JPH10276006A - 超高周波用低域通過フィルタ - Google Patents
超高周波用低域通過フィルタInfo
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- JPH10276006A JPH10276006A JP10016065A JP1606598A JPH10276006A JP H10276006 A JPH10276006 A JP H10276006A JP 10016065 A JP10016065 A JP 10016065A JP 1606598 A JP1606598 A JP 1606598A JP H10276006 A JPH10276006 A JP H10276006A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/212—Frequency-selective devices, e.g. filters suppressing or attenuating harmonic frequencies
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 低いインピダンスのマイクロストリップ線路
と高いインピダンスのサスペンディッドサブストレート
線路とを交互に直列連結して、優秀な性能を具現し得る
超高周波用低域通過フィルタを提供する。 【解決手段】 メタルハウジング４０内の中間部位に形
成された所定高さ（ｈ）の誘電体基板４１と、該誘電体
基板４１を介して上、下に形成された二つの空隙部４２
と、該誘電体基板４１の上面中央部に、所定長さ、幅お
よび厚さを有し、交互に直列連結された複数のマイクロ
ストリップ線路４３Ａ，４３Ｂおよびサブスペンディッ
ドサブストレート線路４４と、該誘電体基板４１の下面
に、前記マイクロストリップ線路４３Ａ，４３Ｂに対応
して形成されたグラウンドコンダクター４５とを含んだ
超高周波用低域通過フィルタを構成する。
と高いインピダンスのサスペンディッドサブストレート
線路とを交互に直列連結して、優秀な性能を具現し得る
超高周波用低域通過フィルタを提供する。 【解決手段】 メタルハウジング４０内の中間部位に形
成された所定高さ（ｈ）の誘電体基板４１と、該誘電体
基板４１を介して上、下に形成された二つの空隙部４２
と、該誘電体基板４１の上面中央部に、所定長さ、幅お
よび厚さを有し、交互に直列連結された複数のマイクロ
ストリップ線路４３Ａ，４３Ｂおよびサブスペンディッ
ドサブストレート線路４４と、該誘電体基板４１の下面
に、前記マイクロストリップ線路４３Ａ，４３Ｂに対応
して形成されたグラウンドコンダクター４５とを含んだ
超高周波用低域通過フィルタを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超高周波用低域通
過フィルタにかかるもので、詳しくは、低いインピダン
スのマイクロストリップ線路と高いインピダンスのサス
ペンディッドサブストレート線路（Suspended Substrat
e Line）とを交互に直列接続して、優秀な性能を具現し
得る超高周波用低域通過フィルタに関するものである。
過フィルタにかかるもので、詳しくは、低いインピダン
スのマイクロストリップ線路と高いインピダンスのサス
ペンディッドサブストレート線路（Suspended Substrat
e Line）とを交互に直列接続して、優秀な性能を具現し
得る超高周波用低域通過フィルタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、超高周波用低域通過フィルタ
は、地上の移動通信、固定通信、衛星通信などの無線通
信システムにおいて、必須に用いられる素子で、通常、
１〜２ＧＨｚ以下の低周波帯域では、このフィルタは集
中回路素子（Lumped element）を用いて形成されるが、
高周波数帯域では、集中回路素子の大きさが信号の波長
に比べて充分に小さくないため、集中回路素子をそのま
ま上記フィルタに使用することができなかった。
は、地上の移動通信、固定通信、衛星通信などの無線通
