JPH1041337A

JPH1041337A - 実装基板の製造方法およびその実装構造

Info

Publication number: JPH1041337A
Application number: JP8197188A
Authority: JP
Inventors: 渉 ▲高▼橋; Wataru Takahashi; Toshimitsu Yamashita; 俊光山下; Susumu Ozawa; 進小澤; Yuuko Kitayama; 憂子北山
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1996-07-26
Filing date: 1996-07-26
Publication date: 1998-02-13

Abstract

(57)【要約】【課題】長期間の連続的、あるいは断続的な高湿度環
境でも、高い耐湿性を図り得る実装基板の製造方法およ
びその実装構造を提供する。【解決手段】ガラスエポキシ基板１１上にチップ１６
を封入樹脂１４を用いたフェイスダウンにより実装する
基板として、予めガラスエポキシ基板１１を高温乾燥雰
囲気でバーンインし、耐湿性樹脂１３をコートした後、
前記ガラスエポキシ基板１１の切断面や穴壁などの前記
耐湿性樹脂１３がコートされてなかった個所にも耐湿性
樹脂１３をコートしたものを用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＥＤプリンタヘ
ッドなどの電子部品における実装基板の製造方法および
その実装構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、樹脂を用いた半導体装置のフェイ
スダウン実装構造としては、例えば、「日経マイクロデ
バイス」 ’８９年７月号、Ｐ４３〜６５にも記載され
ている通り、種々のものが開発されている。以下、代表
的なフェイスダウン実装方法について説明する。

【０００３】（ａ）マイクロバンプ実装の構造図１２に示すように、この構造は上側デバイス１１１の
突起電極（以下バンプ電極という）１１２と、下側デバ
イス１１３の電極１１４を接触させて接続をとり、封入
した樹脂１１５で接続部を固定するようにしている。こ
の構造では電極同士を直接接続するため、接続ピッチを
非常に細かくすることができる。

【０００４】しかし、この実装方法で良好な接続を得る
ためには、両電極が比較的クリーンな状態で酸化膜など
の障害がないこと、特に、バンプ電極１１２の高さのば
らつきが比較的小さいことが必要である。また、接続の
信頼性は、接続を固定している硬化した封入樹脂１１５
の特性に依存する。

【０００５】（ｂ）異方導電性フィルム（以下ＡＣＦと
いう）を用いたフェイスダウン実装の構造図１３に示すように、この構造は上記した封入樹脂１１
５の代わりに、ベース樹脂中に適度な濃度の導電性粒子
１２１を均一に分散したＡＣＦ１２２を用いたものであ
る。

【０００６】その接続は、ＡＣＦ１２２中の導電性粒子
１２１のうち、下側デバイス１２５のアルミニウム電極
１２６と、上側デバイス１２３の金バンプ電極１２４の
間に存在する導電性粒子１２１のみが両電極にめり込ん
で達成される。マイクロバンプ実装ほど接続ピッチを細
かくするのは容易ではないが、この導電性粒子１２１が
めり込むことにより、金バンプ電極１２４あるいはアル
ミニウム電極１２６に薄い酸化膜や若干の汚れ等の障害
があっても、これらの導電を阻害する膜が導電性粒子１
２１によって突き破られ接続が得られるという利点があ
る。

【０００７】いずれの方法もシンプルなプロセスで多数
の電極を同時に接続できるために、接続コストが比較的
安くプロセススピードも速いというメリットがある。ま
た、電極をデバイス１２３，１２５内部にも設けること
ができるため、高密度実装が可能であり、特にマイクロ
バンプ実装法ではファインピッチ化も容易である。

