JPH1028377A - 電力変換装置 - Google Patents
電力変換装置Info
- Publication number
- JPH1028377A JPH1028377A JP17768096A JP17768096A JPH1028377A JP H1028377 A JPH1028377 A JP H1028377A JP 17768096 A JP17768096 A JP 17768096A JP 17768096 A JP17768096 A JP 17768096A JP H1028377 A JPH1028377 A JP H1028377A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow path
- heat sink
- gto
- power converter
- snubber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子に付加されるスナバ回路の低インダ
クタンス化を図るヒートシンクを有する電力変換装置を
提供すること。 【解決手段】 ヒートシンク１には、点線で示す部分に
１つのＧＴＯ３とスナバダイオード４が配置される。一
方の口出し５から入った冷却水は、流路２を通り、ＧＴ
Ｏ３とスナバダイオード４を冷却する。ＧＴＯ３の取付
部分であるφＤGTO と、スナバダイオード４の取付け部
分であるφＤDSは、往路６と復路７とが交互に構成さ
れ、各半導体素子の取付中心付近に渦巻の中心があるよ
うに形成される。さらに、ＧＴＯ３とスナバダイオード
４の中心間距離はできるだけ近接する配置とし、所定の
絶縁を満足する最小値で設計する。
クタンス化を図るヒートシンクを有する電力変換装置を
提供すること。 【解決手段】 ヒートシンク１には、点線で示す部分に
１つのＧＴＯ３とスナバダイオード４が配置される。一
方の口出し５から入った冷却水は、流路２を通り、ＧＴ
Ｏ３とスナバダイオード４を冷却する。ＧＴＯ３の取付
部分であるφＤGTO と、スナバダイオード４の取付け部
分であるφＤDSは、往路６と復路７とが交互に構成さ
れ、各半導体素子の取付中心付近に渦巻の中心があるよ
うに形成される。さらに、ＧＴＯ３とスナバダイオード
４の中心間距離はできるだけ近接する配置とし、所定の
絶縁を満足する最小値で設計する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子の冷却
技術に適用する電力変換装置に関する。
技術に適用する電力変換装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、インバータ等の電力変換装置に用
いられているＧＴＯ（Gate Turn-OffThyristor ）は大
容量化が進み、既に６ｋＶ−６ｋＡ以上の定格のＧＴＯ
が発表されている。ＧＴＯを用いた電力変換装置におい
ては、大電流を遮断する際に生じるサージ電圧を抑制す
るため、低インダクタンス化を実現したスナバ回路が必
要となる。
いられているＧＴＯ（Gate Turn-OffThyristor ）は大
容量化が進み、既に６ｋＶ−６ｋＡ以上の定格のＧＴＯ
が発表されている。ＧＴＯを用いた電力変換装置におい
ては、大電流を遮断する際に生じるサージ電圧を抑制す
るため、低インダクタンス化を実現したスナバ回路が必
要となる。
【０００３】図１３に、電力変換装置において、半導体
素子を冷却する従来のヒートシンクを示す。このヒート
シンクは、実公平６ー３９５０２号公報に記載されたも
のである。冷媒が流れる渦巻状の流路３０が、中心部で
反転して逆の渦巻状で外部に向かう構成になっている。
素子を冷却する従来のヒートシンクを示す。このヒート
シンクは、実公平６ー３９５０２号公報に記載されたも
のである。冷媒が流れる渦巻状の流路３０が、中心部で
反転して逆の渦巻状で外部に向かう構成になっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電力変換装置におけるヒートシンクでは、半導体素
子に付加されるスナバ回路の低インダクタンス化を図る
ことができないため、サージ電圧の抑制が困難であり、
半導体素子の能力を十分活用できない問題がある。
来の電力変換装置におけるヒートシンクでは、半導体素
子に付加されるスナバ回路の低インダクタンス化を図る
ことができないため、サージ電圧の抑制が困難であり、
半導体素子の能力を十分活用できない問題がある。
【０００５】そこで、本願発明は、上記の問題点を鑑
み、半導体素子に付加されるスナバ回路の低インダクタ