信システムにおいて、必須に用いられる素子で、通常、
１〜２ＧＨｚ以下の低周波帯域では、このフィルタは集
中回路素子（Lumped element）を用いて形成されるが、
高周波数帯域では、集中回路素子の大きさが信号の波長
に比べて充分に小さくないため、集中回路素子をそのま
ま上記フィルタに使用することができなかった。
【０００３】従って、このような場合は、転送線路理論
に基づいて、分布定数回路素子を用いてフィルタを形成
することができる。該分布定数回路素子を用いた低域通
過フィルタは、その応答特性に従って、多様な形態に分
類可能であり、かつ、具現する媒体により導波管（Wave
guide ）型、平面回路（Planar Circuit）型などに分類
することができる。そして、具現方法により、階段型イ
ンピダンス形態（Hi-z/Low-Z）と開放型スターブを用い
る形態とに分類される。このとき、階段型インピダンス
形態の低域通過フィルタに用いられる平面型転送線路と
しては、ストリップライン、マイクロストリップ、スロ
ットラインおよびコープレーナー導波管がある。
に基づいて、分布定数回路素子を用いてフィルタを形成
することができる。該分布定数回路素子を用いた低域通
過フィルタは、その応答特性に従って、多様な形態に分
類可能であり、かつ、具現する媒体により導波管（Wave
guide ）型、平面回路（Planar Circuit）型などに分類
することができる。そして、具現方法により、階段型イ
ンピダンス形態（Hi-z/Low-Z）と開放型スターブを用い
る形態とに分類される。このとき、階段型インピダンス
形態の低域通過フィルタに用いられる平面型転送線路と
しては、ストリップライン、マイクロストリップ、スロ
ットラインおよびコープレーナー導波管がある。
【０００４】かつ、従来の超高周波用低域通過フィルタ
においては、前記ストリップライン、マイクロストリッ
プ、スロットラインおよびコーブレーナー導波管中、何
れか一つのみを用いて形成され、特に、該転送線路が具
現し得る最大インピダンスと最小インピダンスとを直列
連結して形成されていた。
においては、前記ストリップライン、マイクロストリッ
プ、スロットラインおよびコーブレーナー導波管中、何
れか一つのみを用いて形成され、特に、該転送線路が具
現し得る最大インピダンスと最小インピダンスとを直列
連結して形成されていた。
【０００５】すなわち、図４に示すように、従来の階段
型インピダンス低域通過フィルタにおいては、一つの転
送線路が具現し得る最大インピダンスおよび最小インピ
ダンスを用いるようになっているため、インピダンスの
高い線路Ｈとインピダンスの低い線路Ｌとが交互に直列
連結され、他の素子と接続させるため、５０Ωのインピ
ダンスを有する線路Ａが入／出力端に連結されている。
型インピダンス低域通過フィルタにおいては、一つの転
送線路が具現し得る最大インピダンスおよび最小インピ
ダンスを用いるようになっているため、インピダンスの
高い線路Ｈとインピダンスの低い線路Ｌとが交互に直列
連結され、他の素子と接続させるため、５０Ωのインピ
ダンスを有する線路Ａが入／出力端に連結されている。
【０００６】そして、前記各平面型転送線路は、その構
造上の差により、それぞれ具現し得るインピダンス値の
範囲が制限されるが、例えば、マイクロストリップ線路
の場合は、大略、２０〜１５０Ωの比較的低いインピダ
ンスを有し、サスペンディッドサブストレート線路の場
合は、大略、３５〜２５０Ωであって、マイクロストリ
ップ線路よりも高いインピダンスを有する。
造上の差により、それぞれ具現し得るインピダンス値の
範囲が制限されるが、例えば、マイクロストリップ線路
の場合は、大略、２０〜１５０Ωの比較的低いインピダ
ンスを有し、サスペンディッドサブストレート線路の場
合は、大略、３５〜２５０Ωであって、マイクロストリ
ップ線路よりも高いインピダンスを有する。
【０００７】このように低いインピダンスの特性を奏す
るマイクロストリップ線路は、図５に示すように、メタ
ルハウジング（Metal housing ）２０内に誘電体基板
（Dielectric Strip）２１を介して形成された二つの空
隙部２２と、該誘電体基板２１の上面中央部に所定幅ｗ
