JPH10284252A - Organic el element - Google Patents
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- JPH10284252A JPH10284252A JP9101078A JP10107897A JPH10284252A JP H10284252 A JPH10284252 A JP H10284252A JP 9101078 A JP9101078 A JP 9101078A JP 10107897 A JP10107897 A JP 10107897A JP H10284252 A JPH10284252 A JP H10284252A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機EL(電界発
光)素子に関し、詳しくは、有機化合物からなる積層構
造薄膜に電界を印加して光を放出する素子に関する。さ
らに詳しくは、正孔注入層に特定なトリアリールアミン
多量体を用いることで、低駆動電圧、安定な駆動、安定
な発光、高表示品位、高耐熱性を持つ有機電界発光素子
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) device, and more particularly, to a device that emits light by applying an electric field to a laminated thin film made of an organic compound. More specifically, the present invention relates to an organic electroluminescent device having a low driving voltage, stable driving, stable light emission, high display quality, and high heat resistance by using a specific triarylamine polymer for a hole injection layer.
【0002】[0002]
【従来の技術】有機EL素子は、蛍光性有機化合物を含
む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜
に電子および正孔を注入して再結合させることにより励
起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活
する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光する素
子である。2. Description of the Related Art An organic EL device has a structure in which a thin film containing a fluorescent organic compound is sandwiched between a cathode and an anode. This is an element that emits light by utilizing light emission (fluorescence / phosphorescence) when the exciton is deactivated.
【0003】有機EL素子の特徴は、10V以下の低電
圧で100〜100,000cd/m2程度の高輝度の面発
光が可能であり、また蛍光物質の種類を選択することに
より青色から赤色までの発光が可能なことである。The characteristics of the organic EL device are that it can emit a high-luminance surface light of about 100 to 100,000 cd / m 2 at a low voltage of 10 V or less, and can change the color from blue to red by selecting the kind of fluorescent substance. Is possible.
【0004】一方、有機ELの問題点は、発光寿命が短
く、保存耐久性、信頼性が低いことであり、この原因と
しては、[0004] On the other hand, the problems of the organic EL are that the luminescent life is short, the storage durability and the reliability are low.
【0005】(1)有機化合物の物理的変化 (結晶ドメインの成長などにより界面の不均一化が生
じ、素子の電荷注入能の劣化・短絡・絶縁破壊の原因と
なる。特に分子量500以下の低分子化合物を用いると
結晶粒の出現・成長が起こり、膜性が著しく低下する。
また、ITO等の界面が荒れていても、顕著な結晶粒の
出現・成長が起こり、発光効率の低下や、電流のリーク
を起こし、発光しなくなる。また、部分的非発光部であ
るダークスポットの原因にもなる。)(1) Physical change of organic compound (Nonuniformity of interface occurs due to growth of crystal domains, etc., which causes deterioration of charge injection capability, short circuit, and dielectric breakdown of the element. Particularly, low molecular weight of 500 or less. When a molecular compound is used, the appearance and growth of crystal grains occur, and the film properties are significantly reduced.
Further, even if the interface of ITO or the like is rough, remarkable crystal grains appear and grow, which causes a decrease in luminous efficiency and a leakage of current, resulting in no light emission. It also causes a dark spot which is a partially non-light emitting portion. )
【0006】(2)陰極の酸化・剥離 (電子の注入を容易にするために仕事関数の小さな金属
としてNa・K・Li・Mg・Ca・Al等を用いて来
たが、これらの金属は大気中の水分や酸素と反応した
り、有機層と陰極の剥離が起こり、電荷注入出来なくな
る。特に高分子化合物などを用い、スピンコートなどで
成膜した場合、成膜時の残留溶媒・水分や分解物が電極
の酸化反応を促進し、電極の剥離が起こり部分的な非発
光部を生じさせる。)(2) Oxidation and exfoliation of cathode (Na, K, Li, Mg, Ca, Al, etc. have been used as metals having a small work function to facilitate electron injection. It reacts with moisture or oxygen in the atmosphere, or the organic layer and the cathode peel off, making it impossible to inject charges.Especially when spin-coating using a polymer compound etc., residual solvent and moisture during film formation And decomposition products accelerate the oxidation reaction of the electrode, causing the electrode to peel off and to generate a partial non-light emitting portion.)
【0007】(3)発光効率が低く、発熱量が多い事。 (有機化合物中に電流を流すので、高い電界強度下に有
機化合物を置かねばならず、発熱からは逃れられない。
その熱のため、有機化合物の溶融・結晶化・熱分解など
により素子の劣化・破壊が起こる。)(3) The luminous efficiency is low and the amount of generated heat is large. (Since a current is passed through the organic compound, the organic compound must be placed under a high electric field strength, and it cannot escape heat generation.
Due to the heat, the element is deteriorated or broken due to melting, crystallization, thermal decomposition, etc. of the organic compound. )
【0008】(4)有機化合物層の光化学的変化・電気
化学的変化 (有機物に電流を流すことで有機物が劣化し、電流トラ
ップ・励起子トラップ等の欠陥を生じ、駆動電圧の上
昇、輝度の低下等の素子劣化が起こる。)などが挙げら
れる。(4) Photochemical and electrochemical changes of the organic compound layer (When an electric current is applied to the organic substance, the organic substance is degraded, and defects such as current traps and exciton traps are generated. Element deterioration such as reduction occurs).
【0009】また、実用の発光デバイスでは色々な環境
下で用いられるが、特に高温の環境では、有機化合物の
物理的変化である結晶化・有機物の移動・拡散等の有機
分子の再配列を起こし、表示品位の低下や、素子の破壊
を引き起こす。Further, practical light emitting devices are used in various environments, but particularly in a high temperature environment, rearrangement of organic molecules such as crystallization, movement and diffusion of organic substances, which are physical changes of organic compounds, occurs. This causes deterioration of display quality and destruction of elements.
【0010】また、有機材料と無機材料の界面である陽
極や陰極界面、特に陽極界面は成膜時の有機物層の膜性
に大きな影響を及ぼし、状態によっては陽極上に有機物
層が不均一に成膜されたり、良好な界面が形成できない
等の不具合を生じる。Also, the anode and cathode interfaces, which are the interface between the organic material and the inorganic material, particularly the anode interface, have a great effect on the film properties of the organic material layer at the time of film formation, and depending on the state, the organic material layer may be uneven on the anode. Problems such as formation of a film or failure to form a good interface occur.
【0011】このため従来、有機EL発光素子の陽極界
面に、フタロシアニン、ポリフェニレンビニレン、ポリ
チオフェン蒸着膜、アミン多量体等の材料を用いること
が報告されている。しかしながら、フタロシアニン(米
国特許第4720432号明細書あるいは特開昭63-
295695号公報)を用いるとフタロシアニン自身が
微結晶性で、上に載せる材料の結晶化を促進するため、
初期状態では良好でも長期的にはダークスポットや、発
光ムラ等の原因となり好ましくない。また、ポリフェニ
レンビニレンはスピンコート等のウエットプロセスを用
いるため、水分等空気中の不純物を巻き込んだり、前駆
体から変換する際の脱離基等のイオン性不純物が混入す
るため、電極の酸化が速く、著しい輝度劣化や駆動電圧
の上昇の原因となる。For this reason, it has been reported that a material such as phthalocyanine, polyphenylenevinylene, a polythiophene vapor-deposited film, or an amine polymer is used for an anode interface of an organic EL light emitting device. However, phthalocyanine (US Pat. No. 4,720,432 or JP-A-63-432)
The use of phthalocyanine itself is microcrystalline and promotes the crystallization of the material placed thereon,
Even if it is good in the initial state, it causes dark spots and uneven light emission in the long term, which is not preferable. In addition, since polyphenylene vinylene uses a wet process such as spin coating, the oxidization of the electrode is rapid because impurities such as moisture and the like in the air are involved, and ionic impurities such as leaving groups when converting from the precursor are mixed. This causes a significant deterioration in luminance and an increase in driving voltage.
【0012】また、ポリチオフェン蒸着膜はポリチオフ
ェンの重合度や蒸着時ののばらつきが大きく、良好な素
子作製の再現性が低い事や、ポリチオフェン自身が可視
光領域に光吸収を持っているため膜厚を厚くすることが
困難であり、ITOの表面状態を十分に改質出来ない等
の不具合が生じる。また、アミン系多量体としては、デ
ンドリマー材料(特開平4-308688号公報)やテ
トラアミン材料(米国特許第439627号明細書)・
トリアミン材料(特開平8-193191号公報)等が
報告されているが、十分な耐熱性、特に高温保存状態に
おいて陽極上での膜の均一性・安定性は得られていな
い。The polythiophene vapor-deposited film has a large degree of variation in the degree of polymerization of polythiophene and the time of vapor deposition, has low reproducibility in producing a favorable device, and has a film thickness because polythiophene itself has light absorption in the visible light region. It is difficult to increase the thickness of the ITO, and problems such as insufficient modification of the surface state of the ITO occur. Examples of the amine-based multimer include dendrimer materials (JP-A-4-308688) and tetraamine materials (US Pat. No. 4,396,627).
Although triamine materials (Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-193191) have been reported, sufficient heat resistance, in particular, uniformity and stability of a film on an anode in a high-temperature storage state have not been obtained.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、特に
物理的変化や光化学的変化、電気化学的変化の少ない光
・電子機能材料を用い、信頼性および発光効率の高い種
々の発光色を持った、有機EL素子を提供することであ
る。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide various luminescent colors having high reliability and luminous efficiency, particularly by using optical and electronic functional materials having little physical change, photochemical change and electrochemical change. And to provide an organic EL device.
【0014】また、アモルファス性が高く、陽極との相
性が高い化合物を蒸着法で形成した有機薄膜を用い、素
子の駆動時の駆動電圧上昇や輝度の低下、電流のリー
ク、部分的な非発光部の出現・成長を抑え、輝度の低下
が小さく、高耐熱性等の信頼性が高く、かつ高輝度な有
機EL素子を提供することである。Further, an organic thin film formed by vapor deposition of a compound having a high amorphous property and a high compatibility with the anode is used to increase the driving voltage and decrease the luminance when driving the device, leak current, and partially emit light. An object of the present invention is to provide an organic EL device which suppresses the appearance and growth of portions, has a small decrease in luminance, has high reliability such as high heat resistance, and has high luminance.
【0015】また、多層膜を用いた有機EL素子におい
て、陽電極や組み合わせる有機材料に最適な仕事関数を
もたせ、かつ耐熱性の高い有機EL素子を提供すること
である。Another object of the present invention is to provide an organic EL device using a multilayer film, which has an optimum work function for a positive electrode and an organic material to be combined and has high heat resistance.
【0016】[0016]
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(4)の本発明により達成される。 (1) 少なくとも1層以上の有機化合物層を有し、こ
の有機物層の少なくとも1層が下記式(I)で表される
化合物を含有する有機EL素子。This and other objects are achieved by the present invention which is defined below as (1) to (4). (1) An organic EL device having at least one or more organic compound layers, wherein at least one of the organic material layers contains a compound represented by the following formula (I).
