JPH10340868A - Method of cutting ingot by multi-cutting wire saw - Google Patents
Method of cutting ingot by multi-cutting wire sawInfo
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- JPH10340868A JPH10340868A JP15255497A JP15255497A JPH10340868A JP H10340868 A JPH10340868 A JP H10340868A JP 15255497 A JP15255497 A JP 15255497A JP 15255497 A JP15255497 A JP 15255497A JP H10340868 A JPH10340868 A JP H10340868A
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- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はマルチ切断ワイヤソ
ーの被加工物切断方法に係り、特に種類の異なる複数の
被加工物を同時に切断するマルチ切断ワイヤソーの被加
工物切断方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of cutting a workpiece of a multi-cut wire saw, and more particularly to a method of cutting a workpiece of a multi-cut wire saw for simultaneously cutting a plurality of different types of workpieces.
【０００２】[0002]
【従来の技術】インゴットの切断装置の一つとしてワイ
ヤソーがある。ワイヤソーは、高速走行するワイヤ列に
インゴットを押し付け、その接触部にスラリを供給する
ことによりインゴットを多数のウェーハに切断する装置
である。このワイヤソーでは、通常、一回の切断に対し
て一本のインゴットを切断するが、近年、その切断効率
を上げるために、マルチ切断と呼ばれる多数本のインゴ
ットを同時に切断する切断方法が採用されている。2. Description of the Related Art A wire saw is one of the ingot cutting apparatuses. A wire saw is a device for cutting an ingot into a number of wafers by pressing the ingot against a high-speed running row of wires and supplying a slurry to a contact portion thereof. In this wire saw, one ingot is usually cut for one cut.In recent years, in order to increase the cutting efficiency, a cutting method for simultaneously cutting a large number of ingots, called multi-cut, has been adopted. I have.
【０００３】マルチ切断は、図７に示すように、複数本
のインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃ（図では３本）をスライ
スベースＳａ、Ｓｂ、Ｓｃを介してマウンティングプレ
ートＭに直列状態で接着し、これをワイヤソーに装着す
ることによって複数本同時に切断する切断方法である。
この方法によれば、複数本のインゴットをまとめて切断
することができるため、効率的にインゴットを切断する
ことができる。In the multi-cut, as shown in FIG. 7, a plurality of ingots Ia, Ib and Ic (three in the figure) are bonded in series to a mounting plate M via slice bases Sa, Sb and Sc. This is a cutting method in which a plurality of pieces are cut at the same time by mounting them on a wire saw.
According to this method, since a plurality of ingots can be cut at a time, the ingot can be cut efficiently.
【０００４】ところで、ワイヤソーでインゴットを切断
すると、その切断されるウェーハは全てスライスベース
に接着された状態で切り出される。したがって、ワイヤ
ソーによる切断後は、そのスライスベースに接着された
ウェーハを全てスライスベースから剥離して枚葉化する
必要がある。従来の剥離方法としては、切断したウェー
ハを熱水中に浸漬させることによってウェーハをスライ
スベースから剥離する方法（自然剥離法）があり、この
場合、一度に全てのウェーハがスライスベースから剥離
し、熱水槽内に設置したカセット内に回収されていた。By the way, when an ingot is cut with a wire saw, all the cut wafers are cut out while being bonded to a slice base. Therefore, after cutting with a wire saw, it is necessary to peel off all the wafers bonded to the slice base from the slice base to form a single wafer. As a conventional peeling method, there is a method of peeling the wafer from the slice base by immersing the cut wafer in hot water (natural peeling method). In this case, all the wafers are peeled from the slice base at once, It was collected in a cassette installed in the hot water tank.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の剥離方法でマルチ切断したウェーハを剥離すると、
一度に全てのウェーハが剥離されてしまうため、剥離し
たウェーハがカセット内で混入し、各ロット間の区別が
付かなくなってしまうという問題があった。本発明は、
このような事情を鑑みてなされたもので、種類の異なる
複数の被加工物をワイヤソーで切断する場合に、切断後
に各種のウェーハを混合させることなく回収することが
できるマルチ切断ワイヤソーの被加工物切断方法を提供
することを目的とする。However, when a wafer multi-cut by the above-mentioned conventional peeling method is peeled off,
Since all the wafers are peeled off at once, there is a problem that the peeled wafers are mixed in the cassette, and it becomes impossible to distinguish between the lots. The present invention
In view of such circumstances, when a plurality of different types of workpieces are cut by a wire saw, a multi-cut wire saw workpiece that can be collected after cutting without mixing various wafers. It is intended to provide a cutting method.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために、種類の異なる被加工物をスライスベース
を介してマウンティングプレートに直列状態で接着し、
そのマウンティングプレートをワークフィードテーブル
に装着し、該ワークフィードテーブルを走行するワイヤ
列に向けて送り出すことにより前記複数の被加工物を前
記ワイヤ列に押し当てて多数のウェーハに切断するマル
チ切断ワイヤソーの被加工物切断方法において、前記複