および厚さｔを有して形成された導体ストリップ（Cond
uctor Strip ）２３と、該誘電体基板２１の下面所定部
に形成され、接地機能を行うグラウンドコンダクター
（Ground Conductor）２４とを備えて構成されている。
るマイクロストリップ線路は、図５に示すように、メタ
ルハウジング（Metal housing ）２０内に誘電体基板
（Dielectric Strip）２１を介して形成された二つの空
隙部２２と、該誘電体基板２１の上面中央部に所定幅ｗ
および厚さｔを有して形成された導体ストリップ（Cond
uctor Strip ）２３と、該誘電体基板２１の下面所定部
に形成され、接地機能を行うグラウンドコンダクター
（Ground Conductor）２４とを備えて構成されている。
【０００８】そして、このように構成されたマイクロス
トリップ線路は、誘電体基板２１の高さｈ、誘電体基板
２１の比誘電率εｒ、導体ストリップ２３の幅ｗおよび
厚さｔなどにより線路の特性インピダンスが決定され
る。
トリップ線路は、誘電体基板２１の高さｈ、誘電体基板
２１の比誘電率εｒ、導体ストリップ２３の幅ｗおよび
厚さｔなどにより線路の特性インピダンスが決定され
る。
【０００９】かつ、高いインピダンス値を有するサスペ
ンディッドサブストレート線路においては、図６に示す
ように、メタルハウジング３０、誘電体基板３１、空隙
部３２と、導体ストリップ３３とを備えて構成され、こ
のとき、マイクロストリップ線路の構成とは異なって、
誘電体基板３１の下部にグラウンドコンダクターは形成
されていない。
ンディッドサブストレート線路においては、図６に示す
ように、メタルハウジング３０、誘電体基板３１、空隙
部３２と、導体ストリップ３３とを備えて構成され、こ
のとき、マイクロストリップ線路の構成とは異なって、
誘電体基板３１の下部にグラウンドコンダクターは形成
されていない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】然るに、このような従
来の超高周波用低域通過フィルタにおいては、一つの平
面型転送線路を用いて超高周波用低域通過フィルタを形
成する場合、低帯域の挿入損失が−８０ｄＢ程であっ
た。特に、マイクロストリップ線路を用いて形成された
低域通過フィルタでは、導波管またはサスペンディッド
サブストレート線路を用いるよりも損失が大きく、通過
帯域の挿入損失も、導波管またはサブストレート線路の
みを用いて形成された低域通過フィルタに比べて大きく
なってしまうという不都合な点があった。
来の超高周波用低域通過フィルタにおいては、一つの平
面型転送線路を用いて超高周波用低域通過フィルタを形
成する場合、低帯域の挿入損失が−８０ｄＢ程であっ
た。特に、マイクロストリップ線路を用いて形成された
低域通過フィルタでは、導波管またはサスペンディッド
サブストレート線路を用いるよりも損失が大きく、通過
帯域の挿入損失も、導波管またはサブストレート線路の
みを用いて形成された低域通過フィルタに比べて大きく
なってしまうという不都合な点があった。
【００１１】本発明は、このような従来の課題に鑑みて
なされたもので、最大インピダンスと最小インピダンス
との差が大きいほど、低域通過フィルタの性能が優秀で
あるという特性を用いて、低いインピダンスのマイクロ
ストリップ線路と高いインピダンスのサスペンディッド
サブストレート線路とを交互に直列連結して、インピダ
ンスの範囲を最大に拡張したフィルタを形成し、フィル
タの性能をより向上し得る超高周波用低域通過フィルタ
を提供することを目的とする。
なされたもので、最大インピダンスと最小インピダンス
との差が大きいほど、低域通過フィルタの性能が優秀で
あるという特性を用いて、低いインピダンスのマイクロ
ストリップ線路と高いインピダンスのサスペンディッド
サブストレート線路とを交互に直列連結して、インピダ
ンスの範囲を最大に拡張したフィルタを形成し、フィル
タの性能をより向上し得る超高周波用低域通過フィルタ
を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明にかかる超高周波用低域通過フィルタに
