JPH10288743A - Multi-beam scan method and controller therefor - Google Patents

Multi-beam scan method and controller therefor

Info

Publication number
JPH10288743A
JPH10288743A JP10031115A JP3111598A JPH10288743A JP H10288743 A JPH10288743 A JP H10288743A JP 10031115 A JP10031115 A JP 10031115A JP 3111598 A JP3111598 A JP 3111598A JP H10288743 A JPH10288743 A JP H10288743A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
scanning direction
sample
beams
semiconductor laser
scanning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10031115A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshihiro Motoi
俊博 本井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP10031115A priority Critical patent/JPH10288743A/en
Publication of JPH10288743A publication Critical patent/JPH10288743A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Laser Beam Printer (AREA)
  • Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
  • Facsimile Scanning Arrangements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multi-beam scan method and a multi-beam scan controller capable of stabilizing a light quantity of a multi-beam and precisely detecting a laser beam becoming a reference of correction of a write-start position and optical axial deviation. SOLUTION: In a semiconductor laser control circuit deflecting the multi-beam emitted from plural semiconductor lasers 11a, 11b by a polygon mirror 13, converging them to a spot by an fθ lens 14, etc., and scanning it on an image carrier 1, this device is provided with a bias current source subjecting the multi- beam light quantity to sample-and-hold at every one scan line by a sample-and- hold circuit and stabilizing the multi-beam light quantity based on a signal subjected to sample-and-hold, and a synchronous control circuit detecting the surface position of the polygon mirror 13 by making the multi-beam incident on an index sensor 16 and synchronizing the multi-beam, and ends sample processing when the multi-beam L1, L2 arrive at this side of the light receiving part of the index sensor 16.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マルチビームを回
転多面鏡により偏向して結像光学系でスポットに絞って
像担持体上を複数の走査ラインで同時に走査するマルチ
ビーム走査方法及びこれを用いるマルチビーム走査制御
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-beam scanning method in which a multi-beam is deflected by a rotary polygon mirror, focused on a spot by an imaging optical system, and simultaneously scanned on an image carrier by a plurality of scanning lines. The present invention relates to a multi-beam scanning control device used.

【0002】[0002]

【従来の技術】高速記録の要請を達成するために複数の
半導体レーザから照射されるマルチビームを回転多面鏡
などにより偏向して結像光学系でスポットに絞って像担
持体上に複数ライン同時に走査し、像担持体を主走査方
向と直行する副走査方向に回転させながら二次元画像を
形成するマルチビーム走査制御装置が知られている(特
開平2−188713号公報等参照)。マルチビーム走
査制御装置は、マルチビームを主走査方向及び副走査方
向での光軸ずれを防止するために基準となるビームをも
とにズレ量を補正して同期制御を行う必要がある。かか
る同期制御を採用するマルチビーム走査制御装置は、像
担持体面近傍に配設したインデックスセンサによりマル
チビームの像担持体の主走査方向における入射位置を検
出して水平同期信号を得ている。一方、像担持体に形成
される潜像電位を安定させるために1走査ライン毎にサ
ンプルホールドした信号に基づいて半導体レーザの光量
を安定化させる方法があり、以下、これをラインAPC
と略称する。
2. Description of the Related Art In order to meet the demand for high-speed recording, a multi-beam emitted from a plurality of semiconductor lasers is deflected by a rotary polygon mirror or the like, focused on a spot by an imaging optical system, and simultaneously formed on an image carrier by a plurality of lines. 2. Description of the Related Art A multi-beam scanning control device that forms a two-dimensional image while scanning and rotating an image carrier in a sub-scanning direction orthogonal to a main scanning direction is known (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-188713). The multi-beam scanning control device needs to correct a shift amount based on a reference beam and perform synchronous control in order to prevent optical axis deviation of the multi-beam in the main scanning direction and the sub-scanning direction. The multi-beam scanning control device adopting such synchronization control obtains a horizontal synchronization signal by detecting the incident position of the multi-beam in the main scanning direction of the image carrier by an index sensor arranged near the image carrier surface. On the other hand, there is a method of stabilizing the light amount of the semiconductor laser based on a signal sampled and held for each scanning line in order to stabilize the potential of a latent image formed on the image carrier.
Abbreviated.

【0003】図13は従来のマルチでないビーム走査制
御回路の動作を示すタイムチャートである。図13
(a)はサンプル/ホールド状態を示すタイムチャート
であり、ハイレベルでサンプル状態であり、ローレベル
でホールド状態である。図13(b)は画像データの入
力状態を示したタイムチャートであり、図13(c)は
半導体レーザの駆動電流を示すタイムチャートであり、
図13(d)は基準ビームの位置検出出力を示したタイ
ムチャートである。
FIG. 13 is a time chart showing the operation of a conventional non-multi beam scanning control circuit. FIG.
(A) is a time chart showing a sample / hold state, where a high level indicates a sample state and a low level indicates a hold state. FIG. 13B is a time chart showing an input state of image data, and FIG. 13C is a time chart showing a drive current of the semiconductor laser.
FIG. 13D is a time chart showing the reference beam position detection output.

【0004】図13に示すタイムチャートから従来の単
独ビームにおけるラインAPC走査制御回路は、いわゆ
るラインAPCのためのサンプル処理の終わりにインデ
ックスセンサからの検出信号で水平同期信号を得ていた
ことがわかる。
From the time chart shown in FIG. 13, it can be seen that the conventional line APC scanning control circuit for a single beam has obtained a horizontal synchronizing signal with a detection signal from an index sensor at the end of a so-called line APC sampling process. .

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述の
ような単独ビームにおけるラインAPCの制御タイミン
グでマルチビーム走査制御を実施しようとした場合、イ
ンデックスセンサに入射されるマルチビームの光量が適
正に制御されずにビームの位置検出を行うためにインデ
ックスセンサに入射される複数のレーザビームのうち基
準となるレーザビームを検出しづらいという不具合があ
った。これを以下に詳細に説明する。
However, when the multi-beam scanning control is to be performed at the control timing of the line APC in the single beam as described above, the light amount of the multi-beam incident on the index sensor is properly controlled. Therefore, there is a problem that it is difficult to detect a reference laser beam among a plurality of laser beams incident on the index sensor in order to detect the position of the beam. This will be described in detail below.

【0006】図14はマルチビームのインデックスセン
サの走査状態を示した概念図である。
FIG. 14 is a conceptual diagram showing a scanning state of a multi-beam index sensor.

【0007】各レーザビームに主走査方向の光軸ずれが
なければ、図14(a)に示すようにマルチビームがイ
ンデックスセンサの受光部に同時入力されることにな
り、図14(d)に示すように単独よりもインデックス
センサで受光する光量が増大して入力されることにな
る。かかる現象は基準となるビームをもとにズレ量を検
出して補正し、同期制御を行わせている場合に誤動作の
要因となる。
If there is no optical axis shift in the main scanning direction of each laser beam, as shown in FIG. 14A, a multi-beam is simultaneously inputted to the light receiving portion of the index sensor, and as shown in FIG. As shown in the figure, the amount of light received by the index sensor is larger than that of the index sensor alone. Such a phenomenon causes a malfunction when the shift amount is detected and corrected based on the reference beam and the synchronous control is performed.

【0008】各レーザビームに主走査方向の光軸ずれが
あれば、図14(b)に示すように基準となるレーザビ
ームが先に入力されるとは限らない。検出回路は先に入
力される信号を基準と判断してしまい、しがって、図1
4(c)に示すように基準となるレーザビームを正確に
検出することできず、正確なズレ量の検出と補正ができ
ない。
If each laser beam has an optical axis shift in the main scanning direction, a reference laser beam is not always input first as shown in FIG. The detection circuit judges the signal input first as a reference, and accordingly, the detection circuit shown in FIG.
As shown in FIG. 4 (c), the reference laser beam cannot be accurately detected, and the deviation amount cannot be accurately detected and corrected.

【0009】本発明の目的は、上記問題点に鑑みされた
ものであり、ラインAPCを使用したマルチビームの光
量制御において書き出し位置や光軸ずれの補正の基準と
なるレーザビームを正確に検出することができるマルチ
ビーム走査方法及びこれに用いるマルチビーム走査装置
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the above problems, and to accurately detect a laser beam serving as a reference for correction of a writing start position and an optical axis shift in a multi-beam light amount control using a line APC. It is an object of the present invention to provide a multi-beam scanning method and a multi-beam scanning device used therefor.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的は、以下の構成
によって達成される。
The above object is achieved by the following constitution.

【0011】(1) 半導体レーザから照射されるマル
チビームの光量を1走査ライン毎にサンプルホールド
し、当該サンプルホールドした信号に基づいて前記マル
チビームの光量を安定させ、基準となるビームをインデ
ックスセンサに入射することにより、回転多面鏡の面位
置を検出し、前記マルチビームを同期させるマルチビー
ム走査方法であって、前記マルチビームが前記インデッ
クスセンサの受光部に到達するまでに前記マルチビーム
の光量の制御を終了することを特徴とするマルチビーム
走査方法。
(1) The light quantity of the multi-beam emitted from the semiconductor laser is sampled and held for each scanning line, and the light quantity of the multi-beam is stabilized based on the sampled and held signal. A multi-beam scanning method for detecting the surface position of the rotary polygon mirror and synchronizing the multi-beams by detecting the position of the multi-beams. A multi-beam scanning method characterized by terminating the control of (1).

【0012】(2) 半導体レーザから照射されるマル
チビームの光量を1走査ライン毎にサンプルホールド回
路でサンプルホールドし、当該サンプルホールドした信
号に基づいて前記マルチビームの光量を安定させる自動
光量制御回路と、基準となるビームをインデックスセン
サに入射することにより、回転多面鏡の面位置を検出
し、前記マルチビームを同期させる同期制御回路とを有
するマルチビーム走査制御装置において、前記マルチビ
ームが前記インデックスセンサの受光部に到達するまで
に前記自動光量制御回路で光量の制御を終了することを
特徴とするマルチビーム走査制御装置。
(2) An automatic light amount control circuit which samples and holds the light amount of the multi-beam emitted from the semiconductor laser for each scanning line by a sample-and-hold circuit and stabilizes the light amount of the multi-beam based on the sample-held signal. A multi-beam scanning control device having a synchronization control circuit for detecting a surface position of the rotating polygon mirror by synchronizing the multi-beam by irradiating a reference beam to the index sensor, and A multi-beam scanning control device, wherein the control of the light quantity is completed by the automatic light quantity control circuit until the light quantity reaches the light receiving portion of the sensor.

【0013】(3) 前記マルチビームが前記インデッ
クスセンサを通過する際に前記サンプルホールド回路を
ホールド状態にすることを特徴とする(2)に記載のマ
ルチビーム走査制御装置。
(3) The multi-beam scanning control apparatus according to (2), wherein the sample-and-hold circuit is held when the multi-beam passes through the index sensor.

