JPH10321952A

JPH10321952A - 表面放射半導体レーザ

Info

Publication number: JPH10321952A
Application number: JP10092114A
Authority: JP
Inventors: Francois Brillouet; フランソワ・ブリユエ; Joel Jacquet; ジヨエル・ジヤケ; Paul Salet; ポール・サレ; Leon Goldstein; レオン・ゴールドスタイン; Patrick Garabedian; パトリツク・ガラベデイアン; Christophe Starck; クリストフ・スタルク; Julien Boucart; ジユリアン・ブカール
Original assignee: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite
Current assignee: Alcatel Lucent SAS
Priority date: 1997-04-03
Filing date: 1998-04-03
Publication date: 1998-12-04
Also published as: US6052398A; FR2761822A1; EP0869593A1; FR2761822B1; AU738427B2; CA2232585A1; AU5968398A

Abstract

(57)【要約】【課題】所望される特性を有し、光ファイバ通信網内
で使用することができ、経済的に製造できる表面放射半
導体レーザを提供する。【解決手段】このレーザの二つの半導体層は、このレ
ーザのポンピングを行う電流を、Ｎ型ドーピング半導体
ブラッグミラー（２０）から、光増幅構造（１２、１
４、１６）に属するＰ型ドーピング注入層（１６）に流
すことができるトンネル接合を形成する。このブラッグ
ミラーは、同じドーピングを有する同じ型の別のミラー
（１８）と協働して、この構造をこのレーザのオプティ
カルキャビティ内に含む。変形形態では、前記ポンピン
グ電流用の閉じ込め手段が構成されるように、トンネル
接合を埋め込み、位置を決めることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面放射型半導体
レーザ、すなわち英語の「Vertical Cavity Surface Em
itting Laser」によりＶＣＳＥＬと呼ばれる型の半導体
レーザに関する。本発明により、このようなレーザのオ
プティカルキャビティを構成する上で所望される複数の
特性を同時に有するミラーの作成が可能である。本発明
は、これらのレーザにより放射されるべき光が、光ファ
イバ通信システムにおいて通常使われるスペクトル帯の
うちの一つに位置するように８５０ｎｍ、９８０ｎｍ、
１３００ｎｍ、または１５５０ｎｍに近い波長をもたな
ければならない場合にとくに適用される。

【０００２】

【従来の技術】知られているように、この光は、ポンピ
ング電流が通過する光増幅構造の活性層により発生し、
この構造は、ＩＩＩ−Ｖ族二元組成半導体材料、すなわ
ちヒ化ガリウムＡｓＧａ、またはリン化インジウムＩｎ
Ｐから成る単結晶チップ内に含まれる。このようなチッ
プはエピタキシャル付着すなわち堆積により、基板から
層を重ねていくことにより製造される。以下の説明では
慣習に従い、この基板がチップの下部を構成するものと
みなす。この基板は通常、Ｎ型ドーピングを有すること
が有利であり、増幅構造の層のドーピングは必然的にＮ
ＩＰの順序を形成することから、チップの上層は通常、
Ｐ型ドーピングを有する。

【０００３】レーザのオプティカルキャビティは、チッ
プの下面上に形成される下側ミラーおよび上面上に形成
される上側ミラーで構成される。本発明の種々の実施形
態の範囲内で採用される既知の構成によれば、上側ミラ
ーを通して増幅構造にポンピング電流を供給する。する
と、放射すべき光はこのキャビティから出て下側ミラー
を通過する。上側ミラーがチップの水平表面の一部分し
か占有せず、上側ミラーと増幅構造との間にわずかな距
離しかない典型的な場合、この既知の構成は、この構造
の表面の二つのゾーン、たとえば、ポンピング電流が通
過するゾーンと、オプティカルキャビティ内に含まれる
ゾーンとの間に必要な一致を確保することができるとい
う長所を有する。しかしながら、この電流が上側ミラー
を通過する場合、上側ミラーの作製に関して問題が生じ
る。この問題は、このミラーが、キャビティ内で光振動
の増加が行えるようにするために、好ましくは少なくと
も９９．５％に等しいきわめて高い反射率と、単位表面
積あたりの抵抗を勘案して好ましくは１０^-4Ω／ｃｍ²
未満、いずれにせよ、ジュール効果による不都合な損失
および加熱を引き起こすことなくたとえば１０ｋＡｃｍ
^-2のポンピング電流を流すことができるように十分に低
い電気抵抗とを同時に有さなければならないことによ
る。

【０００４】既知の第一表面放射半導体レーザでは、金
属ミラーを使用することにより十分に低い電気抵抗を得
る。しかし、その場合の反射率は最大でもおよそ９７％
であり、これは一般的には不十分である。

【０００５】その理由から、既知の第二表面放射半導体
レーザではドープされた半導体ブラッグミラーが使用さ
れる。このようなミラーは、互い違いになった屈折率を
有する層の積み重ねにより形成される。チップの格子と
結晶格子とを一致させるために、リン化インジウムチッ
プの場合、これらの層は通常、一方はヒ化およびリン化
インジウム・ガリウム、他方はリン化インジウムで構成
される。同じ理由から、ヒ化ガリウムチップの場合、こ
れらの層は通常、一方はヒ化アルミニウムおよびガリウ
ム、他方はヒ化ガリウムで構成される。これらの層は、
所望の低い電気抵抗を得ることができるドープを受ける
ことができる。

