JPH102720A

JPH102720A - 光学式測長器

Info

Publication number: JPH102720A
Application number: JP8156990A
Authority: JP
Inventors: Nobuyuki Watanabe; 伸之渡辺; Tomio Endo; 富男遠藤; Yukio Eda; 幸夫江田
Original assignee: Olympus Optical Co Ltd
Current assignee: Olympus Corp
Priority date: 1996-06-18
Filing date: 1996-06-18
Publication date: 1998-01-06

Abstract

(57)【要約】【課題】戻り光の影響を受けること無く半導体レーザー
光源の出力光束を常時安定化させることが可能な簡単な
構成の光学式測長器を提供する。【解決手段】干渉計部４には、半導体レーザー光源から
の出力光束Ｌを第１及び第２の光束Ｌ１，Ｌ２に分割す
る偏光ビームスプリッタ６と、第１及び第２の光束に対
して相対的な光路差が与えられるように、第１及び第２
の光束を再び偏光ビームスプリッタ方向へ反射する第１
及び第２のコーナーキューブ８，１０と、第１及び第２
の光束が偏光ビームスプリッタによって互いに重ね合わ
された際に生じる干渉縞の強度分布に基づいて、第１及
び第２の光束の相対的な光路差を光学的に検出可能な光
検出器１２とが設けられており、半導体レーザー光源２
には、半導体レーザ１６へ帰還する戻り光の光量を調整
することによって、出力光束を安定化させるモードロッ
ク制御手段１４が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、戻り光の影響を受
けること無く半導体レーザー光源の出力光束を常時安定
化させることが可能な光学式測長器に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光学式測長器や光学式情報記録再
生装置等の光学機器に用いられている半導体レーザー光
源には、高出力且つ低雑音で単モード性等の各種の性能
が要求されているが、光学機器の正常な動作を維持する
ためには、雑音を充分に低く抑えておく必要がある。

【０００３】半導体レーザー光源の雑音には、半導体レ
ーザー光源の構造に起因する自然放出光雑音と、外部反
射体から半導体レーザー光源へ帰還する戻り光に起因す
る戻り光雑音がある。

【０００４】特に、光学式測長器において、戻り光雑音
は、外部反射体と半導体レーザー光源とから構成される
外部共振器の共振条件によって大きく変化するため、半
導体レーザー光源の出力が不安定になる場合がある。具
体的には、外部共振器を構成する半導体レーザー光源の
レーザー出射端面の反射率を下げることによって高出力
を得ようとすると、外部反射体からの戻り光に起因した
外部共振器モードと半導体レーザー光源固有の共振器モ
ードとがモード競合を起こし易くなるため、半導体レー
ザー光源の出力が極めて不安定になる。

【０００５】このような戻り光雑音に起因した半導体レ
ーザー光源の不安定化は、光学機器の動作の不安定化並
びに誤動作の原因となっている。このような問題を解決
するために、光学機器には、一般的に、半導体レーザー
光源へ帰還する戻り光を減衰及び除去させるように、例
えば磁気光学結晶や磁気光学ガラス等から成るファラデ
ーロテータを適用した光アイソレータが設けられてい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、磁気光
学結晶や磁気光学ガラスは、可視光よりも短波長の光に
対して充分に戻り光を除去することはできるが、その寸
法は極めて大型であると共に、光学系中において高精度
な光軸調整を行う必要がある。このため、装置の組み立
て工程が煩雑化するだけでなく、組み立て工程数も増加
してしまう。

【０００７】従って、光アイソレータを省いた簡単な構
成によって戻り光を減衰及び除去して、半導体レーザー
光源の出力を安定化させる方法が要望されている。な
お、このような方法を用いた光学機器について以下の提
案が成されている。例えば、高周波信号によって半導体
レーザー光源への注入電流を変調して半導体レーザー光
源を多モード発振させる方法（特公昭５９−９０８６号
公報参照）、また、高周波信号によって注入電流を変調
する方法において、変調深度や変調周波数を可変させる
高周波電源を用いた変調条件の調節方法（特開平６−２
７４９１９号公報や特開平４−６６３５号公報参照）、
更に、自励発振可能なレーザー光源を用いた方法（特開
平２−８６１８３号公報）、そして、高い反射率を有す
る外部共振器を調節することによって戻り光雑音を除去
する方法（特開平１−３１５０５２号公報）が提案され
ている。

