JPH10341119A - Differential amplifier circuit - Google Patents

Differential amplifier circuit

Info

Publication number
JPH10341119A
JPH10341119A JP16330297A JP16330297A JPH10341119A JP H10341119 A JPH10341119 A JP H10341119A JP 16330297 A JP16330297 A JP 16330297A JP 16330297 A JP16330297 A JP 16330297A JP H10341119 A JPH10341119 A JP H10341119A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
amplifier circuit
differential amplifier
control
load resistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP16330297A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koichi Mori
晃一 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Onkyo Corp
Original Assignee
Onkyo Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Onkyo Corp filed Critical Onkyo Corp
Priority to JP16330297A priority Critical patent/JPH10341119A/en
Publication of JPH10341119A publication Critical patent/JPH10341119A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To allow a simple circuit to employ each amplifier transistor(TR) with a low breakdown voltage by devising it that a small voltage is applied to each amplifier TR. SOLUTION: Input terminals 1 and 2 are respectively connected to the base of amplifiers TR T1 and T2. Both emitters are connected together. A control TR T3 and a load resistor R1 are connected in series with a collector of the amplifier TR T1 in this order, the emitter of the control TR T3 is connected to the collector of the amplifier TR T3 and the collector of the TR T3 is connected to the load resistor R1 respectively, and an output terminal 3 is connected to a connecting point between the collector of the control TR T3 and the load resistor R1. A load resistor R2 is connected to the collector of the other amplifier TR T2 and the base of the control TR T3 is connected to the connecting point between the collector of the TR T2 and the load resistor R2.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は差動増幅回路に関す
る。
The present invention relates to a differential amplifier circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】多段増幅回路の入力回路には、図5〜図
7に示す差動増幅回路が使用されている。図5に示す差
動増幅回路(以下、従来例1と称す。)では、各増幅ト
ランジスタ(差動トランジスタ)T5,T6として、同
一特性のNPN型バイポーラトランジスタが使用され
て、各ベースに入力端子7,8が接続され、又、両エミ
ッタ同士が接続されて、これらエミッタに、定電流源9
を介して、負電圧−Veeが印加されている。両増幅ト
ランジスタT5,T6のコレクタには、負荷抵抗R5,
R6の一端部が接続されると共に、これら負荷抵抗R
5,R6の他端部が接続されて、これら他端部に、正電
圧+Vccが印加されている。そして、各増幅トランジ
スタT5,T6のコレクタと各負荷抵抗R5,R6の接
続点に、それぞれ、出力端子10,11が接続されてい
る。
2. Description of the Related Art A differential amplifier circuit shown in FIGS. 5 to 7 is used as an input circuit of a multistage amplifier circuit. In the differential amplifier circuit (hereinafter referred to as Conventional Example 1) shown in FIG. 5, NPN bipolar transistors having the same characteristics are used as the amplification transistors (differential transistors) T5 and T6, and an input terminal is provided at each base. 7, 8 are connected, and both emitters are connected to each other.
, A negative voltage -Vee is applied. The collectors of the two amplifying transistors T5 and T6 have load resistors R5 and R5.
R6 is connected to one end, and the load resistance R
5, and the other end of R6 are connected, and a positive voltage + Vcc is applied to these other ends. Output terminals 10 and 11 are connected to connection points between the collectors of the amplification transistors T5 and T6 and the load resistors R5 and R6, respectively.

【0003】又、図6に示す差動増幅回路(以下、従来
例2と称す。)は、従来例1に示す回路に、更に、一対
の付加トランジスタT7,T8と定電圧源12が備えら
れることで、カスコード増幅回路とされている。具体的
には、各付加トランジスタT7,T8が、NPN型バイ
ポーラトランジスタとされて、各増幅トランジスタT
5,T6と各負荷抵抗R5,R6間に介装され、各エミ
ッタが、各増幅トランジスタT5,T6のコレクタに、
コレクタが各負荷抵抗R5,R6と各出力端子10,1
1に、それぞれ、接続されると共に、両付加トランジス
タT7,T8のベース同士が接続されて、これに定電圧
源12が接続されている。
The differential amplifier circuit shown in FIG. 6 (hereinafter referred to as Conventional Example 2) further includes a pair of additional transistors T7 and T8 and a constant voltage source 12 in addition to the circuit shown in Conventional Example 1. Thus, it is a cascode amplifier circuit. Specifically, each of the additional transistors T7 and T8 is an NPN bipolar transistor, and
5, T6 and each load resistor R5, R6, each emitter is connected to the collector of each amplification transistor T5, T6,
The collector is each load resistance R5, R6 and each output terminal 10, 1.
1, the bases of the additional transistors T7 and T8 are connected to each other, and the constant voltage source 12 is connected to this.