数の被加工物の間を仕切る仕切材をスライスベースを介
して前記マウンティングプレートに接着し、該マウンテ
ィングプレートを前記ワークフィードテーブルに装着し
て、前記複数の被加工物を前記仕切材ごと同時に切断
し、切断後、前記マウンティングプレートを前記ワーク
フィードテーブルから取り外して、切断された全てのウ
ェーハ及び仕切材を熱水又は薬液中に浸漬させて前記ス
ライスベースから同時に剥離し、前記スライスベースか
ら剥離した仕切材によって、前記スライスベースから剥
離したウェーハを種類別に仕切ることを特徴とする。According to the present invention, in order to achieve the above object, different kinds of workpieces are bonded in series to a mounting plate via a slice base,
A multi-cut wire saw that attaches the mounting plate to a work feed table and feeds the work feed table toward a running wire row to press the plurality of workpieces against the wire row to cut into a number of wafers. In the work piece cutting method, a partition member for partitioning between the plurality of work pieces is adhered to the mounting plate via a slice base, and the mounting plate is mounted on the work feed table, and the plurality of work pieces are attached. The object is cut at the same time as the partition material, and after cutting, the mounting plate is removed from the work feed table, and all the cut wafers and the partition material are immersed in hot water or a chemical solution and simultaneously peeled from the slice base. And the partition material peeled off from the slice base I, wherein the partitioning the wafer peeled from the slice base by type.
【０００７】本発明によれば、各被加工物の間に設置さ
れた仕切材は、被加工物とともに走行するワイヤ列によ
って切断される。そして、切断後にウェーハとともに熱
水又は薬液中に浸漬されることにより、そのウェーハと
ともにスライスベースから剥離される。したがって、剥
離後もウェーハは、この仕切材によって仕切られた状態
にあるため、種類が異なるウェーハ同志の区別が付かな
くなることはない。According to the present invention, the partition member provided between the workpieces is cut by the wire train running with the workpieces. Then, by being immersed in hot water or a chemical solution together with the wafer after cutting, the wafer is separated from the slice base together with the wafer. Therefore, even after the separation, the wafer is in a state of being partitioned by the partition material, so that it is not impossible to distinguish between wafers of different types.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るマルチ切断ワイヤソーの被加工物切断方法の好ましい
実施の形態について詳説する。まず、ワイヤソーの構成
について説明する。ワイヤソーは、所定ピッチで張架さ
たワイヤ列を高速走行させ、その高速走行するワイヤ列
にスラリ（砥粒に液体を加えた懸濁状の加工液）を供給
しながら被加工物を押し付けることにより、被加工物を
多数枚のウェーハに切断する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a method for cutting a workpiece of a multi-cut wire saw according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. First, the configuration of the wire saw will be described. A wire saw moves a wire row stretched at a predetermined pitch at a high speed, and presses a workpiece while supplying a slurry (a suspension-type working fluid obtained by adding a liquid to abrasive grains) to the wire row running at a high speed. With this, the workpiece is cut into many wafers.
【０００９】図１はワイヤソーの全体構成図である。同
図に示すように、ワイヤリール１２に巻かれたワイヤ１
４は、複数のガイドローラ１６、１６、…で形成される
ワイヤ走行路を通って３本の溝付きローラ１８Ａ、１８
Ｂ、１８Ｃに巻き掛けられる。そして、この３本の溝付
きローラ１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃでワイヤ列２０を形成
したのち、該ワイヤ列２０を挟んで左右対称に形成され
た他方側のワイヤ走行路を通って図示しないワイヤリー
ルに巻き取られる。FIG. 1 is an overall configuration diagram of a wire saw. As shown in FIG.
4 passes through a wire running path formed by a plurality of guide rollers 16, 16,.
B, 18C. After the wire row 20 is formed by the three grooved rollers 18A, 18B, and 18C, the wire row 20 is formed symmetrically across the wire row 20 and passes through a wire running path on the other side to a wire reel (not shown). It is wound up.
【００１０】前記ワイヤ列２０の両側に形成されるワイ
ヤ走行路には、それぞれワイヤ案内装置２２、ダンサロ
ーラ２４及びワイヤ洗浄装置２６が配設されている（一
方側のみ図示）。ワイヤ案内装置２２は、ワイヤリール
１２からワイヤ１４を一定ピッチでガイドし、また、ダ
ンサローラ２４は、走行するワイヤ１４に一定の張力を
付与する。また、ワイヤ洗浄装置２６は、加工時に付着
したスラリをワイヤ１４から除去する。A wire guide formed on both sides of the wire row 20 is provided with a wire guide device 22, a dancer roller 24 and a wire cleaning device 26 (only one side is shown). The wire guide device 22 guides the wire 14 from the wire reel 12 at a constant pitch, and the dancer roller 24 applies a constant tension to the traveling wire 14. Further, the wire cleaning device 26 removes the slurry attached during the processing from the wire 14.
