工程S6において、電
極基板20をシール30、スペーサ40及び接着微粒子
50を介し電極基板10に重ね合わせる。この場合、両
ラビング方向P1、Q1及び両ラビング方向P2、Q2
が、それぞれ、互いに逆向きになるように、両電極基板
10、20の重ね合わせがなされる。そして、シール硬
化工程S7にて、両電極基板10、20を加熱しながら
加圧してシール30を硬化させるとともに所定のセルギ
ャップを確保する。
Next, in the superposition step S6, the electrode substrate 20 is superposed on the electrode substrate 10 via the seal 30, the spacer 40 and the adhesive fine particles 50. In this case, both rubbing directions P1, Q1 and both rubbing directions P2, Q2
However, the two electrode substrates 10 and 20 are superimposed so that they are opposite to each other. Then, in a seal hardening step S7, both the electrode substrates 10 and 20 are heated and pressurized while heating to harden the seal 30 and secure a predetermined cell gap.

【0021】その後、液晶注入封止工程S8において、
スメクチック液晶60を加熱により液化してシール30
の液晶注入口を通し両電極基板10、20の各内表面1
0A、20Aの間に充填した上で、上記液晶注入口を封
止する。これにより、液晶セルの製造が完了する。しか
して、このように製造を完了した液晶セルにおいては、
上述のごとく、電極基板10の内表面部R1のラビング
方向P1及び電極基板20の内表面部R4のラビング方
向Q1が、電極基板10の両内表面部R2、R3のラビ
ング方向P2及び電極基板20の両内表面部R5、R6
のラビング方向Q2に対し、直交している。
Thereafter, in a liquid crystal injection sealing step S8,
The smectic liquid crystal 60 is liquefied by heating to form a seal 30.
Through the liquid crystal injection port of each of the inner surfaces 1 of both electrode substrates 10 and 20
After filling between 0A and 20A, the liquid crystal injection port is sealed. Thereby, the manufacture of the liquid crystal cell is completed. Thus, in a liquid crystal cell completed in this way,
As described above, the rubbing direction P1 of the inner surface portion R1 of the electrode substrate 10 and the rubbing direction Q1 of the inner surface portion R4 of the electrode substrate 20 are the same as the rubbing direction P2 of the inner surface portions R2 and R3 of the electrode substrate 10 and the rubbing direction P2. Inner surface portions R5, R6 of
Is orthogonal to the rubbing direction Q2.

【0022】このため、スメクチック液晶60のうち、
両内表面部R1、R4の間の液晶部分の層方向が、両内
表面部R2、R3と両内表面部R5、R6との間の液晶
部分の層方向に対し、直交することとなる。従って、両
内表面部R2、R3と両内表面部R5、R6との間の液
晶部分が、シール30中のアミン成分やシール30の形
状により配向を乱されたために、この液晶部分の配向欠
陥が表示領域Dに向けて成長しても、この成長が、両内
表面部R1、R4の間の液晶部分の層により阻止され
る。
For this reason, of the smectic liquid crystal 60,
The layer direction of the liquid crystal portion between both inner surface portions R1 and R4 is orthogonal to the layer direction of the liquid crystal portion between both inner surface portions R2 and R3 and both inner surface portions R5 and R6. Therefore, the alignment of the liquid crystal portion between the inner surface portions R2 and R3 and the inner surface portions R5 and R6 was disturbed by the amine component in the seal 30 and the shape of the seal 30. Grows toward the display region D, this growth is prevented by the layer of the liquid crystal portion between the inner surface portions R1 and R4.

【0023】また、上記配向欠陥が、スメクチック液晶
の層方向の制約上、シール30に沿って成長しても、表
示領域Dには及ばない。その結果、液晶セルの表示不良
を招くことはない。この場合、四角領域Da及び表示領
域Dの内表面部R2側における各辺の間並びに四角領域
Da及び表示領域Dの内表面部R3側における各辺の間
には、それぞれ、0.5mmの間隔が与えられている。
Further, even if the alignment defect grows along the seal 30 due to the restriction of the smectic liquid crystal layer direction, it does not reach the display region D. As a result, a display defect of the liquid crystal cell does not occur. In this case, a gap of 0.5 mm is provided between each side of the square area Da and the display area D on the inner surface part R2 side and between each side of the square area Da and the display area D on the inner surface part R3 side. Is given.