【0004】更に、図7に示す差動増幅回路(以下、従
来例3と称す。)は、従来例1に示す回路において、一
方の出力端子11を除去したものである。
Further, a differential amplifier circuit shown in FIG. 7 (hereinafter referred to as Conventional Example 3) is obtained by removing one output terminal 11 from the circuit shown in Conventional Example 1.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】従来例1の場合、特
に、従来例1の差動増幅回路に次段の増幅回路を直結し
た場合において、出力電圧を大とするときには、負荷抵
抗R5,R6での電圧降下を大とできず、必然的に各増
幅トランジスタT5,T6に高い直流電圧が印加される
ため、増幅トランジスタT5,T6として、高耐圧のト
ランジスタを使用する必要があった。特に、増幅トラン
ジスタT5,T6として、電界効果トランジスタ(FE
T)を使用した場合には、FETに高耐圧の品種が少な
いだけでなく、印加電圧が高くなると、ゲート漏れ電流
が増加して、差動増幅回路の性能の劣化を招来する問題
があった。又、従来例1では、各増幅トランジスタT
5,T6の増幅作用により、そのコレクタ電位が変動す
るため、ミラー効果による、高域でのゲイン低下も問題
となっていた。
In the case of the conventional example 1, especially when the next stage amplifier circuit is directly connected to the differential amplifier circuit of the conventional example 1 and the output voltage is increased, the load resistors R5 and R6 are required. In this case, the voltage drop cannot be increased, and a high DC voltage is inevitably applied to each of the amplifying transistors T5 and T6. Therefore, it is necessary to use a transistor with a high breakdown voltage as the amplifying transistors T5 and T6. In particular, the field effect transistors (FE) are used as the amplification transistors T5 and T6.
When T) is used, not only are there few types of FETs with a high breakdown voltage, but also when the applied voltage is high, the gate leakage current increases, leading to a problem of deteriorating the performance of the differential amplifier circuit. . Further, in the conventional example 1, each amplifying transistor T
5, since the collector potential fluctuates due to the amplifying action of T6, a decrease in gain in a high frequency range due to the Miller effect has also been a problem.

【0006】これに対し、従来例2では、増幅トランジ
スタT5,T6への印加電圧が定電圧でクランプされて
いるため、上記印加電圧を低く抑えることができると共
に、各増幅トランジスタT5,T6のコレクタ電位の変
動もないため、ミラー効果による、高域でのゲイン低下
も問題とならない。然しながら、従来例2では、一対の
付加トランジスタT7,T8及び定電圧源12を備える
必要があって、部品点数が大幅に増加し、差動増幅回路
が複雑になる問題があった。
On the other hand, in the conventional example 2, since the applied voltage to the amplifying transistors T5 and T6 is clamped at a constant voltage, the applied voltage can be suppressed low and the collectors of the amplifying transistors T5 and T6 can be reduced. Since there is no change in the potential, a decrease in gain in a high frequency range due to the Miller effect does not pose a problem. However, in the second conventional example, it is necessary to provide the pair of additional transistors T7 and T8 and the constant voltage source 12, so that the number of components is greatly increased, and the differential amplifier circuit is complicated.

【0007】又、従来例3でも、従来例1と同様の問題
があった。
Further, the third conventional example has the same problem as the first conventional example.