【０００６】この既知の第二レーザは、Ｄ．Ｂａｂｉｃ
らの論文「Transverse mode and polarisation charact
eristics of double-fused 1.52μm vertical-cavity l
aser」、IPRM95、７７３−７７６ページに記述されてい
る。このレーザの二つのミラーは半導体ブラッグミラー
である。ポンピング電流が通過できるようにするため
に、増幅構造のＮ側に位置する下側ミラーがＮ型ドーピ
ングされ、増幅構造のＰ側に位置する上側ミラーがＰ型
ドーピングされる。このレーザでは、チップは、１５２
０μｍの波長の光を供給することができるように、リン
化インジウムを主成分とする。ミラーは、その制限され
た厚さによる光の吸収を制限するために、ヒ化ガリウム
を主成分とする。このようなレーザの製造時には、この
ようなミラーはそれぞれ、面、たとえば比較的厚いリン
化インジウムを主成分とする基板の上面に配設しなけれ
ばならない。そのために、このミラーはまず、比較的厚
いヒ化ガリウム基板上へのエピタキシャル付着により製
造される。次にミラーは、熱融解により、リン化インジ
ウムのベースプレートに組み付けられる。基板はベース
プレートを力学的に補強するので、このベースプレート
の反対面、たとえば下面は、ベースプレートを薄くする
ためにエッチングすることができる。次に、同じ種類の
第二の作業を行うことにより、第二ミラーを付着し適当
な長さのオプティカルキャビティを形成することができ
る。この長さは垂直方向、すなわちベースプレートの厚
さ方向に測定する。またこの件については、「Photon.
Techn. lett.」、第７巻、１２２５ページ、１９９５の
Ｄ．Ｉ．Ｂａｂｉｃ、Ｋ．Ｓｔｒｅｕｂｅｌ、Ｒ．Ｐ．
Ｍｉｒｉｎ、Ｎ．Ｍ．Ｍａｒｇａｌｉｔ、Ｅ．Ｌ．Ｈ
ｕ、Ｄ．Ｅ．Ｍａｒｓ、Ｌ．Ｙａｎｇ、およびＫ．Ｃａ
ｒｅｙの論文を参照することができる。

【０００７】文献ＥＰ０７０９９３９Ａ（ヒューレット
パッカード社）は、既知の第三表面放射半導体レーザに
ついて記述している。このレーザは、同じ種類のレーザ
マトリックス内に含まれる。このレーザに関して本文献
がねらいとする目的は、Ｎ型基板（基板にＰ型伝導性を
付与するためにこの基板に含まれるであろう亜鉛の有害
な拡散を防ぐ目的から、マトリックスの基板）上に形成
されつつ、光増幅半導体構造のＮ型ドーピング側でレー
ザが制御される（制御を簡単にするための「Ｎドライ
ブ」）ことである。この増幅構造はＮＩＰ構造、すなわ
ちこの構造の両側のドーピングは反対の種類のものであ
るが、チップ内に形成され、この構造とこの基板との間
に電気的に直列に配置されたトンネル接合により、目的
は達成される。この接合は逆方向にバイアスされている
が、この接合を構成する二つの層は十分なドーピング濃
度を受けることから、トンネル効果によりポンピング電
流を送出することができる。増幅構造のＮドープ側およ
びＰドープ側に位置するミラーはそれぞれ、ドープ型Ｎ
およびＰを有するブラッグミラーである。トンネル接合
は、Ｐ型ドーピングミラーと基板との間に形成される。

【０００８】これら既知の第二および第三レーザはとく
に、このミラーの反射率が所望する値よりも低く上側ミ
ラーを構成する半導体材料がこのレーザからの光を吸収
する、という欠点を有する。

【０００９】この欠点は、この光に対し、Ｐドープ二元
半導体材料がＮドープ材料の吸収率よりも高い吸収率を
有することによるものである。この吸収率は、光の波長
の増加と共に増加する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の全体的な目的
は、このようなレーザについて所望される特性を有する
表面放射半導体レーザを経済的に製造できるようにする
ことである。本発明はとくに、これらのレーザの上側ミ
ラーに高い反射率と低い電気抵抗の双方を付与し、とく
にリン化インジウムに関わる波長で光放射を行うことを
より詳細な目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】この目的のため、本発明
は、オプティカルキャビティと、このキャビティ内に位
置し、レーザのポンピング電流の方向を規定する光増幅
構造とを含む表面放射半導体レーザであって、前記オプ
ティカルキャビティが、このレーザに属し同じ伝導性を
有する二つの両端の半導体層の間に電気的に直列に設置
され、トンネル接合を構成するこのレーザの二つの半導
体層が、このキャビティ内に光学的に直列に設置され、
前記ポンピング電流が前記増幅構造内およびこの接合内
をこの接合とは逆方向に直列に通過できるようにするこ
とを特徴とする表面放射半導体レーザを対象とする。

【００１２】現在知られている技術の状況として、光の
吸収に関して上述した指摘は、これらのミラーの双方
が、半導体層で構成されるブラッグミラーである時に
は、表面放射レーザのミラーのドープはＮ型であること
が好ましいことを示している。この場合、本発明の対象
となる構成を用いて、二つのＮ型ドーピングミラーによ
りこのようなレーザのオプティカルキャビティを構成す
ることができるようにすることにより、前記に示したよ
り詳細な目的を達成することができる。ただし、技術発
展により二つのＰ型ドーピングミラーによりこのような
レーザのオプティカルキャビティを構成する方が有利と
なる場合にも、同じ構成により、このようなレーザの作
製時にこの長所を得ることができることに留意された
い。以下に記述する表面放射レーザの半導体層のドープ
の種類は、このレーザのミラーのドープがＮ型である場
合に適合するものである。

【００１３】また、Ｎ型ドーピング半導体基板が誘電層
ミラーを支承して、この基板上に形成された表面放射レ
ーザの下側ミラーを形成する場合には、本発明により、
Ｎ型ドーピング半導体層ミラーの形態のこのレーザの上
側ミラーを作製し、その結果、この種のドープに関する
電気特性および光学特性から生じる長所を得ることがで
きる。

【００１４】この場合も、このようなレーザのオプティ
カルキャビティの二つのミラーが半導体層で構成される
場合と同様、本発明により設けられるトンネル接合は、
このレーザの光増幅構造のどちら側にあってもよいこと
ことに留意されたい。

【００１５】以下、単に例として示す添付の略図を用い
て、本発明の五つの実施形態について記述する。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１に示す第一レーザのチップ
は、例として示した他のレーザのチップと同様、基本的
に単結晶半導体アセンブリで構成される。このアセンブ
リは、基板上に連続的に付着を行うことにより作製され
たものである。基板は、軸Ａとこの軸に対し直角な面内
に延びる領域とを有する。この軸およびこの領域は同時
にこのチップの軸および領域を構成する。この領域は、
軸Ａの近傍の中央ゾーンＺＣと、この中央ゾーンの周囲
の周辺ゾーンＺＰとを含む。このチップはその厚さに沿
って、軸Ａに平行な垂直方向ＤＶを規定する。

【００１７】より詳細には、この第一レーザのチップ２
は下面４および上面６を有し、相互に重なった層を含
む。別に指示がない限りこれらの層はリン化インジウム
で構成される。これらの層は下面から上面に向かって以
下のようになっている。

