JPH10313227A - Surface acoustic wave device - Google Patents
Surface acoustic wave deviceInfo
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- JPH10313227A JPH10313227A JP12210197A JP12210197A JPH10313227A JP H10313227 A JPH10313227 A JP H10313227A JP 12210197 A JP12210197 A JP 12210197A JP 12210197 A JP12210197 A JP 12210197A JP H10313227 A JPH10313227 A JP H10313227A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ベース基板に半田
バンプ接続して載置されたSAW素子がベース基板とキ
ャップとを半田付けして形成されたパッケージ内に封止
された弾性表面波装置に関する。The present invention relates to a surface acoustic wave device in which a SAW element mounted on a base substrate by solder bump connection is sealed in a package formed by soldering the base substrate and a cap. About.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、SAW素子を半田バンプ接続
してベース基板に載置し、ベース基板と金属キャップと
を半田接合してSAW素子を封止した弾性表面波装置が
知られている。このような弾性表面波装置のベース基板
はアルミナ等のセラミック基板が用いられ、その一方主
面には、金属キャップとの半田接合を果たすための環状
の接合ランド、SAW素子を半田付けするための複数の
電極ランド、各電極ランドに連設して所望の電気的接続
を果たすための引出電極等の電極パターンが形成されて
いる。また、SAW素子の一方主面には、IDT、ID
Tから引出された複数の引出電極、各引出電極の先端部
にバンプ電極が形成されている。そして、SAW素子の
各バンプ電極がベース基板上の電極ランドに半田付け
(半田バンプ接続)されて、SAW素子がベース基板に
支持固定されるとともに電気的に接続され、SAW素子
を覆うように、金属キャップがベース基板の接合ランド
に半田付けされている。2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a surface acoustic wave device in which a SAW element is mounted on a base substrate by solder bump connection, and the base substrate and a metal cap are soldered to seal the SAW element. As a base substrate of such a surface acoustic wave device, a ceramic substrate such as alumina is used, and on one main surface thereof, an annular bonding land for performing solder bonding with a metal cap, and a soldering land for soldering a SAW element. A plurality of electrode lands and an electrode pattern such as an extraction electrode for connecting the electrode lands to achieve desired electrical connection are formed. In addition, one main surface of the SAW element has IDT, ID
A plurality of extraction electrodes extracted from T, and a bump electrode is formed at the tip of each extraction electrode. Then, each bump electrode of the SAW element is soldered (solder bump connection) to an electrode land on the base substrate, and the SAW element is supported and fixed to the base substrate and electrically connected to cover the SAW element. A metal cap is soldered to the joint land of the base substrate.
【0003】上記電極ランド、接合ランド等の電極パタ
ーンは、焼成後のセラミック基板上に導電性電極材ペー
ストを印刷し焼成した後、その上にNiメッキ/Auメ
ッキを施して形成されている。そして、従来の弾性表面
波装置においては、電極ランド及び接合ランドの最下層
の電極膜すなわちベース基板の素地上形成される電極膜
は、AgまたはAgPdのいずれか一方の導電性電極材
料が用いられていた。The electrode patterns such as the electrode lands and the joint lands are formed by printing and firing a conductive electrode material paste on a fired ceramic substrate, and then performing Ni plating / Au plating thereon. In the conventional surface acoustic wave device, the lowermost electrode film of the electrode lands and the bonding lands, that is, the electrode film formed on the base substrate is made of one of Ag and AgPd. I was
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、電極パ
ターンの最下層の電極膜としてAgを用いたものでは、
製品での落下衝撃において、電極ランドがベース基板か
ら剥離するという問題があった。また、AgPdを用い
たものでは、プレッシャクッカー試験(PCT)や耐湿
放置試験において、ベース基板と金属ケースとの半田接
合部分での気密性が保てなくなり、特性不良が発生する
という問題があった。このような不具合の発生は、Ag
はアルミナ等のセラミック基板との密着強度が弱く、A
gPdはセラミック基板との気密性が悪いことに起因し
ている。However, in the case of using Ag as the lowermost electrode film of the electrode pattern,
There is a problem that the electrode lands are peeled off from the base substrate due to a drop impact on the product. Further, in the case of using AgPd, in a pressure cooker test (PCT) or a moisture resistance test, there is a problem that airtightness at a solder joint between the base substrate and the metal case cannot be maintained, resulting in poor characteristics. . The occurrence of such a problem is caused by Ag
Is weak in adhesion strength to ceramic substrates such as alumina.
gPd is caused by poor airtightness with the ceramic substrate.
【0005】そこで、本発明の目的は、耐衝撃性及び耐
湿性等の耐環境性に優れた信頼性の高い弾性表面波装置
を提供することにある。It is an object of the present invention to provide a highly reliable surface acoustic wave device which is excellent in environmental resistance such as impact resistance and moisture resistance.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1に係る発明は、バンプ電極が形成されたS
AW素子を、接合ランドと電極ランドが形成されたセラ
ミックからなるベース基板に、前記バンプ電極と前記電
極ランドとを半田バンプ接続して載置し、前記SAW素
子を覆うキャップを前記接合ランドに半田付けして、前
記SAW素子を前記ベース基板と前記キャップとにより
形成される空間内に封止した弾性表面波装置において、
前記電極ランドの最下層の電極膜がAgPdからなり、
前記接合ランドの最下層の電極膜がAgからなることを
特徴とするものである。In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is directed to an S-shaped electrode having a bump electrode formed thereon.
The bump electrode and the electrode land are mounted on the base substrate made of ceramic on which the joining land and the electrode land are formed by solder bump connection, and a cap covering the SAW element is soldered to the joining land. A surface acoustic wave device in which the SAW element is sealed in a space formed by the base substrate and the cap.
The lowermost electrode film of the electrode lands is made of AgPd;
The lowermost electrode film of the joining land is made of Ag.
【0007】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
弾性表面波装置において、電極ランドの最下層及び接合
ランドの最下層の電極膜が電極ペーストの印刷・焼成に
より形成されていることを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in the surface acoustic wave device according to the first aspect, the lowermost electrode film of the electrode land and the lowermost electrode film of the joining land are formed by printing and firing an electrode paste. It is characterized by the following.
【0008】上記の構成によれば、SAW素子を半田バ
ンプ接続するための電極ランドの最下層の電極膜にはベ
ース基板との密着強度が強いAgPdを用い、またキャ
ップとの半田接合を果たすための接合ランドの最下層の
電極膜にはベース基板との気密性が良好なAgが用いら
れているので、落下衝撃等の衝撃が加わってもSAW素
子が半田付けされた電極ランドはベース基板から剥離す
ることがなく、またPCTや耐湿試験においても接合ラ
ンドとベース基板との気密性が保持され湿度等による特
性不具合を防止することができる。According to the above-described structure, AgPd having a strong adhesion strength to the base substrate is used for the lowermost electrode film of the electrode land for connecting the SAW element to the solder bump, and the solder bonding with the cap is performed. Since the lowermost electrode film of the joining land is made of Ag having good airtightness with the base substrate, even if a shock such as a drop impact is applied, the electrode land to which the SAW element is soldered is removed from the base substrate. It does not peel off, and the airtightness between the bonding land and the base substrate is maintained even in the PCT or the moisture resistance test, so that characteristic failure due to humidity or the like can be prevented.
【0009】この構成は、電極ランド及び接合ランドの
最下層の電極膜を印刷・焼成により形成したもので、特
に有効な効果を得ることができる。In this structure, the lowermost electrode film of the electrode lands and the joint lands is formed by printing and firing, so that a particularly effective effect can be obtained.
【0010】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る弾性表面波装
置を図1及び図2を参照して説明する。図1は弾性表面
波装置の断面図、図2はベース基板の平面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A surface acoustic wave device according to the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device, and FIG. 2 is a plan view of a base substrate.
【0011】この弾性表面波装置は、図1に示すよう
に、SAW素子20のバンプ電極25が半田51で、ベ
ース基板10の電極ランド12a,12bに半田付けさ
れて、SAW素子20がベース基板10に支持固定され
るとともに電気的に接続され、SAW素子20を覆うよ
うに、一面開口状の金属キャップ30がそのフランジ部
31でベース基板10の接合ランド11に半田52によ
り半田付けされて、SAW素子20がベース基板10と
金属キャップ30とで形成された空間内に封止されてい
る。In this surface acoustic wave device, as shown in FIG. 1, the bump electrode 25 of the SAW element 20 is soldered to the electrode lands 12a and 12b of the base substrate 10, and the SAW element 20 is connected to the base substrate. The metal cap 30 having an open surface on one side is soldered to the joining land 11 of the base substrate 10 by solder 52 at its flange portion 31 so as to be supported and fixed to and electrically connected to the SAW element 20 so as to cover the SAW element 20. The SAW element 20 is sealed in a space formed by the base substrate 10 and the metal cap 30.
【0012】ベース基板10は、アルミナのセラミック
からなり、その上面には、図2に示すように、金属キャ
ップ30との半田接合を果たすための角環状の接合ラン
ド11、SAW素子20を半田付けするための電極ラン
ド12a,12b、電極ランド12a,12bに連設し
て所望の電気的接続を果たすための引出電極13a,1
3b等からなる電極パターンが形成されている。ベース
基板10の下面には、図示しないが、入出力端子電極及
びアース端子電極が形成され、引出電極13aは入出力
端子電極に、引出電極13bはアース端子電極にそれぞ
れスルーホール等により接続されている。なお、電極ラ
ンド12bはアース用のランドであり、アースまわりを
良くするために、電極ランド12bから引出された引出
電極13bは接合ランド11に接続されている。The base substrate 10 is made of alumina ceramic. On the upper surface thereof, as shown in FIG. 2, a square annular bonding land 11 for performing solder bonding with a metal cap 30 and a SAW element 20 are soldered. Electrode lands 12a, 12b for connection and extraction electrodes 13a, 1 connected to the electrode lands 12a, 12b to achieve desired electrical connection.
An electrode pattern made of 3b or the like is formed. Although not shown, an input / output terminal electrode and a ground terminal electrode are formed on the lower surface of the base substrate 10, and the lead electrode 13a is connected to the input / output terminal electrode, and the lead electrode 13b is connected to the ground terminal electrode by through holes or the like. I have. The electrode land 12b is a land for grounding, and the extraction electrode 13b drawn from the electrode land 12b is connected to the joint land 11 in order to improve the circumference of the ground.
【0013】SAW素子20は、平面形状が長方形の表
面波基板を有し、図1における下面に、IDTや反射器
電極、IDTから引出された複数の引出電極、各引出電
極の先端部にバンプ電極25が形成され、フェイスダウ
ン方式、すなわちバンプ電極25等が形成された面を下
面として、各バンプ電極25と各バンプ電極25に対応
するベース基板10上に形成された電極ランド12a,
12bとが半田51により接続・固定されて、ベース基
板10上に載置されている。金属キャップ30は、下方
に開口した形状を有し、開口部の全周にベース基板10
と平行に延びるフランジ部31が形成され、このフラン
ジ部31が半田52により、ベース基板10の接合ラン
ド11に半田付けされている。The SAW element 20 has a surface wave substrate having a rectangular planar shape. An IDT, a reflector electrode, a plurality of extraction electrodes extracted from the IDT, and a bump at the tip of each extraction electrode are provided on the lower surface in FIG. The electrodes 25 are formed, and the face on which the bump electrodes 25 and the like are formed is a lower surface, that is, the bump electrodes 25 and the electrode lands 12a formed on the base substrate 10 corresponding to the bump electrodes 25 are used as lower surfaces.
12b are connected and fixed by the solder 51 and mounted on the base substrate 10. The metal cap 30 has a shape opened downward, and the base substrate 10 is formed all around the opening.
A flange portion 31 extending in parallel with the flange portion 31 is formed, and the flange portion 31 is soldered to the joint land 11 of the base substrate 10 by solder 52.
【0014】上記ベース基板10上に形成された電極ラ
ンド12a,12b、接合ランド11は、焼成後のアル
ミナ基板上に導電性電極ペーストを印刷し焼成した後、
その上にNi/Auがメッキ等の方法により形成されて
いる。そして、本実施例においては、電極ランド12
a,12bの最下層の電極膜すなわちアルミナの素地上
に形成される電極膜にはAgPdが用いられ、接合ラン
ド11の最下層の電極膜にはAgが用いられている。The electrode lands 12a and 12b and the bonding lands 11 formed on the base substrate 10 are formed by printing and firing a conductive electrode paste on a fired alumina substrate.
Ni / Au is formed thereon by plating or the like. In the present embodiment, the electrode lands 12
AgPd is used for the lowermost electrode film of a and 12b, that is, the electrode film formed on the alumina substrate, and Ag is used for the lowermost electrode film of the joint land 11.