【0017】[0017]
【化2】 Embedded image
【0018】(式(I)中、R1,R2,R3,R4,R5
およびR6は、それぞれ水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、3-フェニル基、フェノキシ基、アリールアミノ
基またはジアリールアミノ基を表す。但し、R1,R2,
R3,R4,R5およびR6の少なくとも1つは3-フェニル
基、アリールアミノ基またはジアリールアミノ基であ
る。) (2) 前記有機化合物層として、少なくとも正孔注入
輸送層と、発光層とを有し、前記正孔注入輸送層が上記
(1)の化合物を含有する有機EL素子。 (3) 前記有機化合物層として、正孔注入層と、発光
層とを有し、前記正孔注入層が上記(1)の化合物を含
有する有機EL素子。 (4) 発光層が、正孔注入輸送性化合物と、電子注入
輸送性化合物とを含有する上記(1)〜(3)のいずれ
かの有機EL素子。(In the formula (I), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5
And R 6 each represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a 3-phenyl group, a phenoxy group, an arylamino group or a diarylamino group. Where R 1 , R 2 ,
At least one of R 3 , R 4 , R 5 and R 6 is a 3-phenyl group, an arylamino group or a diarylamino group. (2) An organic EL device having at least a hole injection / transport layer and a light-emitting layer as the organic compound layer, wherein the hole injection / transport layer contains the compound of the above (1). (3) An organic EL device having a hole injection layer and a light emitting layer as the organic compound layer, wherein the hole injection layer contains the compound of the above (1). (4) The organic EL device according to any one of the above (1) to (3), wherein the light emitting layer contains a hole injecting and transporting compound and an electron injecting and transporting compound.
【0019】[0019]
【作用】本発明の有機EL素子は上記式(I)で表され
る化合物を正孔(ホール)注入層もしくはホール注入輸
送層に用いるため、薄膜性が良好となりムラが無く均一
な発光が可能である。また、大気下で一年以上安定であ
り結晶化を起こさない。また、ホール注入効率を最適化
するため、分子構造に特定なトリアリールアミン多量体
を有することを特徴とする。また、高温駆動にも耐えら
れ、低駆動電圧・低駆動電流で効率よく発光する。さら
に、本発明の有機EL素子は、連続駆動時に駆動電圧の
上昇が小さい。なお、本発明のEL素子の発光極大波長
は、400〜700nm程度である。In the organic EL device of the present invention, since the compound represented by the above formula (I) is used in the hole (hole) injecting layer or the hole injecting and transporting layer, the organic EL device has a good thin film property and can emit light uniformly without unevenness. It is. It is stable in the atmosphere for more than one year and does not crystallize. Further, in order to optimize the hole injection efficiency, it is characterized by having a triarylamine multimer specific to the molecular structure. Also, it can withstand high temperature driving and emits light efficiently with low driving voltage and low driving current. Further, in the organic EL device of the present invention, the driving voltage does not increase during continuous driving. The maximum emission wavelength of the EL device of the present invention is about 400 to 700 nm.
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】本発明の有機EL素子は、有機化
合物層を有し、少なくとも1層の有機化合物層が上記式
(I)で表される骨格を有する化合物を含有する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The organic EL device of the present invention has an organic compound layer, and at least one organic compound layer contains a compound having a skeleton represented by the above formula (I).
【0021】上記式(I)について説明すると、R1 ,
R2 ,R3 ,R4 ,R5 およびR6,は、水素原子、ア
ルキル基、アルコキシ基、3−フェニル基、フェノキシ
基、アリールアミノ基またはジアリールアミノ基を表
す。R1 とR3 とR5 、そしてR2 とR4 およびR
6 は、通常、それぞれ同一であるが異なっていてもよ
い。アルキル基としては、通常、炭素数1〜6の直鎖ま
たは分岐を有するアルキル基が挙げられる。アルコキシ
基としては、アルキル部分の炭素数1〜6のものが好ま
しく、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、t−ブト
キシ基等が挙げられる。フェニル基は、置換基を有して
いてもよく、このような置換基としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基等の炭素数1〜6のアル
キル基、メトキシ基、エトキシ基等の炭素数1〜6のア
ルコキシ基、フェノキシ基等が挙げられる。これらの置
換基は、母骨格の3−位に置換基を有することが好まし
い。アリールアミノ基またはジアリールアミノ基として
は、Describing the above formula (I), R 1 ,
R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a 3-phenyl group, a phenoxy group, an arylamino group or a diarylamino group. R 1 and R 3 and R 5 , and R 2 and R 4 and R
6 are usually the same but may be different. Examples of the alkyl group include a linear or branched alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. As the alkoxy group, those having 1 to 6 carbon atoms in the alkyl portion are preferable, and specific examples include a methoxy group, an ethoxy group, and a t-butoxy group. The phenyl group may have a substituent. Examples of such a substituent include an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group, a methoxy group, an ethoxy group, and the like. And an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a phenoxy group and the like. These substituents preferably have a substituent at the 3-position of the mother skeleton. As the arylamino group or the diarylamino group,
【0022】[0022]
【化3】 Embedded image
【0023】が挙げられる。上記Ar1 およびAr
2 は、それぞれフェニル基、(o,m,p)ビフェニル
基またはα,β−ナフチル基、アントリル基、フェナン
トリル基、ピレニル基またはペリレニル基を表し、これ
らは、炭素数1〜3のアルキル基、アリール基、アルコ
キシ基、アミノ基またはベンゾイル基で置換されていて
もよい。R7 は炭素数1〜5のアルキル基である。[0023] Ar 1 and Ar
2 represents a phenyl group, an (o, m, p) biphenyl group or an α, β-naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group or a perylenyl group, each of which is an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms; It may be substituted with an aryl group, an alkoxy group, an amino group or a benzoyl group. R 7 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.
【0024】なお、Ar1 ,Ar2 を置換する炭素数1
〜3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロ
ピル基等が挙げられ、またAr1 ,Ar2 を置換するア
リール基としては、単環または多環のものであってよ
く、総炭素数6〜20のものが好ましい。具体的には、
フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリ
ル基およびピレニル基等が挙げられ、特にフェニル基が
好ましい。これらアリール基はさらに置換されていても
よく、このような置換基として、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アリーロキシル基等が挙げられる。
Ar1 ,Ar2 を置換するアルコキシ基としては、アル
キル部分の炭素数1〜6のものが好ましく、具体的に
は、メトキシ基、エトキシ基、t−ブトキシ基等が挙げ
られる。これらはさらに置換されていてもよい。A
r1 ,Ar2 を置換するアミノ基としては、非置換でも
置換基を有していてもよいが、置換基を有するものとし
ては、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニ
ルアミノ基、フェニルビフェニルアミノ基、ビス(ビフ
ェニル)アミノ基等の上記のAr1 ,Ar2 、R7 等を
持つジアリールアミノ基、アルキルアリールアミノ基、
ジアリールアミノ基等が挙げられる。ベンゾイル基は置
換基を有していてもよく、このような置換基としては、
アリール基で挙げたものと同様のものが挙げられる。It is to be noted that carbon atoms which substitute Ar 1 and Ar 2 have 1 carbon atom.
Examples of the alkyl groups (1) to (3) include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group. The aryl group that substitutes for Ar 1 and Ar 2 may be a monocyclic or polycyclic group, Those having 6 to 20 are preferred. In particular,
Examples include a phenyl group, a naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group and a pyrenyl group, and a phenyl group is particularly preferred. These aryl groups may be further substituted, and examples of such a substituent include an alkyl group, an aryl group, an alkoxy group, and an aryloxyl group.
The alkoxy group that substitutes for Ar 1 and Ar 2 preferably has 1 to 6 carbon atoms in the alkyl portion, and specific examples include a methoxy group, an ethoxy group, and a t-butoxy group. These may be further substituted. A
The amino group which substitutes for r 1 and Ar 2 may be unsubstituted or may have a substituent. Examples of the amino group having a substituent include a dimethylamino group, a diethylamino group, a diphenylamino group, and a phenylbiphenylamino group. A diarylamino group having the above-mentioned Ar 1 , Ar 2 , R 7 such as a bis (biphenyl) amino group, an alkylarylamino group,
And a diarylamino group. The benzoyl group may have a substituent, such a substituent,
Examples are the same as those described for the aryl group.
【0025】これらの、R1 〜R6 のうち、少なくとも
1つ、特に2〜6、さらには3〜6は、3フェニル基お
よび/またはアリールアミノ基および/またはジアリー
ルアミノ基である必要がある。At least one of R 1 to R 6 , especially 2 to 6, and more preferably 3 to 6, must be a 3 phenyl group and / or an arylamino group and / or a diarylamino group. .
【0026】また、上記式(I)の好ましい具体例を下
記に示す。Preferred specific examples of the above formula (I) are shown below.
【0027】[0027]
【表1】 [Table 1]
【0028】[0028]
【表2】 [Table 2]
【0029】[0029]
【表3】 [Table 3]
【0030】[0030]
【表4】 [Table 4]
【0031】[0031]
【表5】 [Table 5]
【0032】[0032]
【表6】 [Table 6]
【0033】また、本発明の化合物は、ハロゲン化芳香
族と1級もしくは2級の芳香族アミンとを、ウルマン反
応により縮合する事で提供できる。特にヨウ化アリール
化合物と、アリールアミノまたはジアリールアミノ化合
物とをウルマン反応により縮合することで、好ましく合
成することができる。The compound of the present invention can be provided by condensing a halogenated aromatic with a primary or secondary aromatic amine by an Ullmann reaction. In particular, the compound can be preferably synthesized by condensing an aryl iodide compound and an arylamino or diarylamino compound by an Ullmann reaction.
【0034】本発明の化合物は、質量分析、赤外吸収ス
ペクトル(IR)、 1H核磁気共鳴スペクトル(NM
R)等によって同定することができる。The compound of the present invention can be analyzed by mass spectrometry, infrared absorption spectrum (IR), and 1 H nuclear magnetic resonance spectrum (NM).
R) and the like.
【0035】これらの本発明の化合物は、640〜20
00程度の分子量をもち、190〜300℃以上の高融
点を有し、80〜200℃の高ガラス転移温度を示し、
通常の真空蒸着等により透明で室温以上でも安定なアモ
ルファス状態を形成し、平滑で良好な膜として得られ、
しかもそれが長期間に渡って維持される。なお、本発明
の化合物のなかには融点を示さず、高温においてもアモ
ルファス状態を呈するものもある。従ってバインダー樹
脂を用いることなく、それ自体で薄膜化することができ
る。These compounds of the present invention are 640 to 20
It has a molecular weight of about 00, has a high melting point of 190-300 ° C. or higher, shows a high glass transition temperature of 80-200 ° C.,
Form a stable amorphous state even at room temperature or higher by transparent vacuum deposition etc., and obtain a smooth and good film,
And it is maintained for a long time. It should be noted that some of the compounds of the present invention do not show a melting point and may exhibit an amorphous state even at a high temperature. Therefore, a thin film can be formed by itself without using a binder resin.
【0036】本発明のEL素子は、少なくとも1層の有
機化合物層を有し、少なくとも1層の有機化合物層が本
発明の化合物を含有する。本発明の有機EL素子の構成
例を図1に示す。同図に示される有機EL素子は、陽極
3、正孔注入・輸送層4、発光層5、電子注入輸送層
6、陰極7を順次有し、さらにガラス基板2上に、カラ
ーフィルター8、蛍光変換フィルター9、前記有機EL
素子、封止層10、カバー11を順次積層、形成するこ
とにより有機ELカラーディスプレイとなる。The EL device of the present invention has at least one organic compound layer, and at least one organic compound layer contains the compound of the present invention. FIG. 1 shows a configuration example of the organic EL element of the present invention. The organic EL device shown in FIG. 1 has an anode 3, a hole injection / transport layer 4, a light emitting layer 5, an electron injection / transport layer 6, and a cathode 7 in that order. Conversion filter 9, the organic EL
An organic EL color display is obtained by sequentially laminating and forming the element, the sealing layer 10, and the cover 11.
