JPH10335404A - 検査装置及び検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短時間で不良の検査を行う検査装置を提供す
る。 【解決手段】 ウェーハの表面に形成された複数の配線
４上に付着した不良部分６によって、２本の配線４間に
ショートが生じ動作不良が起こっている。各々の配線４
の両端に設けられている針当て部５を用いて電気特性検
査を行い、ウェーハ表面のうち動作不良が起こっている
不良エリア７が特定される。不良エリア７の座標は読み
取られ保持される。不良エリア７のうち不良部分６が存
在する部分を特定するために、レーザ散乱方式又は差画
像比較方式等を用いて外観検査を行う。外観検査は、保
持されている座標に基づき、不良エリア７に対してのみ
行われる。特定された不良部分６は座標を読み取られ、
この座標が用いられて不良の解析又は救済等が、ウェー
ハの表面のうち不良部分６に対してのみ行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品に生じた
不良を検査する検査装置及び検査方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置に備わるＤＲＡＭ／ＳＲＡＭ
の周辺回路部又はロジック回路部に関する不良の従来の
検査においては、まず、半導体装置に対して電気的な特
性に関する試験を行い、半導体装置に不良が生じている
かいないかを判別していた。そして、不良が生じている
半導体装置の周辺回路等の全面に対して外観検査を行
い、不良の原因を調査していた。

【０００３】この調査には例えばエミッション顕微鏡が
用いられ、欠陥が存在する部分から発せられる微小な光
を検出することによって欠陥が存在する箇所を特定する
ことによって不良の位置を把握していた。他に、電子ビ
ームテスタから発せられるビームを用いたり、光学顕微
鏡を用いる方法もある。

【０００４】以上のような検査は、ロジック回路部等の
みに行われるものではない。例えばＤＲＡＭ等のメモリ
セル部の不良の位置を自動的に特定することが困難な場
合には、上記の検査をメモリセル部に行わねばならなか
った。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】以上の方法を用いる場
合、不良が生じている部分を特定するのに１週間以上か
かることも多く、また、特定された位置を表すものとし
て得られた座標も正確ではない。座標の信頼性が低いた
めに、不良を解析する装置の視野内へと不良が生じてい
る部分を収めることに多くの時間がかかり、作業の効率
が悪いという問題点があった。また、上記の顕微鏡等を
用いる作業では不良の見落とし等が生ずる場合があり、
不良が生じている部分を特定できずじまいという結果に
終わってしまう場合もあった。

【０００６】電気的な特性の試験後に行う外観の検査の
効率を向上させるための技術として、例えば特開平４−
２２５２５２号公報に記載の発明が挙げられる。この発
明は、半導体装置に備わる複数個のセルの配置の規則性
を利用し、セルの簡易レイアウト情報と論理アドレス配
列による位置情報とを変換することによって得られた実
体アドレス上の不良セルに対して外観検査を施すという
ものである。

【０００７】しかし、この発明は規則性を利用するた
め、セルが規則的に配列されている部分にしか適用でき
ないという問題点があった。ＤＲＡＭ等においては、セ
ルが規則的に配列されている部分の割合は多くとも１／
２〜１／３程度であり、セルが規則的に配列されていな
い例えばロジック部が大半を占めるような場合もある。
このような場合には、上記公報に記載の発明を用いても
検査の効率は大して上がらない。

【０００８】また、上記の技術は、不良セルが存在す
る、Ｘ座標及びＹ座標によって特定される点としての位
置を把握するものである。しかし、半導体装置に生ずる
不良の大部分は、不良が生じている部分のＸ座標及びＹ
座標のうちのいずれか一方のみが明らかであるライン不
良である。従って、不良が生じている部分を点としては
特定できず、広がりを持った領域としてしか特定できな
い場合には、不良が生じている領域を外観検査装置の視
野内に収めることは困難である。この場合には、外観検
査を有効に行うことができないという問題点があった。

【０００９】本発明は、以上の問題点に鑑み、短い時間
で信頼性の高い検査を行う検査装置及び検査方法を提供
することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の検査装
置は、電子部品に対して電気特性試験を行い、該電子部
品のうち動作不良が生じている領域を特定し、該領域の
位置情報を得る動作不良領域特定手段と、前記電子部品
のうち前記動作不良領域特定手段から与えられた前記位
置情報によって表される領域に対して検査を行い、該領
域のうち不良が存在する部分を更に特定する不良箇所特
定手段とを備える。

【００１１】請求項２に記載の検査装置は、請求項１に
記載の検査装置であって、前記不良箇所特定手段によっ
て特定された部分に対して前記不良の解析を行う不良解
析手段を更に備える。

【００１２】請求項３に記載の検査装置は、請求項２に
記載の検査装置であって、前記不良箇所特定手段は、外
観検査を行うことによって特定する手段であり、前記不
良解析手段は、前記外観検査の結果に前記電気特性試験
の結果を加味することによって、前記解析を前記不良の
種類に関して行う。

【００１３】請求項４に記載の検査装置は、請求項３に
記載の検査装置であって、前記不良箇所特定手段によっ
て特定された部分に対し、前記解析の結果に応じて修繕
を行う修繕手段を更に備える。

【００１４】請求項５に記載の検査装置は、請求項３に
記載の検査装置であって、前記不良は、前記外観検査及
び前記電気特性試験各々の前記結果毎に選別されること
によって分類される。

【００１５】請求項６に記載の検査装置は、請求項２又
は請求項３に記載の検査装置であって、前記不良の原因
は、前記電子部品に付着した付着異物と、該電子部品の
製造の際における製造不良とを含んでなり、前記不良解
析手段は、前記不良のうち前記付着異物と認定済のもの
の集合である第１の集合と、前記製造不良と認定済のも
のの集合である第２の集合との境界について、誤った判
定をした不良についての情報を与えることによって、前
記境界の修正を行う。

【００１６】請求項７に記載の検査方法は、（ａ）電子
部品に対して電気特性試験を行い、該電子部品のうち動
作不良が生じている領域を特定し、該領域の位置情報を
得るステップと、（ｂ）前記電子部品のうち前記位置情
報によって表される領域に対して検査を行い、該領域の
うち不良が存在する部分を更に特定するステップとを備
える。

【００１７】請求項８に記載の検査方法は、請求項７に
記載の検査方法であって、（ｃ）不良が存在するとして
特定された前記部分に対して解析を行うステップを更に
備える。

【００１８】請求項９に記載の検査方法は、請求項８に
記載の検査方法であって、前記ステップ（ｂ）は、外観
検査を行うことによって特定するステップであり、前記
ステップ（ｃ）は、前記外観検査の結果に前記電気特性
試験の結果を加味することによって、前記解析として前
記不良の種類の判別を行う。