【０００８】本発明は、上述した要望に答えるために成
されており、その目的は、戻り光の影響を受けること無
く半導体レーザー光源の出力光束を常時安定化させるこ
とが可能な簡単な構成の光学式測長器を提供することに
ある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の光学式測長器は、半導体レーザー光
源と、この半導体レーザー光源からの出力光束を第１及
び第２の光束に分割するビームスプリッタと、前記第１
及び第２の光束に対して相対的な光路差が与えられるよ
うに、前記第１及び第２の光束を再び前記ビームスプリ
ッタ方向へ反射する第１及び第２の反射鏡と、前記第１
及び第２の光束が前記ビームスプリッタによって互いに
重ね合わされた際に生じる干渉縞の強度分布に基づい
て、前記第１及び第２の光束の光路差を光学的に検出可
能な光検出器とを備えており、前記半導体レーザー光源
には、この半導体レーザー光源へ帰還する戻り光の光量
を調整することによって、前記半導体レーザー光源から
の出力光束を安定化させるモードロック制御手段が設け
られている。

【００１０】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態では、各種光
学機器に適用された半導体レーザー光源の出力光を安定
化させる手段のうち、その一例として、光学式測長器に
設けられた半導体レーザー光源の安定化手段について説
明を加える。

【００１１】以下、本発明の第１の実施の形態に係る光
学式測長器について、図１〜図３を参照して説明する。
図１に示すように、本実施の形態の光学式測長器は、半
導体レーザー光源２と、干渉計部４とを備えており、干
渉計部４には、半導体レーザー光源２からの出力光束Ｌ
を第１及び第２の光束Ｌ１，Ｌ２に分割する偏光ビーム
スプリッタ６と、第１及び第２の光束Ｌ１，Ｌ２に対し
て相対的な光路差が与えられるように、第１及び第２の
光束Ｌ１，Ｌ２を再び偏光ビームスプリッタ６方向へ反
射する第１及び第２の反射鏡８，１０と、第１及び第２
の光束Ｌ１，Ｌ２が偏光ビームスプリッタ６によって互
いに重ね合わされた際に生じる干渉縞の強度分布に基づ
いて、第１及び第２の光束Ｌ１，Ｌ２の相対的な光路差
を光学的に検出可能な光検出器１２とが設けられてい
る。

【００１２】なお、本実施の形態に適用した干渉計部４
において、第１及び第２の反射鏡８，１０には、入射光
と反射光とを同一方向に反射可能な第１及び第２のコー
ナーキューブ８，１０が適用されており、第１のコーナ
ーキューブ８は、一定位置に固定されており、一方、第
２のコーナーキューブ１０は、光軸方向に沿って移動可
能に配置されている。

【００１３】本実施の形態に適用した半導体レーザー光
源２には、この半導体レーザー光源２へ帰還する戻り光
の光量を調整することによって、半導体レーザー光源２
からの出力光束Ｌを安定化させるモードロック制御手段
１４が設けられている。

【００１４】具体的には、半導体レーザー光源２は、半
導体レーザ１６と、この半導体レーザ１６から出射され
たレーザー光を平行光束に規制するコリメータレンズ１
８と、このコリメータレンズ１８を介して平行光束に規
制されたレーザー光を互いに直交する方向へ分離する偏
光ビームスプリッタ２０とを備えている。そして、この
偏光ビームスプリッタ２０から反射した反射光束Ｌ_R
は、第１のλ／４板２２を介して干渉計部４に伝波さ
れ、一方、偏光ビームスプリッタ２０を透過した透過光
束Ｌ_T は、第２のλ／４板２４を介して光検出器２６に
照射される。なお、反射光束Ｌ_R は、図１の紙面に平行
方向の直線偏光となっており、一方、透過光束Ｌ_T は、
図１の紙面に垂直方向の直線偏光となっている。

【００１５】本実施の形態において、モードロック制御
手段１４は、偏光ビームスプリッタ２０と第２のλ／４
板２４との間の光路中に配置されており、偏光ビームス
プリッタ２０を透過した透過光束Ｌ_T の一部を反射し且
つ残りを透過可能な部分反射板２８と、この部分反射板
２８を透過光束Ｌ_T の光軸に対して所定角度に調節する
ことによって、部分反射板２８から反射する反射光Ｓ１
の反射角度θ（図２参照）を調節可能な角度調節機構３
０とを備えている。

