JPH10335223A - Electron beam exposure method and system - Google Patents

Electron beam exposure method and system

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JPH10335223A
JPH10335223A JP9143834A JP14383497A JPH10335223A JP H10335223 A JPH10335223 A JP H10335223A JP 9143834 A JP9143834 A JP 9143834A JP 14383497 A JP14383497 A JP 14383497A JP H10335223 A JPH10335223 A JP H10335223A
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electron
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Masato Muraki
真人 村木
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Canon Inc
キヤノン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent an electron beam exposure system from deteriorating in throughput by a method wherein either a method where an electron beam is deflected and set for exposure or another method where an electron beam is deflected for exposure without being set at a deflection position where the entire electron beam is shut off is selected basing on pattern data as to each sub-field. SOLUTION: An element electron optical system array 3 comprises sub-arrays A to E each composed of element electron optical systems. When a sub-field composed of sub-array exposure fields where the sub-arrays A to E are formed is subjected to light exposure on a wafer, a pattern region on the wafer where a pattern is drawn basing on pattern data is successively subjected to light exposure by the unit sub-field. At this point, at a deflection position where electron beams are all shut off, a light exposure process is carried out through either a control method where an electron beam is deflected for exposure without being set or another control method where an electron beam is deflected in a certain deflection width and successively set for exposure.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は電子ビーム露光方法及びその露光装置に関し、特にウエハ直接描画またはマスク、レチクル露光の為に、複数の電子ビームを用いてパターン描画を行う電子ビーム露光方法及びその露光装置に関する。 The present invention relates to relates to an electron beam exposure method and an exposure apparatus, in particular a wafer direct drawing or mask, for reticle exposure, electron beam exposure method and a pattern drawing using a plurality of electron beams an exposure apparatus.

【0002】 [0002]

【従来の技術】電子ビーム露光装置には、ビームをスポット状にして使用するポイントビーム型、サイズ可変の矩形断面にして使用する可変矩形ビーム型、ステンシルを使用して所望断面形状にするステンシルマスク型等の装置がある。 BACKGROUND OF THE INVENTION electron beam exposure apparatus, a variable rectangular beam type, using a stencil stencil mask into a desired cross-sectional shape to be used in the point beam type, size variable rectangular section used in the beam spot shape there is an apparatus of the type or the like.

【0003】ポイントビーム型の電子ビーム露光装置ではスループットが低いので、研究開発用にしか使用されていない。 [0003] because of the low throughput at the point-beam type electron beam exposure apparatus, not only being used for research and development. 可変矩形ビーム型の電子ビーム露光装置では、ポイント型と比べるとスループットが1〜2桁高いが、0.1μm程度の微細なパターンが高集積度で詰まったパターンを露光する場合などではやはりスループットの点で問題が多い。 Variable rectangular beam type electron beam exposure apparatus is one to two orders of magnitude higher throughput than with the point-type, also in terms of throughput in a case of exposing a pattern 0.1μm about a minute pattern is jammed in highly integrated in problematic. 他方、ステンシルマスク型の電子ビーム露光装置は、可変矩形アパーチャに相当する部分に複数の繰り返しパターン透過孔を形成したステンシルマスクを用いる。 On the other hand, a stencil mask type electron beam exposure apparatus uses a stencil mask in which a plurality of repetitive patterns transmitting hole in a portion corresponding to a variable rectangular aperture. 従って、ステンシルマスク型の電子ビーム露光装置では繰り返しパターンを露光する場合のメリットが大きいが、1枚のステンシルマスクに納まらない多数の転写パターンが必要な半導体回路に対しては、複数枚のステンシルマスクを作成しておいてそれを1枚ずつ取り出して使用する必要があり、マスク交換の時間が必要になるため、著しくスループットが低下するという問題がある。 Therefore, although large benefits of exposing a repeating pattern in the stencil mask type electron beam exposure apparatus, not fit on one stencil mask with respect to a number of transfer pattern semiconductor circuits required, a plurality of stencil masks the should make must retrieve and use it one by one, since the time of the mask replacement is necessary, there is a problem that significantly reduced throughput.

【0004】この問題点を解決する装置として、複数の電子ビームを設計上の座標に沿って試料面に照射し、設計上の座標に沿ってその複数の電子ビームを偏向させて試料面を走査させるとともに、描画するパターンに応じて複数の電子ビームを個別にon/offしてパターンを描画するマルチ電子ビーム型露光装置がある。 As a device for solving this problem, a plurality of electron beams along the coordinate of the design is irradiated to the sample surface, scanning the sample surface by deflecting the plurality of electron beams along the coordinate of the design together is, there is a multi-electron beam exposure apparatus for drawing a pattern with individually on / off the plurality of electron beams in accordance with the pattern to be drawn. マルチ電子ビーム型露光装置は、ステンシルマスクを用いずに任意の描画パターンを描画できるのでスループットがより改善できるという特徴がある。 Multi-electron beam exposure apparatus is characterized in that throughput can be further improved since it draws any drawing pattern without using a stencil mask.

【0005】図15に、マルチ電子ビーム型露光装置の概要を示す。 [0005] Figure 15 shows an outline of the multi-electron beam exposure apparatus. 501a ,501b,501cは、個別に電子ビームを 501a, 501b, 501c is, the individual electron beam
on/offできる電子銃である。 An electron gun which can be on / off. 502は、電子銃501a ,501 502, an electron gun 501a, 501
b,501cからの複数の電子ビームをウエハ503上に縮小投影する縮小電子光学系で、504は、ウエハ503に縮小投影された複数の電子ビームを偏向させる偏向器である。 b, in reduction electron optical system for reducing and projecting the plurality of electron beams on the wafer 503 from 501c, 504 is a deflector for deflecting a plurality of electron beams reduced and projected on the wafer 503.

【0006】電子銃501a ,501b,501cからの複数の電子ビームは、偏向器504によって同一の偏向量を与えられる。 [0006] electron gun 501a, 501b, the plurality of electron beams from 501c, given the same amount of deflection by the deflector 504. それにより、それぞれのビーム基準位置を基準として、各電子ビームは偏向器504の最小偏向幅が定める配列間隔を有する配列に従ってウエハ上での位置を順次整定して偏向される。 Thus, based on the respective beam reference position, each electron beam is deflected successively settled position on the wafer according to the sequence having the sequence interval minimum deflection width of the deflector 504 is determined. そして、それぞれの電子ビームは、 Then, each of the electron beam,
互いに異なる要素露光領域で露光すべきパターンを露光する。 Exposing a pattern to be exposed to one another in different elements exposed areas.

【0007】図15(A)(B)(C)は、それぞれ電子銃501a [0007] Figure 15 (A) (B) (C), respectively an electron gun 501a
,501b,501cからの電子ビームがそれぞれの要素露光領域を同一の配列に従って露光すべきパターンを露光する様子を示している。 , 501b, shows how the electron beam from 501c to expose a pattern to be exposed each element exposure regions according to the same sequence. 各電子ビームは、同時刻の配列上の位置を(1,1)、(1,2)....(1,16)、(2,1)、(2,2)....(2,1 Each electron beam, the position on the array at the same time (1,1), (1,2) .... (1,16), (2,1), (2,2) ... ( 2,1
6),(3,1)..となるように位置を整定して移動していくとともに、露光すべきパターン(P1、P2、P3)が存在する位置でビームを照射して、各要素露光領域でそれぞれが露光すべきパターン(P1、P2、P3)を露光する。 6), (3,1) .. position with moves to settle so that, by irradiating the beam in a position where the exposure pattern to be (P1, P2, P3) is present, each element exposure respectively region to expose a pattern (P1, P2, P3) to be exposed.

【0008】 [0008]

【発明が解決しようとする課題】マルチ電子ビーム型露光装置では、各電子ビームが互いに異なるパターンを同時に描画するので、露光すべきパターンの中の最小線幅から偏向器504の最小偏向幅が設定される。 In the multi-electron beam exposure apparatus THE INVENTION solve trying challenge to] Since each electron beam is simultaneously draw different patterns from each other, the minimum deflection width is set deflector 504 from the minimum line width in the pattern to be exposed It is. そして、その最小線幅が微細化されてくると、最小偏向幅が細かくなり、電子ビームの位置を整定して露光する回数が増大する。 When the minimum line width comes is miniaturized, the minimum deflection width is fine, the number is increased to be exposed to settling the position of the electron beam. その結果、スループットが低下するという問題がある。 As a result, there is a problem that throughput is reduced.

【0009】 [0009]

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決する為の本発明の電子ビーム露光方法のある形態は、複数の電子ビームを被露光面上を偏向させ、偏向毎に各電子ビームの照射を個別に制御し、各電子ビーム毎の要素露光領域にパターンを描画することにより、前記複数の要素露光領域で構成されるサブフィールドに順次パターンを描画する電子ビーム露光方法において、前記被露光面に描画されるパターンのパターンデータを、前記サブフィールドを単位として分割する段階と、サブフィールドを露光する際の制御方式として、前記複数の電子ビームを一定の偏向幅で偏向し整定して露光する第1の制御方式、 Some form of an electron beam exposure method of the present invention to solve the above problems SUMMARY OF THE INVENTION are a plurality of electron beams is deflected over the surface to be exposed, the irradiation of each electron beam for each deflection the individually controlled, by drawing a pattern on element exposure regions of the respective electron beams, the electron beam exposure method draws a sequential pattern in the sub-field which comprises a plurality of element exposure regions, the surface to be exposed the pattern data of the pattern to be drawn in, comprising the steps of: dividing the sub-field as a unit, as a control method at the time of exposure of the sub-fields is exposed to be settled by deflecting the plurality of electron beams at a constant deflection width the first control system,
若しくは前記複数の電子ビームの全てが遮断される偏向位置では、前記複数の電子ビームを整定することなく偏向して露光する第2の制御方式のどちらか一方を、サブフィールド毎のパターンデータに基づいて選択する段階と、各サブフィールドを露光する際、選択された制御方式で露光する段階とを有することを特徴とする。 Or in the deflected position where all of said plurality of electron beams is interrupted, either the second control method to deflect to exposure without settling the plurality of electron beams, based on the pattern data in each subfield and selecting Te, when exposing each subfield, and having a step of exposing a selected control scheme.