【0037】発光層は、正孔(ホール)および電子の注
入機能、それらの輸送機能、正孔と電子の再結合により
励起子を生成させる機能を有する。正孔注入輸送層は、
陽極からの正孔の注入を容易にする機能、正孔を安定に
輸送する機能および電子の輸送を妨げる機能を有し、電
子注入輸送層は、陰極からの電子の注入を容易にする機
能、電子を安定に輸送する機能および正孔の輸送を妨げ
る機能を有するものであり、これらの層は、発光層へ注
入される正孔や電子を増大・閉じ込めるさせ、再結合領
域を最適化させ、発光効率を改善する。電子注入輸送層
および正孔注入輸送層は、発光層に用いる化合物の電子
注入、電子輸送、正孔注入、正孔輸送の各機能の高さを
考慮し、必要に応じて設けられる。例えば、発光層に用
いる化合物の正孔注入輸送機能または電子注入輸送機能
が高い場合には、正孔注入輸送層または電子注入輸送層
を設けずに、発光層が正孔注入輸送層または電子注入輸
送層を兼ねる構成とすることができる。また、場合によ
っては正孔注入輸送層および電子注入輸送層のいずれも
設けなくてよい。また、正孔注入輸送層および電子注入
輸送層は、それぞれにおいて、注入機能を持つ層と輸送
機能を持つ層とに別個に設けてもよい。The light emitting layer has a function of injecting holes (holes) and electrons, a function of transporting them, and a function of generating excitons by recombination of holes and electrons. The hole injection transport layer is
The electron injection transport layer has a function of facilitating injection of holes from the anode, a function of stably transporting holes, and a function of hindering the transport of electrons. These layers have the function of stably transporting electrons and the function of hindering the transport of holes.These layers increase and confine holes and electrons injected into the light emitting layer, optimize the recombination region, Improve luminous efficiency. The electron injecting / transporting layer and the hole injecting / transporting layer are provided as necessary in consideration of the height of each function of electron injection, electron transport, hole injection, and hole transport of the compound used in the light emitting layer. For example, when the compound used for the light-emitting layer has a high hole-injection-transport function or an electron-injection-transport function, the light-emitting layer may be provided without the hole-injection-transport layer or the electron-injection-transport layer. It can be configured to also serve as a transport layer. In some cases, neither the hole injection transport layer nor the electron injection transport layer may be provided. In addition, the hole injection / transport layer and the electron injection / transport layer may be separately provided in a layer having an injection function and a layer having a transport function.
【0038】また、組み合わせる発光層や、電子注入輸
送層や、正孔注入輸送層などのキャリア移動度やキャリ
ア密度(イオン化ポテンシャル・電子親和力により決ま
る)を考慮しながら、膜厚をコントロールすることで、
再結合領域・発光領域を自由に設定することが可能であ
り、発光色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度
・発光スペクトルの制御や、発光の空間分布の制御を可
能にできる。Further, by controlling the film thickness in consideration of the carrier mobility and carrier density (determined by ionization potential and electron affinity) of the combined light emitting layer, electron injection transport layer and hole injection transport layer. ,
It is possible to freely set a recombination region and a light emission region, and it is possible to design a light emission color, control a light emission luminance and a light emission spectrum by an interference effect between both electrodes, and control a spatial distribution of light emission.
【0039】本発明の化合物を正孔注入輸送層に用いる
場合について説明する。正孔注入輸送層は、本発明の化
合物を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散さ
せてコーティングして形成すればよい。特に蒸着を行え
ば良好なアモルファス膜が得られる。The case where the compound of the present invention is used for a hole injection transport layer will be described. The hole injection transport layer may be formed by depositing the compound of the present invention or dispersing the compound in a resin binder and coating. In particular, a good amorphous film can be obtained by vapor deposition.
【0040】本発明の化合物を正孔注入輸送層に用いる
場合、発光層に用いる蛍光性物質は、より長波長の蛍光
をもつものから選択すればよく、例えば、上記した発光
層において本発明の化合物と併用される蛍光性物質の1
種以上から適宜選択すればよい。なお、このような場合
発光層にも本発明の化合物を用いることができる。When the compound of the present invention is used in the hole injecting and transporting layer, the fluorescent substance used in the light emitting layer may be selected from those having fluorescence of a longer wavelength. One of the fluorescent substances used in combination with the compound
What is necessary is just to select suitably from a kind or more. In such a case, the compound of the present invention can be used also in the light emitting layer.
【0041】また正孔注入輸送層には、一種以上の正孔
注入輸送材料を組み合わせてもよい。特に好ましいの
は、組み合わせる正孔注入輸送材料をイオン化ポテンシ
ャルの小さい順にITO上に、例えば、正孔注入層、正
孔輸送層と積層することが好ましく、ITO表面には、
薄膜性が良好で、親水性にバラツキのあるITO表面上
でも均一な薄膜を形成することのできる正孔注入材料を
用いることが好ましい。素子化する場合、蒸着を用いる
事ができるので、1〜10nm程度の薄い膜も、均一かつ
ピンホールフリーとする事が出来る。また、膜厚、屈折
率などを調整することで、発光色や発光輝度、発光の空
間分布等の干渉光効果を利用して効率の低下を防ぐこと
が出来る。The hole injecting and transporting layer may be combined with one or more hole injecting and transporting materials. It is particularly preferred that the hole injecting and transporting materials to be combined are laminated on the ITO in ascending order of ionization potential, for example, a hole injecting layer and a hole transporting layer.
It is preferable to use a hole injecting material which has a good thin film property and can form a uniform thin film even on an ITO surface having a variation in hydrophilicity. When an element is formed, vapor deposition can be used, so that a thin film of about 1 to 10 nm can be made uniform and pinhole-free. Further, by adjusting the film thickness, the refractive index, and the like, it is possible to prevent a decrease in efficiency by utilizing an interference light effect such as a light emission color, light emission luminance, and light emission spatial distribution.
【0042】また、発光層に面する正孔輸送層には特開
昭63−295695号、特開平5−234681号、
特開平8−48656号等に開示されている化合物を用
いる事が好ましい。The hole transporting layer facing the light emitting layer is disclosed in JP-A-63-295695, JP-A-5-234681,
It is preferable to use the compounds disclosed in JP-A-8-48656 and the like.
【0043】本発明の化合物を用いることもできるが、
本発明の化合物はフェニレンジアミン骨格を持っており
ドナー性が非常に強く、発光材料とエキサイプレックス
等の蛍光強度の低下するような相互作用をしやすい。そ
のため、発光効率の低下や、発光スペクトルのブロード
化による色純度低下等の弊害があり、好ましくない。し
かしながら、相互作用の無い発光材料を用いたときに
は、ホール(正孔)輸送材料として用いることが出来
る。Although the compounds of the present invention can be used,
The compound of the present invention has a phenylenediamine skeleton, has a very strong donor property, and easily interacts with a luminescent material such that the fluorescence intensity of an exciplex or the like decreases. Therefore, there are adverse effects such as a decrease in luminous efficiency and a decrease in color purity due to broadening of the emission spectrum, which is not preferable. However, when a light emitting material having no interaction is used, it can be used as a hole (hole) transporting material.
【0044】本発明の化合物は、正孔注入層、正孔輸送
層、発光層あるいは正孔注入輸送層のいずれにも適用可
能であるが、正孔注入性が良好であるので、正孔注入層
あるいは正孔注入輸送層に用いることが好ましい。本発
明の化合物を正孔注入層に用い、TPD等の相互作用の
少ない正孔輸送層を設けることで、発光効率を高く維持
することができる。The compound of the present invention can be applied to any of a hole injecting layer, a hole transporting layer, a light emitting layer and a hole injecting and transporting layer. It is preferably used for a layer or a hole injection / transport layer. By using the compound of the present invention for the hole injection layer and providing a hole transport layer with little interaction such as TPD, high luminous efficiency can be maintained.
【0045】本発明では、発光層に蛍光物質を含有させ
てもよい。このような蛍光性物質としては、例えば、特
開昭63−264692号公報に開示されているような
化合物、例えばキナクリドン、ルブレン、スチリル系色
素等の化合物から選択される少なくとも1種が挙げられ
る。また、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム等
の8−キノリノールないしその誘導体を配位子とする金
属錯体色素などのキノリン誘導体、テトラフェニルブタ
ジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、12−フ
タロペリノン誘導体等が挙げられる。さらには、特願平
6−110569号のフェニルアントラセン誘導体、特
願平6−114456号のテトラアリールエテン誘導体
等も挙げられる。In the present invention, the light emitting layer may contain a fluorescent substance. Examples of such a fluorescent substance include compounds disclosed in JP-A-63-264892, for example, at least one selected from compounds such as quinacridone, rubrene, and styryl dyes. Also, quinoline derivatives such as metal complex dyes having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, such as tris (8-quinolinolato) aluminum, tetraphenylbutadiene, anthracene, perylene, coronene, and 12-phthaloperinone derivatives. Furthermore, a phenylanthracene derivative of Japanese Patent Application No. 6-110569, a tetraarylethene derivative of Japanese Patent Application No. 6-114456, and the like can be mentioned.
【0046】また、それ自体で発光が可能なホスト物質
と組み合わせて使用することが好ましく、ドーパントと
しての使用が好ましい。Further, it is preferable to use in combination with a host substance capable of emitting light by itself, and it is preferable to use it as a dopant.
【0047】ホスト物質としては、キノリノラト錯体が
好ましく、さらには8−キノリノールないしその誘導体
を配位子とするアルミニウム錯体が好ましい。このよう
なアルミニウム錯体としては、特開昭63−26469
2号、特開平3−255190号、特開平5−7073
3号、特開平5−258859号、特開平6−2158
74号等に開示されているものを挙げることができる。The host substance is preferably a quinolinolato complex, and more preferably an aluminum complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand. Such an aluminum complex is disclosed in JP-A-63-26469.
No. 2, JP-A-3-255190, JP-A-5-7073
3, JP-A-5-258859, JP-A-6-2158
No. 74 and the like.
【0048】具体的には、まず、トリス(8−キノリノ
ラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラト)マグネ
シウム、ビス(ベンゾ{f}−8−キノリノラト)亜
鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ムオキシド、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウム、5,7−ジクロル−8−キ
ノリノラトアルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−
8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム、ポリ[亜
鉛(II)−ビス(8−ヒドロキシ−5−キノリニル)メ
タン]、等がある。Specifically, first, tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis (benzo {f} -8-quinolinolato) zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum Oxide, tris (8-quinolinolato) indium,
Tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8-quinolinolatolithium, tris (5-chloro-
8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-
Quinolinolato) calcium, 5,7-dichloro-8-quinolinolatoaluminum, tris (5,7-dibromo-
8-hydroxyquinolinolato) aluminum, poly [zinc (II) -bis (8-hydroxy-5-quinolinyl) methane], and the like.