おいては、フィルタの仕様に基づいて、物理的に具現可
能な最小インピダンスおよび最大インピダンスを求め、
これら求められた最小インピダンスおよび最大インピダ
ンスを有するようにマイクロストリップ線路およびサス
ペンディッドサブストレート線路の長さ、幅および厚さ
を算出し、かつ、他の素子とのインピダンスの整合のた
め、入／出力端にインピダンスの低いマイクロストリッ
プ線路を連結し、前記算出値により設計されたサスペン
ディッドサブストレート線路とマイクロストリップ線路
とを交互に直列連結して低域通過フィルタを具現し、こ
のとき、線路間の連結部分から発生する不連続は、電磁
気的に分析して、等価回路を抽出した後、これをフィル
タの設計に適用し、フィルタの線路構造を最適化するよ
うになっている。
るため、本発明にかかる超高周波用低域通過フィルタに
おいては、フィルタの仕様に基づいて、物理的に具現可
能な最小インピダンスおよび最大インピダンスを求め、
これら求められた最小インピダンスおよび最大インピダ
ンスを有するようにマイクロストリップ線路およびサス
ペンディッドサブストレート線路の長さ、幅および厚さ
を算出し、かつ、他の素子とのインピダンスの整合のた
め、入／出力端にインピダンスの低いマイクロストリッ
プ線路を連結し、前記算出値により設計されたサスペン
ディッドサブストレート線路とマイクロストリップ線路
とを交互に直列連結して低域通過フィルタを具現し、こ
のとき、線路間の連結部分から発生する不連続は、電磁
気的に分析して、等価回路を抽出した後、これをフィル
タの設計に適用し、フィルタの線路構造を最適化するよ
うになっている。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の一形態につ
いて、図面を用いて詳細に説明する。
いて、図面を用いて詳細に説明する。
【００１４】本発明にかかる超高周波用低域通過フィル
タは、遮断周波数が４ＧＨｚである低域通過フィルタで
あり、図１に示すように、メタルハウジング４０内の中
間部位に形成された、所定高さｈを有する誘電体基板４
１と、該誘電体基板４１を介して上下に形成された二つ
の空隙部４２と、該誘電体基板４１の上面中央部に、所
定長さ、幅および厚さを有して、交互に直列連結された
複数のマイクロストリップ線路４３Ａ，４３Ｂおよびサ
スペンディッドサブストレート線路４４とを備えて構成
されている。
タは、遮断周波数が４ＧＨｚである低域通過フィルタで
あり、図１に示すように、メタルハウジング４０内の中
間部位に形成された、所定高さｈを有する誘電体基板４
１と、該誘電体基板４１を介して上下に形成された二つ
の空隙部４２と、該誘電体基板４１の上面中央部に、所
定長さ、幅および厚さを有して、交互に直列連結された
複数のマイクロストリップ線路４３Ａ，４３Ｂおよびサ
スペンディッドサブストレート線路４４とを備えて構成
されている。
【００１５】このとき、前記マイクロストリップ線路４
３Ａ，４３Ｂ中、最初のマイクロストリップ線路４３Ａ
および最後のマイクロストリップ線路４３Ａ（両端部の
マイクロストリップ線路４３Ａ，４３Ａ）は、低域通過
フィルタの入／出力端子であって、コネクターのような
接続端子により該入／出力端子に接続される素子とのイ
ンピダンスを整合させるため、５０Ωのインピダンスを
有する。
３Ａ，４３Ｂ中、最初のマイクロストリップ線路４３Ａ
および最後のマイクロストリップ線路４３Ａ（両端部の
マイクロストリップ線路４３Ａ，４３Ａ）は、低域通過
フィルタの入／出力端子であって、コネクターのような
接続端子により該入／出力端子に接続される素子とのイ
ンピダンスを整合させるため、５０Ωのインピダンスを
有する。
【００１６】従って、前記マイクロストリップ線路４３
Ａ，４３Ｂ中、最初のマイクロストリップ線路４３Ａお
よび最後のマイクロストリップ線路４３Ａは、その他の
最小インピダンスを有するマイクロストリップ線路４３
Ｂとは、そのインピダンスの大きさを異にして構成され
ている。
Ａ，４３Ｂ中、最初のマイクロストリップ線路４３Ａお
よび最後のマイクロストリップ線路４３Ａは、その他の
最小インピダンスを有するマイクロストリップ線路４３