【0008】本発明は、上記問題を解決できる差動増幅
回路を提供することを目的とする。
[0008] An object of the present invention is to provide a differential amplifier circuit that can solve the above problem.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の特徴とするところは、 入力端子が接続
された制御電極と、第1・第2主電極を有し、両第1主
電極が接続された一対の増幅トランジスタと、 各増
幅トランジスタの第2主電極に接続された一対の負荷抵
抗を有し、一側の増幅トランジスタと負荷抵抗の接続点
にのみ、出力端子が接続された差動増幅回路において、
一側の増幅トランジスタと負荷抵抗間に、制御トランジ
スタが介装され、制御トランジスタが、A.他側の増幅
トランジスタと負荷抵抗の接続点に接続される制御電極
と、B.一側の増幅トランジスタの第2主電極に接続さ
れる第1主電極と、C.一側の負荷抵抗と出力端子に接
続される第2主電極を有する点にある。尚、制御トラン
ジスタの制御電極が、コンデンサを介して、接地される
こともある。又、制御トランジスタの制御電極と差動増
幅回路の駆動用電圧源間に、コンデンサが介装されるこ
ともある。
In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that it has a control electrode to which an input terminal is connected, and first and second main electrodes. It has a pair of amplifying transistors connected to a main electrode, and a pair of load resistors connected to a second main electrode of each amplifying transistor, and the output terminal is connected only to a connection point between the amplifying transistor on one side and the load resistor. In the differential amplifier circuit
A control transistor is interposed between the amplifying transistor on one side and the load resistor. B. a control electrode connected to a connection point between the amplifying transistor on the other side and the load resistor; C. a first main electrode connected to the second main electrode of the amplification transistor on one side; It has a second main electrode connected to a load resistor on one side and an output terminal. Note that the control electrode of the control transistor may be grounded via a capacitor. Also, a capacitor may be interposed between the control electrode of the control transistor and the driving voltage source of the differential amplifier circuit.

【0010】尚、トランジスタとしては、各種バイポー
ラトランジスタと電界効果トランジスタ(FET)が使
用され、制御電極がベース、又は、ゲート、第1主電極
が、エミッタ、又は、ソース、第2主電極が、コレク
タ、又は、ドレインとされている。尚、増幅トランジス
タのみに、バイポーラトランジスタと電界効果トランジ
スタが使用され、制御トランジスタには、バイポーラト
ランジスタのみが使用されることもある。
As the transistors, various bipolar transistors and field effect transistors (FETs) are used. A control electrode is a base or a gate, a first main electrode is an emitter or a source, and a second main electrode is a It is a collector or a drain. Note that a bipolar transistor and a field-effect transistor may be used only for the amplification transistor, and only a bipolar transistor may be used for the control transistor.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の第1
例を図1の図面に基づき説明すると、図1は差動増幅回
路を示し、該回路は、例えば、多段増幅回路の入力回路
に使用される。該回路では、各増幅トランジスタ(差動
トランジスタ)T1,T2として、(略)同一特性のN
PN型バイポーラトランジスタが使用されて、各ベース
に入力端子1,2が接続されると共に、両エミッタが接
続されている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the first embodiment of the present invention will be described.
An example will be described with reference to the drawing of FIG. 1. FIG. 1 shows a differential amplifier circuit, which is used, for example, as an input circuit of a multi-stage amplifier circuit. In this circuit, each of the amplifying transistors (differential transistors) T1 and T2 has N
Using a PN type bipolar transistor, input terminals 1 and 2 are connected to each base, and both emitters are connected.

【0012】一側(出力側)の増幅トランジスタT1の
コレクタには、制御トランジスタ(クランプ用トランジ
スタ)T3、負荷抵抗R1が、上記の順で直列に接続さ
れている。制御トランジスタT3としては、増幅トラン
ジスタT1,T2と同一導電形式のNPN型バイポーラ
トランジスタが使用され、そのエミッタは、増幅トラン
ジスタT1のコレクタに、又、コレクタは、負荷抵抗R
1に、それぞれ、接続されると共に、制御トランジスタ
T3のコレクタと負荷抵抗R1の接続点に、出力端子3
が接続され、これにより、出力側回路が構成されてい
る。尚、出力端子3からの出力電圧を高くするために、
負荷抵抗R1の抵抗値が小さく設定されている。
A control transistor (clamping transistor) T3 and a load resistor R1 are connected in series to the collector of the amplification transistor T1 on one side (output side) in the above order. As the control transistor T3, an NPN type bipolar transistor having the same conductivity type as the amplification transistors T1 and T2 is used, the emitter of which is the collector of the amplification transistor T1, and the collector of which is a load resistance R.
1 and the output terminal 3 is connected to the node between the collector of the control transistor T3 and the load resistor R1.
Are connected, thereby forming an output-side circuit. In order to increase the output voltage from the output terminal 3,
The resistance value of the load resistor R1 is set small.