【００１８】− 基板８。この基板は、このチップを単
体で、あるいは、通常は複数のチップを含むプレートと
して取り扱うことができるような機械的強度を基板に付
与する厚さを有する。

【００１９】− 下側ミラー１８。このミラーは、Ｎ型
ドーピングを有する半導体ブラッグミラーである。この
ミラーは、この基板と連続した基板８の上面４の上側に
形成される。このミラーは、中央ゾーンＺＣおよび周辺
ゾーンＺＰの二つのゾーンのアセンブリ上に展開する。
このミラーは、それぞれがリン化インジウム層とリン化
およびヒ化インジウム・ガリウム層とから成る４０から
５０対の層で構成される。これらの層はｎＨ＝３．４お
よびｎＬ＝３．１７の屈折率を交互に有し、また、たと
えば１５２０ｎｍであるレーザ光の波長の四分の一に等
しい光学厚さを有する。このミラーの全厚は１０μｍ程
度である。ドーピングの濃度はたとえば２×１０¹⁸ｃｍ
^-3である。このミラー１８を誘電層で構成することも可
能であろう。

【００２０】− Ｎ型ドーピング第一注入層１２。この
層は１μｍの厚さと５×１０¹⁷ｃｍ^-3から２×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3のドーピング濃度を有する。

【００２１】− 反対の種類の電荷キャリアの再結合に
より光を増幅することができる複合活性層１４。この層
は通常、圧縮応力を受けた５個から８個の量子井戸を含
む。これらの井戸およびそれらを分離する障壁は通常、
ヒ化およびリン化されたインジウムおよびガリウムで構
成され、組成の比率が異なる。むくの材料でこの層を構
成することもできる。この層の厚さは通常、約１００か
ら４００ｎｍの間である。

【００２２】− Ｐ型ドーピング第二注入層１６。この
層は１μｍの厚さと５×１０¹⁷ｃｍ^-3から２×１０¹⁸ｃ
ｍ^-3のドーピング濃度を有する。この第一注入層と第二
注入層との間をレーザのポンピング電流が通過すること
により、前記の反対の種類の電荷キャリアが活性層内に
注入される。これらの注入層およびこの活性層は光増幅
構造を構成する。

【００２３】− 上側ミラー２０。このミラーもＮ型ド
ーピングを有する半導体ブラッグミラーで構成され、た
とえばミラー１８と同一である。このミラーは、チップ
２と連続するチップの上面６上に形成される。このミラ
ーは中央ゾーンＺＣ内にのみに展開する。このミラーは
下側ミラーとともに、レーザのオプティカルキャビティ
を構成する。このキャビティは軸Ａに沿って延びる。そ
の長さ、すなわち上下二つのミラー間の距離は４μｍな
ど適当な値を有する。

【００２４】上側ミラー２０の下部は、第二注入層１６
からこの層に連続して、垂直方向ＤＶに重なった − Ｐ型ドーピングを有する層２４と、 − Ｎ型ドーピングを有する層２６とを含む。

【００２５】これら二つの層は、レーザのポンピング電
流によりこの電流の通過に対抗しようとする反対方向の
電気的バイアスを受ける半導体接合を構成する。しかし
ながらこれらの層は高いドーピング濃度、とくに第二注
入層１６および上側ミラー２０のそれよりも高いドーピ
ング濃度を有する。より正確には、これらの濃度は十分
に高いため、トンネル効果により、この接合は問題とな
るような電圧低下を引き起こすことなく上側ミラーから
第二注入層にポンピング電流を流すことができる。この
ような接合が「トンネル接合」と呼ばれるのはこのため
であり、以後、層２４および２６をそれぞれ「第一トン
ネル接合層」、「第二トンネル接合層」と呼ぶことにす
る。

【００２６】トンネル接合を構成するために、ドーピン
グ濃度がかなり高い場合、ドープされた材料内に光が強
く吸収されることが知られている。本発明の範囲内で
は、このようにしてドープされた半導体材料を通過する
光について、出力が大きく低下することはありえたが、
電流の導通を損なわずに、トンネル接合層の厚さをかな
り小さな値に制限することが可能であったことから、光
の実質吸収は十分に低く、従って、レーザのオプティカ
ルキャビティ内に適当な光発振が発生する際の妨害はほ
とんどなかった。

【００２７】より正確には、各トンネル接合層２４およ
び２６は、１０から３００ｎｍの間、とくにおよそ１５
から５０ｎｍの間の厚さを有することが好ましい。ま
た、トンネル接合層２４は、リン化およびヒ化インジウ
ム・ガリウムで構成され、少なくとも３×１０¹⁹ｃｍ^-3
に等しくたとえば８×１０¹⁹ｃｍ^-3のドーピング濃度を
有することが好ましい。同じく、上側接合層２６は、１
０¹⁸ｃｍ^-3より高いＮ型ドーピング濃度、たとえばおよ
そ３×１０¹⁸ｃｍ^-3を有することが好ましい。

【００２８】例として示した第一レーザはさらに、 − 基板８上に形成された下側電極２２と、 − 上側ミラー２０上に形成され、下側電極２２と協働
してレーザのポンピング電流がチップ２を通過できるよ
うにする上側電極２３とを含む。

【００２９】下側電極２２は、中央ゾーンＺＣを除く周
辺ゾーンＺＰ内の基板８上に形成され、その結果、この
レーザの光Ｌはチップ２から、下面４を通過し、この中
央ゾーン内に出ることができる。前記の層のうちで、こ
の下面と活性層１４との間にある層は、前記の層のうち
で、この活性層と上面６の間にある層の厚さおよび電導
率による水平方向伝導率よりも大きい伝導率をこれら層
に付与する厚さおよび電導率を有する。これら二つの水
平方向伝導率の比は十分に大きな値であることから、活
性層１４を通過するポンピング電流は、光増幅構造用の
活性ゾーンを構成する中央ゾーンＺＣ内に集中される。
さらにこの配置により、この電流が活性層を通過する際
の電流の水平方向の分布が良好に均一に保たれる。この
分布は、下側ミラーが誘電層型であって中央ゾーン内に
のみ形成され、従って、下側電極が周辺ゾーン内のチッ
プの下面上に直接形成されると仮定した場合でもほぼ同
じである。