【００１９】請求項１０に記載の検査方法は、請求項９
に記載の検査方法であって、（ｄ）不良が存在するとし
て特定された前記部分に対し、前記判別の結果に応じて
修繕を行うステップを更に備える。

【００２０】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．図１は、本発明の検査装置の対象となる
ウェーハの表面の構造の一部を拡大して例示する平面図
である。ウェーハの表面には配線４が互いに平行に配置
されており、配線４の各々の両端には針当て部５が設け
られている。図２は、このようなウェーハの検査を行
う、本実施の形態に従う検査装置の構成を例示する模式
図である。検査装置は、被検査物であるウェーハに対し
て電気特性に関する検査を行う電気特性検査ユニット１
を備えている。電気特性の検査は、以下のように行われ
る。

【００２１】電気特性検査ユニット１においては予め、
ウェーハの品種に応じて原点の座標、アライメントを行
うためのポイントを表す情報等が設定されている。図２
に例示される電気特性検査ユニット１に備わる図示され
ない１対のプローブは、図１に例示される複数の配線４
のうちの一本に備わる１対の針当て部５にそれぞれ接触
される。この状態にて１対のプローブ間に電圧が印加さ
れ、電流の測定が行われる。一本の配線４に対して電流
の測定が終了したら次の配線４に対して同様の測定が行
われる。このような電気特性検査ユニット１の構造は、
従来から存在する。

【００２２】配線４に何らの不良も生じていない場合に
は、所望の電流値が得られるはずである。しかし、図１
に例示されるように、２本の配線４をショートさせる不
良部分６が存在する場合には、電流の漏洩によって所望
の電流値は得られない。図２の電気特性検査ユニット１
は、所望の電流値が得られなかった配線４の座標を読み
取り、情報として記憶する。説明の簡便のために、図１
に向かって上下方向にＹ軸をとり、左右方向にＸ軸をと
っている。

【００２３】上記のような構成から、電気特性検査ユニ
ット１は、配線４に不良が存在するか否かを検出する機
能を有するだけである。即ち、電気特性の試験によって
は、不良部分６の存在によって所望の結果が得られなか
った配線４のＹ座標のみが特定されるだけであり、Ｘ座
標は不明のままである。

【００２４】以上のようにして、全ての配線４に対して
電気特性の検査を行う。すると、不良部分６に関するＹ
座標から、不良部分６がその内部に存在する、広がりを
持つ不良エリアを認識することができる。図３は、不良
エリア７が認識されたウェーハを例示する模式的な平面
図である。

【００２５】詳細には不良エリア７は、配線４が形成さ
れている領域のうち電気的な動作不良が検出されなかっ
た領域が除かれた部分（図において点線にて囲まれてい
る部分）として把握される。即ち、不良エリア７の広が
りは、Ｙ軸方向においては不良部分６のＹ座標によって
規定されているが、Ｘ軸方向においては不良部分６のＸ
座標が未知であることによって、配線４が存在するＸ軸
方向の任意の領域にわたっている。以上の説明において
は配線４について不良を検出する例を説明したが、例え
ばメモリセルの不良を検出する場合には、不良のＸ座標
及びＹ座標が共に既知となる。座標の既知の是非によっ
て動作不良がどのように分類されているかについて説明
を行う。

【００２６】図４は、切り出されるチップ１０が配列さ
れているウェーハ９の構造を例示する平面図である。動
作不良の種類としては、点としての広がりしか持たない
点不良７ａ、広がりが線状であるライン不良７ｂ及びチ
ップ１０全体が不良であるチップ不良７ｃが例として挙
げられる。図２の電気特性検査ユニット１は、このよう
な不良全てを検出することが可能である。電気特性検査
ユニット１によって、図４に例示されるような不良は、
電気特性の検査の結果に応じて不良エリアの７の座標と
しての情報に変換される。

【００２７】図３に例示される不良エリア７を表す座標
は、図２に例示される信号線３を介して、電気特性検査
ユニット１から欠陥検査ユニット２へと送られる。欠陥
検査ユニット２においては予め、電気特性検査ユニット
１に設定されていた情報（ウェーハの品種に応じた原点
の座標及びアライメントを行うためのポイントを表す情
報等）に加え、検査の感度を設定するパラメータ等が設
定されている。

【００２８】作業者は、電気特性の検査の終了後に、電
気特性検査ユニット１のテーブルから欠陥検査ユニット
２のテーブルへとウェーハを移動させ載置する。このよ
うな移動は、ロボットのアーム等を用いる自動搬送シス
テムを用いて行っても良い。欠陥検査ユニット２におい
ては、アライメントポイント情報に基づき、ウェーハの
アライメント合わせが行われる。作業者は、アライメン
ト合わせが適切に行われているかどうかを、欠陥検査ユ
ニット２内のモニタ又は光学顕微鏡を目視することによ
って確認しても良い。

【００２９】アライメント合わせ後には、電気特性検査
ユニット１から送られてきた座標を基に、図３の不良エ
リア７に対する欠陥の検査が欠陥検査ユニット２におい
て行われる。ここで、欠陥と不良とが表す意味内容の違
いについて説明を行う。図５及び図６は、欠陥６ａ及び
不良６ｂの構造を例示する平面図である。

【００３０】「欠陥」は、製品の形状の一部が少しでも
おかしいものを意味する。図５に例示される欠陥６ａは
配線４の形状の異常によって生じたものではあるが、動
作不良は引き起こさない。一方、「不良」は、製品の動
作不良を引き起こすものを意味する。図６に例示され
る、２本の配線４にまたがる不良６ｂは、配線４の形状
の異常であると共に、動作不良を引き起こす。

【００３１】図２の欠陥検査ユニット２において行われ
る欠陥の検査は、電子ビーム、レーザ散乱方式又は差画
像比較方式などの外観検査を行う検査手段によって為さ
れ、欠陥検査ユニット２において自動的に不良エリア７
に対してのみ行われる。このようにして、図２の電気特
性検査ユニット１によってウェーハの表面のうちから特
定された不良エリア７のうち、動作不良を引き起こす原
因となる可能性のある欠陥が存在する部分が検出され
る。不良が存在する部分の座標は、欠陥検査ユニット２
によって読み取られ、ディスク等に保持される。

【００３２】以上のようにして、図７に例示されるよう
に、電気特性検査による不良エリア７の特定（ステップ
Ｓ１）の後に、外観検査によって、不良エリア７のうち
不良が存在する部分が更に特定される（ステップＳ
２）。図７は、本実施の形態の検査手順を例示するフロ
ーチャートである。このような構成においては、ウェー
ハの表面のうち不良エリア７のみが選択的に検査される
ので、表面全体の検査を行っていた従来の場合よりも、
不良がある部分の特定が迅速に行われることになる。