Ｂとは、そのインピダンスの大きさを異にして構成され
ている。
【００１７】かつ、前記誘電体基板４１の下面には、該
誘電体基板４１の上部中央部（誘電体基板４１の上面の
中央部）に形成されたマイクロストリップ線路４３Ａ，
４３Ｂに対応して接地機能をもつグラウンドコンダクタ
ー４５が形成されている。
誘電体基板４１の上部中央部（誘電体基板４１の上面の
中央部）に形成されたマイクロストリップ線路４３Ａ，
４３Ｂに対応して接地機能をもつグラウンドコンダクタ
ー４５が形成されている。
【００１８】すなわち、このように構成された本実施の
形態にかかる超高周波用低域通過フィルタの形成におい
ては、遮断周波数、帯域内の挿入損失および反射損失並
びに低帯域挿入損失などのフィルタの仕様を決定した
後、回路網合成法に基づいて、誘電体基板４１の比誘電
率εｒおよび高さｈを設定し、物理的に具現可能な最小
インピダンスおよび最大インピダンスを設定した後、設
定された最小インピダンスおよび最大インピダンスを有
するように各マイクロストリップ線路４３Ｂおよびサス
ペンディッドサブストレート線路４４の長さ、幅および
厚さを設定して、各線路を形成するようになっている。
形態にかかる超高周波用低域通過フィルタの形成におい
ては、遮断周波数、帯域内の挿入損失および反射損失並
びに低帯域挿入損失などのフィルタの仕様を決定した
後、回路網合成法に基づいて、誘電体基板４１の比誘電
率εｒおよび高さｈを設定し、物理的に具現可能な最小
インピダンスおよび最大インピダンスを設定した後、設
定された最小インピダンスおよび最大インピダンスを有
するように各マイクロストリップ線路４３Ｂおよびサス
ペンディッドサブストレート線路４４の長さ、幅および
厚さを設定して、各線路を形成するようになっている。
【００１９】一方、マイクロストリップ線路４３Ａ，４
３Ｂとサスペンディッドサブストレート線路４４間の連
結部分では深刻な不連続が発生する。このような不連続
は、寄生成分として作用し、回路全体に対し特性変化を
招来する。そこで、この不連続現象を電磁気的に分析し
て、不連続部分の散乱係数を求め、求められた乱係数を
用いて不連続構造の等価回路を作成し、その後、この等
価回路（あるいは散乱係数）を低域通過フィルタの設計
時に反映し、フィルタの設計値を修正することによっ
て、不連続が除去された、線路構造が最適化された低域
通過フィルタを具現することができる。
３Ｂとサスペンディッドサブストレート線路４４間の連
結部分では深刻な不連続が発生する。このような不連続
は、寄生成分として作用し、回路全体に対し特性変化を
招来する。そこで、この不連続現象を電磁気的に分析し
て、不連続部分の散乱係数を求め、求められた乱係数を
用いて不連続構造の等価回路を作成し、その後、この等
価回路（あるいは散乱係数）を低域通過フィルタの設計
時に反映し、フィルタの設計値を修正することによっ
て、不連続が除去された、線路構造が最適化された低域
通過フィルタを具現することができる。
【００２０】また、前記マイクロストリップ線路４３Ｂ
は、一般に、インピダンスの範囲が低く形成されるた
め、低域通過フィルタの並列キャパシタの役割を行い、
サスペンディッドサブストレート線路４４は、インピダ
ンスの範囲が高く形成されるため、低域通過フィルタの
直列インダクターの役割を行う。
は、一般に、インピダンスの範囲が低く形成されるた
め、低域通過フィルタの並列キャパシタの役割を行い、
サスペンディッドサブストレート線路４４は、インピダ
ンスの範囲が高く形成されるため、低域通過フィルタの
直列インダクターの役割を行う。
【００２１】更に、図２および図３は、本発明にかかる
超高周波用低域通過フィルタの特性を示したグラフであ
る。すなわち、図２は、超高周波用低域通過フィルタの
挿入損失と反射損失とを示し、図３は、同じく通過帯域
内の挿入損失を示している。これらの図から、超高周波
用低域通過フィルタでは、遮断周波数が４ＧＨｚである
場合、通過帯域での反射損失ａ（図２参照）は−３０ｄ
Ｂ以下、低帯域での挿入損失ｂ（図２参照）は−１００
ｄＢ以下、通過帯域での挿入損失ｃ（図３参照）は−
０．１ｄＢ以上になることがわかる。
超高周波用低域通過フィルタの特性を示したグラフであ