【００１１】前記一対のワイヤリール１２及び３本のう
ち１本の溝付ローラ１８Ｃには、それぞれモータ（図示
せず）が連結されており、前記ワイヤ１４は、このモー
タを駆動することにより前記一対のワイヤリール１２間
を高速走行する。前記ワイヤ列２０の上方には、ワイヤ
列２０に対して垂直に昇降移動するワークフィードテー
ブル２８が設置されている。このワークフィードテーブ
ル２８の下部には、被加工物であるインゴットＩを保持
する保持装置３０が設けられており、インゴットＩは、
この保持装置３０の下部にマウンティングプレートを介
して装着される。A motor (not shown) is connected to each of the pair of wire reels 12 and one grooved roller 18C of the three, and the wire 14 is driven by driving the motor. It travels at high speed between the pair of wire reels 12. A work feed table 28 that moves vertically with respect to the wire row 20 is installed above the wire row 20. A lower part of the work feed table 28 is provided with a holding device 30 for holding an ingot I which is a workpiece.
It is attached to the lower part of the holding device 30 via a mounting plate.
【００１２】以上のように構成されたワイヤソー１０に
おいて、インゴットＩは次のように切断される。まず、
インゴットＩ（ここでは、１本）が取り付けられたマウ
ンティングプレートをワークフィードテーブル２８の保
持装置３０に装着する。装着後、モータを駆動してワイ
ヤを高速走行させる。次に、ワークフィードテーブル２
８をワイヤ列２０に向けて下降させ、高速走行するワイ
ヤ列２０にインゴットＩを押し当てる。そして、そのイ
ンゴットＩとワイヤ列２０の接触部に図示しないノズル
からスラリを供給する。これにより、インゴットＩはス
ラリ中に含有される砥粒のラッピング作用でウェーハに
切断される。In the wire saw 10 configured as described above, the ingot I is cut as follows. First,
The mounting plate to which the ingot I (here, one) is attached is mounted on the holding device 30 of the work feed table 28. After mounting, the motor is driven to run the wire at high speed. Next, work feed table 2
8 is lowered toward the wire row 20, and the ingot I is pressed against the wire row 20 traveling at high speed. Then, a slurry is supplied from a nozzle (not shown) to a contact portion between the ingot I and the wire row 20. Thus, the ingot I is cut into wafers by the lapping action of the abrasive grains contained in the slurry.
【００１３】ところで、上記例は１本のインゴットＩを
切断する場合の切断例であり、３本のインゴットＩａ、
Ｉｂ、Ｉｃを切断する場合（マルチ切断する場合）は、
次のように行う。図７に示すように、３本のインゴット
Ｉａ、Ｉｂ、ＩｃをスライスベースＳａ、Ｓｂ、Ｓｃを
介してマウンティングプレートＭに直列状態で接着す
る。そして、そのマウンティングプレートＭをワークフ
ィードテーブル２８の保持装置３０に装着する。この後
の工程は前述した１本のインゴットＩを切断する場合と
同様である。すなわち、ワークフィードテーブル２８を
ワイヤ列２０に向けて下降させ、高速走行するワイヤ列
２０にインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃを押し当てる。これ
により、３本のインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃは、同時に
多数枚のウェーハに切断される。The above example is an example of cutting one ingot I. Three ingots Ia,
When cutting Ib and Ic (in the case of multiple cutting),
Proceed as follows. As shown in FIG. 7, three ingots Ia, Ib and Ic are bonded in series to a mounting plate M via slice bases Sa, Sb and Sc. Then, the mounting plate M is mounted on the holding device 30 of the work feed table 28. The subsequent steps are the same as in the case of cutting one ingot I described above. That is, the work feed table 28 is lowered toward the wire row 20, and the ingots Ia, Ib, Ic are pressed against the wire row 20 traveling at high speed. Thereby, the three ingots Ia, Ib, and Ic are cut into many wafers at the same time.
【００１４】しかし、上記切断方法では、切断後に自然
剥離法でウェーハを剥離した場合に、剥離されたウェー
ハがカセット内で混入し、各ロット間の区別がつかなく
なってしまうという欠点がある（前述）。そこで、本発
明では切断後に自然剥離によって枚葉化したウェーハの
各ロット間の区別がつくように、次のようにインゴット
Ｉａ、Ｉｂ、Ｉｃを切断する。However, in the above cutting method, when the wafer is peeled by the natural peeling method after the cutting, there is a disadvantage that the peeled wafer is mixed in the cassette, and it becomes impossible to distinguish between the lots. ). Therefore, in the present invention, the ingots Ia, Ib, and Ic are cut as follows so that the lots of the wafers that have been cut into pieces by spontaneous separation after cutting can be distinguished.
