JPH10332966A - 光デバイス - Google Patents
光デバイスInfo
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- JPH10332966A JPH10332966A JP14497197A JP14497197A JPH10332966A JP H10332966 A JPH10332966 A JP H10332966A JP 14497197 A JP14497197 A JP 14497197A JP 14497197 A JP14497197 A JP 14497197A JP H10332966 A JPH10332966 A JP H10332966A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光デバイスの消光比を改善する。
【解決手段】 光学的に順次結合された入力用光導波路
と光機能部と出力用光導波路とを具備する光デバイスで
あって、外部入力用光導波路から前記入力用光導波路に
入射光を結合させた際に生じる漏れ光の外部出力用光導
波路への結合が妨げられるように、出力用光導波路が入
力用光導波路の延長上からずれた位置に配置されてい
る。
と光機能部と出力用光導波路とを具備する光デバイスで
あって、外部入力用光導波路から前記入力用光導波路に
入射光を結合させた際に生じる漏れ光の外部出力用光導
波路への結合が妨げられるように、出力用光導波路が入
力用光導波路の延長上からずれた位置に配置されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光デバイスに関し、
特に小形で信号光のＯＮ／ＯＦＦ時の消光比が高い光デ
バイスに関する。
特に小形で信号光のＯＮ／ＯＦＦ時の消光比が高い光デ
バイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体光ゲートを例にとって従来の光デ
バイスを図６および図７に示す。図６は上面図であり、
Ｉは外部入力用光導波路であり、ここでは単一モード光
ファイバ（ＳＭＦ）としている。ＩＩは入力用光導波路
であり、ここでは入射側スポットサイズ変換光導波路と
しており、光導波路の幅が導波方向に大きくなっている
テーパ部を有する。ＩＩＩは光機能部としての光ゲート
部である。ＩＶは出力用光導波路であり、ここでは出射
側スポットサイズ変換光導波路としており、光導波路の
幅が導波方向に小さくなっているテーパ部を有する。Ｖ
は外部出力用光導波路であり、ここでは出力用のＳＭＦ
とする。図７は斜視図である。ここで、１はｐ側電極、
２はｐ−ＩｎＰクラッド、３はｎ−ＩｎＰ埋め込み層、
４はｐ−ＩｎＰ埋め込み層、５はｎ−ＩｎＰバッファ
層、６はｎ−ＩｎＰ基板、７は光増幅あるいは光吸収を
するためのＩｎＧａＡｓＰ活性層、８はｎ側電極であ
る。
バイスを図６および図７に示す。図６は上面図であり、
Ｉは外部入力用光導波路であり、ここでは単一モード光
ファイバ（ＳＭＦ）としている。ＩＩは入力用光導波路
であり、ここでは入射側スポットサイズ変換光導波路と
しており、光導波路の幅が導波方向に大きくなっている
テーパ部を有する。ＩＩＩは光機能部としての光ゲート
部である。ＩＶは出力用光導波路であり、ここでは出射
側スポットサイズ変換光導波路としており、光導波路の
幅が導波方向に小さくなっているテーパ部を有する。Ｖ
は外部出力用光導波路であり、ここでは出力用のＳＭＦ
とする。図７は斜視図である。ここで、１はｐ側電極、
２はｐ−ＩｎＰクラッド、３はｎ−ＩｎＰ埋め込み層、
４はｐ−ＩｎＰ埋め込み層、５はｎ−ＩｎＰバッファ
層、６はｎ−ＩｎＰ基板、７は光増幅あるいは光吸収を
するためのＩｎＧａＡｓＰ活性層、８はｎ側電極であ
る。
【０００３】このスポットサイズ変換光導波路付き半導
体光ゲートの動作原理は以下の通りである。
体光ゲートの動作原理は以下の通りである。
【０００４】外部入力用ＳＭＦＩからスポットサイズｗ
F （パワーが１／ｅ2 となる半幅）が約４μｍのガウス
ビームが入力用光導波路ＩＩに入射する。光ゲート部Ｉ
ＩＩのスポットサイズｗLDは約１μｍと小さいので、外
部入力用ＳＭＦＩからの入射ガウスビームが光ゲート部
ＩＩＩに直接入射すると、その時の結合効率ηは次式
F （パワーが１／ｅ2 となる半幅）が約４μｍのガウス
ビームが入力用光導波路ＩＩに入射する。光ゲート部Ｉ
ＩＩのスポットサイズｗLDは約１μｍと小さいので、外
部入力用ＳＭＦＩからの入射ガウスビームが光ゲート部
ＩＩＩに直接入射すると、その時の結合効率ηは次式
【０００５】
【数１】 η＝４／（ｗLD／ｗF ＋ｗF ／ｗLD）2 （１） から、６．５ｄＢの結合損失が生じてしまう。そこで、
入射側スポットサイズ変換部ＩＩとしてテーパ部を設
