JPH10306349A - Low thermal expansion alloy sheet for electronic parts, excellent in etching characteristic - Google Patents

Low thermal expansion alloy sheet for electronic parts, excellent in etching characteristic

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JPH10306349A
JPH10306349A JP11110697A JP11110697A JPH10306349A JP H10306349 A JPH10306349 A JP H10306349A JP 11110697 A JP11110697 A JP 11110697A JP 11110697 A JP11110697 A JP 11110697A JP H10306349 A JPH10306349 A JP H10306349A
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JP
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mass
less
etching
concentration
concentration fluctuation
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Application number
JP11110697A
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Japanese (ja)
Inventor
Tomoaki Hyodo
知明 兵藤
Katsuhisa Yamauchi
克久 山内
Tamako Ariga
珠子 有賀
Masaki Omura
雅紀 大村
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JFE Engineering Corp
Original Assignee
NKK Corp
Nippon Kokan Ltd
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  • Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a low thermal expansion alloy sheet for electronic parts, free from the occurrence of inferior etching, such as striped irregularity, causing deterioration in the local visibility of image. SOLUTION: This alloy sheet is composed of an Fe-Ni alloy containing, by mass, 32-38% Ni or an Fe-Ni-Co alloy containing, by mass, 23-38% Ni and <=7% Co and satisfying Ni+Co=32 to 38%. Moreover, the amount of concentration fluctuations of Ni microsegregation with respect to the direction orthogonal to rolling direction in the plane to be subjected to etching is <=2 mass% and also the width of the concentration fluctuation zone of Ni microsegregation is >=500 μm, or further, the proportion (%) of degree of orientation of the 100} crystal plane to the rolling surface is 20-40% or >=80%. The alloy sheet is used as a starting sheet for a product in which a pit pitch by eyching is regulated to <=300 μm. By this method, etching velocity at the time of etching can be uniformized, and the occurrence of striped irregularity can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、シャドウマスクや
リードフレーム等の微細なエッチング加工を施す電子部
門に使用される低熱膨張合金薄板に関し、特に、コンピ
ューターディスプレイに使用される高精細用シャドウマ
スクとして好適なエッチング性に優れた低熱膨張合金薄
板に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low-thermal-expansion alloy thin plate used in an electronic section for performing fine etching such as a shadow mask and a lead frame, and more particularly to a high-definition shadow mask used for a computer display. The present invention relates to a low-thermal-expansion alloy sheet having excellent etching properties.

【0002】[0002]

【従来の技術】シャドウマスクやリードフレーム等の電
子部品は一般にエッチング加工が施されて使用される。
この際に、エッチング速度が速く、かつエッチング後の
孔の端部形状と寸法精度に優れたエッチング性の高い材
料が要求されている。
2. Description of the Related Art Electronic parts such as shadow masks and lead frames are generally used after being subjected to etching.
At this time, there is a demand for a material having a high etching rate and a high etching property which is excellent in the end shape and dimensional accuracy of the hole after etching.

【0003】以下、シャドウマスクを例にとって説明す
る。シャドウマスクはテレビジョンのブラウン管に使用
されており、電子銃から発射された電子ビームをガラス
体によって支持された蛍光面上の所定の位置に正確に照
射して特定の色調を与えるための多数の細孔を有してい
る。この場合に、発射された電子ビームのうち、細孔を
通過して蛍光体に照射されるのは約2 割であり、残りの
8 割はシャドウマスクに衝突するため、シャドウマスク
は蛍光面を支持するガラス体に比較して高温になる。そ
の上、シャドウマスク用素材として従来より用いられて
きた低炭素リムド鋼や低炭素アルミキルド鋼等の軟鋼板
は、蛍光面を支持するガラス体に比べて熱膨張率がはる
かに大きいため、これらの間に位置ずれが生じて電子ビ
ームを蛍光面上の所定の位置へ正確に照射することがで
きなくなり、画像が不鮮明になることが多かった。
Hereinafter, a shadow mask will be described as an example. Shadow masks are used in television cathode-ray tubes, and are used to provide a specific color tone by precisely irradiating an electron beam emitted from an electron gun to a predetermined position on a phosphor screen supported by a glass body. Has pores. In this case, about 20% of the emitted electron beams pass through the pores and irradiate the phosphor, and the remaining
Since 80% of the glass collides with the shadow mask, the temperature of the shadow mask becomes higher than that of the glass body supporting the phosphor screen. In addition, mild steel sheets such as low-carbon rimmed steel and low-carbon aluminum-killed steel that have been conventionally used as materials for shadow masks have a much larger coefficient of thermal expansion than the glass body that supports the phosphor screen, An electron beam cannot be accurately irradiated to a predetermined position on the phosphor screen due to a positional deviation between them, and the image often becomes unclear.

【0004】画像が不鮮明になることを防止するため
に、シャドウマスクの懸架装置となる支持体の構造を工
夫して、上記位置ずれを補償することも試みられている
が、必ずしも十分とはいえない。さらに近年は、テレビ
ジョン画面の大型化、高品位化や高輝度化に伴って、こ
れらの位置ずれの問題が顕在化してきている。
In order to prevent the image from becoming unclear, attempts have been made to compensate for the above-mentioned positional deviation by devising the structure of a support serving as a suspension device of the shadow mask, but it is not always sufficient. Absent. Further, in recent years, with the enlargement, higher quality, and higher luminance of the television screen, these positional shift problems have become more apparent.

【0005】そこで、シャドウマスク用素材として、36
mass%のNiを含有するFe-Ni 系合金の使用が拡大してい
る。この合金は従来の低炭素鋼に比べて熱膨張係数が約
1/10と小さく、高輝度画面における電子ビームの加熱に
対してもその低膨張性が維持されるため、この材料を素
材として作製されたシャドウマスクでは、熱膨張による
色ずれが生じにくい。
Therefore, as a material for a shadow mask, 36
The use of Fe-Ni-based alloys containing mass% Ni is expanding. This alloy has a thermal expansion coefficient of about
Since it is as small as 1/10 and its low expansion property is maintained even when the electron beam is heated on a high luminance screen, a color shift due to thermal expansion hardly occurs in a shadow mask manufactured using this material as a material.

【0006】シャドウマスク用Fe-Ni 系合金薄板は、通
常、連続鋳造法または造塊法によって合金鋳片または鋼
塊を調整し、次いで分塊圧延、熱間圧延、冷間圧延、焼
鈍を施して製造される。この合金薄板にフォトエッチン
グ加工により電子ビームの通過孔を形成した後、焼鈍、
成型加工および黒化処理等の各工程を施すことによりシ
ャドウマスクが製造される。
[0006] Fe-Ni-based alloy sheets for shadow masks are usually prepared by adjusting alloy slabs or steel ingots by continuous casting or ingot casting, and then subjected to slab rolling, hot rolling, cold rolling and annealing. Manufactured. After forming an electron beam passage hole in this alloy thin plate by photo etching, annealing,
A shadow mask is manufactured by performing various processes such as molding and blackening.