【００３３】図８は、半導体装置の欠陥の検査に要する
と予測される時間を例示する図である。製品である半導
体ＬＳＩは、図面に向かって左から右へと配列されてい
る順に世代が新しくなっており、微細加工化の程度が高
くなっている。同図を参照すれば明らかであるように、
微細加工化が進むにつれて１枚当たりのウェーハの検査
に要する時間は増大すると予測されている。

【００３４】不良品を減らすためには、製品を製造して
いる途中で欠陥の検査を行う必要がある。しかし、図８
に例示されるように検査に要する時間が長くなることに
よって、製品の工期が大幅に長くなってしまう。そこ
で、本実施の検査装置を用いて時間を短縮することは、
欠陥の検査に対して非常に有効である上に、製品の工期
を短くするという点でのメリットもある。

【００３５】また、本実施の形態の検査装置において
は、図３の不良エリア７として特定された部分全体が図
２の欠陥検査ユニット２において検査されるので、特開
平４−２２５２５２号公報に記載の従来の技術のよう
に、メモリセルのみに適用することが可能であるという
制限はない。従って、本実施の形態の検査装置は汎用性
が高いといえる。

【００３６】尚、上述の説明においては、不良エリア７
の座標は図２の電気特性検査ユニット１から欠陥検査ユ
ニット２へと信号線３を介して与えられている。しか
し、信号線３を用いずとも、例えばフレキシブル（フロ
ッピー）ディスク等のような情報伝達媒体を用いること
も可能である。また、欠陥検査ユニット２には予めウェ
ーハ２の品種に応じた原点座標等の情報が設定されてい
るが、この情報は電気特性検査ユニット１から与えられ
ても良い。

【００３７】上述の説明においては不良エリア７の座標
は図２の電気特性検査ユニット１によって自動的に読み
取られているが、例えば作業者が図２のモニタに映し出
され又はプリントアウトされた不良エリア７を目視する
ことによって座標を読み取り、電気特性検査ユニット１
へと座標を与えても良い。

【００３８】図２の例においては電気特性検査ユニット
１と欠陥検査ユニット２との間でのみ情報のやり取りが
行われているが、データベースサーバを更に付加しても
良い。図９は、電気特性検査ユニット１、欠陥検査ユニ
ット２及びデータベースサーバＤＢＳが信号線３ａを介
して情報をやり取りする構成を例示する模式図である。
データベースサーバＤＢＳには原点座標等の情報等が予
め設定されており、電気特性検査ユニット１及び欠陥検
査ユニット２は信号線３ａを介して、必要に応じて情報
を受け取れば良い。また、電気特性検査ユニット１によ
って得られた、図３の不良エリア７を表す座標は、デー
タベースサーバＤＢＳによって保持されていても良い。
同様に、欠陥検査ユニット２によって特定された不良が
存在する部分の座標は、データベースサーバＤＢＳにお
いて保持しても良い。

【００３９】以上の説明においては欠陥検査ユニット２
において座標が保持されるのは欠陥のうち不良であるも
のだけであるが、欠陥全ての座標を保持し、実施の形態
２以降において示される処理を欠陥全てに対して行う構
成を採用することも勿論可能である。検査装置の使用の
目的とは、動作不良を引き起こす原因の調査であるの
で、以後の説明においては不良のみを対象として説明を
行うが、不良ではない欠陥に対しても本発明を適用する
ことは可能である。

【００４０】また、以上の説明においては半導体装置を
検査対象としているが、例えばＰＤＰ（プラズマディス
プレイ）装置、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）装置及びブ
ラウン管等に本発明の検査装置を用いることが可能であ
る。

【００４１】実施の形態２．以下、既に説明の行われた
ものと同一の構成、構造には同一の参照符号を付し、説
明は省略する。図１０は、本実施の形態に従う検査装置
の構造を例示するブロック図である。同図に例示される
検査装置は、図９に例示される実施の形態１の検査装置
にさらに不良解析ユニット２０が付加されたものであ
る。各々のユニットは、信号線３ｂによって結び付けら
れている。

【００４２】図１１は、本実施の形態の検査装置を用い
る検査手順を例示するフローチャートである。同図に例
示される検査手順は、図７に例示される検査手順の後
に、図１０の不良解析ユニット２０による新たな処理が
付け加えられたものである。以下、本実施の形態に特有
の構成についてのみ説明を行う。

【００４３】欠陥検査ユニット２において外観検査によ
る更なる特定（ステップＳ２）が終了した後に、不良解
析ユニット２０において不良の種類について解析を行
う。作業者はウェーハを不良解析ユニット２０のテーブ
ル上へと移動させた後に、不良解析ユニット２０を稼動
させる。

【００４４】不良解析ユニット２０には、データベース
サーバＤＢＳからウェーハに応じた原点座標等の情報が
入力され、これらの情報に応じてウェーハのアライメン
ト合わせが行われる。図１１のステップＳ２において欠
陥検査ユニット２によって特定された不良が存在する部
分の座標はデータベースサーバＤＢＳにおいて保持され
ており、この座標は不良解析ユニット２０へと入力され
る。

【００４５】不良の座標に基づいてテーブルは移動し、
不良解析ユニット２０の解析スポット内に不良が存在す
る部分の座標が収まるようにウェーハは搬送される。こ
のように搬送を自動的に行わせるためには、図１１のス
テップＳ２において得られる座標の信頼性が確保される
ように、不良解析ユニット２０として高性能の機器を使
用する必要がある。また、テーブルの位置の認識の信頼
性も高くなければならない。これらの信頼性に不安が残
っている場合には、作業者が不良がスポットに収まって
いるか否かを確認するようにすれば良い。

【００４６】不良解析ユニット２０は、走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）又はエネルギー分散型Ｘ線（ＥＤＸ）分析
装置等の物理分析による解析手段、光学顕微鏡、レーザ
顕微鏡等の観察による解析手段等を備えている。不良解
析ユニット２０は、ＳＥＭ観察の情報、又はＥＤＸの場
合には定性分析を行うことによる検査によって、不良に
関する情報を取り込む。不良の存在する部分の断面の形
状を得たい場合には、集束イオンビーム（ＦＩＢ）等を
用いて断面を露出させ、この後にＳＥＭ等を用いて情報
を取り込めば良い。以上のようにして、形状及び成分等
に関する不良の情報が得られ、不良の解析がなされたこ
とになる（図１１のステップＳ３）。

