JPH10329014A - Wafer polishing device attached with heat insulating mechanism - Google Patents

Wafer polishing device attached with heat insulating mechanism

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JPH10329014A
JPH10329014A JP13545197A JP13545197A JPH10329014A JP H10329014 A JPH10329014 A JP H10329014A JP 13545197 A JP13545197 A JP 13545197A JP 13545197 A JP13545197 A JP 13545197A JP H10329014 A JPH10329014 A JP H10329014A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
polishing
casing
porous plate
porous member
Prior art date
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Pending
Application number
JP13545197A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisashi Terashita
久志 寺下
Minoru Numamoto
実 沼本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Seimitsu Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Seimitsu Co Ltd filed Critical Tokyo Seimitsu Co Ltd
Priority to JP13545197A priority Critical patent/JPH10329014A/en
Publication of JPH10329014A publication Critical patent/JPH10329014A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer polishing device attached with a heat insulating mechanism capable of measuring wafer polishing quantity without an error. SOLUTION: A porous plate 54 is fitted to a table composing a wafer retaining head 14 and a wafer 52 is fitted to the table through the porous plate 54. By providing a pump 42 for supplying cooling air to the porous plate 54 and supplying cooling air to the porous plate 54 from the pump 42, wafer working heat is prevented from being transmitted to the table from the wafer 52. Thus thermal expansion of the table can be prevented therefore wafer 52 polishing quantity can be accurately measured.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ研磨装置に
係り、特にウェーハの研磨中にウェーハの研磨量を計測
することができる断熱機構付きウェーハ研磨装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer polishing apparatus, and more particularly to a wafer polishing apparatus with a heat insulating mechanism capable of measuring a polishing amount of a wafer during polishing of the wafer.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の半導体デバイスの高密度化、多層
化に伴い、その製作過程においてウェーハを高い精度で
平坦化することが要求されている。ウェーハを平坦化す
る方法としては、ウェーハを回転する研磨定盤に押し付
け、その接触面にスラリを供給すると共に研磨量をリア
ルタイムで計測しながら研磨する方法がある。
2. Description of the Related Art With the recent increase in the density and the number of layers of semiconductor devices, it has been required to flatten wafers with high precision in the manufacturing process. As a method of flattening a wafer, there is a method in which a wafer is pressed against a rotating polishing platen, a slurry is supplied to a contact surface thereof, and polishing is performed while measuring a polishing amount in real time.

【0003】前記研磨量の計測は、ウエハ保持ヘッドに
センサを設けることにより行われている。即ち、ウエハ
保持ヘッドを、ウェーハが取り付けられるテーブルと、
このテーブルを付勢部材を介して支持するケーシングと
から構成すると共に、テーブルとケーシングとの間に前
記センサを設け、このセンサからのテーブル変動量を示
す情報に基づいてウェーハの研磨量を計測する。
The measurement of the polishing amount is performed by providing a sensor on the wafer holding head. That is, a wafer holding head, a table to which a wafer is attached,
The table includes a casing that supports the urging member, and the sensor is provided between the table and the casing, and a polishing amount of the wafer is measured based on information indicating a table variation from the sensor. .

【0004】一方、従来の研磨装置には、ウェーハの周
縁を包囲するリテーナリングをケーシングに設け、この
リテーナリングとウェーハとを回転する研磨定盤に押し
付けて、ウェーハを研磨するウェーハ研磨装置が採用さ
れている。この研磨装置によれば、研磨定盤からのウェ
ーハ縁部への応力集中を防ぐことができるので、ウェー
ハ研磨面全域を均一に研磨することができる。
On the other hand, a conventional polishing apparatus employs a wafer polishing apparatus in which a retainer ring surrounding the periphery of a wafer is provided on a casing, and the retainer ring and the wafer are pressed against a rotating polishing platen to polish the wafer. Have been. According to this polishing apparatus, stress concentration from the polishing platen to the wafer edge can be prevented, so that the entire polishing surface of the wafer can be uniformly polished.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ウェーハ研磨装置は、ウェーハの研磨中に発生した加工
熱がウェーハからテーブルに伝導してテーブルが熱膨張
してしまうので、テーブルの正確な変動量を検出するこ
とができず、ウェーハ研磨量に計測誤差がでるという欠
点がある。
However, in the conventional wafer polishing apparatus, since the processing heat generated during the polishing of the wafer is transmitted from the wafer to the table and the table thermally expands, the accurate fluctuation amount of the table is reduced. Cannot be detected, resulting in a measurement error in the wafer polishing amount.