【0010】前記選択段階は、前記第1、第2の制御方式でサブフィールドを露光する時間を算出し比較する段階を有することを特徴とする。 [0010] The selection step, the first, characterized by having a step of calculating a time comparison of exposing the subfield in the second control mode.

【0011】前記選択段階は、前記第2の制御方式で露光する場合の整定位置の数が予め決めた値以上の時は、 [0011] The selection step, when the number is not less than predetermined value settling position for exposure by the second control method,
前記第1の制御方式を選択する段階を有することを特徴とする。 Characterized by having a step of selecting said first control scheme.

【0012】本発明の電子ビーム露光装置のある形態は、複数の電子ビームを用いて、被露光面上にパターンを描画する電子ビーム露光装置において、前記複数の電子ビームを前記被露光面上を偏向させる偏向手段と、偏向毎に各電子ビームの照射を個別に制御する照射制御手段と、前記偏向手段によって前記複数の電子ビームを偏向させ各電子ビーム毎の要素露光領域にパターンを描画して、前記複数の要素露光領域で構成されるサブフィールドに順次パターンを描画し、サブフィールドを露光する際の制御方式として、前記偏向手段によって前記複数の電子ビームを一定の偏向幅で偏向し整定して露光する第1の制御方式、若しくは前記照射制御手段によって前記複数の電子ビームの全てが遮断される偏向位置では、 [0012] forms of the electron beam exposure apparatus of the present invention, by using a plurality of electron beams, the electron beam exposure apparatus for drawing a pattern on the exposure surface, the said plurality of electron beams the surface to be exposed above and deflecting means for deflecting the, by drawing and irradiation control means for individually controlling irradiation of each electron beam for each deflection pattern element exposure regions of the respective electron beams to deflect the plurality of electron beams by the deflection means draws a sequential pattern in the sub-field which comprises a plurality of element exposure regions, as a control method at the time of exposure of the sub-fields, the plurality of electron beams deflected by settling at a constant deflection width by said deflecting means in the deflection position which all are of interruption of the plurality of electron beams by the first control scheme, or the irradiation control means for exposing Te,
前記偏向手段によって前記電子ビームを整定することなく偏向して露光する第2の制御方式のどちらか一方を選択して露光する制御手段とを有することを特徴とする。 And having a control means for selecting and exposing either the second control method to deflect to exposure without settling the electron beam by the deflection means.

【0013】サブフィールドに露光されるパターンに基づいて決定された制御方式に関する情報を有する制御データに基づいて、前記制御手段は制御方式を選択することを特徴とする。 [0013] Based on the control data having the information relating to the control method determined based on the pattern to be exposed to the subfield, and the control means to select a control method.

【0014】予め決定される制御方式は、前記第1、第2の制御方式でサブフィールドを露光する時間を算出し比較した結果に基づいて決定されることを特徴とする。 The control scheme is predetermined, the first, characterized in that it is determined on the basis of a result of comparison by calculating the time necessary to expose the sub-fields in the second control mode.

【0015】前記第2の制御方式で露光する場合の整定位置の数が予め決めた値以上の時は、前記第1の制御方式を選択されることを特徴とする。 [0015] When the number is not less than predetermined value settling position for exposure by the second control method is characterized in that it is chosen the first control scheme.

【0016】前記偏向手段は、静電型偏向器と電磁型偏向器とを有し、前記制御手段は、前記複数の電子ビームを前記要素露光領域内を偏向する際は前記静電型偏向器を用い、前記複数の電子ビームをサブフィールドから次のサブフィールドに偏向する際は前記電磁型偏向器を用いることを特徴とする。 [0016] The deflecting means, and an electrostatic deflector and an electromagnetic deflector, said control means, said plurality of electron beams when deflecting the elements within the exposure region wherein the electrostatic deflector using, when deflecting the plurality of electron beams from the sub-field to the next sub-field is characterized by using the electromagnetic deflector.

【0017】本発明のデバイス製造方法のある形態は、 [0017] certain forms of device manufacturing method of the present invention,
上記電子ビーム露光方法若しくは上記電子ビーム露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とする。 Characterized by manufacturing a device using the electron beam exposure method or the electron beam exposure apparatus.

【0018】 [0018]

【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

(第1の実施形態) (電子ビーム露光装置の構成要素説明)図1は本発明に係る電子ビーム露光装置の要部概略図である。 Figure 1 (component description of the electron beam exposure apparatus) First Embodiment is a schematic view showing the main part of an electron beam exposure apparatus according to the present invention.

【0019】図1において、1は、カソード1a、グリッド1b、アノード1cよりなる電子銃であって、カソード1a [0019] In FIG. 1, 1 is a cathode 1a, grid 1b, an electron gun consisting of anode 1c, a cathode 1a
から放射された電子はグリッド1b、アノード1cの間でクロスオーバ像を形成する。 Electrons emitted from forms a crossover image between the grid 1b, the anode 1c. (以下、このクロスオーバ像を電子源と記す) (Hereinafter, referred to as an electron source of this cross-over image)

【0020】この電子源から放射される電子は、その前側焦点位置が電子源位置にある照明電子光学系2によって略平行の電子ビームとなる。 The electrons emitted from the electron source, the electron beam substantially parallel the front focal position by the illumination electron optical system 2 in the electron source position. 略平行な電子ビームは、 The substantially parallel electron beam,
要素電子光学系アレイ3に照明する。 Illuminating the element electron optical system array 3. 照明電子光学系2 Illumination electron optical system 2
は、電子レンズ2a、2b、2cで構成されいる。 It is constructed electron lens 2a, 2b, in 2c. そして、電子レンズ2a、2b、2cの少なくとも2つの電子レンズの電子光学的パワー(焦点距離)を調整することにより、照明電子光学系2の電子源側の焦点位置を保持しながら、 The electron lens 2a, 2b, by adjusting the electron optical power (focal length) of at least two electron lenses 2c, while maintaining the focal position of the electron source side of the illumination electron optical system 2,
照明電子光学系2の焦点距離を変化させることができる。 It is possible to change the focal length of the illumination electron optical system 2. すなわち、照明電子光学系2からの電子ビームを略平行にしながら照明電子光学系2の焦点距離を変更できる。 That is, it changes the focal length of the illumination electron optical system 2 with a substantially parallel electron beam from the illumination electron optical system 2.

【0021】照明電子光学系2からの略平行な電子ビームは、要素電子光学系アレイ3に入射する。 The substantially parallel electron beam from the illumination electron optical system 2 is incident on the element electron optical system array 3. 要素電子光学系アレイ3は、開口と電子光学系とブランキング電極とで構成される要素電子光学系が光軸AXに直交する方向に2次元に複数配列されて形成されたものである。 Element electron optical system array 3 is for the element electron optical system constituted by the opening and the electron optical system and the blanking electrode is formed by a plurality of two-dimensionally arranged in a direction perpendicular to the optical axis AX. 要素電子光学系アレイ3の詳細については後述する。 For more information about the element electron optical system array 3 will be described later.

【0022】要素電子光学系アレイ3は、電子源の中間像を複数形成し、各中間像は後述する縮小電子光学系4 The element electron optical system array 3, an intermediate image of the electron source forming a plurality of, reduction electron optical system 4 each intermediate image to be described later
によって縮小投影され、ウエハ5上に略同一の大きさの電子源像を形成する。 It is reduced projection by forming an electron source image of substantially the same size on the wafer 5. ここで電子源の中間像の大きさWm Wherein the electron source of the intermediate image size Wm
は、電子源の大きさをWs,照明電子光学系2の焦点距離を It is the magnitude of the electron source Ws, the focal length of the illumination electron optical system 2
Fi、要素電子光学系のそれぞれの電子光学系の焦点距離をFeとすると、下記の式で表される。 Fi, the respective focal lengths of the electron optical system of the element electron optical system and Fe, as represented by the following formula.

【0023】Wm = Ws * Fe / Fi したがって、照明電子光学系2の焦点距離を変化させると、同時に複数の電子源の中間像の大きさが変更でき、 [0023] Wm = Ws * Fe / Fi Accordingly, when changing the focal length of the illumination electron optical system 2, can be changed at the same time a plurality of size of the intermediate image of the electron source,
よって、同時にウエハ5上の複数の電子源像の大きさも変更できる。 Therefore, you also change the size of the plurality of electron sources image on the wafer 5 at the same time. また、ウエハ5上の電子源像の大きさが略同一になるように、各要素電子光学系の焦点距離等は設定されている。 Moreover, as the size of the electron source images on the wafer 5 is substantially the same, the focal distance and the like of each element electron optical system is set. 更に、要素電子光学系アレイ3は、各中間像の光軸方向の位置を縮小電子光学系4の像面湾曲に応じて異ならせるとともに、各中間像が縮小電子光学系 Furthermore, the element electron optical system array 3, as well as varied in accordance with the curvature of field of the reduction of the position in the optical axis direction electron optical system 4 of the intermediate image, the intermediate image reduction electron optical system
4よってウエハ5に縮小投影される際に発生する収差を予め補正している。 4 Thus in advance correcting aberration generated when subjected to the reduction projection onto the wafer 5.