【００４７】不良の解析によって、不良の原因を推定し
て対策を講ずることが可能となる。例えば、図１２に例
示される不良６ｃの成分が、製造工程の際に用いられた
レジストの成分と同じであったとする。図１２は、不良
の一例を示す平面図である。この場合には、不良６ｃが
レジストの残留によって生じたものであると当然に推定
される。従って、レジストが完全に除去されるような対
策を講ずることによって、不良６ｃの発生を回避できる
ようになる。

【００４８】図１３は、不良の他例を示す平面図であ
る。同図に例示される不良６ｄの成分が配線４の成分と
同じである場合には、不良６ｄは配線４をエッチングを
用いて形成する際に際に付着した異物によるエッチング
不良であると推定できる。この場合には、エッチング装
置内の異物を低減する対策を講ずれば良い。

【００４９】本実施の形態においては、図１１のステッ
プＳ２において得られる座標を利用することによって必
要な部分を精度高く解析視野内に移動させることができ
る。これによって、解析に要する時間を短縮することが
可能となる。また、実施の形態１と同様の理由によっ
て、電子部品の工期を短縮することが可能となる。ある
いは、短縮された時間の分を不良の解析に費やしても良
い。この場合には不良の詳細な情報が得られ、不良の発
生対策をより的確に行えるようになる。

【００５０】実施の形態３．図１４は、本実施の形態に
従う検査装置の構造を例示するブロック図である。同図
に例示される検査装置は、図９に例示される実施の形態
１の検査装置にさらに救済ユニット３０が付加されたも
のであり、各々のユニットは、信号線３ｃによって結び
付けられている。図１５は、本実施の形態の検査装置を
用いる検査手順を例示するフローチャートである。同図
に例示される検査手順は、図７に例示される検査手順の
後に、図１４の救済ユニット３０による新たな処理を行
うステップＳ４が付け加えられたものである。以下、本
実施の形態に特有の構成についてのみ説明を行う。

【００５１】図１４の救済ユニット３０にはウェーハが
載置されるテーブルが備えられており、テーブル上に載
置されたウェーハは、データサーバＤＢＳから信号線３
ｃを介して与えられた不良の存在を示す座標の部分が救
済スポットへと搬送される。このような搬送は、図１０
に例示される実施の形態２の不良解析ユニット２０と同
様の構成によって実現できる。

【００５２】救済ユニット３０は、例えばレーザー光線
の照射手段を用いて、図１５のステップＳ２において得
られた座標の部分へとレーザー光線の照射を行う。する
と、図３に例示されるような不良６は部分的に消失し、
図１６に例示されるように配線４同士の間のショートが
解消され、不良が救済される（ステップＳ４）。

【００５３】以上の如く自動的な救済を行うためには、
実施の形態２において説明したと同じ理由によって、図
１４の欠陥検査ユニット２と救済ユニット３０に備わる
テーブルとのそれぞれの座標及び位置に関する信頼性を
高くしておかなければならない。自動的に救済が行われ
ることによって、救済の効率は作業者を煩わせることな
く向上される。

【００５４】実施の形態４．本実施の形態においては、
実施の形態２と同様の構成と実施の形態３の構成とを組
み合わせた構成を示す。図１７は、本実施の形態に従う
検査装置の構造を例示するブロック図である。同図に例
示される検査装置は、図１０に例示される実施の形態２
の検査装置にさらに図１４に例示される実施の形態３の
救済ユニット３０が付加されたものであり、各々のユニ
ットは、信号線３ｄによって結び付けられている。

【００５５】図１８は、本実施の形態の検査装置を用い
る検査手順を例示するフローチャートである。本実施の
形態の検査手順においては、実施の形態２の検査手順に
おいて図１１に例示されるステップＳ２の後に行われる
ステップＳ３の不良解析が、ステップＳ３ａに置き換え
られている。ステップＳ３の不良解析と、ステップＳ３
ａの不良解析との違いとは、ステップＳ３ａにおいては
断面形状の観察を行わずにウェーハの破壊を回避する、
非破壊的な不良の解析を行うことである。ウェーハの破
壊を回避するのは、後に救済を施されたウェーハを利用
する為である。非破壊的な解析を行うという変更は、実
施の形態２において断面の形状を得る場合に用いられ
る、図１７の不良解析ユニット２０の１つの機能である
集束イオンビーム等の照射を行わないことによって容易
に実現できる。また、電子ビーム又はレーザー光線のエ
ネルギーを破壊が生じない程度に落として解析を行って
も良いし、Ｘ線等を用いても良い。光学的手段を用いる
ことも可能である。

【００５６】図１８のステップＳ３ａの後に、図１５に
例示される実施の形態３のステップＳ４と同じ不良の救
済を行う（図１８のステップＳ４）。図１５に例示され
る実施の形態３の検査手順においては、ステップＳ２の
直後にステップＳ４の救済を行っている。一方、本実施
の形態では図１８に例示されるように、ステップＳ２の
外観検査よりも詳細な情報が得られるステップＳ３ａの
解析の後にステップＳ４の救済を行う。詳細な解析の結
果が救済に利用されることによって、実施の形態３の場
合よりも不良原因調査に対しより豊富な情報を得ること
ができ、原因を追及し易くなる。詳細は以下に記す。

【００５７】ステップＳ２においては、用いられる光学
顕微鏡等によって、不良の位置と大きさが把握できる程
度（光の散乱によって詳細な形状は把握できないためで
ある）の情報しか得られない。一方、ステップＳ３ａの
非破壊的な解析によっては、不良の成分及び詳細な形状
に関する情報が得られる。従って、ステップＳ３ａの情
報を活用してレーザー光線のエネルギーを成分に適した
強度に設定したり、ショートを引き起こしている部分を
完全に除去したりというように、本実施の形態の検査手
順においては個々の不良に応じた救済をステップＳ４に
おいて行うことが可能となる。

【００５８】実施の形態５．実施の形態４においては、
図１８のステップＳ３ａにおける非破壊的な解析によっ
て、ステップＳ２における外観検査の場合よりも詳細な
情報として不良の成分及び形状を得ている。本実施の形
態においては、非破壊的なステップＳ３ａの処理を行う
ことなく、ステップＳ１の電気特性検査及びステップＳ
２の外観検査のそれぞれの結果を関連させて不良に関す
る情報を的確に得る構成について示す。

【００５９】図１９は、本実施の形態に従う検査装置の
構造を例示する模式図である。同図に示される検査装置
は、図１０に例示される実施の形態２の検査装置にさら
に自動分類ユニット５０が付加されたものである。各々
のユニットは、信号線３ｅによって結び付けられてい
る。