【００３０】実際の、多数の半導体チップを含む基板の
実施では、ＺＣなどの中央ゾーンは５〜２０μｍの直径
を有し、ＺＰなどの周辺ゾーンはおよそ０．２５ｍｍの
直径を有していた。レーザの動作を可能にするためレー
ザの端子において必要な電圧はおよそ３Ｖである。

【００３１】前に記述したレーザでは、Ｎ型の上側ミラ
ーは、リン化インジウムチップと同じ結晶格子を有する
材料で構成されていた。ただし、このミラーを、ヒ化ガ
リウムＧａＡｓとヒ化ガリウム・アルミニウムＧａＡｌ
Ａｓとを交互に配した層で構成することが可能であり、
これらの層は同じくＮ型であるが、リン化インジウムチ
ップとは結晶格子が異なる。このようなミラーとこのよ
うなチップとの間の結合は、世界的に「ウェハ・ヒュー
ジョン」と呼ばれている方法による融解結合により行う
ことができる。この結合は、エピタキシャル付着を行う
のに知られている方法と同様の方法により、構成層を付
着させてこのミラーを形成することにより行うこともで
きる。この付着方法により、「変成」と呼ぶことができ
る層が形成される。

【００３２】すると、上側ミラーを構成する二つのヒ化
ガリウム層の間、またはリン化インジウムの結晶格子を
有する四元組成層と上側ミラーの第１のヒ化ガリウム層
との間の界面に、トンネル接合を作製することができ
る。

【００３３】しかしながら、変成層の場合の好ましい解
決方法は、リン化インジウムの結晶格子を有する二つの
四元組成層間にこの接合を作製することであろう。

【００３４】次に図２を参照して、本発明により作製さ
れる第二レーザについて記述する。まず、一般にこの第
二レーザは、この発明による記載された第一レーザと同
様、チップ１０２を構成し、このチップの領域ＺＰ、Ｚ
Ｃ内に相互に重ねられた一連の半導体層を含む。この一
連の半導体層の第一部分は、ポンピング電流を構成し前
記領域の活性ゾーン内のこの一連の層を横断する単方向
電流に応答してこのレーザの内部光を増幅することがで
きる光増幅構造１１２、１１４、１１６を構成する。こ
の一連の層の第二部分は、トンネル接合の逆方向にこの
ポンピング電流を通すことができるトンネル接合を構成
することができる十分なドーピング濃度を有する層を含
む。この第一レーザと比較した場合のこの第二レーザの
特徴は、トンネル接合を構成することができる十分なド
ーピング濃度を有する前記層が、このポンピング電流が
一連の層の前記第二部分を通過する時、電流閉じ込めゾ
ーンＺＣ内に前記ポンピング電流を閉じ込めるように、
チップの前記領域の一部分で構成されるこのゾーンのみ
を占有する埋込層１２４、１２６であり、この電流閉じ
込めゾーンは、ポンピング電流が前記光増幅構造を通過
する時、前記活性ゾーン内に集中されるようになってい
ることである。

【００３５】従ってこの第二レーザでは、トンネル接合
により、必要であれば、ポンピング電流の上側ミラー１
２０の通過を容易にすることができるばかりでなく、増
幅構造１１２、１１４、１１６の近傍にこの電流の閉じ
込め手段を構成することもでき、このために上側ミラー
をエッチングする必要がない。従ってこれにより、チッ
プを平面形状で作製することができる。同時に、これに
よりチップの電気抵抗を軽減させることができる。なぜ
なら、エッチングされていない上側ミラーがもたらす接
続抵抗は、エッチングされているミラーがもたらすであ
ろう接続抵抗よりも小さいからである。

【００３６】閉じ込め手段は、既知の第四表面放射半導
体レーザでポンピング電流用としてすでに使われた。こ
の既知の第四レーザでは、ポンピング電流は、上側ミラ
ーの周囲の周辺ゾーン内に位置する上側電極からチップ
内に投入され、次に、この電流が中央の活性ゾーン側に
向けられる。電流は、このチップ内に含まれ軸の近傍に
窓を穿口された阻止層により、このゾーン内に閉じ込め
ることができ、従ってこの窓は電流閉じ込めゾーンを構
成する。

【００３７】この既知の第四レーザと比較して、本発明
による第二レーザはとくに、トンネル接合を使用して構
成される電流閉じ込め手段の特定の利点により同時に、
同種の電導性を有する前記の両端の半導体層間にポンピ
ング電流を流すことができる。次に、本発明によるこの
第二レーザについてより詳細に記述することにする。

【００３８】図２によれば、このレーザのチップ１０２
は、このチップの前記領域を占有する下面１０４および
上面１０６を有する。チップは、この下面から上面に向
かう上昇方向ＤＶと、この上昇方向に対向する下降方向
ＤＷとを構成する二つの垂直方向を規定する。このチッ
プの前記半導体層は、前記二つの垂直方向のうちの第一
方向で以下の順序に従い、複合構造内において相互に連
続する複合構造を構成し、 − 第一のＮ型ドーピングを有し、チップの前記領域を
占有する第一注入層１１２、 − 反対の種類の電荷キャリアの再結合により光を増幅
することができ、チップの前記領域を占有する活性層１
１４、 − 前記第一の型とは反対の第二のＰ型ドーピングを有
し、チップの前記領域を占有する第二注入層１１６、この第一注入層と、活性層と、この第二注入層は前記光
増幅構造を構成する。

【００３９】後述する第二、第三、および第四レーザで
は、前記第一垂直方向は上昇方向である。

【００４０】本発明によれば、次に複合構造は、 − 前記第二のＰ型ドーピングおよび高いドーピング濃
度を有し、前記電流閉じ込め層ゾーンのみを占有する第
一トンネル接合層１２４と、 − 前記第一型ドーピングおよび高いドーピング濃度を
有し、前記電流閉じ込め層ゾーンのみを占有する第二ト
ンネル接合層１２６と、 − 前記第一型ドーピングを有し、チップの前記領域を
占有する接続層１２８とを含む。この接続層は、前記電
流閉じ込めゾーン内の前記第二トンネル接合層を覆うも
のである。一方、前記電流閉じ込めゾーンの外側のチッ
プの前記領域の部分内では、この接続層は前記第二注入
層を覆う。前記の高いドーピング濃度は、第一および第
二注入層および接続層のドーピング濃度よりも高い。前
記の高いドーピング濃度は、前記二つのトンネル接合層
のアセンブリが前記トンネル接合を構成することができ
るに足る前記ドーピング濃度を構成する。第二注入層お
よび接続層のドーピング濃度は、前記電流閉じ込めゾー
ンの外側でこれら二つの層がポンピング電流を阻止する
接合となるような濃度である。