け、入力用ＳＭＦＩからのスポットサイズｗF の入射ガ
ウスビームを光ゲート部ＩＩＩのスポットサイズｗLDに
変換している。こうして効率よくＩｎＧａＡｓＰ活性層
７に結合した光はｐ側電極とｎ側電極間に順方向電圧が
印加された場合にはＯＮとなり増幅され、電圧が印加さ
れない場合にはＯＦＦとなり吸収され、光ゲート動作が
可能となる。
入射側スポットサイズ変換部ＩＩとしてテーパ部を設
け、入力用ＳＭＦＩからのスポットサイズｗF の入射ガ
ウスビームを光ゲート部ＩＩＩのスポットサイズｗLDに
変換している。こうして効率よくＩｎＧａＡｓＰ活性層
７に結合した光はｐ側電極とｎ側電極間に順方向電圧が
印加された場合にはＯＮとなり増幅され、電圧が印加さ
れない場合にはＯＦＦとなり吸収され、光ゲート動作が
可能となる。
【０００６】同様に、出力側では光ゲート部ＩＩＩの約
１μｍのスポットサイズを外部出力用ＳＭＦＶのスポッ
トサイズに拡大するために、出力側用スポットサイズ変
換部ＩＶを設けている。
１μｍのスポットサイズを外部出力用ＳＭＦＶのスポッ
トサイズに拡大するために、出力側用スポットサイズ変
換部ＩＶを設けている。
【０００７】なお、外部出力用ＳＭＦＶに伝搬する信号
光強度のＯＮ／ＯＦＦ比を消光比と定義し、一般に３０
ｄＢ程度と大きな値が要求される。
光強度のＯＮ／ＯＦＦ比を消光比と定義し、一般に３０
ｄＢ程度と大きな値が要求される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】一般に、外部入力用Ｓ
ＭＦからの入射光は完全には活性層の固有モードに変換
されないため、漏れ光が生じることは避けられない。と
ころが、上述した従来例では、入射側スポットサイズ変
換部ＩＩ、光ゲート部ＩＩＩ、出射側スポットサイズ変
換部ＩＶが同一直線上にあるため、入射光のうち、光ゲ
ート部の固有モードに変換されなかった光の成分、すな
わち漏れ光が、信号光のＯＦＦ時にも外部出力用ＳＭＦ
に結合してしまうため、信号光のＯＮ／ＯＦＦ時の消光
比を劣化させてしまう問題があった。
ＭＦからの入射光は完全には活性層の固有モードに変換
されないため、漏れ光が生じることは避けられない。と
ころが、上述した従来例では、入射側スポットサイズ変
換部ＩＩ、光ゲート部ＩＩＩ、出射側スポットサイズ変
換部ＩＶが同一直線上にあるため、入射光のうち、光ゲ
ート部の固有モードに変換されなかった光の成分、すな
わち漏れ光が、信号光のＯＦＦ時にも外部出力用ＳＭＦ
に結合してしまうため、信号光のＯＮ／ＯＦＦ時の消光
比を劣化させてしまう問題があった。
【０００９】本発明は、このような従来の問題を解決
し、消光比の高い光デバイスを実現するものである。
し、消光比の高い光デバイスを実現するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による光デバイス
は、光学的に順次結合された入力用光導波路と光機能部
と出力用光導波路とを具備する光デバイスにおいて、外
部入力用光導波路から前記入力用光導波路に入射光を結
合させた際に生じる漏れ光の外部出力用光導波路への結
合が妨げられるように、前記出力用光導波路が前記入力
用光導波路の延長上からずれた位置に配置されているこ
とを特徴とする。
は、光学的に順次結合された入力用光導波路と光機能部
と出力用光導波路とを具備する光デバイスにおいて、外
部入力用光導波路から前記入力用光導波路に入射光を結
合させた際に生じる漏れ光の外部出力用光導波路への結
合が妨げられるように、前記出力用光導波路が前記入力
用光導波路の延長上からずれた位置に配置されているこ
とを特徴とする。
【００１１】ここで、好適には、前記入力用光導波路と
前記出力用光導波路が、それぞれスポットサイズ変換光
導波路から構成されている。
前記出力用光導波路が、それぞれスポットサイズ変換光
導波路から構成されている。
【００１２】また、好適には、前記外部入力用光導波路
から前記入力用光導波路に入射光を結合させた際に生じ
る漏れ光の進行方向に分離溝が設けられており、特に、
前記分離溝が漏れ光の進行方向に関して前記入力用光導
波路の前方に設けられているとよい。
から前記入力用光導波路に入射光を結合させた際に生じ
る漏れ光の進行方向に分離溝が設けられており、特に、
前記分離溝が漏れ光の進行方向に関して前記入力用光導
波路の前方に設けられているとよい。
【００１３】さらに、本発明による光デバイスは、光学
的に順次結合された入力用光導波路と光機能部と出力用
光導波路とを具備する光デバイスにおいて、外部入力用
光導波路から前記入力用光導波路に入射光を結合させた
際に生じる漏れ光の外部出力用光導波路への結合が妨げ
られるように、前記出力用光導波路が前記外部入力用光
導波路からの前記光デバイスへの入射光の入射方向から
ずれた位置に配置されていることを特徴とする。