【0006】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、ウェーハ研磨量を誤差なく計測することができ
る断熱機構付きウェーハ研磨装置を提供することを目的
とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer polishing apparatus with a heat insulating mechanism that can measure a wafer polishing amount without error.

【0007】[0007]

【課題を解決する為の手段】本発明は、前記目的を達成
するために、ウェーハが取り付けられたテーブルをケー
シングに付勢手段を介して支持すると共に、該付勢手段
の付勢力で前記ウェーハを研磨定盤に押し付けて研磨
し、該研磨中において、テーブルとケーシングとの間に
設けられたセンサからのテーブル変動量を示す情報に基
づいてウェーハの研磨量を得るようにしたウェーハ研磨
装置において、前記ウェーハを多孔質部材を介して前記
テーブルに取り付けると共に、前記多孔質部材に冷却用
流体を供給する流体供給手段を設け、該流体供給手段か
ら多孔質部材に冷却用流体を供給することにより、ウェ
ーハ研磨加工熱がウェーハからテーブルに伝導するのを
防止したことを特徴としている。
In order to achieve the above object, according to the present invention, a table on which a wafer is mounted is supported on a casing via an urging means, and the wafer is supported by the urging force of the urging means. Is pressed against a polishing platen to polish, and during the polishing, a wafer polishing apparatus that obtains a polishing amount of a wafer based on information indicating a table fluctuation amount from a sensor provided between a table and a casing. By attaching the wafer to the table via a porous member and providing a fluid supply unit for supplying a cooling fluid to the porous member, and supplying a cooling fluid to the porous member from the fluid supply unit. In addition, the present invention is characterized in that the heat of wafer polishing is prevented from conducting from the wafer to the table.

【0008】請求項1記載の発明によれば、流体供給手
段から多孔質部材に冷却用流体を供給すると、ウェーハ
研磨加工熱はウェーハからテーブルに伝導する前に断熱
されるので、テーブルの熱膨張を防止することができ
る。したがって、本発明は、ウェーハ研磨量を誤差なく
計測することができる。請求項2記載の発明は、リテー
ナリング付きウェーハ研磨装置を対象とし、リテーナリ
ングとケーシングとの間に多孔質部材を設け、この多孔
質部材に流体供給手段から冷却用流体を供給して、リテ
ーナリングからの熱がケーシングに伝導するのを阻止
し、ケーシングの熱膨張を防止したものである。したが
って、本発明は、ウェーハ研磨量を誤差なく計測するこ
とができるリテーナリング付きウェーハ研磨装置を提供
できる。
According to the first aspect of the present invention, when the cooling fluid is supplied to the porous member from the fluid supply means, the heat of the wafer polishing process is insulated before the heat is transferred from the wafer to the table. Can be prevented. Therefore, according to the present invention, the wafer polishing amount can be measured without error. The invention according to claim 2 is directed to a wafer polishing apparatus with a retainer ring, in which a porous member is provided between the retainer ring and a casing, and a cooling fluid is supplied to the porous member from fluid supply means. This prevents heat from the ring from being conducted to the casing, thereby preventing thermal expansion of the casing. Therefore, the present invention can provide a wafer polishing apparatus with a retainer ring that can measure the wafer polishing amount without error.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
る断熱機構付きウェーハ研磨装置の好ましい実施の形態
について詳説する。図1は、本発明の断熱機構付きウェ
ーハ研磨装置が適用されたウェーハ研磨装置の全体構成
図である。同図に示すように、前記ウェーハ研磨装置1
0は、研磨定盤12とウェーハ保持ヘッド14とを備え
ている。研磨定盤12は円盤状に形成されており、その
上面には研磨布16が貼付されている。また、研磨定盤
12の下部には、スピンドル18が連結され、スピンド
ル18はモータ20の図示しない出力軸に連結されてい
る。前記研磨定盤12は、前記モータ20を駆動すると
矢印A方向に回転し、その回転する研磨定盤12の研磨
布16上に図2に示すノズル22からスラリ24が供給
される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a wafer polishing apparatus with a heat insulating mechanism according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an overall configuration diagram of a wafer polishing apparatus to which a wafer polishing apparatus with a heat insulating mechanism of the present invention is applied. As shown in FIG.
Numeral 0 includes a polishing platen 12 and a wafer holding head 14. The polishing platen 12 is formed in a disk shape, and a polishing cloth 16 is attached to an upper surface thereof. In addition, a spindle 18 is connected to a lower portion of the polishing table 12, and the spindle 18 is connected to an output shaft (not shown) of a motor 20. When the motor 20 is driven, the polishing platen 12 rotates in the direction of arrow A, and a slurry 24 is supplied from a nozzle 22 shown in FIG. 2 onto the polishing cloth 16 of the rotating polishing platen 12.