【0049】また、8−キノリノールないしその誘導体
のほかに他の配位子を有するアルミニウム錯体であって
もよく、このようなものとしては、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(フェノラト)アルミニウム(III)
、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(オルト−
クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−
8−キノリノラト)(メタークレゾラト)アルミニウム
(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ
−クレゾラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル
−8−キノリノラト)(オルト−フェニルフェノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノ
ラト)(メタ−フェニルフェノラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)(2,3−ジメチルフェノ
ラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キ
ノリノラト)(2,6−ジメチルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(3,4−ジメチルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(3,5−ジメ
チルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2,6−ジフェニルフェノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラ
ト)(2,4,6−トリフェニルフェノラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)
(2,3,6−トリメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(2,
3,5,6−テトラメチルフェノラト)アルミニウム(I
II) 、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(1−ナ
フトラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−8
−キノリノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(II
I) 、ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)
(オルト−フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)(パラ−
フェニルフェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,
4−ジメチル−8−キノリノラト)(メタ−フェニルフ
ェノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチ
ル−8−キノリノラト)(3,5−ジメチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2,4−ジメチル−8
−キノリノラト)(3,5−ジ−tert−ブチルフェノラ
ト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4−エチ
ル−8−キノリノラト)(パラ−クレゾラト)アルミニ
ウム(III) 、ビス(2−メチル−4−メトキシ−8−キ
ノリノラト)(パラ−フェニルフェノラト)アルミニウ
ム(III) 、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリ
ノラト)(オルト−クレゾラト)アルミニウム(III) 、
ビス(2−メチル−6−トリフルオロメチル−8−キノ
リノラト)(2−ナフトラト)アルミニウム(III) 等が
ある。In addition to 8-quinolinol or a derivative thereof, an aluminum complex having another ligand may be used, such as bis (2-methyl-
8-quinolinolato) (phenolato) aluminum (III)
, Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho-
Cresolato) aluminum (III), bis (2-methyl-
8-quinolinolato) (meth-cresolate) aluminum
(III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (para-cresolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (ortho-phenylphenolate)
Aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (meth-phenylphenolato) aluminum (II
I), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (para-
Phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-
Methyl-8-quinolinolato) (2,3-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,6-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl- 8-quinolinolato)
(3,4-dimethylphenolato) aluminum (III),
Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (3,5-di-tert-butylphenolato) aluminum (III) ), Bis (2-methyl-8)
-Quinolinolato) (2,6-diphenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,4,6-triphenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl- 8-quinolinolato)
(2,3,6-trimethylphenolato) aluminum (I
II), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (2,
3,5,6-tetramethylphenolato) aluminum (I
II), bis (2-methyl-8-quinolinolato) (1-naphthrat) aluminum (III), bis (2-methyl-8
-Quinolinolato) (2-naphthrat) aluminum (II
I), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato)
(Ortho-phenylphenolato) aluminum (III),
Bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (para-
Phenylphenolato) aluminum (III), bis (2,
4-dimethyl-8-quinolinolato) (meta-phenylphenolato) aluminum (III), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) (3,5-dimethylphenolato) aluminum (III), bis (2 4-dimethyl-8
-Quinolinolato) (3,5-di-tert-butylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-4-ethyl-8-quinolinolato) (para-cresolato) aluminum (III), bis (2-methyl) -4-methoxy-8-quinolinolato) (para-phenylphenolato) aluminum (III), bis (2-methyl-5-cyano-8-quinolinolato) (ortho-cresolato) aluminum (III),
Bis (2-methyl-6-trifluoromethyl-8-quinolinolato) (2-naphthrat) aluminum (III);
【0050】このほか、ビス(2−メチル−8−キノリ
ノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−ビス(2−
メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス
(2,4−ジメチル−8−キノリノラト)アルミニウム
(III) −μ−オキソ−ビス(2,4−ジメチル−8−キ
ノリノラト)アルミニウム(III) 、ビス(4−エチル−
2−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −
μ−オキソ−ビス(4−エチル−2−メチル−8−キノ
リノラト)アルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−4
−メトキシキノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オ
キソ−ビス(2−メチル−4−メトキシキノリノラト)
アルミニウム(III) 、ビス(5−シアノ−2−メチル−
8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ−オキソ−
ビス(5−シアノ−2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(III) 、ビス(2−メチル−5−トリフルオ
ロメチル−8−キノリノラト)アルミニウム(III) −μ
−オキソ−ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(III) 等であっても
よい。In addition, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III) -μ-oxo-bis (2-
Methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum
(III) -μ-oxo-bis (2,4-dimethyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (4-ethyl-
2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III)-
μ-oxo-bis (4-ethyl-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2-methyl-4
-Methoxyquinolinolato) aluminum (III) -μ-oxo-bis (2-methyl-4-methoxyquinolinolato)
Aluminum (III), bis (5-cyano-2-methyl-
8-quinolinolato) aluminum (III) -μ-oxo-
Bis (5-cyano-2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (III), bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum (III) -μ
-Oxo-bis (2-methyl-5-trifluoromethyl-8-quinolinolato) aluminum (III) and the like.
【0051】このほかのホスト物質としては、特願平6
−110569号に記載のフェニルアントラセン誘導体
や特願平6−114456号に記載のテトラアリールエ
テン誘導体なども好ましい。Other host materials include Japanese Patent Application No.
Also preferred are phenylanthracene derivatives described in -110569 and tetraarylethene derivatives described in Japanese Patent Application No. 6-114456.
【0052】発光層としては、上記のホスト物質と組み
合わせるものとする他、少なくとも一種以上の正孔注入
輸送性化合物と少なくとも1種以上の電子注入輸送性化
合物との混合層とすることも好ましく、この混合層中に
ドーパントを含有させることが好ましい。このような混
合層における化合物の含有量は、0.01〜20wt%、
さらには0.1〜15wt% とすることが好ましい。ま
た、化合物の含有量が多く(1wt%以上)、キャリア輸
送に影響する場合、前記ドーパントを混合層材料として
もよい。ホスト物質と組み合わせて使用することによっ
て、ホスト物質の発光波長特性を変化させることがで
き、長波長に移行した発光が可能になるとともに、素子
の発光効率や安定性が向上する。The light emitting layer is preferably a mixed layer of at least one or more hole injecting / transporting compounds and at least one or more electron injecting / transporting compounds, in addition to being combined with the above host material. Preferably, the mixed layer contains a dopant. The content of the compound in such a mixed layer is 0.01 to 20 wt%,
More preferably, the content is 0.1 to 15% by weight. When the content of the compound is large (1 wt% or more) and affects carrier transport, the dopant may be used as a mixed layer material. When used in combination with a host substance, the emission wavelength characteristics of the host substance can be changed, light emission shifted to a longer wavelength becomes possible, and the luminous efficiency and stability of the device are improved.
【0053】混合層では、キャリアのホッピング伝導パ
スができるため、各キャリアは極性的に優勢な物質中を
移動し、逆の極性のキャリア注入は起こりにくくなるの
で、有機化合物がダメージを受けにくくなり、素子寿命
がのびるという利点があるが、前述のドーパントをこの
ような混合層に含有させることにより、混合層自体のも
つ発光波長特性を変化させることができ、発光波長を長
波長に移行させることができるとともに、発光強度を高
め、かつ素子の安定性が向上する。In the mixed layer, a carrier hopping conduction path is formed, so that each carrier moves in a material having a polarity predominant, and carrier injection of the opposite polarity is less likely to occur, so that the organic compound is less likely to be damaged. However, there is an advantage that the device life is extended, but by including the above-mentioned dopant in such a mixed layer, the emission wavelength characteristic of the mixed layer itself can be changed, and the emission wavelength can be shifted to a longer wavelength. And the emission intensity is increased, and the stability of the device is improved.
【0054】混合層に用いられる正孔注入輸送性化合物
および電子注入輸送性化合物は、各々、後記の正孔注入
輸送層用の化合物および電子注入輸送層用の化合物の中
から選択すればよい。なかでも、電子注入輸送性化合物
としては、キノリン誘導体、さらには8−キノリノール
ないしその誘導体を配位子とする金属錯体、特にトリス
(8−キノリノラト)アルミニウム(AlQ3)を用い
ることが好ましい。また、上記のフェニルアントラセン
誘導体、テトラアリールアミン誘導体を用いるのも好ま
しい。The hole injecting and transporting compound and the electron injecting and transporting compound used in the mixed layer may be selected from the following compounds for the hole injecting and transporting layer and the compounds for the electron injecting and transporting layer, respectively. Among them, as the electron injecting and transporting compound, it is preferable to use a quinoline derivative, furthermore, a metal complex having 8-quinolinol or a derivative thereof as a ligand, particularly tris (8-quinolinolato) aluminum (AlQ3). It is also preferable to use the above-mentioned phenylanthracene derivatives and tetraarylamine derivatives.
【0055】正孔注入輸送層用の化合物としては、強い
蛍光を持ったアミン誘導体、例えば上記の正孔輸送材料
であるテトラフェニルジアミン誘導体、さらにはスチリ
ルアミン誘導体、芳香族縮合環を持つアミン誘導体を用
いるのが好ましい。Examples of the compound for the hole injecting and transporting layer include amine derivatives having strong fluorescence, for example, the above-described hole transporting materials such as tetraphenyldiamine derivatives, styrylamine derivatives, and amine derivatives having an aromatic condensed ring. It is preferable to use
【0056】混合比は、それぞれのキャリア移動度とキ
ャリア濃度を考慮する事で決定するが、一般的には、正
孔注入輸送性化合物の化合物/電子注入輸送機能を有す
る化合物の重量比が、1/99〜99/1、さらには1
0/90〜90/10、特には20/80〜80/20
程度)となるようにすることが好ましい。The mixing ratio is determined in consideration of the respective carrier mobilities and carrier concentrations. In general, the weight ratio of the compound of the hole injecting / transporting compound to the compound having the electron injecting / transporting function is: 1/99 to 99/1, and even 1
0/90 to 90/10, especially 20/80 to 80/20
Degree).
【0057】また、混合層の厚さは、分子層一層に相当
する厚みから、有機化合物層の膜厚未満とすることが好
ましく、具体的には1〜85nmとすることが好ましく、
さらには5〜60nm、特には5〜50nmとすることが好
ましい。Further, the thickness of the mixed layer is preferably less than the thickness of the organic compound layer from the thickness corresponding to one molecular layer, more preferably 1 to 85 nm.
Further, the thickness is preferably 5 to 60 nm, particularly preferably 5 to 50 nm.
【0058】また、混合層の形成方法としては、異なる
蒸着源より蒸発させる共蒸着が好ましいが、蒸気圧(蒸
発温度)が同程度あるいは非常に近い場合には、予め同
じ蒸着ボード内で混合させておき、蒸着することもでき
る。混合層は化合物同士が均一に混合している方が好ま
しいが、場合によっては、化合物が島状に存在するもの
であってもよい。発光層は、一般的には、有機蛍光物質
を蒸着するか、あるいは樹脂バインダー中に分散させて
コーティングすることにより、発光層を所定の厚さに形
成する。As a method for forming the mixed layer, co-evaporation in which evaporation is performed from different evaporation sources is preferable. However, when the vapor pressures (evaporation temperatures) are approximately the same or very close, they are mixed in advance in the same evaporation board. Alternatively, it can be deposited. In the mixed layer, it is preferable that the compounds are uniformly mixed, but in some cases, the compounds may exist in an island shape. The light-emitting layer is generally formed to a predetermined thickness by vapor-depositing an organic fluorescent substance or by dispersing and coating the resin in a resin binder.
【0059】本発明では、電子注入輸送層を設けてもよ
い。電子注入輸送層には、トリス(8−キノリノラト)
アルミニウム(AlQ3)等の8−キノリノールなしい
その誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン
誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピ
リジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導
体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘
導体等を用いることができる。電子注入輸送層は発光層
を兼ねたものであってもよく、このような場合はトリス
(8−キノリノラト)アルミニウム等を使用することが
好ましい。電子注入輸送層の形成は発光層と同様に蒸着
等によればよい。In the present invention, an electron injection transport layer may be provided. Tris (8-quinolinolato) is used for the electron injection transport layer.