的に順次結合された入力用光導波路と光機能部と出力用
光導波路とを具備する光デバイスにおいて、外部入力用
光導波路から前記入力用光導波路に入射光を結合させた
際に生じる漏れ光の外部出力用光導波路への結合が妨げ
られるように、前記出力用光導波路が前記外部入力用光
導波路からの前記光デバイスへの入射光の入射方向から
ずれた位置に配置されていることを特徴とする。
【００１４】ここで、前記外部入力用光導波路の光軸と
前記入力用光導波路の光軸および前記外部出力用光導波
路の光軸と前記出力用光導波路の光軸とが、それぞれ角
度をなしていてもよい。
前記入力用光導波路の光軸および前記外部出力用光導波
路の光軸と前記出力用光導波路の光軸とが、それぞれ角
度をなしていてもよい。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明では、入射光が結合する入
射用光導波路と、変調後の光を出射する出力用光導波路
が同一直線上に存在しないように配置されている。その
ために、光入射部における漏れ光が外部出力用ＳＭＦに
結合することを抑制できるので、信号光のＯＮ／ＯＦＦ
時の消光比を大きくすることが可能となる。
射用光導波路と、変調後の光を出射する出力用光導波路
が同一直線上に存在しないように配置されている。その
ために、光入射部における漏れ光が外部出力用ＳＭＦに
結合することを抑制できるので、信号光のＯＮ／ＯＦＦ
時の消光比を大きくすることが可能となる。
【００１６】
【実施例】実施例１ 本発明の第１の実施例の上面図を図１に示す。斜視図は
図７に示した従来例と同じなので省略する。図１からわ
かるように、本実施例では、入力用光導波路（入射側ス
ポットサイズ変換部）ＩＩ、光ゲート部（光機能部）Ｉ
ＩＩおよび出力用光導波路（出射側スポットサイズ変換
部）ＩＶが全体としてＳ字状に配置されており、入力用
光導波路ＩＩと出力用光導波路ＩＶとが、従って、外部
入力用ＳＭＦＩと外部出力用ＳＭＦＶとが、同一直線上
に配置されていない。入射側スポットサイズ変換部ＩＩ
において生じた漏れ光のほとんどは前方に広がりつつ直
進するので、外部出力用ＳＭＦＶには結合しにくくな
る。図２に、図１における入射側スポットサイズ変換光
導波路ＩＩと出射側スポットサイズ変換光導波路ＩＶと
のオフセット量ｘを変数とした場合のＯＮ／ＯＦＦ時の
消光比の改善度を示す。なお、導波光の波長は１．５５
μｍとした。この図からわかるように、オフセット量ｘ
を増加することにより、消光比を著しく改善することが
できる。従って、消光比の改善のためには、入力用光導
波路ＩＩと出力用光導波路ＩＶの光軸と直角方向の距離
は、デバイスの設計上許される範囲で大きいことが望ま
しく、少なくとも両者はそれらの延長上の仮想位置にお
いて重ならないことが必要である。実施例２ 図３に本発明の第２の実施例の上面図を示す。本実施例
においては、図１に示した第１の実施例に加えて、分離
溝９を形成している。この分離溝は漏れ光の進行方向に
あり、漏れ光の進行方向に関して入力用光導波路の前方
に設けられている。漏れ光は分離溝によって遮られるの
で、漏れ光の外部出力用ＳＭＦＶへの結合はさらに抑制
される。
図７に示した従来例と同じなので省略する。図１からわ
かるように、本実施例では、入力用光導波路（入射側ス
ポットサイズ変換部）ＩＩ、光ゲート部（光機能部）Ｉ
ＩＩおよび出力用光導波路（出射側スポットサイズ変換
部）ＩＶが全体としてＳ字状に配置されており、入力用
光導波路ＩＩと出力用光導波路ＩＶとが、従って、外部
入力用ＳＭＦＩと外部出力用ＳＭＦＶとが、同一直線上
に配置されていない。入射側スポットサイズ変換部ＩＩ
において生じた漏れ光のほとんどは前方に広がりつつ直
進するので、外部出力用ＳＭＦＶには結合しにくくな
る。図２に、図１における入射側スポットサイズ変換光
導波路ＩＩと出射側スポットサイズ変換光導波路ＩＶと
のオフセット量ｘを変数とした場合のＯＮ／ＯＦＦ時の
消光比の改善度を示す。なお、導波光の波長は１．５５
μｍとした。この図からわかるように、オフセット量ｘ
を増加することにより、消光比を著しく改善することが
できる。従って、消光比の改善のためには、入力用光導
波路ＩＩと出力用光導波路ＩＶの光軸と直角方向の距離
は、デバイスの設計上許される範囲で大きいことが望ま
しく、少なくとも両者はそれらの延長上の仮想位置にお
いて重ならないことが必要である。実施例２ 図３に本発明の第２の実施例の上面図を示す。本実施例
においては、図１に示した第１の実施例に加えて、分離
溝９を形成している。この分離溝は漏れ光の進行方向に
あり、漏れ光の進行方向に関して入力用光導波路の前方
に設けられている。漏れ光は分離溝によって遮られるの
で、漏れ光の外部出力用ＳＭＦＶへの結合はさらに抑制
される。
【００１７】実施例３ 図４に本発明の第３の実施例の上面図を示す。本実施例