【0014】(4) 前記同期制御回路は基準となるビ
ームが前記インデックスセンサに入射して得られた基準
信号を基に主走査方向及び副走査方向の位置ズレを検出
して補正することを特徴とする(2)又は(3)に記載
のマルチビーム走査制御装置。
(4) The synchronous control circuit detects and corrects positional deviation in the main scanning direction and the sub-scanning direction based on a reference signal obtained when a reference beam is incident on the index sensor. The multi-beam scanning control device according to (2) or (3).

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本実施の形態におけるマルチビー
ム走査方法及びそのマルチビーム走査制御装置を説明す
るに先立ち、その制御対象となる走査光学系を図1及び
図2を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Before describing a multi-beam scanning method and a multi-beam scanning control device according to this embodiment, a scanning optical system to be controlled will be described with reference to FIGS.

【0016】図1は本実施の形態におけるアレイ状構造
の一個の半導体チップから出力されるマルチビームを使
用したレーザプリンタの走査光学系を示す斜視図であ
り、図2はインデックスセンサの詳細構成を示す模式図
である。尚、本発明はアレイ状構造の一個の半導体チッ
プの半導体レーザに限定されずに複数の半導体チップの
半導体レーザを使用した場合にも同様に適用される。
FIG. 1 is a perspective view showing a scanning optical system of a laser printer using a multi-beam output from one semiconductor chip of an array structure in the present embodiment, and FIG. 2 shows a detailed configuration of an index sensor. FIG. Note that the present invention is not limited to a semiconductor laser of one semiconductor chip in an array structure, and is similarly applied to a case where semiconductor lasers of a plurality of semiconductor chips are used.

【0017】走査光学系10は、画像データに応じて変
調された画像信号により半導体レーザ11a,11bを
発振してマルチビームL1,L2を照射し、かかるマル
チビームL1,L2を所定速度で回転するポリゴンミラ
ー13で偏向させ、fθレンズ14等によって像担持体
1上に600DPI相当にするスポットに絞ってマルチ
ビームL1,L2を平行に走査させて2ラインの潜像を
同時に形成するものであり、光源ユニット11とコリメ
ータレンズ12とポリゴンミラー13とfθレンズ14
と反射鏡15とインデックスセンサ16とからなる。
The scanning optical system 10 oscillates the semiconductor lasers 11a and 11b based on an image signal modulated in accordance with image data to irradiate the multi-beams L1 and L2, and rotates the multi-beams L1 and L2 at a predetermined speed. The multi-beams L1 and L2 are deflected by the polygon mirror 13, focused on a spot equivalent to 600 DPI on the image carrier 1 by the fθ lens 14 or the like, and are scanned in parallel to form two lines of latent images simultaneously. Light source unit 11, collimator lens 12, polygon mirror 13, fθ lens 14
, A reflecting mirror 15 and an index sensor 16.

【0018】本実施の形態において、マルチビームL
1,L2の走査する方向を主走査方向とし、像担持体1
の移動方向を副走査方向とする。像担持体1はマルチビ
ームL1,L2の走査に同期して回転駆動することによ
り、マルチビームL1,L2と像担持体1とが相対的に
副走査方向に移動するので、画像データに対応した像露
光が2ライン同時になされ、2次元の静電潜像が像担持
体1上に記録される。
In this embodiment, the multi-beam L
The scanning direction of L1, L2 is the main scanning direction, and the image carrier 1
Is the sub-scanning direction. The image carrier 1 is driven to rotate in synchronization with the scanning of the multi-beams L1 and L2, so that the multi-beams L1 and L2 and the image carrier 1 relatively move in the sub-scanning direction. Image exposure is performed simultaneously on two lines, and a two-dimensional electrostatic latent image is recorded on the image carrier 1.

【0019】光源ユニット11は、2つの半導体レーザ
発光部11a,11bを1列に配置してあり、半導体レ
ーザ発光部11a,11bの半導体の素材としてGaA
lAs等が用いられ、最大出力10mWであり、光効率
25%であり、拡がり角として接合面平行方向8〜16
°、接合面垂直方向20〜36°である。かかる構成を
備えることにより、光源ユニット11は2つの発散光を
照射することになる。
The light source unit 11 has two semiconductor laser light emitting portions 11a and 11b arranged in a line, and GaAs is used as a semiconductor material of the semiconductor laser light emitting portions 11a and 11b.
lAs, etc., the maximum output is 10 mW, the light efficiency is 25%, and the spread angle is 8 to 16 in the direction parallel to the bonding surface.
°, and the bonding surface perpendicular direction is 20 to 36 °. With such a configuration, the light source unit 11 emits two divergent lights.

【0020】コリメータレンズ12は、光源ユニット1
1から照射される2つの発散光を集光して2つの平行な
光束であるマルチビームL1,L2とするものである。
The collimator lens 12 includes the light source unit 1
The two divergent lights emitted from 1 are condensed into multi-beams L1 and L2, which are two parallel light fluxes.

【0021】なお、マルチビームL1,L2の何れかひ
とつを指す場合、レーザビームL1又はレーザビームL
2という。
When any one of the multi beams L1 and L2 is indicated, the laser beam L1 or the laser beam L
Two.

【0022】ポリゴンミラー13は、偏向光学系に相当
するものであり、ビームを集光すると共に走査面の平坦
化を実現するためにペッパール和と非点隔差を小さくす
るものであり、コリメータレンズ12から入射したマル
チビームL1,L2を偏向してfθレンズ14に出射す
る。なお、補正光学系(図示せず)を光路中に設けるこ
とにより、ポリゴンミラー13の面倒れ誤差による走査
線のピッチむらを低減している。
The polygon mirror 13 is equivalent to a deflecting optical system. The polygon mirror 13 condenses a beam and reduces a Pepper's sum and an astigmatic difference in order to realize a flat scanning surface. The multi-beams L1 and L2 incident from the lens are deflected and emitted to the fθ lens. By providing a correction optical system (not shown) in the optical path, it is possible to reduce the scanning line pitch unevenness due to the surface tilt error of the polygon mirror 13.

【0023】fθレンズ14は走査面の平坦化を実現す
るためにペッパール和と非点隔差を小さくし、像面湾曲
を除去するものである。fθレンズ14の後方にはマル
チビームL1,L2を結像する結像光学系を設けてあ
る。
The fθ lens 14 reduces the Pepper's sum and the astigmatic difference in order to realize the flattening of the scanning surface, and removes the field curvature. An imaging optical system for imaging the multi-beams L1 and L2 is provided behind the fθ lens 14.

【0024】反射鏡15は、走査ラインの先端にマルチ
ビームL1,L2が照射されたときに、マルチビームL
1,L2をインデックスセンサ16に導くものである。
When the multi-beams L1 and L2 are applied to the tip of the scanning line, the multi-beam L
1 and L2 are led to the index sensor 16.

【0025】インデックスセンサ16はポリゴンミラー
13によって偏向されたマルチビームL1,L2の走査
開始点を検出するものであり、図2に示すように直角三
角形状の受光部を設けたセンサ16A,16B,16
C,16Dを主走査方向に配置して一体に形成してあ
る。
The index sensor 16 detects the scanning start point of the multi-beams L1 and L2 deflected by the polygon mirror 13, and as shown in FIG. 2, sensors 16A, 16B, 16
C and 16D are arranged integrally in the main scanning direction.

【0026】センサ16Aは、図2に示すように直角三
角形状の受光部の直角挟角を構成する2辺のうちの長辺
16Alを主走査方向始端側の端縁とし、かつ、長辺1
6Alが主走査方向に直交する(副走査方向に平行す
る)ように配置してある。センサ16Bは、図2に示す
ように直角三角形状の受光部の斜辺16Bsを主走査方
向始端側の端縁とし、かつ、斜辺16Bsを長辺と斜辺
とがなす角度で主走査方向に斜めに交差するように配置
してある。センサ16Dは、図2に示すように副走査方
向を上下としたときに、センサ16Aの受光部の配置状
態を上下反転させたように配置してある。
As shown in FIG. 2, the sensor 16A has the long side 16Al of the two sides forming the right angle of the right-angled triangular light receiving section as the edge on the starting end side in the main scanning direction, and the long side 1Al.
6Al are arranged so as to be orthogonal to the main scanning direction (parallel to the sub-scanning direction). As shown in FIG. 2, the sensor 16B has the oblique side 16Bs of the right triangular light receiving portion as an edge on the starting end side in the main scanning direction, and the oblique side 16Bs is oblique in the main scanning direction at an angle formed by the long side and the oblique side. They are arranged to intersect. The sensor 16D is arranged such that when the sub-scanning direction is up and down as shown in FIG. 2, the arrangement of the light receiving sections of the sensor 16A is upside down.

【0027】センサ16Cは、図2に示すようにセンサ
16Aと副走査方向に沿った軸に対してその受光部が軸
対称となるように配置してある。かかるセンサ16A〜
16Dの配列によって、センサ16Aの主走査方向始端
側の端縁とセンサ16Dの主走査方向始端側の端縁とは
副走査方向に沿って平行となり、かつ、センサ16Bの
主走査方向始端側の端縁とセンサ16Cとは相互に非平
行となっている。
As shown in FIG. 2, the sensor 16C is arranged so that its light receiving portion is axially symmetric with respect to an axis along the sub-scanning direction with the sensor 16A. Such sensors 16A-
Due to the arrangement of 16D, the edge of the sensor 16A on the start side in the main scanning direction and the edge of the sensor 16D on the start side in the main scanning direction are parallel to each other in the sub-scanning direction, and the sensor 16B is on the starting end side in the main scanning direction. The edge and the sensor 16C are not parallel to each other.

【0028】例えば、マルチビームL1,L2が図2に
示すようにセンサ16A,16B,16D,16Cの順
で走査すれば、センサ16AによるレーザビームL1の
検知始端位置がa1となり、センサ16Aによるレーザ
ビームL2の検知始端位置がa2となる。以下同様に、
センサ16B〜16DによるマルチビームL1,L2の
検知始端位置をb1,b2,c1,c2,d1,d2と
なる。これによって、各センサ16A,16B,16
C,16Dから検知信号は立ち上がることになる。
For example, if the multi-beams L1 and L2 scan in the order of the sensors 16A, 16B, 16D and 16C as shown in FIG. 2, the detection start position of the laser beam L1 by the sensor 16A becomes a1, and the laser by the sensor 16A The detection start end position of the beam L2 is a2. Similarly,
The detection start positions of the multi-beams L1 and L2 by the sensors 16B to 16D are b1, b2, c1, c2, d1, and d2. Thereby, each sensor 16A, 16B, 16
The detection signal rises from C and 16D.

【0029】本実施の形態におけるマルチビームL1,
L2の副走査方向における間隔ずれの測定手法を説明す
る。
In the present embodiment, the multi-beams L1,
A method of measuring the gap in the sub-scanning direction of L2 will be described.