【0015】具体的には、先ず電極ランド12a,12
b及び引出電極13a,13bに対応するパターンを用
いてベース基板10上にAgPdペーストをスクリーン
印刷し、接合ランド11に対応するパターンを用いてA
gペーストをスクリーン印刷した後、焼成してAgPd
及びAgの電極膜を形成する。次にメッキ等の方法によ
り前記各電極膜上にNi膜、Ni膜上にAu膜を形成す
る。Specifically, first, the electrode lands 12a, 12a
AgPd paste is screen-printed on the base substrate 10 using the pattern corresponding to the connection land 11b and the extraction electrodes 13a and 13b.
gPd is screen printed and then fired to make AgPd
And an Ag electrode film are formed. Next, a Ni film is formed on each of the electrode films and an Au film is formed on the Ni film by a method such as plating.
【0016】上記Ni膜はAgPd、Agの半田くわれ
を防止するために設けられ、Au膜は半田付け性を向上
するために設けられる。これらNi膜/Au膜はそれぞ
れ必要に応じて形成されるものであり、必ずしも必要な
ものではなく、また、材料もNi,Auに限定されるも
のではない。なお、AgPdとAgの印刷順は特に限定
されるものではなく、また、引出電極13a,13b部
にはAgペーストを印刷するようにしてもよい。The Ni film is provided to prevent AgPd and Ag from being soldered, and the Au film is provided to improve solderability. These Ni film / Au film are formed as needed, and are not always necessary, and the material is not limited to Ni and Au. The printing order of AgPd and Ag is not particularly limited, and an Ag paste may be printed on the extraction electrodes 13a and 13b.
【0017】電極ランド12a,12b及び接合ランド
11の上には、予め予備半田(半田バンプ)が付与さ
れ、SAW素子20及び金属キャップ30のベース基板
10への接続・接合はリフローはんだ付け法により行わ
れる。図示しないが、通常、引出電極13a,13bを
覆うように半田流れ防止用コートが印刷等の方法により
形成される。この弾性表面波装置は、ベース基板10の
下面を実装面として実装基板に実装されて使用される。Preliminary solder (solder bumps) is previously provided on the electrode lands 12a and 12b and the joint lands 11, and the connection and joining of the SAW element 20 and the metal cap 30 to the base substrate 10 are performed by a reflow soldering method. Done. Although not shown, a solder flow prevention coat is usually formed by printing or the like so as to cover the extraction electrodes 13a and 13b. The surface acoustic wave device is used by being mounted on a mounting substrate with the lower surface of the base substrate 10 as a mounting surface.
【0018】上記のように、本実施例の弾性表面波装置
においては、SAW素子20を半田付け固定する電極ラ
ンド12a,12bの最下層の電極膜にはベース基板1
0との密着強度が強いAgPdが用いられており、落下
衝撃等の衝撃が加わっても電極ランド12a,12bは
ベース基板10から剥離することがない。また、金属キ
ャップ30と半田接合される接合ランド11の最下層の
電極膜にはベース基板10との気密性が良いAgが用い
られており、高温・高湿の劣悪な環境に晒されても特性
が劣化することがない。なお、接合ランド11の面積は
大きく、Agを用いても接合ランドとベース基板とは必
要十分な密着強度が確保される。As described above, in the surface acoustic wave device of this embodiment, the base substrate 1 is provided on the lowermost electrode film of the electrode lands 12a and 12b for soldering and fixing the SAW element 20.
AgPd, which has a strong adhesion strength to zero, is used, and the electrode lands 12a and 12b do not peel off from the base substrate 10 even when an impact such as a drop impact is applied. Further, Ag, which has good airtightness with the base substrate 10, is used for the lowermost electrode film of the bonding land 11 that is solder-bonded to the metal cap 30, so that it is exposed to a poor environment of high temperature and high humidity. The characteristics do not deteriorate. Note that the area of the bonding land 11 is large, and even if Ag is used, the bonding land and the base substrate can have a necessary and sufficient adhesion strength.
【0019】従来例の弾性表面波装置と本実施例の弾性
表面波装置について、落下衝撃試験(5000G)、P
CT(121℃、2気圧、湿度100%)での比較を行
った結果(サンプル数n=20)、従来例のAgPd品
ではPCT177時間で1個の特性不良が認められ、従
来例のAg品では落下衝撃試験にて5個の電極ランドの
剥離が認められた。これに対し、本実施例の弾性表面波
装置ではPCTでの特性不良、落下衝撃試験での電極ラ
ンドの剥離は発生しなかった。For the conventional surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device of the present embodiment, a drop impact test (5000 G)
As a result of comparison at CT (121 ° C., 2 atm, humidity 100%) (sample number n = 20), in the case of the conventional AgPd product, one characteristic failure was recognized in PCT177 hours, and the conventional Ag product was observed. In the drop impact test, peeling of five electrode lands was observed. On the other hand, in the surface acoustic wave device of the present example, the characteristic failure in the PCT and the peeling of the electrode land in the drop impact test did not occur.
