JPH10321504A - 偏向データ及び補正データ取得方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ブロック露光を行う場合に必要な偏向データ及
び補正データを取得する偏向データ及び補正データ取得
方法に関し、最適値を取得するに要する時間を短縮す
る。 【解決手段】電子ビーム４をラウンドアパーチャ板４２
上を走査させ、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度
として最大値を得ることができた場合の補正データを最
適補正データとして取得した後、この最適補正データを
使用すると共に、偏向データを変化させて電子ビーム４
のラウンドアパーチャ４２Ａに対する軸合わせを行い、
ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度として最大値を
得ることができた場合の偏向データを最適偏向データと
して取得する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子ビームの
断面形状を整形する任意形状の透過パターン、いわゆる
ブロックパターンを複数個形成してなる透過マスク板、
いわゆるブロックマスクを利用した露光、いわゆるブロ
ック露光を行う場合に必要な偏向データ及び補正データ
を取得する偏向データ及び補正データ取得方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】図６はブロック露光を行うことができる
ように構成された電子ビーム露光装置の一例の要部を示
す概念図であり、図６中、１はコラム部、２はコラム部
１を制御する制御部である。

【０００３】また、コラム部１において、３は電子ビー
ムを射出する電子銃、４は電子銃３から射出された電子
ビーム、５は光軸、６、７は照射レンズ、８、９は整形
レンズ、１０は縮小レンズ、１１、１２は投影レンズで
ある。

【０００４】また、１３は電子ビーム４を矩形に成形す
る矩形成形アパーチャ板、１４は電子ビーム４を可変矩
形成形する場合に使用される成形偏向器、１５はブロッ
クパターンを複数個形成してなるブロックマスク、１６
はブロックマスク１５を保持するマスクステージであ
る。

【０００５】図７はブロックマスク１５を示す概略的平
面図である。図７（Ａ）はブロックマスク１５の全体を
示す概略的平面図であり、１９〜３０はそれぞれ電子ビ
ームを偏向させることができる偏向領域である。なお、
偏向領域１９〜３０の選択は、マスクステージ１６によ
るブロックマスク１５の移動により行われる。

【０００６】また、図７（Ｂ）はブロックマスク１５の
偏向領域２６を拡大して示す概略的平面図であり、３１
〜３４はキャリブレーションや可変矩形成形に使用する
矩形の透過パターン、３５−１、３５−２、・・・３５
−４０はブロックパターンが形成されているブロックパ
ターン部である。

【０００７】また、図７（Ｃ）はブロックパターン部３
５−２３を拡大して示す概略的平面図であり、３６−
１、３６−２、・・・３６−１６はコンタクトホール用
のパターンを露光するための矩形の開口である。

【０００８】また、図６において、３８−１、３８−２
は電子ビーム４を、ブロックマスク１５に設けられてい
るブロックパターン部３５−１〜３５−４０のうち、選
択されているブロックパターン部の選択されたブロック
パターンに偏向するためのマスク偏向器、３８−３、３
８−４は選択されたブロックパターンを通過した電子ビ
ーム４を光軸５に振り戻すためのマスク偏向器である。

【０００９】また、３９はマスク偏向器３８−１、３８
−２による偏向により電子ビーム４に生じる非点収差を
補正する非点収差補正コイル、４０はマスク偏向器３８
−１、３８−２による偏向により電子ビーム４に生じる
焦点ずれを補正する焦点補正コイルである。

【００１０】また、４１は電子ビーム４の通過を制御す
るブランキング偏向器、４２は投影レンズ１１に対する
電子ビームの開き角を決めるラウンドアパーチャ４２Ａ
を形成してなるラウンドアパーチャ板、４３は電磁偏向
器からなる主偏向器、４４は静電偏向器からなる副偏向
器、４５は露光対象であるウエハ、４６はウエハ４５を
保持するウエハステージである。

【００１１】また、制御部２において、４７は制御部２
の中心をなすＣＰＵ、４８は制御部２内の各部の動作タ
イミングを制御するクロックを発生するクロックユニッ
ト、４９は可変矩形露光を行う場合に必要なパターンデ
ータや、ブロック露光を行う場合に必要なブロックデー
タや、主偏向器４３用の偏向データ等を格納するバッフ
ァメモリである。