【００６０】図２０は、本実施の形態の検査装置を用い
る検査手順を例示するフローチャートである。同図に例
示される検査手順は、図１１に例示されるステップＳ２
及びステップＳ３のそれぞれの処理の間に、図１９の自
動分類ユニット５０によるステップＳ５が挿入されたも
のである。以下、本実施の形態に特有の構成についての
み説明を行う。

【００６１】ステップＳ５においては、図１９の電気特
性検査ユニット１，２によってそれぞれ得られた電気特
性検査の結果と外観検査の結果とが、データベースサー
バＤＢＳから信号線３ｅを介して自動分類ユニット５０
へと入力される。自動分類ユニット５０においては、ま
ず、電気特性検査の結果から、その不良によってショー
トが起こっているか又は断線が起こっているかを判断
し、ショート型の不良及び断線型の不良のように２種類
に選別する。

【００６２】次に、自動分類ユニット５０は外観検査の
結果から、その不良の大きさを把握する。そして、大き
さに関して予め設定されている設定値を基準として（例
えば不良の幅のうちいちばん大きなものが３μｍあるか
否かを基準として）、その設定値よりも大きいか又は小
さいかによって、不良を２種類に選別する。

【００６３】以上のようにして電気的特性及び大きさと
いう検査の結果毎に振り分けられることによって、不良
は、ショート型で比較的大きな不良、ショート型で比較
的小さな不良、断線型で比較的大きな不良及び断線型で
比較的小さな不良という４グループへと分類されたこと
になる。このようにして、不良の分類というステップＳ
５の処理が為される。

【００６４】不良が生ずる原因は、例えばエッチング時
に異物が付着したこと、又はレジストの除去が不十分で
あったこと等、様々である。従って、不良の大きさ及び
電気的特性のみによって不良の種類を正確に知ることは
不可能である。しかし、ある原因によって生じた不良の
大きさ及び電気的特性には一定の傾向があり、大きさ及
び電気的特性によって分類された集団内の不良は、同じ
原因によって生じているとおおまかながらも推測でき
る。

【００６５】従って、各々のグループに分類された不良
の個数を互いに比較することによって、様々な原因のう
ちどれが深刻でありどれが軽微であるかを、分類という
統計的な手法によって把握することが可能となる。例え
ばレジストの除去が不十分であることを原因とする不良
が最も多いと把握された場合には、レジストの除去を徹
底するという対策を講ずることによって多くの不良を解
消できることになる。

【００６６】尚、図１１に例示される実施の形態２の検
査手順中のステップＳ３の不良解析の結果から不良を分
類することも勿論可能である。しかし、この場合には不
良全部に対して詳細な結果を得るための解析を施さねば
ならず、手間と時間がかかりすぎる。また、詳細な結果
を得るためＳＥＭ等の特別な装置を準備しなければなら
ない。しかし、本実施の形態においては電気特性検査の
ための装置及び光学顕微鏡等を利用すれば良く、設備の
面において比較的制約が少ない。

【００６７】詳細な情報を得たい場合には、上記４つの
グループへと分類された不良をステップＳ５の後に各グ
ループ毎に何個かサンプリングし、サンプリングされた
ものに対してのみ不良解析ユニット２０において実施の
形態２のステップＳ３の処理と同じ不良の解析を行って
も良い。全ての不良に対して解析を行わずとも不良の原
因毎に詳細な情報が得られ、検査の時間が短縮される。
あるいは、原因として主要なもののみに関して詳細に解
析を行っても良い。

【００６８】上述の説明においてはパラメータとしての
試験結果毎に不良を２つに選別する例を用いていたが、
例えば３つのようにもっと細かく分類しても良い。この
場合には、分類されたグループ内の不良は互いに均質と
なり、分類の信頼性が高まる。

【００６９】実施の形態６．図２０に例示される実施の
形態５のステップＳ５において分類された不良に対し
て、分類されたグループ毎に救済を行っても良い。図２
１は、本実施の形態の検査装置の検査手順を例示するフ
ローチャートである。実施の形態５のステップＳ５に引
き続く処理として、ステップＳ４ａが付加されている。
図２２は、本実施の形態の検査装置の構成を例示するブ
ロック図である。

【００７０】図２１のステップＳ５の処理によって、不
良は大きさ及び電気特性に基づいて原因毎に分類されて
いる。従って、任意のグループ内の不良は当然に大きさ
が共通しており、原因が同じならば成分も共通している
はずである。そこで、ステップＳ４ａにおいては、レー
ザー光線の照射範囲及び強度をグループ毎に設定する。
あるグループ内に所属する不良に対しては照射範囲及び
強度が共通なレーザー光線が照射されることになり、不
良の救済はグループ毎に共通に行われる。グループ毎の
不良の大きさ及び成分に関する情報は、図２２の自動分
類ユニット５０から信号線３ｆを介してデータベースサ
ーバＤＢＳへと与えられて保存されていたものであり、
必要に応じて救済ユニット３０へと与えられる。

【００７１】グループ毎に共通に救済を行うという構成
を採用することによって、不良１個１個に対してレーザ
ー光線の設定を変更しなければならないという面倒がな
くなる。これによって、救済に要する時間が短縮され
る。また、図１１に例示されるようにステップＳ２の外
観検査の結果からすぐにステップＳ４の不良の救済を行
う実施の形態３の構成よりも、成分等が考慮されている
分だけ本実施の形態の構成の方が不良に適した救済が行
われることになる。

【００７２】実施の形態７．本実施の形態においては、
図２１に例示される実施の形態６のステップＳ５とステ
ップＳ４ａとのそれぞれの処理の間に図１８に例示され
る実施の形態４のステップＳ３ａの処理を挿入する構成
を示す。図２３は、本実施の形態の検査手順を例示する
フローチャートである。図２４は、本実施の形態の検査
装置の構成を例示するブロック図であり、図１７に例示
される不良解析ユニット２０が図２２に例示される実施
の形態６の検査装置に付加されたものである。不良解析
ユニット２０は、図２３のステップＳ３ａの処理を行わ
せるために付加されたものである。

【００７３】ステップＳ３ａにおいては、ステップＳ５
においてグループ毎に分類された不良のうちのいくつか
をサンプリングし、サンプリングされた不良についての
み非破壊的な解析を行う。これによって不良に関してグ
ループ毎に具体的な情報が得られ、このように具体的な
情報が得られない図２１に例示される実施の形態６の場
合よりも、ステップＳ４ａにおける不良の救済を適切に
行うことが可能となる。また、サンプリングされた不良
についてのみ解析を行うので、検査時間が短縮される。