【0024】縮小電子光学系4は、第1投影レンズ41(4 The reduction electron optical system 4, the first projection lens 41 (4
3)と第2投影レンズ42(44)とからなる対称磁気ダブレットで構成される。 3) and composed of a symmetrical magnetic doublet made from a second projection lens 42 (44). 第1投影レンズ41(43)の焦点距離をf The first focal length of the projection lens 41 (43) f
1、第2投影レンズ42(44)の焦点距離をf2とすると、この2つのレンズ間距離はf1+f2になっている。 1, the second projection lens 42 focal length (44) and f2, this between the two lenses distance is is f1 + f2. 光軸上AXの物点は第1投影レンズ41(43)の焦点位置にあり、その像点は第2投影レンズ42(44)の焦点に結ぶ。 Object point on the optical axis AX is located at the focal position of the first projection lens 41 (43), the image point connecting the focal point of the second projection lens 42 (44). この像は-f2/f1に縮小される。 This image is reduced to -f2 / f1. また、2つのレンズ磁界が互いに逆方向に作用する様に決定されているので、理論上は、球面収差、等方性非点収差、等方性コマ収差、像面湾曲収差、軸上色収差の5つの収差を除いて他のザイデル収差および回転と倍率に関する色収差が打ち消される。 Further, since the two lens magnetic fields are determined to act in opposite directions, theoretically, spherical aberration, isotropic astigmatism, isotropic coma, curvature of field, the axial chromatic aberration five chromatic aberration for other Seidel aberration and rotation and magnification are canceled except the aberration.

【0025】6は、要素電子光学系アレイ3からの複数の電子ビームを偏向させて、複数の電子源像をウエハ5上でX,Y方向に略同一の偏向幅だけ偏向させる偏向器である。 [0025] 6 deflects the plurality of electron beams from the element electron optical system array 3, is a deflector for deflecting a plurality of electron source images on the wafer 5 X, in the Y direction by substantially the same deflection width . 偏向器6は、偏向幅が広いが整定するまでの時間すなわち整定待ち時間が長い主偏向器61と偏向幅が狭いが整定待ち時間が短い副偏向器62で構成されていて、主偏向器61は電磁型偏向器で、副偏向器62は静電型偏向器である。 Deflector 6 is but deflected wide time i.e. a narrow deflection width settling time is long main deflector 61 to settle but consist of short settling time the sub deflector 62, the main deflector 61 in an electromagnetic deflector, the sub-deflector 62 is an electrostatic deflector.

【0026】7は偏向器6を作動させた際に発生する偏向収差による電子源像のフォーカス位置のずれを補正するダイナミックフォーカスコイルであり、8は、ダイナミックフォーカスコイル7と同様に、偏向により発生する偏向収差の非点収差を補正するダイナミックスティグコイルである。 [0026] 7 is a dynamic focus coil for correcting a shift of the focus position of the electron source image caused by deflection aberration generated when operated the deflector 6, 8, like the dynamic focus coil 7, generated by the deflection a dynamic stigmatic coil for correcting astigmatism of the deflection aberration.

【0027】9は、リフォーカスコイルで、ウエハに照射される複数の電子ビームの数若しくはウエハに照射される電流の総和が多くなるとクーロン効果による電子ビームのぼけが発生するので、これを補正するために縮小電子光学系4の焦点位置を調整するものである。 [0027] 9 is a refocus coil, since the sum of the currents emitted to the number or wafers of a plurality of electron beam irradiated onto the wafer is often blurred the electron beam due to the Coulomb effect occurs, correct this and adjusts the focal position of the reduction electron optical system 4 for.

【0028】10は、X及びY方向にのびる2つのシングルナイフエッジを有するファラデーカップで要素電子光学系からの電子ビームが形成する電子源像の電荷量を検出する。 [0028] 10 detects the charge amount of an electron source image to the electron beam formed from the element electron optical system in a Faraday cup having two single knife edge extending in the X and Y directions.

【0029】11は、ウエハを載置し、光軸AX(Z軸)方向とZ軸回りの回転方向に移動可能なθ-Zステージであって、前述したステージ基準板13とファラデーカップ [0029] 11, the wafer is placed, a optical axis AX (Z-axis) direction and the Z-axis theta-Z stage movable in the rotating direction around the stage reference plate 13 and the Faraday cup as described above
10が固設されている。 10 is fixed.

【0030】12は、θ-Zステージを載置し、光軸AX(Z [0030] 12, placing the θ-Z stage, the optical axis AX (Z
軸)と直交するXY方向に移動可能なXYステージである。 An XY stage movable in the XY directions perpendicular to the axis).

【0031】次に、図2を用いて要素電子光学系アレイ Next, the element electron optical system array with reference to FIG. 2
3について説明する。 3 will be described.

【0032】要素電子光学系アレイ3は、複数の要素電子光学系をグループ(サブアレイ)とし、そのサブアレイが複数形成されている。 The element electron optical system array 3, a plurality of element electron optical systems a group (subarray), the subarrays are formed. そして、本実施例では5つのサブアレイA〜Eが形成されている。 The five sub-arrays A~E in this embodiment is formed. 各サブアレイは、複数の要素電子光学系が2次元的に配列されていて、本実施例の各サブアレイではC(1,1)〜C(3,9)のように27個の要素電子光学系が形成されている。 Each sub-array, have a plurality of element electron optical systems are two-dimensionally arranged, the 27 element electron optical system as in each subarray of this embodiment C (1,1) ~C (3,9) There has been formed.

【0033】各要素電子光学系の断面図を図3に示す。 [0033] The cross-sectional view of each element electron optical system shown in FIG.

【0034】図3において、AP-Pは、照明電子光学系2 [0034] In FIG. 3, AP-P, the illumination electron optical system 2
によって略平行となった電子ビームにより照明され、透過する電子ビームの形状を規定する開口(AP1)を有する基板で、他の要素電子光学系と共通の基板である。 By being illuminated by the electron beam becomes substantially parallel to, the substrate having an opening (AP1) defining the shape of the transmitted electron beam, which is a common substrate with other element electron optical systems. すなわち、基板AP-Pは、複数の開口を有する基板である。 That is, the substrate AP-P is a substrate having a plurality of apertures.

【0035】301は一対の電極で構成され、偏向機能を有するブランキング電極であり、302は、開口(AP1)より大きい開口(AP2)を有する基板で他の要素電子光学系と共通である。 [0035] 301 are formed of a pair of electrodes, a blanking electrode having a deflecting function, 302 is common to the other element electron optical systems in the substrate having an opening (AP1) is larger than the opening (AP2). また、基板302の上にブランキング電極3 Further, the blanking electrode 3 on the substrate 302
01と電極on/ofするための配線(W)が形成されている。 01 and the electrode on / of that for wiring (W) is formed. すなわち、基板302は、複数の開口と複数のブランキング電極を有する基板である。 That is, the substrate 302 is a substrate having a plurality of openings and a plurality of blanking electrodes.

【0036】303は、3つの開口電極で構成され、上下の電極を加速電位V0と同じにし、中間の電極を別の電位 [0036] 303 consists of three aperture electrodes, the same west the upper and lower electrodes and the acceleration potential V0, an intermediate electrode of another potential
V1またはV2に保った収斂機能を有するユニポテンシャルレンズ303a、303bの2つを用いた電子光学系である。 Unipotential lens 303a having a converging function kept at V1 or V2, an electron optical system using two of 303b. 各開口電極は、基板上に絶縁物を介在させて積層されていて、その基板は他の要素電子光学系と共通の基板である。 Each aperture electrode, on the substrate being laminated by interposing an insulator, the substrate is a common substrate with other element electron optical systems. すなわち、その基板は、複数の電子光学系303を有する基板である。 That is, the substrate is a substrate having a plurality of electron optical systems 303.

【0037】ユニポテンシャルレンズ303aの上、中、下の電極及びユニポテンシャルレンズ303bの上、下の電極の形状は図4(A)に示すような形状であり、ユニポテンシャルレンズ303a、303bの上下電極は、後述する第1焦点・非点制御回路によって全ての要素電子光学系において共通の電位に設定している。 The top of the unipotential lens 303a, into, on the lower electrode and the unipotential lens 303b, the shape of the lower electrode is a shape as shown in FIG. 4 (A), the unipotential lens 303a, the upper and lower 303b electrodes are set to a common potential in all the element electron optical system by the first focus-astigmatism control circuit described later.

【0038】ユニポテンシャルレンズ303aの中間電極は、第1焦点・非点制御回路によって要素電子光学系毎に電位が設定出来る為、ユニポテンシャルレンズ303aの焦点距離が要素電子光学系毎に設定できる。 The intermediate electrode of the unipotential lens 303a, since the first focus-astigmatism control circuit can be set potential for each element electron optical system, the focal length of the unipotential lens 303a can be set for each element electron optical system.

【0039】また、ユニポテンシャルレンズ303bの中間電極は、図4(B)に示すような4つの電極で構成され、 Further, the intermediate electrode of the unipotential lens 303b is constituted by four electrodes as shown in FIG. 4 (B),
焦点・非点制御回路によって各電極の電位が個別に設定でき、要素電子光学系毎にも個別設定出来るため、ユニポテンシャルレンズ303bは直交する断面において焦点距離が異なるようにでき、かつ要素電子光学系毎にも個別に設定出来る。 Focal-it can be set individually the potential of each electrode by the astigmatism control circuit, since it is also individually set for each element electron optical system, unipotential lens 303b can focal length in a cross section perpendicular different, and element electron optical It can be set individually to each system.