【0024】このため、上述のごとく、配向欠陥が表示
領域Dに向けて成長しても、この成長は、四角領域Da
の上記辺の位置にて阻止される。従って、表示領域Dの
外周辺にて配向乱れ等の不具合が生ずることはない。な
お、上記第1実施形態では、第1ラビング工程S2の処
理後に第2ラビング工程S3の処理を行う例について説
明したが、これに代えて、第2ラビング工程S3の処理
後に第1ラビング工程S2の処理を行うようにしても、
上記第1実施形態と同様の作用効果を達成できる。
For this reason, as described above, even if the alignment defect grows toward the display region D, this growth occurs in the square region Da.
At the position of the above side. Therefore, there is no problem such as disorder in alignment around the display area D. In the first embodiment, an example in which the processing of the second rubbing step S3 is performed after the processing of the first rubbing step S2 has been described. Instead, the first rubbing step S2 may be performed after the processing of the second rubbing step S3. Even if you perform the processing of
The same operation and effect as the first embodiment can be achieved.

【0025】また、上記第1実施形態において、第1ラ
ビング工程S2にて、電極基板10の内表面部10Aを
全体に亘りラビング方向P1(又はP2)に沿いラビン
グした後、第2ラビング工程S3において、内表面部R
1(又はR2、R3)をマスクした状態で、両内表面部
R2、R3(又はR1)をラビング方向P2(又はP
1)に沿いラビングしてもよい。
In the first embodiment, in the first rubbing step S2, after rubbing the entire inner surface portion 10A of the electrode substrate 10 along the rubbing direction P1 (or P2), the second rubbing step S3 is performed. At the inner surface R
1 (or R2, R3) in a state where both inner surface portions R2, R3 (or R1) are masked in the rubbing direction P2 (or P2).
Rubbing may be performed along 1).

【0026】一方、第1ラビング工程S2にて、電極基
板20の内表面部20Aを全体に亘りラビング方向Q1
(又はQ2)の方向にラビングした後、第2ラビング工
程S3において、内表面部R4(又はR5、R6)をマ
スクした状態で、両内表面部R5、R6(又はR4)を
ラビング方向Q2(又はQ1)の方向にラビングしても
よい。 (第2実施形態)次に、本発明の第2実施形態を、図6
に基づいて説明する。
On the other hand, in the first rubbing step S2, the inner surface 20A of the electrode substrate 20 is entirely rubbed in the rubbing direction Q1.
After rubbing in the direction of (or Q2), in the second rubbing step S3, both inner surface portions R5, R6 (or R4) are rubbed in the rubbing direction Q2 (with the inner surface portion R4 (or R5, R6) masked). Alternatively, rubbing may be performed in the direction of Q1). (Second Embodiment) Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
It will be described based on.

【0027】この第2実施形態では、液晶セルが、上記
第1実施形態にて述べた製造方法に代えて、図6にて示
す製造方法により製造される。上記第1実施形態と同様
に、両電極基板形成工程S1にて両電極基板10、20
を形成した後、第1レジスト塗布工程S9にて、電極基
板10の内表面10A全体に亘りフォトレジストを塗布
して、フォトレジスト層を形成する。一方、電極基板2
0の内表面20A全体に亘りフォトレジストを塗布し
て、フォトレジスト層を形成する。
In the second embodiment, the liquid crystal cell is manufactured by the manufacturing method shown in FIG. 6 instead of the manufacturing method described in the first embodiment. As in the first embodiment, both electrode substrates 10 and 20 are formed in the both electrode substrate forming step S1.
Is formed, in a first resist application step S9, a photoresist is applied over the entire inner surface 10A of the electrode substrate 10 to form a photoresist layer. On the other hand, the electrode substrate 2
A photoresist is applied over the entire inner surface 20A of the “0” to form a photoresist layer.