【0010】図2は前記ウェーハ保持ヘッド14の縦断
面図である。同図に示すウェーハ保持ヘッド14は、ケ
ーシング26及びテーブル28等から構成される。前記
ケーシング26は下部が開放されたカップ状に形成さ
れ、その上面にはケーシング26を矢印B方向に回転さ
せる回転軸30が固着されている。また、ケーシング2
6には、エア供給路32、34が形成されており、これ
らのエア供給路32、34は前記回転軸30に形成され
たエア供給路36、38に連通されている。また、エア
供給路36、38には、バルブ40と圧縮エアを供給す
るポンプ42とが連結されている。
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the wafer holding head 14. The wafer holding head 14 shown in FIG. 1 includes a casing 26, a table 28, and the like. The casing 26 is formed in a cup shape with an open lower part, and a rotating shaft 30 for rotating the casing 26 in the direction of arrow B is fixed to the upper surface thereof. Also, casing 2
6, air supply paths 32 and 34 are formed, and these air supply paths 32 and 34 are communicated with air supply paths 36 and 38 formed on the rotating shaft 30. A valve 40 and a pump 42 for supplying compressed air are connected to the air supply paths 36 and 38.

【0011】前記テーブル28は、ケーシング26内に
収納されると共に、スプリング(付勢手段)44、44
を介してケーシング26に上下移動自在に支持されてい
る。また、テーブル28はその上面縁部が、ケーシング
26に固着された弾性部材46、46に当接支持され
て、ケーシング26に対する上方向の移動可能位置が規
制されている。また、テーブル28は、前記弾性部材4
6、46を介してケーシング26からの回転力が伝達さ
れる。
The table 28 is housed in the casing 26 and has springs (biasing means) 44,44.
And is supported by the casing 26 through the casing so as to be vertically movable. The upper edge of the table 28 is supported in contact with elastic members 46, 46 fixed to the casing 26, so that the upward movable position with respect to the casing 26 is regulated. The table 28 is provided with the elastic member 4.
The rotational force from the casing 26 is transmitted via the casings 6 and 46.

【0012】ところで、ケーシング26とテーブル28
との間には、差動変圧器式電気マイクロメータ(セン
サ)51が設けられる。この電気マイクロメータ51
は、コア48とボビン50から構成され、コア48はケ
ーシング26側に下向きに固定され、ボビン50はテー
ブル28側に上向きに固定されている。この電気マイク
ロメータ51によって、ケーシング26に対するテーブ
ル28の上下方向変動量が検出され、この検出結果に基
づいてウェーハ52の研磨量が計測される。
By the way, the casing 26 and the table 28
Between them, a differential transformer type electric micrometer (sensor) 51 is provided. This electric micrometer 51
Is composed of a core 48 and a bobbin 50. The core 48 is fixed downward on the casing 26 side, and the bobbin 50 is fixed upward on the table 28 side. The electric micrometer 51 detects a vertical fluctuation amount of the table 28 with respect to the casing 26, and measures a polishing amount of the wafer 52 based on the detection result.

【0013】前記テーブル28の下面には、多孔質板5
4が固着されている。この多孔質板54は、内部に多数
の通気路を有するものであり、例えば、セラミック材料
の焼結体よりなるものが用いられる。前記多孔質板54
には、テーブル28に形成されたエア供給路56を介し
て、ケーシング26側のエア供給路32に連通されてい
る。したがって、ポンプ42からの圧縮エアは、エア供
給路36、32、56を介して前記多孔質板54に供給
された後、多孔質板54の下面から下方に噴き出され
る。これにより、前記多孔質板54が空冷されるので、
ウェーハ52からテーブル28に伝導するウェーハ加工
熱が多孔質板54によって断熱される。また、ウェーハ
52は多孔質板54の下面から噴き出される前記エアに
よりフローティング支持されて、圧力流体層Lを介して
研磨布16に押し付けられる。したがって、ウェーハ加
工熱は、多孔質板54の他に圧力流体層Lによっても断
熱される。
On the lower surface of the table 28, a porous plate 5 is provided.
4 is fixed. The porous plate 54 has a number of air passages inside, and for example, a porous plate made of a sintered body of a ceramic material is used. The porous plate 54
Is connected to the air supply passage 32 on the casing 26 side via an air supply passage 56 formed in the table 28. Therefore, after the compressed air from the pump 42 is supplied to the porous plate 54 through the air supply passages 36, 32, and 56, the compressed air is blown downward from the lower surface of the porous plate 54. Thereby, the porous plate 54 is air-cooled,
Wafer processing heat conducted from the wafer 52 to the table 28 is insulated by the porous plate 54. Further, the wafer 52 is floatingly supported by the air blown out from the lower surface of the porous plate 54 and pressed against the polishing pad 16 via the pressure fluid layer L. Therefore, the wafer processing heat is insulated by the pressure fluid layer L in addition to the porous plate 54.