【0040】その結果、電子光学系303の中間電極をそれぞれ制御することによって、要素電子光学系の電子光学特性(中間像形成位置、非点収差)を制御することができる。 [0040] As a result, by controlling the intermediate electrode of the electron optical system 303, respectively, it is possible to control the electron optical characteristics of the element electron optical systems (intermediate image formation position, astigmatism). ここで、中間像形成位置を制御する際、中間像の大きさは、前述したように照明電子光学系2の焦点距離と電子光学系303の焦点距離との比で決まるので、電子学系303の焦点距離を一定にしてその主点位置を移動させて中間像系形成位置を移動させている。 Here, when controlling the intermediate image formation position, the size of the intermediate image, so determined by the ratio between the focal length of the focal distance and the electron optical system 303 of the illumination electron optical system 2 as described above, the electronic science system 303 the principal point is moved to the focal length of the constant is moved to the intermediate image system forming position. それにより、すべての要素電子光学系が形成する中間像の大きさが略同一でその光軸方向の位置を異ならせることができる。 This allows the size of the intermediate image all the element electron optical system is formed to vary the direction of the optical axis position in substantially the same.

【0041】照明電子光学系2で略平行にされた電子ビームは、開口(AP1)、電子光学系303を介して、電子源の中間像を形成する。 The electron beam substantially parallel with the illumination electron optical system 2, an aperture (AP1), via the electron optical system 303 forms an intermediate image of the electron source. ここで、電子光学系303の前側焦点位置またはその近傍に、対応する開口(AP1)が位置し、 Here, the front focal position or its vicinity of the electron optical system 303, the corresponding aperture (AP1) is located,
電子光学系303の中間像形成位置(電子光学系303の後側焦点位置)またはその近傍に、対応するブランキング電極301が位置する。 On or near (the back focus position of the electron optical system 303) the intermediate image formation position of the electron optical system 303, the corresponding blanking electrode 301 is located. その結果、ブランキング電極301の電極間に電界をかけていないと電子ビーム束305の様に偏向されない。 As a result, it not deflected as a beam flux 305 when no electric field is applied between the electrodes of the blanking electrode 301. 一方、ブランキング電極301の電極間に電界をかけると電子ビーム束306の様にに偏向される。 On the other hand, it is deflected as a beam flux 306 when an electric field is applied between the electrodes of the blanking electrode 301. すると、電子光束305と電子ビーム束306は、縮小電子光学系4の物体面で互いに異なる角度分布を有するので、縮小電子光学系4の瞳位置(図1のP面上)では電子ビーム束305と電子ビーム束306は互いに異なる領域に入射される。 Then, the electron beam 305 and beam flux 306, the reduction electron because it has a different angular distributions from each other in the object plane of the optical system 4, reduce the pupil position of the electron optical system 4 (on the plane P in FIG. 1), the electron beams 305 an electron beam bundle 306 is incident on different areas. したがって、電子ビーム束305だけを透過させるブランキング開口BAを縮小電子光学系の瞳位置(図1のP Accordingly, the electron beams 305 only the pupil position of the blanking reduced aperture BA electron optical system for transmitting (in FIG. 1 P
面上)に設けてある。 It is provided on the surface).

【0042】また、各要素電子光学の電子レンズは、それぞれが形成する中間像が縮小電子光学系4によって被露光面に縮小投影される際に発生する像面湾曲・非点収差を補正するために、各電子光学系303の2つの中間電極の電位を個別に設定して、各要素電子光学系の電子光学特性(中間像形成位置、非点収差)を異ならしめている。 Further, the electron lens of each element electron optical, in order to correct the field curvature and astigmatism generated when the intermediate image, each of which formation is reduced and projected onto the exposure surface by the reduction electron optical system 4 to the potentials of the two intermediate electrodes of each electron optical system 303 to individually set, it is made different electron optical characteristics of the respective element electron optical systems (intermediate image formation position, astigmatism). ただし、本実施例では、中間電極と第1焦点・非点制御回路との配線を減らす為に同一サブアレイ内の要素電子光学系は同一の電子光学特性にしてあり、要素電子光学系の電子光学特性(中間像形成位置、非点収差)をサブアレイ毎に制御している。 However, in this embodiment, the element electron optical systems in the same subarray to reduce the wiring between the intermediate electrode and the first focal point, astigmatism control circuit Yes in the same electron optical characteristics, electron optical element electron optical system characteristics (intermediate image formation position, astigmatism) are controlled in units subarray.

【0043】さらに、複数の中間像が縮小電子光学系4 [0043] Further, a plurality of intermediate image reduction electron optical system 4
によって被露光面に縮小投影される際に発生する歪曲収差を補正するために、予め縮小電子光学系4の歪曲特性を予め知り、それに基づいて、縮小電子光学系4の光軸と直交する方向の各要素電子光学系の位置を設定している。 By in order to correct distortion that occurs when subjected to the reduction projection onto the exposed surface, to know the distortion characteristic of pre-reduction electron optical system 4 in advance, on the basis thereof, a direction orthogonal to the optical axis of the reduction electron optical system 4 and it sets the position of each element electron optical system.

【0044】次に本実施例のシステム構成図を図5に示す。 [0044] Then the system arrangement of this embodiment shown in FIG.

【0045】焦点距離制御回路FCは、照明電子光学系2 The focal length control circuit FC, the illumination electron optical system 2
の電子レンズ2a、2b、2cの少なくとも2つの電子レンズの電子光学的パワー(焦点距離)を調整することにより、照明電子光学系2の電子源側の焦点位置を保持しながら、照明電子光学系2の焦点距離を制御する回路である。 Electron lens 2a of, 2b, by adjusting the electron optical power of the at least two electron lenses 2c (focal length), while maintaining the focal position of the electron source side of the illumination electron optical system 2, the illumination electron optical system a circuit for controlling the second focal length.

【0046】ブランキング制御回路14は、要素電子光学アレイ3の各要素電子光学系のブランキング電極のon/of The blanking control circuit 14, on / of the blanking electrode of each element electron optical system of the element electron optical array 3
fを個別に制御する制御回路、第1焦点・非点制御回路15 Control circuit for individually controlling the f, first focus-astigmatism control circuit 15
は、要素電子光学アレイ3の各要素電子光学系の電子光学特性(中間像形成位置、非点収差)を個別に制御する制御回路である。 An electronic optical characteristics (intermediate image formation position, astigmatism) of each element electron optical system of the element electron optical array 3 is a control circuit for individually controlling.

【0047】第2焦点・非点制御回路16は、ダイナミックスティグコイル8及びダイナミックフォーカスコイル7 The second focus-astigmatism control circuit 16, a dynamic stigmatic coil 8, and dynamic focus coil 7
を制御して縮小電子光学系4の焦点位置、非点収差を制御する制御回路で、偏向制御回路17は偏向器6を制御する制御回路、倍率調整回路18は、縮小電子光学系4の倍率を調整する制御回路、リフォーカス制御回路19は、リフォーカスコイル9に流す電流を制御して縮小電子光学系4の焦点位置を調整する制御回路である。 Controls by the focal position of the reduction electron optical system 4, the control circuit for controlling the astigmatism, the control circuit deflection control circuit 17 for controlling the deflector 6, the magnification adjustment circuit 18, the magnification of the reduction electron optical system 4 control circuit, re-focus control circuit 19 for adjusting is a control circuit for adjusting the focal position of the reduction electron optical system 4 by controlling the current supplied to the refocus coil 9.

【0048】ステージ駆動制御回路20は、θ-Zステージを駆動制御し、かつXYステージ12の位置を検出するレーザ干渉計21と共同してXYステージ12を駆動制御する制御回路である。 The stage drive control circuit 20 drives and controls the theta-Z stage, and a control circuit for controlling the XY stage 12 in cooperation with a laser interferometer 21 that detects the position of the XY stage 12.

【0049】制御系22は、メモリ23からの露光制御データに基づく露光及び位置合わせの為に上記複数の制御回路および反射電子検出器9・ファラデーカップ10を同期して制御する。 The control system 22 controls and synchronizes the plurality of control circuits and the backscattered electron detector 9 Faraday cup 10 for exposure and alignment based on the exposure control data from the memory 23. 制御系22は、インターフェース24を介して電子ビーム露光装置全体をコントロールするCPU25によって制御されてる。 Control system 22 is controlled by CPU25 for controlling the entire electron beam exposure apparatus through an interface 24.

【0050】(露光動作の説明)図6を用いて本実施例の電子ビーム露光装置の露光動作について説明する。 [0050] The exposure operation of the electron beam exposure apparatus of this embodiment will be described with reference to (exposure Description of Operation) Fig.

【0051】制御系22は、メモリ23からの露光制御データに基づいて、偏向制御回路17に命じ、偏向器6の副偏向器62によって、要素電子光学系アレイからの複数の電子ビーム偏向させるとともに、ブランキング制御回路14 The control system 22, based on the exposure control data from the memory 23, instructs the deflection control circuit 17, the sub deflector 62 of the deflector 6, causes a plurality of electron beam deflection from the element electron optical system array , blanking control circuit 14
に命じ各要素電子光学系のブランキング電極をウエハ5 Wafer 5 blanking electrode of each element electron optical system commanded
に露光すべきパターンに応じてon/offさせる。 on / off cause in accordance with the pattern to be exposed to. この時X At this time, X
Yステージ12はX方向に連続移動している。 Y stage 12 is moved continuously in the X direction. 要素電子光学系からの電子ビームは、図6(A)に示すようにウエハ5 The electron beam from the element electron optical system, the wafer 5 as shown in FIG. 6 (A)
上の要素露光領域(EF)を黒四角を起点として走査し露光する。 The element exposure regions of the upper (EF) is scanned to expose the black squares as a starting point. また、図6(B)に示すように、サブアレイ内の複数の要素電子光学系の要素露光領域(EF)は、2次元に隣接するように設定されていて、その結果、ウエハ5 Further, as shown in FIG. 6 (B), element exposure regions of the plurality of element electron optical systems in the subarray (EF) is preset so as to be adjacent to the two-dimensional, as a result, the wafer 5
上において、複数の要素露光領域(EF)で構成されるサブアレイ露光フィールド(SEF)を露光される。 In the above, it is exposed subarray exposure field which comprises a plurality of element exposure regions (EF) (SEF). 同時に、 at the same time,
ウエハ5上において、図7(A)に示すようなサブアレイA On the wafer 5, the sub-array A as shown in FIG. 7 (A)
からEのそれぞれが形成するサブアレイ露光フィールド Subarray exposure fields each E is formed from
(SEF)で構成されるサブフィールドが露光される。 Subfield consists of (SEF) is exposed. 言い換えれば、2次元に隣接して配列された複数の要素露光領域(EF)で構成されるサブフィールドが露光される。 In other words, the sub-field consists of a two-dimensional plurality of element exposure regions arranged adjacent to (EF) is exposed.