【0028】ついで、第1露光現像工程S10におい
て、電極基板10のフォトレジスト層のうち両内表面部
R2、R3に対応する層部分を残すように、このフォト
レジスト層の残りの層部分(内表面部R1に対応する層
部分)を露光現像により除去する。一方、電極基板20
のフォトレジスト層のうち両内表面部R5、R6に対応
する層部分を残すように、このフォトレジスト層の残り
の層部分(内表面部R4に対応する層部分)を露光現像
により除去する。
Next, in the first exposure and development step S10, the remaining layer portions of the photoresist layer of the electrode substrate 10 are left so that the layer portions corresponding to both inner surface portions R2 and R3 are left. The layer portion corresponding to the surface portion R1) is removed by exposure and development. On the other hand, the electrode substrate 20
The remaining layer portion of this photoresist layer (the layer portion corresponding to the inner surface portion R4) is removed by exposure and development so that the layer portions corresponding to both inner surface portions R5 and R6 of the photoresist layer are left.

【0029】ついで、第1ラビング工程S11におい
て、電極基板10の内表面10Aの全体に亘りラビング
方向P1に沿いラビングすることにより配向処理を施
す。この場合、両内表面部R2、R3のみがフォトレジ
スト層により覆われているため、内表面部R1のみがラ
ビング方向P1に沿いラビングされる。一方、電極基板
20の内表面20Aの全体に亘りラビング方向Q1に沿
いラビングを施す。この場合、両内表面部R5、R6の
みがフォトレジスト層により覆われている。このため、
内表面部R4のみがラビング方向Q1に沿いラビングさ
れる。
Next, in a first rubbing step S11, an alignment treatment is performed by rubbing the entire inner surface 10A of the electrode substrate 10 along the rubbing direction P1. In this case, since only the inner surface portions R2 and R3 are covered with the photoresist layer, only the inner surface portion R1 is rubbed along the rubbing direction P1. On the other hand, rubbing is performed along the rubbing direction Q1 over the entire inner surface 20A of the electrode substrate 20. In this case, only the inner surface portions R5 and R6 are covered with the photoresist layer. For this reason,
Only the inner surface portion R4 is rubbed along the rubbing direction Q1.

【0030】然る後、第1剥離洗浄工程S12におい
て、電極基板10の内表面部R2、R3上のフォトレジ
スト層を剥離するとともに、電極基板20の内表面部R
5、R6上のフォトレジスト層を剥離して、両電極基板
10、20を洗浄する。次に、第2レジスト塗布工程S
13において、電極基板10の内表面10A全体に亘り
フォトレジストを塗布して、フォトレジスト層を形成す
る。一方、電極基板20の内表面20A全体に亘りフォ
トレジストを塗布して、フォトレジスト層を形成する。
Thereafter, in a first peeling and cleaning step S12, the photoresist layers on the inner surface portions R2 and R3 of the electrode substrate 10 are peeled off and the inner surface portion R of the electrode substrate 20 is removed.
5. The photoresist layer on R6 is peeled off, and both electrode substrates 10 and 20 are washed. Next, a second resist coating step S
At 13, a photoresist is applied over the entire inner surface 10A of the electrode substrate 10 to form a photoresist layer. On the other hand, a photoresist is applied over the entire inner surface 20A of the electrode substrate 20 to form a photoresist layer.

【0031】ついで、第2露光現像工程S14におい
て、電極基板10のフォトレジスト層のうち内表面部R
1に対応する層部分を残すように、このフォトレジスト
層の残りの層部分(両内表面部R2、R3に対応する層
部分)を露光現像により除去する。一方、電極基板20
のフォトレジスト層のうち内表面部R4に対応する層部
分を残すように、このフォトレジスト層の残りの層部分
(両内表面部R5、R6に対応する層部分)を露光現像
により除去する。
Next, in the second exposure and development step S14, the inner surface portion R of the photoresist layer of the electrode substrate 10 is formed.
The remaining layer portion of this photoresist layer (layer portion corresponding to both inner surface portions R2 and R3) is removed by exposure and development so that the layer portion corresponding to No. 1 remains. On the other hand, the electrode substrate 20
The remaining layer portions of the photoresist layer (layer portions corresponding to both inner surface portions R5 and R6) are removed by exposure and development so that the layer portion corresponding to the inner surface portion R4 of the photoresist layer is left.