【0014】一方、前記多孔質板54には、複数のセン
サ58、58…が埋設されている。前記センサ58は、
渦電流センサ等の非接触センサであり、その検出面58
Aが多孔質板54の下面と面一に配置されている。この
センサ58は、半導体ウェーハ52の上面との距離を測
定することにより、圧力流体層Lの層厚の変動量を検出
する。
On the other hand, a plurality of sensors 58 are embedded in the porous plate 54. The sensor 58 includes:
It is a non-contact sensor such as an eddy current sensor, and its detection surface 58
A is arranged flush with the lower surface of the porous plate 54. The sensor 58 detects the amount of change in the thickness of the pressure fluid layer L by measuring the distance from the upper surface of the semiconductor wafer 52.

【0015】ウェーハ52の研磨量を計測するCPU
(図示せず)は、前述した電気マイクロメータ51で検
出されたテーブル28の変動量から、センサ58で検出
された圧力流体層Lの層厚の変動量を加算することでウ
ェーハ52の研磨量を算出する。即ち、CPUは、電気
マイクロメータ51で検出された変動量がT1で、セン
サ58で検出された変動量がT2であると、その時のウ
ェーハ52の研磨量はT1+T2で算出する。また、電
気マイクロメータ51からの変動量がT1で、センサ5
8からの変動量がOであると、その時のウェーハ52は
研磨量はT1と算出する。更に、電気マイクロメータ5
1からの変動量がT1で、センサ58からの変動量が−
T2であると、その時のウェーハ52の研磨量はT1−
T2で算出する。
CPU for measuring the amount of polishing of wafer 52
(Not shown) is the polishing amount of the wafer 52 by adding the fluctuation amount of the pressure fluid layer L detected by the sensor 58 to the fluctuation amount of the table 28 detected by the electric micrometer 51 described above. Is calculated. That is, if the variation detected by the electric micrometer 51 is T1 and the variation detected by the sensor 58 is T2, the CPU calculates the polishing amount of the wafer 52 at that time by T1 + T2. The variation from the electric micrometer 51 is T1, and the sensor 5
If the amount of change from 8 is O, the polishing amount of the wafer 52 at that time is calculated as T1. Further, the electric micrometer 5
The variation from T1 is T1, and the variation from sensor 58 is-
If it is T2, the polishing amount of the wafer 52 at that time is T1-
It is calculated by T2.

【0016】ところで、前記ケーシング26の下面に
は、リング状に形成されたリテーナリング60が、同じ
くリング状に形成された多孔質板62を介して固着され
ている。前記リテーナリング60は、ウェーハ52の周
縁を包囲しウェーハ52と共に研磨布16に押し付けら
れるものであり、本実施の形態では金属よりも熱膨張係
数の小さいセラミックが使用されている。また、リテー
ナリング60の研磨布16との接触面60Aは、ダイヤ
モンドコーティングされて耐久性が向上されている。
On the lower surface of the casing 26, a ring-shaped retainer ring 60 is fixed via a porous plate 62 also formed in a ring shape. The retainer ring 60 surrounds the periphery of the wafer 52 and is pressed against the polishing pad 16 together with the wafer 52. In the present embodiment, ceramic having a smaller coefficient of thermal expansion than metal is used. The contact surface 60A of the retainer ring 60 with the polishing pad 16 is coated with diamond to improve durability.