【0020】なお、ベース基板上に形成される電極パタ
ーンは上記実施例に限定されるものではなく、例えば、
ダミーの電極ランドが形成されたものでもよく、また、
アース用の電極ランドから引出された引出電極は必ずし
も接合ランドに接続される必要はない。Incidentally, the electrode pattern formed on the base substrate is not limited to the above-described embodiment.
A dummy electrode land may be formed.
The extraction electrode extracted from the ground electrode land does not necessarily need to be connected to the joining land.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る弾性
表面波装置では、SAW素子を半田バンプ接続するため
の電極ランドの最下層の電極膜にはベース基板との密着
強度が強いAgPdを用い、またキャップとの半田接合
を果たすための接合ランドの最下層の電極膜にはベース
基板との気密性が良好なAgを用いているので、落下衝
撃等の衝撃による電極ランドのベース基板からの剥離を
防止することができ、またPCTや耐湿試験においても
接合ランドとベース基板との気密性が保持され、湿度等
による特性劣化を防止することができる。As described above, in the surface acoustic wave device according to the present invention, the lowermost electrode film of the electrode land for connecting the SAW element to the solder bump is made of AgPd having strong adhesion strength to the base substrate. Since the lowermost electrode film of the joint land for performing the solder joint with the cap is made of Ag having good airtightness with the base substrate, the electrode land can be removed from the base substrate by an impact such as a drop impact. Can be prevented, and the airtightness between the bonding land and the base substrate can be maintained even in the PCT or the moisture resistance test, and the characteristic deterioration due to humidity or the like can be prevented.
【0022】したがって、本発明によれば、耐衝撃性及
び耐環境性に優れた信頼性の高い弾性表面波装置を得る
ことができる。Therefore, according to the present invention, a highly reliable surface acoustic wave device excellent in impact resistance and environmental resistance can be obtained.
【図1】本発明の一実施例に係る弾性表面波装置の断面
図である。FIG. 1 is a sectional view of a surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
【図2】本発明の一実施例に係る弾性表面波装置のベー
ス基板の平面図である。FIG. 2 is a plan view of a base substrate of the surface acoustic wave device according to one embodiment of the present invention.
10 ベース基板 11 接合ランド 12a,12b 電極ランド 20 SAW素子 25 バンプ電極 30 金属ケース 31 フランジ部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Base board 11 Joining land 12a, 12b Electrode land 20 SAW element 25 Bump electrode 30 Metal case 31 Flange part
Claims (2)
接合ランドと電極ランドが形成されたセラミックからな
るベース基板に、前記バンプ電極と前記電極ランドとを
半田バンプ接続して載置し、前記SAW素子を覆うキャ
ップを前記接合ランドに半田付けして、前記SAW素子
を前記ベース基板と前記キャップとにより形成される空
間内に封止した弾性表面波装置において、 前記電極ランドの最下層の電極膜がAgPdからなり、
前記接合ランドの最下層の電極膜がAgからなることを
特徴とする弾性表面波装置。1. A SAW device on which bump electrodes are formed,
The bump land and the electrode land are connected by solder bump connection and placed on a base substrate made of ceramic on which the bonding land and the electrode land are formed, and a cap covering the SAW element is soldered to the bonding land. In a surface acoustic wave device in which the SAW element is sealed in a space formed by the base substrate and the cap, a lowermost electrode film of the electrode land is made of AgPd,
A surface acoustic wave device, wherein the lowermost electrode film of the joining land is made of Ag.
ンドの最下層の電極膜が電極ペーストの印刷・焼成によ
り形成されていることを特徴とする請求項1に記載の弾
性表面波装置。2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the lowermost electrode film of the electrode lands and the lowermost electrode film of the joining lands are formed by printing and firing an electrode paste.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12210197A JPH10313227A (en) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12210197A JPH10313227A (en) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | Surface acoustic wave device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10313227A true JPH10313227A (en) | 1998-11-24 |
Family
ID=14827674
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12210197A Pending JPH10313227A (en) | 1997-05-13 | 1997-05-13 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10313227A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6543109B1 (en) | 1999-03-02 | 2003-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave apparatus |
-
1997
- 1997-05-13 JP JP12210197A patent/JPH10313227A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6543109B1 (en) | 1999-03-02 | 2003-04-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing a surface acoustic wave apparatus |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060124 |