る。すなわち、図２は、超高周波用低域通過フィルタの
挿入損失と反射損失とを示し、図３は、同じく通過帯域
内の挿入損失を示している。これらの図から、超高周波
用低域通過フィルタでは、遮断周波数が４ＧＨｚである
場合、通過帯域での反射損失ａ（図２参照）は−３０ｄ
Ｂ以下、低帯域での挿入損失ｂ（図２参照）は−１００
ｄＢ以下、通過帯域での挿入損失ｃ（図３参照）は−
０．１ｄＢ以上になることがわかる。
【００２２】更に、図２および図３は、本発明にかかる
超高周波用低域通過フィルタの特性を示したグラフであ
る。すなわち、図２は、超高周波用低域通過フィルタの
反射損失ａと通過特性ｂとを示し、図３は、同じく通過
帯域内の挿入損失ｃを示している。これらの図から、超
高周波用低域通過フィルタでは、遮断周波数が４ＧＨｚ
である場合、通過帯域での反射損失ａ（図２参照）は−
３０ｄＢ以下であることがわかる。また、低帯域での通
過特性ｂ（図２参照）から、充分高い周波数帯域では挿
入損失は−１００ｄＢ以下であることがわかる。また、
通過帯域での挿入損失ｃ（図３参照）は−０．１ｄＢ以
上になることがわかる。
超高周波用低域通過フィルタの特性を示したグラフであ
る。すなわち、図２は、超高周波用低域通過フィルタの
反射損失ａと通過特性ｂとを示し、図３は、同じく通過
帯域内の挿入損失ｃを示している。これらの図から、超
高周波用低域通過フィルタでは、遮断周波数が４ＧＨｚ
である場合、通過帯域での反射損失ａ（図２参照）は−
３０ｄＢ以下であることがわかる。また、低帯域での通
過特性ｂ（図２参照）から、充分高い周波数帯域では挿
入損失は−１００ｄＢ以下であることがわかる。また、
通過帯域での挿入損失ｃ（図３参照）は−０．１ｄＢ以
上になることがわかる。
【００２３】なお、本発明の超高周波用低域通過フィル
タは、メタルハウジング内の中間部位に所定高さの誘電
体基板が形成され、この誘電体基板を介して上、下二つ
の空隙部が形成され、この誘電体基板の上面中央部に
は、所定の長さ、幅および厚さを有する複数のマイクロ
ストリップ線路とサスペンディッドサブストレート線路
とが交互に直列連結され、上記誘電体基板の下面に、該
マイクロストリップ線路に対応してグラウンドコンダク
ターが形成され、上記マイクロストリップ線路とサスペ
ンディッドサブストレート線路とが、互いに直交するよ
うに連結されている構成でもよい。
タは、メタルハウジング内の中間部位に所定高さの誘電
体基板が形成され、この誘電体基板を介して上、下二つ
の空隙部が形成され、この誘電体基板の上面中央部に
は、所定の長さ、幅および厚さを有する複数のマイクロ
ストリップ線路とサスペンディッドサブストレート線路
とが交互に直列連結され、上記誘電体基板の下面に、該
マイクロストリップ線路に対応してグラウンドコンダク
ターが形成され、上記マイクロストリップ線路とサスペ
ンディッドサブストレート線路とが、互いに直交するよ
うに連結されている構成でもよい。
【００２４】すなわち、例えば図１に示すように、長方
形のマイクロストリップ線路４３Ｂとサスペンディッド
サブストレート線路４４との長いほうの辺がそれぞれ直
交するように、これらが直列に連結されるようにしても
よい。また、長方形のマイクロストリップ線路４３Ｂと
サスペンディッドサブストレート線路４４との少なくと
も何れか一方の線路における長いほうの辺が、これら線
路が連結される方向と直交するように連結されるように
してもよい。これらのような構成とすることで、より一
層、超高周波用低域通過フィルタの特性を向上させるこ
とができる。
形のマイクロストリップ線路４３Ｂとサスペンディッド
サブストレート線路４４との長いほうの辺がそれぞれ直
交するように、これらが直列に連結されるようにしても
よい。また、長方形のマイクロストリップ線路４３Ｂと
サスペンディッドサブストレート線路４４との少なくと
も何れか一方の線路における長いほうの辺が、これら線
路が連結される方向と直交するように連結されるように
してもよい。これらのような構成とすることで、より一
層、超高周波用低域通過フィルタの特性を向上させるこ
とができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる超