【0017】前記多孔質板62は、テーブル28に設け
た多孔質板54と同様に、内部に多数の通気路を有する
もので、例えばセラミック材料の焼結体よりなるものが
用いられている。前記多孔質板62には、ケーシング2
6に形成されたエア供給路34が連通されている。した
がって、ポンプ42からの圧縮エアは、エア供給路3
8、34を介して前記多孔質板62に供給された後、多
孔質板62の周面から外部に噴き出される。これによ
り、多孔質板62は前記圧縮エアによって空冷されるの
で、ウェーハ52の研磨中に発生したリテーナリング6
2の加工熱は、多孔質板62によって断熱されて、ケー
シング26側に伝導しない。
The porous plate 62, like the porous plate 54 provided on the table 28, has a large number of ventilation paths inside, and is made of, for example, a sintered body of a ceramic material. The casing 2 is provided on the porous plate 62.
The air supply path 34 formed in 6 is connected. Therefore, the compressed air from the pump 42 is supplied to the air supply path 3
After being supplied to the porous plate 62 via 8, 34, it is blown out from the peripheral surface of the porous plate 62 to the outside. As a result, the porous plate 62 is air-cooled by the compressed air, so that the retainer ring 6 generated during polishing of the wafer 52 is formed.
The processing heat of No. 2 is insulated by the porous plate 62 and does not conduct to the casing 26 side.

【0018】次に、前記の如く構成されたウェーハ研磨
装置10のウェーハ保持ヘッド14の作用について説明
する。まず、図2において、ウェーハ保持ヘッド14を
回転軸30の回転力で回転させると共に、バルブ40を
開放してポンプ42を駆動し、ポンプ42からの圧縮エ
アを多孔質板54、62に供給する。多孔質板54に供
給された圧縮エアは、多孔質板54を通過中に多孔質板
54を冷却し、そして、多孔質板54の下面から下方に
噴き出される。そして、ウェーハ52は、多孔質板54
から噴き出された前記エアによって圧力流体層Lを介し
て研磨布16に押し付けられて研磨される。
Next, the operation of the wafer holding head 14 of the wafer polishing apparatus 10 configured as described above will be described. First, in FIG. 2, the wafer holding head 14 is rotated by the rotational force of the rotating shaft 30, the valve 40 is opened to drive the pump 42, and the compressed air from the pump 42 is supplied to the porous plates 54 and 62. . The compressed air supplied to the porous plate 54 cools the porous plate 54 while passing through the porous plate 54, and is blown downward from the lower surface of the porous plate 54. Then, the wafer 52 is placed on the porous plate 54.
Is pressed against the polishing pad 16 via the pressurized fluid layer L by the air blown out from the polishing pad and polished.

【0019】これにより、ウェーハ加工熱は、圧力流体
層Lと多孔質板54とによって断熱されるので、テーブ
ル28がウェーハ加工熱で熱膨張するのを阻止すること
ができる。したがって、本実施の形態では、電気マイク
ロメータ51とセンサ58、58…とによるウェーハ研
磨量計測を正確に実施することができる。一方、ポンプ
42からの圧縮エアは、リテーナリング60側の多孔質
板62にも供給されているので、リテーナリング60か
らの熱はケーシング26に伝導されない。したがって、
本実施の形態は、ケーシング26がリテーナリングから
の熱で熱膨張するのを阻止することができるので、電気
マイクロメータ51とセンサ58、58…とによるウェ
ーハ研磨量計測を更に正確に実施することができる。
As a result, the wafer processing heat is insulated by the pressure fluid layer L and the porous plate 54, so that the table 28 can be prevented from being thermally expanded by the wafer processing heat. Therefore, in the present embodiment, it is possible to accurately measure the wafer polishing amount by the electric micrometer 51 and the sensors 58, 58,. On the other hand, since the compressed air from the pump 42 is also supplied to the porous plate 62 on the retainer ring 60 side, heat from the retainer ring 60 is not conducted to the casing 26. Therefore,
In this embodiment, since the casing 26 can be prevented from thermally expanding due to the heat from the retainer ring, the measurement of the amount of polished wafer by the electric micrometer 51 and the sensors 58, 58,. Can be.

【0020】本実施の形態では、リテーナリング60付
きウェーハ保持ヘッド14について説明したが、これに
限られるものではなく、リテーナリング60がなく、ウ
ェーハ52をテーブルに吸着固定するタイプのウェーハ
保持ヘッドにも適用することができる。このタイプで
は、リテーナリング60がないので、リテーナリング6
0を空冷するための多孔質板62は不要である。
In the present embodiment, the wafer holding head 14 with the retainer ring 60 has been described. However, the present invention is not limited to this. For a wafer holding head without the retainer ring 60 and for adsorbing and fixing the wafer 52 to a table. Can also be applied. In this type, since there is no retainer ring 60, the retainer ring 6
The porous plate 62 for air-cooling 0 is unnecessary.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明したように本発明に係る断熱機
構付きウェーハ研磨装置によれば、ウェーハを多孔質部
材を介してテーブルに取り付け、この多孔質部材に流体
供給手段から冷却用流体を供給することにより、加工熱
によるテーブルの熱膨張を防止したので、ウェーハ研磨
量を誤差なく計測することができる。
As described above, according to the wafer polishing apparatus with the heat insulating mechanism according to the present invention, the wafer is mounted on the table via the porous member, and the cooling fluid is supplied to the porous member from the fluid supply means. By doing so, thermal expansion of the table due to processing heat is prevented, so that the wafer polishing amount can be measured without error.