【0032】ついで、第2ラビング工程S15におい
て、電極基板10の内表面10Aの全体に亘りラビング
方向P2に沿いラビング処理を施す。この場合、内表面
部R1のみがフォトレジスト層により覆われているた
め、両内表面部R2、R3のみがラビング方向P2に沿
いラビングされる。一方、電極基板20の内表面20A
の全体に亘りラビング方向Q2にラビング処理を施す。
この場合、内表面部R4のみがフォトレジスト層により
覆われているため、両内表面部R5、R6のみがラビン
グ方向Q2にラビングされる。
Next, in a second rubbing step S15, a rubbing process is performed along the rubbing direction P2 over the entire inner surface 10A of the electrode substrate 10. In this case, since only the inner surface portion R1 is covered with the photoresist layer, only the inner surface portions R2 and R3 are rubbed along the rubbing direction P2. On the other hand, the inner surface 20A of the electrode substrate 20
Is subjected to a rubbing process in the rubbing direction Q2 over the entirety of.
In this case, since only the inner surface portion R4 is covered with the photoresist layer, only the inner surface portions R5 and R6 are rubbed in the rubbing direction Q2.

【0033】然る後、第2剥離洗浄工程S16におい
て、電極基板10の内表面部R1上のフォトレジスト層
を剥離するとともに、電極基板20の内表面部R4上の
フォトレジスト層を剥離して、両電極基板10、20を
洗浄する。なお、その後の処理は、上記第1実施形態と
同様である。このように、上記第1実施形態にて述べた
薄板に代えて、フォトレジスト層を採用しても、上記第
1実施形態と同様の作用効果を達成できる。
Thereafter, in a second stripping and cleaning step S16, the photoresist layer on the inner surface R1 of the electrode substrate 10 is stripped, and the photoresist layer on the inner surface R4 of the electrode substrate 20 is stripped. Then, both electrode substrates 10 and 20 are cleaned. The subsequent processing is the same as in the first embodiment. As described above, even if a photoresist layer is used instead of the thin plate described in the first embodiment, the same operation and effect as in the first embodiment can be achieved.

【0034】なお、上記第2実施形態では、第1レジス
ト塗布工程S9乃至第1剥離洗浄工程S12の処理後に
第2レジスト塗布工程S13乃至第2剥離洗浄工程S1
6の処理を行う例について説明したが、これに代えて、
第2レジスト塗布工程S13乃至第2剥離洗浄工程S1
6の処理後に第1レジスト塗布工程S9乃至第1剥離洗
浄工程S12の処理を行うようにしても、上記第2実施
形態と同様の作用効果を達成できる。
In the second embodiment, after the first resist coating step S9 to the first strip cleaning step S12, the second resist coating step S13 to the second strip cleaning step S1 are performed.
Although the example of performing the processing of No. 6 has been described, instead of this,
Second resist coating step S13 to second peeling cleaning step S1
Even if the processing of the first resist coating step S9 to the first peeling and cleaning step S12 is performed after the processing of step 6, the same operation and effect as in the second embodiment can be achieved.

【0035】図7は、上記第2実施形態の変形例を示し
ている。この変形例では、図6にて述べた第1レジスト
塗布工程S9乃至第2剥離洗浄工程S16が、図7にて
示すごとく、第1ラビング工程S17乃至剥離洗浄工程
S21に変更されている。しかして、この変形例では、
上記第2実施形態と同様に、電極基板形成工程S1にお
ける処理後、第1ラビング工程S17において、電極基
板10の内表面10A全体をラビング方向P1に沿いラ
ビングする。一方、電極基板20の内表面20A全体を
ラビング方向Q1に沿いラビングする。
FIG. 7 shows a modification of the second embodiment. In this modification, the first resist coating step S9 to the second peeling / cleaning step S16 described in FIG. 6 are changed to the first rubbing step S17 to the peeling / cleaning step S21 as shown in FIG. Thus, in this variation,
As in the second embodiment, after the processing in the electrode substrate forming step S1, in the first rubbing step S17, the entire inner surface 10A of the electrode substrate 10 is rubbed in the rubbing direction P1. On the other hand, the entire inner surface 20A of the electrode substrate 20 is rubbed along the rubbing direction Q1.