【００１６】具体的には、図２に示すように、モードロ
ック制御手段１４は、その全体が筐体３２に収容されて
おり、角度調節機構３０によって部分反射板２８を所定
角度に調節することができるように構成されている。

【００１７】本実施の形態において、角度調節機構３０
は、一対の調節ネジ３４，３６と、部分反射板２８を常
時付勢する一対の付勢バネ３４ａ，３６ａとを備えてお
り、一対の調節ネジ３４，３６の捩じ込み量を適宜調節
することによって、一対の付勢バネ３４ａ，３６ａの付
勢力に抗して部分反射板２８を所定角度方向へ移動する
ことができるように構成されている。従って、一対の調
節ネジ３４，３６の捩じ込み量を設定した状態におい
て、部分反射板２８は、一対の付勢バネ３４ａ，３６ａ
によって一対の調節ネジ３４，３６方向に付勢された状
態を維持しつつ所定角度に位置決め固定されることにな
る。

【００１８】次に、本実施の形態の光学式測長器の動作
について、図１及び図２を参照して説明する。半導体レ
ーザ１６から出射したレーザー光は、コリメータレンズ
１８を介して平行光束に規制された後、偏光ビームスプ
リッタ２０によって反射光束Ｌ_R と透過光束Ｌ_T に分離
される。

【００１９】偏光ビームスプリッタ２０から反射した反
射光束Ｌ_R は、図１の紙面垂直方向に対して光学軸が４
５°傾けられた第１のλ／４板２２によって円偏光の出
力光束Ｌに変換された後、偏光ビームスプリッタ６によ
って、第１及び第２の光束Ｌ１，Ｌ２に分割される。な
お、第１の光束Ｌ１は、図１の紙面に平行方向の直線偏
光となっており、一方、第２の光束Ｌ２は、図１の紙面
に垂直方向の直線偏光となっている。

【００２０】第１の光束Ｌ１は、偏光ビームスプリッタ
６から反射した後、図１の紙面垂直方向に対して光学軸
が４５°傾けられた第３のλ／４板３８によって円偏光
に変換された状態で第１のコーナーキューブ８に照射さ
れる。第１のコーナーキューブ８に照射された第１の光
束Ｌ１は、その第１及び第２の反射面８ａ，８ｂを夫々
反射した後、偏光ビームスプリッタ６に照射される。こ
のとき、第１の光束Ｌ１は、第１及び第２の反射面８
ａ，８ｂを反射した際に、その縦偏光と横偏光の位相が
ずれることによって、紙面垂直方向の直線偏光に変換さ
れている。この結果、第１の光束Ｌ１は、偏光ビームス
プリッタ６を透過した後、光検出器１２に照射されるこ
とになる。

【００２１】一方、第２の光束Ｌ２は、偏光ビームスプ
リッタ６を透過した後、図１の紙面垂直方向に対して光
学軸が４５°傾けられた第４のλ／４板４０によって円
偏光に変換された状態で第２のコーナーキューブ１０に
照射される。第２のコーナーキューブ１０に照射された
第２の光束Ｌ２は、その第１及び第２の反射面１０ａ，
１０ｂを夫々反射した後、偏光ビームスプリッタ６に照
射される。このとき、第２の光束Ｌ２は、第１及び第２
の反射面１０ａ，１０ｂを反射した際に、その縦偏光と
横偏光の位相がずれることによって、紙面平行方向の直
線偏光に変換されている。この結果、第２の光束Ｌ２
は、偏光ビームスプリッタ６から反射した後、光検出器
１２に照射されることになる。

【００２２】この状態において、光検出器１２の受光面
（図示しない）には、第１及び第２のコーナーキューブ
８，１０を経由した第１及び第２の光束Ｌ１，Ｌ２が偏
光ビームスプリッタ６によって互いに重ね合わされた際
に生じる干渉縞が形成されている。そして、光検出器１
２において、この干渉縞の強度分布を測定することによ
って、第１及び第２の光束Ｌ１，Ｌ２の光路差が光学的
に検出されることになる。

【００２３】また、偏光ビームスプリッタ２０を透過し
た透過光束Ｌ_T は、その一部が部分反射板２８を透過し
た後、図１の紙面垂直方向に対して光学軸が４５°傾け
られた第２のλ／４板２４に照射される。続いて、透過
光束Ｌ_T は、第２のλ／４板２４によって円偏光に変換
された後、光検出器２６に照射される。このとき、光検
出器２６において、透過光束Ｌ_T の光量変化を測定する
ことによって、半導体レーザー光源２からの出力光束Ｌ
の出力状態を検出することが可能となる。