【0022】また、本発明は、リテーナリングとケーシ
ングとの間に多孔質部材を設け、この多孔質部材に流体
供給手段から冷却用流体を供給することにより、リテー
ナリングからの熱によるケーシングの熱膨張を防止した
ので、ウェーハ研磨量を誤差なく計測することができる
リテーナリング付きウェーハ研磨装置を提供できる。
Further, according to the present invention, a porous member is provided between the retainer ring and the casing, and a cooling fluid is supplied from the fluid supply means to the porous member. Since the expansion is prevented, it is possible to provide a wafer polishing apparatus with a retainer ring capable of measuring a wafer polishing amount without error.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施の形態の断熱機構付きウェーハ研磨装置
の全体構造図
FIG. 1 is an overall structural diagram of a wafer polishing apparatus with a heat insulating mechanism according to the present embodiment.

【図2】図1に示したウェーハ研磨装置のウェーハ保持
ヘッドの縦断面図
FIG. 2 is a longitudinal sectional view of a wafer holding head of the wafer polishing apparatus shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…ウェーハ研磨装置 12…研磨定盤 14…ウェーハ保持ヘッド 16…研磨布 26…ケーシング 28…テーブル 51…電気マイクロメータ 52…ウェーハ 54、62…多孔質板 58…渦電流センサ 60…リテーナリング DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wafer polishing apparatus 12 ... Polishing surface plate 14 ... Wafer holding head 16 ... Polishing cloth 26 ... Casing 28 ... Table 51 ... Electric micrometer 52 ... Wafer 54, 62 ... Porous plate 58 ... Eddy current sensor 60 ... Retaining ring

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ウェーハが取り付けられたテーブルをケー
シングに付勢手段を介して支持すると共に、該付勢手段
の付勢力で前記ウェーハを研磨定盤に押し付けて研磨
し、該研磨中において、テーブルとケーシングとの間に
設けられたセンサからのテーブル変動量を示す情報に基
づいてウェーハの研磨量を得るようにしたウェーハ研磨
装置において、 前記ウェーハを多孔質部材を介して前記テーブルに取り
付けると共に、前記多孔質部材に冷却用流体を供給する
流体供給手段を設け、該流体供給手段から多孔質部材に
冷却用流体を供給することにより、ウェーハ研磨加工熱
がウェーハからテーブルに伝導するのを防止したことを
特徴とする断熱機構付きウェーハ研磨装置。
A table on which a wafer is mounted is supported by a casing via an urging means, and the wafer is pressed against a polishing platen by the urging force of the urging means to polish the table. And a wafer polishing apparatus that obtains a polishing amount of a wafer based on information indicating a table fluctuation amount from a sensor provided between the casing and the wafer, attaching the wafer to the table via a porous member, Fluid supply means for supplying a cooling fluid to the porous member is provided, and by supplying a cooling fluid to the porous member from the fluid supply means, wafer polishing heat is prevented from being conducted from the wafer to the table. A wafer polishing apparatus provided with a heat insulating mechanism.
【請求項2】前記ケーシングには、前記ウェーハの周縁
を包囲するリテーナリングが多孔質部材を介して設けら
れると共に、該多孔質部材に冷却用流体を供給する流体
供給手段が設けられ、該流体供給手段から多孔質部材に
冷却用流体を供給することにより、リテーナリングから
の熱がケーシングに伝導するのを防止したことを特徴と
する請求項1記載の断熱機構付きウェーハ研磨装置。
2. A casing, wherein a retainer ring surrounding the periphery of the wafer is provided through a porous member, and fluid supply means for supplying a cooling fluid to the porous member is provided. 2. The wafer polishing apparatus with a heat insulating mechanism according to claim 1, wherein heat from the retainer ring is prevented from being conducted to the casing by supplying a cooling fluid from the supply means to the porous member.
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