【0036】次に、レジスト塗布工程S18において、
電極基板10の内表面10A及び電極基板20の内表面
20Aの両全体に亘り、それぞれ、フォトレジストを塗
布してフォトレジスト層を形成する。その後、露光現像
工程S19において、電極基板10のフォトレジスト層
のうち内表面部R1に対応する層部分を残すようにし
て、残りの層部分(両内表面部R2、R3に対応する層
部分)を露光現像により除去する。
Next, in a resist coating step S18,
A photoresist is applied to the entire inner surface 10A of the electrode substrate 10 and the entire inner surface 20A of the electrode substrate 20, thereby forming a photoresist layer. Thereafter, in the exposure and development step S19, the layer portion corresponding to the inner surface portion R1 of the photoresist layer of the electrode substrate 10 is left so as to leave the remaining layer portion (the layer portion corresponding to both inner surface portions R2 and R3). Is removed by exposure and development.

【0037】一方、電極基板20のフォトレジスト層の
うち内表面部R4に対応する層部分を残すようにして、
残りの層部分(両内表面部R5、R6に対応する層部
分)を露光現像により除去する。そして、第2ラビング
工程S20において、電極基板10の両内表面部R2、
R3をラビング方向P2に沿いラビングし、一方、電極
基板20の両内表面部R5、R6をラビング方向Q2に
沿いラビングする。
On the other hand, a layer portion of the photoresist layer of the electrode substrate 20 corresponding to the inner surface portion R4 is left,
The remaining layer portions (layer portions corresponding to both inner surface portions R5 and R6) are removed by exposure and development. Then, in the second rubbing step S20, both inner surface portions R2 of the electrode substrate 10 are formed.
R3 is rubbed along the rubbing direction P2, while both inner surface portions R5 and R6 of the electrode substrate 20 are rubbed along the rubbing direction Q2.

【0038】ついで、剥離工程S21において、両電極
基板10、20のフォトレジスト層を剥離する。これに
より、上記第2実施形態にて述べた工程をさらに簡単に
しつつ当該第2実施形態と同様の作用効果を達成でき
る。なお、上記変形例では、第1ラビング工程S17に
おいて、電極基板10の内表面10A全体及び電極基板
20の内表面20A全体を、それぞれ、ラビング方向P
1及びQ1に沿いラビングするようにしたが、これに代
えて、電極基板10の内表面10A全体及び電極基板2
0の内表面20A全体を、それぞれ、ラビング方向P2
及びQ2に沿いラビングするようにして実施してもよ
い。
Next, in a stripping step S21, the photoresist layers of both electrode substrates 10 and 20 are stripped. This makes it possible to achieve the same functions and effects as those of the second embodiment while further simplifying the steps described in the second embodiment. In the modification, in the first rubbing step S17, the entire inner surface 10A of the electrode substrate 10 and the entire inner surface 20A of the electrode substrate 20 are respectively moved in the rubbing direction P.
1 and Q1, but instead of this, the entire inner surface 10A of the electrode substrate 10 and the electrode substrate 2
0 in the entire rubbing direction P2.
And rubbing along Q2.

【0039】これに伴い、露光現像工程S19におい
て、電極基板10のフォトレジスト層のうち両内表面部
R2、R3に対応する層部分を残すようにして、残りの
層部分(内表面部R1に対応する層部分)を露光現像に
より除去する。一方、電極基板20のフォトレジスト層
のうちに両内表面部R5、R6に対応する層部分を残す
ようにして、残りの層部分(内表面部R4に対応する層
部分)を露光現像により除去する。
Accordingly, in the exposure and development step S19, the layer portions corresponding to both inner surface portions R2 and R3 of the photoresist layer of the electrode substrate 10 are left, and the remaining layer portions (the inner surface portion R1 are removed). The corresponding layer portion) is removed by exposure and development. On the other hand, a layer portion corresponding to both inner surface portions R5 and R6 is left in the photoresist layer of the electrode substrate 20, and the remaining layer portion (layer portion corresponding to the inner surface portion R4) is removed by exposure and development. I do.