【0013】他側(非出力側)の増幅トランジスタT2
のコレクタには負荷抵抗R2が接続されて、非出力側回
路が構成されると共に、上記コレクタと負荷抵抗R2の
接続点に、制御トランジスタT3のベースが接続されて
いる。尚、入力端子1,2に入力信号が入力されていな
い状態で(入力信号が入力されている状態でもよ
い。)、非出力側回路に流れる電流をIとした場合に、
非出力側の増幅トランジスタT2のコレクタ電位Vc=
Vcc−R2・Iが適当な小さい値となるように、非出
力側の負荷抵抗R2の抵抗値が大きく設定されている。
The other (non-output) amplifying transistor T2
Is connected to a load resistor R2 to form a non-output side circuit, and a connection point between the collector and the load resistor R2 is connected to a base of a control transistor T3. In a state where an input signal is not input to the input terminals 1 and 2 (a state where an input signal is input), if a current flowing through the non-output side circuit is I,
Collector potential Vc of non-output side amplification transistor T2 =
The resistance value of the non-output-side load resistor R2 is set to be large so that Vcc-R2 · I becomes an appropriate small value.

【0014】差動増幅回路には、これを駆動する直流電
圧源(直流電源)が接続されている。具体的には、増幅
トランジスタT1,T2のエミッタに、定電流源5を介
して、負電圧−Veeが印加され(負電圧源、負電源が
接続され)、両負荷抵抗R1,R2に、正電圧+Vcc
が印加されている(正電圧源、正電源が接続されてい
る)。
A DC voltage source (DC power supply) for driving the differential amplifier circuit is connected to the differential amplifier circuit. Specifically, a negative voltage -Vee is applied to the emitters of the amplifying transistors T1 and T2 via the constant current source 5 (a negative voltage source and a negative power supply are connected). Voltage + Vcc
Is applied (a positive voltage source and a positive power supply are connected).

【0015】上記第1例によれば、各入力端子1,2に
入力信号が入力されると、両入力信号の電位差に応じ
て、入力信号が増幅され、この増幅された入力信号が、
出力信号として、出力端子3から出力される。尚、差動
増幅回路における、出力側から見た直流・交流動作特性
は、図7に示す従来例3と同等であり、制御トランジス
タT3が増幅動作に影響を及ぼすことはない。
According to the first example, when an input signal is input to each of the input terminals 1 and 2, the input signal is amplified in accordance with the potential difference between the two input signals, and the amplified input signal is
It is output from the output terminal 3 as an output signal. Note that the DC / AC operation characteristics of the differential amplifier circuit viewed from the output side are the same as those of the conventional example 3 shown in FIG. 7, and the control transistor T3 does not affect the amplification operation.

【0016】ところで、非出力側回路では、負荷抵抗2
の抵抗値が大とされているので、増幅トランジスタT2
のコレクタ電位Vcを低くでき、増幅トランジスタT2
への印加電圧を小さくできる。
By the way, in the non-output side circuit, the load resistance 2
Of the amplifying transistor T2
The collector potential Vc of the amplifying transistor T2
Voltage to be applied can be reduced.

【0017】又、出力側回路では、増幅トランジスタT
1のコレクタ電位は、制御トランジスタT3によりクラ
ンプされており、その電位は、非出力側の増幅トランジ
スタT1のコレクタ電位Vcから、制御トランジスタT
3のベース・エミッタ間電圧(例えば、約0.6V)を
引いた値となる。この場合において、非出力側の増幅ト
ランジスタT2のコレクタ電位Vcが、上記のように、
低いので、出力側の増幅トランジスタT1のコレクタ電
位も低くでき、出力側の増幅トランジスタT1への印加
電圧を低くできる。
In the output side circuit, the amplification transistor T
1 is clamped by the control transistor T3, and its potential is calculated from the collector potential Vc of the non-output side amplification transistor T1 by the control transistor T3.
3 minus the base-emitter voltage (eg, about 0.6 V). In this case, the collector potential Vc of the non-output side amplification transistor T2 becomes
Since it is low, the collector potential of the output-side amplification transistor T1 can be lowered, and the voltage applied to the output-side amplification transistor T1 can be lowered.