【００１２】また、５０はバッファメモリ４９に格納さ
れている可変矩形露光を行う場合に必要なパターンデー
タのビームサイズデータとビーム位置データとへの分割
や、ブロック露光を行う場合に必要なブロックデータの
個々のブロックパターンを示すパターンデータコード
（ＰＤＣ）化などを行うパターンジェネレータ（ＰＧ）
ユニットである。

【００１３】また、５１はパターンデータコード毎にマ
スク偏向器３８−１用の偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１
と、マスク偏向器３８−２用の偏向データＢＳＸ２、Ｂ
ＳＹ２と、マスク偏向器３８−３用の偏向データＢＳＸ
３、ＢＳＹ３と、マスク偏向器３８−４用の偏向データ
ＢＳＸ４、ＢＳＹ４と、非点収差補正コイル３９用の補
正データＤＳＸ、ＤＳＹと、焦点補正コイル４０用の補
正データＤＦとを格納するマスクメモリである。

【００１４】また、５２は成形偏向器１４及び副偏向器
４４用のパターンデータ（ビームサイズデータ、ビーム
位置データ）の補正を行うパターン補正ユニット、５３
はバッファメモリ４９に格納されている主偏向器４３用
の偏向データに基づいて主偏向器４３を制御する主偏向
器制御ユニットである。

【００１５】このように構成された電子ビーム露光装置
においては、ブロック露光が行われる場合、電子銃３か
ら射出された電子ビーム４は、矩形成形アパーチャ１３
により矩形に成形された後、マスク偏向器３８−１、３
８−２により、ブロックマスク１５に形成されているブ
ロックパターンのうち、選択されたブロックパターンに
偏向され、断面形状を選択されたブロックパターンと同
一のパターンに整形される。

【００１６】このようにして、ブロックパターンにより
断面形状を整形された電子ビーム４は、電子レンズ９に
より収束され、マスク偏向器３８−３、３８−４により
光軸５に振り戻されると共に、マスク偏向器３８−１、
３８−２により生じる非点収差及び焦点ずれがそれぞれ
非点収差補正コイル３９及び焦点補正コイル４０により
補正される。

【００１７】そして、光軸５に振り戻された電子ビーム
４は、縮小レンズ１０によって縮小され、ラウンドアパ
ーチャ４２Ａを通過し、投影レンズ１１、１２によりウ
エハ４５上に露光される。

【００１８】このようにして、ブロック露光を行うため
には、マスクメモリ５１に記憶されている個々のブロッ
クパターンに対する偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜Ｂ
ＳＸ４、ＢＳＹ４及び補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦ
は、露光前に予め測定された最適なものでなければなら
ない。

【００１９】従来、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜Ｂ
ＳＸ４、ＢＳＹ４及び補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦ
の最適値は、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを変化さ
せるごとに、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ
４、ＢＳＹ４を変化させて電子ビーム４のラウンドアパ
ーチャ４２Ａに対する軸合わせを行い、図８に示すよう
に、ファラデーカップ５５を介してラウンドアパーチャ
通過電流値を測定することにより取得されていた。

【００２０】補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを変化さ
せるごとに、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ
４、ＢＳＹ４を変化させて電子ビーム４のラウンドアパ
ーチャ４２Ａに対する軸合わせを行う理由は、非点収差
補正コイル３９及び焦点補正コイル４０は、ラウンドア
パーチャ４２Ａ上での電子ビーム４の断面形状を変化さ
せるものであるが、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを
変化させると、ラウンドアパーチャ４２Ａ上での電子ビ
ーム４の位置も変化してしまうためである。

【００２１】ちなみに、図９（Ａ）、図９（Ｂ）は補正
データＤＳＸ、ＤＳＹを変化させた場合におけるラウン
ドアパーチャ板４２上での電子ビーム４の断面形状の変
化と位置ずれとの関係を示す概略的平面図、図９（Ｃ）
は補正データＤＦを変化させた場合におけるラウンドア
パーチャ板４２上での電子ビーム４の断面形状の変化と
位置ずれとの関係を示す概略的平面図である。

【００２２】

【発明が解決しようとする課題】ここに、偏向データＢ
ＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４及び補正データ
ＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦの最適値の従来の取得方法におい
ては、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦをｎ通り変化さ
せ、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦの一通りごとに軸
合わせのための偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ
４、ＢＳＹ４の変化をｍ回にわたり行う必要がある場
合、最適値（目標値）Ｑを求めるためには、図１０に示
すように、測定ポイントＰは、ｎ×ｍとなってしまい、
多大な時間を必要としてしまうという問題点があった。