においては、入力用光導波路（入射側スポットサイズ変
換部）ＩＩ、光ゲート部ＩＩＩおよび出力用光導波路
（出射側スポットサイズ変換部）ＩＶは実施例１および
２と異なってＳ字状に配置されておらず、直線的に屈曲
している。しかし、この実施例の動作は図１に示した実
施例１と同様である。
においては、入力用光導波路（入射側スポットサイズ変
換部）ＩＩ、光ゲート部ＩＩＩおよび出力用光導波路
（出射側スポットサイズ変換部）ＩＶは実施例１および
２と異なってＳ字状に配置されておらず、直線的に屈曲
している。しかし、この実施例の動作は図１に示した実
施例１と同様である。
【００１８】実施例４ 図５に本発明の第４の実施例の上面図を示す。図１〜図
３に示した実施例においては、外部入力用ＳＭＦＩの光
軸と入力用光導波路ＩＩの光軸および出力用光導波路Ｉ
Ｖの光軸と外部出力用ＳＭＦＶの光軸とがそれぞれ一致
していたが、本実施例においては、外部入力用ＳＭＦＩ
の光軸と入力用光導波路ＩＩの光軸および出力用光導波
路ＩＶの光軸と外部出力用ＳＭＦＶの光軸とがそれぞれ
角度をなしている。この場合、入力用光導波路ＩＩの光
軸と出力用光導波路ＩＶの光軸とは一致していてもよ
く、ずれていてもよい。外部入力用ＳＭＦＩおよび外部
出力用ＳＭＦＶは、他の実施例と同様に、光デバイスの
端面に垂直である。外部入力用ＳＭＦＩからの入射光は
入力用光導波路ＩＩに結合されるが、外部入力用ＳＭＦ
Ｉは光デバイスの入射端面に対して垂直なので、漏れ光
は端面に垂直方向に直進する。一方、出力用光導波路Ｉ
Ｖの配置位置は、入力用光導波路ＩＩの入射端における
入射端面に対する垂直方向上、すなわち漏れ光の進行方
向上ではないので、漏れ光は外部入出力光導波路Ｖに結
合しない。従って、本実施例においても上述した他の実
施例と同様の効果がある。
３に示した実施例においては、外部入力用ＳＭＦＩの光
軸と入力用光導波路ＩＩの光軸および出力用光導波路Ｉ
Ｖの光軸と外部出力用ＳＭＦＶの光軸とがそれぞれ一致
していたが、本実施例においては、外部入力用ＳＭＦＩ
の光軸と入力用光導波路ＩＩの光軸および出力用光導波
路ＩＶの光軸と外部出力用ＳＭＦＶの光軸とがそれぞれ
角度をなしている。この場合、入力用光導波路ＩＩの光
軸と出力用光導波路ＩＶの光軸とは一致していてもよ
く、ずれていてもよい。外部入力用ＳＭＦＩおよび外部
出力用ＳＭＦＶは、他の実施例と同様に、光デバイスの
端面に垂直である。外部入力用ＳＭＦＩからの入射光は
入力用光導波路ＩＩに結合されるが、外部入力用ＳＭＦ
Ｉは光デバイスの入射端面に対して垂直なので、漏れ光
は端面に垂直方向に直進する。一方、出力用光導波路Ｉ
Ｖの配置位置は、入力用光導波路ＩＩの入射端における
入射端面に対する垂直方向上、すなわち漏れ光の進行方
向上ではないので、漏れ光は外部入出力光導波路Ｖに結
合しない。従って、本実施例においても上述した他の実
施例と同様の効果がある。
【００１９】図４および図５に示した実施例３および実
施例４において、図３に示した実施例２と同様に分離溝
を設けてもよい。
施例４において、図３に示した実施例２と同様に分離溝
を設けてもよい。
【００２０】なお、これまで光ゲート機能として増幅形
のものについて説明したが、本発明は吸収形の光変調器
や位相変調器など、外部に入出力光導波路を具備する全
ての光デバイスに適用できることは言うまでもない。
のものについて説明したが、本発明は吸収形の光変調器
や位相変調器など、外部に入出力光導波路を具備する全
ての光デバイスに適用できることは言うまでもない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、入射
光が結合する入力用光導波路と変調後の光を出射する出
力用光導波路が同一直線上にないように配置されている
ので、光入射部における漏れ光が外部出力用光導波路に
結合することを抑圧できるので、信号光のＯＮ／ＯＦＦ
時の消光比を大きくすることが可能となる。
光が結合する入力用光導波路と変調後の光を出射する出
力用光導波路が同一直線上にないように配置されている
ので、光入射部における漏れ光が外部出力用光導波路に
結合することを抑圧できるので、信号光のＯＮ／ＯＦＦ
時の消光比を大きくすることが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例の上面図である。
【図２】本発明の原理を説明する図である。
【図３】本発明の第２の実施例の上面図である。
【図４】本発明の第３の実施例の上面図である。
【図５】本発明の第４の実施例の上面図である。
【図６】従来例の上面図である。
【図７】従来例の斜視図である。
