JPH10270610A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】樹脂封止型半導体装置の小型化を図りつつ密着
性、信頼性に優れるエポキシ樹脂組成物および該エポキ
シ樹脂組成物で封止された半導体装置を提供すること。 【解決手段】半導体素子１、該半導体素子を搭載する配
線基板２ａ、該配線基板上に該半導体素子を離間した状
態で囲繞するよう配設された枠体２ｂ、および該半導体
素子１、該配線基板２ａ、該枠体２ｂによって囲まれた
樹脂充填部に充填されたエポキシ樹脂組成物３の硬化物
からなる半導体装置であって、該エポキシ樹脂組成物が
エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）
および酸素原子または窒素原子を有する官能基をもつポ
リオレフィン（Ｄ）を含有するものである樹脂封止型半
導体装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装
置、特に半導体装置の部材によって封止樹脂の封入形状
が決定されている半導体装置、さらに詳しくはその封止
樹脂に特徴を有する半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の電子機器のダウンサイジング化・
小型化に伴い、半導体装置は小型・薄型化、高性能化が
進んでいる。従来の半導体装置は、半導体素子とリード
フレームを用い、これらをプリント基板に実装するのに
必要な部位以外は、樹脂で覆うように樹脂封止されてい
た。よって、半導体装置小型化の開発は基板となるリー
ドフレームと封止樹脂に関することが主であった。封止
樹脂の容積を小さく、薄肉化したＴＳＯＰ（シン・スモ
ール・アウトライン・パッケージ）や、多ピン化に対応
したＱＦＰ（クァッド・フラット・パッケージ）などが
開発されてきた。

【０００３】これらの半導体装置の成形方法としては、
トランスファ成形で、成形金型内に封止樹脂を充填して
半導体装置の外形を形成するため、金型と封止樹脂の離
型性が重要な要求特性であった。また、封止樹脂と半導
体素子やリードフレームとの密着性が悪いと封止樹脂と
の間に剥離が発生し、そこに外部からの水分が侵入しや
すくなり腐食を促進する、実装リフロー時に水分がガス
化してパッケージクラックが発生するなどの問題があ
る。封止樹脂の特性として、成型時の金型との離型性と
半導体素子保護のための密着性は相反する物性であり、
両者のバランスをとって最適点を見出してきた。また、
半導体素子にポリイミドコートなどのパッシベーション
材料を選択したり、リードフレーム表面に凹凸をつける
など封止樹脂との密着性が良好になるような開発が行わ
れてきた。しかし、従来の封止樹脂を用いた半導体装置
では、密着性と離型性を両立することは困難であり、目
的を充分に満足する物は得られていなかった。

【０００４】一方、半導体装置の信頼性に関わる内部応
力の低減においては、半導体素子やリードフレームと封
止樹脂の熱膨張率を一致することにより、熱応力の低減
は可能だった。これによって、半導体装置の内部応力は
低減され、信頼性は著しく向上した。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】したがって、これまで
の封止樹脂には不充分であった密着性に優れた封止樹脂
を提供する必要がある。また、離型性を必要としない半
導体装置を提供することで、これまで密着性向上を妨げ
ていた要因を消去することができる。