【００７４】実施の形態８．本実施の形態においては、
解析を全ての欠陥に対して行い、この解析によって得ら
れた情報を用いて不良の分類を行う。図２５は、本実施
の形態の検査手順を例示するフローチャートである。ス
テップＳ２における特定によって不良が存在すると認定
された部分全てに対して、ステップＳ３ａにおいて解析
を行う。そしてこの解析の結果に基づき、ステップＳ５
において不良の分類を行う。

【００７５】実施の形態７においては電気特性検査及び
外観検査それぞれの結果を用いて不良の分類を行ってい
るが、不良の全てに対する解析の結果を用いてステップ
Ｓ５において不良の分類を行う本実施の形態の構成の方
が、分類の信頼性はより高くなる。従って、分類された
グループ内の不良の均質性が高く保たれ、ステップＳ４
ａにおけるグループ毎の不良の救済の仕上りの均質性が
保証される。これによって、救済の信頼性が向上され
る。

【００７６】実施の形態９．図２６は、本実施の形態の
検査手順を例示するフローチャートである。同図に示さ
れる検査手順は、図２５に例示される実施の形態８の検
査手順の後に、本実施の形態に特有な処理を行うステッ
プＳ６が付加されたものである。

【００７７】ステップＳ４ａにおいては、不良個々に対
して適切な救済を行うという煩わしさを回避するため
に、グループ毎に共通に不良の救済を行う。しかし、実
際にはグループ内の不良は全く均質というわけではない
ので、共通な救済では不良が解消されない部分があるこ
とが予想される。

【００７８】そこで、ステップＳ４ａに引き続き、ステ
ップＳ６において救済の確認を行う。救済の確認とは、
不良がちゃんと解消されているかどうかの確認を意味す
る。図２４に例示される救済ユニット３０においてステ
ップＳ４ａの救済を施されたウェーハは、不良解析ユニ
ット２０へと移動される。不良解析ユニット２０はデー
タサーバＤＢＳから不良の座標を受取り、救済によって
不良が解消されたか否かを自身の有するＳＥＭ等の装置
を用いて確認する（ステップＳ６）。不良が解消されて
ないことが確認された場合には、そのウェーハを不良品
として除去すれば良い。このようにして、救済後も不良
の存在するウェーハを取り除くことができ、半導体製品
の信頼性を向上させることが可能となる。

【００７９】実施の形態１０．実施の形態９において
は、救済後に不良が解消されないまま残存しているウェ
ーハを取り除いている。しかし、このようなウェーハの
有効な利用を図ることは重要である。そこで、本実施の
形態においては、不良が解消されていないウェーハに対
して再度救済を行う構成について示す。

【００８０】図２７は、本実施の形態の検査手順を例示
するフローチャートである。ステップＳ６ａにおいては
救済の確認として、不良が解消されているか否かを判断
する。解消されていないと判断された場合には、ステッ
プＳ４ａにおいて再び図２４の救済ユニット３０を用い
て救済を行う。解消されたと判断された場合には、その
ウェーハを良品として以後取り扱えば良い。

【００８１】本実施の形態の構成によれば、ウェーハは
不良が解消されるまで救済を施され、ウェーハの良品率
が上がる。これによってウェーハの無駄が少なくなり、
製品の材料費を下げることが可能となる。

【００８２】実施の形態１１．本実施の形態において
は、実施の形態１０において用いられている自動分類ユ
ニット５０に更に学習機能を付け加えた自動分類ユニッ
ト５０ａを用いる構成を示す。図２８は、本実施の形態
の検査装置の構成を例示するブロック図である。同図に
例示される検査装置は、図２４に例示される自動分類ユ
ニット５０が自動分類ユニット５０ａに置き換えられた
ものである。図２９は、本実施の形態の検査装置が行う
検査手順を例示するフローチャートである。まず、自動
分類ユニット５０，５０ａに共通する分類の様子につい
て説明を行う。

【００８３】図３０〜図３３は、欠陥（不良）の分類を
例示するための平面図である。図３０に例示される異物
である欠陥１６ｂは、大きさは例えば３μｍよりも小さ
いが、配線４間のショートを引き起こすため不良として
認定され、コードＢの不良として分類される。図３１に
例示される欠陥１６ｃは、ショートを引き起こす不良で
あり大きさが例えば３μｍ以上であるとして、コードＣ
の不良として分類される。

【００８４】図３２に例示される欠陥１６ｄは、配線４
の形成のためのエッチング時に付着した異物によって生
じたものである。このような欠陥は配線４間のショート
を引き起こし、コードＤの不良として分類される。図３
３に例示される欠陥１６ｅも、図３２に例示される欠陥
１６ｄとは形状の違いこそ有れ同様の動作不良を引き起
こすため、コードＤとして分類される。

【００８５】図３１及び図３３にそれぞれ例示される欠
陥１６ｃ，１６ｅはそれぞれ互いに異なるコードＣ，Ｄ
に分類されるべきではあるが、その外形（輪郭）が相似
していることから、例えば欠陥１６ｅがコードＣとして
図２４に例示される実施の形態１０の自動分類ユニット
５０によって分類されてしまうことがある。しかし、欠
陥が生じた原因を統計的に処理して対策を行うために
は、欠陥１６ｅが正しくコードＤとして分類されること
が望ましい。

【００８６】図２８に例示される本実施の形態の自動分
類ユニット５０ａは、自身によって一旦分類し終えた欠
陥（不良）に対するコードの修正を受け付け、この修正
に基づいて以後の分類を行う機能を有するものである。
以下、自動分類ユニット５０ａの機能について説明を行
う。

【００８７】図３４は、自動分類ユニット５０ａの分類
の機能を説明する模式図である。同図においては、説明
の簡便のために、明るさと大きさとに基づいて２次元的
に欠陥を分類する構成が例として採用されている。理解
の簡便のために、本来コードαとして分類されるべき欠
陥に参照符号Ｄαを付し、同様にコードβに関しては参
照符号Ｄβを付し、それぞれ白丸と黒丸で図示してい
る。

【００８８】初期状態においては、自動分類ユニット５
０ａにはコードαに属するべき欠陥と、コードβに属す
るべき欠陥とが分布すべきそれぞれの領域を互いに分離
するために、予め境界Ｌが設定されている。自動分類ユ
ニット５０ａは、欠陥の２次元的座標に基づき、境界Ｌ
よりもコードα側の領域に属する欠陥をコードαの欠陥
と、コードβ側に属するものをコードβの欠陥として分
類する（図２９のステップＳ５）。

【００８９】境界Ｌは初期状態に暫定的に設定されたも
のであり、図示されるように欠陥Ｄαのうち幾つかは、
境界Ｌよりもコードβ側に属するとしてコードβの欠陥
として分類されてしまうという不都合が生じている。そ
こで、図２９のステップＳ７において、分類の基準の修
正を受け付ける。