【００２３】本発明は、かかる点に鑑み、ブロック露光
を行う場合に必要な偏向データ及び補正データの最適値
を取得するに要する時間を短縮し、ブロック露光を行う
ことができる荷電粒子ビーム露光装置の効率的な運用を
図ることができるようにした偏向データ及び補正データ
取得方法を提供することを目的とする。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明中、第１の発明
（請求項１記載の偏向データ及び補正データ取得方法）
は、光軸上にある荷電粒子ビームを、第１、第２のマス
ク偏向器により、ブロックマスクに形成されている複数
個のブロックパターンのうち、選択されたブロックパタ
ーンに偏向して断面形状を整形した後、第３、第４のマ
スク偏向器により、光軸に振り戻すと共に、第１、第２
のマスク偏向器の偏向により生じる非点収差及び焦点ず
れをそれぞれ非点収差補正コイル及び焦点補正コイルに
より補正し、縮小レンズ、ラウンドアパーチャ及び投影
レンズを通して露光対象上に露光するブロック露光を行
う場合に必要な第１、第２、第３、第４のマスク偏向器
を駆動するための最適偏向データと、非点収差補正コイ
ル及び焦点補正コイルを駆動するための最適補正データ
とを取得する偏向データ及び補正データ取得方法におい
て、補正データを変化させるごとに、縮小レンズから出
力される荷電粒子ビームをラウンドアパーチャを含むラ
ウンドアパーチャ板上を２次元的に走査させ、前記ラウ
ンドアパーチャを通過してくる荷電粒子ビームの強度を
測定し、ラウンドアパーチャを通過した荷電粒子ビーム
の強度として最大値を得ることができる場合の補正デー
タを最適補正データとして取得した後、最適補正データ
を使用すると共に、偏向データを変化させて縮小レンズ
から出力される荷電粒子ビームのラウンドアパーチャに
対する軸合わせを行い、ラウンドアパーチャを通過した
荷電粒子ビームの強度として最大値を得ることができる
場合の偏向データを最適偏向データとして取得するとい
うものである。

【００２５】本発明中、第１の発明によれば、補正デー
タを変化させて補正データの最適値を取得した後に、最
適補正データを使用すると共に、偏向データを変化させ
て偏向データの最適値を取得するとしているので、荷電
粒子ビームの強度を測定する場合の補正データの値と偏
向データの値との組合せ数を減らし、偏向データ及び補
正データの最適値を取得するに要する時間を短縮するこ
とができる。

【００２６】本発明中、第２の発明（請求項２記載の偏
向データ及び補正データ取得方法）は、第１の発明にお
いて、補正データを変化させるごとの荷電粒子ビームの
強度の測定は、２次元的な走査を複数回行うものとし、
荷電粒子ビームの強度の測定時間を２次元的な走査を１
回行うに要する時間よりも短い時間とし、各２次元的な
走査時における荷電粒子ビームの強度の測定開始時刻
を、各２次元的な走査に対する走査開始時刻を基準にし
て相対的に一定時間づつずらしながら行うというもので
ある。

【００２７】本発明中、第２の発明によれば、第１の発
明と同様の作用を得ることができると共に、２次元的な
走査を１回行う場合に取得する荷電粒子ビームの強度の
測定データを２次元的な走査を行う全時間について荷電
粒子ビームの強度の測定を行う場合に比較して少なくす
ることができる。

【００２８】本発明中、第３の発明（請求項３記載の偏
向データ及び補正データ取得方法）は、第２の発明にお
いて、ＴＡを２次元的な走査を１回行うに要する時間、
ＴＢ１を２次元的な走査の１回目における荷電粒子ビー
ム強度測定開始時刻、ＴＣを２次元的な走査１回中にお
ける荷電粒子ビーム強度測定時間とする場合、ｋ回目
（但し、ｋは２以上の整数である。）の２次元的な走査
時における荷電粒子ビーム強度測定開始時刻ＴＢｋをＴ
Ｂ１＋（ＴＡ＋ＴＣ）×（ｋ−１）とするというもので
ある。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て、図６に示す電子ビーム露光装置に必要な偏向データ
ＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４及び補正デー
タＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを取得する場合を例にして説明
する。