【0007】しかし、Fe-Ni 系合金薄板を素材とするシ
ャドウマスクは、優れた低熱膨張特性を有する一方で、
エッチング性に劣るため、フォトエッチング加工で良好
な孔形状を得ることが困難であり、エッチング不良によ
り局部的に画像の鮮明度不良を生じることがある。そこ
で、この合金薄板についてエッチング性を改善する試み
がなされている。
[0007] However, a shadow mask made of an Fe-Ni alloy thin plate has excellent low thermal expansion characteristics,
Because of poor etching properties, it is difficult to obtain a good hole shape by photo-etching, and poor etching may cause local poor image sharpness. Therefore, attempts have been made to improve the etching properties of this alloy sheet.

【0008】例えば、特公昭59-32859号公報では、フォ
トエッチング加工後の孔形状をシャドウマスク全面にわ
たって均一にするためには、エッチング面の結晶方位の
不揃いを防いでエッチング速度を一定にする必要がある
として、{100 }結晶面の配向度比率を35% 以上とする
ことによって改善を図っている。
For example, in Japanese Patent Publication No. 59-32859, in order to make the hole shape after photoetching uniform over the entire shadow mask, it is necessary to keep the etching rate constant while preventing the crystal orientation of the etching surface from being irregular. In view of the above, improvement is achieved by setting the orientation ratio of the {100} crystal plane to 35% or more.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
テレビジョン画面の大型化およびコンピューターのディ
スプレイへの適用拡大に伴い、画像のきめ細かさや高輝
度化への要求が一段と高まってきており、このために電
子ビームの通過孔をより高精度に穿孔するようなエッチ
ング加工が必要となってきている。
However, in recent years,
With the enlargement of television screens and the expansion of applications to computer displays, the demand for finer images and higher brightness has been increasing, and as a result, holes for passing electron beams must be drilled with higher precision. Etching processing is required.

【0010】特に、コンピューターディスプレイに使用
される高精細のシャドウマスクでは主として板厚0.15mm
以下の素材が使用され、例えば直径120 μm の孔が270
μmピッチで穿孔されており、さらなるファインピッチ
化も試行されている。
In particular, a high-definition shadow mask used for a computer display mainly has a thickness of 0.15 mm.
The following materials are used, for example, a hole with a diameter of 120 μm is 270
The holes are drilled at a pitch of μm, and attempts have been made to make the pitch even finer.

【0011】このような微細な孔をエッチング画内にお
いて精度よく穿孔するために、エッチング技術の向上と
ともに、素材の材質の向上が図られてきたが、依然とし
て局部的なエッチング不良に起因する孔形状の不良が発
生しており、画像の局部的な鮮明度不良の一因となって
いる。
[0011] In order to accurately drill such fine holes in the etching image, the material of the raw material has been improved together with the improvement of the etching technique, but the hole shape caused by the local etching defect still remains. Has occurred, which is one of the causes of the local poor definition of the image.

【0012】このエッチング不良は、マスク部において
合金薄板の圧延方向に沿った微細な線状のむらとして観
察され、「スジむら」と呼ばれている。図3 はFe-36mas
s%Ni合金薄板を素材としたシャドウマスク上のスジむら
の発生状態を示す模式図である。スジむらの多くは数十
μm 〜数mmの幅を有し、図3に示されるようにマスク部
の一辺から対辺に達する。
[0012] This etching defect is observed as fine linear unevenness in the mask portion along the rolling direction of the alloy thin plate, and is called "line unevenness". Figure 3 shows Fe-36mas
FIG. 4 is a schematic view showing a state in which streak unevenness occurs on a shadow mask made of a s% Ni alloy thin plate. Most of the line unevenness has a width of several tens μm to several mm, and reaches one side to the other side of the mask portion as shown in FIG.

【0013】これまで、Niの偏析あるいは不純物の偏析
により、エッチング加工の際にスジむらが発生すること
が知られており、スジむらを抑制するためにいくつかの
技術が提案されている。
Until now, it has been known that unevenness of stripes occurs during etching due to segregation of Ni or segregation of impurities, and several techniques have been proposed for suppressing unevenness of stripes.

【0014】例えば、特開昭61-223188 号公報は、スジ
むらの原因がNiの偏析によるとして、スジむらの防止の
ために、Niの成分偏析率を10% 以下、かつNiの偏析帯の
長さを300mm 以下とする技術を開示している。
For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 61-223188 discloses that the unevenness of stripes is caused by the segregation of Ni. It discloses a technology to reduce the length to 300 mm or less.

【0015】特公昭63-64514号公報では、スジむらの原
因がNiの濃化によるものとして、平均濃度に対するNiの
濃化部の成分偏析割合を10% 以下、濃化部の容積率を5%
以下、かつその長さを30mm以下とすることにより、スジ
むらの抑制を図っている。
In Japanese Patent Publication No. 63-64514, it is assumed that the unevenness of the stripes is caused by the enrichment of Ni. %
In the following, and by setting the length to 30 mm or less, streak unevenness is suppressed.

【0016】しかし、32〜38mass% のNiを含有するFe-N
i 系合金薄板においては、Niが平均濃度に対して10% を
超えて濃化する領域は認められず、一方で、数% の濃化
であってもスジむらなどのエッチング不良が発生するこ
とが確認されている。
However, Fe-N containing 32 to 38 mass% of Ni
In the i-type alloy sheet, there is no region where Ni is concentrated more than 10% with respect to the average concentration.On the other hand, even if the concentration is several%, etching defects such as uneven stripes may occur. Has been confirmed.

【0017】また、特開平2-54744 号公報では、スジむ
らがC 、Si、Mn、Cr等の不純物元素の偏析、あるいは鋳
造時の凝固組織により発生するものとし、0.001 〜0.03
mass%のB を添加するとともに、特定条件でスラブを加
熱することにより偏析を阻止し、柱状晶組織を低減して
スジむらの抑制を図っている。しかし、例えばシャドウ
マスク材料のように微細なエッチング加工と低熱膨張が
要求される材料では、特性を劣化させないためにC 、S
i、Mn、Cr等の元素は合計しても1mass%に満たない量に
極力低減しており、このような偏析によるスジむらは生
じ得ず、Fe-36mass%Ni合金薄板で発生するスジむらを解
消するものではない。一方で、シャドウマスクの黒化処
理では、0.02mass% を超えてB が存在すると、黒化むら
が発生して局部的な色ずれが生じる。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-54744, streak unevenness is assumed to be caused by segregation of impurity elements such as C, Si, Mn and Cr, or by a solidification structure at the time of casting.
By adding mass% B and heating the slab under specific conditions, segregation is prevented, columnar crystal structure is reduced, and streak unevenness is suppressed. However, for materials that require fine etching and low thermal expansion, such as shadow mask materials, C, S
Elements such as i, Mn, and Cr are reduced as much as possible to less than 1 mass% in total, and streak unevenness due to such segregation cannot occur, and streak unevenness generated in Fe-36 mass% Ni alloy thin plate Does not eliminate the problem. On the other hand, in the blackening process of the shadow mask, if B exceeds 0.02 mass%, uneven blackening occurs and local color shift occurs.

【0018】以上述べたように、上記いずれの技術を用
いてもFe-36mass%Ni合金薄板で発生するようなエッチン
グ加工によるスジむらを克服することができず、むしろ
画像の高品位化に伴って、スジむら等のエッチング不良
は増加する傾向にあり、その対策が求められている。
As described above, even if any of the above techniques is used, it is impossible to overcome the streak unevenness due to the etching process that occurs in the Fe-36mass% Ni alloy thin plate. Therefore, etching defects such as uneven stripes tend to increase, and a countermeasure is required.

【0019】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、画像の局部的な鮮明度の低下をもたらすスジ
むら等のエッチング不良が発生せず、かつ高精度のエッ
チング加工が可能な電子部品用低熱膨張合金薄板を提供
することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and does not cause etching defects such as uneven stripes which cause a local decrease in the sharpness of an image, and an electronic device capable of performing high-precision etching. An object of the present invention is to provide a low thermal expansion alloy sheet for a part.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、Fe-Ni 系
低熱膨張合金薄板のエッチング性について種々検討を行
った結果、上述のスジむらをはじめとするエッチング不
良が、製品原板におけるNiミクロ偏析の濃度変動量およ
びNiミクロ偏析の濃度変動部の幅に起因して、あるいは
これらと圧延面に対する{100 }結晶面の配向度比率が
複合的に係わって、発生することを見いだした。
The present inventors have conducted various studies on the etching properties of Fe-Ni-based low thermal expansion alloy thin plates. It has been found that the occurrence occurs either due to the amount of concentration fluctuation of microsegregation and the width of the concentration fluctuation part of Ni microsegregation, or in combination with the orientation ratio of {100} crystal plane to the rolling surface.

【0021】Niのミクロ偏析は、製品原板のエッチング
加工する面内における圧延直角方向の表面または断面に
ついてNi成分の濃度変動量と濃度変動部の幅を分析す
る。具体的には、製品原板の圧延直角方向の表面または
断面について、電子線マイクロアナライザー等によりNi
成分の濃度を分析して、Ni濃度分布曲線を求める。
The micro-segregation of Ni is performed by analyzing the amount of fluctuation of the concentration of the Ni component and the width of the concentration fluctuation portion on the surface or cross section in the direction perpendicular to the rolling direction in the plane of the product original plate to be etched. Specifically, the surface or cross section of the product original plate in the direction perpendicular to the rolling direction was Ni-
The concentration of the component is analyzed to obtain a Ni concentration distribution curve.

【0022】Ni濃度変動量NiD (%) は、Ni濃度分布曲線
における最大Ni濃度Nimax (%) と最小Ni濃度Nimin (%)
の差から求める。また、Ni濃度分布曲線において、平均
Ni濃度をNiAV(%) 、平均Ni濃度NiAV(%) を超えるNi偏析
部がn 箇所あり、i 番目のNi偏析部の幅を Si とした場
合、Ni濃度変動部の幅S(μm)は、S(μm)= Σ Si /nから
求める。
The Ni concentration fluctuation amount Ni D (%) is calculated from the maximum Ni concentration Ni max (%) and the minimum Ni concentration Ni min (%) in the Ni concentration distribution curve.
From the difference between In the Ni concentration distribution curve, the average
When the Ni concentration is Ni AV (%) and there are n Ni segregation portions exceeding the average Ni concentration Ni AV (%), and the width of the i-th Ni segregation portion is S i , the width S ( μm) is obtained from S (μm) = ΣS i / n.

【0023】図2 は、電子線マイクロアナライザーによ
り、Fe-36mass%Ni合金薄板の圧延直角方向の表面のNi成
分の濃度を分析した結果の一例である。図2(b)の場合、
平均Ni濃度NiAV(%) を超えるNi偏析部が7 箇所あり、Ni
濃度変動量NiD (%) およびNi濃度変動部の幅S(μm)は、
それぞれ、NiD (%)=Nimax (%)-Nimin (%) 、S(μm)=Σ
(SI +S2+…+S7)/7から求める。
FIG. 2 shows an example of the result of analyzing the concentration of Ni component on the surface in the direction perpendicular to the rolling direction of the Fe-36mass% Ni alloy thin plate using an electron beam microanalyzer. In the case of FIG.
There are seven Ni segregation sites exceeding the average Ni concentration Ni AV (%),
The concentration fluctuation amount Ni D (%) and the width S (μm) of the Ni concentration fluctuation part are as follows:
Ni D (%) = Ni max (%)-Ni min (%), S (μm) = Σ
(S I + S 2 +… + S 7 ) / 7

【0024】製品原板のエッチング面内において、図2
(a)、(b) に示すようなNiの濃度変動が存在すると、濃
度差に応じた相対的なエッチング速度の差により、スジ
むらなどのエッチング不良を生じやすくなる。特に、濃
度変動量が大きくかつ濃度変動部の幅が大きくなるとス
ジむらが顕著になる。
In the etched surface of the original product plate, FIG.
If there is a fluctuation in the concentration of Ni as shown in (a) and (b), etching defects such as uneven stripes are likely to occur due to a relative difference in etching rate depending on the concentration difference. In particular, when the density fluctuation amount is large and the width of the density fluctuation portion is large, the stripe unevenness becomes remarkable.

【0025】また、Niミクロ偏析の濃度変動量と濃度変
動部の幅を小さくすることに加えて、圧延面に対する結
晶面の配向度をランダム化、または{100 }結晶面の配
向度比率を高くすると、深さ方向へのエッチング速度が
より均一になり、スジむらの発生を防止する効果がより
向上する。
Further, in addition to reducing the amount of concentration fluctuation of Ni microsegregation and the width of the concentration fluctuation portion, the degree of orientation of the crystal plane with respect to the rolling surface is randomized, or the ratio of the degree of orientation of the {100} crystal plane is increased. Then, the etching rate in the depth direction becomes more uniform, and the effect of preventing the occurrence of uneven stripes is further improved.