【０００６】本発明では、封止樹脂の金型からの離型の
問題を解消し、密着性が優れた封止樹脂によって封止す
ることを目的に封止樹脂の充填部分をほかの部材で囲っ
た構造とし、その部材が半導体装置の構成部材となる半
導体装置が提案されているが（特開平７−２２１１３２
号公報）、封止によって得られる半導体装置に反りが発
生したり、サーマルサイクル試験やポップコーン試験で
不良が発生する問題があった。本発明者らは、金型内で
樹脂組成物を成形することなく、封止樹脂充填部分が数
種類の部材で囲まれた構造となる半導体装置に関して、
反り量の低減、サーマルサイクル性、および耐ポップコ
ーン性の向上を目的に鋭意検討し、本発明に到達した。
すなわち、本発明の課題は、封止樹脂の充填部分をほか
の部材で囲った半導体装置に対応した密着性、半導体装
置の反り量低減、サーマルサイクル性、耐ポップコーン
性に優れるエポキシ樹脂組成物、および該エポキシ樹脂
組成物によって封止された半導体装置を提供することに
ある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、 １．「半導体素子１、該半導体素子を搭載する配線基板
２ａ、該配線基板上に該半導体素子を離間した状態で囲
繞するよう配設された枠体２ｂ、および該半導体素子
１、該配線基板２ａ、該枠体２ｂによって囲まれた樹脂
充填部に充填されたエポキシ樹脂組成物３の硬化物から
なる半導体装置であって、該エポキシ樹脂組成物がエポ
キシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）およ
び酸素原子または窒素原子を有する官能基をもつポリオ
レフィン（Ｄ）を含有するものである樹脂封止型半導体
装置。」、 ２．「さらにエポキシ樹脂組成物３を蓋封する蓋体２ｃ
が配設されていることを特徴とする前記の樹脂封止型半
導体装置。」、 ３．「該エポキシ樹脂組成物の硬化物の室温での曲げ弾
性率が≦１０ＧＰａ、室温からガラス転移温度までの線
膨張係数が１０×１０^-6／Ｋ〜４０×１０^-6／Ｋである
ことを特徴とする前記いずれかの樹脂封止型半導体装
置。」 ４．「半導体素子１、該半導体素子を搭載する配線基板
２ａ、該配線基板上に該半導体素子を離間した状態で囲
繞するよう配設された枠体２ｂ、および該半導体素子
１、該配線基板２ａ、該枠体２ｂによって囲まれた樹脂
充填部に充填されたエポキシ樹脂組成物３の硬化物から
なる樹脂封止型半導体装置の封止用樹脂組成物であっ
て、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填剤
（Ｃ）および酸素原子または窒素原子を有する官能基を
もつポリオレフィン（Ｄ）を含有するものである樹脂封
止型半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物。」、 ５．「さらに半導体装置にエポキシ樹脂組成物３を蓋封
する蓋体２ｃが配設されていることを特徴とする前記の
エポキシ樹脂組成物。」 ６．「エポキシ樹脂組成物の硬化物の室温での曲げ弾性
率が≦１０ＧＰａ、室温からガラス転移温度までの線膨
張係数が１０×１０^-6／Ｋ〜４０×１０^-6／Ｋであるこ
とを特徴とする前記いずれかに記載の樹脂封止型半導体
装置封止用エポキシ樹脂組成物。」、 ７．「半導体素子１、該半導体素子を搭載する配線基板
２ａ、該配線基板上に該半導体素子を離間した状態で囲
繞するよう配設された枠体２ｂを有する半導体装置予備
装置の半導体素子１、配線基板２ａおよび枠体２ｂによ
って形成される樹脂充填部に対して、エポキシ樹脂
（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）および酸素原
子または窒素原子を有する官能基をもつポリオレフィン
（Ｄ）を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を、
樹脂充填部に充填することを特徴とする半導体装置の製
造方法。」からなる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を詳述する。

【０００９】本発明における半導体装置は、図１または
図２に示すように、半導体素子１、該半導体素子１が搭
載される配線基板２ａ、該配線基板上に該半導体素子を
離間した状態で囲繞するよう配設された枠体２ｂおよ
び、半導体素子、配線基板および枠体によって囲まれた
樹脂充填部を有する。そして樹脂充填部にエポキシ樹脂
組成物３を導入して、半導体素子１を封止して半導体装
置とする。本発明においては、エポキシ樹脂組成物を封
蓋する蓋体２ｃを設けることもできる、本発明の半導体
装置においては、エポキシ樹脂を封入するために、枠体
２ｂまたは蓋体２ｃの一部に樹脂充填用孔４を具備する
こともできる。本発明で使用されるエポキシ樹脂組成物
は、通常粉末またはタブレット状態のものを成形前材料
として使用し、半導体装置の封止に供される。本発明の
半導体装置は、エポキシ樹脂組成物が未充填の半導体装
置、すなわち半導体装置予備装置に対して、エポキシ樹
脂組成物を、たとえば１２０〜２５０℃、好ましくは１
５０〜２００℃の温度で、トランスファ成形、インジェ
クション成形、注型法などの方法で、樹脂充填用孔４か
ら導入して成形することによって半導体装置は製造され
る。また必要に応じて、追加熱処理（たとえば、１５０
〜１８０℃、２〜１６時間）を行うことによって得られ
る。

【００１０】本発明において、配線基板２ａ、枠体２ｂ
および蓋体２ｃに用いる材料は特に限定されないが、半
導体素子が駆動することによって発生する熱を逃がすこ
とから、放熱特性の良好な材料を用いることが好まし
い。通常配線基板としては、内部応力の緩和のために、
基材が可撓性材料であることが好ましく、絶縁基材とし
て、合成樹脂、好ましくはポリイミドフィルムが好まし
い。また通常、配線基板には金属の配線がパターン形成
されている。また枠体２ｂと蓋体２ｃは一体化されてい
てもよい。また図１および図２に示すように、配線基板
２ａおよび枠体２ｂとの間に接着層７を設けることも任
意である。