【0052】制御系22は、図7(B)に示すサブフィールド1を露光後、サブフィールド2を露光する為に、偏向制御回路17に命じ、偏向器6の主偏向器61によって、要素電子光学系アレイからの複数の電子ビーム偏向させる。 [0052] Control system 22, after exposure to sub-field 1 shown in FIG. 7 (B), in order to expose the sub-field 2, instructs the deflection control circuit 17, the main deflector 61 of the deflector 6, the element electron thereby a plurality of electron beam deflection from the optical system array. そして、再度、前述したように、偏向制御回路17に命じ、偏向器6の副偏向器62によって、要素電子光学系アレイからの複数の電子ビーム偏向させるとともに、ブランキング制御回路14に命じ各要素電子光学系のブランキング電極をウエハ5に露光すべきパターンに応じてon/ And again, as described above, instructs the deflection control circuit 17, the sub deflector 62 of the deflector 6, causes a plurality of electron beam deflection from the element electron optical system array, each element instructs the blanking control circuit 14 on the blanking electrodes of the electron optical system in accordance with the pattern to be exposed on the wafer 5 /
offさせ、サブフィールド2を露光する。 It was turned off, exposing the subfield 2. そして、図7 Then, as shown in FIG. 7
(B)示すようにサブフィールド3、4というようにサブフィールドを順次露光してウエハ5にパターンを露光する。 (B) exposing a pattern on the wafer 5 by sequentially exposing the subfields so that the subfields 3, 4 as shown. すなわち、図8に示すように、PAをパターンデータに基づいたパターンが描画されるウエハ5上のパターン領域とすると、本実施例の電子ビーム露光装置は、パターン領域PAをサブフィールドを単位として順次露光する。 That is, as shown in FIG. 8, the pattern based on PA pattern data is a pattern area on the wafer 5 to be drawn, the electron beam exposure apparatus of this embodiment, sequential pattern area PA of the sub-fields as a unit to exposure.

【0053】サブフィールドを露光する際、複数の電子ビームの全てが遮断される偏向位置では、電子ビームを整定することなく偏向して露光する制御方式(マルチ電子ビームにおけるベクタースキャン制御方式、以下ベクタースキャン制御方式と記す。)若しくは従来の複数の電子ビームを一定の偏向幅(最小偏向幅)で偏向し逐次整定して露光する制御方式(マルチ電子ビームにおけるラスタースキャン制御方式、以下ラスタースキャン制御方式と記す。)のどちらか一方の制御方式を選択して露光している。 [0053] When exposing a subfield, in the deflection position where all of the plurality of electron beams is cut off, the control system (multiple electron vector in the beam scan control method to deflect to exposure without settling the electron beam, the following vectors referred to as the scan control method.) or raster scan control method in the control system (multiple electron beam deflecting sequentially settle to expose a plurality of conventional electron beam at a constant deflection width (minimum deflection width), following the raster scan control system are exposed by selecting either of the control system referred to.) and. なぜなら、サブフィールドを露光する時の副偏向器62の偏向周期は一定で、各電子ビームの偏向位置での整定時間(いわゆる露光時間)Ts(sec)、電子ビームがある偏向位置から偏向されて所望の偏向位置に整定するまでの整定待ち時間のうち、サブフィールド内で最大の整定待ち時間をTo(sec)とすると、副偏向器62の偏向周期Td(sec)は、Td=Ts+Toとなる。 This is because the deflection period of the sub-deflector 62 at the time of exposure of the sub-fields constant, settling time (so-called exposure time) at the deflection position of the electron beam Ts (sec), is deflected from the electron beam is deflected position of settling time before settling to the desired deflection position, when the maximum settling time in the subfield and the to (sec), deflection period Td of the sub deflector 62 (sec) becomes Td = Ts + the to . また、この整定待ち時間は、偏向幅が広いほど長くなるので、ラスタースキャン制御方式に比べベクタースキャン制御方式の方が整定位置から整定位置までの偏向幅が広い時がある為、ベクタースキャン制御方式では、ラスタースキャン制御方式に比べ整定待ち時間が長くなる。 Further, this settling time, since the deflection width is enough longer wider, since towards the vector scan control method compared to the raster scan control method which is when a wide deflection width from settling position to settling position, vector scan control method in, settling time is longer than in the raster scan control system. その結果、偏向周期は、ラスタースキャン制御方式に比べベクタースキャン制御方式の方が長い。 As a result, the deflection period, the longer the vector scan control method compared to the raster scan control system. 逆にサブフィールド内を偏向して整定する位置の数は、ラスタースキャン制御方式に比べベクタースキャン制御方式の方が少ない。 The number of positions to settle by deflecting the subfield Conversely, the lesser the vector monitor control method compared to the raster scan control system. すると、サブフィールドを短時間で露光するのに最適な制御方式は、偏向周期および整定する位置の数によって異なる。 Then, the optimal control scheme for the exposure in a short time subfield depends on the number of positions that deflection period and settling. また、偏向周期および整定する位置の数は描画パターンによって異なる。 The number of positions deflection period and settling depends drawing pattern. よって、本発明では、描画パターン(パターンデータ)に基づいて制御方式を選択し、選択された制御方式でサブフィールドを露光している。 Therefore, in the present invention, to select the control scheme based on the drawing pattern (pattern data), and exposing the subfield selected control scheme.

【0054】(露光制御データ作成処理の説明)本実施例の電子ビーム露光装置の露光制御データの作成方法について説明する。 [0054] will be described creation method of the exposure control data (exposure control description of the data generation process) the electron beam exposure apparatus of this embodiment.

【0055】CPU25は、ウエハに露光するパターンのパターンデータが入力されると図9に示すような露光制御データの作成処理を実行する。 [0055] CPU25, when the pattern data of the pattern to be exposed on the wafer is input to execute the process of generating an exposure control data as shown in FIG.

【0056】各ステップを説明する。 [0056] to describe each step. (ステップS101)パターンデータよりパターンの特徴情報(最小線幅、線幅の種類、形状)を検出する。 (Step S101) from the pattern data pattern characteristic information (the minimum line width, the type of line width, shape) detected. 本実施例では、最小線幅を検出する。 In this embodiment, to detect the minimum line width. (ステップS102)検出されたパターン情報に基づいて、副偏向器62が電子ビームに与える最小偏向幅と電子ビーム径(ウエハに結像される電子源像の大きさ)を決定する。 Based on (step S102) detected pattern information to determine the minimum deflection width and the electron beam diameter sub deflector 62 is applied to the electron beam (the size of the electron source image formed on the wafer). 本実施例では、その最小偏向幅の整数倍が、 In this embodiment, the integral multiple of the minimum deflection width,
複数の電子ビームの配列ピッチ(ウエハ上)であって。 A plurality of electron beams of the array pitch (on the wafer).
最小線幅の略4分の1に最小偏向幅に決定する。 Determining the minimum deflection width 1 of approximately a quarter of the minimum line width. また、 Also,
電子ビーム径を最小偏向幅を辺とする正方形の外接円に略等しくなるように決定する。 Determined to be substantially equal to the circumscribed circle of the square of the electron beam diameter to the side of the minimum deflection width. (ステップS103)入力されたパターンデータを本実施例の電子ビーム露光装置が定めるサブフィールドを単位としたデータに分割する。 (Step S103) dividing the sub-field the electron beam exposure apparatus defined in the present embodiment the input pattern data and the data unit. (ステップS104)一つのサブフィールドを選択する。 (Step S104) selects one of the sub-fields. (ステップS105)選択されたサブフィールドを露光する際の、主偏向器61が定める偏向位置(基準位置)を決定する。 (Step S105) when exposing the selected subfield, determining a main deflector 61 is determined deflection position (reference position). (ステップS106)選択されたサブフィールドのパターンデータを各要素電子光学系の要素露光領域毎のパターンデータに分割し、決定された副偏向器62の最小偏向幅を配列間隔として、配列要素FMEで構成される共通の配列を設定し、各要素電子光学系毎にパターンデータを共通の配列上で表したデータに変換する。 (Step S106) as the selected pattern data of the sub-fields is divided into pattern data of each element exposure regions of the respective element electron optical systems, the determined arrangement interval the minimum deflection width of the sub-deflector 62, array elements FME set a common array consisting, into data representing the pattern data for each element electron optical systems on a common sequence. 以下、説明を簡略にするために、2つの要素電子光学系a,bを用いて露光する際のパターンデータに関する処理について説明する。 Hereinafter, for simplicity of explanation, the two element electron optical systems a, processing pertaining pattern data when exposing with b will be described.