Ｉ 外部入力用光導波路 ＩＩ 入力用光導波路 ＩＩＩ 光ゲート部 ＩＶ 出力用光導波路 Ｖ 外部出力用光導波路 １ ｐ側電極 ２ ｐ−ＩｎＰクラッド ３ ｎ−ＩｎＰ埋め込み層 ４ Ｐ−ＩｎＰ埋め込み層 ５ ｎ−ＩｎＰバッファ層 ６ ｎ−ＩｎＰ基板 ７ ＩｎＧａＡｓＰ活性層 ８ ｎ側電極 ９ 分離溝
Claims (6)
- 【請求項１】 光学的に順次結合された入力用光導波路
と光機能部と出力用光導波路とを具備する光デバイスに
おいて、外部入力用光導波路から前記入力用光導波路に
入射光を結合させた際に生じる漏れ光の外部出力用光導
波路への結合が妨げられるように、前記出力用光導波路
が前記入力用光導波路の延長上からずれた位置に配置さ
れていることを特徴とする光デバイス。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光デバイスにおいて、
前記入力用光導波路と前記出力用光導波路が、それぞれ
スポット変換光導波路から構成されていることを特徴と
する光デバイス。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の光デバイスに
おいて、前記外部入力用光導波路から前記入力用光導波
路に入射光を結合させた際に生じる漏れ光の進行方向に
分離溝が設けられていることを特徴とする光デバイス。 - 【請求項４】 請求項３に記載の光デバイスにおいて、
前記分離溝が漏れ光の進行方向に関して前記入力用光導
波路の前方に設けられていることを特徴とする光デバイ
ス。 - 【請求項５】 光学的に順次結合された入力用光導波路
と光機能部と出力用光導波路とを具備する光デバイスに
おいて、外部入力用光導波路から前記入力用光導波路に
入射光を結合させた際に生じる漏れ光の外部出力用光導
波路への結合が妨げられるように、前記出力用光導波路
が前記外部入力用光導波路からの前記光デバイスへの入
射光の入射方向からずれた位置に配置されていることを
特徴とする光デバイス。 - 【請求項６】 請求項５に記載の光デバイスにおいて、
前記外部入力用光導波路の光軸と前記入力用光導波路の
光軸および前記外部出力用光導波路の光軸と前記出力用
光導波路の光軸とが、それぞれ角度をなしていることを
特徴とする光デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14497197A JPH10332966A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 光デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14497197A JPH10332966A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 光デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10332966A true JPH10332966A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15374465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14497197A Pending JPH10332966A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 光デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10332966A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000002072A1 (fr) * | 1998-07-03 | 2000-01-13 | Nec Corporation | Module optique integre |
| US6253003B1 (en) | 1997-08-06 | 2001-06-26 | Nec Corporation | Optical coupling method and optical coupling device |
| WO2006004031A1 (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-12 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光機能回路 |
| CN100399079C (zh) * | 2004-07-02 | 2008-07-02 | 日本电信电话株式会社 | 光学功能回路 |
| JPWO2014156959A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-02-16 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | 端面光結合型シリコン光集積回路 |