【0030】図3は副走査方向のずれを検出するための
原理を説明する模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the principle for detecting a shift in the sub-scanning direction.

【0031】センサ16Bとセンサ16Cとは、図2に
示したと同様にそれぞれの受光部の主走査方向始端側の
端縁が相互に非平行となるように主走査方向に並べて配
設されるから、端縁間の距離は、主走査方向に直交する
副走査方向に沿って変化することになる。これは、レー
ザビームL1のみを点灯させ、センサ16B,16Cに
検知させた場合、センサ16Bのビーム検知の立ち上が
り(b1)から、センサ16Cのビーム検知の立ち上が
り(c1)までの時間間隔T1は、副走査方向における
走査位置によって変化することを意味し、レーザビーム
L1に代えてレーザビームL2のみを点灯させ、同様に
レーザビームL2がセンサ16A〜16D上を走査した
ときに、センサ16Bのビーム検知の立ち上がり(b
2)から、センサ16Cのビーム検知の立ち上がり(c
2)までの時間間隔T2も副走査方向における走査位置
によって変化することを意味する。従って、マルチビー
ムL1,L2について、それぞれに立ち上がり間隔時間
T1,T2を測定すると、各マルチビームL1,L2に
おける間隔時間の偏差T3は、各マルチビームL1,L
2の副走査方向における間隔に相関する値となり、しか
も、副走査方向におけるレーザビームの間隔の変化(以
下、これを副走査方向における光軸のずれという。)を
示す。
The sensors 16B and 16C are arranged side by side in the main scanning direction such that the edges of the light receiving portions on the starting end side in the main scanning direction are not parallel to each other, as shown in FIG. The distance between the edges changes along the sub-scanning direction orthogonal to the main scanning direction. This is because when only the laser beam L1 is turned on and the sensors 16B and 16C detect it, the time interval T1 from the rising edge (b1) of the beam detection of the sensor 16B to the rising edge (c1) of the beam detection of the sensor 16C is: It means that it changes depending on the scanning position in the sub-scanning direction, and only the laser beam L2 is turned on instead of the laser beam L1. Similarly, when the laser beam L2 scans over the sensors 16A to 16D, the beam detection of the sensor 16B is performed. Rise (b
From 2), the rising of the beam detection of the sensor 16C (c)
The time interval T2 up to 2) also varies depending on the scanning position in the sub-scanning direction. Therefore, when the rise interval times T1 and T2 are measured for the multibeams L1 and L2, respectively, the deviation T3 of the interval time in each of the multibeams L1 and L2 becomes
2 is a value correlated with the interval in the sub-scanning direction, and indicates a change in the interval between laser beams in the sub-scanning direction (hereinafter, this is referred to as a shift of the optical axis in the sub-scanning direction).

【0032】そこで、マルチビームL1,L2の副走査
方向における間隔が正規の状態であるときに対応する偏
差T3の基準値と、前述の計測により求められた偏差T
3との差を、間隔のずれ量に相当する値として求める。
Therefore, the reference value of the deviation T3 corresponding to the case where the interval between the multi-beams L1 and L2 in the sub-scanning direction is normal, and the deviation T3 obtained by the above-described measurement.
3 is determined as a value corresponding to the amount of deviation of the interval.

【0033】偏差T3の基準値は、レーザビームL1が
センサ16B,16Cで検知される副走査方向における
位置b1,c1を基準位置として想定したときに、例え
ばレーザビームL2の走査位置が副走査方向にずれた場
合、レーザビームL2がセンサ16B,16Cで検知さ
れる副走査方向における位置b2,c2は、センサ16
B,16Cの検知始端側端縁の間隔が、下方に行くに従
って主走査方向の両側に広がるよう構成されていること
によって、位置b2は走査の始端側にずれ、逆に、位置
c2は走査の終端側にずれることになり、以て、時間T
2が長くなり、時間T3が基準に対してより長くなる。
従って、時間T3と基準値との偏差を求めれば、走査速
度とセンサ16B,16Cにおける斜辺の角度との情報
に基づいて、マルチビームL1,L2の間隔のずれ量を
算出する。
The reference value of the deviation T3 is, for example, when the positions b1 and c1 in the sub-scanning direction where the laser beam L1 is detected by the sensors 16B and 16C are assumed to be the reference positions, the scanning position of the laser beam L2 is in the sub-scanning direction. , The positions b2 and c2 in the sub-scanning direction where the laser beam L2 is detected by the sensors 16B and 16C are different from those of the sensor 16B.
Since the interval between the detection start side edges of B and 16C is configured to spread to both sides in the main scanning direction as going downward, the position b2 is shifted to the scanning start side, and conversely, the position c2 is shifted to the scanning start side. It shifts to the terminal side, so that the time T
2 is longer, and the time T3 is longer than the reference.
Therefore, if the deviation between the time T3 and the reference value is obtained, the shift amount of the interval between the multi-beams L1 and L2 is calculated based on the information on the scanning speed and the angle of the oblique side in the sensors 16B and 16C.

【0034】以上が本実施の形態における副走査方向の
間隔ずれの測定方法である。
The above is the method of measuring the gap in the sub-scanning direction in the present embodiment.

【0035】尚、上記のようにしてマルチビームL1,
L2の副走査方向における間隔ずれを検出させる場合に
は、センサ16B,16Cの斜辺が主走査方向に対して
斜めに交差する角度によって、ずれによって生じる時間
差が変動し、角度B°をなるべく鋭角に設定する、換言
すれば、センサ16B,16Cの検知領域の斜辺の間隔
が副走査方向に沿って急激に変化することが望ましく、
更に、角度B°は、走査位置の調整精度や、時間計測の
分解能によって決定すると良い。
Incidentally, as described above, the multiple beams L1,
In the case of detecting an interval shift in the sub-scanning direction of L2, the time difference caused by the shift varies depending on the angle at which the oblique sides of the sensors 16B and 16C obliquely intersect the main scanning direction, and the angle B ° becomes as sharp as possible. In other words, it is desirable that the interval between the oblique sides of the detection areas of the sensors 16B and 16C is set to change rapidly along the sub-scanning direction.
Furthermore, the angle B ° may be determined based on the adjustment accuracy of the scanning position and the resolution of time measurement.

【0036】次に本実施の形態におけるマルチビームL
1,L2の主走査方向における間隔ずれの測定方法を説
明する。
Next, the multi-beam L in the present embodiment
A method of measuring the gap in the main scanning direction between L1 and L2 will be described.

【0037】図4は主走査方向のずれを検出するための
原理を説明する模式図である。
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the principle for detecting a shift in the main scanning direction.

【0038】例えば、センサ16Aとセンサ16Dの組
み合わせは、受光部の主走査方向始端側の端縁が相互に
平行となることから、主走査方向における走査位置のず
れは、各センサ16A,16Dによりレーザビームが検
知される時間間隔に影響されず、主走査方向における位
置関係のみを取り出すことができるので、マルチビーム
L1,L2における主走査方向におけるずれを検知する
ことができる。
For example, in the combination of the sensor 16A and the sensor 16D, the edges of the light receiving section on the starting end side in the main scanning direction are parallel to each other, so that the displacement of the scanning position in the main scanning direction is determined by the sensors 16A and 16D. Since only the positional relationship in the main scanning direction can be extracted without being affected by the time interval at which the laser beams are detected, it is possible to detect a shift in the main scanning direction in the multi-beams L1 and L2.

【0039】具体的には、各マルチビームL1,L2の
点灯・消灯制御で行うことにより、レーザビームL1の
みを点灯させて、センサ16AでレーザビームL1が検
知される立ち上がり(a1)と、センサ16Dでレーザ
ビームL1が検知される立ち上がり(d1)との時間間
隔T5を測定すれば、センサ16A,16Dの受光部の
主走査方向始端側の端縁は、副走査方向に平行であるか
ら、時間間隔T5は、副走査方向における走査位置に影
響されずに、センサ16A,16Dの主走査方向始端側
の端縁の間隔と走査速度とによってのみ決定されること
になる。
Specifically, by controlling the turning on and off of each of the multi-beams L1 and L2, only the laser beam L1 is turned on, and when the laser beam L1 is detected by the sensor 16A (a1), If the time interval T5 from the rise (d1) at which the laser beam L1 is detected at 16D is measured, the edges of the light receiving portions of the sensors 16A and 16D on the start side in the main scanning direction are parallel to the sub-scanning direction. The time interval T5 is determined only by the interval between the edges of the sensors 16A and 16D on the starting end side in the main scanning direction and the scanning speed without being affected by the scanning position in the sub-scanning direction.

【0040】次に、各マルチビームL1,L2の点灯・
消灯制御で行うことにより、センサ16Aにはレーザビ
ームL1のみが入射し、センサ16Dにはレーザビーム
L2のみが入射するように、各マルチビームL1,L2
のマスク制御を行いながら走査させ、センサ16Aでレ
ーザビームL1が検知される立ち上がり(a1)と、セ
ンサ16DでレーザビームL2が検知される立ち上がり
(d2)との時間間隔T6を測定すれば、センサ16
A,16Dの受光部の主走査方向始端側の端縁は、副走
査方向に平行であるから、各マルチビームL1,L2が
主走査方向にずれることなく走査された場合、時間間隔
T5,T6は同一時間となるはずであり、例えばレーザ
ビームL1の走査に遅れてレーザビームL2が走査され
る場合には、その遅れが、T6−T5(=T7)として
求められることになる。
Next, lighting of each of the multi-beams L1 and L2 is performed.
By performing the light-off control, each of the multi-beams L1 and L2 is set so that only the laser beam L1 is incident on the sensor 16A and only the laser beam L2 is incident on the sensor 16D.
The scanning is performed while performing the mask control described above, and the time interval T6 between the rising edge (a1) when the laser beam L1 is detected by the sensor 16A and the rising edge (d2) when the laser beam L2 is detected by the sensor 16D is measured. 16
Since the edges of the light receiving portions of A and 16D on the starting end side in the main scanning direction are parallel to the sub-scanning direction, if the multi-beams L1 and L2 are scanned without being shifted in the main scanning direction, the time intervals T5 and T6. Should be the same time. For example, when the laser beam L2 is scanned after the laser beam L1 is scanned, the delay is obtained as T6−T5 (= T7).

【0041】従って、レーザビームL1による書出しに
対してレーザビームL2に書出しを時間T7だけ遅らせ
れば、主走査方向にずれて走査される2つのマルチビー
ムL1,L2によって主走査方向にずれることなく、画
像記録が行えることになる。
Therefore, if the writing by the laser beam L2 is delayed by the time T7 with respect to the writing by the laser beam L1, the writing is not shifted in the main scanning direction by the two multi-beams L1 and L2 which are shifted in the main scanning direction. Thus, image recording can be performed.