【0018】上記のように、第1例では、各増幅トラン
ジスタT1,T2の印加電圧を低くでき、各増幅トラン
ジスタT1,T2として、高耐圧のトランジスタを使用
する必要をなくすことができて、低耐圧のトランジスタ
を使用できると共に、従来例1,3の差動増幅回路と比
較して、1個の制御トランジスタT3を付加するだけで
よく、簡易な回路とできる。
As described above, in the first example, the voltage applied to each of the amplifying transistors T1 and T2 can be reduced, and it is not necessary to use a transistor having a high breakdown voltage as each of the amplifying transistors T1 and T2. A transistor with a withstand voltage can be used, and as compared with the differential amplifier circuits of the conventional examples 1 and 3, only one control transistor T3 may be added, so that a simple circuit can be obtained.

【0019】図2は本発明の実施の形態の第2例を示
し、増幅トランジスタT1,T2として、Nチャンネル
タイプの接合型電界効果トランジスタ(JFET)を使
用しており、各増幅トランジスタT1,T2のゲート、
ソース、ドレインが、それぞれ、上記第1例の増幅トラ
ンジスタT1,T2のベース、エミッタ、コレクタと対
応している。
FIG. 2 shows a second embodiment of the present invention, in which N-channel type junction field effect transistors (JFETs) are used as the amplification transistors T1 and T2. The gate of the
The source and the drain correspond to the base, the emitter, and the collector of the amplification transistors T1 and T2 of the first example, respectively.

【0020】上記第2例によれば、第1例と同様に、各
増幅トランジスタT1,T2に対する印加電圧を小とで
きて、低耐圧のトランジスタを使用できると共に、ゲー
ト漏れ電流を小とでき、ゲート漏れ電流に起因する、差
動増幅回路の性能の劣化を防止できる。
According to the second example, similarly to the first example, the voltage applied to each of the amplifying transistors T1 and T2 can be reduced, a transistor with a low breakdown voltage can be used, and the gate leakage current can be reduced. It is possible to prevent the performance of the differential amplifier circuit from deteriorating due to the gate leakage current.

【0021】図3は本発明の実施の形態の第3例を示
し、第1例の構成において、制御トランジスタT3のベ
ースを、コンデンサCを介して、接地させている。尚、
時定数R2・Cは、入力・出力信号の周波数に対して、
十分に大とされている。
FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention. In the configuration of the first embodiment, the base of the control transistor T3 is grounded via a capacitor C. still,
The time constant R2 · C is given by:
It is large enough.

【0022】上記第3例によれば、時定数R2・Cは、
入力・出力信号の周波数に対して、十分に大とされてい
るので、各増幅トランジスタT1,T2のコレクタ電位
を定電圧化でき、各コレクタを定電圧源に接続したと
(略)同等に見做せる。従って、各増幅トランジスタT
1,T2のコレクタ電位の変動がなく、ミラー効果によ
る、高域でのゲイン低下を防止できる。又、差動増幅回
路としても、第1例の構成に、1個のコンデンサCを追
加しただけであって、構成は簡易である。
According to the third example, the time constant R2 · C is
Since the frequency is sufficiently high with respect to the frequency of the input / output signal, the collector potential of each of the amplifying transistors T1 and T2 can be set to a constant voltage. Can be considered. Therefore, each amplifying transistor T
There is no change in the collector potentials of T1 and T2, and a decrease in gain in a high frequency range due to the Miller effect can be prevented. Also, the configuration of the differential amplifier circuit is simple because only one capacitor C is added to the configuration of the first example.