Quinoline derivatives such as organometallic complexes having 8-quinolinol or its derivatives such as aluminum (AlQ3) as ligands, oxadiazole derivatives, perylene derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, nitro substitution A fluorene derivative or the like can be used. The electron injection / transport layer may also serve as the light emitting layer. In such a case, it is preferable to use tris (8-quinolinolato) aluminum or the like. The electron injecting and transporting layer may be formed by vapor deposition or the like, similarly to the light emitting layer.
【0060】本発明の化合物を発光層に用いる場合、正
孔注入輸送層および電子注入輸送層には、通常の有機E
L素子に用いられている各種有機化合物、例えば、特開
昭63−295695号公報、特開平2−191694
号公報、特開平3−792号公報等に記載されている各
種有機化合物を用いることができる。例えば、正孔注入
輸送層には、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カ
ルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール
誘導体、インドール誘導体等を用いることができ、ま
た、電子注入輸送層には、アルミキノリノールなどの有
機金属錯体誘導体・オキサジアゾール誘導体・ピリジン
誘導体・ピリミジン誘導体・キノリン誘導体・キノキサ
リン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ペリレン誘導
体、フルオレン誘導体等を用いることができる。When the compound of the present invention is used in a light-emitting layer, a conventional organic E
Various organic compounds used for the L element, for example, JP-A-63-295695, JP-A-2-191694
And various organic compounds described in JP-A-3-792 and the like. For example, for the hole injecting and transporting layer, an aromatic tertiary amine, a hydrazone derivative, a carbazole derivative, a triazole derivative, an imidazole derivative, an indole derivative, and the like can be used.For the electron injecting and transporting layer, aluminum quinolinol and the like can be used. Organic metal complex derivatives, oxadiazole derivatives, pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, quinoline derivatives, quinoxaline derivatives, diphenylquinone derivatives, perylene derivatives, fluorene derivatives, and the like can be used.
【0061】発光層の厚さ、正孔注入輸送層の厚さおよ
び電子注入輸送層の厚さは特に限定されず、再結合領域
・発光領域の設計や形成方法によっても異なるが、通
常、5〜500nm程度、特に10〜200nmとすること
が好ましい。The thickness of the light emitting layer, the thickness of the hole injecting and transporting layer, and the thickness of the electron injecting and transporting layer are not particularly limited, and vary depending on the design and forming method of the recombination region and the light emitting region. The thickness is preferably about 500 nm, especially about 10 to 200 nm.
【0062】正孔注入輸送層の厚さおよび電子注入輸送
層の厚さは、再結合・発光領域の設計によるが、発光層
の厚さと同程度もしくは1/10〜10倍程度とすれば
よい。The thickness of the hole injecting / transporting layer and the thickness of the electron injecting / transporting layer depend on the design of the recombination / light emitting region, but may be about the same as the thickness of the light emitting layer or about 1/10 to 10 times. .
【0063】電子もしくは正孔の、注入層と輸送層とを
分ける場合は、注入層は1nm以上、輸送層は20nm以上
とするのが好ましい。When the injection layer and the transport layer for electrons or holes are separated from each other, it is preferable that the injection layer has a thickness of 1 nm or more and the transport layer has a thickness of 20 nm or more.
【0064】このときの注入層、輸送層の厚さの上限
は、通常、注入層で100nm程度、輸送層で500nm程
度である。このような膜厚については注入輸送層を2層
設けるときも同じである。At this time, the upper limits of the thickness of the injection layer and the transport layer are generally about 100 nm for the injection layer and about 500 nm for the transport layer. Such a film thickness is the same when two injection / transport layers are provided.
【0065】また、組み合わせる発光層や電子注入輸送
層や正孔注入輸送層のキャリア移動度やキャリア密度
(イオン化ポテンシャル・電子親和力により決まる)を
考慮しながら、膜厚をコントロールすることで、再結合
領域・発光領域を自由に設設する事が可能であり、発光
色の設計や、両電極の干渉効果による発光輝度・発光ス
ペクトルの制御や、発光の空間分布の制御を可能に出来
る。Further, by controlling the film thickness in consideration of the carrier mobility and carrier density (determined by ionization potential and electron affinity) of the combined light emitting layer, electron injection transport layer and hole injection transport layer, recombination can be achieved. It is possible to freely set the region and the light emitting region, and it becomes possible to design the light emission color, control the light emission luminance and light emission spectrum by the interference effect of both electrodes, and control the spatial distribution of light emission.
【0066】陰極には、仕事関数の小さい材料、例え
ば、Li、Na、K、Mg、Al、Ag、Inあるいは
これらの1種以上を含む合金を用いることが好ましい。
また、陰極は結晶粒が細かいことが好ましく、特に、ア
モルファス状態であることが好ましい。陰極の厚さは1
0〜1000nm程度とすることが好ましい。For the cathode, it is preferable to use a material having a small work function, for example, Li, Na, K, Mg, Al, Ag, In, or an alloy containing at least one of these.
The cathode preferably has fine crystal grains, and particularly preferably has an amorphous state. The thickness of the cathode is 1
It is preferable to set the thickness to about 0 to 1000 nm.
【0067】また、電極形成の最後にAlや、フッ素系
化合物を蒸着・スパッタする事で封止効化が向上する。In addition, Al or a fluorine compound is deposited and sputtered at the end of the formation of the electrode, thereby improving the sealing effect.
【0068】EL素子を面発光させるためには、少なく
とも一方の電極が透明ないし半透明である必要があり、
上記したように陰極の材料には制限があるので、好まし
くは発光光の透過率が80%以上となるように陽極の材
料および厚さを決定することが好ましい。具体的には、
例えば、ITO(錫ドープ酸化インジウム)、IZO
(亜鉛ドープ酸化インジウム)、SnO2 、Ni、A
u、Pt、Pd、ポリピロールなどを陽極に用いること
が好ましい。また、陽極の厚さは10〜500nm程度と
することが好ましい。また、素子の信頼性を向上するた
めに駆動電圧が低い事が必要であるが、好ましいものと
して10〜30Ω/□(厚み80〜300nm)のIT
Oが挙げられる。実際には、ITO界面での反射による
干渉効果が、高い光取り出し効率・高い色純度を満足で
きるようにITOの膜厚・光学定数を設計してやればよ
い。In order for the EL element to emit light from the surface, at least one of the electrodes must be transparent or translucent.
Since the material of the cathode is limited as described above, it is preferable to determine the material and the thickness of the anode such that the transmittance of emitted light is preferably 80% or more. In particular,
For example, ITO (tin-doped indium oxide), IZO
(Zinc-doped indium oxide), SnO 2 , Ni, A
It is preferable to use u, Pt, Pd, polypyrrole, or the like for the anode. Further, the thickness of the anode is preferably about 10 to 500 nm. It is necessary that the driving voltage be low in order to improve the reliability of the element. However, it is preferable that the driving voltage be 10 to 30 Ω / □ (80 to 300 nm in thickness).
O. Actually, the thickness and optical constants of ITO should be designed so that the interference effect due to reflection at the ITO interface can satisfy high light extraction efficiency and high color purity.
【0069】また、ディスプレイの様な大きいデバイス
においては、ITOの抵抗が大きくなるのでAl等の配
線をしても良い。In a large device such as a display, wiring of Al or the like may be used because the resistance of ITO increases.
【0070】基板材料に特に制限はないが、図示例では
基板側から発光光を取り出すため、ガラスや樹脂等の透
明ないし半透明材料を用いる。また、基板にカラーフィ
ルター膜や、蛍光変換フィルター膜、誘電体反射膜を用
いたり、基板自身に着色したりして発光色をコントロー
ルしても良いAlthough there is no particular limitation on the material of the substrate, in the illustrated example, a transparent or translucent material such as glass or resin is used in order to extract emitted light from the substrate side. Further, a color filter film, a fluorescence conversion filter film, a dielectric reflection film may be used for the substrate, or the substrate itself may be colored to control the emission color.
【0071】なお、基板に不透明な材料を用いる場合に
は、図1に示される積層順序を逆にしてもよい。When an opaque material is used for the substrate, the order of lamination shown in FIG. 1 may be reversed.
【0072】カラーフィルター膜には、液晶ディスプレ
イ等で用いられているカラーフィルターを用いてもれば
良いが、有機ELの発光する光に合わせてカラーフィル
ターの特性を調整し、取り出し効率・色純度を最適化す
ればよい。As the color filter film, a color filter used in a liquid crystal display or the like may be used. However, the characteristics of the color filter are adjusted according to the light emitted from the organic EL, and the extraction efficiency and color purity are adjusted. Should be optimized.
【0073】また、EL素子材料や蛍光変換層が光吸収
するような短波長の外光をカットできるカラーフィルタ
ーを用いれば、素子の耐光性・表示のコントラストも向
上する。Further, if a color filter capable of cutting off short-wavelength external light which is absorbed by the EL element material or the fluorescence conversion layer is used, the light resistance of the element and the display contrast are improved.
【0074】また、誘電体多層膜のような光学薄膜を用
いてカラーフィルターの代わりにしても良い。An optical thin film such as a dielectric multilayer film may be used in place of the color filter.
【0075】次に、本発明のEL素子の製造方法を説明
する。Next, a method for manufacturing the EL device of the present invention will be described.
【0076】陰極および陽極は、蒸着法やスパッタ法等
の気相成長法により形成することが好ましい。The cathode and the anode are preferably formed by a vapor phase growth method such as a vapor deposition method or a sputtering method.
【0077】正孔注入輸送層、発光層および電子注入輸
送層の形成には、均質な薄膜が形成できることから真空
蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法を用いた場
合、アモルファス状態または結晶粒径が0.1μm 以下
の均質な薄膜が得られる。結晶粒径が0.1μm を超え
ていると、不均一な発光となり、素子の駆動電圧を高く
しなければならなくなり、電荷の注入効率も著しく低下
する。For forming the hole injection transport layer, the light emitting layer and the electron injection transport layer, it is preferable to use a vacuum deposition method since a uniform thin film can be formed. When a vacuum deposition method is used, a homogeneous thin film having an amorphous state or a crystal grain size of 0.1 μm or less can be obtained. If the crystal grain size exceeds 0.1 μm, the light emission becomes non-uniform, the driving voltage of the device must be increased, and the charge injection efficiency is significantly reduced.
【0078】真空蒸着の条件は特に限定されないが、1
0-5Torr以下の真空度とし、蒸着速度は0.01〜1nm
/sec 程度とすることが好ましい。また、真空中で連続
して各層を形成することが好ましい。真空中で連続して
形成すれば、各層の界面に不純物が吸着することを防げ
るため、高特性が得られる。また、素子の駆動電圧を低
くしたり、ダークスポットの成長・発生を抑えたりする
ことができる。The conditions for vacuum deposition are not particularly limited.
Degree of vacuum of 0 -5 Torr or less, deposition rate is 0.01 to 1 nm
/ Sec. Further, it is preferable to form each layer continuously in a vacuum. If they are formed continuously in a vacuum, impurities can be prevented from adsorbing at the interface between the layers, so that high characteristics can be obtained. Further, the driving voltage of the element can be reduced, and the growth and generation of dark spots can be suppressed.
【0079】これら各層の形成に真空蒸着法を用いる場
合において、1層に複数の化合物を含有させる場合、化
合物を入れた各ボートを個別に温度制御して共蒸着する
ことが好ましい。In the case where a plurality of compounds are contained in one layer when a vacuum evaporation method is used for forming each of these layers, it is preferable to co-deposit each boat containing the compounds by individually controlling the temperature.
【0080】本発明のEL素子は、通常、直流駆動型の
EL素子として用いられるが、交流駆動またはパルス駆
動することもできる。印加電圧は、通常、2〜20V 程
度とされる。The EL device of the present invention is usually used as a DC drive type EL device, but can be driven by AC drive or pulse drive. The applied voltage is usually about 2 to 20V.
【0081】[0081]
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail by showing specific examples of the present invention.
【0082】<合成例1>4,4',4''- トリス〔-N- (3-
ビフェニル)-N- フェニルアミノ〕トリフェニルアミン
(HIM21:例示化合物No. 1)の合成<Synthesis Example 1> 4,4 ', 4''-tris [-N- (3-
Synthesis of biphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (HIM21: Exemplified Compound No. 1)
【0083】200mlの反応容器に4,4',4''- トリヨー
ドトリフェニルアミン28. 5gとN-(m- ビフェニ
ル)- アニリン57gと活性銅粉を4. 3gと炭酸カリ
ウム43gとデカリン50mlを加え、Ar雰囲気中、オ
イルバスの温度220℃で24時間加熱した。反応終了
後、トルエンを200ml加え、濾過して不溶物を取り除
き、濾液を水で洗浄し硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥
後この濾液より溶媒を留去し、残査を4回シリカゲルカ
ラム精製(展開溶媒 n- ヘキサン/トルエン混合溶
媒)し、ヘキサン/トルエン混合溶媒、酢酸エチルより
再結晶を繰り返し、真空乾燥後、4,4',4''- トリス〔-N
- (3-ビフェニル)-N- フェニルアミノ〕トリフェニル
アミン15gを得た。In a 200 ml reaction vessel, 28.5 g of 4,4 ′, 4 ″ -triiodotriphenylamine, 57 g of N- (m-biphenyl) -aniline, 4.3 g of activated copper powder, 43 g of potassium carbonate and decalin 50 ml was added, and the mixture was heated at 220 ° C. in an oil bath for 24 hours in an Ar atmosphere. After completion of the reaction, 200 ml of toluene was added, and the mixture was filtered to remove insolubles. The filtrate was washed with water and dried over sodium sulfate. After drying, the solvent was distilled off from the filtrate, the residue was purified four times by a silica gel column (developing solvent: n-hexane / toluene mixed solvent), and recrystallized repeatedly from a hexane / toluene mixed solvent and ethyl acetate. 4,4 ', 4''-Tris (-N
-(3-Biphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine (15 g) was obtained.
【0084】このうち2gを昇華精製し透明なガラス状
の固形物1.8gを得た。2 g of this was purified by sublimation to obtain 1.8 g of a transparent glassy solid.
【0085】 質量分析:m/e 974(M+ ),975(M+1+ ) 赤外吸収スペクトル:図2に示す。 1H−NMRスペクトル:図3に示す。 示差走査熱量測定(DSC): 融点 218℃ ガラス転移温度(DSC) 89℃Mass spectrometry: m / e 974 (M + ), 975 (M + 1 + ) Infrared absorption spectrum: shown in FIG. 1 H-NMR spectrum: shown in FIG. Differential scanning calorimetry (DSC): Melting point 218 ° C Glass transition temperature (DSC) 89 ° C
【0086】<合成例2>4,4',4''- トリス〔-N,N- ビ
ス(3-ビフェニル)アミノ〕トリフェニルアミン(HI
M22:例示化合物No. 19)の合成 200mlの反応容器に4,4',4''- トリヨードトリフェニ
ルアミン18. 5gとビス(m-ビフェニル)アミン47
gと活性銅粉を2. 3gと炭酸カリウム27gとデカリ
ン50mlを加え、Ar雰囲気中、オイルバスの温度22
0℃で48時間加熱した。反応終了後、トルエンを20
0ml加え、濾過して不溶物を取り除き、濾液を水で洗浄
し硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後この濾液より溶媒
を留去し、THFとメタノールで再沈して、濾取した固
形物をを4回シリカゲルカラム精製(展開溶媒 n- ヘ
キサン/トルエン混合溶媒)し、再度THFとメタノー
ルで再沈して、濾取した固形物を真空乾燥し、4,4',4''
- トリス〔-N,N- ビス(3-ビフェニル)アミノ〕トリフ
ェニルアミン18gを得た。<Synthesis Example 2> 4,4 ', 4''-tris [-N, N-bis (3-biphenyl) amino] triphenylamine (HI
M22: Synthesis of Exemplified Compound No. 19) In a 200 ml reaction vessel, 18.5 g of 4,4 ′, 4 ″ -triiodotriphenylamine and bis (m-biphenyl) amine 47 were added.
g, 2.3 g of activated copper powder, 27 g of potassium carbonate, and 50 ml of decalin.
Heated at 0 ° C. for 48 hours. After the completion of the reaction, add toluene for 20 minutes.
0 ml was added, the mixture was filtered to remove insolubles, and the filtrate was washed with water and dried over sodium sulfate. After drying, the solvent was distilled off from the filtrate, reprecipitated with THF and methanol, and the solid collected by filtration was purified four times by a silica gel column (developing solvent: n-hexane / toluene mixed solvent), and again with THF and methanol. Reprecipitate and vacuum-dry the filtered solid, 4,4 ', 4''
-18 g of tris [-N, N-bis (3-biphenyl) amino] triphenylamine were obtained.
【0087】このうち2gを昇華精製し透明なガラス状
の固形物1.8gを得た。[0087] Of these, 2 g was purified by sublimation to obtain 1.8 g of a transparent glassy solid.
【0088】 質量分析:m/e 1202(M+),1203(M+1+) 赤外吸収スペクトル:図4に示す。 1H−NMRスペクトル:図5に示す。 示差走査熱量測定(DSC): 融点 観測できず ガラス転移温度(DSC) 106℃Mass spectrometry: m / e 1202 (M + ), 1203 (M + 1 + ) Infrared absorption spectrum: shown in FIG. 1 H-NMR spectrum: shown in FIG. Differential scanning calorimetry (DSC): Melting point Not observed Glass transition temperature (DSC) 106 ° C
【0089】<合成例3>4,4',4''- トリス{-N- 〔N-
フェニル-N-3- トリル- (アミノフェニル)〕-Nフェニ
ルアミノ}トリフェニルアミン(HIM23:例示化合
物No. 30)の合成 200mlの反応容器にN,N`- ジフェニル-1,4- フェニレ
ンジアミン17. 5gと 3-ヨードトルエン13gと活
性銅粉を0. 3gと炭酸カリウム50gとデカリン50
mlを仕込み、Ar雰囲気中、オイルバスの温度200℃
で24時間加熱した。反応終了後、トルエンを100ml
加え、濾過して不溶物を取り除き、濾液を水で洗浄し硫
酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後この濾液より溶媒を留
去し、残査をアセトンで洗浄後、この残査を二回シリカ
ゲルカラム精製(展開溶媒 n-ヘキサン/トルエン混
合溶媒)し、N,N`- ジフェニル-N-3- トリル-1,4- フェ
ニレンジアミン20gを得た。<Synthesis Example 3> 4,4 ′, 4 ″ -tris {-N- [N-
Synthesis of phenyl-N-3-tolyl- (aminophenyl)]-N-phenylamino-triphenylamine (HIM23: Exemplified Compound No. 30) N, N`-diphenyl-1,4-phenylenediamine in a 200 ml reaction vessel 17.5 g, 3-g iodotoluene 13 g, activated copper powder 0.3 g, potassium carbonate 50 g and decalin 50
and 200 ml of oil bath temperature in Ar atmosphere
For 24 hours. After the reaction, add 100 ml of toluene
In addition, the mixture was filtered to remove insolubles, and the filtrate was washed with water and dried over sodium sulfate. After drying, the solvent was distilled off from the filtrate, the residue was washed with acetone, and the residue was purified twice by a silica gel column (developing solvent: n-hexane / toluene mixed solvent) to give N, N`-diphenyl-N- 20 g of 3-tolyl-1,4-phenylenediamine were obtained.
【0090】次いで、200mlの反応容器に4,4',4''-
トリヨードトリフェニルアミン18. 5gとN,N`- ジフ
ェニル-N-3- トリル-1,4- フェニレンジアミン13. 8
gと活性銅粉を0. 3gと炭酸カリウム26gとデカリ
ン50mlを仕込み、Ar雰囲気中、オイルバスの温度2
00℃で48時間加熱した。反応終了後、トルエンを1
00ml加え、濾過して不溶物を取り除き、濾液を水で洗
浄し硫酸ナトリウムで乾燥した。乾燥後この濾液より溶
媒を留去し、残査を二回、シリカゲルカラム精製(展開
溶媒 n- ヘキサン/トルエン混合溶媒)し、4,4',4''
- トリス{-N-〔N-フェニル-N-3- トリル- (アミノフ
ェニル)〕-Nフェニルアミノ}トリフェニルアミン4.
0gを得た。Next, 4,4 ′, 4 ″-was placed in a 200 ml reaction vessel.
18.5 g of triiodotriphenylamine and 13.8 g of N, N`-diphenyl-N-3-tolyl-1,4-phenylenediamine
g of activated copper powder, 0.3 g of potassium carbonate, 26 g of potassium carbonate, and 50 ml of decalin.
Heated at 00 ° C. for 48 hours. After the reaction is complete, add
After adding 00 ml, the mixture was filtered to remove insolubles, and the filtrate was washed with water and dried over sodium sulfate. After drying, the solvent was distilled off from the filtrate, and the residue was purified twice using a silica gel column (developing solvent: n-hexane / toluene mixed solvent) to give 4,4 ', 4''
-Tris {-N- [N-phenyl-N-3-tolyl- (aminophenyl)]-Nphenylamino} triphenylamine 4.
0 g was obtained.
【0091】このうち2gを昇華精製し透明なガラス状
の固形物1.8gを得た。2 g of this was purified by sublimation to obtain 1.8 g of a transparent glassy solid.
【0092】 質量分析:m/e 1289(M+),1290(M+1+ ) 赤外吸収スペクトル:図6に示す。 1H−NMRスペクトル:図7に示す。 13C−NMRスペクトル:図8に示す。 示差走査熱量測定(DSC):融点 観測できず ガラス転移点 111℃Mass spectrometry: m / e 1289 (M + ), 1290 (M + 1 + ) Infrared absorption spectrum: shown in FIG. 1 H-NMR spectrum: shown in FIG. 13 C-NMR spectrum: shown in FIG. Differential scanning calorimetry (DSC): melting point not observed, glass transition point 111 ° C
【0093】<合成例4>4,4',4''- トリス{-N- 〔N-
フェニル-N-4- トリル- (アミノフェニル)〕-Nフェニ
ルアミノ}トリフェニルアミン(HIM24:例示化合
物No. 29)の合成 合成例1と同様に合成した。ただし、3-ヨードトルエン
の代わりに、4-ヨードトルエンを用いた。<Synthesis Example 4> 4,4 ′, 4 ″ -tris {-N- [N-
Synthesis of phenyl-N-4-tolyl- (aminophenyl)]-N-phenylamino-triphenylamine (HIM24: Exemplified Compound No. 29) The synthesis was performed in the same manner as in Synthesis Example 1. However, 4-iodotoluene was used instead of 3-iodotoluene.
【0094】 質量分析:m/e 1289(M+ ),1290(M+1+ ) 赤外吸収スペクトル:図9に示す。 1H−NMRスペクトル:図10に示す。 13C−NMRスペクトル:図11に示す。 示差走査熱量測定(DSC):融点 観測できず ガラス転移点 118℃Mass spectrometry: m / e 1289 (M + ), 1290 (M + 1 + ) Infrared absorption spectrum: shown in FIG. 1 H-NMR spectrum: shown in FIG. 13 C-NMR spectrum: shown in FIG. Differential scanning calorimetry (DSC): Melting point not observed, glass transition point 118 ° C
【0095】<実施例1>厚さ100nmのITO透明電
極(陽極)を有するガラス基板を、中性洗剤、アセト
ン、エタノールを用いて超音波洗浄し、煮沸エタノール
中から引き上げて乾燥し、UVオゾン洗浄後、蒸着装置の
基板ホルダーに固定して、1×10-6Torrまで減圧し
た。Example 1 A glass substrate having an ITO transparent electrode (anode) having a thickness of 100 nm was subjected to ultrasonic cleaning using a neutral detergent, acetone and ethanol, pulled up from boiling ethanol, dried, and exposed to UV ozone. After the cleaning, the substrate was fixed to a substrate holder of a vapor deposition apparatus, and the pressure was reduced to 1 × 10 −6 Torr.
【0096】次いで、本発明の化合物4,4',4''-トリス
(-N-(3-ビフェニル)-N-フェニルアミノ)トリフェニルア
ミン(HIM21:例示化合物No. 1)を蒸着速度2nm
/secで50nmの厚さに蒸着し、正孔注入層とした。Next, the compound 4,4 ′, 4 ″ -tris of the present invention
(-N- (3-biphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine (HIM21: Exemplified Compound No. 1) was deposited at a deposition rate of 2 nm.
/ Sec to form a hole injection layer with a thickness of 50 nm.
【0097】下記に示す構造の、N,N,N`,N`-テトラキス
(-m- ビフェニル)ベンジジン(TPD−105)を、
蒸着速度2nm/secで20nmの厚さに蒸着し、正孔輸送層
とした。N, N, N`, N`-tetrakis (-m-biphenyl) benzidine (TPD-105) having the following structure was
Evaporation was performed at a deposition rate of 2 nm / sec to a thickness of 20 nm to form a hole transport layer.
【0098】[0098]
【化4】 Embedded image
【0099】次いで、減圧状態を保ったまま、電子注入
輸送層・発光層として、下記に示す構造のトリス(8-
キノリノラト)アルミニウム(AlQ3)を蒸着速度
0.2nm/sec で50nmの厚さに蒸着した。Next, while maintaining the reduced pressure state, a tris (8-
(Quinolinolato) aluminum (AlQ3) was deposited at a deposition rate of 0.2 nm / sec to a thickness of 50 nm.
【0100】[0100]
【化5】 Embedded image
【0101】さらに、減圧状態を保ったまま、MgAg
(重量比10:1)を蒸着速度0.2nm/sec で200
nmの厚さに蒸着して陰極とし、保護層としてAlを10
0nm蒸着しEL素子を得た。Further, while maintaining the reduced pressure state, the MgAg
(Weight ratio 10: 1) at a deposition rate of 0.2 nm / sec.
The cathode is formed by vapor deposition to a thickness of
0 nm was deposited to obtain an EL device.
【0102】このEL素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、14V ・800mA/cm2で23800cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =520nm・色度座標x=
0.31y=0.57)の発光が確認され、この発光は
乾燥アルゴン雰囲気中で10000時間以上安定してい
た。部分的非発光部の出現および成長は全くなかったい
た。輝度の半減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で5
00hr(初期輝度380cd/m2 駆動電圧上昇2. 5
V)であった。[0102] When a current flows by applying a voltage to the EL element, 23800cd / m 2 at 14V · 800mA / cm 2
Green (emission maximum wavelength λmax = 520 nm, chromaticity coordinate x =
(0.31y = 0.57) was confirmed, and the luminescence was stable for 10,000 hours or more in a dry argon atmosphere. There was no appearance and growth of partial non-light-emitting portions. Luminance half-life is 5 with constant current drive of 10 mA / cm 2
00 hr (Initial luminance 380 cd / m 2 Drive voltage rise 2.5
V).
【0103】さらに、同様にして作製した素子を85℃
の高温糟に放置したところ、500時間後も発光面にむ
らを生なかった。また、0.1mm以上のダークスポット
の発生・成長はなかった。Further, the device manufactured in the same manner was heated at 85 ° C.
When left in a high-temperature bath, no unevenness was observed on the light emitting surface even after 500 hours. No dark spots of 0.1 mm or more were generated or grown.
【0104】<実施例2>合成例1と同様に素子を作製
した。ただし、HIM21(例示化合物No. 1)の代わ
りに、HIM22(例示化合物No. 19)を用いた。Example 2 An element was manufactured in the same manner as in Synthesis Example 1. However, HIM22 (exemplified compound No. 19) was used instead of HIM21 (exemplified compound No. 1).
【0105】このEL素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、14V ・753mA/cm2で20480cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =520nm・色度座標x=
0.31y=0.56)の発光が確認され、この発光は
乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。
部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度
の半減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で500hr
(393cd/m2 駆動電圧上昇2. 0V)、初であっ
た。[0105] When a current flows by applying a voltage to the EL element, 20480cd / m 2 at 14V · 753mA / cm 2
Green (emission maximum wavelength λmax = 520 nm, chromaticity coordinate x =
(0.31y = 0.56) was confirmed, and this light emission was stable for 10,000 hours or more in a dry nitrogen atmosphere.
There was no appearance and growth of partial non-light-emitting portions. The half life of the luminance is 500 hours with a constant current drive of 10 mA / cm 2.
(393 cd / m 2 drive voltage rise 2.0 V), the first time.
【0106】さらに、同様にして作製した素子を85℃
の高温糟に放置したところ、500時間後も発光面にむ
らを生なかった。また、0. 1mm以上のダークスポット
の発生・成長はなかった。Further, the device manufactured in the same manner was heated at 85 ° C.
When left in a high-temperature bath, no unevenness was observed on the light emitting surface even after 500 hours. No dark spots of 0.1 mm or more were generated or grown.
【0107】<実施例3>合成例1と同様に素子を作製
した。ただし、HIM21(例示化合物No. 1)の代わ
りにHIM23(例示化合物No. 30)を用いた。Example 3 An element was produced in the same manner as in Synthesis Example 1. However, HIM23 (Exemplary Compound No. 30) was used instead of HIM21 (Exemplary Compound No. 1).
【0108】このEL素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、13V ・553mA/cm2で19500cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =515nm・色度座標x=
0.3 y=0.57)の発光が確認され、この発光は
乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。
部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度
の半減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で500hr
(340cd/m2 駆動電圧上昇2.0V)、[0108] When a current flows by applying a voltage to the EL element, 19500cd / m 2 at 13V · 553mA / cm 2
Green (maximum emission wavelength λmax = 515 nm, chromaticity coordinate x =
0.3 y = 0.57) was confirmed, and this light emission was stable for 10,000 hours or more in a dry nitrogen atmosphere.
There was no appearance and growth of partial non-light-emitting portions. The half life of the luminance is 500 hours with a constant current drive of 10 mA / cm 2.
(340 cd / m 2 drive voltage rise 2.0V),
【0109】さらに、同様にして作製した素子を85℃
の高温糟に放置したところ、500時間後も発光面にむ
らを生なかった。また、0. 1mm以上のダークスポット
の発生・成長はなかった。Further, the device manufactured in the same manner was heated at 85 ° C.
When left in a high-temperature bath, no unevenness was observed on the light emitting surface even after 500 hours. No dark spots of 0.1 mm or more were generated or grown.
【0110】<実施例4>合成例1と同様に素子を作製
した。ただし、HIM21(例示化合物No. 1)の代わ
りにHIM24(例示化合物No. 29)を用いた。<Example 4> An element was produced in the same manner as in Synthesis Example 1. However, HIM24 (Exemplary Compound No. 29) was used instead of HIM21 (Exemplary Compound No. 1).
【0111】このEL素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、14V ・753mA/cm2で21700cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =535nm・色度座標x=
0.32y=0.56)の発光が確認され、この発光は
乾燥窒素雰囲気中で10000時間以上安定していた。
部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。輝度
の半減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で500hr
(388cd/m2 駆動電圧上昇2.0V)、[0111] When a current flows by applying a voltage to the EL element, 21700cd / m 2 at 14V · 753mA / cm 2
Green color (emission maximum wavelength λmax = 535 nm, chromaticity coordinate x =
(0.32y = 0.56) was confirmed, and the luminescence was stable in a dry nitrogen atmosphere for 10,000 hours or more.
There was no appearance and growth of partial non-light-emitting portions. The half life of the luminance is 500 hours with a constant current drive of 10 mA / cm 2.
(388 cd / m 2 drive voltage rise 2.0 V),
【0112】さらに、同様にして作製した素子を85℃
の高温糟に放置したところ、500時間後も発光面にむ
らを生なかった。また、0. 1mm以上のダークスポット
の発生・成長はなかった。Further, the device manufactured in the same manner was heated at 85 ° C.
When left in a high-temperature bath, no unevenness was observed on the light emitting surface even after 500 hours. No dark spots of 0.1 mm or more were generated or grown.
【0113】<実施例5>実施例1と同様に素子を作製
した。ただし、上記正孔輸送層(TPD105)と電子
注入輸送・発光層(AlQ3)の界面を共蒸着で20nm
混合した(混合比1:1)。<Example 5> An element was manufactured in the same manner as in Example 1. However, the interface between the hole transport layer (TPD105) and the electron injection / transport / light-emitting layer (AlQ3) was co-evaporated to 20 nm.
They were mixed (mixing ratio 1: 1).
【0114】このEL素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、16V ・980mA/cm2で21400cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =525nm・色度座標x=
0.3 y=0.56)の発光が確認され、この発光は
乾燥窒素雰囲気中で10,000時間以上安定してい
た。部分的非発光部の出現および成長は全くなかった。
輝度の半減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で30,
00hr(330cd/m2駆動電圧上昇1.5V)であっ
た。When a voltage was applied to this EL element to flow a current, the EL element was 21400 cd / m 2 at 980 mA / cm 2 at 16 V.
Green (emission maximum wavelength λmax = 525 nm, chromaticity coordinate x =
0.3 y = 0.56) was confirmed, and the luminescence was stable for 10,000 hours or more in a dry nitrogen atmosphere. There was no appearance and growth of partial non-light-emitting portions.
The half-life of luminance is 30, with a constant current drive of 10 mA / cm 2 .
00 hr (330 cd / m 2 drive voltage rise 1.5 V).
【0115】さらに、同様にして作成した素子を85℃
の高温槽に放置したところ、500時間後も発光面にム
ラを生じなかった。また、0.1mm以上のダークスポッ
トの発生・成長はなかった。Further, the device fabricated in the same manner was heated at 85 ° C.
, No unevenness was observed on the light emitting surface even after 500 hours. No dark spots of 0.1 mm or more were generated or grown.
【0116】<比較例1>合成例1と同様に素子を作製
した。ただし、HIM21の代わりに、4,4',4''- トリ
ス(-N- (3-メチルフェニル)-N- フェニルアミノ)ト
リフェニルアミン(MTDATA)を用いた。<Comparative Example 1> An element was produced in the same manner as in Synthesis Example 1. However, instead of HIM21, 4,4 ′, 4 ″ -tris (-N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine (MTDATA) was used.