【００１１】本発明におけるエポキシ樹脂組成物は硬化
後の２３℃での曲げ弾性率が≦１０ＧＰａ、２３℃から
ガラス転移温度までの線膨張係数が１０×１０^-6〜４０
×１０^-6／Ｋであることが好ましい。この範囲の物性で
あると、密着性が良好で、半導体装置の内部応力が小さ
く、信頼性の高い半導体装置が得られる。ガラス状領域
での線膨張係数が大きい場合は、半導体装置の内部応力
が大きく、半導体装置が故障する原因となりやすく、線
膨張係数が小さい場合は、樹脂と配線基板や枠体との界
面に発生する応力が大きいため、剥離が発生しやすくな
り、半導体装置の故障の原因となりやすい。曲げ弾性率
が大きい場合には、封止樹脂による半導体装置の内部応
力の緩和が困難であるとともに、封止樹脂と配線基板や
半導体素子との密着性が低下し、半導体装置の信頼性が
低下する傾向がある。

【００１２】ここでいうエポキシ樹脂組成物の硬化物の
曲げ弾性率および線膨張係数は、本発明のエポキシ樹脂
組成物を、たとえば１２０〜２５０℃、好ましくは１５
０〜２００℃の温度で、トランスファ成形、インジェク
ション成形、注型法などの方法で成型し、必要に応じ
て、追加熱処理（たとえば、１５０〜１８０℃、２〜１
６時間）を行って、エポキシ樹脂と硬化剤との反応また
は物性が飽和状態として得られる値である。

【００１３】本発明におけるエポキシ樹脂組成物には、
エポキシ樹脂（Ａ）が配合される。このようなものとし
ては、１分子中にエポキシ基を２個以上有するものであ
れば特に限定されない。

【００１４】たとえば、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＡやレゾルシンなどから合成される各種ノボ
ラック型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環
式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ハロゲン化エ
ポキシ樹脂などがあげられる。

【００１５】用途によっては二種以上のエポキシ樹脂を
併用してもよいが、耐熱性および耐湿性の点から、ビフ
ェニル型エポキシ樹脂を前エポキシ樹脂中に５０％以上
含むことが好ましい。

【００１６】本発明のエポキシ樹脂組成物中のエポキシ
樹脂の含有量は、８〜４０重量％が好ましい。

【００１７】本発明のエポキシ樹脂組成物には硬化剤
（Ｂ）が配合される。 本発明における硬化剤（Ｂ）
は、エポキシ樹脂（Ａ）と反応して硬化させるものであ
れば特に限定されず、これらの具体例としては、たとえ
ばフェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹
脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペン骨格含有フェ
ノール樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン、ビスフ
ェノールＡやレゾルシンから合成される各種ノボラック
樹脂、レゾール樹脂、ポリビニルフェノールなどの各種
多価フェノール化合物、無水マレイン酸、無水フタル
酸、無水ピロメリット酸などの酸無水物およびメタフェ
ニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノ
ジフェニルスルホンなどの芳香族アミンなどがあげられ
る。なかでも、密着性の点から１分子中に水酸基を２個
以上有するフェノール化合物が好ましく、なかでもテル
ペン骨格含有フェノール化合物、フェノールノボラック
樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタンなどが好まし
い。

【００１８】本発明において、エポキシ樹脂（Ａ）と硬
化剤（Ｂ）の配合比に関しては特に制限はないが、得ら
れるエポキシ樹脂の硬化物および半導体装置の機械的性
質および密着性の点から（Ａ）に対する（Ｂ）の化学当
量比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２の範囲にあ
ることが好ましい。また本発明のエポキシ樹脂組成物中
の硬化剤の含有量は、８〜４０重量％が好ましい。