【００１５】図２に示すように、まず、３本のインゴッ
トＩａ、Ｉｂ、ＩｃをスライスベースＳａ、Ｓｂ、Ｓｃ
を介してマウンティングプレートＭに直列状態で接着す
る。そして、そのマウンティングプレートＭに接着した
各インゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃの間を仕切材Ｐ1 、Ｐ2
で仕切る。この仕切材Ｐ1 、Ｐ2 は、切断するインゴッ
トＩａ〜Ｉｃと同径のドーナツ状に形成されており、ワ
イヤソーで切断した場合に５〜１０枚程度のウェーハが
切断される厚さで形成されている。なお、ドーナツ状と
したのは、ウェーハに切断した場合にインゴットＩａ〜
Ｉｃから切断したウェーハと区別がつくようにするため
である。As shown in FIG. 2, first, three ingots Ia, Ib, Ic are slice-base Sa, Sb, Sc.
To the mounting plate M in series. Then, partition materials P 1 , P 2 are formed between the ingots Ia, Ib, Ic adhered to the mounting plate M.
Partition with. The partition members P 1 and P 2 are formed in a donut shape having the same diameter as the ingots Ia to Ic to be cut, and are formed to have a thickness that can cut about 5 to 10 wafers when cut with a wire saw. ing. In addition, what was made into a donut shape was ingot Ia ~ when cut into wafers.
This is for distinguishing the wafer from the wafer cut from Ic.
【００１６】また、この仕切材Ｐ1 、Ｐ2 は、切断する
インゴットＩａ〜Ｉｂと同一又は類似の素材を用いて成
形する。すなわち、たとえば切断するインゴットＩａ〜
Ｉｂがシリコンインゴットである場合はシリコン、又
は、同じ脆性材料であるガラスやセラミックス等を用い
て成形する。また、この仕切材Ｐ1 、Ｐ2 は、前記各イ
ンゴットＩａ〜Ｉｃと同様にスライスベースを介してマ
ウンティングプレートＭに接着する。なお、ここでは、
図２に示すように、インゴットＩａとインゴットＩｂと
の間を仕切る仕切材Ｐ1 （以下、「第１ダミーインゴッ
ト」という。）は、スライスベースＳａに接着し、イン
ゴットＩｂとインゴットＩｃとの間を仕切る仕切材（以
下、「第２ダミーインゴット」という。）は、スライス
ベースＳｃに接着する。The partition members P 1 and P 2 are formed using the same or similar material as the ingots Ia to Ib to be cut. That is, for example, the ingot Ia to be cut
When Ib is a silicon ingot, it is formed using silicon or the same brittle material such as glass or ceramic. Further, the partition members P 1 and P 2 are bonded to the mounting plate M via the slice base similarly to the ingots Ia to Ic. Here,
As shown in FIG. 2, a partition member P 1 (hereinafter, referred to as a “first dummy ingot”) that separates between the ingot Ia and the ingot Ib is adhered to the slice base Sa, and the space between the ingot Ib and the ingot Ic is formed. (Hereinafter, referred to as “second dummy ingot”) is adhered to the slice base Sc.
【００１７】以上のようにダミーインゴットＰ1 、Ｐ2
で各インゴット間を仕切ったインゴットＩａ〜Ｉｂをワ
イヤソー１０で切断する。すなわち、図３（ａ）に示す
ように、インゴットＩａ〜Ｉｃ及びダミーインゴットＰ
1 、Ｐ2 を接着しマウンティングプレートＭをワークフ
ィードテーブルの保持装置３０に装着する。そして、ワ
ークフィードテーブ１をワイヤ列２０に向けて下降さ
せ、高速走行するワイヤ列２０にインゴットＩａ、Ｉ
ｂ、Ｉｃ及びダミーインゴットＰ1 、Ｐ2 を押し当て
る。As described above, the dummy ingots P 1 and P 2
The ingots Ia-Ib that have separated between the ingots are cut by the wire saw 10. That is, as shown in FIG. 3A, the ingots Ia to Ic and the dummy ingot P
1, bonding the P 2 for mounting the mounting plate M in the holding device 30 of the work feed table. Then, the work feed table 1 is lowered toward the wire row 20, and the ingots Ia, Ia
b, Ic and the dummy ingots P 1 and P 2 are pressed.