【００２４】次に、このような動作中において、半導体
レーザ１６へ帰還する戻り光について説明する。偏光ビ
ームスプリッタ６，２０の表面は、夫々、無反射コート
（図示しない）が施されているが、約０．５〜１％程度
の表面反射が生じる。

【００２５】このため、半導体レーザー光源２内におい
て、半導体レーザ１６から照射されたレーザー光は、そ
の一部が偏光ビームスプリッタ２０の表面から反射し、
表面反射光Ｓ２となって再び半導体レーザ１６へ帰還す
る。

【００２６】一方、半導体レーザー光源２からの出力光
束Ｌは、その一部が偏光ビームスプリッタ６の表面から
反射し、表面反射光Ｒとなって再び半導体レーザー光源
２へ帰還する。このとき、表面反射光Ｒは、第１のλ／
４板２２によって紙面垂直方向の直線偏光に変換され
る。このため、その大部分の光は、透過光Ｒ１となって
偏光ビームスプリッタ２０を透過するが、残りの光は、
反射光Ｒ２となって偏光ビームスプリッタ２０から半導
体レーザ１６方向へ反射する。ただし、この反射光Ｒ２
は、偏光ビームスプリッタ２０の消光比に従って1/50〜
1/1000程度に減衰する。

【００２７】また、半導体レーザー光源２内において、
透過光束Ｌ_T が照射された光検出器２６の表面から半導
体レーザ１６方向へ反射した表面反射光Ｔは、第２のλ
／４板２４によって紙面平行方向の直線偏光に変換され
る。このため、その大部分の光は、反射光Ｔ１となって
偏光ビームスプリッタ２０から反射するが、残りの光
は、透過光Ｔ２となって偏光ビームスプリッタ２０から
半導体レーザ１６方向へ透過する。ただし、この透過光
Ｔ２は、偏光ビームスプリッタ２０の消光比に従って1/
50〜1/1000程度に減衰する。

【００２８】干渉計部４において、偏光ビームスプリッ
タ６から反射した第１の光束Ｌ１は、第３のλ／４板３
８から第１のコーナーキューブ８を介して再び偏光ビー
ムスプリッタ６に帰還した際、反射時の偏光方向に直交
する偏光方向を有しているため、偏光ビームスプリッタ
６から反射すること無く光検出器１２方向へ透過する。
従って、半導体レーザー光源２の第１のλ／４板２２方
向へ戻る光は殆ど発生しない。一方、偏光ビームスプリ
ッタ６を透過した第２の光束Ｌ２は、第４のλ／４板４
０から第２のコーナーキューブ１０を介して再び偏光ビ
ームスプリッタ６に帰還した際、透過時の偏光方向に直
交する偏光方向を有しているため、偏光ビームスプリッ
タ６を透過すること無く光検出器１２方向へ反射する。
従って、半導体レーザー光源２の第１のλ／４板２２方
向へ戻る光は殆ど発生しない。

【００２９】このような戻り光の光学的特性から明らか
なように、半導体レーザ１６に帰還する戻り光として
は、部分反射板２８から反射する反射光Ｓ１と偏光ビー
ムスプリッタ２０の表面反射光Ｓ２が問題となる。

【００３０】この場合、偏光ビームスプリッタ２０の表
面反射光Ｓ２については、半導体レーザー光源２の製作
時に、偏光ビームスプリッタ２０の軸と半導体レーザ１
６の軸を相互にずらして固定することによって、半導体
レーザ１６の活性層（図示しない）に戻り光が入射する
のを防止することができる。

【００３１】一方、部分反射板２８から反射する反射光
Ｓ１については、モードロック制御手段１４の一対の調
節ネジ３４，３６によって部分反射板２８の角度を適宜
調節して、半導体レーザー光源２の出力光束Ｌに対する
モードロック制御を行えば良い。具体的には、図３
（ａ）に示すように、半導体レーザー光源２からの出力
光束Ｌの出力状態を測定可能な位置に出力光測定装置４
２を設置し、この出力光測定装置４２によって出力状態
を測定しながら、調節ネジ３４，３６によって部分反射
板２８の角度を適宜調節する。