【００３０】図１〜図５は本発明の一実施形態を説明す
るための図であり、本発明の一実施形態においては、補
正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦをｎ通り変化させること
を前提として、まず、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦ
の一通りごとに、図１に示すように、電子ビーム４をラ
ウンドアパーチャ４２Ａを含むラウンドアパーチャ板４
２上を始点６０からＹ軸方向に移動させながらＸ軸方向
に走査し、ラウンドアパーチャ４２Ａを通過した電子ビ
ームの強度を、例えば、反射電子強度として測定する。

【００３１】ここに、電子ビーム４の走査の範囲は、非
点収差補正コイル３９や焦点補正コイル４０による軸ず
れが発生した場合においても、図２に二点鎖線６２で示
すように、電子ビーム４がラウンドアパーチャ４２Ａ及
びその周辺部を走査することができる範囲に設定され
る。

【００３２】このような電子ビーム４の走査は、例え
ば、成形偏向器１４に対して、Ｘ軸方向走査用の駆動信
号として、図３（Ａ）に示すような周期を数十〜数百μ
ｓとするノコギリ波信号Ｓ１５Ｘを供給すると共に、Ｙ
軸方向走査用の駆動信号として、図３（Ｂ）に示すよう
な周期を数〜数百ｍｓとするノコギリ波信号Ｓ１５Ｙを
供給することにより行うことができる。

【００３３】このような走査を行うと、ラウンドアパー
チャ４２Ａを通過した電子ビームの強度波形として、電
子ビーム４がラウンドアパーチャ板４２上で収束してい
る場合には、図４（Ａ）に示すような波形を得ることが
でき、電子ビーム４がラウンドアパーチャ板４２上で収
束していない場合には、図４（Ｂ）に示すような波形を
得ることができる。

【００３４】このようなラウンドアパーチャ４２Ａを通
過した電子ビームの強度測定を補正データＤＳＸ、ＤＳ
Ｙ、ＤＦをｎ通り変化させてそれぞれについて行い、ラ
ウンドアパーチャ４２Ａを通過した電子ビームの強度と
して最大値を得ることができた場合の補正データＤＳ
Ｘ、ＤＳＹ、ＤＦを最適補正データとする。

【００３５】その後、最適補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、
ＤＦを使用すると共に、偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１
〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４を変化させて電子ビーム４のラウ
ンドアパーチャ４２Ａに対する軸合わせを行い、ラウン
ドアパーチャ４２Ａを通過する電子ビームの強度を測定
し、ラウンドアパーチャ４２Ａを通過した電子ビームの
強度として最大値を得ることができた場合の偏向データ
ＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４を最適偏向デ
ータとする。

【００３６】このようにする場合には、補正データＤＳ
Ｘ、ＤＳＹ、ＤＦをｎ通り変化させる必要があり、偏向
データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４をｍ通
り変化させる必要がある場合においても、偏向データＢ
ＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４及び補正データ
ＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦの最適値を得るために、ｎ＋ｍ回
の探査を行うことで足りる。

【００３７】ここに、例えば、走査面１回の走査時間を
４０ｍｓ、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度のサ
ンプリング間隔を１.２４μｓとすると、電子ビーム４
がラウンドアパーチャ４２Ａを通過している時間は、走
査面全体を１回走査する時間に比べて小さく、ラウンド
アパーチャ通過電子ビーム強度波形の１個の幅は１０μ
ｓとなるので、走査面を走査する全期間にわたってラウ
ンドアパーチャ通過電子ビーム強度のサンプリングを行
うと、全測定時間に対して必要な信号が測定される時間
幅が非常に小さい、即ち、デューティ比の極めて小さい
ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度波形を取得する
ことになり、記憶容量の極めて大きな記憶装置を必要と
してしまうので、本発明の一実施形態においては、ラウ
ンドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定は、図５に示
すように行われる。

【００３８】図５において、ＴＡは走査面を１回走査す
るに要する時間、ＴＢ１は走査面の１回目の走査を行う
場合のラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度測定開始
時刻、ＴＣはラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度測
定時間、ＴＤはピーク値を解析するに要する時間、ＴＢ
２は走査面の２回目の走査を行う場合のラウンドアパー
チャ通過電子ビーム強度測定開始時刻、ＴＢ３は走査面
の３回目の走査を行う場合のラウンドアパーチャ通過電
子ビーム強度測定開始時刻を示している。