【0057】図10(A)、(B)に共通の偏向用の配列DMに隣り合う要素電子光学系a,bが露光するべきパターンP [0057] FIG. 10 (A), the element electron optical systems adjacent to the array DM for the common deflection in (B) a, b is the pattern P to be exposed
a、Pbを示す。 a, shows the Pb. すなわち、それぞれに要素電子光学系は、パターンが存在するハッチングされた配列位置で、 That is, element electron optical system respectively, at sequence positions that are hatched pattern exists,
ブランキング電極をoffにして電子ビームをウエハ上に照射する。 The blanking electrodes in the off irradiates an electron beam onto the wafer. そこで、図10(A)(B)に示したような要素電子光学系毎の露光すべき配列位置のデータから、CPU25 Therefore, from the data sequence position an element to be exposed of the electron optical system for each as shown in FIG. 10 (A) (B), CPU25
は、図10(C)に示すように、要素電子光学系a,bのうち少なくとも一つが露光する時の配列位置から成る第1の領域FF(黒塗り部)と、要素電子光学系a,b双方が共通して露光しない時の配列位置から成る第2の領域NN(白抜き部)とを決定する。 As shown in FIG. 10 (C), the element electron optical systems a, at least one consists of SEQ position when exposing the first region FF of b (black portion), the element electron optical systems a, b both commonly determined and a second region NN consisting of SEQ position when not exposed (white section). 複数の電子ビームが配列上の第1の領域FFに位置する時は、最小偏向幅(配列の配列間隔)を単位として、偏向器6によって電子ビームを偏向して露光することにより、ウエハ上に露光される全てのパターンの露光できる。 When multiple electron beams are positioned in the first area FF on the array, as the unit (arrangement interval sequence) minimum deflection width, by deflected by exposing an electron beam by the deflector 6, on the wafer It can be exposed in all the patterns to be exposed. また複数の電子ビームが配列上の第2の領域NNに位置する時は、電子ビームの位置を整定せずに偏向することにより、電子ビームの無駄な偏向を減らして露光できるとともに無駄な制御データを省ける。 Also when a plurality of electron beams are positioned in the second region NN of the sequence, by deflecting without settling the position of the electron beam, unnecessary control data is possible exposure by reducing unnecessary deflection of the electron beams the Habukeru. 言い換えれば、第1の領域(FF)を露光した後、第2 In other words, after the exposure of the first region (FF), a second
の領域(NN)を飛び越して、次の第1の領域(FF)に偏向して露光することより、整定時間を有する偏向を減らしてより短時間で露光できる。 Skipping region (NN), than to exposure by deflecting the next first region (FF), it can be exposed in a shorter time by reducing the deflection with a settling time. そして、図10(C)に示す領域FF、NNに関するデータから、CPU25は露光すべき配列要素の配列位置を決定し、さらに、図10(A)(B)を示すデータから、電子ビームが整定される配列位置に対応した要素電子光学系毎のブランキング電極のon/offを決定する。 A region FF shown in FIG. 10 (C), from the data relating to NN, CPU 25 determines the array positions of the array elements to be exposed, and further, from the data shown the FIG. 10 (A) (B), the electron beam is settled It is the determining on / off the blanking electrode of each element electron optical system corresponding to sequence positions. いわゆる、ベクタースキャン制御方式用のデータを作成する。 Called, to create the data for the vector monitor control system. ここで、最小偏向幅及びその配列内の偏向順序は既に決定されているため、各配列要素には配列番号が決められているので、配列位置としてその配列番号を決定する。 Here, since the minimum deflection order of the deflection width and within its sequence it has already been determined, since each array element are determined SEQ ID NO, to determine the sequence number as sequence position. (ステップS107)ステップS106より得られるデータから、サブフィールドをベクタースキャン制御方式で露光した場合の整定位置の数、および副偏向器の整定位置から次の整定位置までの最大偏向幅を検出する。 (Step S107) from the data obtained from step S106, detects the maximum deflection width of several settling position when exposing the subfield with the vector scan control method, and a settling position of the sub-deflector to the next settling position. (ステップS108)予め実験等により求められた最大偏向幅と整定待ち時間との関係より、ベクタースキャン制御方式での検出された最大偏向幅に基づいてサブフィールドをベクタースキャン制御方式で露光した場合での整定待ち時間To(V)を求め、ラスタースキャン制御方式での最大偏向幅(最小偏向幅と同じ値)に基づいてサブフィールドをラスタースキャン制御方式で露光した場合の整定待ち時間To(R)を求める。 (Step S108) in advance from the relationship between the maximum deflection width and settling time obtained through experiments and the like, in the case of exposing a subfield with a vector scan control method based on the detected maximum deflection width with a vector scan control method the settling time to (V) the calculated maximum deflection width of a raster scan control system settling time to when exposing the subfield in a raster scan control system based on (equal to the minimum deflection width) (R) the seek. そして露光する際の整定時間Tsより、各方式の偏向周期を以下のように求める。 And from settling time Ts when exposing to determine the deflection period of the system as follows. ベクタースキャン制御方式での偏向周期Td(V)= To(V) Deflection period Td of a vector scan control method (V) = To (V)
+ Ts ラスタースキャン制御方式での偏向周期Td(R)= To(R) + Ts deflection period Td in raster scan control system (R) = To (R)
+ Ts 更にベクタースキャン制御方式での整定位置の数をN + Ts further the number of settling the position of a vector scan control method N
(V)、ラスタースキャン制御方式での整定位置の数をN (V), the number of settling position in the raster scan control system N
(R)より各方式のサブフィールド露光時間を以下のように算出する。 (R) from the subfield exposure time of each method is calculated as follows. ベクタースキャン制御方式での露光時間Tsub(V)= Td Exposure time in the vector scan control method Tsub (V) = Td
(V)* N(V) ラスタースキャン制御方式での露光時間Tsub(R)= Td (V) * N (V) raster scan control system exposure time Tsub (R) = Td
(R)* N(R) (ステップS109)各制御方式の露光時間を比較し、短い方をサブフィールドを露光する際の制御方式に決定する。 (R) * N (R) (step S109) and compares the exposure time of each control scheme, determines the shorter the control method when exposing the subfield. (ステップS110)すべてのサブフィールドについて、ステップS104〜S109の処理を終了したか否かを判断し、未処理のサブフィールドがある場合はステップS104へ戻って未処理のサブフィールドを選択する。 (Step S110) for all the subfields, it is determined whether or not the process of steps S104 to S109, if there is a sub-field of the untreated Selecting subfield unprocessed returns to step S104. (ステップS111)すべてのサブフィールドについて、ステップS104〜S109の処理を終えると、図11に示すような、副偏向器61の最小偏向幅、電子ビーム径の露光制御データと、主偏向器61が定める基準位置、制御方式、制御方式に対応した副偏向器62の偏向周期、副偏向器62が定める配列位置、及び各配列位置における各要素電子光学系の電子ビーム照射の開閉を要素とするサブフィールド毎の露光制御データとを記憶する。 (Step S111) for all the subfields When completing the process of step S104 to S109, as shown in FIG. 11, the minimum deflection width of the sub-deflector 61, the exposure control data of the electron beam diameter, the main deflector 61 reference position, the control system for determining, deflection period of the sub-deflector 62 corresponding to the control method, the sub-sequence position sub deflector 62 is determined, and that the closing elements of the electron beam irradiation of each element electron optical system at each sequence position storing the exposure control data for each field. ただし、制御方式がベクタースキャン制御方式の場合は、複数の電子ビームの全てが遮断される配列位置のデータは削除されている。 However, if the control method is vector scanning control scheme, the data sequence position of all of the plurality of electron beams are cut off has been removed. また制御方式がラスターースキャン制御方式の場合は、副偏向器62の最小偏向幅が定めるサブフィールド内のすべての配列位置でのデータが記憶されている。 Also when the control method is raster over scan control method, data in all sequence positions in the sub-field minimum deflection width of the sub-deflector 62 is determined are stored.

【0058】本実施例では、これらの処理を電子ビーム露光装置のCPU25で処理したが、それ以外の処理装置で行い、その露光制御データをCPU25に転送してもその目的・効果は変わらない。 [0058] In this embodiment, these processes were treated with CPU 25 of the electron beam exposure apparatus, performed in other processing apparatus, does not change its purpose and effect forward the exposure control data to the CPU 25.

【0059】(露光制御データに基づく露光の説明)CP [0059] (Description of exposure based on the exposure control data) CP
U25は、インターフェース24を介して制御系22に「露光の実行」を命令すると、制御系22は転送されたメモリ23 U25, when the instruction "Run exposure" to the control system 22 via the interface 24, the memory 23 control system 22 which is transferred
上の上記の露光制御データに基づいて図12に示すようなステップを実行する。 Performing the steps as shown in FIG. 12, based on the exposure control data of the above.