【0042】なお、センサ16A〜16Dの各受光部の
形状や組み合わせは、副走査方向におけるずれを検出す
るためには、受光部の主走査方向始端側の端縁が相互に
非平行となるセンサの組み合わせが存在すれば良く、ま
た、主走査方向におけるずれを検出するためには、受光
部の主走査方向始端側の端縁が共に主走査方向に直交し
て平行であるセンサの組み合わせが存在すれば良く、更
に、受光部の主走査方向始端側の端縁が規定されれば、
受光部の形状は三角であっても四角であっても良い。
The shape and combination of the light receiving portions of the sensors 16A to 16D are such that the edges of the light receiving portions on the starting end side in the main scanning direction are not parallel to each other in order to detect a shift in the sub-scanning direction. In order to detect a shift in the main scanning direction, there is a combination of sensors in which the edges of the light receiving portion on the starting end side in the main scanning direction are both orthogonal and parallel to the main scanning direction. In addition, if the edge of the light receiving section on the starting end side in the main scanning direction is defined,
The shape of the light receiving section may be triangular or square.

【0043】次に本実施の形態におけるラインAPCに
よる半導体レーザ制御回路100を図5及び図6を参照
して説明する。
Next, the semiconductor laser control circuit 100 using the line APC in the present embodiment will be described with reference to FIGS.

【0044】図5は本実施の形態におけるラインAPC
による半導体レーザ制御回路100を示すブロック図で
あり、図6は同期制御回路の詳細を示すブロック図であ
る。
FIG. 5 shows a line APC in this embodiment.
And FIG. 6 is a block diagram showing details of the synchronization control circuit.

【0045】ラインAPCによる半導体レーザ制御回路
100は、半導体レーザ11a又は半導体レーザ11b
として使用される半導体レーザLDのアノードとモニタ
用フォトダイオードPDのカソードを接続して半導体レ
ーザLDの駆動電流及びレーザパワーのコントロールを
行うものである。図5に示すように半導体レーザ制御回
路100はコンパレータ111、サンプルホールド回路
112と、基準電圧源120と、バイアス電流源130
と、スイッチング電流源140と、電流スイッチング回
路150とからなる。マルチビーム走査制御回路はこの
半導体レーザ制御回路100を半導体レーザ11aと半
導体レーザ11b用の2組有し、更に図6に示すような
同期制御回路とを有する。
The semiconductor laser control circuit 100 based on the line APC includes the semiconductor laser 11a or the semiconductor laser 11b.
The drive current and the laser power of the semiconductor laser LD are controlled by connecting the anode of the semiconductor laser LD and the cathode of the monitoring photodiode PD. As shown in FIG. 5, the semiconductor laser control circuit 100 includes a comparator 111, a sample and hold circuit 112, a reference voltage source 120, and a bias current source 130.
, A switching current source 140 and a current switching circuit 150. The multi-beam scanning control circuit has two sets of the semiconductor laser control circuit 100 for the semiconductor laser 11a and the semiconductor laser 11b, and further has a synchronous control circuit as shown in FIG.

【0046】半導体レーザ制御回路100は、シンクタ
イプのレーザ駆動電流出力端子を持ち、この出力端子を
介して駆動電流で半導体レーザを駆動できる。半導体レ
ーザ制御回路100は高速のサンプルホールド回路11
2を内蔵しているため、外部からのレーザパワー制御を
必要としない自己APC(オートパワーコントロール)
システムを実現している。以下に各部構成及び機能を説
明する。
The semiconductor laser control circuit 100 has a sink type laser drive current output terminal, and can drive the semiconductor laser with a drive current via this output terminal. The semiconductor laser control circuit 100 is a high-speed sample and hold circuit 11
Self-APC (auto power control) that does not require external laser power control because it has built-in 2
The system has been realized. The configuration and function of each unit will be described below.

【0047】自己APCは、スイッチング電流設定用抵
抗RSと、フォトダイオードPDとフォトダイオード電
流のモニタ用負荷抵抗RMとコンパレータ111とサン
プルホールド回路112とによって実現しており、1走
査ライン毎に半導体レーザ11a,11bからのビーム
光量をモニタ用フォトダイオードPDとサンプルホール
ド回路112でサンプルホールドし、当該サンプルホー
ルドした光量信号に基づいて、ビーム光量が一定となる
ように半導体レーザ11a,11bに導通する電流を制
御している。これにより、潜像電位を調整することがで
きる。
The self-APC is realized by a switching current setting resistor RS, a photodiode PD, a load resistor RM for monitoring the photodiode current, a comparator 111 and a sample and hold circuit 112. The amount of light from the beams 11a and 11b is sampled and held by the monitoring photodiode PD and the sample and hold circuit 112, and based on the sampled and held light amount signal, the current conducted to the semiconductor lasers 11a and 11b so that the amount of beam becomes constant. Is controlling. Thereby, the latent image potential can be adjusted.

【0048】半導体レーザ11a又は半導体レーザ11
bの発光によって生じたPD電流は抵抗RMを導通す
る。これにより、電圧VMが発生する。コンパレータ1
11は、電圧VMとVr端子に印加してある電圧を比較
する。コンパレータ111の比較結果がVM<Vrの場
合、サンプルホールド回路112はCH端子から電流が
ソースされて外部容量CHを充電し、コンパレータ11
1の比較結果がVM>Vrの場合、サンプルホールド回
路112はCH端子から電流がシンクされて外部容量C
Hを放電する。
Semiconductor laser 11a or semiconductor laser 11
The PD current generated by the light emission of b conducts through the resistor RM. As a result, a voltage VM is generated. Comparator 1
11 compares the voltage VM with the voltage applied to the Vr terminal. If the comparison result of the comparator 111 is VM <Vr, the current is sourced from the CH terminal to charge the external capacitance CH, and the sample and hold circuit 112
1 is VM> Vr, the sample and hold circuit 112 sinks the current from the CH terminal and
H is discharged.

【0049】基準電圧源120は、基準電圧を発生する
回路であり、バイアス電流源130とスイッチング電流
源140に基準となる電圧を供給している。
The reference voltage source 120 is a circuit that generates a reference voltage, and supplies a reference voltage to the bias current source 130 and the switching current source 140.

【0050】バイアス電流源130は、半導体レーザ1
1a,11bのバイアス電流IBを発生する回路であ
り、バイアス電流設定用負荷RBとバイアス電流設定用
電圧VBを調整することによりバイアス電流IBを設定
する。
The bias current source 130 is connected to the semiconductor laser 1
This circuit generates the bias currents IB of 1a and 11b, and sets the bias current IB by adjusting the bias current setting load RB and the bias current setting voltage VB.

【0051】スイッチング電流源140は、スイッチン
グ対象電流Iswを発生する回路であり、APCを精度
良く行うためにスイッチング電流設定用抵抗RS、フォ
トダイオード電流のモニタ用負荷抵抗RMを調整するこ
とにより、スイッチング対象電流Iswの初期値を設定
する。フォトダイオード電流のモニタ用負荷抵抗RMは
半導体レーザをスイッチング対象電流Iswの初期設定
値で駆動させた時にフォトダイオード電流のモニタ用負
荷抵抗RMの端子電圧と基準入力電圧Vrとを等しくす
るように設定する。
The switching current source 140 is a circuit for generating the switching target current Isw. The switching current source 140 adjusts the switching current setting resistor RS and the photodiode current monitoring load resistor RM in order to perform APC with high accuracy. An initial value of the target current Isw is set. The load resistance RM for monitoring the photodiode current is set such that the terminal voltage of the load resistance RM for monitoring the photodiode current and the reference input voltage Vr are equal when the semiconductor laser is driven at the initial set value of the switching target current Isw. I do.

【0052】電流スイッチング回路150は、DATA
に基づいて半導体レーザの駆動電流を制御するものであ
る。抵抗ROは駆動電流の負荷抵抗であり、電源VCC
に接続してIswとほぼ等しい電流を流すことにより電
力消費を低減させるものである。
The current switching circuit 150 has a DATA
Is used to control the drive current of the semiconductor laser. The resistance RO is a load resistance of the driving current, and the power supply VCC.
To reduce the power consumption by flowing a current substantially equal to Isw.

【0053】次に本実施の形態における半導体レーザ制
御回路100の概略動作を図7〜9を参照して説明す
る。
Next, a schematic operation of the semiconductor laser control circuit 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

【0054】図7〜9は本実施の形態におけるマルチビ
ーム走査制御回路の動作を示すタイムチャートである。
図7及び図8はそれぞれ本発明の特徴となる信号を具体
的に示したもので、図9の前半部に相当する。図7にお
いては、アレイ状構造の一個の半導体チップから出力さ
れる二つのビームがインデックスセンサの受光部に到達
する前に二つのビームの光量が一組の半導体レーザ制御
回路により交互に制御される。図8においては、二個の
半導体チップから出力される二つのビームがインデック
スセンサの受光部に到達する前に二つのビームの光量が
二組の半導体レーザ制御回路により同時に制御される。
FIGS. 7 to 9 are time charts showing the operation of the multi-beam scanning control circuit according to the present embodiment.
FIGS. 7 and 8 each specifically show a signal that is a feature of the present invention, and corresponds to the first half of FIG. In FIG. 7, before two beams output from one semiconductor chip of the array structure reach the light receiving portion of the index sensor, the light amounts of the two beams are alternately controlled by a set of semiconductor laser control circuits. . In FIG. 8, before the two beams output from the two semiconductor chips reach the light receiving portion of the index sensor, the light amounts of the two beams are simultaneously controlled by two sets of semiconductor laser control circuits.

【0055】これらの、図7、図8及び図9において
(a)は電源の投入状態を示したタイムチャートであ
る。電源投入時に半導体レーザ11a,11bに過大電
流が流れるのを防止するためのリセット回路を内蔵して
おり、VCC<3.5Vの範囲ではバイアス電流源13
0とスイッチング電流源140をオフにするとともに、
CH端子が強制的に“L”レベルに固定される。
FIGS. 7, 8 and 9 are time charts showing the power-on state. A reset circuit for preventing an excessive current from flowing through the semiconductor lasers 11a and 11b when the power is turned on is built in, and a bias current source 13 is provided in a range of VCC <3.5V.
0 and the switching current source 140 is turned off,
The CH terminal is forcibly fixed to the “L” level.

【0056】(b1)、(b2)、(b)は/ENB入
力の状態を示したタイムチャートである。(d)に示す
DATA入力による駆動電流の制御は電流源がオンの状
態で半導体レーザ11a,11bへの駆動電流を制御す
るのに対して、/ENB入力による制御はスイッチング
電流源140の動作をオン/オフする。具体的には、/
ENB=“L”でバイアス電流源130とスイッチング
電流源140をオンとし、/ENB=“H”でバイアス
電流源130とスイッチング電流源140をオフする。
/ENB=“H”のときは、CH端子を強制的に“L”
レベルに固定し、外付けコンデンサCH電荷が強制放電
される。
(B1), (b2) and (b) are time charts showing the state of the / ENB input. The control of the drive current by the DATA input shown in (d) controls the drive current to the semiconductor lasers 11a and 11b while the current source is on, whereas the control by the / ENB input controls the operation of the switching current source 140. Turn on / off. In particular,/
When ENB = “L”, the bias current source 130 and the switching current source 140 are turned on, and when / ENB = “H”, the bias current source 130 and the switching current source 140 are turned off.
When / ENB = “H”, the CH terminal is forced to “L”
At this level, the external capacitor CH is forcibly discharged.