ンス化を実現するヒートシンクを有した電力変換装置を
提供することを目的とする。
み、半導体素子に付加されるスナバ回路の低インダクタ
ンス化を実現するヒートシンクを有した電力変換装置を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、半導体素子と、内部に冷媒
が流れる渦巻状の流路を有し、該半導体素子を冷却する
ヒートシンクとを有する電力変換装置において、複数の
半導体素子と、該冷媒を供給する給水流路と該冷媒を排
出する排水流路との間に、渦巻状の流路を複数配置した
流路を有し、該複数の半導体素子を冷却するヒートシン
クとを具備したことを特徴とする。
め、請求項１記載の発明は、半導体素子と、内部に冷媒
が流れる渦巻状の流路を有し、該半導体素子を冷却する
ヒートシンクとを有する電力変換装置において、複数の
半導体素子と、該冷媒を供給する給水流路と該冷媒を排
出する排水流路との間に、渦巻状の流路を複数配置した
流路を有し、該複数の半導体素子を冷却するヒートシン
クとを具備したことを特徴とする。
【０００７】請求項２記載の発明は、該渦巻状の流路と
その他の複数の渦巻状の流路との間隔が、それぞれ略同
一距離で配置されていることを特徴とする。請求項３記
載の発明は、該渦巻状の流路とその他の複数の渦巻状の
流路との間に、該渦巻状の流路から排出する冷媒を、該
その他の複数の渦巻状の流路にそれぞれ分流する流路を
具備したことを特徴とする。
その他の複数の渦巻状の流路との間隔が、それぞれ略同
一距離で配置されていることを特徴とする。請求項３記
載の発明は、該渦巻状の流路とその他の複数の渦巻状の
流路との間に、該渦巻状の流路から排出する冷媒を、該
その他の複数の渦巻状の流路にそれぞれ分流する流路を
具備したことを特徴とする。
【０００８】請求項４記載の発明は、半導体素子と、内
部に冷媒が流れる渦巻状の流路を有し、該半導体素子を
冷却するヒートシンクとを有する電力変換装置におい
て、複数の半導体素子と、該半導体素子を冷却する複数
のヒートシンクと、該ヒートシンクを接続し可撓性を有
する導体とを具備したことを特徴とする。
部に冷媒が流れる渦巻状の流路を有し、該半導体素子を
冷却するヒートシンクとを有する電力変換装置におい
て、複数の半導体素子と、該半導体素子を冷却する複数
のヒートシンクと、該ヒートシンクを接続し可撓性を有
する導体とを具備したことを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明の第１実施例について図１
〜図４を用いて説明する。図１は本実施例の電力変換装
置におけるヒートシンクの正面図、図２は半導体素子の
取付状態を説明する側面図、図３はヒートシンクの内部
構造を、特に流路２を示す図である。
〜図４を用いて説明する。図１は本実施例の電力変換装
置におけるヒートシンクの正面図、図２は半導体素子の
取付状態を説明する側面図、図３はヒートシンクの内部
構造を、特に流路２を示す図である。
【００１０】図１、図２に示すように、ヒートシンク１
の点線部分にＧＴＯ３とスナバダイオード４が配置され
る。一方の口出し５から入った冷却水は、流路２を通
り、ＧＴＯ３、スナバダイオード４を冷却する。ＧＴＯ
３の取付部分のφＤGTO とスナバダイオード４の取付部
分φＤDSの２箇所の流路は、往路６と復路７とが交互に
構成され、各半導体素子の取付中心付近に渦巻の中心が
あるように形成される。図３におけるヒートシンクは、
冷却水の流路ブロック８とふた９と口出し５をろ付け等
で組立てられるが、他に熱伝導性に優れた銅などのパイ
プを鋳包む方法で製作することもできる。
の点線部分にＧＴＯ３とスナバダイオード４が配置され
る。一方の口出し５から入った冷却水は、流路２を通
り、ＧＴＯ３、スナバダイオード４を冷却する。ＧＴＯ
３の取付部分のφＤGTO とスナバダイオード４の取付部
分φＤDSの２箇所の流路は、往路６と復路７とが交互に
構成され、各半導体素子の取付中心付近に渦巻の中心が
あるように形成される。図３におけるヒートシンクは、
冷却水の流路ブロック８とふた９と口出し５をろ付け等
で組立てられるが、他に熱伝導性に優れた銅などのパイ
プを鋳包む方法で製作することもできる。
【００１１】このように、往路６と復路７とが交互に構
成されているため、冷却水の流れは対向流となり熱交換
効率が高く、φＤGTO とφＤDSのそれぞれの取付部分の
ヒートシンクの温度が平均化され、各半導体素子にとっ
ては、理想的に冷却されることになる。その結果、電流
集中と部分的な温度上昇の悪循環によって素子を破壊す
ることがなくなり、素子の能力を十分活用できる。ま