【００３２】出力光測定装置４２は、出力光束Ｌのスペ
クトル強度を検出可能な光スペクトルアナライザ４４
と、この光スペクトルアナライザ４４から出力された信
号に基づいて、出力光束Ｌのスペクトル分布波形を表示
するオシロスコープ４６とを備えている。なお、光スペ
クトルアナライザ４４は、測定波長に対応した種々のエ
タロン板を選択可能なファブリーペロー干渉計を利用し
た超高分解能分光器である。

【００３３】実際のモードロック制御において、出力光
測定装置４２によって出力光束Ｌのスペクトル分布波形
を測定しながら、一対の調節ネジ３４，３６によって部
分反射板２８の角度を調節すると、この部分反射板２８
と半導体レーザ１６とから構成される共振器の反射率の
変化に対応して、図３（ｂ）に示すように、単一の周波
数ピークＰが現れる。そこで、この周波数ピークＰが維
持されるように、一対の調節ネジ３４，３６によって部
分反射板２８を位置決め固定することによって、半導体
レーザー光源２の出力光束Ｌは、モードロック状態に制
御される。

【００３４】この状態において、半導体レーザ１６へ帰
還する戻り光の光量が、例えば環境温度の変化に起因し
て変化しても、半導体レーザー光源２の出力光束Ｌの周
波数は、常に、単一の周波数ピークＰに維持されること
となる。このため、出力光束Ｌの出力状態は、他の周波
数（環境温度変化に起因した周波数ピークＰ以外の周波
数）に対応してモードロック状態から外れることは無
く、常時、単一の周波数ピークＰに対応したモードロッ
ク状態に維持される。

【００３５】このようなモードロック制御を行った場合
でも、実際の測長動作中において、光軸方向に沿って移
動している第２のコーナーキューブ１０の煽り角度が僅
かに変化するによって、半導体レーザ１６へ帰還する戻
り光の光量が変化することは避けられない。

【００３６】しかしながら、上述したように、半導体レ
ーザー光源２の出力光束Ｌの周波数は、常に、単一の周
波数ピークＰに維持されるため、出力光束Ｌの出力状態
は、常時、単一の周波数ピークＰに対応したモードロッ
ク状態に維持される。

【００３７】このように本実施の形態によれば、戻り光
の影響を受けること無く半導体レーザー光源２の出力光
束Ｌを常時安定化させることが可能な簡単な構成の光学
式測長器を提供することができる。

【００３８】なお、本発明は、上記第１の実施の形態に
限定されることは無く、新規事項を追加しない範囲で種
々変更することが可能である。例えば、光検出器２６の
制御回路（図示しない）と角度調節機構３０とを配線４
８（図１参照）を介して接続し、透過光束Ｌ_T の光量変
化に基づいて、角度調節機構３０を自動的に制御するこ
とができるように構成しても良い。このような構成によ
れば、実際の測長動作中において、環境温度の変化や第
２のコーナーキューブ１０の煽り角度の変化に起因した
戻り光の光量変化を自動的に補償することが可能とな
る。この結果、測長動作中において、半導体レーザー光
源２の出力光束Ｌを適宜自動的に安定化させることが可
能となる。

【００３９】また、出力光測定装置４２（図３（ａ）参
照）において、光スペクトルアナライザ４４の代わりに
例えば高速光検出器を用いると共に、オシロスコープ４
６の代わりに例えばスペクトラムアナライザを用いても
良い。このような構成によれば、半導体レーザー光源２
からの出力光束Ｌは高速光検出器によって電気信号に変
換された後、この電気信号のスペクトルがスペクトラム
アナライザによって測定されることになる。この結果、
半導体レーザー光源２の出力光束Ｌの強度揺らぎに起因
したスペクトルが測定されることになる。

【００４０】更に、例えば、図４に示すように、モード
ロック制御手段１４を偏光ビームスプリッタ２０と第１
のλ／４板２２との間の光路中に配置しても、第１の実
施の形態と同様の作用効果を実現することができる。

【００４１】次に、本発明の第２の実施の形態に係る光
学式測長器について、図５を参照して説明する。なお、
本実施の形態の説明に際し、第１の実施の形態と同一の
構成には、同一符号を付して、その説明を省略する。

【００４２】図５に示すように、本実施の形態の光学式
測長器は、半導体レーザ１６の駆動電流源に高周波重畳
を施すことによって半導体レーザ１６を変調制御する高
周波信号源装置５０がモードロック制御手段１４として
新たに加えられて構成されている。