【０００８】更に、ＡＣＦを用いた接続の場合、導電性
粒子がそれぞれの電極にめり込むため、接続できる電極
材料を広く選べるなどの利点がある。その場合の接続の
信頼性は、いずれの方式でも樹脂の接着力で接続の保持
をする構造であるため、樹脂硬化物の特性が大きく接続
信頼性に影響する。接続信頼性評価項目としては、耐高
温／低温特性、耐熱衝撃性、耐湿性、耐振動性などの項
目があるが、接続の信頼性が封入樹脂の特性に影響され
る構造であるので、湿度による樹脂の膨潤、すなわち耐
湿性が大きな問題となる。

【０００９】このような構造で耐湿性を向上させるため
の方法として、比較的簡単にできる一般的な方法は、図
１４に示すように、封入樹脂そのものを耐湿性の樹脂を
用いること及び半導体装置を耐湿性の樹脂１３１でコー
トし、実装部側面からの水分の浸入を防ぐようにするこ
とである。図１５はチップコーティングの有無による高
温／高湿環境保持時間に対する接続抵抗特性図である。

【００１０】図中、ａはチップコーティングありの場
合、ｂはチップコーティングなしの場合を示している。
この図から明らかなように、側面からの水分の浸入はか
なり低減され、耐湿性は向上していることは明らかであ
る。とりわけ、半導体装置を耐湿性樹脂でコートする方
法は、封入樹脂に耐湿性を求めるわけではないので、封
入樹脂の種類を広く選択できることになる。

【００１１】これにより、例えば、高密度実装時、問題
となる絶縁耐圧の向上、導電性粒子の分散性の向上等の
他に、封入樹脂に比較的低温で軟化し易いアクリル樹脂
などを用い、耐湿性樹脂のコーティングを行う前に検査
を行い、不良チップは交換するなどのリペア性の向上が
図れるなど、耐湿性の向上の他の対策を講じ易くなるな
どの利点がある。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
装置とガラスエポキシ基板の組み合わせでは、上記の対
策を施しても長期間高湿度環境に晒された場合、図１６
に示すように、かなり時間が立ってから接続部の抵抗が
上昇したり、接続オープンが発生したりすることがあ
る。

【００１３】これは、ガラスエポキシ基板そのものから
の水分の浸入のためであり、浸入した水分が時間をかけ
て封入樹脂やＡＣＦに到達し、これらを膨潤させたため
である。ガラスエポキシ基板は、図１７に示すように、
ガラス繊維によるクロス（布）にエポキシ樹脂を浸透さ
せ、成形・硬化させたものである。

【００１４】従って、その後切断された側面１６１、穴
をあけた場合は、穴の壁面ではソルダーレジスト１６２
でカバーされておらず、ガラス繊維とエポキシ樹脂の界
面がむき出しになっている。よって、水分はほとんどこ
れらの面から浸透する。これらのガラスエポキシ基板内
部へ浸透した水分は、ガラス繊維の毛管現象及び（両面
基板・多層基板の場合は）基板両面にコーティングされ
た耐湿性のエポキシ樹脂等により保護されるので、外部
環境が乾燥状態となっても保持される。

【００１５】このように、ガラスエポキシ基板内部に長
時間水分が保持された状態では、例えばソルダーレジス
ト１６２が耐湿性のものであっても、水分の浸透が徐々
に進行し、やがて接続部の封入樹脂１６３に到達するた
め、図１６に示したように、ある一定時間経過してから
不具合になる。とりわけ、例えば耐湿性の低いアクリル
樹脂を封入樹脂１６３に、コーティング樹脂１６４に耐
湿性の高いエポキシ樹脂を用いている場合は、封入樹脂
１６３を膨潤させた水分が、耐湿性の高いコーティング
樹脂１６４とソルダーレジスト１６２に囲まれて逃げ場
がなくなってしまい、かえって不良発生を助長する結果
となってしまう。

【００１６】また、図１８に示すように、ガラスエポキ
シ基板構造が多層である場合に、ガラスエポキシ基板１
７１内で対向している電極１７２，１７３，１７４間に
水分が存在することは、絶縁性にも大きな影響を与える
ことがある。したがって、より厳しい耐湿性が要求され
る場合、どのような耐湿性の高い樹脂をコートに使って
いても、従来の方法では望ましい耐湿性の改善は得られ
なかった。