【００１８】これにより、図３（ｂ）に示すように、３
本のインゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃ及びダミーインゴット
Ｐ1 、Ｐ2 は多数枚のウェーハに同時に切断される。な
お、以下、同図に示すように、インゴットＩａから切断
されたウェーハを「ウェーハＷａ」、インゴットＩｂか
ら切断されたウェーハを「ウェーハＷｂ」、インゴット
Ｉｃから切断されたウェーハを「ウェーハＷｃ」と記載
する。そして、ダミーインゴットＰ1 から切断されたウ
ェーハを「ダミーウェーハＷP1」、ダミーインゴットＰ
2 から切断されたウェーハを「ダミーウェーハＷP2」と
記載する。また、単に「ウェーハＷ」と記載するとき
は、これら全てのウェーハを指すものとする。As a result, as shown in FIG.
The ingots Ia, Ib, Ic and the dummy ingots P 1 , P 2 are simultaneously cut into many wafers. Hereinafter, as shown in the figure, the wafer cut from the ingot Ia is referred to as “wafer Wa”, the wafer cut from the ingot Ib is referred to as “wafer Wb”, and the wafer cut from the ingot Ic is referred to as “wafer Wc”. Describe. Then, the wafer cut from the dummy ingot P 1 is referred to as “dummy wafer W P1 ” and the dummy ingot P 1
The wafer cut from 2 is referred to as “dummy wafer W P2 ”. Further, when simply described as “wafer W”, all of these wafers are indicated.
【００１９】以上のようにして切断されたウェーハＷ
は、スライスベースに接着された状態にあるので、ワイ
ヤソーから取り出したのち、スライスベースから剥離し
て枚葉化する必要がある。この剥離工程は、自然剥離法
により次のように行う。まず、ウェーハＷをスライスベ
ースから剥離する剥離装置４０の構成について説明す
る。The wafer W cut as described above
Is in a state of being adhered to the slice base, so it is necessary to take it out of the wire saw and then peel it off from the slice base to make a single sheet. This peeling step is performed as follows by a natural peeling method. First, the configuration of the peeling device 40 that peels the wafer W from the slice base will be described.
【００２０】図４に示すように、前記剥離装置４０は、
熱水（約９０℃前後）が貯留された熱水槽４２を有して
いる。この熱水槽４２内には、ウェーハＷを回収するカ
セット４４が設置されており、該カセット４４は、図示
しないロック手段によって槽内の所定の位置に固定され
ている。前記熱水槽４２の背面部には、角柱状に形成さ
れたコラム４６が垂直に立設されている。このコラム４
６の正面には一対のガイドレール４８、４８が敷設され
ており、該ガイドレール４８、４８上をスライダ５０が
スライド自在に支持されている。また、前記コラム４６
の正面には、ガイドレール４８に沿って油圧シリンダ５
２が配設されており、この油圧シリンダ５２のロッドに
前記スライダ５０が連結されている。したがって、前記
スライダ５０は、この油圧シリンダ５２を駆動すること
によりガイドレール４８に沿って昇降移動する。As shown in FIG. 4, the peeling device 40 comprises:
It has a hot water tank 42 in which hot water (about 90 ° C.) is stored. A cassette 44 for collecting the wafer W is provided in the hot water tank 42, and the cassette 44 is fixed at a predetermined position in the tank by a lock means (not shown). At the back of the hot water tank 42, a column 46 formed in the shape of a prism is vertically provided. This column 4
A pair of guide rails 48, 48 are laid on the front surface of 6, and a slider 50 is slidably supported on the guide rails 48, 48. The column 46
Of the hydraulic cylinder 5 along the guide rail 48
The slider 50 is connected to a rod of the hydraulic cylinder 52. Therefore, the slider 50 moves up and down along the guide rail 48 by driving the hydraulic cylinder 52.
【００２１】前記スライダ５０の両端部には、Ｌ字状に
形成された一対の保持アーム５４、５４が固着されてお
り、この保持アーム５４、５４にマウンティングプレー
トＭの両端部に形成された突起部が載置される。そし
て、これにより、マウンティングプレートＭが剥離装置
４０に装着される。なお、前記のごとく剥離装置４０に
マウンティングプレートＭが装着されると、そのマウン
ティングプレートＭに接着されているウェーハＷは熱水
槽４２の真上に位置する。そして、この状態で油圧シリ
ンダ５２を駆動してスライダ５０を下降させることによ
り、熱水槽４２内のカセット４４に収納された状態で熱
水中に浸漬される。A pair of L-shaped holding arms 54, 54 are fixed to both ends of the slider 50, and projections formed on both ends of the mounting plate M are formed on the holding arms 54, 54. Part is placed. Thus, the mounting plate M is mounted on the peeling device 40. When the mounting plate M is mounted on the peeling device 40 as described above, the wafer W bonded to the mounting plate M is located directly above the hot water tank 42. Then, by driving the hydraulic cylinder 52 in this state to lower the slider 50, the slider 50 is immersed in hot water while being stored in the cassette 44 in the hot water tank 42.