【0040】そして、第2ラビング工程S20におい
て、電極基板10の内表面部R1をラビング方向P1に
沿いラビングし、一方、電極基板20の内表面部R4を
ラビング方向Q1に沿いラビングする。これによって
も、上記変形例と同様の作用効果を達成できる。なお、
本発明の実施にあたり、スメクチック液晶60は、注入
法によるのではなく、両電極基板10、20を重ね合わ
せる前に、両電極基板10、20の一方の内表面にスメ
クチック液晶を滴下した後、重ね合わせ工程S6の処理
に移行するようにしても、上記実施形態と同様の作用効
果を達成できる。
Then, in the second rubbing step S20, the inner surface portion R1 of the electrode substrate 10 is rubbed along the rubbing direction P1, while the inner surface portion R4 of the electrode substrate 20 is rubbed along the rubbing direction Q1. This also achieves the same operation and effect as the above-described modification. In addition,
In carrying out the present invention, the smectic liquid crystal 60 is formed not by the injection method but by dropping the smectic liquid crystal on one inner surface of the electrode substrates 10 and 20 before the electrode substrates 10 and 20 are overlapped. Even if the process shifts to the process of the matching step S6, the same operation and effect as the above embodiment can be achieved.

【0041】また、上記各実施形態では、両ラビング方
向P1、P2と両ラビング方向Q1、Q2とが互いに直
交する例について説明したが、これに限らず、両ラビン
グ方向P1、P2と両ラビング方向Q1、Q2とが互い
に交差しておれば、上記各実施形態と同様の作用効果を
達成できる。また、上記各実施形態では、両内表面部R
1、R4をそれぞれ同一方向にラビングするようにした
が、これに代えて、両内表面部R1、R4のうち各四角
領域Daの両側部を、四角領域Daにおけるラビング方
向に直交する方向にラビングするようにしてもよい。
In each of the above embodiments, an example has been described in which both rubbing directions P1, P2 and both rubbing directions Q1, Q2 are orthogonal to each other. However, the present invention is not limited to this. If Q1 and Q2 intersect with each other, the same operation and effect as the above embodiments can be achieved. In each of the above embodiments, both inner surface portions R
1 and R4 were rubbed in the same direction, but instead of this, both sides of each square region Da of both inner surface portions R1 and R4 were rubbed in a direction orthogonal to the rubbing direction in the square region Da. You may make it.

【0042】また、上記各実施形態では、両電極基板1
0、20を重ね合わせたとき、両ラビング方向P1、Q
1が互いに逆方向になるとともに両ラビング方向P2、
Q2が互いに逆方向になるようにして例について説明し
たが、これに代えて、両ラビング方向P1、Q1がとも
に同一方向になるとともに両ラビング方向P2、Q2が
共に同一方向になるように実施してもよい。
In each of the above embodiments, both electrode substrates 1
When 0 and 20 are overlapped, both rubbing directions P1 and Q
1 are opposite to each other and both rubbing directions P2,
Although the example has been described in which Q2 is in the opposite direction to each other, instead, the rubbing directions P1 and Q1 are both in the same direction and both rubbing directions P2 and Q2 are in the same direction. You may.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る液晶セルの概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a liquid crystal cell according to the present invention.

【図2】同液晶セルの平面図である。FIG. 2 is a plan view of the liquid crystal cell.

【図3】図1の液晶セルの製造方法を示す工程図であ
る。
FIG. 3 is a process chart showing a method for manufacturing the liquid crystal cell of FIG.

【図4】図1の電極基板10の内表面をラビング方向と
の関連で示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing an inner surface of the electrode substrate 10 of FIG. 1 in relation to a rubbing direction.

【図5】図1の電極基板20の内表面をラビング方向と
の関連で示す平面図である。
FIG. 5 is a plan view showing an inner surface of the electrode substrate 20 of FIG. 1 in relation to a rubbing direction.

【図6】本発明の第2実施形態を示す工程図である。FIG. 6 is a process chart showing a second embodiment of the present invention.