高周波用低域通過フィルタにおいては、マイクロストリ
ップ線路およびサスペンディッドサブストレート線路を
用いてインピダンスの範囲を最大に拡張して、フィルタ
の性能を向上させ、遮断周波数付近で、最大の応答特性
を具現し得るという効果がある。
高周波用低域通過フィルタにおいては、マイクロストリ
ップ線路およびサスペンディッドサブストレート線路を
用いてインピダンスの範囲を最大に拡張して、フィルタ
の性能を向上させ、遮断周波数付近で、最大の応答特性
を具現し得るという効果がある。
【００２６】かつ、低い挿入損失が要求される低域通過
フィルタとして用いられた導波管型低域通過フィルタよ
りも容積および重量が低減されているので、その製造過
程も簡単であり、フィルタの特性が一層優秀であるた
め、地上の移動通信、固定通信および衛星通信分野で公
用し得るという効果がある。
フィルタとして用いられた導波管型低域通過フィルタよ
りも容積および重量が低減されているので、その製造過
程も簡単であり、フィルタの特性が一層優秀であるた
め、地上の移動通信、固定通信および衛星通信分野で公
用し得るという効果がある。
【図１】本発明の一実施の形態にかかる超高周波用低域
通過フィルタの構成を示す説明図である。
通過フィルタの構成を示す説明図である。
【図２】本発明の一実施の形態にかかる超高周波用低域
通過フィルタの挿入損失および反射損失を示したグラフ
である。
通過フィルタの挿入損失および反射損失を示したグラフ
である。
【図３】本発明の一実施の形態にかかる超高周波用低域
通過フィルタの通過帯域内の挿入損失を示したグラフで
ある。
通過フィルタの通過帯域内の挿入損失を示したグラフで
ある。
【図４】従来の階段型インピダンス低域通過フィルタの
構成の概略を示す説明図である。
構成の概略を示す説明図である。
【図５】従来のマイクロストリップ線路の断面を示す説
明図である。
明図である。
【図６】従来のサスペンディッドサブストレート線路の
断面を示す説明図である。
断面を示す説明図である。
４０ メタルハウジング ４１ 誘電体基板 ４２ 空隙部 ４３Ａ，４３Ｂ マイクロストリップ線路 ４４ サスペンディッドサブストレート線路 ４５ グラウンドコンダクター
Claims (4)
- 【請求項１】メタルハウジング（４０）内の中間部位に
所定高さ（ｈ）の誘電体基板（４１）が形成され、 該誘電体基板（４１）を介して上、下二つの空隙部（４
２）が形成され、 該誘電体基板（４１）の上面中央部に、所定の長さ、幅
および厚さを有する複数のマイクロストリップ線路（４
３Ａ，４３Ｂ）とサスペンディッドサブストレート線路
（４４）とが交互に直列連結され、 該誘電体基板（４１）の下面に、該マイクロストリップ
線路（４３Ａ，４３Ｂ）に対応してグラウンドコンダク
ター（４５）が形成されたことを特徴とする超高周波用
低域通過フィルタ。 - 【請求項２】前記マイクロストリップ線路（４３Ａ，４
３Ｂ）中、最初のマイクロストリップ線路（４３Ａ）お
よび最後のマイクロストリップ線路（４３Ａ）は、低域
通過フィルタに接続される素子とのインピダンスを整合
するための構成からなることを特徴とする請求項１に記
載の超高周波用低域通過フィルタ。 - 【請求項３】前記マイクロストリップ線路（４３Ａ，４
３Ｂ）とサスペンディッドサブストレート線路（４４）
とは、交互に直列連結されたことを特徴とする請求項１
に記載の超高周波用低域通過フィルタ。 - 【請求項４】前記マイクロストリップ線路（４３Ａ，４
３Ｂ）とサスペンディッドサブストレート線路（４４）
とが、互いに直交して連結されていることを特徴とする
請求項１に記載の超高周波用低域通過フィルタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR97-3719 | 1997-02-06 | ||
| KR1019970003719A KR100215741B1 (ko) | 1997-02-06 | 1997-02-06 | 초고주파용 저역통과 여파기 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10276006A true JPH10276006A (ja) | 1998-10-13 |