た、図１に示すｌの距離、ＧＴＯとスナバダイオードの
中心間距離は、所定の絶縁を満足する最小値で設計す
る。
成されているため、冷却水の流れは対向流となり熱交換
効率が高く、φＤGTO とφＤDSのそれぞれの取付部分の
ヒートシンクの温度が平均化され、各半導体素子にとっ
ては、理想的に冷却されることになる。その結果、電流
集中と部分的な温度上昇の悪循環によって素子を破壊す
ることがなくなり、素子の能力を十分活用できる。ま
た、図１に示すｌの距離、ＧＴＯとスナバダイオードの
中心間距離は、所定の絶縁を満足する最小値で設計す
る。
【００１２】従って、ＧＴＯ３とスナバダイオード４と
の近接配置が可能となり、スナバ回路構造を構築する
際、スナバ回路の低インダクタタンス化を実現すること
ができる。
の近接配置が可能となり、スナバ回路構造を構築する
際、スナバ回路の低インダクタタンス化を実現すること
ができる。
【００１３】図４に、スナバ回路の低インダクタンス化
を実現するヒートシンクを有する電力変換装置を示す。
ＧＴＯ３、スナバダイオード４は平型素子とし、ＧＴＯ
３とスナバダイオード４の同電位側をヒートシンク１に
近接して取付ける。スナバダイオード４の一方の接触面
には、薄肉幅広でスナバコンデンサ１０までの接続をす
る導体１１ａを取付け、スナバコンデンサ１０からＧＴ
Ｏ３の接続も、薄肉幅広導体１１ｂ、１１ｃで行い、導
体１１ａと近接平行導体となるようにする。導体１１ａ
と１１ｂ、１１ｃは、絶縁スペーサ１２を挟みこみ、ス
ナバダイオード４と一体でスタック１３を構成し、スナ
バ回路を構成する。
を実現するヒートシンクを有する電力変換装置を示す。
ＧＴＯ３、スナバダイオード４は平型素子とし、ＧＴＯ
３とスナバダイオード４の同電位側をヒートシンク１に
近接して取付ける。スナバダイオード４の一方の接触面
には、薄肉幅広でスナバコンデンサ１０までの接続をす
る導体１１ａを取付け、スナバコンデンサ１０からＧＴ
Ｏ３の接続も、薄肉幅広導体１１ｂ、１１ｃで行い、導
体１１ａと近接平行導体となるようにする。導体１１ａ
と１１ｂ、１１ｃは、絶縁スペーサ１２を挟みこみ、ス
ナバダイオード４と一体でスタック１３を構成し、スナ
バ回路を構成する。
【００１４】次に、本発明の第２実施例について図５〜
図７を用いて説明する。図５は本実施例の電力変換装置
におけるヒートシンクの正面図、図６は半導体素子の取
付状態を説明する側面図、図７はヒートシンクの内部構
造、特に流路２を示す図である。
図７を用いて説明する。図５は本実施例の電力変換装置
におけるヒートシンクの正面図、図６は半導体素子の取
付状態を説明する側面図、図７はヒートシンクの内部構
造、特に流路２を示す図である。
【００１５】図５、図６のヒートシンク１は、点線で示
す部分に１つのＧＴＯ３と２つのスナバダイオード４が
配置され、側面では図６に示すように配置される。一方
の口出し５から入った冷却水は、流路２を通り、ＧＴＯ
３と２つのスナバダイオード４を冷却する。ＧＴＯ３の
取付部分であるφＤGTO と、２つのスナバダイオード４
の取付部分であるφＤDSは、往路６と復路７とが交互に
構成され、各半導体素子の取付中心付近に渦巻の中心が
あるように形成される。ヒートシンク１は、第１実施例
と同様に、冷却水の流路ブロック８とふた９と口出し５
をろ付け等で組立てられるが、他に熱伝導性に優れた銅
などのパイプを鋳包む方法で製作することもできる。
す部分に１つのＧＴＯ３と２つのスナバダイオード４が
配置され、側面では図６に示すように配置される。一方
の口出し５から入った冷却水は、流路２を通り、ＧＴＯ
３と２つのスナバダイオード４を冷却する。ＧＴＯ３の
取付部分であるφＤGTO と、２つのスナバダイオード４
の取付部分であるφＤDSは、往路６と復路７とが交互に
構成され、各半導体素子の取付中心付近に渦巻の中心が
あるように形成される。ヒートシンク１は、第１実施例
と同様に、冷却水の流路ブロック８とふた９と口出し５
をろ付け等で組立てられるが、他に熱伝導性に優れた銅
などのパイプを鋳包む方法で製作することもできる。
【００１６】このように、本実施例によれば、ＧＴＯ取
付面および２つのスナバダイオード取付面の温度を各取
付面で均等化するため、半導体素子の冷却が理想的とな
り、電流集中と部分的な温度上昇の悪循環によって素子
を破壊することがなくなり、素子の能力を十分活用でき
る。また、ＧＴＯスナバ回路構造の低インダクタンス化
が実現できるので、ＧＴＯが電流遮断時する際に発生す
るサージ電圧を低く抑えることができ、ＧＴＯの能力を
十分活用できる。
付面および２つのスナバダイオード取付面の温度を各取