【００４１】例として示したレーザはさらに、 − 前記複合構造の下側に形成された下側電極１２２
と、 − 前記複合構造の下側に形成された下側ミラー１１８
と、 − 前記複合構造の上側に形成され、前記下側ミラーと
協働してこのレーザのオプティカルキャビティを形成す
る上側ミラー１２０と、 − 前記複合構造の上側に形成され、前記下側電極１２
２と協働して前記ポンピング電流が前記チップ１０２を
通過できるようにする上側電極１２３とを含む。

【００４２】前記第一および第二トンネル接合層１２４
および１２６は、それぞれ、前記第二注入層１１６およ
び前記接続層１２８の屈折率よりもそれぞれ高い屈折率
を有する材料で構成されることが好ましい。そうするこ
とにより、このレーザの光発振により前記増幅構造１１
２、１１４、１１６内にもたらされる出力が、光学モー
ド局在化手段すなわちローカライザ（フランス語で、Lo
caliseur）の支援により前記活性ゾーンＺＣの縁部にお
いて大きく制限されるように、これらのトンネル接合層
は光学モード局在化手段を少なくとも部分的に構成す
る。この光発振は、このレーザのオプティカルキャビテ
ィ内に増幅構造の利得が発生するようになるような発振
である。このモード局在化手段により、この振動の出力
のかなりの部分が、所望の活性ゾーンからオーバーフロ
ーするのが防止されると同時に、活性ゾーンの縁部に近
づくに連れてこのゾーン内で、この出力が顕著に低下す
るのが防止される。換言すれば、モード局在化手段によ
り、活性ゾーンの内側および外側の光出力密度間でより
急激な遷移を得ることができる。

【００４３】後述するレーザでは、第二注入層１１６お
よび前記接続層１２８はリン化インジウムで構成され、
トンネル接合層１２４および１２６は、三元または四元
組成のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料で構成される。このよう
な材料は、少なくとも一つの元素がＩＩＩ族およびＶ族
のそれぞれに属する少なくとも三つの元素から成ること
が知られている。

【００４４】レーザチップの基本材料が、リン化インジ
ウム、ヒ化ガリウム、あるいはより複雑な化合物である
かどうかにかかわらず、トンネル接合層の高い屈折率
は、これらの層の組成と、周囲の半導体材料の組成とに
差がないと有効には得られない。その場合、組成が異な
る二つの半導体材料間を通過する時、当該材料に依存す
るエネルギーレベル変化をともなうことに留意すべきで
ある。より詳細には、この材料内の電子に占有され得る
エネルギーレベルを示す線図であって、上に行くほどエ
ネルギーが増加する線図を想定すると、このようなエネ
ルギーレベルの変化は、この材料の価電子帯の上境界の
変化である。注入層と活性層との間の通過は別として、
このようなエネルギーレベルの変化が大きくかつ急激で
ある限り、この変化により、レーザのポンピング電流の
通過に対する障壁となる電位差が生じる。また、きわめ
て高いドーピング濃度のトンネル接合層がきわめて薄
く、低ドーピング濃度の層と接触することによっても、
このポンピング電流の通過に対する別の障壁が構成され
ることがあろう。その場合、低ドーピング濃度の層は、
トンネル接合層の電荷キャリアを捕捉し、従ってこの電
流を通過させることができるトンネル効果に対抗する。
上記に記載したような障壁が存在することにより、レー
ザが消費する電力が増加し、その結果、排出すべき熱的
出力も増加する。例として示したレーザでは、このよう
な障壁の重大性は、前記半導体層のうちのいくつかが、 − 前記第二注入層１１６と前記第一トンネル接合層１
２４との間に配置された第一傾斜界面群１３２、１３０
と、 − 前記第二トンネル接合層１２６と前記接続層１２８
との間に配置された第二傾斜界面群１３４とを構成する
ことにより制限される。これらの各傾斜界面群は、二つ
の前記半導体層１１６、１３２間に配置された少なくと
も一つの傾斜界面層１３０で構成され、各傾斜界面層
は、これら二つの半導体層の組成および／またはドーピ
ング濃度の中間の組成および／またはドーピング濃度を
それぞれ有する。

【００４５】前記に記載のモード局在化手段は、周囲の
材料よりも高い屈折率をトンネル接合層および傾斜界面
層に付与するような組成を有するこれらの層のアセンブ
リで構成される。

【００４６】より詳細には、本発明の例として示した第
二レーザは、１５５０ｎｍの波長を有する光の放射に適
する。

【００４７】次に、図２を使用してこの第二レーザの電
極および半導体層について詳細に記述する。別に指示が
ない限り半導体層はリン化インジウムＩｎＰで構成さ
れ、チップ１０２の全領域、すなわちゾーンＺＰおよび
ＺＣ全体を占有している。これらの層のドーピング濃度
は、ドープによりこれらの層に与えられる伝導性の種類
ＮまたはＰと共に示してある。これらの電極および層
は、方向ＤＶに従って、以下を含む。

【００４８】− チップ１０２の下面１０４上に形成さ
れ、周辺ゾーンＺＰを占有する下側電極１２２、 − ８０μｍの厚さおよび２×１０¹⁸ｃｍ^-3のＮ型ドー
ピング濃度を有する基板１０８、 − 下側ミラー１１８。このミラーは、二元組成層Ｉｎ
Ｐと四元組成層Ｉｎ_0.66Ｇａ_0.34Ａｓ_0.74Ｐ_0.26とを周
期的に交互に重ねることにより構成される。二元組成層
は、１２２．２ｎｍの厚さと１０¹⁸ｃｍ^-3のＮ型ドーピ
ング濃度を有する。四元組成層は、１１２．７ｎｍの厚
さと１０¹⁸ｃｍ^-3のＮ型ドーピング濃度を有する。周期
数は４５に等しい。