【0057】(c)はマルチビームのうちの基準となる
レーザビームのサンプル/ホールド状態S/Hを示すタ
イムチャートである。S/H入力=“H”、DATA=
“H”のときにサンプルされ、S/H入力=“L”状態
のときに、VM,Vr及びDATAの入力の状態に関係
なくCH端子は高インピーダンス状態(ホールド)にな
る。
FIG. 7C is a time chart showing the sample / hold state S / H of the laser beam serving as a reference among the multi-beams. S / H input = “H”, DATA =
The signal is sampled when the signal is "H", and when the S / H input is "L", the CH terminal is in a high impedance state (hold) regardless of the input state of VM, Vr and DATA.

【0058】(d)はマルチビームのうちの基準となる
レーザビームの画像データ(DATA)の入力状態を示
したタイムチャートである。(d)に示すDATA=
“H”のとき駆動電流はIsw+IBとなり、DATA
=“L”のとき駆動電流はIBとなる。(e)は基準レ
ーザビームを出力する半導体レーザの駆動電流を示すタ
イムチャートである。
FIG. 9D is a time chart showing the input state of the image data (DATA) of the laser beam serving as a reference among the multiple beams. DATA shown in (d) =
When “H”, the drive current is Isw + IB, and DATA
= "L", the drive current is IB. (E) is a time chart showing the drive current of the semiconductor laser that outputs the reference laser beam.

【0059】(f)はマルチビームのうちの基準となる
レーザビームの位置検出出力を示したタイムチャートで
ある。なお、図7および図8において、APCはライン
APCにより半導体レーザのビームの光量制御を行う期
間を示す。
FIG. 9F is a time chart showing the position detection output of the laser beam serving as a reference among the multiple beams. In FIGS. 7 and 8, APC indicates a period during which the light intensity of the semiconductor laser beam is controlled by the line APC.

【0060】(g)はマルチビームのうちの基準となら
ないレーザビームのサンプル/ホールド状態を示すタイ
ムチャートであり、ハイレベルでサンプル状態であり、
ローレベルでホールド状態である。(h)はマルチビー
ムのうちの基準となならないレーザビームの画像データ
の入力状態を示したタイムチャートであり、(i)はマ
ルチビームのうちの基準とならないレーザビームの半導
体レーザの駆動電流を示すタイムチャートである。
(G) is a time chart showing a sample / hold state of a laser beam which is not a reference among the multi-beams.
Hold state at low level. (H) is a time chart showing an input state of image data of a laser beam that does not become a reference of the multi-beam, and (i) is a driving current of a semiconductor laser of a laser beam that does not become a reference of the multi-beam. It is a time chart shown.

【0061】電源投入後、マルチビームを走査するポリ
ゴンミラー13を回転しない状態又は安定回転後、イン
デックスセンサ16の出力を一定期間だけマスクした状
態で、すべてのサンプルホールド回路112をサンプル
状態にし、基準電圧源120からの出力電圧を基準動作
電圧近傍まで上昇させる。なお、本実施の形態ではサン
プルホールド回路112がサンプル状態の時には、変調
信号を常にオン状態となるように設定してある。
After the power is turned on, the polygon mirror 13 that scans the multi-beams is not rotated or is rotated stably. After the output of the index sensor 16 is masked for a certain period, all the sample and hold circuits 112 are set to the sample state, The output voltage from the voltage source 120 is increased to near the reference operating voltage. In the present embodiment, when the sample-and-hold circuit 112 is in the sample state, the modulation signal is set to be always on.

【0062】マスク期間の終了前に、全てのサンプルホ
ールド回路112をホールド状態とし、変調信号をオフ
にする。
Before the end of the mask period, all the sample and hold circuits 112 are set to the hold state, and the modulation signal is turned off.

【0063】マルチビームL1,L2のうち基準となる
レーザビームの変調信号をオン状態とすることにより、
半導体レーザを点灯させ続ける。これにより、インデッ
クスセンサ16からのインデックス信号に基づいて像担
持体1の画像形成領域外で半導体レーザ11を点灯させ
た状態でマルチビームL1,L2のうちの基準となるレ
ーザビームでインデックスセンサ16を走査する前にサ
ンプルホールド回路112をサンプル状態に切り替え
る。サンプル後、ホールド状態に切り替えて、変調信号
をオン状態として、インデックスセンサ16を走査し、
基準となるインデックス信号を発生させる。
By turning on the modulation signal of the reference laser beam among the multi-beams L1 and L2,
Keep the semiconductor laser on. Thus, the index sensor 16 is controlled by the reference laser beam of the multi-beams L1 and L2 while the semiconductor laser 11 is turned on outside the image forming area of the image carrier 1 based on the index signal from the index sensor 16. Before scanning, the sample and hold circuit 112 is switched to the sample state. After the sample, switch to the hold state, turn on the modulation signal, scan the index sensor 16,
A reference index signal is generated.

【0064】マルチビームL1,L2のうちの基準とな
るレーザビームから得られるインデックス信号に基づい
て、残りのレーザビームを基準となるレーザビームと同
じタイミングでサンプル/ホールドしてホールド状態に
し、変調信号をオフ状態として、インデックスセンサに
他のビームが入力しないようにする。
Based on the index signal obtained from the reference laser beam of the multi-beams L 1 and L 2, the remaining laser beams are sampled / held at the same timing as the reference laser beam to be in the hold state, and the modulation signal Is turned off to prevent other beams from being input to the index sensor.

【0065】なお、二個の半導体チップから出力される
二つのビーム内、他のビームのサンプル/ホールドタイ
ミングは基準となるビームと同じでも、同じでなくても
よい。すなわち、像担持体1の画像領域外でインデック
スセンサにレーザビームを入力しないようなサンプルタ
イミングであれば、基準インデックス信号を基にしてそ
れぞれのレーザビーム固有に設定してもよい。これに対
し、一個の半導体チップから二つのビームが出力される
場合は、モニタ用フォトダイオードPDが内部に一個し
か無いので、常に他のビームのサンプル/ホールドタイ
ミングは基準となるビームと異なる必要がある。
The sample / hold timing of the other beam in the two beams output from the two semiconductor chips may or may not be the same as the reference beam. That is, if the sample timing is such that the laser beam is not input to the index sensor outside the image area of the image carrier 1, the laser beam may be set uniquely for each laser beam based on the reference index signal. On the other hand, when two beams are output from one semiconductor chip, since there is only one monitoring photodiode PD inside, the sample / hold timing of the other beams must always be different from the reference beam. is there.

【0066】以上のようにマルチビームのラインAPC
のサンプル点灯をインデックスセンサに入力しない状態
で水平同期信号を得ることにより、すなわち、マルチビ
ームの光量制御をマルチビームがインデックスセンサの
受光部に到達する前に実施することによりマルチビーム
の光量を安定化させ、かつ、書き出し位置や光軸ずれの
補正の基準となるレーザビームを正確に検出することが
できる。
As described above, the multi-beam line APC
By obtaining the horizontal synchronization signal without inputting the sample lighting to the index sensor, that is, by performing the multi-beam light amount control before the multi-beam reaches the light receiving section of the index sensor, the light amount of the multi-beam is stabilized. In addition, a laser beam serving as a reference for correction of a writing start position and optical axis shift can be accurately detected.

【0067】次に同期制御回路の詳細構成を図6を参照
して説明する。
Next, the detailed configuration of the synchronization control circuit will be described with reference to FIG.

【0068】同期制御回路は、図1に示す偏向光学系か
らマルチビームL1,L2をミラー15を介してインデ
ックスセンサ16に入射することにより、所定速度で回
転するポリゴンミラー13の面位置を検知し、主走査方
向に同期させる回路であり、特にマルチビームL1,L
2の主走査及び副走査方向のずれを検出する機能も備え
るので、図6に示すように時間間隔測定部171と主走
査方向のずれ演算部172と副走査方向のずれ演算部1
73とからなる。
The synchronization control circuit detects the surface position of the polygon mirror 13 rotating at a predetermined speed by causing the multi-beams L1 and L2 to enter the index sensor 16 via the mirror 15 from the deflection optical system shown in FIG. , And a circuit for synchronizing in the main scanning direction.
2 has a function of detecting shifts in the main scanning and sub-scanning directions, and as shown in FIG. 6, the time interval measuring unit 171, the shift calculating unit 172 in the main scanning direction, and the shift calculating unit 1 in the sub-scanning direction
73.

【0069】時間間隔測定部171は、図3及び図4に
示した時間間隔T1,T2,T5,T6を測定する回路
であり、セレクタ171a、フェイズ・ディテクタ17
1b,171c、ディレイライン171d、セレクタ1
71e、位相差演算部171f、フリップ・フロップ1
71g、カウンタ171h、ラッチ171i、171
j、ワンショット回路171kからなる。
The time interval measuring section 171 is a circuit for measuring the time intervals T1, T2, T5, and T6 shown in FIGS. 3 and 4, and includes a selector 171a and a phase detector 17a.
1b, 171c, delay line 171d, selector 1
71e, phase difference calculating section 171f, flip-flop 1
71g, counter 171h, latches 171i, 171
j, one-shot circuit 171k.

【0070】セレクタ171aは、各補正モード等に応
じてセンサ16A,16B,16C,16Dの検知信号
fsa,fsb,fsc,fsdの何れか2つの組み合
わせで出力するものである。本実施の形態で図3を参照
して説明してあるように副走査方向における間隔ずれの
測定にセンサ16Bとセンサ16Cを用い、図4を参照
して説明してあるように主走査方向における間隔ずれの
測定にセンサ16Aとセンサ16Dを用いたものとして
説明する。
The selector 171a outputs a combination of any two of the detection signals fsa, fsb, fsc and fsd of the sensors 16A, 16B, 16C and 16D according to each correction mode and the like. In this embodiment, the sensor 16B and the sensor 16C are used for measuring the gap in the sub-scanning direction as described with reference to FIG. 3, and the main scanning direction is used as described with reference to FIG. The description will be made assuming that the sensor 16A and the sensor 16D are used for measuring the gap.