【００４３】本実施の形態の光学式測長器は、コイル５
２を介して半導体レーザ１６に接続された駆動電流源即
ち直流電源５４を備えており、この光学式測長器に設け
られた高周波信号源装置５０には、コンデンサ５６を介
して半導体レーザ１６に接続され且つ直流電源５４に高
周波重畳を施す高周波信号源５８が設けられている。な
お、他の構成は、第１の実施の形態の光学式測長器（図
１参照）と同様である。

【００４４】以下、本実施の形態の動作について説明す
る。例えば出力光測定装置４２の光スペクトルアナライ
ザ４４（図３（ａ）参照）によって出力光束Ｌのスペク
トル強度を検出した状態において、高周波信号源５８を
介して半導体レーザ１６を変調制御しながら、角度調節
機構３０によって部分反射板２８を所定角度に適宜調節
する。同時に、オシロスコープ４６（図３（ａ）参照）
に表示されるスペクトル分布波形を測定する。そして、
図３（ｂ）に示すような単一の周波数ピークＰが現れた
とき、この周波数ピークＰが維持されるように、部分反
射板２８を位置決め固定することによって、半導体レー
ザー光源２の出力光束Ｌは、第１の実施の形態と同様
に、モードロック状態に制御されることになる。

【００４５】このように本実施の形態によれば、第１の
実施の形態のモードロック制御に加えて、半導体レーザ
１６の駆動電流源即ち直流電源５４に高周波重畳を施す
ことによって、モードロック制御可能な戻り光量の変化
範囲を大きくすることが可能となる。換言すれば、第１
の実施の形態に比べて、半導体レーザ１６へ帰還する戻
り光の光量が大きく変化しても、その変化量に影響され
ること無く、常時、半導体レーザー光源２の出力光束Ｌ
を安定化させることができる。なお、他の作用効果は、
第１の実施の形態及び変形例と同様であるため、その説
明は省略する。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、戻り光の影響を受ける
こと無く半導体レーザー光源の出力光束を常時安定化さ
せることが可能な簡単な構成の光学式測長器を提供する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光学式測長器
の構成を示す図。

【図２】本発明の光学式測長器に適用したモードロック
制御手段の構成を示す斜視図。

【図３】（ａ）は、モードロック制御に際し、半導体レ
ーザー光源からの出力光束の出力状態を測定している状
態を示す図、（ｂ）は、モードロック制御に際し、単一
の周波数ピークが現れた状態を示す図。

【図４】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る光学
式測長器の構成を示す図。

【図５】本発明の第２の実施の形態に係る光学式測長器
の構成を示す図。

【符号の説明】

２…半導体レーザー光源、４…干渉計部、６…偏光ビー
ムスプリッタ、８…第１のコーナーキューブ、１０…第
２のコーナーキューブ、１２…光検出器、１４…モード
ロック制御手段、１６…半導体レーザ、Ｌ…出力光束、
Ｌ１…第１の光束、Ｌ２…第２の光束。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体レーザー光源と、この半導体レーザー光源からの出力光束を第１及び第２
の光束に分割するビームスプリッタと、前記第１及び第２の光束に対して相対的な光路差が与え
られるように、前記第１及び第２の光束を再び前記ビー
ムスプリッタ方向へ反射する第１及び第２の反射鏡と、前記第１及び第２の光束が前記ビームスプリッタによっ
て互いに重ね合わされた際に生じる干渉縞の強度分布に
基づいて、前記第１及び第２の光束の光路差を光学的に
検出可能な光検出器とを備えており、前記半導体レーザー光源には、この半導体レーザー光源
へ帰還する戻り光の光量を調整することによって、前記
半導体レーザー光源からの出力光束を安定化させるモー
ドロック制御手段が設けられていることを特徴とする光
学式測長器。
【請求項２】前記モードロック制御手段は、前記ビー
ムスプリッタから射出した光の一部を反射し且つ残りを
透過可能な部分反射板と、この部分反射板を所定角度に
調節することによって、前記部分反射板から反射する反
射光の反射角度を調節可能な角度調節機構とを備えてい
ることを特徴とする請求項１に記載の光学式測長器。
【請求項３】前記モードロック制御手段には、前記半
導体レーザー光源の駆動電流源に高周波重畳を施すこと
によって前記半導体レーザー光源を変調制御する高周波
信号源装置が設けられていることを特徴とする請求項２
に記載の光学式測長器。