【００２２】以上のように構成された剥離装置４０は、
次のようにしてスライスベースからウェーハＷを剥離す
る。まず、オペレータが、ワイヤソー１０で切断したウ
ェーハＷを剥離装置４０に装着する。すなわち、ウェー
ハＷが接着されているマウンティングプレートＭを剥離
装置４０の保持アーム５４、５４に載置する。The peeling device 40 configured as described above
The wafer W is separated from the slice base as follows. First, the operator mounts the wafer W cut by the wire saw 10 on the peeling device 40. That is, the mounting plate M to which the wafer W is bonded is placed on the holding arms 54 of the peeling device 40.
【００２３】図５（ａ）には、ウェーハＷを剥離装置４
０に装着した状態が示されており、この状態から油圧シ
リンダ５２を駆動してウェーハＷを下降させる。そし
て、図５（ｂ）に示すように、ウェーハＷを熱水中に浸
漬させる。なお、このとき、ウェーハＷは、カセット４
４内に収納され、熱水槽４２の底面から所定高さ浮いた
状態にある。FIG. 5A shows that the wafer W is separated from the peeling device 4.
0 is shown, and the hydraulic cylinder 52 is driven to lower the wafer W from this state. Then, as shown in FIG. 5B, the wafer W is immersed in hot water. At this time, the wafer W is placed in the cassette 4
4 and is floating at a predetermined height from the bottom surface of the hot water tank 42.
【００２４】前記のごとくウェーハＷを熱水中に浸漬さ
せてしばらくすると、そのウェーハＷとスライスベース
Ｓとを接着する接着剤が熱軟化し、ウェーハＷは、その
自重によってスライスベースＳから落下する。そして、
その落下したウェーハＷは、カセット４４内に収納され
る。全てのウェーハＷが剥離したところで、オペレータ
が、油圧シリンダ５２を駆動してスライダ５０を上昇さ
せる。なお、図５（ｃ）に示すように、このときスライ
ダ５０には、マウンティングプレートＭとそのマウンテ
ィングプレートＭに接着されたスライスベースＳａ、Ｓ
ｂ、Ｓｃだけが残された状態で引き上げられる。そし
て、そのスライダ５０を引き上げたのち、オペレータ
は、熱水槽４２からカセット４４ごとウェーハＷを取り
出す。When the wafer W is immersed in the hot water as described above, after a while, the adhesive bonding the wafer W to the slice base S is softened by heat, and the wafer W falls from the slice base S by its own weight. . And
The dropped wafer W is stored in the cassette 44. When all the wafers W have been separated, the operator drives the hydraulic cylinder 52 to raise the slider 50. At this time, as shown in FIG. 5C, the slider 50 is provided with the mounting plate M and the slice bases Sa and S adhered to the mounting plate M.
It is pulled up with only b and Sc left. Then, after raising the slider 50, the operator takes out the wafer W together with the cassette 44 from the hot water tank 42.
【００２５】図６は、熱水槽４２から取り出したカセッ
ト４４の状態を示しており、同図に示すように、スライ
スベースから剥離したウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃは、そ
れぞれのロット間をダミーウェーハＷP1、ＷP2によって
仕切られた状態でカセット４４内に収納されている。し
たがって、オペレータは、このダミーウェーハＷP1、Ｗ
P2を確認することにより、そこがロット間の境目である
ことを認識することができる。そして、このダミーウェ
ーハＷP1、ＷP2は、他のウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃと異
なりドーナツ状に切断されているので、オペレータは容
易に捜し出すことができる。FIG. 6 shows the state of the cassette 44 taken out of the hot water tank 42. As shown in FIG. 6, the wafers Wa, Wb, and Wc separated from the slice base are the dummy wafers W between the lots. It is housed in the cassette 44 in a state separated by P1 and W P2 . Therefore, the operator operates the dummy wafers W P1 and W P1
By checking P2 , it can be recognized that this is a boundary between lots. Since the dummy wafers W P1 and W P2 are cut into donut shapes unlike the other wafers Wa, Wb and Wc, the operator can easily find them.
【００２６】このように、本実施の形態のワイヤソーの
被加工物切断方法によれば、切断後に熱水中に浸漬させ
て自然剥離させたウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃが、互いに
カセット４４で混入して区別が付かなくなるということ
はない。なお、本実施の形態では、ダミーインゴットＰ
1 、Ｐ2 の形状をドーナツ状としたが、ウェーハに切断
されたときに、他のウェーハＷａ、Ｗｂ、Ｗｃと区別す
ることができる形状であれば、これに限定されるもので
はない。たとえば、断面六角形や八角形のように断面多
角形状に形成したり、多数の孔を開けた形状に形成して
もよい。As described above, according to the method for cutting a workpiece of a wire saw according to the present embodiment, the wafers Wa, Wb, and Wc which have been cut and immersed in hot water and spontaneously separated are mixed with each other by the cassette 44. There is no indistinguishability. In the present embodiment, the dummy ingot P
1, but the P 2 form a donut shape, when it is cut into wafers, other wafers Wa, Wb, have a shape which can be distinguished from Wc, but is not limited thereto. For example, it may be formed in a polygonal cross section such as a hexagonal or octagonal cross section, or may be formed in a shape having a large number of holes.