【００１９】また、本発明のエポキシ樹脂組成物におい
ては、エポキシ樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を
促進するための硬化触媒を用いてもよい。硬化触媒は硬
化反応を促進するものならば特に限定されず、たとえば
２−メチルイミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾー
ル、２−メチル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタ
デシルイミダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエ
チルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベン
ジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フ
ェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，
０）ウンデセン−７、１，５−ジアザビシクロ（４，
３，０）ノネン−５などの３級アミン化合物、ジルコニ
ウムテトラメトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシ
ド、テトラキス（アセチルアセトナト）ジルコニウム、
トリ（アセチルアセトナト）アルミニウムなどの有機金
属化合物およびトリフェニルホスフィン、トリメチルホ
スフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィ
ン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノ
ニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・
トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフォニウム・
テトラフェニルボレートなどの有機ホスフィン化合物が
あげられる。なかでも反応性の点からトリフェニルホス
フィンやテトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニ
ルボレートや１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウ
ンデセン−７が特に好ましく用いられる。これらの硬化
触媒は、用途によっては２種以上を併用してもよく、そ
の添加量はエポキシ樹脂（Ａ）１００重量部に対して
０．１〜１０重量部の範囲が好ましい。

【００２０】本発明のエポキシ樹脂組成物においては通
常無機充填剤（Ｃ）が配合され、非晶性シリカ、結晶性
シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、アルミ
ナ、マグネシア、クレー、タルク、ケイ酸カルシウム、
酸化チタン、酸化アンチモン、アスベスト、ガラス繊維
などがあげられる。中でも非晶性シリカは線膨張係数を
低下させる効果が大きく、低応力化に有効なため好まし
く用いられる。非晶性シリカの例としては、石英を溶融
して製造した溶融シリカや、各種合成法で製造された合
成シリカがあげられ、破砕状のものや球状のものが用い
られる。

【００２１】本発明において、充填剤（Ｃ）の配合量
は、特に限定されないが、本発明の効果を発揮するため
に、エポキシ樹脂組成物全体の５０〜８０重量％未満、
さらに５５〜７８重量％であることが好ましい。

【００２２】また本発明のエポキシ樹脂組成物において
は、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤
などのカップリング剤を配合することができ、なかで
も、これらカップリング剤で前もって充填剤を表面処理
しておくことが信頼性の点で好ましい。シランカップリ
ング剤として、アルコキシ基および「エポキシ基、アミ
ノ基、メルカプト基、などの官能基が結合した炭化水素
基」がケイ素原子に結合したシランカップリング剤が好
ましく用いられる。なかでも、流動性の点から、アミノ
基を有するシランカップリング剤を用いることが特に好
ましい。

【００２３】本発明のエポキシ樹脂組成物では、酸素原
子または窒素原子を有する官能基を有するポリオレフィ
ン（Ｄ）が配合される。官能基にこのような原子を有す
ることにより枠体、配線基板との密着性が付与され、ま
た耐ポップコーン性およびサーマルサイクル性が良好と
なる。このような官能基としては、エポキシ基、水酸
基、カルボキシル基、アルコキシル基、アルコキシカル
ボニル基、酸無水物基、アミノ基、アミノカルボニル基
などがあげられる。またこのようなポリオレフィンとし
ては、たとえば無水マレイン酸変性ＳＥＢＳ、ブタジエ
ン−スチレン共重合体水素添加物のメタクリル酸グリシ
ジル付加物、無水マレイン酸変性ＥＰＲ、エチレン−ア
クリル酸共重合体、エチレン−エチルアクリレート共重
合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタ
クリル酸共重合体、アクリル酸変性ポリブタジエンなど
があげられる。このようなポリオレフィンはサーマルサ
イクル性向上の観点から室温でゴム弾性を有するもの、
すなわちエラストマーであることが好ましい。このよう
な官能基を有するポリオレフィンの配合量は、全組成物
中０．５〜２０重量％、さらに１〜１０重量％の範囲が
好ましい。

【００２４】本発明における官能基を有するポリオレフ
ィン（Ｄ）は他のポリオレフィンも併用して含有するこ
とができる。併用できる他のポリオレフィンとしては、
たとえばポリブタジエン、ＳＥＢＳ、アクリルゴムなど
があげられる。

【００２５】本発明のエポキシ樹脂組成物においては、
シリコーンゴム、オレフィン系共重合体、変性シリコー
ンオイルなどのエラストマーやポリエチレンなどの熱可
塑性樹脂も配合することができる。本発明のエポキシ樹
脂組成物にはハロゲン化エポキシ樹脂などのハロゲン化
合物、リン化合物などの難燃剤、カーボンブラック、酸
化鉄などの着色剤、有機過酸化物などの架橋剤などを任
意に添加することができる。