【0023】図4は本発明の実施の形態の第4例を示
し、第1例の構成において、制御トランジスタT3のベ
ースと正電源+Vcc間にコンデンサCが介装されてい
る。
FIG. 4 shows a fourth embodiment of the present invention. In the configuration of the first embodiment, a capacitor C is interposed between the base of the control transistor T3 and the positive power supply + Vcc.

【0024】上記第4例によれば、増幅特性は第3例と
同等であって、上記同様に、ミラー効果による、高域で
のゲイン低下を防止できる。又、電源投入時に、出力側
の増幅トランジスタT1への電流がカットオフされ、全
電流が非出力側の増幅トランジスタT2に流れて、出力
側の増幅トランジスタT1が立ち上がらないという不具
合を防止できる。
According to the fourth example, the amplification characteristic is the same as that of the third example, and similarly, it is possible to prevent a decrease in gain in a high frequency range due to the Miller effect. Further, when the power is turned on, the current to the output-side amplification transistor T1 is cut off, so that it is possible to prevent a problem that the entire current flows to the non-output-side amplification transistor T2 and the output-side amplification transistor T1 does not rise.

【0025】尚、上記実施の形態では、第1例の増幅ト
ランジスタをFETに置換したもののみを示したが、上
記第3例及び第4例の増幅トランジスタをFETに置換
することも可能である。
In the above-described embodiment, only the amplifying transistor of the first example is replaced with an FET. However, the amplifying transistor of the third and fourth examples can be replaced with an FET. .

【0026】[0026]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
増幅動作に影響を及ぼすことなく、簡易な回路でもっ
て、各増幅トランジスタに対する印加電圧を小とでき、
各増幅トランジスタとして、低耐圧のトランジスタを使
用できる。又、増幅トランジスタが、電界効果トランジ
スタ(FET)の場合には、更に、ゲート漏れ電流を小
とでき、ゲート漏れ電流に起因する、差動増幅回路の性
能の劣化を防止できる。
As described in detail above, according to the present invention,
Without affecting the amplification operation, the voltage applied to each amplification transistor can be reduced with a simple circuit,
As each amplifying transistor, a transistor having a low withstand voltage can be used. When the amplifying transistor is a field effect transistor (FET), the gate leakage current can be further reduced, and the performance of the differential amplifier circuit can be prevented from deteriorating due to the gate leakage current.

【0027】 請求項2によれば、ミラー効果によ
る、高域でのゲイン低下を防止できる。 請求項3によれば、ミラー効果による、高域でのゲ
イン低下を防止できる。 又、電源投入時に、出力側の増幅トランジスタへの電流
がカットオフされ、全電流が非出力側の増幅トランジス
タに流れて、出力側の増幅トランジスタが立ち上がらな
いという不具合を防止できる。
According to the second aspect, a decrease in gain in a high frequency range due to the Miller effect can be prevented. According to the third aspect, it is possible to prevent a decrease in gain in a high frequency range due to the Miller effect. Further, when the power is turned on, the current to the output-side amplifying transistor is cut off, and the problem that the entire current flows to the non-output-side amplifying transistor and the output-side amplifying transistor does not start can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態の第1例を示す回路図であ
る。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first example of an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態の第2例を示す回路図であ
る。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second example of the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態の第3例を示す回路図であ
る。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a third example of the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態の第4例を示す回路図であ
る。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a fourth example of the embodiment of the present invention.

【図5】従来例1を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a first conventional example.

【図6】従来例2を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a second conventional example.

【図7】従来例3を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a third conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,2 入力端子 3 出力端子 5 定電流源 C コンデンサ R1,R2 負荷抵抗 T1,T2 増幅トランジスタ T3 制御トランジスタ 1, 2 input terminal 3 output terminal 5 constant current source C capacitor R1, R2 load resistance T1, T2 amplifying transistor T3 control transistor