【００２７】また、色彩によって他のウェーハＷａ、Ｗ
ｂ、Ｗｃによって区別を付けるようにしてもよい。ただ
し、切断抵抗、熱変形等を考慮すれば、切断対象である
インゴットＩａ、Ｉｂ、Ｉｃと近似した形状であり、同
質あるいは類似の素材で形成するのが好ましい。Further, depending on the color, the other wafers Wa, W
You may make it distinguish by b and Wc. However, in consideration of cutting resistance, thermal deformation, and the like, the shape is similar to the ingots Ia, Ib, and Ic to be cut, and is preferably formed of the same or similar material.
【００２８】また、本実施の形態では、剥離したウェー
ハをオペレータが回収する例で説明したが、ウェーハを
自動で回収する場合は、次のようにして行う。すなわ
ち、ウェーハＷを自動回収する場合は、カセット４４内
のウェーハＷを吸着パッド等を用いて一枚ずつカセット
４４内から回収するが、この時、カセット４４から取り
出したウェーハを一枚一枚ＣＣＤカメラ等で撮像する。
そして、その撮像データを画像処理することによって、
ダミーウェーハＷP1、ＷP2を検出する。このダミーウェ
ーハＷP1、ＷP2が検出されれば、そこがロット間の境目
であるので、それ以降に回収されるウェーハは、種類が
異なるウェーハであることを認識することができる。し
たがって、ここで、回収カセット等を変えることによ
り、自動回収においても、各種類ごとにウェーハを混入
させることなく回収することができる。Further, in this embodiment, an example in which the peeled wafer is collected by the operator has been described. However, the automatic collection of the wafer is performed as follows. That is, when automatically collecting the wafers W, the wafers W in the cassette 44 are collected one by one from the cassette 44 by using a suction pad or the like. Images are taken with a camera or the like.
Then, by performing image processing on the image data,
The dummy wafers W P1 and W P2 are detected. If the dummy wafers W P1 and W P2 are detected, they are boundaries between lots, so that it is possible to recognize that wafers collected thereafter are of different types. Therefore, by changing the collection cassette and the like, the wafer can be collected without mixing wafers for each type in automatic collection.
【００２９】また、本実施の形態では、ウェーハを熱水
中に浸漬させて、ウェーハとスライスベースとを接着す
る接着剤を熱軟化させることによりウェーハをスライス
ベースから剥離するようにしたが、この他、切断後のウ
ェーハを薬液（例えば酢酸）中に浸漬させることによ
り、ウェーハをスライスベースから剥離するようにして
もよい。Further, in the present embodiment, the wafer is immersed in hot water to thermally soften an adhesive bonding the wafer and the slice base, thereby separating the wafer from the slice base. Alternatively, the cut wafer may be immersed in a chemical solution (for example, acetic acid) to separate the wafer from the slice base.
【００３０】[0030]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
種類の異なる複数の被加工物をワイヤソーで切断する場
合に、切断後に各種のウェーハを混合させることなく回
収することができる。As described above, according to the present invention,
When a plurality of different types of workpieces are cut with a wire saw, various kinds of wafers can be collected without being mixed after cutting.
【図１】ワイヤソーの全体構成図FIG. 1 is an overall configuration diagram of a wire saw.
【図２】インゴット及びダミーインゴットの取付方法を
説明する説明図FIG. 2 is an explanatory view for explaining a method of mounting an ingot and a dummy ingot.
【図３】インゴットの切断方法を説明する説明図FIG. 3 is an explanatory view illustrating a method of cutting an ingot.
【図４】剥離装置の構成を示す正面図FIG. 4 is a front view showing a configuration of a peeling device.
【図５】ウェーハの剥離方法を説明する説明図FIG. 5 is an explanatory view illustrating a method of peeling a wafer.
【図６】ウェーハの回収状況を説明する説明図FIG. 6 is an explanatory view for explaining the state of collecting a wafer.
【図７】マルチ切断による切断方法を説明する説明図FIG. 7 is an explanatory view for explaining a cutting method by multi-cutting.