【００２６】本発明のエポキシ樹脂組成物は溶融混練す
ることが好ましく、たとえばバンバリーミキサー、ニー
ダー、ロール、単軸もしくは二軸の押し出し機およびコ
ニーダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練するこ
とにより、製造される。

【００２７】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、表２の特に示さない単位の値は、重量部を示
す。

【００２８】実施例１〜７、比較例１〜４ 表１に示した成分を、表２に示した組成比でミキサーに
よりドライブレンドした。これを、ロール表面温度９０
℃のミキシングロールを用いて５分間加熱混練後、冷却
粉砕してエポキシ樹脂組成物を製造した。

【００２９】

【表１】

【００３０】

【化１】 ｎは０以上の整数。

【００３１】また表１の他、Ｎ−フェニル−γ−アミノ
プロピルトリメトキシシランをシランカッフ゜リンク゛剤として添
加。またカーボンブラックを着色剤として添加した。

【００３２】

【表２】

【００３３】この組成物を用い、低圧トランスファー成
形法により成形温度１７５℃、成形時間２分、トランス
ファー圧力７ＭＰａの条件で成形し、１８０℃×５時間
の条件でポストキュアして、各組成物の曲げ弾性率、線
膨張係数を測定した。線膨張係数はＴＭＡを用い、２３
℃とガラス転移温度との間の熱膨張曲線から平均値を求
めた。曲げ弾性率は、室温下で３点曲げ試験を行い、荷
重−たわみ曲線から求めた。

【００３４】また半導体素子１と該半導体素子が搭載さ
れる配線基板２ａ、枠体２ｂおよび蓋体２ｃを具備し、
かつ蓋体２ｃの一部を樹脂充填孔用４とし、さらにこれ
らによって囲まれた樹脂充填部を有する半導体装置予備
装置に、表２記載のエポキシ樹脂組成物を、図３のよう
に、上記と同様にトランスファー成形およびポストキュ
アして、図２に示す形状の半導体装置とした。

【００３５】ここで配線基板２ａは、同配線がパターン
形成されたポリイミドフィルムが用いられている。また
枠体２ｂおよび蓋体２ｃは銅合金からなっている。

【００３６】また、半導体装置の大きさは幅、奥行きと
も３０ｍｍ、蓋体２ｃの厚みは０．３ｍｍ、枠体２ｂの
高さは０．８ｍｍ、接着層７の厚みは０．０５ｍｍ、ポ
リイミドフィルムおよび金属配線を含む配線基板の厚み
は０．１５ｍｍ、半導体素子の大きさは５×５×０．５
ｍｍである。

【００３７】次の物性測定法により、各組成物および、
半導体装置の物性を測定した。半導体装置は図２のよう
に、半導体素子１と該半導体素子が搭載される配線基板
２ａ、枠体２ｂおよび蓋体２ｃを具備し、さらにこれら
によって囲まれた樹脂充填部に硬化したエポキシ樹脂組
成物３とを具備する。

【００３８】ＰＩフィルム剥離強度：上記の成形方法
で、縦１０×横１０ｍｍ、高さ５ｍｍの円柱をＰＩ（ポ
リイミド）フィルム上に形成し、１８０度剥離試験によ
り剥離強度を測定した。この値は配線基板と封止樹脂と
の接着性を反映する。

【００３９】半導体装置反り量：半導体装置平面部の対
角線上を表面あらさ計を用いて表面の凹凸を測定し、水
平方向から見た場合の最下点と最上点との間の距離を垂
直方向で測定した。

【００４０】サーマルサイクル性：半導体装置を−６５
℃×３０ｍｉｎ、常温×１０ｍｉｎ、１５０℃×３０ｍ
ｉｎ、常温×１０ｍｉｎを１サイクルとして、半導体装
置２０個を用いて放置試験を行った。２００ｃｙｃｌｅ
経過後に、半導体装置を分解して内部を目視で観察し、
樹脂部分のクラックの発生、半導体素子の割れを故障と
して判定し、故障率を求めた。

【００４１】ポップコーン試験：半導体装置２０個を８
５℃／８５％ＲＨで４８時間加湿後、最高温度２６０℃
のＩＲリフロー炉で加熱処理し、半導体装置のＰＩフィ
ルム基板と樹脂界面の剥離の有無を目視で観察した。故
障率として、剥離の発生したパッケージの割合を求め
た。