【0060】各ステップを説明する。 [0060] to describe each step. (ステップS201)焦点距離制御回路FCに命じ、照明電子光学系2の焦点距離を変更して、決定された電子ビーム径に設定する。 (Step S201) instructs the focal length control circuit FC, by changing the focal length of the illumination electron optical system 2, and sets the determined electron beam diameter. (ステップS202)偏向制御回路17に命じ、副偏向器61の最小偏向幅を決定された最小偏向幅に設定する。 Commanded (step S202) deflection control circuit 17, set to the minimum deflection width the minimum deflection width of the sub-deflector 61 is determined. (ステップS203)要素電子光学系アレイからの複数の電子ビームがサブフィールドを露光する際の起点である基準位置に位置するように、偏向制御回路17に命じ、主偏向器61により露光するサブフィールドに複数の電子ビームを偏向する。 Subfield plurality of electron beams from (step S203) the element electron optical system array so as to be located in the reference position is a starting point when the exposure of the sub-field, instructs the deflection control circuit 17, is exposed by the main deflector 61 deflecting the plurality of electron beams. 更に、主偏向器61が定める偏向位置に対応して、第2焦点・非点制御回路17に命じ、予め求めた動的焦点補正データに基づいて、縮小電子光学系4の焦点位置を補正するようにダイナミックフォーカスコイル Furthermore, in response to deflection position the main deflector 61 is defined, ordered at the second focal point, astigmatism control circuit 17, based on the dynamic focus correction data obtained in advance, corrects the focal position of the reduction electron optical system 4 dynamic focus coil as
7を制御するとともに、予め求めた動的非点補正データに基づいて縮小電子光学系の非点収差を補正するようにダイナミックスティグコイル8を制御する。 It controls the 7 controls the dynamic stigmatic coil 8 so as to correct the astigmatism of the reduction electron optical system on the basis of the dynamic astigmatism correction data obtained previously. (ステップS204)偏向制御回路17に命じ、副偏向器62の偏向周期を、露光するサブフィールドの制御方式に対応した偏向周期に切り換える。 (Step S204) instructs the deflection control circuit 17, a deflection period of the sub-deflector 62 is switched to the deflection cycle corresponding to the control method of the sub-fields to be exposed. さらに、偏向周期により定まる周期信号に発生させる。 Further, to generate the periodic signal is determined by the deflection cycle. そして、その周期信号に同期させて、切り換えた最小偏向幅を単位として要素電子光学系アレイからの複数の電子ビームを、副偏向器62によって露光制御データにより定められた偏向位置に偏向させる。 Then, the periodic signal to be synchronized, a plurality of electron beams from the element electron optical system array minimum deflection width is switched as a unit deflect the deflected position determined by the exposure control data by the sub deflector 62. 同時に、その周期信号に同期させて、ブランキング制御回路14に命じ各要素電子光学系のブランキング電極をウエハ5に露光すべきパターンに応じてon/offさせる。 At the same time, its in synchronism with the periodic signal, the blanking control circuit 14 on / off causes in accordance with the pattern to be exposed the blanking electrode of each element electron optical system on the wafer 5 commanded. ただし、制御方式としてベクタースキャン制御方式を選択すると、複数の電子ビームの全てが遮断される偏向位置では整定することなく偏向するように制御する。 However, by selecting a vector scan control method as a control method, in the deflection position where all of the plurality of electron beams is cut off controls to deflect without settling. 言い換えれば、複数の電子ビームの少なくともひとつが照射される第1の偏向位置から、複数の電子ビームの全てが遮断される第2偏向位置を飛び越して、次の複数の電子ビームの少なくともひとつが照射される第1の偏向位置に偏向されるように制御する。 In other words, the first deflection position at least one of the plurality of electron beam is irradiated, skipping a second deflected position in which all of the plurality of electron beams is interrupted, at least one irradiation of the next plurality of electron beams controlled so as to be deflected in a first deflection position being. また、制御方式としてラスタースキャン制御方式を選択すると、一定の偏向幅(最小偏向幅)で偏向し逐次整定するように制御する。 Further, by selecting the raster scan control system as a control method performs control to sequentially settling deflected at a constant deflection width (minimum deflection width). 更に、クーロン効果による電子ビームのぼけを補正するために、リフォーカス回路に命じ、ブランキング電極により遮断されずにウエハに照射される電子ビームの数に基づいて、リフォーカスコイル9によって縮小電子光学系4の焦点位置を調整する。 Furthermore, in order to correct the blur of the electron beam due to the Coulomb effect, it instructs the refocus circuit, based on the number of the electron beam irradiated to the wafer without being blocked by the blanking electrode, reduction electron optical by refocus coil 9 adjusting the focal position of the system 4. この時XYステージ1 At this time, XY stage 1
2はX方向に連続移動しており、偏向制御回路17は、X 2 is moved continuously in the X direction, the deflection control circuit 17, X
Yステージ12の移動量も含めて電子ビームの偏向位置を制御している。 The amount of movement of the Y stage 12 also including controlling the deflection position of the electron beam. 前述したように、その結果、図6(A)に示すようにウエハ5上の要素露光領域(EF)を黒四角を起点として走査し露光する。 As described above, as a result, element exposure area on the wafer 5 (EF) scanning the black squares starting exposure as shown in FIG. 6 (A). また、図6(B)に示すように、サブアレイ内の複数の要素電子光学系の要素露光領域(EF)は、隣接するように設定されていて、その結果、ウエハ5上において、複数の要素露光領域(EF)で構成されるサブアレイ露光フィールド(SEF)を露光される。 Further, as shown in FIG. 6 (B), element exposure regions of the plurality of element electron optical systems in the subarray (EF) is preset such that adjacent, so that, on the wafer 5, a plurality of elements is exposed subarray exposure field consists of exposure regions (EF) (SEF). 同時に、ウエハ5上において、図7(A)に示すようなサブアレイAからEのそれぞれが形成するサブアレイ露光フィールド(SEF)で構成されるサブフィールドが露光される。 At the same time, on the wafer 5, a subfield constituted by subarray exposure field (SEF), respectively from the sub-array A, as shown in FIG. 7 (A) of the E form is exposed. (ステップS205)次に露光するサブフィールドがある場合はステップS203へ戻り、ない場合は、露光を終了する。 (Step S205) If the next there is a sub-field to be exposed returns to step S203, if not, terminates the exposure.

【0061】(第2の実施形態)第1の実施形態では、各方式の露光時間を算出し、露光時間が短い方を選択したが、単純に、ベクタースキャン制御方式での整定位置の数が、例えばラスタースキャン制御方式での整定位置の数の50%のような予めきめられた値以上の時は、ラスタースキャン制御方式を選択するようにしても構わない。 [0061] (Second Embodiment) In the first embodiment, to calculate the exposure time of each method was chosen better exposure time is short, simple, the number of settling the position of a vector scan control method , for example, when more than a predetermined value such as 50% of the number of settled position in the raster scan control system, may be selected raster scan control system.

【0062】(本発明のデバイスの生産方法の説明)上記説明した電子ビーム露光装置を利用したデバイスの生産方法の実施例を説明する。 [0062] illustrating the embodiment of an electron beam exposure apparatus device manufacturing method which uses the described above described (description of the method of producing the device of the present invention).

【0063】図13は微小デバイス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、 [0063] Figure 13 is a microdevice (IC or LSI, etc. of the semiconductor chip, a liquid crystal panel, CCD, thin film magnetic head,
マイクロマシン等)の製造のフローを示す。 Shows the a micromachine etc.). ステップ1 Step 1
(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行なう。 The design process for designing a circuit of a semiconductor device.
ステップ2(露光制御データ作成)では設計した回路パターンに基づいて露光装置の露光制御データを作成する。 Step 2 To create a exposure control data of the exposure apparatus based on the circuit pattern (exposure control data creation), design. 一方、ステップ3(ウエハ製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。 On the other hand, a wafer is manufactured using a material such as silicon at step 3 (wafer manufacture). ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼ばれ、上記用意した露光制御データが入力された露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。 Step 4 (wafer process) called a pre-process wherein, by using the prepared exposure control data is an exposure device and a wafer that has been input, an actual circuit is formed on the wafer by lithography. 次のステップ5(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4 The next step 5 (assembly) called a post-process, Step 4
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を含む。 A step of forming a semiconductor chip by using the produced wafer by, including assembly step (dicing, bonding), packaging step (chip encapsulation). ステップ6(検査)ではステップ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。 Step 6 (inspection) performs various tests for the semiconductor devices provided by step 5, are carried out, a durability check, and the like. こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)される。 The semiconductor device is completed through these steps and shipped (Step 7).

【0064】図14は上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す。 [0064] Figure 14 shows the detailed flow of the wafer process. ステップ11(酸化)ではウエハの表面を酸化させる。 In step 11 (oxidation), the wafer surface is oxidized. ステップ12(CVD)ではウエハ表面に絶縁膜を形成する。 Step 12 forming an insulating film on the wafer surface (CVD). ステップ13(電極形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。 The electrode is formed by vapor deposition step 13 (electrode formation) on the wafer. ステップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。 Step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. ステップ1 Step 1
5(レジスト処理)ではウエハに感光剤を塗布する。 5 (resist processing), the wafer is coated with a photosensitive agent. ステップ16(露光)では上記説明した露光装置によって回路パターンをウエハに焼付露光する。 Process for printing, by exposure, the circuit pattern on the wafer by step 16 (exposure), the above-described exposure apparatus. ステップ17 Step 17
(現像)では露光したウエハを現像する。 Developing the exposed wafer (development). ステップ18 Step 18
(エッチング)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。 Removing portions other than the developed resist image in an etching process. ステップ19(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。 In step 19 (resist stripping) removes unused resist after etching. これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。 By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer.

【0065】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製造が難しかった高集積度の半導体デバイスを低コストに製造することができる。 By using [0065] The manufacturing method of this embodiment, conventionally it is possible to manufacture a semiconductor device fabrication is difficult highly integrated low cost.

【0066】 [0066]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パターンデータに基づいて、サブフィールド毎に最適な制御方式を選択する為、より大きなスループットを達成できるマルチ電子ビーム型露光方法及び装置を提供できる。 According to the present invention as described in the foregoing, based on the pattern data, in order to select the optimal control scheme for each sub-field, the multi-electron beam exposure method and apparatus which can achieve greater throughput It can be provided.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明に係る電子ビーム露光装置の要部概略を示す図。 It shows a main part schematic of the electron beam exposure apparatus according to the present invention; FIG.