付面で均等化するため、半導体素子の冷却が理想的とな
り、電流集中と部分的な温度上昇の悪循環によって素子
を破壊することがなくなり、素子の能力を十分活用でき
る。また、ＧＴＯスナバ回路構造の低インダクタンス化
が実現できるので、ＧＴＯが電流遮断時する際に発生す
るサージ電圧を低く抑えることができ、ＧＴＯの能力を
十分活用できる。
【００１７】次に、本発明の第３実施例について図８を
用いて説明する。図８に、電力変換装置におけるヒート
シンクの流路構造を示す。ＧＴＯ３とスナバダイオード
４との関係、ｌ１とｌ２の関係は第２実施例と同様であ
る。第２実施例と異なる点は、２つスナバダイオード取
付部φＤDSの流路が、分岐１５にて二手に分かれ、並列
流路となっており、スナバダイオード４の渦巻流路が、
ＧＴＯの中心を通る軸線に対し、対称の流路となってい
ることである。
用いて説明する。図８に、電力変換装置におけるヒート
シンクの流路構造を示す。ＧＴＯ３とスナバダイオード
４との関係、ｌ１とｌ２の関係は第２実施例と同様であ
る。第２実施例と異なる点は、２つスナバダイオード取
付部φＤDSの流路が、分岐１５にて二手に分かれ、並列
流路となっており、スナバダイオード４の渦巻流路が、
ＧＴＯの中心を通る軸線に対し、対称の流路となってい
ることである。
【００１８】このように、２つのスナバダイオード部の
流路が２並列となっているので、おのおの同一温度の冷
却水で２つのスナバダイオードが冷却される。しかも、
２つのスナバダイオード冷却用の渦巻流路がＧＴＯの中
心を通る軸線に対し対称の並列流路となっているので、
冷却水の流量が均等化される。また、ｌ１とｌ２の距離
がほぼ同じなため、各スナバダイオードの電流経路もほ
ぼ同一となる。さらに、温度分布もほぼ同じなため、２
並列スナバ回路の各スナバ回路電流の分流は第２実施例
と比較して、より一層、均等化される。
流路が２並列となっているので、おのおの同一温度の冷
却水で２つのスナバダイオードが冷却される。しかも、
２つのスナバダイオード冷却用の渦巻流路がＧＴＯの中
心を通る軸線に対し対称の並列流路となっているので、
冷却水の流量が均等化される。また、ｌ１とｌ２の距離
がほぼ同じなため、各スナバダイオードの電流経路もほ
ぼ同一となる。さらに、温度分布もほぼ同じなため、２
並列スナバ回路の各スナバ回路電流の分流は第２実施例
と比較して、より一層、均等化される。
【００１９】次に、本発明の第４実施例について図９を
用いて説明する。図９は、流路ブロック８を２つに分割
したものである。流路ブロック８Ａと８Ｂが、ふた９
Ａ、９Ｂを介して可撓性導体１６で接続されている。
用いて説明する。図９は、流路ブロック８を２つに分割
したものである。流路ブロック８Ａと８Ｂが、ふた９
Ａ、９Ｂを介して可撓性導体１６で接続されている。
【００２０】ＧＴＯを冷却する箇所とスナバダイオード
を冷却する箇所との間に、可撓部があると次の効果を有
する。図４に示す電力変換装置を用いて説明する。ＧＴ
Ｏ３を交換する場合、ＧＴＯスタックの加圧力を解除す
ることになるが、このときスタックに組み込まれた皿バ
ネの反力で、皿バネより上に積層された部品、例えばヒ
ートシンク１、１７，ＧＴＯ３、スタック用絶縁座１８
は、上方向に移動してしまう。すると、スナバコンデン
サ１０は碍子１９に固定されて動くことができないた
め、強度的に弱い部分、例えばスナバコンデンサ１０の
接続端子に曲げモーメントがかかり破損するおそれがあ
る。そのため、スナバ回路の接続導体１１ａ〜１１ｃを
取り外さなければならず、スナバダイオード４をスタッ
ク１３から取り外す必要性が生ずる。
を冷却する箇所との間に、可撓部があると次の効果を有
する。図４に示す電力変換装置を用いて説明する。ＧＴ
Ｏ３を交換する場合、ＧＴＯスタックの加圧力を解除す
ることになるが、このときスタックに組み込まれた皿バ
ネの反力で、皿バネより上に積層された部品、例えばヒ
ートシンク１、１７，ＧＴＯ３、スタック用絶縁座１８
は、上方向に移動してしまう。すると、スナバコンデン
サ１０は碍子１９に固定されて動くことができないた
め、強度的に弱い部分、例えばスナバコンデンサ１０の
接続端子に曲げモーメントがかかり破損するおそれがあ
る。そのため、スナバ回路の接続導体１１ａ〜１１ｃを
取り外さなければならず、スナバダイオード４をスタッ
ク１３から取り外す必要性が生ずる。
【００２１】ところが、ヒートシンク１のＧＴＯ３とス
ナバダイオード４の取付面の間に可撓部分を設けると、
スナバコンデンサ１０の接続端子に曲げモーメントが加
わらないため、端子の破損を抑制することができる。
ナバダイオード４の取付面の間に可撓部分を設けると、