【0071】フェイズ・ディテクタ171b,171c
はセレクタ171aから入力されるアナログ信号をパル
ス信号として出力するパルス発生回路である。フェイズ
・ディテクタ171bから出力されるパルス信号pd1
はセレクタ171eと位相差演算部171fとセレクタ
172aの入力となり、フェイズ・ディテクタ171c
から出力されるパルス信号pd2は位相差演算部171
fとセレクタ172aの入力となる。
The phase detectors 171b and 171c
Is a pulse generation circuit that outputs an analog signal input from the selector 171a as a pulse signal. The pulse signal pd1 output from the phase detector 171b
Are input to the selector 171e, the phase difference calculator 171f, and the selector 172a, and are input to the phase detector 171c.
The pulse signal pd2 output from the
f and the input of the selector 172a.

【0072】ディレイライン171dは基準クロックc
lkを入力とし、位相差のあるクロックdl0〜dl1
5をセレクタ171eとセレクタ172hに出力する。
The delay line 171d receives the reference clock c.
lk as input and clocks dl0 to dl1 having a phase difference
5 is output to the selector 171e and the selector 172h.

【0073】セレクタ171eは、副走査方向における
間隔ずれの測定モードであるとすれば、フェイズ・ディ
テクタ171b,171cでセンサ16B,16Cの検
知信号pd1,pd2の立ち上がりと同期するディレイ
クロックdl0〜dl15をそれぞれに検出し、かかる
ディレイクロックselcをフィリップ・フロップ17
1gとカウンタ171hに出力する回路である。
If the selector 171e is in the measurement mode of the gap in the sub-scanning direction, the phase detectors 171b and 171c use the phase detectors 171b and 171c to output the delay clocks dl0 to dl15 synchronized with the rising edges of the detection signals pd1 and pd2 of the sensors 16B and 16C. Each of them is detected, and the delay clock selc is output from the Philip flop 17
1g and a circuit for outputting to the counter 171h.

【0074】位相差演算部171fは、副走査方向にお
ける間隔ずれの測定モードであるとすれば、センサ16
Bの検知タイミング(b1又はb2)に同期するクロッ
クと、センサ16Cの検知タイミング(c1又はc2)
に同期するクロックの位相差(1/16周期単位)、即
ち、センサ16B,16Cの検知間隔のクロック周期内
の端数分を求め、その結果を、センサ16Cの検知信号
からワンショット回路171kで生成されるワンショッ
トパルスに応じてラッチ171jに送出する。
If the phase difference calculating section 171f is in the measurement mode of the interval shift in the sub-scanning direction, the sensor 16
A clock synchronized with the detection timing B (b1 or b2) and the detection timing (c1 or c2) of the sensor 16C
Phase difference (1/16 cycle unit), that is, a fraction of the detection interval of the sensors 16B and 16C within the clock cycle is obtained, and the result is generated by the one-shot circuit 171k from the detection signal of the sensor 16C. The one-shot pulse is sent to the latch 171j.

【0075】カウンタ171hは、副走査方向における
間隔ずれの測定モードであるとすれば、セレクタ171
eから入力されるディレイクロックselcをカウント
としてセンサ16B,16Cの出力の立ち上がりb1
(b2),c1(c2)間隔時間T1,T2を計測し、
主走査方向における間隔ずれの測定モードであるとすれ
ば、センサ16A,16Dの立ち上がりa1,d1(d
2)の間隔時間T5,T6を計測する。カウンタ171
hのカウント区間は、副走査方向における間隔ずれの測
定モードであるとすれば、センサ16B,16Cの出力
が入力されるフリップ・フロップ171gによって制御
するようにしてある。カウンタ171hは、カウント値
をセンサ16Cの検知信号から生成させたワンショット
パルスでラッチ171iにラッチする。
If the counter 171h is in the measurement mode of the interval deviation in the sub-scanning direction, the selector 171h
rising edge b1 of the outputs of the sensors 16B and 16C, using the delay clock selc input from e as a count.
(B2), c1 (c2) interval time T1, T2 is measured,
Assuming that the mode is the measurement mode of the gap in the main scanning direction, the rises a1, d1 (d
The interval times T5 and T6 in 2) are measured. Counter 171
Assuming that the counting section of h is the measurement mode of the interval shift in the sub-scanning direction, the count section is controlled by the flip-flop 171g to which the outputs of the sensors 16B and 16C are input. The counter 171h latches the count value in the latch 171i with a one-shot pulse generated from the detection signal of the sensor 16C.

【0076】時間間隔測定部171は、前述のようにし
て、例えばレーザビームL1のみを点灯させたときのセ
ンサ16B,16Cの検知間隔である時間T1,T5を
計測しラッチ171iに記憶し、続いて、同様にしてレ
ーザビームL2のみを点灯させたときの時間T2,T6
を計測しラッチ171jに記憶する。これにより、セン
サB,Cにおける検出時点の時間間隔T5,T6がクロ
ックのカウント値とクロックの位相差として求められて
ラッチされることになる。
As described above, the time interval measuring section 171 measures the times T1 and T5, which are the detection intervals of the sensors 16B and 16C when only the laser beam L1 is turned on, and stores the measured times in the latch 171i. Similarly, the times T2 and T6 when only the laser beam L2 is turned on.
Is measured and stored in the latch 171j. As a result, the time intervals T5 and T6 at the time of detection by the sensors B and C are obtained and latched as the phase difference between the clock count value and the clock.

【0077】主走査方向のずれ演算部172は、前述の
ようにして求めたカウント値と位相差とをそれぞれ比較
して、マルチビームL1,L2の主走査方向でのずれ時
間間隔T5をクロックカウント値とクロック位相差とに
分けて演算し、かかる演算結果をラッチ172e,17
2fにラッチする。主走査方向のずれ演算部172は、
ずれ時間の演算結果からマルチビームL1,L2の走査
順序を判別することで副走査方向における間隔ずれの測
定モードであるとすれば、センサ16Bとセンサ16C
の何れをインデックス信号とするかを決定して、かかる
決定結果をラッチする。
The main scanning direction shift calculating section 172 compares the count value obtained as described above with the phase difference to determine the shift time interval T5 of the multi-beams L1 and L2 in the main scanning direction as a clock count. The operation is divided into the value and the clock phase difference, and the operation result is latched by the latches 172e and 172.
Latch to 2f. The shift calculator 172 in the main scanning direction includes:
If the scanning mode of the multi-beams L1 and L2 is determined from the calculation result of the shift time to determine the interval shift mode in the sub-scanning direction, the sensors 16B and 16C
Is determined as the index signal, and the result of the determination is latched.

【0078】主走査方向のずれ演算部172は、印字ク
ロックの位相及び画像形成タイミングを制御するもので
あり、印字クロックの位相差として示される印字クロッ
クの1周期内のずれをセレクタ172hに与え、レーザ
ビームL1に対応させる印字クロックDCLK1とレー
ザビームL2に対応させる印字クロックDCLK2との
位相をずれ分に相当する位相差をもつように印字クロッ
クdl0〜dl15の中から選択的に出力するものであ
り、セレクタ172aとラッチ172bとセレクタ17
2cとずれ演算部172dとラッチ172e,172f
と位相差演算部172gとセレクタ172hとからな
る。
The shift calculator 172 in the main scanning direction controls the phase of the print clock and the image forming timing, and gives a shift within one cycle of the print clock, which is indicated as a phase difference between the print clocks, to the selector 172h. The print clock DCLK1 corresponding to the laser beam L1 and the print clock DCLK2 corresponding to the laser beam L2 are selectively output from the print clocks dl0 to dl15 so as to have a phase difference corresponding to the shift. , Selector 172a, latch 172b, and selector 17
2c, the shift calculator 172d, and the latches 172e and 172f.
And a phase difference calculator 172g and a selector 172h.

【0079】セレクタ172aは、フェイズ・ディテク
タ171b,171cからの検出出力pd1,pd2を
入力とし、インデックス信号の選択結果に応じて何れか
一方の検出結果pd1,pd2を位相差演算部172g
に送出する。
The selector 172a receives the detection outputs pd1 and pd2 from the phase detectors 171b and 171c as inputs, and outputs one of the detection results pd1 and pd2 according to the selection result of the index signal to the phase difference calculator 172g.
To send to.

【0080】セレクタ172cは、ずれ時間T5のデー
タ及びインデックス信号の選択結果を電源投入や画像形
成直前などに一方のレーザビームのみを点灯させて時間
Tφを計算させたときに発生させるトリガ信号ZHに基
づいてラッチするようにしてある。
The selector 172c outputs the data of the shift time T5 and the selection result of the index signal to the trigger signal ZH generated when only one laser beam is turned on immediately before the power is turned on or image formation is performed to calculate the time Tφ. It latches on the basis of.

【0081】ずれ演算部172dは、印字クロックの位
相差として示されるずれ分をラッチ172fを介して位
相差演算部172gに出力する。
The shift calculator 172d outputs the shift indicated as the phase difference of the print clock to the phase difference calculator 172g via the latch 172f.

【0082】位相差演算部172gは、セレクタ172
aから入力されるディレイクロックに対して、ずれ分に
相当する位相差を有するディレイクロックを演算し、か
かる演算結果をセレクタ172hに出力する。
The phase difference calculating section 172g includes a selector 172
A delay clock having a phase difference corresponding to the deviation is calculated with respect to the delay clock input from a, and the calculation result is output to the selector 172h.

【0083】セレクタ172hは、ずれ補正に基づく位
相差の情報の他、ディレイライン171dからディレイ
クロックdl0〜dl15と、セレクタ172cで選択
したセンサ16B,16Cからの検知信号を入力とし
て、インデックス信号と共に各マルチビームL1,L2
に対応する印字クロックDCLK1,DCLK2を出力
する。
The selector 172h receives the information of the phase difference based on the deviation correction, the delay clocks dl0 to dl15 from the delay line 171d, and the detection signals from the sensors 16B and 16C selected by the selector 172c. Multi-beam L1, L2
And outputs the print clocks DCLK1 and DCLK2 corresponding to.

【0084】副走査方向のずれ演算部173は時間差演
算部173aとラッチ173bとずれ演算部173dと
からなる。
The shift calculator 173 in the sub-scanning direction includes a time difference calculator 173a, a latch 173b, and a shift calculator 173d.

【0085】副走査方向のずれ検出部173は、クロッ
クカウント数及びクロック位相差として時間T1,T2
が得られると、時間差演算部173aは時間T1,T2
の偏差をカウント数とクロック位相差とで個別に演算
し、その結果を、ラッチ173bに一旦記憶する。ずれ
演算部173dは、操作部を介して与えられる基準値
と、ラッチ173bに記憶されたデータとを比較して、
マルチビームL1,L2の副走査方向におけるずれ(間
隔の変化量)を演算し、調整機構に与えて副走査方向に
おけるずれの修正を行う。ここで、例えば特開昭63−
50809号公報に開示されるように副走査方向におけ
る走査位置を調整し得る機構を備える場合には、前記算
出されたずれ量の情報に基づいてマルチビームL1,L
2の副走査方向における走査位置を調整することで、マ
ルチビームL1,L2の副走査方向における間隔を規定
値に修正することが可能となる。
The shift detector 173 in the sub-scanning direction calculates the clock count number and the clock phase difference as the times T1 and T2.
Is obtained, the time difference calculation unit 173a calculates the times T1 and T2
Are individually calculated using the count number and the clock phase difference, and the result is temporarily stored in the latch 173b. The shift calculator 173d compares the reference value given via the operation unit with the data stored in the latch 173b,
The shift (the amount of change in the interval) of the multi-beams L1 and L2 in the sub-scanning direction is calculated and provided to an adjustment mechanism to correct the shift in the sub-scanning direction. Here, for example,
In the case where a mechanism capable of adjusting the scanning position in the sub-scanning direction is provided as disclosed in Japanese Patent No. 50809, the multi-beams L1, L
By adjusting the scanning position in the sub-scanning direction 2, it is possible to correct the interval between the multi-beams L1 and L2 in the sub-scanning direction to a specified value.