【図7】同第2実施形態の変形例を示す工程図である。FIG. 7 is a process chart showing a modification of the second embodiment.

【図8】従来の液晶セルにおけるスメクチック液晶の配
向欠陥のできる状況を示す電極基板の平面図である。
FIG. 8 is a plan view of an electrode substrate showing a situation where an alignment defect of a smectic liquid crystal occurs in a conventional liquid crystal cell.

【図9】図8の液晶セルにおいてスメクチック液晶の層
方向とラビング方向との関係を説明するための部分平面
図である。
9 is a partial plan view for explaining a relationship between a layer direction of a smectic liquid crystal and a rubbing direction in the liquid crystal cell of FIG.

【図10】図9の液晶セルにおいてスメクチック液晶の
層に配向欠陥ができる状況を説明するための部分平面図
である。
FIG. 10 is a partial plan view for explaining a situation where an alignment defect occurs in a smectic liquid crystal layer in the liquid crystal cell of FIG. 9;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10、20…電極基板、10A、20A…内表面、30
…シール、R1乃至R6…内表面部。
10, 20 ... electrode substrate, 10A, 20A ... inner surface, 30
... seal, R1 to R6 ... inner surface part.

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 環状シール(30)を介し重ね合わせた
両電極基板(10、20)と、 これら両電極基板の間に上記シールの内側に封入したス
メクチック液晶(60)とを備える液晶セルにおいて、 前記スメクチック液晶を介し互いに対向する前記両電極
基板の各内表面(10A、20A)のうち前記両電極基
板の四角状表示領域(D)に対応する四角状内表面部
(R1、R4)が、それぞれ、一方向(P1、Q1)に
配向処理されており、 前記両電極基板の各内表面のうち前記四角状内表面部の
外側に位置する環状内表面部(R2、R3、R1、R
5、R6、R4)が、少なくとも前記四角状内表面部の
配向処理方向に並行な領域にて、この配向処理方向と交
差する方向(P2、Q2)に配向処理されていることを
特徴とする液晶セル。
1. A liquid crystal cell comprising two electrode substrates (10, 20) superposed via an annular seal (30), and a smectic liquid crystal (60) sealed between the two electrode substrates inside the seal. Among the inner surfaces (10A, 20A) of the two electrode substrates facing each other via the smectic liquid crystal, square inner surface portions (R1, R4) corresponding to the square display regions (D) of the two electrode substrates are formed. , Each of which has been subjected to orientation treatment in one direction (P1, Q1), and among the inner surfaces of the two electrode substrates, annular inner surface portions (R2, R3, R1, R1) located outside the square inner surface portion.
5, R6, R4) are oriented at least in a region (P2, Q2) intersecting the orientation direction in a region parallel to the orientation direction of the square inner surface portion. Liquid crystal cell.
【請求項2】 前記環状内表面部が、前記四角状内表面
部の配向処理方向に並行な領域にて、この配向処理方向
と直交して配向処理されていることを特徴とする請求項
1に記載の液晶セル。
2. The method according to claim 1, wherein the annular inner surface portion is subjected to an orientation process orthogonal to the orientation process direction in a region of the square inner surface portion parallel to the orientation process direction. 3. The liquid crystal cell according to 1.
【請求項3】 前記両電極基板の各四角状内表面部が、
それぞれ、配向膜(12、22)により形成されてお
り、 これら各配向膜が、前記各環状内表面部の少なくとも一
部をも形成していることを特徴とする請求項1又は2に
記載の液晶セル。
3. The rectangular inner surface of each of the two electrode substrates,
3. The method according to claim 1, wherein each of the alignment films is formed by an alignment film, and each of the alignment films also forms at least a part of each of the annular inner surface portions. 4. Liquid crystal cell.
【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか一つに記載の
前記両電極基板の各内表面を、前記各環状内表面部のう
ち少なくとも前記四角状内表面部の配向処理方向(P
1、Q1)に並行な領域(R2、R3、R5、R6)を
第1薄層により順次マスクした状態で、前記一方向に配
向処理する工程(S2、S9乃至S12)と、 前記両電極基板の各内表面を、前記各環状内表面部のう
ち少なくとも前記四角状内表面部の配向処理方向に並行
な領域以外の各領域(R1、R4)を第2薄層により順
次マスクした状態にて、前記交差する方向に配向処理す
る工程(S3、S13乃至S16))とからなる液晶セ
ルの配向処理方法。
4. The orientation processing direction (P) of at least the square inner surface portion of each of the annular inner surface portions, wherein each of the inner surfaces of the two electrode substrates according to any one of claims 1 to 3 is aligned.
A step (S2, S9 to S12) of aligning in one direction while regions (R2, R3, R5, R6) parallel to (1, Q1) are sequentially masked by a first thin layer; In the state where at least each region (R1, R4) of the respective annular inner surface portions other than the region parallel to the orientation processing direction of the square inner surface portion is sequentially masked by the second thin layer. And a step (S3, S13 to S16) of performing an alignment process in the intersecting direction.
【請求項5】 請求項1に記載の前記両電極基板の各内
表面を、その全面に亘り、前記一方向(P1、Q1)又
は前記交差する方向(P2、Q2)に順次配向処理する
工程(17)と、 この工程後、前記各環状内表面部のうち少なくとも前記
四角状内表面部の配向処理方向に並行な領域(R2、R
3、R5、R6)又はこの領域以外の各領域(R1、R
4)を、薄層により順次マスクした状態にて、前記両電
極基板の各内表面を、前記交差する方向又は前記一方向
に配向処理する工程(S18乃至S21)とからなる液
晶セルの配向処理方法。
5. A process for sequentially aligning the inner surfaces of the two electrode substrates according to claim 1 in the one direction (P1, Q1) or the intersecting directions (P2, Q2) over the entire surface. (17) After this step, regions (R2, R2) of at least the rectangular inner surface portions of the respective annular inner surface portions that are parallel to the orientation processing direction.
3, R5, R6) or each region other than this region (R1, R5
And (4) aligning each inner surface of the two electrode substrates in the intersecting direction or the one direction in a state where (4) is sequentially masked by a thin layer (S18 to S21). Method.
【請求項6】 前記交差する方向は、前記一方向に直交
する方向であることを特徴とする請求項4又は5に記載
の液晶セルの配向処理方法。
6. The method according to claim 4, wherein the intersecting direction is a direction orthogonal to the one direction.
【請求項7】 前記薄層は、0.03mm乃至0.2m
mの範囲の板厚を有するステンレス鋼板及びポリエステ
ルフィルムの一方であることを特徴とする請求項4乃至
6のいずれか一つに記載の液晶セルの配向処理方法。
7. The thin layer has a thickness of 0.03 mm to 0.2 m.
The method according to any one of claims 4 to 6, wherein the liquid crystal cell is one of a stainless steel plate and a polyester film having a plate thickness in the range of m.
【請求項8】 前記薄層は、フォトレジスト層であるこ
とを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一つに記載の
液晶セルの配向処理方法。
8. The method according to claim 4, wherein the thin layer is a photoresist layer.
【請求項9】 前記各電極基板の四角状内表面部と環状
内表面部との間には、約0.5mmの幅の環状境界領域
が設けられていることを特徴とする請求項4乃至8のい
ずれか一つの記載の液晶セルの配向処理方法。
9. An annular boundary region having a width of about 0.5 mm is provided between the square inner surface and the annular inner surface of each of the electrode substrates. 9. The method for aligning a liquid crystal cell according to any one of 8.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006098002A1 (en) * 2005-03-15 2006-09-21 Fujitsu Limited Liquid crystal display and orientation method
JPWO2006098002A1 (en) * 2005-03-15 2008-08-21 富士通株式会社 Liquid crystal display device and alignment treatment method
KR100948326B1 (en) * 2005-03-15 2010-03-17 후지쯔 가부시끼가이샤 Liquid crystal display and orientation method
US7764346B2 (en) 2005-03-15 2010-07-27 Fujitsu Limited Liquid crystal display device and orientation processing method
JP4578521B2 (en) * 2005-03-15 2010-11-10 富士通株式会社 Liquid crystal display device and alignment treatment method

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