【００３９】即ち、本発明の一実施形態においては、補
正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを変化させるごとのラウ
ンドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定は、走査面の
ｋ回目（但し、ｋは２以上の整数である。）の走査時に
おける測定開始時刻ＴＢｋがＴＢ１＋（ＴＡ＋ＴＣ）×
（ｋ−１）となるように行われ、ラウンドアパーチャ通
過電子ビーム強度のピーク値が極大となる場合の補正デ
ータが最適補正データとして決定される。

【００４０】なお、このようなラウンドアパーチャ通過
電子ビーム強度の測定を複数回にわたり行い、ラウンド
アパーチャ通過電子ビーム強度として、最大値を得るこ
とができた場合の補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを最
適補正データとする場合には、より最適な補正データを
得ることができる。

【００４１】このように、本発明の一実施形態によれ
ば、補正データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを変化させて最適
補正データを取得した後に、偏向データＢＳＸ１、ＢＳ
Ｙ１〜ＢＳＸ４、ＢＳＹ４を変化させて最適偏向データ
を取得するとしているので、ラウンドアパーチャ通過電
子ビーム強度を測定する場合の補正データＤＳＸ、ＤＳ
Ｙ、ＤＦの値と偏向データＢＳＸ１、ＢＳＹ１〜ＢＳＸ
４、ＢＳＹ４の値との組合せ数を減らし、最適偏向デー
タ及び最適補正データを取得するに要する時間を短縮
し、図６に示すような電子ビーム露光装置の効率的な運
用を図ることができる。

【００４２】また、本発明の一実施形態によれば、補正
データＤＳＸ、ＤＳＹ、ＤＦを変化させるごとのラウン
ドアパーチャ通過電子ビーム強度の測定は、走査面の走
査を複数回行うものとし、ラウンドアパーチャ通過電子
ビーム強度測定時間を走査面１回の走査に必要な時間よ
りも短い時間とし、走査面の走査を繰り返すごとに、ラ
ウンドアパーチャ通過電子ビーム強度測定開始時刻を、
各走査面の走査に対する走査開始時刻を基準にして、相
対的に一定時間ＴＣづつずらしながら行うとしたことに
より、走査面の走査を１回行う場合に取得するラウンド
アパーチャ通過電子ビーム強度の測定データを走査面を
走査する全時間についてラウンドアパーチャ通過電子ビ
ーム強度の測定を行う場合に比較して少なくすることが
できるので、ラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度の
測定データを記憶させる記憶装置として、走査面を走査
する全期間にわたってラウンドアパーチャ通過電子ビー
ム強度の測定を行う場合に比較して記憶容量の小さい記
憶装置を用意すれば足りる。

【００４３】

【発明の効果】本発明中、第１の発明（請求項１記載の
偏向データ及び補正データ取得方法）によれば、補正デ
ータを変化させて補正データの最適値を取得した後に、
最適補正データを使用すると共に、偏向データを変化さ
せて偏向データの最適値を取得するとしたことにより、
荷電粒子ビームの強度を測定する場合の補正データの値
と偏向データの値との組合せ数を減らし、偏向データ及
び補正データの最適値を取得するに要する時間を短縮す
ることができるので、ブロック露光を行うことができる
荷電粒子ビーム露光装置の効率的な運用を図ることがで
きる。

【００４４】本発明中、第２又は第３の発明（請求項２
又は３記載の偏向データ及び補正データ取得方法）によ
れば、第１の発明と同様の効果を得ることができると共
に、２次元的な走査を１回行う場合に取得する荷電粒子
ビームの強度の測定データを２次元的な走査を行う全時
間について荷電粒子ビームの強度の測定を行う場合に比
較して少なくすることができるので、荷電粒子ビームの
強度の測定データを記憶させる記憶装置として、荷電粒
子ビームの２次元的な走査を行う全時間について荷電粒
子ビームの強度測定を行う場合に比較して記憶容量の小
さい記憶装置を用意すれば足りる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態を説明するための図であ
る。