スナバコンデンサ１０の接続端子に曲げモーメントが加
わらないため、端子の破損を抑制することができる。
【００２２】従って、前述のような取り外しを必要とし
なくなり、スナバ回路の接続導体を取り外さずにＧＴＯ
を交換できることになる。次に、本発明の第５実施例に
ついて図１０を用いて説明する。
なくなり、スナバ回路の接続導体を取り外さずにＧＴＯ
を交換できることになる。次に、本発明の第５実施例に
ついて図１０を用いて説明する。
【００２３】図１０は、前述の第１実施例、第２実施
例、第３実施例、第４実施例における電力半導体素子の
ヒートシンク１に、スナバダイオード４の加圧用スタッ
ド２０を固定または貫通する締結穴２１を設けたもので
ある。
例、第３実施例、第４実施例における電力半導体素子の
ヒートシンク１に、スナバダイオード４の加圧用スタッ
ド２０を固定または貫通する締結穴２１を設けたもので
ある。
【００２４】このような構成により、ヒートシンク１の
剛性を利用してスナバダイオード４の加圧機構の押さえ
枠としての役割も果たすことができ、部品点数の削減が
可能となる。
剛性を利用してスナバダイオード４の加圧機構の押さえ
枠としての役割も果たすことができ、部品点数の削減が
可能となる。
【００２５】次に、本発明の第６実施例について図１
１、図１２を用いて説明する。図１１は、前述の第２実
施例、第３実施例、第４実施例によるヒートシンク１に
おいて、隣合うスナバダイオードの冷却面の間に、スタ
ッド貫通用の貫通穴２２を設けたものである。この貫通
穴２２を利用して２個のスナバダイオード４の中央に加
圧用スタッド２０を通し、他のスタッド２０がヒートシ
ンク１の両外側を通るようにしてスナバダイオード４を
加圧できるように構成する。図１２は、本実施例を適用
した場合のヒートシンクの内部構造を示すものである。
１、図１２を用いて説明する。図１１は、前述の第２実
施例、第３実施例、第４実施例によるヒートシンク１に
おいて、隣合うスナバダイオードの冷却面の間に、スタ
ッド貫通用の貫通穴２２を設けたものである。この貫通
穴２２を利用して２個のスナバダイオード４の中央に加
圧用スタッド２０を通し、他のスタッド２０がヒートシ
ンク１の両外側を通るようにしてスナバダイオード４を
加圧できるように構成する。図１２は、本実施例を適用
した場合のヒートシンクの内部構造を示すものである。
【００２６】このような構成により、ヒートシンクの冷
却に寄与しない部分を大幅に削減し、ヒートシンクの重
量を大幅に低減できる。なお、第１実施例から第６実施
例までにおいて、特に図示していないが、ふた９の長さ
を延長することにより、接続端子を構成することが可能
である。
却に寄与しない部分を大幅に削減し、ヒートシンクの重
量を大幅に低減できる。なお、第１実施例から第６実施
例までにおいて、特に図示していないが、ふた９の長さ
を延長することにより、接続端子を構成することが可能
である。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、半導
体素子に付加されるスナバ回路の低インダクタンス化を
実現するヒートシンクを有した電力変換装置を提供する
ことができる。
体素子に付加されるスナバ回路の低インダクタンス化を
実現するヒートシンクを有した電力変換装置を提供する
ことができる。
【図１】本発明に係る第１実施例における電力変換装置
のヒートシンクの正面図。
のヒートシンクの正面図。
【図２】本発明に係る第１実施例における電力変換装置
のヒートシンクの側面図。
のヒートシンクの側面図。
【図３】本発明に係る第１実施例における電力変換装置
のヒートシンクの内部構造図。
のヒートシンクの内部構造図。
【図４】本発明に係る第１実施例における電力変換装
置。
置。
【図５】本発明に係る第２実施例における電力変換装置
のヒートシンクの正面図。
のヒートシンクの正面図。
【図６】本発明に係る第２実施例における電力変換装置
のヒートシンクの側面図。
のヒートシンクの側面図。
【図７】本発明に係る第２実施例における電力変換装置
のヒートシンクの内部構造図。
のヒートシンクの内部構造図。
【図８】本発明に係る第３実施例における電力変換装置
のヒートシンクの内部構造図。
のヒートシンクの内部構造図。
【図９】本発明に係る第４実施例における電力変換装置
のヒートシンク。
のヒートシンク。
【図１０】本発明に係る第５実施例における電力変換装
置のヒートシンク。
置のヒートシンク。
【図１１】本発明に係る第６実施例における電力変換装
置のヒートシンク。
置のヒートシンク。
【図１２】本発明に係る第６実施例における電力変換装
置のヒートシンクの内部構造図。