１０…ワイヤソー ２０…ワイヤ列 ２８…ワークフィードテーブル ４０…剥離装置 ４２…熱水槽 ４４…カセット Ｉ…インゴット Ｉａ〜Ｉｃ…インゴット Ｍ…マウンティングプレート Ｐ1 …第１ダミーインゴット Ｐ2 …第２ダミーインゴット Ｓａ〜Ｓｃ…スライスベース Ｗ…ウェーハ Ｗａ〜Ｗｃ…ウェーハ ＷP1、ＷP2…ダミーウェーハ10 ... wire saw 20 ... wire row 28 ... work feed table 40 ... peeling apparatus 42 ... hot water bath 44 ... cassette I ... ingot Ia to Ic ... ingot M ... Mounting plate P 1 ... first dummy ingot P 2 ... second dummy ingot Sa ~ Sc: Slice base W ... Wafer Wa ~ Wc ... Wafer W P1 , W P2 ... Dummy wafer
Claims (2)
を介してマウンティングプレートに直列状態で接着し、
そのマウンティングプレートをワークフィードテーブル
に装着し、該ワークフィードテーブルを走行するワイヤ
列に向けて送り出すことにより前記複数の被加工物を前
記ワイヤ列に押し当てて多数のウェーハに切断するマル
チ切断ワイヤソーの被加工物切断方法において、 前記複数の被加工物の間を仕切る仕切材をスライスベー
スを介して前記マウンティングプレートに接着し、 該マウンティングプレートを前記ワークフィードテーブ
ルに装着して、前記複数の被加工物を前記仕切材ごと同
時に切断し、 切断後、前記マウンティングプレートを前記ワークフィ
ードテーブルから取り外して、切断された全てのウェー
ハ及び仕切材を熱水又は薬液中に浸漬させて前記スライ
スベースから同時に剥離し、 前記スライスベースから剥離した仕切材によって、前記
スライスベースから剥離したウェーハを種類別に仕切る
ことを特徴とするマルチ切断ワイヤソーの被加工物切断
方法。1. A different type of workpiece is bonded in series to a mounting plate via a slice base,
A multi-cut wire saw that attaches the mounting plate to a work feed table and feeds the work feed table toward a running wire row to press the plurality of workpieces against the wire row to cut into a number of wafers. In the work piece cutting method, a partition member for partitioning the plurality of work pieces is adhered to the mounting plate via a slice base, and the mounting plate is mounted on the work feed table, and the plurality of work pieces are attached. After the cutting, the mounting plate is removed from the work feed table, and all the cut wafers and the partition material are immersed in hot water or a chemical solution to be simultaneously peeled from the slice base. And the partition material peeled off from the slice base A method for cutting a workpiece of a multi-cut wire saw, wherein the wafer separated from the slice base is separated by type.
類似の素材を用いて断面形状が異なる形状で形成されて
いることを特徴とする請求項１記載のマルチ切断ワイヤ
ソーの被加工物切断方法。2. The multi-cut wire saw workpiece according to claim 1, wherein the partition member is formed of the same or similar material as the workpiece and has a different cross-sectional shape. Cutting method.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15255497A JP3716555B2 (en) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | Multi-cut wire saw work cutting method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15255497A JP3716555B2 (en) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | Multi-cut wire saw work cutting method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340868A true JPH10340868A (en) | 1998-12-22 |
| JP3716555B2 JP3716555B2 (en) | 2005-11-16 |
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ID=15543013
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP15255497A Expired - Fee Related JP3716555B2 (en) | 1997-06-10 | 1997-06-10 | Multi-cut wire saw work cutting method |
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|---|---|
| JP (1) | JP3716555B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008135730A (en) * | 2006-10-25 | 2008-06-12 | Siltronic Ag | Method for simultaneously cutting at least two cylindrical workpiece to two or more wafer |
| CN102126261A (en) * | 2010-06-10 | 2011-07-20 | 常州天合光能有限公司 | Wire saw with cutting function |
| US8205534B2 (en) | 2006-06-30 | 2012-06-26 | Nagasaki University | Cutting methods and cutting apparatus |
| CN109808087A (en) * | 2019-01-30 | 2019-05-28 | 无锡中环应用材料有限公司 | A kind of sticky stick method of silicon rod |
| CN112359424A (en) * | 2020-12-09 | 2021-02-12 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | Device for bonding multiple silicon carbide crystal ingots and using method |
-
1997
- 1997-06-10 JP JP15255497A patent/JP3716555B2/en not_active Expired - Fee Related
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| KR100885006B1 (en) | 2006-10-25 | 2009-02-20 | 실트로닉 아게 | Method for simultaneously slicing at least two cylindrical workpieces into a multiplicity of wafers |
| JP2012109622A (en) * | 2006-10-25 | 2012-06-07 | Siltronic Ag | Method for simultaneously slicing at least two cylindrical workpieces into many wafers |
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| CN112359424A (en) * | 2020-12-09 | 2021-02-12 | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 | Device for bonding multiple silicon carbide crystal ingots and using method |
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|---|---|
| JP3716555B2 (en) | 2005-11-16 |
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