【図２】本発明の一実施形態を説明するための図であ
る。

【図３】図６に示す電子ビーム露光装置が備える成形偏
向器に供給する駆動信号を示す波形図である。

【図４】本発明の一実施形態を実行することにより得ら
れるラウンドアパーチャ通過電子ビーム強度波形を示す
図である。

【図５】本発明の一実施形態において行われるラウンド
アパーチャ通過電子ビーム強度の測定方法を説明するた
めの図である。

【図６】電子ビーム露光装置の一例の要部を示す概念図
である。

【図７】図６に示す電子ビーム露光装置が備えるブロッ
クマスクを示す概略的平面図である。

【図８】図６に示す電子ビーム露光装置においてブロッ
ク露光を行う場合に必要な偏向データ及び補正データの
最適値の従来の取得方法を説明するための図である。

【図９】補正データを変化させた場合におけるラウンド
アパーチャ板上での電子ビームの断面形状の変化と位置
ずれとの関係を示す概略的平面図である。

【図１０】図６に示す電子ビーム露光装置においてブロ
ック露光を行う場合に必要な偏向データ及び補正データ
の最適値の従来の取得方法が有する問題点を説明するた
めの図である。

【符号の説明】

（図１） ４ 電子ビーム ４２ ラウンドアパーチャ板 ４２Ａ ラウンドアパーチャ ６０ 走査の始点 （図６） ３８−１ マスク偏向器 ３８−２ マスク偏向器 ３８−３ マスク偏向器 ３８−４ マスク偏向器 ３９ 非点収差補正コイル ４０ 焦点補正コイル

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大野 学 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 田中 仁 東京都練馬区旭町１丁目32番１号 株式会 社アドバンテスト内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】光軸上にある荷電粒子ビームを、第１、第
   ２のマスク偏向器により、ブロックマスクに形成されて
   いる複数個のブロックパターンのうち、選択されたブロ
   ックパターンに偏向して断面形状を整形した後、第３、
   第４のマスク偏向器により、前記光軸に振り戻すと共
   に、前記第１、第２のマスク偏向器の偏向により生じる
   非点収差及び焦点ずれをそれぞれ非点収差補正コイル及
   び焦点補正コイルにより補正し、縮小レンズ、ラウンド
   アパーチャ及び投影レンズを通して露光対象上に露光す
   るブロック露光を行う場合に必要な前記第１、第２、第
   ３、第４のマスク偏向器を駆動するための最適偏向デー
   タと、前記非点収差補正コイル及び前記焦点補正コイル
   を駆動するための最適補正データとを取得する偏向デー
   タ及び補正データ取得方法において、 前記補正データを変化させるごとに、前記縮小レンズか
   ら出力される荷電粒子ビームを前記ラウンドアパーチャ
   を含むラウンドアパーチャ板上を２次元的に走査させ、
   前記ラウンドアパーチャを通過してくる荷電粒子ビーム
   の強度を測定し、前記ラウンドアパーチャを通過した荷
   電粒子ビームの強度として最大値を得ることができる場
   合の補正データを最適補正データとして取得した後、前
   記最適補正データを使用すると共に、前記偏向データを
   変化させて前記縮小レンズから出力される荷電粒子ビー
   ムの前記ラウンドアパーチャに対する軸合わせを行い、
   前記ラウンドアパーチャを通過した荷電粒子ビームの強
   度として最大値を得ることができる場合の偏向データを
   最適偏向データとして取得することを特徴とする偏向デ
   ータ及び補正データ取得方法。
2. 【請求項２】前記補正データを変化させるごとの前記荷
   電粒子ビームの強度の測定は、前記２次元的な走査を複
   数回行うものとし、前記荷電粒子ビームの強度の測定時
   間を前記２次元的な走査を１回行うに要する時間よりも
   短い時間とし、各２次元的な走査時における前記荷電粒
   子ビームの強度の測定開始時刻を、各２次元的な走査に
   対する走査開始時刻を基準にして相対的に一定時間づつ
   ずらしながら行うことを特徴とする請求項１記載の偏向
   データ及び補正データ取得方法。
3. 【請求項３】ＴＡを前記２次元的な走査を１回行うに要
   する時間、ＴＢ１を前記２次元的な走査の１回目におけ
   る荷電粒子ビーム強度測定開始時刻、ＴＣを前記２次元
   的な走査１回中における荷電粒子ビーム強度測定時間と
   する場合、ｋ回目（但し、ｋは２以上の整数である。）
   の２次元的な走査時における荷電粒子ビーム強度測定開
   始時刻ＴＢｋをＴＢ１＋（ＴＡ＋ＴＣ）×（ｋ−１）と
   することを特徴とする請求項２記載の偏向データ及び補
   正データ取得方法。