【００９０】ステップＳ７においてはまず、作業者はモ
ニタ等を用いる目視にて、欠陥の分類が正しく行われて
いるかどうかを確認する。作業者はコートβとして分類
されている欠陥Ｄαを発見した場合には、その欠陥Ｄα
がコードαとして分類されるべきであることを自動分類
ユニット５０ａに指示する。同様に、コードαに分類さ
れている欠陥Ｄβについてもコードβに分類されるべき
であるとの指示を出す。作業者は欠陥に対して確認を行
い、間違ったコードに分類されている欠陥全てに関して
上記の指示を行う。

【００９１】欠陥に対して確認が終了したら、確認が終
了した旨の指示を自動分類ユニット５０ａに与える。自
動分類ユニット５０ａはこの指示を受けると、分類が間
違っていた欠陥が正しいコードの領域に所属するよう
に、図３４から図３５に例示されるように境界Ｌを書き
換える。図３５は、書換後の境界Ｌを例示する模式図で
ある。

【００９２】境界Ｌの書換は、分類が間違っていた欠陥
が正しい領域に属するように、かつ、境界Ｌが最短の曲
線となるように行われる。尚、分類が間違っていた欠陥
が境界Ｌ上に位置するように境界Ｌが書き換えられた場
合（図３６）には、その欠陥が境界Ｌ上に位置するとし
て、再度の分類の際に分類が正しく行われないという不
都合が生ずる。そこで、欠陥の座標に対して若干の余裕
を持たせて、図３５に例示されるように欠陥が境界Ｌ上
に位置しないように書換を行う。

【００９３】以上のようにして、図２９に例示されるス
テップＳ７において、分類基準の修正が行われる。この
ような修正によって、作業者の目視によってどちらのコ
ードに属するべきかが認定済の欠陥は、新たな分類の基
準に活用されることになる。修正済の分類基準は以降検
査されるウェーハに対して用いられ、このウェーハに関
する欠陥の分類の信頼性は、実施の形態１０の場合より
も高くなる。これによって、欠陥の原因の推定をより精
度良く行うことが可能となる。更に、分類の信頼性が高
くなれば必然的に、図２９のステップＳ４ａにおいて行
われる救済は欠陥（不良）に対して適切に為されること
になる。

【００９４】一枚のウェーハに対する目視の結果だけで
は分類の信頼性が不十分である場合には、数枚のウェー
ハに対して欠陥の目視及び確認を行い、分類基準の修正
に反映させれば良い。十分な信頼性が得られたと確信さ
れたところで目視及び確認を止め、以後は得られた分類
基準によって欠陥の分類を自動的に行わせることによっ
て、作業者の労力なく信頼性の高い分類が行われる。

【００９５】尚、上述の説明においては不良の分類の基
準として明るさ及び大きさを用いているが、例えば欠陥
の形状、明るさの変化量、成分、救済できるか否か、電
気特性値等の情報をパラメータとして更に加えて多次元
の空間における境界を用いて分類を行う場合にも、本実
施の形態の分類基準の修正を行うことは勿論可能であ
る。

【００９６】以上のような構成によって、図３１及び図
３３にそれぞれ例示される互いに外形が相似する欠陥１
６ｃ，１６ｅは、明るさの違いによってそれぞれ別のコ
ードへと適切に分類される。

【００９７】実施の形態１２．実施の形態１１以前にお
いては、電気特性検査ユニット１、欠陥検査ユニット
２、不良解析ユニット２０等の各ユニットが互いに独立
に設計されている例が用いられ説明が行われている。し
かし、本発明は互いに独立したユニットを用いなければ
実現できないというものでない。また、それぞれのユニ
ットの機能を兼ね備えるユニットを用いて本発明の検査
装置を得ても良い。

【００９８】実施の形態１３．実施の形態４において
は、図１８に例示されるステップＳ３ａにおいてウェー
ハを破壊せずに不良の解析を行うために、図１０に例示
される実施の形態２の、断面形状の観察をも可能な不良
解析ユニット２０をそのまま用いている。しかし、非破
壊的な解析を行うには、不良解析ユニット２０を用いず
ともＳＥＭ又はＥＤＸ等の機能を有するユニットならば
十分であり、実施の形態４の構成を実現することができ
る。

【００９９】実施の形態１４．実施の形態９において
は、図２６に例示されるステップＳ３ａの不良の解析
と、ステップＳ６の救済の確認との双方を、図２４の不
良解析ユニット２０において行っている。しかし、ステ
ップＳ３ａの外観検査を行う欠陥検査ユニット２を用い
てステップＳ６の救済の確認を行っても良い。また、ス
テップＳ６の処理を他のステップの処理を行うユニット
によって為さずとも、ステップＳ６の処理を行う為だけ
の特別なユニットを設けることによって為しても良い。
図３７は、ステップＳ６の処理を行う為だけに独立な確
認ユニット６０を備え、信号線３ｆによって各々の構成
物間の信号のやり取りを行う構成を例示するブロック図
である。

【０１００】

【発明の効果】請求項１及び請求項７に記載の構成によ
れば、動作不良が生じている領域以外の領域に対して不
良が存在する部分を特定するための手間を投ずるという
無駄を省くことが可能となる。これによって、特定のた
めに要する時間が短縮される。

【０１０１】請求項２及び請求項８に記載の構成によれ
ば、請求項１及び請求項７に記載の構成によって得られ
る効果と同様に、動作不良が生じている領域を精度高く
解析視野内にいれることができるため、不良部を探す手
間を省くことが可能となる。不良の解析に要する時間が
短縮され、これに伴って電子部品の工期が短縮される。
更に、短縮された分の時間を動作不良が生じている部分
の検査に振り替えることが可能となり、この部分に対し
て行う検査を詳細にすることができる。これによって、
解析の信頼性が向上され、ひいては検査の信頼性が向上
される。

【０１０２】請求項３及び請求項９に記載の構成によれ
ば、例えば配線の形成後に付着した異物とエッチングの
際に生じた不良とのように、外観は類似しつつも種類は
異なる不良を、電気特性試験と外観検査との情報を処理
することによって、互いに識別することが可能となる。
これによって、不良の解析の信頼性が更に向上される。

【０１０３】請求項４及び請求項１０に記載の構成によ
れば、請求項３及び請求項９に記載の構成によって種類
の識別が的確に行われた不良に対して修繕が行われるこ
とになり、修繕が適切に為される。

【０１０４】請求項５に記載の構成によれば、大まかな
がらも不良がその原因毎に分類されたことになる。不良
の発生にその原因がどれだけ寄与しているかが把握で
き、対策を統計的に講ずることが可能となる。