【0026】圧延面に対する{100 }結晶面の配向度比
率等の結晶面の配向度は、X 線回折法によって求めるこ
とができる。X 線回折法によって結晶方位を同定する方
法は、極一般的に用いられているものであり、例えば、
理学電機株式会社発行の「X線回折の手引き、改定第四
版」の81〜82頁に記載されている。
The degree of orientation of the crystal plane, such as the ratio of the degree of orientation of the {100} crystal plane to the rolled plane, can be determined by X-ray diffraction. The method of identifying the crystal orientation by the X-ray diffraction method is extremely commonly used, for example,
It is described on pages 81 to 82 of "Guide to X-ray Diffraction, Revised 4th Edition" issued by Rigaku Denki Co., Ltd.

【0027】本発明は、このような知見に基づいて完成
されたものであり、第1 に、Ni:32〜38mass% を含有す
るFe-Ni 系合金からなり、エッチング加工する面内にお
ける圧延方向に直交する方向についてのNiミクロ偏析の
濃度変動量が2mass%以下であり、かつ濃度変動部の幅が
500μm 以下であることを特徴とする、エッチング加工
による孔ピッチが300 μm 以下の製品の原板として使用
されるエッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄
板を提供するものである。
The present invention has been completed on the basis of these findings. First, Ni is made of an Fe-Ni-based alloy containing 32 to 38 mass%, and the rolling direction in the plane to be etched is described. The concentration fluctuation amount of Ni micro-segregation in the direction orthogonal to is 2 mass% or less, and the width of the concentration fluctuation part is
An object of the present invention is to provide a low-thermal-expansion alloy thin plate for electronic parts having excellent etching properties, which is used as a base plate of a product having a hole pitch of 300 μm or less by etching, which is 500 μm or less.

【0028】また、第2 に、Ni:23〜38mass% 、Co:7m
ass%以下を含有し、かつNi+Co が32〜38 mass%であるFe
-Ni-Co系合金からなり、エッチング加工する面内におけ
る圧延方向に直交する方向についてのNiミクロ偏析の濃
度変動量が2mass%以下であり、かつ濃度変動部の幅が50
0 μm 以下であることを特徴とする、エッチング加工に
よる孔ピッチが300 μm 以下の製品の原板として使用さ
れるエッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板
を提供するものである。
Second, Ni: 23 to 38 mass%, Co: 7 m
Fe containing less than ass% and Ni + Co of 32 to 38 mass%
-Ni-Co-based alloy, the concentration fluctuation amount of Ni micro-segregation in the direction perpendicular to the rolling direction in the plane to be etched is 2 mass% or less, and the width of the concentration fluctuation portion is 50%
An object of the present invention is to provide a low-thermal-expansion alloy thin plate for electronic components excellent in etching properties, which is used as a base plate of a product having a hole pitch of 300 μm or less by etching and characterized by being not more than 0 μm.

【0029】また、第3 に、Ni:32〜38mass% を含有す
るFe-Ni 系合金からなり、エッチング加工する面内にお
ける圧延方向に直交する方向についてのNiミクロ偏析の
濃度変動量が2mass%以下であり、かつ濃度変動部の幅が
500μm以下であり、さらに圧延面に対する{100}結晶
面の配向度比率(% )が20〜40% あるいは80% 以上であ
ることを特徴とする、エッチング加工による孔ピッチが
300 μm 以下の製品の原板として使用されるエッチング
性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板を提供するもの
である。
Third, the Ni-segregation is made of an Fe-Ni-based alloy containing 32 to 38 mass% of Ni, and the concentration fluctuation of Ni microsegregation in the direction orthogonal to the rolling direction in the plane to be etched is 2 mass%. And the width of the density fluctuation part is
Characterized in that the orientation ratio of the {100} crystal plane to the rolled surface (%) is 20 to 40% or 80% or more.
An object of the present invention is to provide a low-thermal-expansion alloy thin plate for electronic parts having excellent etching properties, which is used as a base plate for products of 300 μm or less.

【0030】また、第4 に、Ni:23〜38mass% 、Co:7m
ass%以下を含有し、かつNi+Co が32〜38mass% であるFe
-Ni-Co系合金からなり、エッチング加工する面内におけ
る圧延方向に直交する方向についてのNiミクロ偏析の濃
度変動量が2mass%以下であり、かつ濃度変動部の幅が50
0 μm 以下であり、さらに圧延面に対する{100 }結晶
面の配向度比率(%)が20〜40% あるいは80% 以上である
ことを特徴とする、エッチング加工による孔ピッチが30
0 μm 以下の製品の原板として使用されるエッチング性
に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板を提供するもので
ある。
Fourth, Ni: 23-38 mass%, Co: 7 m
Fe containing less than ass% and Ni + Co of 32 to 38 mass%
-Ni-Co-based alloy, the concentration fluctuation amount of Ni micro-segregation in the direction perpendicular to the rolling direction in the plane to be etched is 2 mass% or less, and the width of the concentration fluctuation portion is 50%
0 μm or less and the orientation ratio (%) of {100} crystal plane to the rolled surface is 20 to 40% or 80% or more.
An object of the present invention is to provide a low-thermal-expansion alloy thin plate for electronic components having excellent etching properties, which is used as a base plate for products having a size of 0 μm or less.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0032】本発明では、エッチング加工する面内にお
ける圧延方向に直交する方向についてのNiミクロ偏析の
濃度変動量が2mass%以下、かつNiミクロ偏析の濃度変動
部の幅が500 μm 以下であることが必要である。
In the present invention, the amount of concentration fluctuation of Ni micro-segregation in the direction perpendicular to the rolling direction in the plane to be etched is 2 mass% or less, and the width of the concentration fluctuation portion of Ni micro-segregation is 500 μm or less. is required.

【0033】Niミクロ偏析の濃度変動量が2mass%を超え
ると、Ni成分の濃度変動によるエッチング速度の差が大
きいため、スジむらが発生する。一方、Niミクロ偏析の
濃度変動部の幅が500 μm を超えると、列状に並んだエ
ッチング加工の孔により、エッチング速度の差が生じ、
スジむが発生する。そのため、上記範囲に限定した。
If the variation in the concentration of Ni micro-segregation exceeds 2 mass%, the difference in the etching rate due to the variation in the concentration of the Ni component is large, so that stripe unevenness occurs. On the other hand, when the width of the concentration fluctuation portion of Ni micro-segregation exceeds 500 μm, a difference in etching rate occurs due to the rows of rows of etching processes,
Streaks occur. Therefore, it was limited to the above range.