【００１７】すなわち、図１９に示すように、封入樹脂
の相違による高温／高湿試験時の接続抵抗値の比較を行
った結果、ａは封入樹脂がエポキシ樹脂で、チップコー
トもエポキシ樹脂の場合、ｂは封入樹脂がアクリル樹脂
で、チップコートはエポキシ樹脂の場合であり、ある一
定時間経過してからのガラスエポキシ基板内水分による
膨潤が見られる。

【００１８】また、図２０に示すように、チップコーテ
ィングの有無による高温／高湿試験時の接続抵抗値の比
較（封入樹脂はアクリル樹脂）の場合、ａはチップコー
トありの場合、ｂはチップコートなしの場合を示してお
り、チップコートなしのｂの場合は、初期の段階から不
具合になるが、チップコートありのａの場合は、ある一
定時間経過してからのガラスエポキシ基板内水分による
膨潤が見られる。

【００１９】更に、図２１に示すように、チップコーテ
ィングの有無による高温／高湿試験時の接続抵抗値の比
較の場合、チップコートなしのｂの場合は、初期の段階
から接続オープン数が生じて漸次多くなるが、チップコ
ートありのａの場合（封入樹脂はアクリル樹脂）は、あ
る一定時間経過してから接続オープン数が急激に多くな
っていることがわかる。

【００２０】本発明は、上記問題点を除去し、長期間の
連続的、あるいは断続的な高湿度環境でも、高い耐湿性
を図り得る実装基板の製造方法およびその実装構造を提
供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、（１）ガラスエポキシ基板上に半導体装置を樹脂を用い
たフェイスダウンにより実装する実装基板の製造方法に
おいて、予めガラスエポキシ基板を高温乾燥雰囲気でバ
ーンインする工程と、耐湿性樹脂をコートする工程と、
前記ガラスエポキシ基板の切断面や穴壁などの前記耐湿
性樹脂がコートされていない個所に耐湿性樹脂をコート
する工程とを施すようにしたものである。

【００２２】（２）ガラスエポキシ基板上に半導体装置
を樹脂を用いたフェイスダウンにより実装する実装基板
の製造方法において、前記半導体装置が実装される側の
ガラスエポキシ基板の表面に耐湿性樹脂をコートする工
程と、前記ガラスエポキシ基板を高温乾燥雰囲気でバー
ンインする工程とを施すようにしたものである。（３）上記（２）記載の実装基板の製造方法において、
前記ガラスエポキシ基板の最上層以外の配線パターンを
メッシュ状にし、前記ガラスエポキシ基板の裏面の配線
部は耐湿性樹脂でコーティングを行わないか、電極部の
みに耐湿性樹脂をコーティングするようにしたものであ
る。

【００２３】（４）上記（１）、（２）又は（３）記載
の実装基板の製造方法において、前記耐湿性樹脂はソル
ダーレジストである。（５）半導体装置の実装構造において、予めガラスエポ
キシ基板を高温乾燥雰囲気でバーンインし、耐湿性樹脂
をコートし、前記ガラスエポキシ基板の切断面や穴壁な
どの前記耐湿性樹脂がコートされていない個所に耐湿性
樹脂をコートした実装基板と、この実装基板上に樹脂を
用いたフェイスダウンにより実装する半導体装置と、こ
の半導体装置をコーティングする耐湿性樹脂を設けるよ
うにしたものである。

【００２４】（６）半導体装置の実装構造において、前
記半導体装置が実装される側の表面に耐湿性樹脂をコー
トし、ガラスエポキシ基板を高温乾燥雰囲気でバーンイ
ンした実装基板と、この実装基板上に樹脂を用いたフェ
イスダウンにより実装する半導体装置と、この半導体装
置をコーティングする耐湿性樹脂を設けるようにしたも
のである。