| JPWO2015170505A1 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-04-20 | 国立大学法人福井大学 | 合波器、この合波器を用いた画像投影装置及び画像投影システム |
| US10408999B2 (en) | 2014-05-09 | 2019-09-10 | National University Corporation University Of Fukui | Multiplexer |
| WO2023223432A1 (ja) * | 2022-05-17 | 2023-11-23 | 日本電信電話株式会社 | モードフィールド変換光回路 |
-
1997
- 1997-06-03 JP JP14497197A patent/JPH10332966A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6253003B1 (en) | 1997-08-06 | 2001-06-26 | Nec Corporation | Optical coupling method and optical coupling device |
| WO2000002072A1 (fr) * | 1998-07-03 | 2000-01-13 | Nec Corporation | Module optique integre |
| WO2006004031A1 (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-12 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | 光機能回路 |
| KR100799659B1 (ko) * | 2004-07-02 | 2008-01-30 | 니폰덴신뎅와 가부시키가이샤 | 광기능회로 |
| CN100399079C (zh) * | 2004-07-02 | 2008-07-02 | 日本电信电话株式会社 | 光学功能回路 |
| US7580597B2 (en) | 2004-07-02 | 2009-08-25 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical functional circuit |
| JPWO2014156959A1 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-02-16 | 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 | 端面光結合型シリコン光集積回路 |
| JPWO2015170505A1 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-04-20 | 国立大学法人福井大学 | 合波器、この合波器を用いた画像投影装置及び画像投影システム |
| US10185091B2 (en) | 2014-05-09 | 2019-01-22 | National University Corporation University Of Fukui | Multiplexer, image projection apparatus using the multiplexer and image projection system |
| US10408999B2 (en) | 2014-05-09 | 2019-09-10 | National University Corporation University Of Fukui | Multiplexer |
| JP2020073981A (ja) * | 2014-05-09 | 2020-05-14 | 国立大学法人福井大学 | 合波器、この合波器を用いた画像投影装置及び画像投影システム |
| JP2021002049A (ja) * | 2014-05-09 | 2021-01-07 | 国立大学法人福井大学 | 合波器、この合波器を用いた画像投影装置及び画像投影システム |
| US11287571B2 (en) | 2014-05-09 | 2022-03-29 | National University Corporation University Of Fukui | Multiplexer |
| WO2023223432A1 (ja) * | 2022-05-17 | 2023-11-23 | 日本電信電話株式会社 | モードフィールド変換光回路 |
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