【0034】また、圧延面に対する{100 }結晶面の配
向度比率を20〜40% あるいは80% 以上にした場合も、深
さ方向のエッチング速度がより均一になり、スジむら発
生を防止する効果がより向上する。
Also, when the orientation ratio of the {100} crystal face to the rolled face is set to 20 to 40% or 80% or more, the etching rate in the depth direction becomes more uniform, and the effect of preventing the occurrence of uneven stripes is obtained. Is more improved.

【0035】また、Niミクロ偏析の濃度変動量が1mass%
以下で、かつ濃度変動部の幅が200μm 以下の範囲内に
ある場合、スジむら発生を防止する効果がより向上す
る。したがって、より優れたエッチング性を得るには、
Niミクロ偏析の濃度変動量を1mass%以下で、かつ濃度変
動部の幅を200 μm 以下にすることがより好ましい。
Further, the concentration fluctuation amount of Ni micro-segregation is 1 mass%.
When the width is less than or equal to 200 μm and the width of the density variation portion is within 200 μm or less, the effect of preventing the occurrence of uneven stripes is further improved. Therefore, in order to obtain better etching properties,
More preferably, the amount of concentration fluctuation of Ni microsegregation is 1 mass% or less, and the width of the concentration fluctuation portion is 200 μm or less.

【0036】特に、Niミクロ偏析の濃度変動量が1mass%
以下で、かつ濃度変動部の幅が200μm 以下の範囲内に
あり、圧延面に対する{100 }結晶面の配向度比率が上
記範囲内にある場合、スジむらが全く発生しないので、
特に好ましい。
In particular, the concentration fluctuation of Ni micro-segregation is 1 mass%.
Below, and the width of the concentration fluctuation portion is within the range of 200μm or less, and when the orientation ratio of the {100} crystal plane to the rolled surface is within the above range, no line unevenness occurs.
Particularly preferred.

【0037】図1 は、エッチング加工の孔ピッチが300
μm 以下の製品の原板となるFe-36mass%Ni合金薄板で、
{100 }結晶面の配向度比率が20〜40% あるいは80% 以
上ある場合について、Niミクロ偏析の濃度変動量、濃度
変動部の幅とスジむら発生の関係を示す図である。図1
中のプロットは後記する実施例に対応するものである
が、実施例において、○〜◎の評価のものは、図1にお
いては、記号○で代表されている。
FIG. 1 shows that the hole pitch of the etching process is 300
Fe-36mass% Ni alloy thin plate that becomes the base plate of products of μm or less,
FIG. 9 is a graph showing the relationship between the concentration fluctuation amount of Ni microsegregation, the width of the concentration fluctuation portion, and the occurrence of streak unevenness when the orientation ratio of the {100} crystal plane is 20 to 40% or 80% or more. FIG.
The plots in the middle correspond to the examples described later. In the examples, the evaluations of 〜 to ◎ are represented by the symbol ○ in FIG.

【0038】図1 に示すように、Niミクロ偏析の濃度変
動量が2mass%以下で、かつ濃度変動部の幅が500 μm 以
下の範囲内では、スジむらがほとんど発生せず、シャド
ウマスク使用上全く問題のない良好なエッチング性が得
られる。また、Niミクロ偏析の濃度変動量が1mass%以下
で、濃度変動部の幅が200 μm 以下の範囲内では、スジ
むらが全く発生していない。
As shown in FIG. 1, when the amount of concentration fluctuation of Ni microsegregation is 2 mass% or less and the width of the concentration fluctuation portion is 500 μm or less, almost no line unevenness occurs, and the shadow mask is not used. Good etching properties without any problem can be obtained. Further, when the amount of concentration fluctuation of Ni micro-segregation is 1 mass% or less and the width of the concentration fluctuation portion is 200 μm or less, no line unevenness occurs.

【0039】本発明において、電子部品の性能を低下さ
せる寸法変化や位置ずれが生じないような十分な低熱膨
張性を得るために、Niを32〜38mass% を含有するFe-Ni
系合金を用いる。このような合金を用いることにより、
室温〜100 ℃の平均熱膨張係数が2.0 ×10-6/ ℃以下で
あるような低熱膨張合金薄板が実現される。
In the present invention, in order to obtain a sufficiently low thermal expansion property so as not to cause dimensional change or misalignment which deteriorates the performance of electronic parts, Fe-Ni containing 32 to 38 mass% of Ni is used.
A system alloy is used. By using such an alloy,
A low-thermal-expansion alloy sheet having an average coefficient of thermal expansion from room temperature to 100 ° C. of 2.0 × 10 −6 / ° C. or less is realized.

【0040】また、本発明の他の形態においては、7mas
s%以下のCoを添加したFe-Ni-Co系合金を用いる。この場
合には、Ni:23〜38mass% 、Co:7mass%以下を含有し、
かつNi+Co が30〜38mass% である。このような組成の合
金を用いることにより、上記Fe-Ni 系合金と同様の低熱
膨張性を得ることができる。Coが7mass%を超えるとエッ
チング性が著しく低下するため、Co量の上限を7mass%と
する。
In another embodiment of the present invention, 7 mass
An Fe-Ni-Co alloy to which s% or less of Co is added is used. In this case, Ni: 23 to 38 mass%, Co: 7 mass% or less,
And Ni + Co is 30 to 38 mass%. By using an alloy having such a composition, the same low thermal expansion property as that of the above-mentioned Fe-Ni-based alloy can be obtained. If Co exceeds 7% by mass, the etching property is significantly reduced, so the upper limit of the amount of Co is set to 7% by mass.

【0041】本発明の合金は、上記元素の他に、さらに
Si≦0.07mass% 、Mn≦0.5mass%、B≦0.02mass% 、N ≦
0.005mass%、O ≦0.002mass%を含有してもよい。これら
の成分が上記範囲で含まれていても本発明の効果は損な
われない。
The alloy of the present invention further comprises, in addition to the above elements,
Si ≦ 0.07mass%, Mn ≦ 0.5mass%, B ≦ 0.02mass%, N ≦
It may contain 0.005 mass% and O 2 ≦ 0.002 mass%. Even if these components are contained in the above range, the effects of the present invention are not impaired.