【0086】次に同期制御回路170の動作を図10〜
図12を参照して説明する。
Next, the operation of the synchronization control circuit 170 will be described with reference to FIGS.
This will be described with reference to FIG.

【0087】図10は主走査方向の印字クロックの1周
期内のずれ補正を示すタイムチャートである。
FIG. 10 is a time chart showing the correction of deviation within one cycle of the print clock in the main scanning direction.

【0088】例えば、レーザビームL1が走査方向で先
頭であり、センサ16B,16CにマルチビームL1,
L2を選択的に入射させるときにセンサ16Bにレーザ
ビームL1を入射させる構成であれば、マルチビームL
1,L2の主走査方向のずれが印字クロックで2カウン
ト分と、位相差で2段分(2/16周期)であったとす
る。この場合、インデックス信号としてセンサ16Bの
検知信号が出力される一方、インデックス信号に同期す
るディレイクロックがレーザビームL1に対応する印字
クロックDCLK1として出力され、ビームL1用の印
字クロックDCLK1に対して2/16周期の位相差を
有するディレイクロックがレーザビームL2用の印字ク
ロックDCLK2として出力される。このような位相の
異なる印字クロックDCLK1,DCLK2をマルチビ
ームL1,L2に対応させて出力することにより、印字
クロックの1周期内のずれ分が印字クロックの位相差と
して補償される。
For example, the laser beam L1 is at the head in the scanning direction, and the multi-beams L1,
If the laser beam L1 is incident on the sensor 16B when L2 is selectively incident, the multi-beam L
It is assumed that the shift in the main scanning direction of 1 and L2 is 2 counts in the print clock and 2 steps (2/16 cycle) in phase difference. In this case, while the detection signal of the sensor 16B is output as an index signal, a delay clock synchronized with the index signal is output as a print clock DCLK1 corresponding to the laser beam L1, and the print clock DCLK1 for the beam L1 is 2/2. A delay clock having a phase difference of 16 periods is output as a print clock DCLK2 for the laser beam L2. By outputting the print clocks DCLK1 and DCLK2 having different phases in correspondence with the multi-beams L1 and L2, a shift within one cycle of the print clock is compensated as a phase difference of the print clock.

【0089】印字クロックの周期の整数倍のずれは、各
マルチビームL1,L2の画像形成タイミングを印字ク
ロックのカウントに基づいて設定するセレクタ172h
に反映してある。このようにして、マルチビームL1,
L2の主走査方向におけるずれを補償するための補正を
印字クロックの位相と画像形成タイミングとに分けて行
えば、画像形成タイミングのみをずれ分だけ補正する場
合にくらべて回路負担が軽減され、比較的大きなずれの
発生にも対応できる。
A shift of an integral multiple of the cycle of the print clock is caused by the selector 172h for setting the image forming timing of each of the multi-beams L1 and L2 based on the count of the print clock.
Is reflected in Thus, the multi-beams L1,
If the correction for compensating for the deviation of the L2 in the main scanning direction is performed separately for the phase of the print clock and the image forming timing, the circuit load is reduced as compared with the case where only the image forming timing is corrected for the deviation. It can cope with the occurrence of a large deviation.

【0090】なお、ずれ時間の演算結果からレーザビー
ムL2の方が主走査方向で先頭であることが判別された
場合、センサ16CによるレーザビームL2の検知から
遅れて走査されるレーザビームL1の画像形成タイミン
グ及び印字クロックの位相を前述してあるように送られ
る補正を行えばよい。
If it is determined from the calculation result of the shift time that the laser beam L2 is the first in the main scanning direction, the image of the laser beam L1 that is scanned after the detection of the laser beam L2 by the sensor 16C is delayed. The formation timing and the phase of the print clock may be corrected as described above.

【0091】図11は主走査方向の印字クロックの整数
倍のずれ補正を示すタイムチャートである。
FIG. 11 is a time chart showing correction of a deviation of an integral multiple of the print clock in the main scanning direction.

【0092】例えば、先頭のレーザビームL1の書き出
し位置をインデックス信号からの印字クロックDCK1
のカウント数がNになった時点とした場合、インデック
ス信号からの印字クロックDCLK2のカウント数をN
+ずれ分相当のカウント値となった時点とすれば、印字
クロックDCLKの周期の整数倍のずれを補償したこと
になる。
For example, the write start position of the head laser beam L1 is determined by the print clock DCK1 from the index signal.
If the count number of the print clock DCLK2 from the index signal is N
If the count value reaches the value corresponding to the + shift, it means that a shift of an integral multiple of the cycle of the print clock DCLK has been compensated.

【0093】更に、印字クロックDCLKの1周期内の
ずれは、前述のように各マルチビームL1,L2に対応
する印字クロックDCLK1,DCLK2の位相差によ
って補正するから、印字クロックのカウント数と印字ク
ロックの位相差として求められた主走査方向におけるず
れを補正して、各マルチビームL1,L2により忠実な
画像記録を行うことができる。
Further, the shift within one cycle of the print clock DCLK is corrected by the phase difference between the print clocks DCLK1 and DCLK2 corresponding to the respective multi-beams L1 and L2, as described above. By correcting the deviation in the main scanning direction obtained as the phase difference of the multi-beams L1, L2, a more faithful image can be recorded.

【0094】なお、クロックのカウント値として求めた
ずれ分について、画像形成開始タイミングを制御するた
めのHV信号(水平、垂直同期信号)を各マルチビーム
L1,L2別に印字クロックのカウント値で示されるず
れ分について、共通のインデックス信号を基準とする印
字クロックのカウントに応じた有効画像領域の制御によ
って補正される。
The HV signal (horizontal and vertical synchronizing signals) for controlling the image forming start timing is indicated by the count value of the print clock for each of the multi-beams L1 and L2 with respect to the deviation obtained as the clock count value. The deviation is corrected by controlling the effective image area according to the count of the print clock based on the common index signal.

【0095】図12は副走査方向のずれを検出するタイ
ムチャートである。
FIG. 12 is a time chart for detecting a shift in the sub-scanning direction.

【0096】図12では、センサ16A,16Dによっ
てレーザビームL1が検知される時間差(a1とd1と
の間の時間)を計測させる場合を示してある。
FIG. 12 shows a case where the time difference (time between a1 and d1) when the laser beam L1 is detected by the sensors 16A and 16D is measured.

【0097】図12において、基準クロックclkを1
/16周期ずつ順次遅らせて16種類のディレイクロッ
クdl0(基準クロック)〜dl15をディジタルディ
レイラインから発生させている。図12においては、ク
ロックclk,dl1,dl2,dl8,dl12,d
l15のみを示し、他のディレイクロックについては図
示を省略してある。そして、例えばセンサ16Aの検知
信号の立ち上がりa1に同期したクロック(検知信号の
立ち上がり直後に最初に立ち上がるクロック)がクロッ
クdl8であったとすると、同期時の立ち上がりを最初
のカウントとし、続いてこのクロックdl8の立ち上が
りを順次カウントさせる。
In FIG. 12, the reference clock clk is set to 1
The 16 types of delay clocks dl0 (reference clocks) to dl15 are generated from the digital delay line while being sequentially delayed by / 16 cycle. In FIG. 12, clocks clk, dl1, dl2, dl8, dl12, d
11 is shown, and other delay clocks are not shown. For example, if the clock synchronized with the rise a1 of the detection signal of the sensor 16A (the clock that rises first immediately after the rise of the detection signal) is the clock dl8, the rise at the time of synchronization is set as the first count, and then the clock dl8 Are sequentially counted.

【0098】かかるカウント中に、センサ16Dの検知
信号が立ち上がり、この検知信号の立ち上がり(d1)
に同期するクロックがクロックdl12であったとする
と、それまでのクロックdl8の立ち上がりをカウント
した数(センサ16Aの検知信号(a1)に同期したク
ロックdl8の立ち上がりを含む)から1を減算した値
にクロック周期を乗算した時間に、クロックdl8とク
ロックdl12との位相差(4/16周期であり、ディ
レイクロック番号=dl4として表すことができる。)
を加算した値が、センサ16A,16Dの検知信号の出
力時間差(a1とd1との間隔)になる。
During the counting, the detection signal of the sensor 16D rises, and the rise of this detection signal (d1)
Assuming that the clock synchronized with the clock dl12 is the clock dl12, the clock is calculated by subtracting 1 from the counted number of rising edges of the clock dl8 (including the rising edge of the clock dl8 synchronized with the detection signal (a1) of the sensor 16A). The phase difference between the clock dl8 and the clock dl12 is obtained by multiplying the period by the period (4/16 period, which can be expressed as delay clock number = dl4).
Is the output time difference between the detection signals of the sensors 16A and 16D (the interval between a1 and d1).

【0099】そして、副走査方向のずれ検出において
は、各時間T1,T2を、上記のようにしてクロックカ
ウント数とディレイクロック番号として求める一方、間
隔の規定値に相当する基準時間をやはりクロックカウン
ト数とディレイクロック番号として与えるようにして、
時間差の演算においては、カウント数とディレイクロッ
ク番号とをそれぞれに演算させるようにすれば良い。
In detecting a shift in the sub-scanning direction, the times T1 and T2 are obtained as the clock count number and the delay clock number as described above, while the reference time corresponding to the specified value of the interval is also counted by the clock count. Number and delay clock number.
In the calculation of the time difference, the count number and the delay clock number may be calculated respectively.

【0100】この場合、副走査方向におけるずれの情報
は、クロックカウント数とディレイクロック番号として
調整機構(例えばステッピングモータ)に出力されるこ
とになる。
In this case, the information on the deviation in the sub-scanning direction is output to the adjustment mechanism (for example, a stepping motor) as the clock count number and the delay clock number.

【0101】上述したように本実施の形態におけるマル
チビーム走査制御回路は、レーザビームL1に対応する
水平同期信号の発生に対して、レーザビームL2に対応
する水平同期信号の発生を時間T7だけ遅らせることに
書き出し位置の制御を行う。
As described above, the multi-beam scanning control circuit according to the present embodiment delays the generation of the horizontal synchronization signal corresponding to laser beam L2 by the time T7 with respect to the generation of the horizontal synchronization signal corresponding to laser beam L1. In particular, the writing position is controlled.