【０１０５】請求項６に記載の構成によれば、第１及び
第２の集団のうち属すべき一方に不良が的確に振り分け
られることになり、解析の信頼性が更に向上される。

【図面の簡単な説明】

【図１】 被検査物の構造の一例を示す平面図である。

【図２】 実施の形態１に従う検査装置の構成の一例を
示す模式図である。

【図３】 実施の形態１に従う検査装置の機能の一例を
示す平面図である。

【図４】 不良の種類を例示する平面図である。

【図５】 欠陥の構造を例示する平面図である。

【図６】 不良の構造を例示する平面図である。

【図７】 実施の形態１に従う検査装置の検査手順の一
例を示すフローチャートである。

【図８】 世代毎のウェーハとこれの検査に要する時間
との関係を例示する図である。

【図９】 実施の形態１に従う検査装置の構成の他例を
示すブロック図である。

【図１０】 実施の形態２に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。

【図１１】 実施の形態２に従う検査装置の検査手順の
一例を示すフローチャートである。

【図１２】 不良の種類を例示する平面図である。

【図１３】 不良の種類を例示する平面図である。

【図１４】 実施の形態３に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。

【図１５】 実施の形態３に従う検査装置の検査手順の
一例を示すフローチャートである。

【図１６】 実施の形態３に従う検査装置によって処理
されたウェーハの構造を例示する平面図である。

【図１７】 実施の形態４に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。

【図１８】 実施の形態４に従う検査装置の検査手順の
一例を示すフローチャートである。

【図１９】 実施の形態５に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。

【図２０】 実施の形態５に従う検査装置の検査手順の
一例を示すフローチャートである。

【図２１】 実施の形態６に従う検査装置の検査手順の
一例を示すフローチャートである。

【図２２】 実施の形態６に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。

【図２３】 実施の形態７に従う検査装置の検査手順の
一例を示すフローチャートである。

【図２４】 実施の形態７に従う検査装置の構成の一例
を示すブロック図である。

【図２５】 実施の形態８に従う検査装置の検査手順の
一例を示すフローチャートである。

【図２６】 実施の形態９に従う検査装置の検査手順の
一例を示すフローチャートである。

【図２７】 実施の形態１０に従う検査装置の検査手順
の一例を示すフローチャートである。

【図２８】 実施の形態１１に従う検査装置の構成の一
例を示すブロック図である。

【図２９】 実施の形態１１に従う検査装置の検査手順
の一例を示すフローチャートである。

【図３０】 モード別の欠陥を例示する平面図である。

【図３１】 モード別の欠陥を例示する平面図である。

【図３２】 モード別の欠陥を例示する平面図である。

【図３３】 モード別の欠陥を例示する平面図である。

【図３４】 実施の形態１１に従う検査装置の機能の一
例を示す模式図である。

【図３５】 実施の形態１１に従う検査装置の機能の一
例を示す模式図である。

【図３６】 実施の形態１１に従う検査装置の機能の一
例を示す模式図である。

【図３７】 実施の形態１４に従う検査装置の構成の一
例を示すブロック図である。

【符号の説明】

１ 電気特性検査ユニット、２ 欠陥検査ユニット、
３，３ａ〜３ｆ 信号線、４ 配線、５ 針当て部、６
不良部分、６ｂ〜６ｄ 不良、６ａ，１６ｂ〜１６
ｅ，Ｄα，Ｄβ 欠陥、７ 不良エリア、７ａ 点不
良、７ｂ ライン不良、７ｃ チップ不良、９ ウェー
ハ、１０ チップ、２０ 不良解析ユニット、３０ 救
済ユニット、５０ 自動分類ユニット、６０ 確認ユニ
ット、ＤＢＳデータベースサーバ、Ｌ 境界。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子部品に対して電気特性試験を行い、
   該電子部品のうち動作不良が生じている領域を特定し、
   該領域の位置情報を得る動作不良領域特定手段と、 前記電子部品のうち前記動作不良領域特定手段から与え
   られた前記位置情報によって表される領域に対して検査
   を行い、該領域のうち不良が存在する部分を更に特定す
   る不良箇所特定手段とを備える、検査装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の検査装置であって、 前記不良箇所特定手段によって特定された部分に対して
   前記不良の解析を行う不良解析手段を更に備える、検査
   装置。
3. 【請求項３】 請求項２に記載の検査装置であって、 前記不良箇所特定手段は、外観検査を行うことによって
   特定する手段であり、 前記不良解析手段は、前記外観検査の結果に前記電気特
   性試験の結果を加味することによって、前記解析を前記
   不良の種類に関して行う、検査装置。
4. 【請求項４】 請求項３に記載の検査装置であって、 前記不良箇所特定手段によって特定された部分に対し、
   前記解析の結果に応じて修繕を行う修繕手段を更に備え
   る、検査装置。
5. 【請求項５】 請求項３に記載の検査装置であって、 前記不良は、前記外観検査及び前記電気特性試験各々の
   前記結果毎に選別されることによって分類される、検査
   装置。
6. 【請求項６】 請求項２又は請求項３に記載の検査装置
   であって、 前記不良の原因は、前記電子部品に付着した付着異物
   と、該電子部品の製造の際における製造不良とを含んで
   なり、 前記不良解析手段は、 前記不良のうち前記付着異物と認定済のものの集合であ
   る第１の集合と、前記製造不良と認定済のものの集合で
   ある第２の集合との境界について、誤った判定をした不
   良についての情報を与えることによって、前記境界の修
   正を行う、検査装置。
7. 【請求項７】 （ａ）電子部品に対して電気特性試験を
   行い、該電子部品のうち動作不良が生じている領域を特
   定し、該領域の位置情報を得るステップと、 （ｂ）前記電子部品のうち前記位置情報によって表され
   る領域に対して検査を行い、該領域のうち不良が存在す
   る部分を更に特定するステップとを備える、検査方法。
8. 【請求項８】 請求項７に記載の検査方法であって、 （ｃ）不良が存在するとして特定された前記部分に対し
   て解析を行うステップを更に備える、検査方法。
9. 【請求項９】 請求項８に記載の検査方法であって、 前記ステップ（ｂ）は、外観検査を行うことによって特
   定するステップであり、 前記ステップ（ｃ）は、前記外観検査の結果に前記電気
   特性試験の結果を加味することによって、前記解析とし
   て前記不良の種類の判別を行う、検査方法。
10. 【請求項１０】 請求項９に記載の検査方法であって、 （ｄ）不良が存在するとして特定された前記部分に対
    し、前記判別の結果に応じて修繕を行うステップを更に
    備える、検査方法。