置のヒートシンクの内部構造図。
【図１３】従来の電力変換装置のヒートシンク。
１ ヒートシンク ２ 流路 ３ ＧＴＯ ４ スナバダイオード ５ 口出し ６ 往路 ７ 復路 ８ 流路ブロック ９ ふた １０ スナバコンデンサ １１ 導体 １２ 絶縁スペーサ １３ スタック １５ 分岐 １６ 可撓性導体 １７ ヒートシンク １８ スタック用絶縁座 １９ 碍子 ２０ 加圧用スタッド ２１ 締結穴 ２２ 貫通穴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中嶋 亮 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中工場内
Claims (4)
- 【請求項１】半導体素子と、内部に冷媒が流れる渦巻状
の流路を有し、前記半導体素子を冷却するヒートシンク
とを有する電力変換装置において、 複数の半導体素子と、 前記冷媒を供給する給水流路と前記冷媒を排出する排水
流路との間に、渦巻状の流路を複数配置した流路を有
し、前記複数の半導体素子を冷却するヒートシンクとを
具備したことを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項２】請求項１記載の電力変換装置において、 前記渦巻状の流路とその他の複数の渦巻状の流路との間
隔が、それぞれ略同一距離で配置されていることを特徴
とする電力変換装置。 - 【請求項３】請求項１または請求項２記載の電力変換装
置において、 前記渦巻状の流路とその他の複数の渦巻状の流路との間
に、 前記渦巻状の流路から排出する冷媒を、前記その他の複
数の渦巻状の流路にそれぞれ分流する流路を具備したこ
とを特徴とする電力変換装置。 - 【請求項４】半導体素子と、内部に冷媒が流れる渦巻状
の流路を有し、前記半導体素子を冷却するヒートシンク
とを有する電力変換装置において、 複数の半導体素子と、 前記半導体素子を冷却する複数のヒートシンクと、 前記ヒートシンクを接続し可撓性を有する導体とを具備
したことを特徴とする電力変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17768096A JP3474363B2 (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17768096A JP3474363B2 (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 電力変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1028377A true JPH1028377A (ja) | 1998-01-27 |
| JP3474363B2 JP3474363B2 (ja) | 2003-12-08 |
Family
ID=16035235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17768096A Expired - Fee Related JP3474363B2 (ja) | 1996-07-08 | 1996-07-08 | 電力変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3474363B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010067887A (ko) * | 2001-04-04 | 2001-07-13 | 이원재 | 수냉식 ｃｐｕ 냉각기 |
| JP2009105174A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Mitsubishi Motors Corp | 冷却配管構造 |
| CN104167396A (zh) * | 2013-05-17 | 2014-11-26 | 国家电网公司 | 一种新型一体化水冷晶闸管 |
| CN104282642A (zh) * | 2014-09-28 | 2015-01-14 | 国家电网公司 | 一种水冷散热装置 |
| JP2015226067A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 台達電子企業管理（上海）有限公司 | パワーモジュール |
-
1996