【００２５】上記のように、（Ａ）予めガラスエポキシ基板を高温乾燥雰囲気でバー
ンインすることにより、ガラスエポキシ基板内部の水分
を除去し、その切断面や穴壁などの個所に耐湿性樹脂を
コートし、水分の浸入が起こり易い面がないようにする
ことにより、水分の浸入をブロックし、特に連続的な湿
度の負荷に対し、耐湿性を向上させることができる。

【００２６】（Ｂ）両面基板あるいは多層基板の最上層
以外の配線パターンをメッシュ状にし、ガラスエポキシ
基板の裏面の配線部は耐湿性樹脂のコーティングを行わ
ないか、電極部のみに耐湿性樹脂をコーティングするよ
うにし、実装面以外にできるだけ水分の蒸散がしやすい
部分を広く形成することにより、特に温湿度サイクル試
験などの断続的な湿度の負荷に対し、耐湿性を向上させ
ることができる。

【００２７】（Ｃ）実装基板側から封入樹脂への水分の
浸入がなく、温湿度サイクル試験などの断続的な湿度の
負荷に対しても、接続オープンが生じることがない信頼
性の高い半導体装置の実装構造を得ることができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明の第１
実施例を示す半導体装置の実装構造断面図である。この
図に示すように、ガラスエポキシ基板１１の接続部１２
以外の露出している面は、ソルダーレジストを含んだ耐
湿性樹脂１３で被覆されており、ガラスエポキシ基板１
１内部に外部からの水分の浸入が起こり難い構造となっ
ている。これに加え、フェイスダウンチップ１６（半導
体装置）実装部側面も、封入樹脂１４そのものが耐湿性
を持っているが、更に耐湿性のコーティング樹脂１５で
被覆されているので、やはり水分の浸透が起こり難い。
これら２つのことから、実装部樹脂の膨潤による接続不
良は起こり難い。

【００２９】次に、本発明の第１実施例の実装基板の製
造方法について、図２，図３を参照しながら説明する。（１）まず、図２（ａ）に示すように、チップ実装の前
にガラスエポキシ基板２１を１８０℃ドライ窒素雰囲気
で１時間放置する。これにより、ガラスエポキシ基板２
１内部に存在する水分を除去する。

【００３０】（２）再度の吸湿を抑えるために、前プロ
セスから１５分以内にガラスエポキシ基板側面２２、す
なわち切断面全面に耐湿性樹脂２３をコートする。もし
ガラスエポキシ基板２１内部に穴２４があり、スルーホ
ール２５などのようにメッキ膜などで覆われている穴で
なければ、そこにも耐湿性樹脂２３をコーティングする
必要がある。

【００３１】コーティングの方法としては、例として以
下のようなものがある。まず、図２（ｂ）に示すよう
に、ガラスエポキシ基板２１を、上／下のツール２６で
挟み回転させながら、ノズル２７から耐湿性樹脂２３を
放出し、ガラスエポキシ基板側面２２全面に塗布する。（３）その後、図２（ｃ）に示すように、この上／下ツ
ール２６を同時に１５００ｒｐｍで２０秒回転させ、余
分な樹脂２８を除去する。

【００３２】（４）次いで、図３（ａ）に示すように、
穴２４に樹脂噴射塗布後、ツール２９で穴２４に窒素を
送り、余分な樹脂を除去すればよい。（５）その後、図３（ｂ）に示すように、５０℃ドライ
窒素雰囲気で１０分間こうして新たに塗布された樹脂３
０をガラスエポキシ基板２１内部に浸透させ、１８０℃
ドライ窒素雰囲気で１時間放置し、この樹脂３０を加熱
硬化させる。

【００３３】（６）このようにして、図３（ｃ）に示す
ように、耐湿性を向上させたガラスエポキシ基板３１を
得ることができる。以上のような処理をガラスエポキシ
基板に施した後に、従来例のように、フェイスダウンチ
ップ実装を行い、その後、封止樹脂がアクリル樹脂など
の耐湿性の低い樹脂である場合等は、エポキシ樹脂等の
耐湿性樹脂をチップにディスペンスし、熱や紫外線で硬
化させ（エポキシ樹脂の場合１５０℃／１時間窒素雰囲
気中に保持など）、チップのコーティングを行う。

【００３４】このように、予めガラスエポキシ基板を高
温乾燥雰囲気で十分バーニングし、ガラスエポキシ基板
内の余計な水分を除去し、ソルダーレジストのかかって
いない面を耐湿性の樹脂でコーティングすれば、ガラス
エポキシ基板側面及び孔などのような基板加工面からの
水分の浸入を大幅に低減することができるので、図４お
よび図５に示すように、耐湿度性は向上する。

【００３５】すなわち、図４に示すように、本発明の処
理を行う基板の場合は、封入樹脂がエポキシ樹脂である
場合ａおよび封入樹脂がアクリル樹脂である場合ｂとも
に、良好な接続抵抗を保つことができるが、本発明の処
理を行った場合ｄは良好な接続抵抗を保持できるが、本
発明の処理を行わない場合ｃは、ある一定時間経過する
と、接続抵抗が急激に上昇して、不具合になる。

【００３６】また、図５に示すように、チップコートな
しｂの場合は、初期の段階から接続オープンとなる。ま
た、チップコートありａの場合でも、基板が本発明の処
理を行っていない場合には、ある一定時間経過すると、
急激に接続オープン数が増加する。更に、対向した電極
間に存在する水分も従来例に比して少ないので絶縁性も
向上する。この構造は、特に連続的に湿度雰囲気に晒さ
れる場合に有効であり、基板形状が細長く基板全体の体
積に対し切断面積が広いもの（長尺形状）、ヘビーデュ
ーティ仕様の電子機器などの用途に適している。特にＡ
ＣＦの耐湿度性が低い場合、実装する素子自体が湿度を
嫌う場合に、耐湿性樹脂のチップコーティングと併用す
ることにより大きな効果が得られる。

【００３７】しかし、ＡＣＦ自体が十分な耐湿度性を持
ち、かつ発・受光素子などのチップコーティングにより
素子の性質が大きく変化するような場合は、チップコー
ティングを省いても効果は得られる。このような構造に
おいては、耐湿性の樹脂が基板側面および基板孔壁面の
みのコーティングであるので、樹脂硬化収縮等による基
板の反りなどの異常変形等は非常に少ない。

【００３８】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。図６は本発明の第２実施例を示す半導体装置の実装
構造断面図である。この実施例は、両面基板及び多層基
板に適用可能なものである。基板作製の際、基板の最上
層パターン５１を除いた各層の配線パターン５２はでき
るだけ細密なメッシュ状に形成する。特にＧＮＤは大電
流が流れるため、広い幅を持ち大面積のパターンは必ず
メッシュ状に形成する。

【００３９】基板裏面５６にはソルダーレジスト５３の
コーティングは施さない。したがって基板を筐体と固定
する必要がある場合は、筐体との間にシリコンゴムなど
の絶縁性のスペーサを挟む。どうしても基板裏面にソル
ダーレジストのコーティングが必要な場合には、接続に
使用するパターンを除いた基板裏面のパターンのみに止
めておく。

【００４０】このときソルダーレジストのコーティング
は、基板裏面のパターンがメッシュになっているので、
スクリーン印刷法などにて行うのが容易である。一方、
フェイスダウン接続面は、接続電極近傍を除いた部分
は、できるだけソルダーレジスト５３でカバーするよう
にする。以上のような処理を施したガラスエポキシ基板
に、従来例のように、フィエスダウンチップ５８実装を
行い、その後、場合によっては耐湿性樹脂でチップコー
ティング５７を行う。

【００４１】このように、このガラスエポキシ基板によ
る実装構造では、図６に示したように、チップ実装面以
外の面はソルダーレジストで覆われている部分が少な
い。また、ガラス繊維とエポキシ樹脂の界面は切断面５
４、孔壁面５５の他に基板裏面５６、電極のメッシュ孔
５２Ａでもむき出しになっている。したがって、水分の
浸入はこれらの面から起こる。

【００４２】また、チップ５８実装面以外の配線パター
ン５２がメッシュ形状となっているので、浸入した水分
は基板内部で浸透しやすい。しかしながら、チップ５８
実装面のエポキシベースのソルダーレジスト５３が耐湿
性を持つため、水分の浸透をここまでで一応ストップす
る。次に、周囲環境が乾燥状態になったときは、水分は
電極のないところ及び電極のメッシュ孔５２Ａを通り、
実装部側のガラスエポキシ基板の面以外の面から速やか
に蒸散し乾燥する。よって、ガラスエポキシ基板内に保
持される水分は、従来例に比べて極めて少ないので、ソ
ルダーレジスト５３を通して水分が浸透する恐れがな
い。

【００４３】このように、この実施例では、高湿度環境
がチップ実装面を浸さない程度に断続的に繰り返される
場合に、図７、図８および図９に示すように、耐湿度試
験に対する信頼性向上の効果が大きい。すなわち、図７
に示すように、温度と湿度のサイクル試験を行う。する
と、図８に示すように、封入樹脂がエポキシ樹脂であ
り、基板が無処理の場合ａには、ある一定試験サイクル
数になると、接続抵抗が増加する。封入樹脂がエポキシ
樹脂であり、基板が第２実施例の処理がありの場合ｂに
は、ある一定試験サイクル数になっても接続抵抗が増加
することはない。また、封入樹脂がアクリル樹脂であ
り、基板が無処理の場合ｃには、ある一定試験サイクル
数になると、接続抵抗が急激に増加する。封入樹脂がア
クリル樹脂であり、基板が本発明の第２実施例の処理が
ありの場合ｄには、ある一定試験サイクル数になっても
接続抵抗が増加することはない。

【００４４】更に、図９に示すように、チップコートが
あり、封入樹脂がアクリル樹脂であり、基板が無処理で
ある場合ａでは、ある一定試験サイクル数になると、接
続オープンが生じる。チップコートなしで、封入樹脂が
アクリル樹脂であり、基板が無処理である場合ｂでは、
当然初期の段階から接続オープンが生じるが、本発明の
第２実施例の処理を施した場合（封入樹脂はアクリル樹
脂であり、チップコートがある場合）ｃでは、ある一定
試験サイクル数になっても接続オープンが現れることは
ない。

【００４５】また、第２実施例では、対向している電極
間に存在する水分も速やかに蒸散するので、乾燥後は絶
縁性も確保される。次に、本発明の半導体装置の実装構
造をＰＣ用拡張ボードに適用した場合について説明す
る。図１０は本発明の半導体装置の実装構造をＰＣ（パ
ーソナルコンピュータ）用拡張ボードに適用例を示す
図、図１１は高温高湿環境でのＰＣ稼働時間に対する基
板含水量特性図であり、ａは従来基板による基板含水量
の変化を示し、ｂは本発明の第２実施例を施した基板に
よる基板含水量の変化を示している。

【００４６】図１０において、６０はＰＣ筐体、６１は
電源のクーラー、６２はＣＤ−ＲＯＭドライブ、６３は
ＦＤＤ（フロッピーディスクドライブ）、６４はＨＤＤ
（ハードディスクドライブ）、６５はマザーボード、６
６はＣＰＵ（中央処理装置）、６７はＣＰＵクーラー、
６８は拡張ボードである。図１０に示すように、ＰＣ筐
体６０内は電源のクーラー６１のファンやＣＰＵクーラ
ー６７のファンなどが稼働しており、ＰＣ筐体６０内で
の空気の循環がある。この空気の循環が水分の蒸散を促
進しようとして、第２実施例による基板を用いた拡張ボ
ード６８は、図１１に示すように、従来のものａより基
板内の含水量の増加が少なく、第２実施例による基板ｂ
による効果は大きい。

【００４７】特にＡＣＦの耐湿度性が低い場合、実装す
る素子自体が湿度を嫌い、チップコーティングを併用し
ている場合、効果的で湿度に対する信頼性向上が著しく
向上する。しかし、ＡＣＦ自体が十分な耐湿度性を持
ち、かつ発・受光素子などのチップコーティングにより
素子の性質が大きく変化するような場合は、チップコー
ティングを省いても良い。このような場合でも、本実施
例による効果は得られる。（図７，図８，図９参照）また、基板に樹脂コートしている訳ではないので、樹脂
硬化収縮等による基板の異常変形等も起きることはな
い。

【００４８】したがって、このような第２実施例の構造
は、第１実施例に対し、基板のバーニングができないも
の、基板側面あるいは基板孔などの加工面に樹脂が塗布
できない場合にも適用できる。なお、本発明は上記実施
例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて
種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排
除するものではない。

【００４９】

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。（Ａ）予めガラスエポキシ基板を高温乾燥雰囲気でバー
ンインすることにより、ガラスエポキシ基板内部の水分
を除去し、その切断面や穴壁などの個所に耐湿性樹脂を
コートし、水分の浸入が起こり易い面がないようにする
ことにより、水分の浸入をブロックし、特に連続的な湿
度の負荷に対し、耐湿性を向上させることができる。

【００５０】（Ｂ）両面基板あるいは多層基板の最上層
以外の配線パターンをメッシュ状にし、ガラスエポキシ
基板の裏面の配線部は耐湿性樹脂のコーティングを行わ
ないか、電極部のみに耐湿性樹脂をコーティングするよ
うにし、実装面以外にできるだけ水分の蒸散がしやすい
部分を広く形成することにより、特に温湿度サイクル試
験などの断続的な湿度の負荷に対し、耐湿性を向上させ
ることができる。

【００５１】（Ｃ）実装基板側から封入樹脂への水分の
浸入がなく、温湿度サイクル試験などの断続的な湿度の
負荷に対しても、接続オープンが生じることがない信頼
性の高い半導体装置の実装構造を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例を示す半導体装置の実装構
造断面図である。

【図２】本発明の第１実施例を示す実装基板の製造工程
図（その１）である。

【図３】本発明の第１実施例を示す実装基板の製造工程
図（その２）である。

【図４】本発明の第１実施例を示す実装基板の高温／高
湿環境保持時間に対する接続抵抗特性図である。

【図５】本発明の第１実施例を示す半導体装置の実装構
造の高温／高湿環境保持時間に対する接続オープン数特
性図である。

【図６】本発明の第２実施例を示す半導体装置の実装構
造断面図である。

【図７】温湿度サイクル試験のプロファイルを示す図で
ある。

【図８】本発明の第２実施例を示す実装基板の温湿度サ
イクル数に対する接続抵抗特性図である。

【図９】本発明の第２実施例を示す半導体装置の実装構
造の温湿度サイクル数に対する接続オープン数特性図で
ある。

【図１０】本発明の第２実施例を示す実装基板をＰＣ
（パーソナルコンピュータ）用拡張ボードに適用例を示
す図である。

【図１１】本発明の第２実施例を示す実装基板の高温高
湿環境でのＰＣ稼働時間に対する基板含水量特性図であ
る。

【図１２】従来のマイクロバンプ実装構造断面図であ
る。

【図１３】従来の異方導電性フィルムを用いた実装構造
断面図である。

【図１４】従来のチップコートを行った異方導電性フィ
ルムを用いた実装構造断面図である。

【図１５】チップコーティングの有無による高温／高湿
環境保持時間に対する接続抵抗特性図である。

【図１６】従来の基板内水分の浸透による８５℃／８５
％相対湿度保持時間に対する接続抵抗特性図である。

【図１７】従来の基板切断面からの水分浸透の様子を示
す図である。

【図１８】従来の基板内水分過多による対向電極からの
電流リークの様子を示す図である。

【図１９】封入樹脂の相違による高温／高湿環境保持時
間に対する接続抵抗特性図である。

【図２０】チップコーティングの有無による高温／高湿
環境保持時間に対する接続抵抗特性図である。

【図２１】チップコーティングの有無による高温／高湿
環境保持時間に対する接続オープン数特性図である。

【符号の説明】

１１，２１，３１ガラスエポキシ基板１２接続部１３，２３耐湿性樹脂１４封入樹脂１５耐湿性のコーティング樹脂１６，５８チップ（半導体装置）２２ガラスエポキシ基板側面２４穴２５スルーホール２６，２９ツール２７ノズル２８余分な樹脂３０樹脂５１最上層パターン５２各層の配線パターン５２Ａ電極のメッシュ孔５３ソルダーレジスト５４切断面５５孔壁面５６基板裏面５７チップコーティング６０ＰＣ筐体６１電源のクーラー６２ＣＤ−ＲＯＭドライブ６３ＦＤＤ（フロッピーディスクドライブ）６４ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）６５マザーボード６６ＣＰＵ（中央処理装置）６７ＣＰＵクーラー６８拡張ボード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者北山憂子東京都港区虎ノ門１丁目７番12号沖電気工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラスエポキシ基板上に半導体装置を樹
脂を用いたフェイスダウンにより実装する実装基板の製
造方法において、（ａ）予めガラスエポキシ基板を高温
乾燥雰囲気でバーンインする工程と、（ｂ）耐湿性樹脂
をコートする工程と、（ｃ）前記ガラスエポキシ基板の
切断面や穴壁などの前記耐湿性樹脂がコートされていな
い個所に耐湿性樹脂をコートする工程とを施すことを特
徴とする実装基板の製造方法。
【請求項２】ガラスエポキシ基板上に半導体装置を樹
脂を用いたフェイスダウンにより実装する実装基板の製
造方法において、（ａ）前記半導体装置が実装される側
のガラスエポキシ基板の表面に耐湿性樹脂をコートする
工程と、（ｂ）前記ガラスエポキシ基板を高温乾燥雰囲
気でバーンインする工程とを施すことを特徴とする実装
基板の製造方法。
【請求項３】請求項２記載の実装基板の製造方法にお
いて、前記ガラスエポキシ基板の最上層以外の配線パタ
ーンをメッシュ状にし、前記ガラスエポキシ基板の裏面
の配線部は耐湿性樹脂をコーティングを行わないか、電
極部のみに耐湿性樹脂をコーティングすることを特徴と
する実装基板の製造方法。
【請求項４】請求項１、２又は３記載の実装基板の製
造方法において、前記耐湿性樹脂はソルダーレジストで
ある実装基板の製造方法。
【請求項５】（ａ）予めガラスエポキシ基板を高温乾燥
雰囲気でバーンインし、耐湿性樹脂をコートし、前記ガ
ラスエポキシ基板の切断面や穴壁などの前記耐湿性樹脂
がコートされていない個所に耐湿性樹脂をコートした実
装基板と、（ｂ）該実装基板上に樹脂を用いたフェイス
ダウンにより実装する半導体装置と、（ｃ）該半導体装
置をコーティングする耐湿性樹脂を具備することを特徴
とする半導体装置の実装構造。
【請求項６】（ａ）前記半導体装置が実装される側の表
面に耐湿性樹脂をコートし、ガラスエポキシ基板を高温
乾燥雰囲気でバーンインした実装基板と、（ｂ）該実装
基板上に樹脂を用いたフェイスダウンにより実装する半
導体装置と、（ｃ）該半導体装置をコーティングする耐
湿性樹脂を具備することを特徴とする半導体装置の実装
構造。