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力端子が接続された制御電極と、
第1・第2主電極を有し、両第1主電極が接続された一
対の増幅トランジスタと、 各増幅トランジスタの第2主電極に接続された一対
の負荷抵抗を有し、 一側の増幅トランジスタと負荷抵抗の接続点にのみ、出
力端子が接続された差動増幅回路において、 一側の増幅トランジスタと負荷抵抗間に、制御トランジ
スタが介装され、 制御トランジスタが、 A.他側の増幅トランジスタと負荷抵抗の接続点に接続
される制御電極と、 B.一側の増幅トランジスタの第2主電極に接続される
第1主電極と、 C.一側の負荷抵抗と出力端子に接続される第2主電極
を有することを特徴とする差動増幅回路。
A control electrode to which an input terminal is connected;
A pair of amplifying transistors having first and second main electrodes and both first main electrodes connected thereto, and a pair of load resistors connected to the second main electrode of each amplifying transistor; In a differential amplifier circuit in which an output terminal is connected only to a connection point between a transistor and a load resistor, a control transistor is interposed between the amplifying transistor on one side and the load resistor, and the control transistor includes: B. a control electrode connected to a connection point between the amplifying transistor on the other side and the load resistor; B. a first main electrode connected to a second main electrode of the amplification transistor on one side; A differential amplifier circuit comprising a load resistor on one side and a second main electrode connected to an output terminal.
【請求項2】 制御トランジスタの制御電極が、コンデ
ンサを介して、接地された請求項1記載の差動増幅回
路。
2. The differential amplifier circuit according to claim 1, wherein the control electrode of the control transistor is grounded via a capacitor.
【請求項3】 制御トランジスタの制御電極と差動増幅
回路の駆動用電圧源間に、コンデンサが介装された請求
項1又は2記載の差動増幅回路。
3. The differential amplifier circuit according to claim 1, wherein a capacitor is interposed between a control electrode of the control transistor and a driving voltage source of the differential amplifier circuit.
JP16330297A 1997-06-05 1997-06-05 Differential amplifier circuit Pending JPH10341119A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16330297A JPH10341119A (en) 1997-06-05 1997-06-05 Differential amplifier circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP16330297A JPH10341119A (en) 1997-06-05 1997-06-05 Differential amplifier circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10341119A true JPH10341119A (en) 1998-12-22

Family

ID=15771253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP16330297A Pending JPH10341119A (en) 1997-06-05 1997-06-05 Differential amplifier circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10341119A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007116497A (en) * 2005-10-21 2007-05-10 Oki Electric Ind Co Ltd Operational amplifier
JP2008015875A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Power supply circuit
JP2009253454A (en) * 2008-04-02 2009-10-29 Nec Electronics Corp Semiconductor integrated circuit device

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007116497A (en) * 2005-10-21 2007-05-10 Oki Electric Ind Co Ltd Operational amplifier
JP2008015875A (en) * 2006-07-07 2008-01-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd Power supply circuit
JP2009253454A (en) * 2008-04-02 2009-10-29 Nec Electronics Corp Semiconductor integrated circuit device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4015212A (en) Amplifier with FET having gate leakage current limitation
US5475343A (en) Class AB complementary output stage
JP3088262B2 (en) Low distortion differential amplifier circuit
EP0648010B1 (en) Frequency compensation circuit for stabilising a differential amplifier with cross-coupled transistors
US4431972A (en) Push-pull amplifier
JP2622321B2 (en) High frequency cross junction folded cascode circuit
JPH0580163B2 (en)
US3987369A (en) Direct-coupled FET amplifier
US5382919A (en) Wideband constant impedance amplifiers
US4068187A (en) Audio-frequency power amplifiers
JP3544954B2 (en) Differential amplifier circuit, mixer circuit and variable gain amplifier circuit
US4241314A (en) Transistor amplifier circuits
JPH05206751A (en) Dynamic bias for class-a amplifier use
KR940011386B1 (en) Push-pull amplifier
KR950000161B1 (en) Amp device and push-pull amp
JP3162732B2 (en) Amplifier circuit
JP2005506791A (en) Power amplifier module
JPS6313571B2 (en)
US6734720B2 (en) Operational amplifier in which the idle current of its output push-pull transistors is substantially zero
JPH10341119A (en) Differential amplifier circuit
JP4567831B2 (en) Voltage-current converter
US6265908B1 (en) Low voltage balun circuit
US5122759A (en) Class-A differential amplifier and method
JPS6132842B2 (en)
US4829265A (en) Operational amplifier