【００４９】− 第一注入層１１２。この層は、３９
５．４ｎｍの厚さと１０¹⁸ｃｍ^-3のＮ型ドーピング濃度
を有する。

【００５０】− 活性層１１４。これは複合層であり、
以下の基本層で構成される。

【００５１】・Ｉｎ_0.79Ｇａ_0.21Ａｓ_0.45Ｐ_0.55の組
成と１０ｎｍの厚さを有し、故意にドープしていない第
一障壁・Ｉｎ_0.79Ｇａ_0.21Ａｓ_0.75Ｐ_0.25の組成と、８ｎｍ
の厚さを有し、故意にドープしていない量子井戸と、Ｉ
ｎ_0.79Ｇａ_0.21Ａｓ_0.45Ｐ_0.55の組成と１０ｎｍの厚さ
を有し、故意にドープしていない障壁とを交互に配した
もので構成される周期的積み重ね。周期数は９に等し
い。

【００５２】− 第二注入層１１６。この層は、６００
ｎｍの厚さと１０¹⁸ｃｍ^-3のＰ型ドーピング濃度を有す
る。

【００５３】− 電流閉じ込めゾーンＺＣのみを占有す
るトンネル接合アセンブリ１２５。このアセンブリは五
つの層、すなわち・Ｉｎ_0.79Ｇａ_0.21Ａｓ_0.45Ｐ_0.55の組成と、２０ｎ
ｍの厚さと、１０¹⁸ｃｍ^-3のＰ型ドーピング濃度とを有
する傾斜界面層１３０、・Ｉｎ_0.66Ｇａ_0.34Ａｓ_0.74Ｐ_0.26の組成と、２０ｎ
ｍの厚さと、１０¹⁸ｃｍ^-3のＰ型ドーピング濃度とを有
する傾斜界面層１３２、これらの層１３０および１３２は第一傾斜界面層群を形
成する。

【００５４】・Ｉｎ_0.66Ｇａ_0.34Ａｓ_0.74Ｐ_0.26の組
成と、２０ｎｍの厚さと、３×１０¹⁹ｃｍ^-3のＰ型ドー
ピング濃度とを有する第一トンネル接合層１２４、・Ｉｎ_0.66Ｇａ_0.34Ａｓ_0.74Ｐ_0.26の組成と、４０ｎ
ｍの厚さと、３×１０¹⁸ｃｍ^-3のＮ型ドーピング濃度と
を有する第二トンネル接合層１２６、・Ｉｎ_0.66Ｇａ_0.34Ａｓ_0.74Ｐ_0.26の組成と、２０ｎ
ｍの厚さと、１０¹⁸ｃｍ^-3のＮ型ドーピング濃度とを有
し、第二傾斜界面層群を構成する傾斜界面層１３４、から成る。

【００５５】− 接続層１２８。この層は、５００ｎｍ
の厚さと１０¹⁸ｃｍ^-3のＮ型ドーピング濃度を有する。

【００５６】− 二元組成層ＧａＡｓと三元組成層Ａｌ
_0.9Ｇａ_0.1Ａｓとを周期的に交互に重ねることにより構
成される上側ミラー１２０。二元組成層は、１１５ｎｍ
の厚さと１０¹⁸ｃｍ^-3のＮ型ドーピング濃度を有する。
三元組成層は、１３２ｎｍの厚さと１０¹⁸ｃｍ^-3のＮ型
ドーピング濃度を有する。周期数は３０に等しい。二つ
の材料間の界面は、電流の通過を容易にするために傾斜
組成を有する。

【００５７】− ＧａＡｓの組成と、２０７．７ｎｍの
厚さと、１０¹⁸ｃｍ^-3のＮ型ドーピング濃度とを有する
位相整合層１３６半導体層は、ミラーのブラッグ波長
（当該例の場合１５５０ｎｍ）において共振器キャビテ
ィを形成するように調節された厚さを有する。

【００５８】− 最後に、上側電極１２３。

【００５９】上に記述したレーザの製造には以下の段階
が含まれていた。なお、従来のエピタキシーチャンバで
エピタキシャル付着が行われていた。

【００６０】段階１：層１１８、１１２、１１４、１１
６、１２５のエピタキシャル付着をおこなう。すなわ
ち、以後の取り扱いを行うのに十分な厚さを有する当初
の基板、および、後のエッチングがトンネル接合アセン
ブリ１２５を構成する当初の層の上面全体にわたる付着
を行う。

【００６１】段階２：エッチングされていない部分で構
成されるアセンブリ１２５の前記当初の層をエッチング
することにより電流通過ゾーンを規定する。このゾーン
の形は正方形である（一辺の長さは１０ミクロン）。こ
れらの辺がチップの結晶格子の軸［１１０］に沿って配
向され、次段階でのエピタキシーの再開を容易にする。

【００６２】段階３：基板の表面全体に層１２８をエピ
タキシャル付着する。

【００６３】段階４：エピタキシーチャンバ内で、上側
ミラー１２０の連続する層を付着する。

【００６４】段階５：同じチャンバ内で、層１３６を付
着する。

【００６５】段階６：エピタキシーチャンバから取り出
して、ミラーの反射率を高くし上側電極１２３を形成す
ることができる２５０ｎｍの厚さの金層を、上側ミラー
上に付着する。

【００６６】段階７：研磨により基板を薄くし、厚さを
８０ミクロンとすることにより最終基板１０８を形成す
る。

【００６７】段階８：基板の下面に金属層を付着する。
基板を通過してレーザ放射ができるように、この層に直
径１００ミクロンの中央開口部をエッチングする。この
層の残りの部分が電極１２２を構成する。

【００６８】図３、図４、および図５は、図２の第二レ
ーザの要素と同様の要素で構成されるレーザを示す図で
ある。これらの三つのレーザのうちの一つのレーザのあ
る要素が、この第二レーザの要素と同様の機能を果たす
時には、その要素は、百の位が数字１でなく２、３、ま
たは４であることを除き、おなじ符号番号で示してあ
る。またこれらの要素は、別の指示がない限り、同じ方
法で構成することができる。

【００６９】図３を参照すると、本発明による第三レー
ザは、以下の連続する要素、すなわち、下側電極２２
２、基板２０８、下側ミラー２１８、第一注入層２１
２、活性層２１４、第二注入層２１６、接続層２２８、
トンネル接合層２２５、上側ミラー２２０、および上側
電極２２３を含む。

【００７０】この第三レーザは全体として、前記に記述
した第二レーザと同様である。第二レーザと異なる点
は、上側ミラー２２０が誘電層で構成され、その結果、
このミラーを通してポンピング電流を注入することがで
きないことである。この電流の注入を行えるようにする
ために、このミラーはエッチングされる、すなわち、こ
のミラーを構成する誘電層をチップの全領域に付着する
第一段階と、たとえば電流閉じ込めゾーンを越えて出る
ことがある中央ゾーンにのみこれらの層を残しておくよ
うにこれらの層をエッチングする第二段階の二つの段階
でミラーを形成する。次に、上側ミラーの外側のチップ
の領域の一部分から接続層２２８内にポンピング電流を
注入することができるように、チップの全領域上に上側
電極２２３を付着する。次にこの電流は、電流をトンネ
ル接合アセンブリ２２５に到達させることができる、２
３８などの矢印で示す曲がった経路をとる。この構成は
横方向注入と呼ばれることがある。場合によっては、本
発明による第二レーザで使用される上側ミラーを通して
行う注入よりも、横方向注入の方が好適であることがあ
る。そのような場合、本発明により基板２０８および接
続層２２８の双方がＮ型の伝導性を有すことができ、そ
のことは、この接続層内の電流の通過に関し、この層が
Ｐ型の伝導性を有すと仮定した場合と比べ、接続抵抗が
少ないという長所と、活性ゾーン内にこの電流がより均
一に分布するという長所とを同時に提供する。

【００７１】図４を参照すると、本発明による第四レー
ザは、以下の連続する要素、すなわち、下側電極３２
２、基板３０８、下側ミラー３１８、第一注入層３１
２、活性層３１４、第二注入層３１６、トンネル接合ア
センブリ３２５、接続層３２８、上側ミラー３２０、お
よび上側電極３２３を含む。

【００７２】この第四レーザは全体として、前記に記述
した本発明による第三レーザと同様である。第三レーザ
と異なる点は、下側電極３２２がチップの下面全体を占
有していること、および、上側ミラー３２０を通して上
面よりレーザの光を放射することができるように、上側
電極３２３に窓３４０が穿口されていることである。こ
のミラーと下側ミラー３１８の反射率はそれぞれこの構
成に適合させてある。この構成はとくに、光が基板３０
８を通過しなくてもよいという長所を有する。この構成
は、散逸熱出力が大きい適用例において場合によっては
決定的となる欠点を有する。その欠点とは、この出力は
基板を通して収集しなければならないことから、チップ
の下面から排出することが比較的むずかしいということ
である。

【００７３】図５を参照すると、本発明による第五レー
ザは、（下から上に向かって）以下の連続する要素、す
なわち、下側電極４２２、基板４０８、下側ミラー４１
８、接続層４２８、第二注入層４１６、活性層４１４、
第一注入層４１２、トンネル接合アセンブリ４２５、上
側ミラー４２０、および上側電極４２３を含む。

【００７４】この第五レーザは全体として、前記に記述
した本発明による第二レーザと同様である。第二レーザ
と異なる点は、トンネル接合アセンブリ４２５が、活性
層４１４と基板４０８との間に設置されていること、す
なわち、一連のエピタキシャル付着の段階の順が変更さ
れていること、および、前記複合構造の一連の層を記述
するための本発明の全体的説明において記載した前記第
一垂直方向が、ここでは上昇方向ではなくて下降方向で
あることである。その結果、活性層が湾曲し、活性層は
活性ゾーン内への突起を有し、この層と、このゾーン内
の上側ミラーとの間の距離がその分減少する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による第一レーザの軸方向垂直断面図で
ある。

【図２】本発明の好ましい実施形態を構成する、本発明
による第二レーザの軸方向垂直断面図である。

【図３】本発明による第三レーザの軸方向垂直断面図で
ある。

【図４】本発明による第四レーザの軸方向垂直断面図で
ある。

【図５】本発明による第五レーザの軸方向垂直断面図で
ある。

【符号の説明】２、１０２チップ４、１０４下面６、１０６上面８、１０８、２０８、３０８、４０８基板１２、１１２、２１２、３１２、４１２第一注入層１４、１１４、２１４、３１４、４１４複合活性層１６、１１６、２１６、３１６、４１６第二注入層１８、１１８、２１８、３１８、４１８下側ミラー２０、１２０、２２０、３２０、４２０上側ミラー２２、１２２、２２２、３２２、４２２下側電極２３、１２３、２２３、３２３、４２３上側電極２４、１２４第一トンネル接合層２６、１２６第二トンネル接合層１２５トンネル接合アセンブリ１３０第二傾斜界面群１３２、１３４第一傾斜界面群１３６位相整合層２２５、３２５、４２５トンネル接合層２２８、３２８接続層２３８電流の経路３４０窓Ａ軸ＤＶ垂直方向Ｌ光ＺＣ中央ゾーンＺＰ周辺ゾーン

フロントページの続き (72)発明者ジヨエル・ジヤケフランス国、91470・リムール、リユ・ドユ・ユルポワ・33 (72)発明者ポール・サレフランス国、92140・クラマール、アブニユ・ジヤン・ジヨール・93 (72)発明者レオン・ゴールドスタインフランス国、92370・シエルビル、アレ・ドユ・コロンビエ・１ (72)発明者パトリツク・ガラベデイアンフランス国、91290・アルパジヨン、アブニユ・ドウ・ラ・レピユブリツク・29、バテイマン・アー・４、レジダンス・ドウ・ラ・プレーリー (72)発明者クリストフ・スタルクフランス国、91700・サント−ジユヌビエーブ−デ−ボワ、アレ・ジエ・ブラツサンス・３ (72)発明者ジユリアン・ブカールフランス国、75014・パリ、ブルバール・サン・ジヤツク・41

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】オプティカルキャビティ（１８および２
０）と、このキャビティ内に位置し、レーザのポンピン
グ電流の方向を規定する光増幅構造（１２、１４、１
６）とを含む表面放射半導体レーザであって、前記オプティカルキャビティが、このレーザに属し同じ
種類の伝導性を有する二つの両端の半導体層（８、２
０）の間に電気的に直列に設置され、トンネル接合を構
成するレーザの二つの半導体層が、このキャビティ内に
光学的に直列に設置され、前記ポンピング電流が前記光
増幅構造内およびトンネル接合内をこの接合とは逆方向
に直列に通過できるようにすることを特徴とする表面放
射半導体レーザ。
【請求項２】下面（４）および上面（６）を有するチ
ップ（２）を構成する半導体層を含むレーザーであっ
て、このチップが、この下面から上面に向かう上昇方向
（ＤＶ）と、この上昇方向に対向する下降方向（ＤＷ）
とを構成する二つの垂直方向を規定し、前記半導体層
が、第一型（Ｎ）ドーピングとドーピング濃度とを有する第
一注入層（１２）、反対の種類の電荷キャリアの再結合により光を増幅する
ことができる活性層（１４）、前記第一の型とは反対の第二型（Ｐ）ドーピングとドー
ピング濃度とを有する第二注入層（１６）、この第一注
入層、活性層、第二注入層が光増幅構造を構成し、前記第二型（Ｐ）ドーピングとドーピング濃度とを有す
る第一トンネル接合層（２４）、前記第一型ドーピングとドーピング濃度とを有する第二
トンネル接合層（２６）の順に従い二つの前記垂直方向
の第一方向に従い相互に連続する複合構造（１２、１
４、１６、２４、２６）をチップ内に構成し、第一およ
び第二トンネル接合層のドーピング濃度が、第一および
第二注入層の前記ドーピング濃度よりも高く、これらの
二つのトンネル接合層のアセンブリが前記トンネル接合
を構成するのに十分であり、レーザがさらに、前記複合構造の下側に形成された下側電極（２２）と、前記複合構造の下側に形成された下側ミラー（１８）
と、前記複合構造の上側に形成され、前記下側ミラーと協働
してこのレーザのオプティカルキャビティを構成する上
側ミラー（２０）と、前記複合構造の上側に形成され、前記下側電極（２２）
と協働して前記チップ（２）を通して前記ポンピング電
流を通過させることができるようにする上側電極（２
３）とを含む請求項１に記載のレーザ。
【請求項３】前記第一および第二注入層（１２、１
６）が、ＩＩＩ−Ｖ族の二元化合物で構成され、垂直な
前記第一方向が前記上昇方向（ＤＶ）であり、前記第一
および第二伝導性がそれぞれＮおよびＰ型であり、前記
複合構造が、伝導性Ｎ型のドーピングを有する半導体基
板（８）の上側に形成される請求項２に記載のレーザ。
【請求項４】二つの前記トンネル接合層（２４、２
６）がそれぞれ、１０から３００ｎｍの間の厚さを有す
ることを特徴とする請求項２に記載のレーザ。
【請求項５】各トンネル接合層（２４、２６）の前記
厚さが約１５から５０ｎｍの間である請求項４に記載の
レーザ。
【請求項６】前記光増幅構造（１１２、１１４、１１
６）が前記チップ（１０２）の領域（ＺＰ、ＺＣ）を占
有し、前記オプティカルキャビティが、この領域の一部
分で構成される活性ゾーン（ＺＣ）のみを占有するレー
ザであって、前記第一および第二トンネル接合層（１２
４、１２６）が、チップ（１０２）の前記領域の一部分
で構成され前記活性ゾーンにほぼ一致する電流閉じ込め
ゾーン（ＺＣ）のみを占有する埋込層であり、前記複合
構造（１１２、１１４、１１６、１２４、１２６、１２
８）がさらに、前記第一型のドーピングを有しチップの
前記領域を占有する接続層（１２８）を含み、この接続
層が、前記電流閉じ込めゾーン（ＺＣ）内の前記第二ト
ンネル接合層を覆い、この接続層が、前記電流閉じ込め
ゾーンの外側のチップの前記領域の部分（ＺＰ）内で前
記第二注入層を覆い、第二注入層および接続層のドーピ
ング濃度が、前記電流閉じ込めゾーンの外側でこれらの
層のアセンブリがポンピング電流を阻止する接合となる
ような濃度であることを特徴とする請求項２に記載のレ
ーザ。
【請求項７】前記第一および第二トンネル接合層（１
２４、１２６）がそれぞれ、前記第二注入層（１１６）
および前記接続層（１２８）の屈折率よりもそれぞれ高
い屈折率を有する材料で構成され、このレーザの光発振
により前記増幅構造（１１２、１１４、１１６）内にも
たらされる出力が、モード局在化手段の支援により前記
活性ゾーン（ＺＣ）の縁部において大きく制限されるよ
うに、これらのトンネル接合層が光学モード局在化手段
を構成することを特徴とする請求項６に記載のレーザ。
【請求項８】前記第二注入層（１１６）および前記接
続層（１２８）がリン化インジウムで構成され、前記ト
ンネル接合層（１２４、１２６）が、少なくとも一つの
元素がＩＩＩ族およびＶ族のそれぞれに属する少なくと
も三つの元素から成るＩＩＩ−Ｖ族の半導体材料で構成
される請求項７に記載のレーザ。
【請求項９】前記半導体層のうちのいくつかが、前記第二注入層（１１６）と前記第一トンネル接合層
（１２４）との間に配置された第一傾斜界面群（１３
２、１３４）と、前記第二トンネル接合層（１２６）と前記接続層（１２
８）との間に配置された第二傾斜界面群（１３０）とを
構成し、各前記傾斜界面群が、二つの前記半導体層（１
１６、１３２）間に配置されこれら二つの半導体層の組
成および／またはドーピング濃度の中間の組成および／
またはドーピング濃度をそれぞれ有する少なくとも一つ
の傾斜界面層（１３０）で構成されることを特徴とする
請求項７に記載のレーザ。
【請求項１０】前記オプティカルキャビティが、前記
垂直方向（ＤＶ）に延びる軸（Ａ）を有し、前記チップ
（２）が、この軸の近傍の中央ゾーン（ＺＣ）と、この
中央ゾーンの周囲の周辺ゾーン（ＺＰ）と含み、前記活
性層（１４）の活性ゾーンがこの中央ゾーンにほぼ一致
し、前記上側電極（２３）および前記上側ミラー（２
０）が、チップ（２）の前記上面（６）上のこの中央ゾ
ーン内にのみ形成され、下側電極（２２）が、中央ゾー
ンを除く前記周辺ゾーン内に形成され、その結果、この
レーザから放射される光（Ｌ）は前記チップから、前記
下面（４）を通過し、この中央ゾーン内に出ることがで
き、前記ポンピング電流が前記活性ゾーン内の活性層を
通過できるように、前記半導体層のうちでこの下面と活
性層（１４）との間にある層が十分な厚さと高い電導性
を有する請求項２に記載のレーザ。