Family
ID=19496595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10016065A Pending JPH10276006A (ja) | 1997-02-06 | 1998-01-28 | 超高周波用低域通過フィルタ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10276006A (ja) |
| KR (1) | KR100215741B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2838889A1 (fr) * | 2002-04-23 | 2003-10-24 | Thomson Licensing Sa | Filtre passe-bande ultra-selectif large bande en technologie hybride |
| CN114867200A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-08-05 | 扬州海科电子科技有限公司 | 一种悬置带线滤波器与微组装电路集成一体化模块 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100734332B1 (ko) * | 2006-03-23 | 2007-07-02 | 이해영 | 슬로우 웨이브 구조를 가지는 고주파 전송 선로 소자 |
| KR100896969B1 (ko) * | 2007-09-18 | 2009-05-14 | 인천대학교 산학협력단 | Ku 대역 서스펜디드 헤어핀 대역통과 여파기 |
| KR100893496B1 (ko) * | 2007-09-27 | 2009-04-17 | 전자부품연구원 | 서스펜디드 기판 구조의 광대역 여파기 |
| CN116666928B (zh) * | 2023-07-26 | 2023-10-13 | 成都世源频控技术股份有限公司 | 一种混合谐振可调微带低通滤波器 |
-
1997
- 1997-02-06 KR KR1019970003719A patent/KR100215741B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-01-28 JP JP10016065A patent/JPH10276006A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2838889A1 (fr) * | 2002-04-23 | 2003-10-24 | Thomson Licensing Sa | Filtre passe-bande ultra-selectif large bande en technologie hybride |
| EP1357631A1 (en) * | 2002-04-23 | 2003-10-29 | Thomson Licensing S.A. | Ultra-selective broadband bandpass filter using hybrid technology |
| CN114867200A (zh) * | 2022-06-07 | 2022-08-05 | 扬州海科电子科技有限公司 | 一种悬置带线滤波器与微组装电路集成一体化模块 |
| CN114867200B (zh) * | 2022-06-07 | 2024-05-07 | 扬州海科电子科技有限公司 | 一种悬置带线滤波器与微组装电路集成一体化模块 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100215741B1 (ko) | 1999-08-16 |
| KR19980067593A (ko) | 1998-10-15 |
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