【0117】このEL素子に電圧を印加して電流を流し
たところ、13V ・518mA/cm2で21700cd/m2
の緑色(発光極大波長λmax =520nm・色度座標x=
0.32y=0.56)の発光が確認された。輝度の半
減期は10mA/cm2 の定電流駆動駆動で500hr(初
期輝度381cd/m2、駆動電圧上昇2. 5V)、であっ
た。[0117] When a current flows by applying a voltage to the EL element, 21700cd / m 2 at 13V · 518mA / cm 2
Green (emission maximum wavelength λmax = 520 nm, chromaticity coordinate x =
(0.32y = 0.56) was confirmed. The half-life of the luminance was 500 hr (initial luminance: 381 cd / m 2 , driving voltage rise: 2.5 V) by driving at a constant current of 10 mA / cm 2 .
【0118】さらに、同様にして作製した素子を85℃
の高温糟に放置したところ、10時間で発光面にむらを
生じた。また、ダークスポットの発生・成長も著しかっ
た。Further, the device manufactured in the same manner was heated at 85 ° C.
When left in a high-temperature bath, the light emitting surface became uneven in 10 hours. The generation and growth of dark spots was also remarkable.
【0119】<比較例2>実施例1と同様に素子を作製
した。ただし、HIM21の代わりに、銅フタロシアニ
ンニルを10nmの厚さで用いた。 このEL素子に電
圧を印加して電流を流したところ、14V ・532mA/
cm2 で21000cd/m2 の緑色(発光極大波長λmax =
528nm・色度座標x=0.32y=0.57)の発光
が確認された。輝度の半減期は10mA/cm2 の定電流駆
動駆動(初期輝度381cd/m2、駆動電圧上昇3. 0
V)したところ、200時間まで確認したがダークスポ
ットの成長が激しく正確な輝度の測定は出来なっかった
であった。<Comparative Example 2> An element was produced in the same manner as in Example 1. However, instead of HIM21, copper phthalocyaninyl was used in a thickness of 10 nm. When a voltage was applied to this EL element to cause a current to flow, 14 V · 532 mA /
Green of 21000 cd / m 2 in cm 2 (maximum emission wavelength λmax =
Light emission of 528 nm and chromaticity coordinates x = 0.32y = 0.57) was confirmed. The half-life of luminance is 10 mA / cm 2 constant current drive (initial luminance 381 cd / m 2 , drive voltage rise 3.0
V), it was confirmed up to 200 hours, but the dark spots grew so strongly that accurate measurement of luminance was not possible.
【0120】さらに、同様にして作製した素子を85℃
の高温糟に放置したところ、100時間で発光面にむら
を生じた。また、ダークスポットの発生・成長も著しか
った。Further, the device manufactured in the same manner was heated at 85 ° C.
When left in a high-temperature bath, the light emitting surface became uneven in 100 hours. The generation and growth of dark spots was also remarkable.
【0121】[0121]
【発明の効果】以上より本発明の化合物を用いた有機E
L素子は、素子の駆動時の駆動電圧上昇や輝度の低下、
電流のリーク、部分的な非発光部の出現・成長を抑え、
輝度の低下が小さく、高輝度で、高耐熱性等の信頼性が
高く、陽電極や組み合わせる有機材料に最適な仕事関数
を提供可能となり、連続発光信頼性の高い素子が得られ
る。As described above, the organic E using the compound of the present invention
For the L element, a driving voltage rise and a decrease in luminance during driving of the element,
Suppress the leakage of current, the appearance and growth of partial non-light emitting parts,
A decrease in luminance is small, high luminance, high reliability such as high heat resistance, an optimum work function for the positive electrode and the organic material to be combined can be provided, and an element with high continuous emission reliability can be obtained.
【図1】本発明の有機EL素子の構成例を示した概略構
成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a configuration example of an organic EL device of the present invention.
【図2】合成例1の赤外吸収スペクトル図である。FIG. 2 is an infrared absorption spectrum diagram of Synthesis Example 1.
【図3】合成例1の 1H−NMRスペクトル図である。FIG. 3 is a 1 H-NMR spectrum diagram of Synthesis Example 1.
【図4】合成例2の赤外吸収スペクトル図である。FIG. 4 is an infrared absorption spectrum diagram of Synthesis Example 2.
【図5】合成例2の 1H−NMRスペクトル図である。FIG. 5 is a 1 H-NMR spectrum diagram of Synthesis Example 2.
【図6】合成例3の赤外吸収スペクトル図である。FIG. 6 is an infrared absorption spectrum diagram of Synthesis Example 3.
【図7】合成例3の 1H−NMRスペクトル図である。FIG. 7 is a 1 H-NMR spectrum diagram of Synthesis Example 3.
【図8】合成例3の13C−NMRスペクトル図である。FIG. 8 is a 13 C-NMR spectrum diagram of Synthesis Example 3.
【図9】合成例4の赤外吸収スペクトル図である。9 is an infrared absorption spectrum diagram of Synthesis Example 4. FIG.
【図10】合成例4の 1H−NMRスペクトル図であ
る。FIG. 10 is a 1 H-NMR spectrum diagram of Synthesis Example 4.
【図11】合成例4の13C−NMRスペクトル図であ
る。11 is a 13 C-NMR spectrum diagram of Synthesis Example 4. FIG.
2 基板 3 陽極 4 正孔注入・輸送層 5 発光層 6 電子注入・輸送層 7 陰極 8 カラーフィルター 9 蛍光変換フィルター 10 封止層 11 カバー 2 Substrate 3 Anode 4 Hole injection / transport layer 5 Light emitting layer 6 Electron injection / transport layer 7 Cathode 8 Color filter 9 Fluorescence conversion filter 10 Sealing layer 11 Cover
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 青谷 淳司 東京都中央区日本橋一丁目13番1号 ティ ーディーケイ株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Junji Aoya 1-13-1 Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo Inside TDK Corporation
Claims (4)
し、 この有機物層の少なくとも1層が下記式(I)で表され
る化合物を含有する有機EL素子。 【化1】 (式(I)中、R1,R2,R3,R4,R5およびR6は、
それぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基、3−フ
ェニル基、フェノキシ基、アリールアミノ基またはジア
リールアミノ基を表す。但し、R1 ,R2 ,R3 ,
R4 ,R5 およびR6の少なくとも1つは3−フェニル
基、アリールアミノ基またはジアリールアミノ基であ
る。)1. An organic EL device having at least one or more organic compound layers, wherein at least one of the organic material layers contains a compound represented by the following formula (I). Embedded image (In the formula (I), R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 and R 6 are
Each represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a 3-phenyl group, a phenoxy group, an arylamino group, or a diarylamino group. Where R 1 , R 2 , R 3 ,
At least one of R 4, R 5 and R 6 is 3-phenyl group, an arylamino group or a diarylamino group. )
孔注入輸送層と、発光層とを有し、 前記正孔注入輸送層が請求項1の化合物を含有する有機
EL素子。2. An organic EL device having at least a hole injecting and transporting layer and a light emitting layer as the organic compound layer, wherein the hole injecting and transporting layer contains the compound of claim 1.
と、発光層とを有し、 前記正孔注入層が請求項1の化合物を含有する有機EL
素子。3. An organic EL comprising a hole injection layer and a light emitting layer as the organic compound layer, wherein the hole injection layer contains the compound of claim 1.
element.
子注入輸送性化合物とを含有する請求項1〜3のいずれ
かの有機EL素子。4. The organic EL device according to claim 1, wherein the light emitting layer contains a hole injecting and transporting compound and an electron injecting and transporting compound.
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001092413A (en) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El element display device and electronic device |
JP2002175883A (en) * | 2000-09-20 | 2002-06-21 | Konica Corp | Organic electroluminescence element, organic electroluminescence element material and display device |
JP2002539292A (en) * | 1999-03-12 | 2002-11-19 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | Polymers and methods for their preparation and use |
US6830830B2 (en) * | 2002-04-18 | 2004-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconducting hole injection materials for organic light emitting devices |
WO2005094133A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Arylamine compound and organic electroluminescent device |
JP2006063043A (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Mitsui Chemicals Inc | Amino-substituted tetraphenylthiophene compound, and organic electroluminescent device containing the compound |
JP2007084439A (en) * | 2004-03-25 | 2007-04-05 | Hodogaya Chem Co Ltd | Arylamine compound |
JPWO2005094133A1 (en) * | 2004-03-25 | 2008-02-14 | 保土谷化学工業株式会社 | Arylamine compound and organic electroluminescence device |
WO2009107574A1 (en) | 2008-02-25 | 2009-09-03 | 昭和電工株式会社 | Organic electroluminescent element, and manufacturing method and uses therefor |
US20100258788A1 (en) * | 2005-12-28 | 2010-10-14 | Nora Sabina Radu | Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions |
US8937300B2 (en) | 2009-10-19 | 2015-01-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Triarylamine compounds for use in organic light-emitting diodes |
WO2015137391A1 (en) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 日産化学工業株式会社 | Aniline derivative and use thereof |
-
1997
- 1997-04-03 JP JP10107897A patent/JP3871396B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002539292A (en) * | 1999-03-12 | 2002-11-19 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | Polymers and methods for their preparation and use |
JP2001092413A (en) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | El element display device and electronic device |
US7786958B1 (en) | 1999-09-24 | 2010-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | EL display device and electronic device |
JP2002175883A (en) * | 2000-09-20 | 2002-06-21 | Konica Corp | Organic electroluminescence element, organic electroluminescence element material and display device |
US6830830B2 (en) * | 2002-04-18 | 2004-12-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconducting hole injection materials for organic light emitting devices |
US7862905B2 (en) * | 2004-03-25 | 2011-01-04 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Arylamine compound and organic electroluminescent device |
WO2005094133A1 (en) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Arylamine compound and organic electroluminescent device |
JP2007084439A (en) * | 2004-03-25 | 2007-04-05 | Hodogaya Chem Co Ltd | Arylamine compound |
JPWO2005094133A1 (en) * | 2004-03-25 | 2008-02-14 | 保土谷化学工業株式会社 | Arylamine compound and organic electroluminescence device |
JP2012140434A (en) * | 2004-03-25 | 2012-07-26 | Hodogaya Chem Co Ltd | Arylamine compound and organic electroluminescent device |
JP4491264B2 (en) * | 2004-03-25 | 2010-06-30 | 保土谷化学工業株式会社 | Arylamine compounds |
JP2006063043A (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Mitsui Chemicals Inc | Amino-substituted tetraphenylthiophene compound, and organic electroluminescent device containing the compound |
US20100258788A1 (en) * | 2005-12-28 | 2010-10-14 | Nora Sabina Radu | Compositions comprising novel compounds and electronic devices made with such compositions |
WO2009107574A1 (en) | 2008-02-25 | 2009-09-03 | 昭和電工株式会社 | Organic electroluminescent element, and manufacturing method and uses therefor |
US8937300B2 (en) | 2009-10-19 | 2015-01-20 | E I Du Pont De Nemours And Company | Triarylamine compounds for use in organic light-emitting diodes |
WO2015137391A1 (en) * | 2014-03-14 | 2015-09-17 | 日産化学工業株式会社 | Aniline derivative and use thereof |
CN106103406A (en) * | 2014-03-14 | 2016-11-09 | 日产化学工业株式会社 | Anil and utilization thereof |
KR20160133495A (en) * | 2014-03-14 | 2016-11-22 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | Aniline derivative and use thereof |
JPWO2015137391A1 (en) * | 2014-03-14 | 2017-04-06 | 日産化学工業株式会社 | Aniline derivatives and uses thereof |
US10193075B2 (en) | 2014-03-14 | 2019-01-29 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Aniline derivative and use thereof |
TWI672284B (en) * | 2014-03-14 | 2019-09-21 | 日商日產化學工業股份有限公司 | Aniline derivatives and their use |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP3871396B2 (en) | 2007-01-24 |
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