【0042】これらの元素のうち、Siは溶鋼の脱酸元素
として使用することができるが、過剰に存在すると黒化
処理において板の表層に濃化し、均質で黒色の酸化膜形
成を阻害するため0.07mass% 以下であることが望まし
い。Mnは良好な熱間加工性を確保する上で有用である
が、過剰に存在するとエッチング性を低下させ、また黒
化処理において板の表層に濃化し均質で黒色の酸化膜形
成を阻害するため、0.5mass%以下とすることが望まし
い。B は熱間加工性の向上やスケール生成を抑制する効
果があるが、過剰に存在すると黒化処理において板の表
層に濃化し、均質で黒色の酸化膜形成を阻害するため0.
02mass% 以下とすることが望ましい。N はプレス加工性
の劣化やエッチング性の劣化をもたらすため、0.005mas
s%以下とすることが望ましい。Oはプレス前の軟質化焼
鈍時に結晶粒の成長を阻害し、プレス性形成を劣化させ
るので、0.002mass%以下とすることが望ましい。
Of these elements, Si can be used as a deoxidizing element for molten steel. However, if it is present in excess, it is concentrated in the surface layer of the plate during the blackening treatment, and the formation of a uniform and black oxide film is hindered. It is desirable to be 0.07 mass% or less. Mn is useful for ensuring good hot workability, but if it is present in excess, it reduces the etchability, and because of the blackening treatment, it concentrates on the surface layer of the plate and hinders the formation of a uniform and black oxide film. , 0.5 mass% or less. B has the effect of improving hot workability and suppressing scale formation.However, if it is present excessively, it is concentrated in the surface layer of the plate during the blackening treatment and hinders the formation of a homogeneous black oxide film.
It is desirable to set it to 02 mass% or less. Since N causes deterioration in press workability and etching property, 0.005 mass
It is desirable to be s% or less. O inhibits the growth of crystal grains during softening annealing before pressing and degrades the pressability, so it is preferably 0.002 mass% or less.

【0043】次に、本発明に係る低熱膨張合金薄板の製
造方法について説明する。まず、前記成分組成に調製し
た鋼塊を溶製し、1200〜1300℃で20時間以上の熱処理を
施し、続いて分塊圧延により厚さ160 〜250mm とする。
さらに1050〜1250℃で30分間以上の熱処理を施し、熱間
圧延により厚さ2 〜3mm の熱延鋼板を得る。この熱延鋼
板について、冷間圧延と750 ℃以上での焼鈍を繰り返
し、板厚0.10〜0.25mmの薄板を製造する。この際に、鋼
塊から薄板までの累積圧下率は99.9%以上とする。この
際に、前記本発明のNiミクロ偏析の濃度変動量と濃度変
動部の幅、および圧延面に対する{100 }結晶面の配向
度比率は、前記成分組成の鋼塊を溶製するに際して電磁
攪拌によって成分偏析や異常組織の生成を防止し、さら
に鋼塊の厚さに応じて、鋼塊均熱やスラブ均熱による拡
散熱処理の温度と時間を調整し、冷間圧延率および中間
焼鈍の温度と時間を調整することにより達成することが
できる。
Next, a method for producing a low thermal expansion alloy sheet according to the present invention will be described. First, a steel ingot prepared to the above-mentioned composition is melted and subjected to a heat treatment at 1200 to 1300 ° C. for 20 hours or more, and then to a thickness of 160 to 250 mm by slab rolling.
Further, heat treatment is performed at 1050 to 1250 ° C. for 30 minutes or more, and a hot-rolled steel sheet having a thickness of 2 to 3 mm is obtained by hot rolling. This hot-rolled steel sheet is repeatedly subjected to cold rolling and annealing at 750 ° C. or more to produce a thin sheet having a thickness of 0.10 to 0.25 mm. At this time, the cumulative rolling reduction from the steel ingot to the thin plate is 99.9% or more. At this time, the amount of concentration fluctuation and the width of the concentration fluctuation portion of the Ni micro-segregation of the present invention, and the ratio of the degree of orientation of the {100} crystal plane with respect to the rolling surface are determined by electromagnetic stirring when melting the steel ingot having the above-mentioned composition. Prevents the segregation of components and the formation of an abnormal structure, and further adjusts the temperature and time of diffusion heat treatment by soaking the ingot and soaking the slab according to the thickness of the ingot, reducing the cold rolling rate and the temperature of the intermediate annealing. And by adjusting the time.

【0044】本発明は、エッチング加工される電子部品
用の合金薄板全般を対象とするが、特に高精度のエッチ
ング加工と低熱膨張性が要求されるエッチング加工によ
る孔ピッチが300 μm 以下のシャドウマスク用素材とし
て好適である。本発明における低熱膨張特性を有するFe
-Ni 系またはFe-Ni-Co系合金薄板を素材とするシャドウ
マスクは熱膨張による位置ずれが少ないので、これを用
いたブラウン管の画像は一段と鮮明になる。
The present invention is generally applied to an alloy thin plate for an electronic component to be etched, and in particular, a shadow mask having a hole pitch of 300 μm or less by etching with high precision and low thermal expansion. It is suitable as a material for use. Fe having low thermal expansion characteristics in the present invention
Since a shadow mask made of a -Ni-based or Fe-Ni-Co-based alloy thin plate has a small displacement due to thermal expansion, an image of a CRT using the same becomes sharper.

【0045】[0045]

【実施例】以下、本発明の合金薄板をシャドウマスク用
素材として使用する場合の実施例について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the alloy thin plate of the present invention is used as a material for a shadow mask will be described below.

【0046】表1 に本実施例で用いた鋼の化学成分組成
を示す。ここではシャドウマスク用素材として必要な低
熱膨張特性、黒化処理性およびプレス成形性が得られる
A 〜C の3 種類を溶製した。
Table 1 shows the chemical composition of the steel used in this example. Here, low thermal expansion properties, blackening properties, and press moldability required for shadow mask materials are obtained.
A to C were melted.

【0047】[0047]

【表1】 [Table 1]

【0048】これらの鋼を溶製した鋼塊に対して、1200
〜1300℃で5 〜50時間の熱処理を施し、その後分塊圧延
を行った。一部の材料では、さらに前記で得たスラブに
対して1200〜1300℃で5 〜50時間の熱処理を施し、再び
分塊圧延を行った。引き続き1050〜1150℃で1 〜5 時間
の熱処理を行い、その後熱間圧延して厚さ2.0 〜3.5mm
の熱延鋼板を得た。さらに2 〜4 回の冷間圧延と700 ℃
以上の温度での焼鈍を1 〜3 回繰り返し行い、板厚0.10
〜0.20mmの表2 に示す薄板No.1〜22を製造した。No.1〜
18が本発明例、No.19 〜24が比較例である。
The steel ingot obtained by melting these steels is 1200
Heat treatment was performed at 1300 ° C. for 5 to 50 hours, followed by slab rolling. For some of the materials, the slab obtained above was further subjected to a heat treatment at 1200 to 1300 ° C. for 5 to 50 hours, followed by slab rolling again. Subsequently, heat treatment is performed at 1050-1150 ° C for 1-5 hours, and then hot-rolled to a thickness of 2.0-3.5mm.
Was obtained. Two to four additional cold rollings and 700 ° C
Annealing at the above temperature was repeated 1 to 3 times, and the sheet thickness was 0.10
Thin plates Nos. 1 to 22 shown in Table 2 having a thickness of 0.20 mm were manufactured. No.1 ~
18 is the present invention, and Nos. 19 to 24 are comparative examples.

【0049】なお、Niミクロ偏析の濃度変動量と濃度変
動部の幅、および圧延面に対する{100 }結晶面の配向
度比率は、鋼塊を溶製する際の鋳造条件の調整、鋼塊の
厚さに応じて拡散熱処理の温度・時間の調整、および冷
間圧延率と中間焼鈍の温度・時間の調整により変化させ
た。
The amount of fluctuation in the concentration of Ni microsegregation, the width of the concentration fluctuation portion, and the orientation ratio of the {100} crystal plane to the rolled surface are adjusted by adjusting the casting conditions when melting the steel ingot, The temperature and time of the diffusion heat treatment were adjusted according to the thickness, and the cold rolling reduction and the temperature and time of the intermediate annealing were adjusted.

【0050】前記薄板のNiミクロ偏析の濃度変動量と濃
度変動部の幅、および圧延面に対する{100 }結晶面の
配向度比率を調査した。調査結果を表2 に示す。
The concentration variation of Ni microsegregation in the thin plate, the width of the concentration variation portion, and the orientation ratio of the {100} crystal plane to the rolled surface were investigated. Table 2 shows the survey results.

【0051】Niミクロ偏析の濃度変動量と濃度変動部の
幅は、電子線マイクロアナライザーにより求めた圧延直
角方向の表面のNi濃度分布曲線、具体的には、圧延方向
2mm、圧延直角方向5mm の範囲の面分析を行い、圧延直
角方向5mm の平均Ni濃度分布曲線を求め、このNi濃度分
布曲線から求めた。電子線マイクロアナライザーの測定
条件は、加速電圧:15kV 、電子ビーム直径: 20μm であ
る。
The concentration fluctuation amount of Ni microsegregation and the width of the concentration fluctuation portion are determined by the Ni concentration distribution curve of the surface in the direction perpendicular to the rolling obtained by the electron beam microanalyzer, specifically, the rolling direction.
A surface analysis was performed in a range of 2 mm and a direction perpendicular to the rolling direction of 5 mm, and an average Ni concentration distribution curve in a direction perpendicular to the rolling direction of 5 mm was obtained. The measurement conditions of the electron beam microanalyzer are: acceleration voltage: 15 kV, electron beam diameter: 20 μm.

【0052】また、前記薄板についてエッチング性を評
価した。その結果も表2に示す。エッチング性の評価
は、電子ビーム通過孔の孔径が120 μm φ、孔ピッチ27
0μm のフォトマスクを使用してフォトエッチング穿孔
試験を行い、加工後のシャドウマスクの外観についてス
ジむらの程度を判定した(n=4) 。このときのフォトエッ
チングは、液温60℃、47ボーメ濃度の塩化第二鉄水溶液
をスプレー圧2.0kgf/cm2でスプレー処理する条件で行っ
た。スジむらの程度は、一方向光源を用いた透過光およ
び反射光による目視観察によって、下記の基準により判
定した。 ◎:スジむらが全くないもの ○:微小なスジむらのあるもの ×:強いスジむらのあるもの
Further, the etching property of the thin plate was evaluated. Table 2 also shows the results. The etching performance was evaluated as follows: the electron beam passage hole diameter was 120 μm φ, and the hole pitch was 27
A photoetching perforation test was performed using a photomask of 0 μm, and the degree of uneven stripes was determined for the appearance of the processed shadow mask (n = 4). The photo-etching at this time was performed under the conditions of spraying an aqueous solution of ferric chloride having a solution temperature of 60 ° C. and a concentration of 47 Baume at a spray pressure of 2.0 kgf / cm 2 . The degree of streak unevenness was determined by visual observation using transmitted light and reflected light using a one-way light source according to the following criteria. ◎: No uneven streaks ○: Fine uneven streaks ×: Strong uneven streaks

【0053】[0053]

【表2】 [Table 2]

【0054】表2 に示すように、本発明例のNo.1〜18で
は、スジむらの発生がなく、あるいは発生しても微小で
ある。これに対して、比較例のNo.19〜24は、いずれもN
iのミクロ偏析の濃度変動量あるいは濃度変動部の幅が
大きすぎたために、Ni成分の濃度変動による相対的なエ
ッチング速度の差が助長されて、強いスジむらが発生し
た。
As shown in Table 2, in Nos. 1 to 18 of the examples of the present invention, no or no streak unevenness occurs. On the other hand, in Comparative Examples Nos. 19 to 24,
Since the amount of concentration fluctuation of i microsegregation or the width of the concentration fluctuation part was too large, the difference in the relative etching rate due to the fluctuation of the concentration of the Ni component was promoted, and strong stripe unevenness occurred.

【0055】また、本発明例の内、Ni濃度変動部の幅が
200 μm 以下で濃度変動量が1mass%以下、または圧延面
に対する{100 }結晶面の配向度比率が20〜40% あるい
は80% 以上のいずれか一方を満足するものは、エッチン
グ性の評価が○〜◎であり、前記条件を満足しない発明
例に比べて、スジむらの発生がより少ない。
In the examples of the present invention, the width of the Ni concentration fluctuation portion is
If the concentration variation is less than 200 mass% or less than 1 mass%, or the orientation ratio of the {100} crystal plane to the rolled surface satisfies one of 20% to 40% or 80% or more, the etching property is evaluated as good. To ◎, and less occurrence of streak unevenness as compared with the invention examples which do not satisfy the above conditions.

【0056】Ni濃度変動部の幅が200 μm 以下で濃度変
動量が1mass%以下、かつ圧延面に対する{100 }結晶面
の配向度比率が20〜40% あるいは80% 以上のものは、エ
ッチング性の評価が◎であり、スジむらが全く発生して
いない。
If the width of the Ni concentration fluctuation portion is 200 μm or less, the concentration fluctuation amount is 1 mass% or less, and the orientation ratio of the {100} crystal plane to the rolled surface is 20 to 40% or 80% or more, Is evaluated as ス, and no line unevenness occurs.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特定組成のFe-Ni 系合金またはFe-Ni-Co系合金を素材と
して用い、Niミクロ偏析の濃度変動量と濃度変動部の幅
を所定の範囲に規定することにより、あるいはさらに圧
延面に対する{100 }結晶面の配向度比率を所定の範囲
に規定することにより、スジむら等のエッチング不良の
発生のないエッチング性に優れた電子部品用の低熱膨張
合金薄板が得られる。
As described above, according to the present invention,
By using a Fe-Ni-based alloy or a Fe-Ni-Co-based alloy having a specific composition as a raw material, the amount of fluctuation of the concentration of Ni microsegregation and the width of the concentration fluctuation portion are defined within a predetermined range, or furthermore, the distance between the rolling surface and By defining the orientation ratio of the 100 ° crystal plane in a predetermined range, a low thermal expansion alloy thin plate for electronic components having excellent etching properties without occurrence of etching defects such as uneven stripes can be obtained.

【0058】本発明の薄板は、エッチング加工による孔
ピッチが300 μm 以下の製品の原板として使用される電
子部品用低熱膨張合金薄板として好適である。本発明の
薄板は、高精度の加工が必要なコンピューターディスプ
レィに使用されるシャドウマスク用素材に使用すること
ができる。
The thin plate of the present invention is suitable as a low-thermal-expansion alloy thin plate for electronic parts used as a base plate of a product having a hole pitch of 300 μm or less by etching. The thin plate of the present invention can be used as a material for a shadow mask used in a computer display requiring high-precision processing.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】Niミクロ偏析とスジむら発生の関係を示す図。FIG. 1 is a diagram showing the relationship between Ni microsegregation and the occurrence of uneven stripes.

【図2】電子線マイクロアナライザーによるNiミクロ偏
析の状態を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a state of Ni microsegregation by an electron beam microanalyzer.

【図3】エッチング加工後のシャドウマスクのスジむら
の発生状態を示す模式図。
FIG. 3 is a schematic diagram showing a state in which stripe unevenness occurs in a shadow mask after etching.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大村 雅紀 東京都千代田区丸の内一丁目1番2号 日 本鋼管株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Masaki Omura 1-1-2 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Nihon Kokan Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 Ni:32〜38mass% を含有するFe-Ni 系合
金からなり、エッチング加工する面内における圧延方向
に直交する方向についてのNiミクロ偏析の濃度変動量が
2mass%以下であり、かつNiミクロ偏析の濃度変動部の幅
が500 μm 以上であることを特徴とする、エッチング加
工による孔ピッチが300 μm 以下の製品の原板として使
用されるエッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金
薄板。
1. Ni: Fe--Ni-based alloy containing 32 to 38 mass%, and the concentration fluctuation amount of Ni micro-segregation in a direction perpendicular to a rolling direction in a plane to be etched is reduced.
2 mass% or less, and the width of the concentration fluctuation part of Ni micro-segregation is 500 μm or more.Excellent etchability used as a base plate for products with a hole pitch of 300 μm or less by etching. Low thermal expansion alloy sheet for electronic parts.
【請求項2】 Ni:23〜38mass% 、Co:7mass%以下を含
有し、かつNi+Co が32〜38mass% であるFe-Ni-Co系合金
からなり、エッチング加工する面内における圧延方向に
直交する方向についてのNiミクロ偏析の濃度変動量が2m
ass%以下であり、かつNiミクロ偏析の濃度変動部の幅が
500 μm 以下であることを特徴とする、エッチング加工
による孔ピッチが300 μm 以下の製品の原板として使用
されるエッチング性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄
板。
2. A rolling direction in a plane to be etched, comprising a Fe-Ni-Co alloy containing Ni: 23-38 mass% and Co: 7 mass% or less, and Ni + Co being 32-38 mass%. Concentration fluctuation of Ni micro-segregation in the direction perpendicular to
ass% or less, and the width of the concentration fluctuation portion of Ni microsegregation is
A low thermal expansion alloy sheet for electronic components with excellent etching properties, used as a base plate of a product having a hole pitch of 300 μm or less by etching, characterized by being 500 μm or less.
【請求項3】 Ni:32〜38mass% を含有するFe-Ni 系合
金からなり、エッチング加工する面内における圧延方向
に直交する方向についてのNiミクロ偏析の濃度変動量が
2mass%以下であり、かつNiミクロ偏析の濃度変動部の幅
が500 μm 以下であり、さらに圧延面に対する{100 }
結晶面の配向度比率(%)が20〜40%あるいは80%以上で
あることを特徴とする、エッチング加工による孔ピッチ
が300μm 以下の製品の原板として使用されるエッチン
グ性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板。
3. Ni: An Fe-Ni-based alloy containing 32 to 38 mass%, and the concentration fluctuation amount of Ni micro-segregation in a direction perpendicular to a rolling direction in a plane to be etched is reduced.
2 mass% or less, and the width of the concentration fluctuation portion of Ni micro-segregation is 500 μm or less, and {100}
For use in electronic parts with excellent etching properties, used as a base plate for products with a hole pitch of 300 μm or less by etching, characterized by a crystal plane orientation ratio (%) of 20-40% or 80% or more. Low thermal expansion alloy sheet.
【請求項4】 Ni:23〜38mass% 、Co:7mass%以下を含
有し、かつNi+Co が32〜38mass% であるFe-Ni-Co系合金
からなり、エッチング加工する面内における圧延方向に
直交する方向についてのNiミクロ偏析の濃度変動量が2m
ass%以下であり、かつNiミクロ偏析の濃度変動部の幅が
500 μm 以下であり、さらに圧延面に対する{100 }結
晶面の配向度比率(% )が20〜40% あるいは80% 以上で
あることを特徴とする、エッチング加工による孔ピッチ
が300 μm 以下の製品の原板として使用されるエッチン
グ性に優れた電子部品用低熱膨張合金薄板。
4. A rolling direction in a plane to be etched, comprising a Fe-Ni-Co alloy containing Ni: 23-38 mass%, Co: 7 mass% or less, and Ni + Co being 32-38 mass%. Concentration fluctuation of Ni micro-segregation in the direction perpendicular to
ass% or less, and the width of the concentration fluctuation portion of Ni microsegregation is
A product with a hole pitch of 300 μm or less, characterized in that the orientation ratio of the {100} crystal plane to the rolled surface (%) is 20 to 40% or 80% or more. Low-thermal-expansion alloy thin plate for electronic components with excellent etching properties used as a base plate for aluminum.
JP11110697A 1997-04-28 1997-04-28 Low thermal expansion alloy sheet for electronic parts, excellent in etching characteristic Pending JPH10306349A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001098345A (en) * 1999-09-29 2001-04-10 Nippon Mining & Metals Co Ltd Fe-Ni ALLOY FOR SHADOW MASK, AND ITS MANUFACTURE
JP2014101543A (en) * 2012-11-20 2014-06-05 Jx Nippon Mining & Metals Corp Metal mask material and metal mask

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