【００４２】これらの結果を表３に示す。

【００４３】

【表３】

【００４４】表３に見られるように、本発明のエポキシ
樹脂組成物、および樹脂封止型半導体装置は、密着性、
パッケージ反り量の低減、サーマルサイクル性、耐ポッ
プコーン性に優れている。これに対して、ポリオレフィ
ン（Ｄ）中に本発明の官能基を持たないポリオレフィン
を含有しない比較例１はすべての物性が劣っている。ま
た、ポリオレフィン（Ｄ）中に本発明の官能基をもつポ
リオレフィンを含有しない、比較例２は、密着性、パッ
ケージ反り量は優れるものの、耐ポップコーン性、サー
マルサイクル性が劣っている。また、ポリオレフィン
（Ｄ）中に本発明の官能基をもつポリオレフィンを含ま
ない場合すべての物性が劣っている。ポリオレフィン
（Ｄ）を含有しない比較例４は、密着性、サーマルサイ
クル性、耐ポップコーン性が劣っている。

【００４５】

【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物及びそれが充填された樹脂封止型半導体装置は密着性
およびパッケージ反り量の低減に優れ、該樹脂組成物を
用いた該半導体装置はサーマルサイクル性、耐ポップコ
ーン性に優れている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の一態様を示す断面図であ
る。

【図２】本発明の半導体装置の一態様を示す断面図であ
る。

【図３】実施例での半導体装置の成形法を示す部分断面
図である。

【符号の説明】

１：半導体素子 ２ａ：配線基板 ２ｂ：枠体 ２ｃ：蓋体 ３：封止用エポキシ樹脂組成物 ４：樹脂充填用孔 ５：プランジャー ６：成形用型枠 ７：接着層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｌ 63/00

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子１、該半導体素子を搭載する
   配線基板２ａ、該配線基板上に該半導体素子を離間した
   状態で囲繞するよう配設された枠体２ｂ、および該半導
   体素子１、該配線基板２ａ、該枠体２ｂによって囲まれ
   た樹脂充填部に充填されたエポキシ樹脂組成物３の硬化
   物からなる半導体装置であって、該エポキシ樹脂組成物
   がエポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填剤
   （Ｃ）および酸素原子または窒素原子を有する官能基を
   もつポリオレフィン（Ｄ）を含有するものである樹脂封
   止型半導体装置。
2. 【請求項２】 さらにエポキシ樹脂組成物３を蓋封する
   蓋体２ｃが配設されていることを特徴とする請求項１記
   載の樹脂封止型半導体装置。
3. 【請求項３】該エポキシ樹脂組成物の硬化物の室温での
   曲げ弾性率が≦１０ＧＰａ、室温からガラス転移温度ま
   での線膨張係数が１０×１０^-6／Ｋ〜４０×１０^-6／Ｋ
   であることを特徴とする請求項１または２記載の樹脂封
   止型半導体装置。
4. 【請求項４】 半導体素子１、該半導体素子を搭載する
   配線基板２ａ、該配線基板上に該半導体素子を離間した
   状態で囲繞するよう配設された枠体２ｂ、および該半導
   体素子１、該配線基板２ａ、該枠体２ｂによって囲まれ
   た樹脂充填部に充填されたエポキシ樹脂組成物３の硬化
   物からなる樹脂封止型半導体装置の封止用樹脂組成物で
   あって、エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填
   剤（Ｃ）および酸素原子または窒素原子を有する官能基
   をもつポリオレフィン（Ｄ）を含有するものである樹脂
   封止型半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物。
5. 【請求項５】さらに半導体装置にエポキシ樹脂組成物３
   ３を蓋封する蓋体２ｃが配設されていることを特徴とす
   る請求項４記載のエポキシ樹脂組成物。
6. 【請求項６】エポキシ樹脂組成物の硬化物の室温での曲
   げ弾性率が≦１０ＧＰａ、室温からガラス転移温度まで
   の線膨張係数が１０×１０^-6／Ｋ〜４０×１０^-6／Ｋで
   あることを特徴とする請求項４または５記載の樹脂封止
   型半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物。
7. 【請求項７】半導体素子１、該半導体素子を搭載する配
   線基板２ａ、該配線基板上に該半導体素子を離間した状
   態で囲繞するよう配設された枠体２ｂを有する半導体装
   置予備装置の半導体素子１、配線基板２ａおよび枠体２
   ｂによって形成される樹脂充填部に対して、エポキシ樹
   脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、無機充填剤（Ｃ）および酸素
   原子または窒素原子を有する官能基をもつポリオレフィ
   ン（Ｄ）を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物
   を、樹脂充填部に充填することを特徴とする半導体装置
   の製造方法。