【図2】要素電子光学系アレイ3について説明する図。 [Figure 2] is described element electron optical system array 3 FIG.

【図3】要素電子光学系を説明する図。 Diagram illustrating the Figure 3 element electron optical system.

【図4】要素電子光学系の電極を説明する図。 Figure 4 is a diagram illustrating an electrode of the element electron optical system.

【図5】本発明に係るシステム構成を説明する図。 Diagram illustrating a system configuration according to the present invention; FIG.

【図6】露光フィールド(EF)及びサブアレイ露光フィールド(SEF)を説明する図。 6 is a diagram explaining an exposure field (EF) and subarray exposure field (SEF).

【図7】サブフィールドを説明する図。 FIG. 7 is a diagram illustrating a sub-field.

【図8】サブフィールドとパターン領域の関係を説明する図。 8 is a diagram illustrating a relationship between the sub-fields and the pattern area.

【図9】露光制御データ作成処理を説明する図。 9 illustrates the exposure control data creation processing.

【図10】各要素電子光学系が露光するべきパターンおよび偏向器が定める配列の領域決定を説明する。 [10] describing a region determination pattern and the deflector is defined sequence to each element electron optical system is exposed.

【図11】露光制御データを説明する図。 11 is a diagram for explaining the exposure control data.

【図12】露光制御データに基づく露光を説明する図。 12 is a diagram explaining an exposure based on the exposure control data.

【図13】微小デバイスの製造フローを説明する図。 Figure 13 illustrates a manufacturing flow of a microdevice.

【図14】ウエハプロセスを説明する図。 FIG. 14 is a diagram illustrating the wafer process.

【図15】従来のマルチ電子ビーム型露光装置を説明する図。 Figure 15 illustrates a conventional multi-electron beam exposure apparatus.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 電子銃 2 照明電子光学系 3 要素電子光学系アレイ 4 縮小電子光学系 5 ウエハ 6 偏向器 7 ダイナミックフォーカスコイル 8 ダイナミックスティグコイル 9 リフォーカスコイル 10 ファラデーカップ 11 θ−Zステージ 12 XYステージ 13 強度分布制御回路 14 ブランキング制御回路 15 第1焦点・非点制御回路 16 第2焦点・非点制御回路 17 偏向制御回路 18 倍率調整回路 19 リフォーカス制御回路 20 ステージ駆動制御回路 21 レーザ干渉計 22 制御系 23 メモリ 24 インターフェース 25 CPU AP−P 開口を有する基板 FC 焦点距離制御回路 1 electron gun 2 illumination electron optical system 3 element electron optical system array 4 reduction electron optical system 5 the wafer 6 deflector 7 dynamic focus coil 8 dynamic stigmatic coil 9 refocus coil 10 Faraday cup 11 theta-Z stage 12 XY stage 13 intensity distribution the control circuit 14 the blanking control circuit 15 first focus, astigmatism control circuit 16 second focus-astigmatism control circuit 17 deflection control circuit 18 magnification adjustment circuit 19 refocus control circuit 20 stage drive control circuit 21 laser interferometer 22 control system board FC focal length control circuit having 23 memory 24 interface 25 CPU AP-P opening

Claims (10)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 複数の電子ビームを被露光面上を偏向させ、偏向毎に各電子ビームの照射を個別に制御し、各電子ビーム毎の要素露光領域にパターンを描画することにより、前記複数の要素露光領域で構成されるサブフィールドに順次パターンを描画する電子ビーム露光方法において、 前記被露光面に描画されるパターンのパターンデータを、前記サブフィールドを単位として分割する段階とサブフィールドを露光する際の制御方式として、前記複数の電子ビームを一定の偏向幅で偏向し整定して露光する第1の制御方式、若しくは前記複数の電子ビームの全てが遮断される偏向位置では、前記複数の電子ビームを整定することなく偏向して露光する第2の制御方式のどちらか一方を、サブフィールド毎のパターンデータに基づいて選択する 1. A multiple electron beam is deflected on the surface to be exposed, individually controlling the irradiation of each electron beam for each deflection by drawing a pattern on element exposure regions of the respective electron beams, said plurality in the electron beam exposure method draws a sequential pattern in subfield consists of element exposure regions of the pattern data of the pattern to be drawn on the surface to be exposed, exposing the phase and subfields for dividing the sub-field as a unit as a control method at the time of the first control scheme of exposing the plurality of electron beams are deflected by settling at a constant deflection width, or in the deflected position where all of said plurality of electron beams is cut off, the plurality of either the second control method to deflect to exposure without settling the electron beam is selected based on the pattern data in each subfield 階と、 各サブフィールドを露光する際、選択された制御方式で露光する段階とを有することを特徴とする電子ビーム露光方法。 And floor, when exposing each subfield, an electron beam exposure method characterized by having the steps of exposing a selected control scheme.
  2. 【請求項2】 前記選択段階は、前記第1、第2の制御方式でサブフィールドを露光する時間を算出し比較する段階を有することを特徴とする請求項1の電子ビーム露光方法。 Wherein said selecting step, the first, the electron beam exposure method according to claim 1, characterized in that it comprises the step of comparing calculated the time necessary to expose the sub-fields in the second control mode.
  3. 【請求項3】 前記選択段階は、前記第2の制御方式で露光する場合の整定位置の数が予め決めた値以上の時は、前記第1の制御方式を選択する段階を有することを特徴する請求項1の電子ビーム露光方法。 Wherein said selecting step, said when the number is equal to or greater than predetermined value settling position for exposure by the second control method, characterized by comprising the step of selecting said first control scheme electron beam exposure method of claim 1.
  4. 【請求項4】 請求項1乃至3の電子ビーム露光方法を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。 4. A device manufacturing method characterized by manufacturing a device using the electron beam exposure method according to claim 1 to 3.
  5. 【請求項5】 複数の電子ビームを用いて、被露光面上にパターンを描画する電子ビーム露光装置において、 前記複数の電子ビームを前記被露光面上を偏向させる偏向手段と、 偏向毎に各電子ビームの照射を個別に制御する照射制御手段と、 前記偏向手段によって前記複数の電子ビームを偏向させ各電子ビーム毎の要素露光領域にパターンを描画して、 With wherein the plurality of electron beams, the electron beam exposure apparatus for drawing a pattern on the exposure surface, and deflection means for causing the plurality of electron beams are deflected over the surface to be exposed, each to each deflection and irradiation control means for individually controlling the irradiation of the electron beam, to draw a pattern on element exposure regions of the respective electron beams to deflect the plurality of electron beams by the deflection means,
    前記複数の要素露光領域で構成されるサブフィールドに順次パターンを描画し、サブフィールドを露光する際の制御方式として、前記偏向手段によって前記複数の電子ビームを一定の偏向幅で偏向し整定して露光する第1の制御方式、若しくは前記照射制御手段によって前記複数の電子ビームの全てが遮断される偏向位置では、前記偏向手段によって前記電子ビームを整定することなく偏向して露光する第2の制御方式のどちらか一方を選択して露光する制御手段とを有することを特徴とする電子ビーム露光装置。 Draw a sequential pattern in the sub-field which comprises a plurality of element exposure regions, as a control method at the time of exposure of the sub-fields, to be settled by deflecting the plurality of electron beams at a constant deflection width by said deflecting means first control scheme to be exposed, or wherein in the deflected position where everything is blocked of the plurality of electron beams by the irradiation control means, second control to deflect to exposure without settling the electron beam by the deflection means electron beam exposure apparatus characterized by a control means for selecting and exposing either the method.
  6. 【請求項6】 サブフィールドに露光されるパターンに基づいて決定された制御方式に関する情報を有する制御データに基づいて、前記制御手段は制御方式を選択することを特徴とする請求項5の電子ビーム露光装置。 6. Based on the control data having the information relating to the control method determined based on the pattern to be exposed to the subfield, an electron beam according to claim 5 wherein the control means, characterized in that the control system is selected exposure apparatus.
  7. 【請求項7】 予め決定される制御方式は、前記第1、 Control Scheme 7. is predetermined, the first,
    第2の制御方式でサブフィールドを露光する時間を算出し比較した結果に基づいて決定されることを特徴とする請求項6の電子ビーム露光装置。 Electron beam exposure apparatus according to claim 6, characterized in that is determined based on a result of comparison by calculating the time necessary to expose the sub-fields in the second control mode.
  8. 【請求項8】 前記第2の制御方式で露光する場合の整定位置の数が予め決めた値以上の時は、前記第1の制御方式を選択されることを特徴する請求項6の電子ビーム露光装置。 Wherein said when the number is equal to or greater than predetermined value settling position for exposure by the second control method, an electron beam according to claim 6, characterized in that it is selected the first control scheme exposure apparatus.
  9. 【請求項9】 前記偏向手段は、静電型偏向器と電磁型偏向器とを有し、前記制御手段は、前記複数の電子ビームを前記要素露光領域内を偏向する際は前記静電型偏向器を用い、前記複数の電子ビームをサブフィールドから次のサブフィールドに偏向する際は前記電磁型偏向器を用いることを特徴とする請求項5乃至8の電子ビーム露光装置。 Wherein said deflecting means, and an electrostatic deflector and an electromagnetic deflector, wherein, when deflecting the element exposure regions a plurality of electron beams is the electrostatic with deflector, electron beam exposure apparatus according to claim 5 to 8 when deflecting the plurality of electron beams from the sub-field to the next sub-field is characterized by using the electromagnetic deflector.
  10. 【請求項10】 請求項5乃至9の電子ビーム露光装置を用いてデバイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。 10. A device manufacturing method characterized by manufacturing a device using the electron beam exposure apparatus according to claim 5 to 9.
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