【0102】また、時間T5,T6が、ディレイクロッ
クのカウント数及びクロック位相差として求められる場
合には、クロックのカウント数に基づいて水平同期信号
を調整し、クロック位相差として求められるずれ分は、
ディレイクロックdl0〜dl15からの各マルチビー
ムL1,L2に対応させる印字クロックの選択によって
調整するようにしても良い。
When the times T5 and T6 are obtained as the count number of the delay clock and the clock phase difference, the horizontal synchronizing signal is adjusted based on the count number of the clock, and the deviation obtained as the clock phase difference is ,
The adjustment may be made by selecting a print clock corresponding to each of the multiple beams L1 and L2 from the delay clocks dl0 to dl15.

【0103】従って、本実施の形態における半導体レー
ザ制御回路100は、上記構成を備えることにより、主
走査方向及び副走査方向の光軸ずれを正確に検出するこ
とができるので、副走査方向における光軸を正規位置と
し、かつ、主走査方向におけるレーザビームの位置関係
に応じた書出し制御を行うことにより安定した画像を記
録できる。
Accordingly, the semiconductor laser control circuit 100 according to the present embodiment can accurately detect the optical axis shift in the main scanning direction and the sub-scanning direction by having the above configuration. A stable image can be recorded by setting the axis to a normal position and performing writing control in accordance with the positional relationship of the laser beam in the main scanning direction.

【0104】[0104]

【発明の効果】請求項1〜請求項6に記載の発明は、マ
ルチビームがインデックスセンサの受光部に到達するま
でにマルチビームの光量を安定化させておくことによ
り、書き出し位置や光軸ずれの基準となるレーザビーム
の位置検出を正確に行うことができる。
According to the first to sixth aspects of the present invention, by stabilizing the light amount of the multi-beam until the multi-beam reaches the light receiving portion of the index sensor, the writing position and the optical axis deviation can be improved. The position of the laser beam serving as a reference can be accurately detected.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施の形態におけるレーザプリンタの走査光
学系を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a scanning optical system of a laser printer according to an embodiment.

【図2】インデックスセンサの詳細構成を示す模式図で
ある。
FIG. 2 is a schematic diagram showing a detailed configuration of an index sensor.

【図3】副走査方向のずれを検出するための原理を説明
する模式図である。
FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a principle for detecting a shift in the sub-scanning direction.

【図4】主走査方向のずれを検出するための原理を説明
する模式図である。
FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a principle for detecting a shift in the main scanning direction.

【図5】本実施の形態におけるマルチビーム走査制御回
路を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram illustrating a multi-beam scanning control circuit according to the present embodiment.

【図6】同期制御回路の詳細を示すブロック図である。FIG. 6 is a block diagram illustrating details of a synchronization control circuit.

【図7】本実施の形態におけるマルチビーム走査制御回
路の動作を示すタイムチャートである。
FIG. 7 is a time chart illustrating an operation of the multi-beam scanning control circuit according to the present embodiment.

【図8】図7に示したマルチビーム走査制御回路の動作
を示すタイムチャートである。
8 is a time chart showing an operation of the multi-beam scanning control circuit shown in FIG.

【図9】他の実施の形態におけるマルチビーム走査制御
回路の動作を示すタイムチャートである。
FIG. 9 is a time chart illustrating an operation of a multi-beam scanning control circuit according to another embodiment.

【図10】主走査方向の印字クロックの1周期内のずれ
補正を示すタイムチャートである。
FIG. 10 is a time chart showing correction of deviation within one cycle of a print clock in the main scanning direction.

【図11】主走査方向の印字クロックの整数倍のずれ補
正を示すタイムチャートである。
FIG. 11 is a time chart showing correction of a deviation of an integral multiple of a print clock in the main scanning direction.

【図12】副走査方向のずれを検出するタイムチャート
である。
FIG. 12 is a time chart for detecting a shift in the sub-scanning direction.

【図13】従来のマルチでない走査制御回路の動作を示
すタイムチャートである。
FIG. 13 is a time chart showing an operation of a conventional non-multi scan control circuit.

【図14】マルチビームのインデックスセンサの走査状
態を示した概念図である。
FIG. 14 is a conceptual diagram showing a scanning state of a multi-beam index sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11a,11b 半導体レーザ 16 インデックスセンサ 16A,16B,16C,16D センサ 112 サンプルホールド回路 170 同期制御回路 171 時間間隔測定部 172 主走査方向のずれ演算部 173 副走査方向のずれ演算部 CH 外付けコンデンサ 11a, 11b Semiconductor laser 16 Index sensor 16A, 16B, 16C, 16D Sensor 112 Sample hold circuit 170 Synchronous control circuit 171 Time interval measuring section 172 Shift calculating section in main scanning direction 173 Shift calculating section in sub-scanning direction CH External capacitor

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザから照射されるマルチビー
ムの光量を1走査ライン毎にサンプルホールドし、当該
サンプルホールドした信号に基づいて前記マルチビーム
の光量を安定させ、基準となるビームをインデックスセ
ンサに入射することにより、回転多面鏡の面位置を検出
し、前記マルチビームを同期させるマルチビーム走査方
法において、前記マルチビームが前記インデックスセン
サの受光部に到達するまでに前記マルチビームの光量の
制御を終了することを特徴とするマルチビーム走査方
法。
1. A light quantity of a multi-beam emitted from a semiconductor laser is sampled and held for each scanning line, a light quantity of the multi-beam is stabilized based on the sampled and held signal, and a reference beam is sent to an index sensor. By being incident, the surface position of the rotating polygon mirror is detected, and in the multi-beam scanning method for synchronizing the multi-beam, the light amount of the multi-beam is controlled until the multi-beam reaches the light receiving portion of the index sensor. A multi-beam scanning method characterized by terminating.
【請求項2】 半導体レーザから照射されるマルチビー
ムの光量を1走査ライン毎にサンプルホールド回路でサ
ンプルホールドし、当該サンプルホールドした信号に基
づいて前記マルチビームの光量を安定させる自動光量制
御回路と、基準となるビームをインデックスセンサに入
射することにより、回転多面鏡の面位置を検出し、前記
マルチビームを同期させる同期制御回路とを有するマル
チビーム走査制御装置において、前記マルチビームが前
記インデックスセンサの受光部に到達するまでに前記自
動光量制御回路で光量の制御を終了することを特徴とす
るマルチビーム走査制御装置。
2. An automatic light quantity control circuit which samples and holds the light quantity of a multi-beam emitted from a semiconductor laser for each scanning line by a sample-and-hold circuit, and stabilizes the light quantity of the multi-beam based on the sample-held signal. A multi-beam scanning control device having a synchronization control circuit for detecting a surface position of the rotary polygon mirror by irradiating a reference beam to the index sensor, and synchronizing the multi-beam. A control of the amount of light by the automatic light amount control circuit before the light beam reaches the light receiving section.
【請求項3】 前記マルチビームが前記インデックスセ
ンサを通過する際に前記サンプルホールド回路をホール
ド状態にすることを特徴とする請求項2に記載のマルチ
ビーム走査制御装置。
3. The multi-beam scanning control device according to claim 2, wherein the sample-and-hold circuit is held when the multi-beam passes through the index sensor.
【請求項4】 前記同期制御回路は基準となるビームが
前記インデックスセンサに入射して得られた基準信号を
基に主走査方向及び副走査方向の位置ズレを検出して補
正することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の
マルチビーム走査制御装置。
4. The synchronization control circuit detects and corrects a positional deviation in a main scanning direction and a sub-scanning direction based on a reference signal obtained when a reference beam is incident on the index sensor. The multi-beam scanning control device according to claim 2 or 3, wherein:
【請求項5】 前記半導体レーザは一個の半導体レーザ
により構成されていることを特徴とする請求項2に記載
のマルチビーム走査制御装置。
5. The multi-beam scanning control device according to claim 2, wherein said semiconductor laser comprises one semiconductor laser.
【請求項6】 前記半導体レーザは複数個の半導体レー
ザにより構成されていることを特徴とする請求項2に記
載のマルチビーム走査制御装置。
6. The multi-beam scanning control device according to claim 2, wherein said semiconductor laser comprises a plurality of semiconductor lasers.
JP10031115A 1997-02-14 1998-02-13 Multi-beam scan method and controller therefor Pending JPH10288743A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10031115A JPH10288743A (en) 1997-02-14 1998-02-13 Multi-beam scan method and controller therefor

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3021297 1997-02-14
JP9-30212 1997-02-14
JP10031115A JPH10288743A (en) 1997-02-14 1998-02-13 Multi-beam scan method and controller therefor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10288743A true JPH10288743A (en) 1998-10-27

Family

ID=26368519

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10031115A Pending JPH10288743A (en) 1997-02-14 1998-02-13 Multi-beam scan method and controller therefor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10288743A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8238393B2 (en) 2009-08-03 2012-08-07 Ricoh Company, Ltd. Multi-beam laser light-intensity control circuit and optical scanning apparatus including the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8238393B2 (en) 2009-08-03 2012-08-07 Ricoh Company, Ltd. Multi-beam laser light-intensity control circuit and optical scanning apparatus including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1286533B1 (en) Light-emission modulation having effective scheme of creating gray scale on image
US6791596B2 (en) Method and apparatus for image forming capable of effectively generating pixel clock pulses
JP2003300341A (en) Pixel clock generating device, laser scanning device, and image forming apparatus
US20050243163A1 (en) Pixel clock generation circuit
KR20030007118A (en) Light beam deflecting apparatus, image forming apparatus utilizing the same and drive method therefor
JPH09189873A (en) Method and device for scanning multi-beam
US7050080B2 (en) Image forming apparatus for controlling image writing by adjusting image clock
US6154292A (en) Multi-beam scanning method and control apparatus for the same
US6919979B2 (en) Optical scanning apparatus
US5059987A (en) Synchronizing signal generating system
US7368706B2 (en) Light scanning device
US9996021B2 (en) Optical writing device and image forming apparatus incorporating same
US7626722B2 (en) Image recording apparatus
JPH10288743A (en) Multi-beam scan method and controller therefor
US6570675B1 (en) Image forming apparatus capable of controlling timing for a plurality of laser beams to write an image
JP3945966B2 (en) Image forming apparatus
JP2003266770A (en) Image forming equipment
JP2003043389A (en) Scan optical device
JP2624757B2 (en) Synchronous clock generator for laser scanning optical system
JP2002036625A (en) Imaging apparatus
JP2007148008A (en) Optical scanner and image forming apparatus using the same
JP2002090671A (en) Light beam scanner
JPH0377905A (en) Multipoint synchronous optical writing device
JP5304838B2 (en) Image forming apparatus
JP2003015067A (en) Image forming device

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20051201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051213

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060328

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060725