- 1996-07-08 JP JP17768096A patent/JP3474363B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010067887A (ko) * | 2001-04-04 | 2001-07-13 | 이원재 | 수냉식 ｃｐｕ 냉각기 |
| JP2009105174A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Mitsubishi Motors Corp | 冷却配管構造 |
| CN104167396A (zh) * | 2013-05-17 | 2014-11-26 | 国家电网公司 | 一种新型一体化水冷晶闸管 |
| JP2015226067A (ja) * | 2014-05-28 | 2015-12-14 | 台達電子企業管理（上海）有限公司 | パワーモジュール |
| US9608608B2 (en) | 2014-05-28 | 2017-03-28 | Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd | Power module |
| CN104282642A (zh) * | 2014-09-28 | 2015-01-14 | 国家电网公司 | 一种水冷散热装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3474363B2 (ja) | 2003-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2510604C2 (ru) | Энергетический преобразовательный модуль с охлаждаемой ошиновкой | |
| US7916480B2 (en) | Busbar assembly with integrated cooling | |
| US7978488B2 (en) | Three-level power converting apparatus | |
| US9439324B2 (en) | Electric power converter | |
| US7952875B2 (en) | Stacked busbar assembly with integrated cooling | |
| US7068507B2 (en) | Compact liquid converter assembly | |
| JP6665655B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| US6721181B1 (en) | Elongated heat sink for use in converter assemblies | |
| WO2018138532A1 (en) | Semiconductor cooling arrangement | |
| WO2015079643A1 (ja) | 半導体モジュール用冷却器の製造方法、半導体モジュール用冷却器、半導体モジュール及び電気駆動車両 | |
| JP6315091B2 (ja) | 冷却器及び冷却器の固定方法 | |
| WO2006103721A1 (ja) | 電力変換装置の冷却構造 | |
| EP2802198B1 (en) | Power conversion apparatus | |
| JP2018085858A (ja) | 電力変換装置 | |
| JP7208124B2 (ja) | 電力変換装置およびモータ一体型電力変換装置 | |
| JP2006521025A (ja) | 多孔性金属ヒートシンクを有する電気バス及びその製造方法 | |
| JPH08294266A (ja) | パワーモジュール及び電力変換装置 | |
| JPH1028377A (ja) | 電力変換装置 | |
| JP2005287267A (ja) | 電力変換装置 | |
| WO2024130920A1 (zh) | 一种基于SiC平台的双面冷却系统 | |
| GB2392010A (en) | Semiconductor module cooling device | |
| JP2011159663A (ja) | 半導体装置 | |
| US20220174840A1 (en) | Cooling arrangement | |
| CN214378410U (zh) | 功率模块底板、功率模块、控制器、汽车及电力电子装置 | |
| JP3970850B2 (ja) | 電力変換器用ヒートパイプ式冷却装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |