JPH10270167A - Novel light emitting material, novel electron transport transport material and organic el element using the same - Google Patents

Novel light emitting material, novel electron transport transport material and organic el element using the same

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JPH10270167A
JPH10270167A JP9088875A JP8887597A JPH10270167A JP H10270167 A JPH10270167 A JP H10270167A JP 9088875 A JP9088875 A JP 9088875A JP 8887597 A JP8887597 A JP 8887597A JP H10270167 A JPH10270167 A JP H10270167A
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JP
Japan
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light emitting
radical
quinolinolato
organic
bis
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Application number
JP9088875A
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Japanese (ja)
Inventor
Junji Kido
淳二 城戸
Naohiko Fukuoka
直彦 福岡
Takashi Takeda
孝 武田
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CHEMPROKASEI KAISHA Ltd
Original Assignee
CHEMPROKASEI KAISHA Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a novel light emitting metallic complex, an electron transport metallic complex and a novel light emitting and electron transport metallic complex which are excellent in thin film formation and low in crystallization, and a highly efficient and long life organic EL element using these by using, as a light emitting material, a metallic complex having at least one 8-quinolinolato derivative material having substitutional radicals for particular four positions as a ligand. SOLUTION: A metallic complex is used as a light emitting element, the metallic complex having at least one 8-quinolinolato derivative material having substitutional radicals for four positions as a ligand, the derivative material being represented by an expression (in the expression, R is a group is selected independently out of a group including an alkyl radical, an alcoxide radical, di-alkyl amino radical, a cyano radical, halogen, a phenyl radical sometimes having a substitutional radical, a di-phenyl radical, a naphthyl radical and a styreyl radical), and thereby the active layer of a high luminance and highly efficient organic EL element. If R in the expression is an alkyl radical or an alcoxide radical, the number of carbons is preferably set to 1 to 4.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、4位に置換基を有
する8−ヒドロキシキノリン類を配位子として少なくと
も1つ有する金属錯体よりなる発光材料、電子輸送材
料、発光材料兼電子輸送材料およびそれを用いた有機E
L素子に関する。
The present invention relates to a light emitting material, an electron transporting material, a light emitting material and an electron transporting material comprising a metal complex having at least one 8-hydroxyquinoline having a substituent at the 4-position as a ligand. Organic E using it
It relates to the L element.

【0002】[0002]

【従来技術】有機EL素子は1000Å程度の有機化合
物の超薄膜で構成されており、使用できる有機化合物の
性質として均一な膜形成能力が第一条件である。結晶性
の材料ではピンホールができやすいうえ、基板との密着
性も悪いので一般にアモルファス性の材料が使用され
る。また、素子劣化の機構の1つに有機膜の結晶化など
の形態変化が挙げられており、蒸着膜の安定性が素子寿
命に大きな影響を与える〔Satoら、Mol. Cr
yst. Liq. Cryst., Vol.253,
p143.(1994)〕。たとえば、成膜直後はアモ
ルファスの均一な膜であったものが、保存中あるいは駆
動中に徐々に結晶化し電極界面や有機/有機界面の剥離
などを起こし、素子劣化となることが報告されている
〔E.M.Hanら、Chem. Lett., p96
9.(1994)〕。
2. Description of the Related Art An organic EL device is composed of an ultra-thin film of an organic compound having a thickness of about 1000.degree. An amorphous material is generally used because a crystalline material easily forms pinholes and has poor adhesion to a substrate. In addition, morphological change such as crystallization of an organic film is cited as one of the mechanisms of device deterioration, and the stability of a vapor-deposited film greatly affects the device life [Sato et al., Mol. Cr
yst. Liq. Cryst. , Vol. 253,
p143. (1994)]. For example, it has been reported that an amorphous uniform film immediately after film formation is gradually crystallized during storage or driving, causing separation of an electrode interface or an organic / organic interface, resulting in element deterioration. [E. M. Han et al., Chem. Lett. , P96
9. (1994)].

【0003】従来、下記式(A)Conventionally, the following formula (A)

【化2】 で示されるトリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯
体(以下Alqと略称することがある)が、有機EL素
子の発光材料や電子輸送材料として広く使用されてお
り、高輝度高効率素子が報告されている〔C.W.Ta
ngら、Appl.Phys. Lett., Vol.
51, p913.(1987)、J.Appl. Ph
ys., Vol.65, p3610.(198
9)〕。Alqは真空加熱蒸着法により成膜でき、Al
q中に極微量の蛍光色素をドーピングすることにより、
2%を超える外部量子効率が得られている〔C.W.T
angら、J.Appl. Phys., Vol.6
5, p3610(1989)〕。
Embedded image Is widely used as a light emitting material and an electron transporting material of an organic EL device, and a high-luminance and high-efficiency device has been reported. [C. W. Ta
ng et al., Appl. Phys. Lett. , Vol.
51, p913. (1987); Appl. Ph
ys. , Vol. 65, p3610. (198
9)]. Alq can be formed into a film by a vacuum heating evaporation method.
By doping a trace amount of fluorescent dye in q,
An external quantum efficiency exceeding 2% has been obtained [C. W. T
ang et al. Appl. Phys. , Vol. 6
5, p3610 (1989)].

【0004】しかし、Alqを単独で発光層や電子輸送
層として用いた場合には、素子の連続駆動寿命が短い
〔Satoら、Mol. Cryst. Liq. Cr
yst., Vol.253, p143.(199
4)〕。これはAlqの結晶性が高く、その蒸着膜が平
均500Åの微結晶から構成されるためピンホールが生
じやすく膜安定性が低いためである〔C.W.Tang
ら、Appl. Phys.Lett., Vol. 5
1, p913.(1987)〕ことが判ってきた。
However, when Alq is used alone as the light emitting layer or the electron transport layer, the continuous driving life of the device is short [Sato et al., Mol. Cryst. Liq. Cr
yst. , Vol. 253, p143. (199
4)]. This is because Alq has high crystallinity, and the deposited film is composed of microcrystals having an average of 500 °, so that pinholes are likely to be generated and the film stability is low [C. W. Tang
Et al., Appl. Phys. Lett. , Vol. 5
1, p913. (1987)].

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は薄膜
形成能に優れかつ、結晶性の低い新規発光金属錯体、電
子輸送金属錯体、新規発光兼電子輸送金属錯体および、
それを用いた高効率かつ長寿命な有機EL素子を提供す
る点にある。
Accordingly, the present invention provides a novel luminescent metal complex, an electron transporting metal complex, a novel luminescent / electron transporting metal complex having excellent thin film forming ability and low crystallinity.
An object of the present invention is to provide a highly efficient and long-life organic EL device using the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明の第一は、下記式
〔I〕
Means for Solving the Problems A first aspect of the present invention is the following formula [I]

【化3】 (式中、Rはアルキル基、アルコキシ基、ジアルキルア
ミノ基、シアノ基、ハロゲン、置換基を有することもあ
るフェニル基、ジフェニル基、ナフチル基およびスチリ
ル基よりなる群から独立して選ばれた基である)で示さ
れる4位に置換基を有する8−キノリノラト誘導体を配
位子として少なくとも1つ有する金属錯体であることを
特徴とする発光材料に関する。
Embedded image Wherein R is an alkyl group, an alkoxy group, a dialkylamino group, a cyano group, a halogen, a phenyl group which may have a substituent, a diphenyl group, a naphthyl group and a styryl group. Which is a metal complex having at least one 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position represented by the formula (1) as a ligand.

【0007】本発明の第二は、前記一般式〔I〕記載の
4位に置換基を有する8−キノリノラト誘導体を配位子
として少なくとも1つ有する金属錯体であることを特徴
とする電子輸送材料に関する。
A second aspect of the present invention is an electron transporting material, which is a metal complex having at least one 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position described in the general formula [I] as a ligand. About.

【0008】本発明の第三は、請求項1記載の発光材料
を用いた有機EL素子に関する。
[0008] The third aspect of the present invention relates to an organic EL device using the luminescent material according to the first aspect.

【0009】本発明の第四は、請求項2記載の電子輸送
材料を用いた有機EL素子に関する。
A fourth aspect of the present invention relates to an organic EL device using the electron transporting material according to the second aspect.

【0010】本発明の第五は、請求項2記載の電子輸送
材料をホスト材料に使用し、微量の色素を発光中心とし
てドーピングした発光層を有する有機EL素子に関す
る。
A fifth aspect of the present invention relates to an organic EL device having a light-emitting layer in which the electron transporting material according to claim 2 is used as a host material and doped with a trace amount of a dye as a light-emitting center.

【0011】前記金属錯体を形成するための金属として
は、Li、Na、K、Rb、Be、Mg、Ca、Sr、
Ba、Zn、Al、Ga、In、Sc、Yおよび希土類
金属を挙げることができる。
The metal for forming the metal complex includes Li, Na, K, Rb, Be, Mg, Ca, Sr,
Ba, Zn, Al, Ga, In, Sc, Y and rare earth metals can be mentioned.

【0012】本発明に用いる金属錯体は、結晶性を低下
させる目的で4位に置換基を導入した8−キノリノラト
誘導体を配位子として少なくとも1つ有することを特徴
とするものである。すなわち、1つの金属原子に配位す
る配位子が複数あるときは、少なくともその1つが、一
般式〔I〕で示される前記4位に置換基を導入した8−
キノリノラト誘導体であることが必要である。4位の置
換基は錯体の中心金属から見て外側に位置しており、こ
の置換基の立体障害ために錯体分子間の相互作用は低下
し、錯体の結晶性も低下することが予想される。このた
め、膜のアモルファス性が向上し、結晶化による素子劣
化が抑制されるので素子耐久性を高めると考えられる。
さらに、異なる構造の配位子とともに混合配位子錯体と
することにより、より錯体の対象性を低下させ、アモル
ファス性をさらに向上させることができたものと考えら
れる。その結果、結晶化による素子劣化を抑制でき、連
続駆動特性が飛躍的に向上した。
The metal complex used in the present invention is characterized by having at least one 8-quinolinolato derivative having a substituent introduced at the 4-position as a ligand for the purpose of reducing crystallinity. That is, when there are a plurality of ligands coordinated to one metal atom, at least one of them has a substituent introduced at the 4-position represented by the general formula [I].
It must be a quinolinolato derivative. The substituent at the 4-position is located outside when viewed from the center metal of the complex, and steric hindrance of this substituent is expected to reduce the interaction between the complex molecules and reduce the crystallinity of the complex. . Therefore, it is considered that the amorphous property of the film is improved, and the element deterioration due to crystallization is suppressed, so that the element durability is improved.
Furthermore, it is considered that by forming a mixed ligand complex together with ligands having different structures, the symmetry of the complex was further reduced, and the amorphous property was further improved. As a result, element degradation due to crystallization can be suppressed, and continuous drive characteristics have been dramatically improved.

【0013】本発明におけるRがアルキル基の場合は、
通常炭素数が1〜12の直鎖または分岐のものを挙げる
ことができるが、とくに炭素数が1〜4であることが好
ましい。
When R in the present invention is an alkyl group,
Usually, a straight-chain or branched one having 1 to 12 carbon atoms can be mentioned, and particularly preferably 1 to 4 carbon atoms.

【0014】本発明におけるRがアルコキシ基の場合
は、そのアルキルが通常炭素数1〜12の直鎖または分
岐のアルキルであることができるが、とくに炭素数1〜
4であることが好ましい。
When R in the present invention is an alkoxy group, the alkyl can be usually a straight-chain or branched alkyl having 1 to 12 carbon atoms.
It is preferably 4.

【0015】本発明におけるRが、フェニル基、ジフェ
ニル基、ナフチル基あるいはスチリル基の場合は、これ
らに置換基があっても支障がない。この置換基として
は、前述のようなアルキル基、アルコキシ基、ジアルキ
ルアミノ基、シアノ基、ハロゲン基などであることがで
きる。
When R in the present invention is a phenyl group, a diphenyl group, a naphthyl group or a styryl group, there is no problem even if these have a substituent. The substituent may be an alkyl group, an alkoxy group, a dialkylamino group, a cyano group, a halogen group, or the like as described above.

【0016】前記一般式〔I〕で示される化合物の具体
例としては、下記式群(1)〜(26)に示すことがで
きる。
Specific examples of the compound represented by the general formula [I] can be represented by the following formula groups (1) to (26).

【0017】[0017]

【化4】 Embedded image

【0018】[0018]

【化5】 Embedded image

【0019】[0019]

【化6】 Embedded image

【0020】本発明における1つの態様としては、前記
一般式〔I〕で示される4位に置換基を有する8−キノ
リノラト誘導体の1種類のみを配位子として有する金属
錯体である。例えば前記(1)のもののみを配位子とし
て有する金属錯体である(例えば実施例1参照)。
One embodiment of the present invention is a metal complex having, as a ligand, only one kind of an 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position represented by the general formula [I]. For example, a metal complex having only the above (1) as a ligand (for example, see Example 1).

【0021】また、本発明におけるその他の態様として
は、前記一般式〔I〕で示される4位に置換基を有す
る8−キノリノラト誘導体少なくとも1種と、前記一
般式〔I〕で示される化合物とは異る発光材料用化合物
あるいは電子輸送材料用化合物の少なくとも1種、とを
配位子として有する金属錯体である(実施例2、3、4
参照)。
In another aspect of the present invention, at least one 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position represented by the general formula [I] and a compound represented by the general formula [I] Are metal complexes having, as ligands, at least one different compound for a light emitting material or at least one compound for an electron transporting material (Examples 2, 3, and 4)
reference).

【0022】本発明における他の1つの態様としては、
前記一般式〔I〕で示される4位に置換基を有する8−
キノリノラト誘導体に含まれる2種以上の化合物を配位
子として有する金属錯体よりなる発光材料も包含してい
る。
In another aspect of the present invention,
8- having a substituent at the 4-position represented by the general formula [I]
A luminescent material including a metal complex having two or more compounds contained in the quinolinolato derivative as ligands is also included.

【0023】また、本発明の発光材料や電子輸送材料
は、前述の各種金属錯体を併用して使用することもでき
る。例えば、後記式〔II〕と〔V〕のものとの併用、後
記式〔II〕と〔VI〕のものとの併用、後記式〔II〕と
〔VII〕のものとの併用、後記式〔V〕と〔VI〕のもの
との併用、後記式〔V〕と式〔VII〕のものとの併用、
後記式〔VI〕と〔VII〕のものとの併用、後記式〔I
I〕、〔V〕、〔VI〕のものとの併用、後記式〔II〕、
〔VI〕、〔VII〕のものとの併用、後記式〔V〕、〔V
I〕、〔VII〕のものとの併用などのケースが挙げられ
る。
The light emitting material and the electron transporting material of the present invention can be used in combination with the above-mentioned various metal complexes. For example, a combination of the formulas (II) and (V), a combination of the formulas (II) and (VI), a combination of the formulas (II) and (VII), a formula (II) V] and the combination of (VI), the combination of the formulas (V) and (VII) below,
Combination use of the formulas (VI) and (VII),
I], [V], combined use with those of [VI],
[VI], combined use with [VII], formulas [V] and [V
Examples of the combination with I] and [VII] are given.

【0024】前記式〔I〕で示される本発明にかかる配
位子と併用して使用できる他の配位子としてはつぎの化
学式(a)〜(r)などが例示できる。
Other ligands which can be used in combination with the ligand according to the present invention represented by the formula [I] include the following chemical formulas (a) to (r).

【0025】[0025]

【化7】 Embedded image

【0026】[0026]

【化8】 Embedded image

【0027】さらには、前記他の配位子の例としては、
本出願人の出願にかかる特願平8−257464号の一
般式〔1〕,〔2〕,〔3〕,〔4〕,〔5〕で示され
る多縮合環型8−キノリノラト誘導体や二縮合環型8−
キノリノラト誘導体をも例示することができる。
Further, examples of the other ligand include:
Polycondensed ring type 8-quinolinolato derivatives represented by the general formulas [1], [2], [3], [4] and [5] of Japanese Patent Application No. 8-257664 filed by the present applicant and dicondensation Ring type 8-
Quinolinolato derivatives can also be exemplified.

【0028】これらの金属錯体は、いずれも発光材料と
しても使用できるし、電子輸送材料としても使用できる
し、さらには、発光材料兼電子輸送材料としても使用で
きる。
Any of these metal complexes can be used as a light emitting material, an electron transporting material, and also as a light emitting material and an electron transporting material.

【0029】本発明で使用できる具体的な素子の構造と
しては何ら制限はないが具体例を示すと、陽極/発光層
/陰極、陽極/正孔輸送層/発光層/陰極、陽極/正孔
輸送層/発光層/電子輸送層/陰極/、陽極/正孔注入
層/発光層/陰極、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発
光層/陰極、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/
電子輸送層/陰極、などが挙げられる。
The specific structure of the device that can be used in the present invention is not particularly limited, but specific examples are as follows: anode / light-emitting layer / cathode, anode / hole transport layer / light-emitting layer / cathode, anode / hole Transport layer / emission layer / electron transport layer / cathode /, anode / hole injection layer / emission layer / cathode, anode / hole injection layer / hole transport layer / emission layer / cathode, anode / hole injection layer / positive Hole transport layer / light emitting layer /
Electron transport layer / cathode, and the like.

【0030】本発明の金属錯体のほかに、本発明の有機
EL素子の発光層、電子輸送層として使用できる有機化
合物としては、特に限定はないが、p−テルフェニルや
クアテルフェニルなどの多環化合物およびそれらの誘導
体;ナフタレン、テトラセン、ピレン、コロネン、クリ
セン、アントラセン、ジフェニルアントラセン、ナフタ
セン、フェナントレンなどの縮合多環炭化水素化合物お
よびそれらの誘導体;フェナントロリン、バソフェナン
トロリン、フェナントリジン、アクリジン、キノリン、
キノキサリン、フェナジンなどの縮合複素環化合物およ
びそれらの誘導体;フルオロセイン、ペリレン、フタロ
ペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノ
ン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラ
フェニルブタジエン、オキサジアゾール、アルダジン、
ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シク
ロペンタジエン、オキシン、アミノキノリン、イミン、
ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカ
ルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシ
アニン、キナクリドン、ルブレン等およびそれらの誘導
体などを挙げることができる。
In addition to the metal complex of the present invention, the organic compound which can be used as the light emitting layer and the electron transporting layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited, but various compounds such as p-terphenyl and quaterphenyl can be used. Ring compounds and their derivatives; condensed polycyclic hydrocarbon compounds such as naphthalene, tetracene, pyrene, coronene, chrysene, anthracene, diphenylanthracene, naphthacene, phenanthrene and derivatives thereof; phenanthroline, bathophenanthroline, phenanthridine, acridine, quinoline ,
Fused heterocyclic compounds such as quinoxaline and phenazine and derivatives thereof; fluorescein, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, perinone, phthaloperinone, naphthaloperinone, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, oxadiazole, aldazine,
Bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, oxine, aminoquinoline, imine,
Examples thereof include diphenylethylene, vinylanthracene, diaminocarbazole, pyran, thiopyran, polymethine, merocyanine, quinacridone, rubrene, and derivatives thereof.

【0031】また、特開昭63−295695号公報、
特開平8−22557号公報、特開平8−81472号
公報、特開平5−9470号公報、特開平5−1776
4号公報に開示されている金属キレート錯体化合物、特
に金属キレート化オキサイド化合物では、トリス(8−
キノリノラト)アルミニウム、ビス(8−キノリノラ
ト)マグネシウム、ビス[ベンゾ(f)−8−キノリノ
ラト]亜鉛、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム、トリス(8−キノリノラト)インジウム、
トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アミルニウ
ム、8−キノリノラトリチウム、トリス(5−クロロ−
8−キノリノラト)ガリウム、ビス(5−クロロ−8−
キノリノラト)カルシウムなどの8−キノリノラトある
いはその誘導体を配位子として少なくとも一つ有する金
属錯体も発光層および電子輸送層として好適に使用でき
る。
Also, JP-A-63-295695,
JP-A-8-22557, JP-A-8-81472, JP-A-5-9470, JP-A-5-1776
No. 4 discloses a metal chelate complex compound, particularly a metal chelated oxide compound.
Quinolinolato) aluminum, bis (8-quinolinolato) magnesium, bis [benzo (f) -8-quinolinolato] zinc, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum, tris (8-quinolinolato) indium,
Tris (5-methyl-8-quinolinolato) amylnium, 8-quinolinolatolithium, tris (5-chloro-
8-quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-
A metal complex having at least one 8-quinolinolato or a derivative thereof such as (quinolinolato) calcium as a ligand can also be suitably used as the light emitting layer and the electron transport layer.

【0032】特開平5−202011号公報、特開平7
−179394号公報、特開平7−278124号公
報、特開平7−228579号公報に開示されているオ
キサジアゾール類、特開平7−157473号公報に開
示されているトリアジン類、特開平6−203963号
公報に開示されているスチルベン誘導体およびジスチリ
ルアリーレン誘導体、特開平6−132080号公報や
特開平6−88072号公報に開示されているスチリル
誘導体、特開平6−100857号公報や特開平6−2
07170号公報に開示されているジオレフィン誘導体
も発光層、電子輸送層として好適に使用できる。
JP-A-5-202011, JP-A-7-2011
Oxadiazoles disclosed in JP-A-179394, JP-A-7-278124, JP-A-7-228579, triazines disclosed in JP-A-7-157473, JP-A-6-203963 Stilbene derivatives and distyryl arylene derivatives disclosed in JP-A-6-132080 and JP-A-6-88072, and styryl derivatives disclosed in JP-A-6-88072, JP-A-6-100857 and JP-A-6-86057. 2
The diolefin derivative disclosed in JP-A-07170 can also be suitably used as the light emitting layer and the electron transport layer.

【0033】さらに、ベンゾオキサゾール系、ベンゾチ
アゾール系、ベンゾイミダゾール系などの蛍光増白剤も
使用でき、例えば、特開昭59−194393号公報に
開示されているものが挙げられる。その代表例として
は、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベ
ンゾオキサゾリル)−1,3,4−チアゾール、4,
4′−ビス(5,7−ジ−t−ペンチル−2−ベンゾオ
キサゾリル)スチルベン、4,4′−ビス[5,7−ジ
−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル]スチルベン、2,5−ビス(5,7−ジ−t−ペン
チル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、2,5−
ビス[5−(α,α−ジメチルベンジル)−2−ベンゾ
オキサゾリル]チオフェン、2,5−ビス[5,7−ジ
−(2−メチル−2−ブチル)−2−ベンゾオキサゾリ
ル]−3,4−ジフェニルチオフェン、2,5−ビス
(5−メチル−2−ベンゾオキサゾリル)チオフェン、
4,4′−ビス(2−ベンゾオキサゾリル)ビフェニ
ル、5−メチル−2−{2−[4−(5−メチル−2−
ベンゾオキサゾリル)フェニル]ビニル}ベンゾオキサ
ゾール、2−[2−(4−クロロフェニル)ビニル]ナ
フト(1,2−d)オキサゾールなどのベンゾオキサゾ
ール系、2,2′(p−フェニレンジビニレン)−ビス
ベンゾチアゾールなどのベンゾチアゾール系、2−{2
−[4−(2−ベンゾイミダゾリル)フェニル]ビニ
ル}ベンゾイミダゾール、2−[2−(4−カルボキシ
フェニル)ビニル]ベンゾイミダゾールなどのベンゾイ
ミダゾール系などの蛍光増白剤が挙げられる。
Further, fluorescent brighteners such as benzoxazole-based, benzothiazole-based, and benzimidazole-based can be used, and examples thereof include those disclosed in JP-A-59-194393. Typical examples thereof include 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzooxazolyl) -1,3,4-thiazole,
4'-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzooxazolyl) stilbene, 4,4'-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzo Oxazolyl] stilbene, 2,5-bis (5,7-di-t-pentyl-2-benzooxazolyl) thiophene, 2,5-
Bis [5- (α, α-dimethylbenzyl) -2-benzoxazolyl] thiophene, 2,5-bis [5,7-di- (2-methyl-2-butyl) -2-benzoxazolyl ] -3,4-diphenylthiophene, 2,5-bis (5-methyl-2-benzooxazolyl) thiophene,
4,4'-bis (2-benzoxazolyl) biphenyl, 5-methyl-2- {2- [4- (5-methyl-2-
Benzoxazoles such as benzoxazolyl) phenyl] vinyl} benzoxazole and 2- [2- (4-chlorophenyl) vinyl] naphtho (1,2-d) oxazole; 2,2 ′ (p-phenylenedivinylene) Benzothiazoles such as bisbenzothiazole, 2- {2
Examples thereof include benzimidazole-based fluorescent brighteners such as-[4- (2-benzimidazolyl) phenyl] vinyl} benzimidazole and 2- [2- (4-carboxyphenyl) vinyl] benzimidazole.

【0034】また、ジスチリルベンゼン系化合物として
は、例えば欧州特許第0373582号明細書に開示さ
れているものを用いることができる。その代表例として
は、1,4−ビス(2−メチルスチリル)ベンゼン、
1,4−ビス(3−メチルスチリル)ベンゼン、1,4
−ビス(4−メチルスチリル)ベンゼン、ジスチリルベ
ンゼン、1,4−ビス(2−エチルスチリル)ベンゼ
ン、1,4−ビス(3−エチルスチリル)ベンゼン、
1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−メチルベン
ゼン、1,4−ビス(2−メチルスチリル)−2−エチ
ルベンゼンなどが挙げられる。
As the distyrylbenzene compound, for example, those disclosed in European Patent No. 0 375 582 can be used. Typical examples are 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene,
1,4-bis (3-methylstyryl) benzene, 1,4
-Bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2-ethylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene,
Examples thereof include 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-methylbenzene and 1,4-bis (2-methylstyryl) -2-ethylbenzene.

【0035】特開平2−252793号公報に開示され
ているジスチリルピラジン誘導体も発光層、電子輸送層
として用いることができる。その代表例としては、2,
5−ビス(4−メチルスチリル)ピラジン、2,5−ビ
ス(4−エチルスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2
−(1−ナフチル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス
(4−メトキシスチリル)ピラジン、2,5−ビス[2
−(4−ビフェニル)ビニル]ピラジン、2,5−ビス
[2−(1−ピレニル)ビニル]ピラジンなどが挙げら
れる。
A distyrylpyrazine derivative disclosed in JP-A-2-252793 can also be used as the light emitting layer and the electron transport layer. Typical examples are 2,
5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-ethylstyryl) pyrazine, 2,5-bis [2
-(1-naphthyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2
-(4-biphenyl) vinyl] pyrazine, 2,5-bis [2- (1-pyrenyl) vinyl] pyrazine and the like.

【0036】その他、欧州特許第388768号明細書
や特開平3−231970号公報に開示されているジメ
チリディン誘導体を本発明の発光層や電子輸送層の材料
として用いることもできる。その代表例としては、1,
4−フェニレンジメチリディン、4,4′−フェニレン
ジメチリディン、2,5−キシリレンジメチリディン、
2,6−ナフチレンジメチリディン、1,4−ビフェニ
ルレンジメチリディン、1,4−p−テレフェニレンジ
メチリディン、9,10−アントラセンジイルジメチリ
ディン、4,4′−(2,2−ジ−t−ブチルフェニル
ビニル)ビフェニル、4,4′−(2,2−ジフェニル
ビニル)ビフェニルなど、およびこれらの誘導体や、特
開平6−49079号公報、特開平6−293778号
公報に開示されているシラナミン誘導体、特開平6−2
79322号公報、特開平6−279323号公報に開
示されている多官能スチリル化合物、特開平6−107
648号公報や特開平6−92947号公報に開示され
ているオキサジアゾール誘導体、特開平6−20686
5号公報に開示されているアントラセン化合物、特開平
6−145146号公報に開示されているオキシネイト
誘導体、特開平4−96990号公報に開示されている
テトラフェニルブタジエン化合物、特開平3−2965
95号公報に開示されている有機三官能化合物、さらに
は、特開平2−191694号公報に開示されているク
マリン誘導体、特開平2−196885号公報に開示さ
れているペリレン誘導体、特開平2−255789号公
報に開示されているナフタレン誘導体、特開平2−28
9676号公報および特開平2−88689号公報に開
示されているフタロペリノン誘導体、特開平2−250
292号公報に開示されているスチリルアミン誘導体な
どをあげることができる。
In addition, dimethylidin derivatives disclosed in European Patent No. 388768 and JP-A-3-231970 can be used as a material for the light emitting layer and the electron transport layer of the present invention. Typical examples are 1,
4-phenylenedimethylidin, 4,4'-phenylenedimethylidin, 2,5-xylylenedimethylidin,
2,6-naphthylenedimethylidin, 1,4-biphenyldimethylidin, 1,4-p-terephenylenedimethylidin, 9,10-anthracenediyldimethylidin, 4,4 ′-(2, 2-Di-t-butylphenylvinyl) biphenyl, 4,4 '-(2,2-diphenylvinyl) biphenyl, and derivatives thereof, and JP-A-6-49079 and JP-A-6-293778. Disclosed silanamin derivatives, JP-A-6-2
No. 79322, JP-A-6-279323, and polyfunctional styryl compounds disclosed in JP-A-6-279323.
Oxadiazole derivatives disclosed in JP-A-6-648 and JP-A-6-92947;
5, anthracene compounds disclosed in JP-A-6-145146, tetraphenylbutadiene compounds disclosed in JP-A-4-96990, and JP-A-3-2965.
No. 95, the coumarin derivative disclosed in JP-A-2-191694, the perylene derivative disclosed in JP-A-2-196885, and the organic trifunctional compound disclosed in JP-A-2-196885. Naphthalene derivative disclosed in 255,789, JP-A-2-28
Phthaloperinone derivatives disclosed in JP-A-9676 and JP-A-2-88689, JP-A-2-250
Styrylamine derivatives disclosed in JP-A-292-292 can be mentioned.

【0037】本発明において、正孔注入層、正孔輸送
層、正孔輸送性発光層として使用されるアリールアミン
化合物類としては、特に限定はないが、特開平6−25
659号公報、特開平6−203963号公報、特開平
6−215874号公報、特開平7−145116号公
報、特開平7−224012号公報、特開平7−157
473号公報、特開平8−48656号公報、特開平7
−126226号公報、特開平7−188130号公
報、特開平8−40995号公報、特開平8−4099
6号公報、特開平8−40997号公報、特開平7−1
26225号公報、特開平7−101911号公報、特
開平7−97355号公報に開示されているアリールア
ミン化合物類が好ましく、例えば、N,N,N′,N′
−テトラフェニル−4,4′−ジアミノフェニル、N,
N′−ジフェニル−N,N′−ジ(3−メチルフェニ
ル)−4,4′−ジアミノビフェニル、2,2−ビス
(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン、N,
N,N′,N′−テトラ−p−トリル−4,4′−ジア
ミノビフェニル、ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェ
ニル)フェニルメタン、N,N′−ジフェニル−N,
N′−ジ(4−メトキシフェニル)−4,4′−ジアミ
ノビフェニル、N,N,N′,N′−テトラフェニル−
4,4′−ジアミノジフェニルエーテル、4,4′−ビ
ス(ジフェニルアミノ)クオードリフェニル、4−N,
N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニル)ベン
ゼン、3−メトキシ−4′−N,N−ジフェニルアミノ
スチルベンゼン、N−フェニルカルバゾール、1,1−
ビス(4−ジ−p−トリアミノフェニル)−シクロヘキ
サシ、1,1−ビス(4−ジ−p−トリアミノフェニ
ル)−4−フェニルシクロヘキサン、ビス(4−ジメチ
ルアミノ−2−メチルフェニル)−フェニルメタン、
N,N,N−トリ(p−トリル)アミン、4−(ジ−p
−トリルアミノ)−4′−[4(ジ−p−トリルアミ
ノ)スチリル]スチルベン、N,N,N′,N′−テト
ラ−p−トリル−4,4′−ジアミノ−ビフェニル、
N,N,N′,N′−テトラフェニル−4,4′−ジア
ミノ−ビフェニルN−フェニルカルバゾール、4,4′
−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミ
ノ]ビフェニル、4,4″−ビス[N−(1−ナフチ
ル)−N−フェニル−アミノ]p−ターフェニル、4,
4′−ビス[N−(2−ナフチル)−N−フェニル−ア
ミノ]ビフェニル、4,4′−ビス[N−(3−アセナ
フテニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、1,
5−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミ
ノ]ナフタレン、4、4′−ビス[N−(9−アントリ
ル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4″−
ビス[N−(1−アントリル)−N−フェニル−アミ
ノ]p−ターフェニル、4,4′−ビス[N−(2−フ
ェナントリル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル、
4,4′−ビス[N−(8−フルオランテニル)−N−
フェニル−アミノ]ビフェニル、4,4′−ビス[N−
(2−ピレニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニ
ル、4,4′−ビス[N−(2−ペリレニル)−N−フ
ェニル−アミノ]ビフェニル、4,4′−ビス[N−
(1−コロネニル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニ
ル、2,6−ビス(ジ−p−トリルアミノ)ナフタレ
ン、2,6−ビス[ジ−(1−ナフチル)アミノ]ナフ
タレン、2,6−ビス[N−(1−ナフチル)−N−
(2−ナフチル)アミノ]ナフタレン、4,4″−ビス
[N,N−ジ(2−ナフチル)アミノ]ターフェニル、
4,4′−ビス{N−フェニル−N−[4−(1−ナフ
チル)フェニル]アミノ}ビフェニル、4,4′−ビス
[N−フェニル−N−(2−ピレニル)−アミノ]ビフ
ェニル、2,6−ビス[N,N−ジ(2−ナフチル)ア
ミノ]フルオレン、4,4″−ビス(N,N−ジ−p−
トリルアミノ)ターフェニル、ビス(N−1−ナフチ
ル)(N−2−ナフチル)アミンなどがある。さらに、
その他従来有機EL素子の作製に使用されている公知の
ものを適宜用いることができる。
In the present invention, the arylamine compounds used as the hole injecting layer, the hole transporting layer, and the hole transporting light emitting layer are not particularly limited.
659, JP-A-6-203963, JP-A-6-215874, JP-A-7-145116, JP-A-7-222012, JP-A-7-157
473, JP-A-8-48656, JP-A-7-48
-126226, JP-A-7-188130, JP-A-8-40995, JP-A-8-4099
No. 6, JP-A-8-40997, JP-A-7-1
Preferred are arylamine compounds disclosed in JP-A-26225, JP-A-7-101911, and JP-A-7-97355. For example, N, N, N ', N'
-Tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl, N,
N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane,
N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl, bis (4-di-p-tolylaminophenyl) phenylmethane, N, N'-diphenyl-N,
N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N, N, N ', N'-tetraphenyl-
4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl, 4-N,
N-diphenylamino- (2-diphenylvinyl) benzene, 3-methoxy-4'-N, N-diphenylaminostilbenzene, N-phenylcarbazole, 1,1-
Bis (4-di-p-triaminophenyl) -cyclohexyl, 1,1-bis (4-di-p-triaminophenyl) -4-phenylcyclohexane, bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) -Phenylmethane,
N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4- (di-p
-Tolylamino) -4 '-[4 (di-p-tolylamino) styryl] stilbene, N, N, N', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diamino-biphenyl,
N, N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diamino-biphenyl N-phenylcarbazole, 4,4'
-Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4 ″ -bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] p-terphenyl, 4,
4'-bis [N- (2-naphthyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (3-acenaphthenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl,
5-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenyl-amino] naphthalene, 4,4'-bis [N- (9-anthryl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4 "-
Bis [N- (1-anthryl) -N-phenyl-amino] p-terphenyl, 4,4'-bis [N- (2-phenanthryl) -N-phenyl-amino] biphenyl,
4,4'-bis [N- (8-fluoranthenyl) -N-
Phenyl-amino] biphenyl, 4,4'-bis [N-
(2-pyrenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (2-perylenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 4,4'-bis [N-
(1-colonenyl) -N-phenyl-amino] biphenyl, 2,6-bis (di-p-tolylamino) naphthalene, 2,6-bis [di- (1-naphthyl) amino] naphthalene, 2,6-bis [N- (1-naphthyl) -N-
(2-naphthyl) amino] naphthalene, 4,4 ″ -bis [N, N-di (2-naphthyl) amino] terphenyl,
4,4'-bis {N-phenyl-N- [4- (1-naphthyl) phenyl] amino} biphenyl, 4,4'-bis [N-phenyl-N- (2-pyrenyl) -amino] biphenyl, 2,6-bis [N, N-di (2-naphthyl) amino] fluorene, 4,4 ″ -bis (N, N-di-p-
Tolylamino) terphenyl, bis (N-1-naphthyl) (N-2-naphthyl) amine and the like. further,
In addition, a known device conventionally used for manufacturing an organic EL element can be appropriately used.

【0038】さらに本発明の正孔注入層、正孔輸送層、
正孔輸送性発光層として、前述の有機化合物をポリマー
中に分散したものや、ポリマー化したものも使用でき
る。ポリパラフェニレンビニレンやその誘導体などのい
わゆるπ共役ポリマー、ポリ(N−ビニルカルバゾー
ル)に代表されるホール輸送性非共役ポリマー、ポリシ
ラン類のシグマ共役ポリマーも用いることができる。
Further, the hole injection layer, the hole transport layer,
As the hole transporting light emitting layer, a layer in which the above-mentioned organic compound is dispersed in a polymer or a layer in which a polymer is formed can be used. A so-called π-conjugated polymer such as polyparaphenylenevinylene or a derivative thereof, a hole-transporting non-conjugated polymer represented by poly (N-vinylcarbazole), and a sigma-conjugated polymer of polysilanes can also be used.

【0039】ITO電極上に形成する正孔注入層として
は、特に限定はないが、銅フタロシアニンなどの金属フ
タロシアニン類および無金属フタロシアニン類、カーボ
ン膜、ポリアニリンなどの導電性ポリマーが好適に使用
できる。さらに、前述のアリールアミン類に酸化剤とし
てルイス酸を作用させ、ラジカルカチオンを形成させて
正孔注入層として用いることもできる。
The hole injection layer formed on the ITO electrode is not particularly limited, but metal phthalocyanines such as copper phthalocyanine and non-metal phthalocyanines, carbon films, and conductive polymers such as polyaniline can be suitably used. Further, the arylamines described above can be reacted with a Lewis acid as an oxidizing agent to form radical cations and be used as a hole injection layer.

【0040】[0040]

【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、
本発明はこれにより限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be described below with reference to examples.
The present invention is not limited by this.

【0041】有機化合物および金属の蒸着には、真空機
工社製VPC−400真空蒸着機を使用し、膜厚の測定
および膜表面形状の測定はスローン社製DekTak3
ST触針式段差計を用いた。
For the deposition of organic compounds and metals, a VPC-400 vacuum evaporator manufactured by Vacuum Kiko Co., Ltd. was used.
An ST stylus type step meter was used.

【0042】素子の特性評価には、菊水PBX 40−
2.5直流電源、岩通VOAC−7510マルチメータ
ー、トプコンBM−8輝度計を使用した。素子のITO
を陽極、Mg:Agを陰極として直流電圧を1V/2秒
の割合でステップ状に印加し、電圧上昇1秒後の輝度お
よび電流値を測定した。また、ELスペクトルは浜松ホ
トニクスPMA−10オプチカルマルチチャンネルアナ
ライザーを使用して定電流駆動し測定した。
For the evaluation of the characteristics of the device, Kikusui PBX 40-
A 2.5 DC power supply, a Iwatsu VOAC-7510 multimeter, and a Topcon BM-8 luminance meter were used. Element ITO
Was applied as an anode and Mg: Ag was used as a cathode, and a DC voltage was applied in a stepwise manner at a rate of 1 V / 2 seconds, and the luminance and current value one second after the voltage rise were measured. The EL spectrum was measured with a constant current drive using a Hamamatsu Photonics PMA-10 optical multi-channel analyzer.

【0043】実施例1 下記式〔II〕Example 1 The following formula [II]

【化9】 で表されるトリス(4−メチル−8−キノリノラト)ア
ルミニウム(Almq3)の合成は以下の手順に従って
行った。
Embedded image The synthesis of tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (Almq 3 ) represented by the following formula was performed according to the following procedure.

【0044】三塩化アルミニウム六水和物(AlCl3
・6H2O)0.21mmolを水に溶解し、そこに7
mlのテトラヒドロフランに溶解させた下記式〔III〕
Aluminum trichloride hexahydrate (AlCl 3
・ 6H 2 O) Dissolve 0.21 mmol in water and add 7
The following formula (III) dissolved in ml of tetrahydrofuran

【化10】 で示される4−メチル−8−ヒドロキシキノリン0.6
3mmolを滴下した。30分撹拌後、1NのNaOH
を4−メチル−8−ヒドロキシキノリンに対して当量滴
下した。30分撹拌後、ロータリーエバポレーターを用
いてテトラヒドロフランを留去し、析出した粗トリス
(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム〔II
I〕(以下、Almq3と略称することがある)をろ別
し、減圧下で乾燥した。精製はトレインサブリメーショ
ン法で行い、黄色粉末状Almq3を得た。収率29
%、元素分析値、理論値C=71.85%、H=4.8
3%、N=8.38%、分析値C=71.70%、H=
4.80%、N=8.28%。
Embedded image 4-methyl-8-hydroxyquinoline 0.6 represented by
3 mmol was added dropwise. After stirring for 30 minutes, 1N NaOH
Was added dropwise in an equivalent amount to 4-methyl-8-hydroxyquinoline. After stirring for 30 minutes, tetrahydrofuran was distilled off using a rotary evaporator, and the precipitated crude tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum [II
I] (hereinafter sometimes abbreviated as Almq 3 ) was filtered off and dried under reduced pressure. Purification was performed by a train sublimation method to obtain yellow powdery Almq 3 . Yield 29
%, Elemental analysis value, theoretical value C = 71.85%, H = 4.8
3%, N = 8.38%, analysis value C = 71.70%, H =
4.80%, N = 8.28%.

【0045】二層型有機EL素子の作製 このAlmq3を発光層として、二層型有機EL素子を
作製した。ホール輸送層には下記式〔IV〕
Fabrication of Two-Layer Type Organic EL Device A two-layer type organic EL device was fabricated using this Almq 3 as a light emitting layer. The hole transport layer has the following formula (IV)

【化11】 で示されるアリールアミン誘導体(NPD)を蒸着速度
3Å/秒でITO基板上に400Å形成し、その上から
Almq3を発光層兼電子輸送層として蒸着速度3Å/
秒で600Å形成した。陰極となるMg:Ag合金電極
はMg:Ag重量比が10:1となるように別々の蒸着
源から蒸着速度を制御しながら1500Å蒸着して、二
層型有機EL素子を作った。
Embedded image Is formed on an ITO substrate at a deposition rate of 3 ° / sec at a deposition rate of 3 ° / sec, and Almq 3 is formed thereon as a light emitting layer and an electron transport layer at a deposition rate of 3 ° / sec.
It formed 600 ° in seconds. The Mg: Ag alloy electrode serving as the cathode was vapor-deposited at 1500 ° from a separate vapor deposition source while controlling the vapor deposition rate so that the Mg: Ag weight ratio became 10: 1, to produce a two-layer organic EL device.

【0046】ITOを陽極、Mg:Agを陰極として直
流電圧を素子に印加すると、ガラス基板をとおして素子
から緑色発光が観測された。その発光スペクトルを図1
に示す。これは、Almq3の蛍光スペクトルと同一
で、素子からの発光がAlmq3層からのものであり、
Almq3が発光層として機能していることが確認され
た。
When a DC voltage was applied to the device using ITO as an anode and Mg: Ag as a cathode, green light emission was observed from the device through the glass substrate. Fig. 1 shows the emission spectrum.
Shown in This is the same as the fluorescence spectrum of Almq 3, are those emitting from elements from Almq 3 layers,
It was confirmed that Almq 3 functions as a light emitting layer.

【0047】図2にはこの素子の輝度−電圧(○プロッ
ト)、電流密度−電圧(△プロット)の関係を示す。輝
度は12Vで最高に達し、27,000cd/m2の輝
度が得られた。また、2.8%の発光効率が11Vのと
き観測され、そのときの輝度は14,700cd/m2
であった。
FIG. 2 shows the relationship between the luminance and the voltage (○ plot) and the current density and the voltage (△ plot) of the device. The brightness reached a maximum at 12 V, and a brightness of 27,000 cd / m 2 was obtained. It was observed when the luminous efficiency of 2.8% was 11 V, and the luminance at that time was 14,700 cd / m 2.
Met.

【0048】乾燥窒素雰囲気中にて素子の連続駆動を行
ったところ、輝度の半減期は5000時間と長かった。
表面段差計DekTakを用いてITO上に成膜したA
lmq3膜の断面プロフィールを図3に示すが、予想し
たようにAlmq3膜表面は極めて平滑で、基板に用い
たITO表面よりも平滑であった。これは配位子の8−
キノリノラトの4位にメチル基を導入したため、結晶性
が低下し成膜性が向上したことを裏付けるものである。
When the device was continuously driven in a dry nitrogen atmosphere, the half-life of luminance was as long as 5000 hours.
A film formed on ITO using surface level meter DekTak
FIG. 3 shows the cross-sectional profile of the lmq 3 film. As expected, the surface of the Almq 3 film was extremely smooth, and was smoother than the ITO surface used for the substrate. This is the ligand 8-
This demonstrates that the introduction of a methyl group at the 4-position of quinolinolato reduced the crystallinity and improved the film formability.

【0049】比較例1 実施例1の素子構造において、発光層を従来使用されて
いるAlq〔前記式(A)で示される〕を使用し同じ条
件で素子を作製した。このNPD/Alq二層型素子は
最高輝度13,000cd/m2(実施例1の約半
分)、外部量子効率1.3%しか示さなかった。この結
果から本発明実施例1のAlmq3を用いた素子の方
が、輝度、効率の点で従来の発光材料であるAlqより
優れていることがわかる。また、連続駆動における輝度
半減期は20時間(実施例1の250分の1)と短く、
素子寿命の点においても実施例1の素子がはるかに優れ
ていることがわかった
Comparative Example 1 A device was manufactured under the same conditions as in Example 1, except that the light-emitting layer used was Alq (shown by the above formula (A)), which was conventionally used. This NPD / Alq two-layer type device exhibited a maximum luminance of 13,000 cd / m 2 (about half that of Example 1) and an external quantum efficiency of only 1.3%. From this result, it can be seen that the device using Almq 3 of Example 1 of the present invention is superior in terms of luminance and efficiency to Alq which is a conventional light emitting material. In addition, the luminance half-life in continuous driving is as short as 20 hours (1/250 of Example 1).
It was found that the device of Example 1 was much better in terms of device life.

【0050】比較例2 実施例1の素子構造においては、発光層に4位にメチル
基を有するAlmq3を用いたが、この比較例2では、
発光層に下記式(B)
Comparative Example 2 In the device structure of Example 1, Almq 3 having a methyl group at the 4-position was used in the light emitting layer.
The following formula (B) is used for the light emitting layer.

【化12】 で表される2位にメチル基を有するトリス(2−メチル
−8−キノリノラト)アルミニウム(Al2mq3)を
使用し、実施例1と同じ条件で素子を作製した。なお、
この2位にメチル基を有するAl2mq3はMatsu
muraらの方法に従って合成した〔M.Matsum
ura, Jpn. J. Appl. Phys., V
ol.35, P5357.(1996)〕。このNP
D/Al2mq3二層型素子からは500nmにピーク
を有する青緑色発光が観測されたが、最高輝度は9,0
00cd/m2(実施例1の3分の1)と低く、外部量
子効率0.9%であった。また、連続駆動における輝度
半減期は10時間(実施例1の500分の1)と短かか
った。以上の結果から本発明の実施例1で用いた4位に
メチル基を置換したAlmq3の方が、2位にメチル基
を有するAl2mq3より輝度、効率の点で優れてお
り、配位子の置換基の位置が極めて重要であることがわ
かる。
Embedded image Using the Tris having a methyl group (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum (Al2mq 3) in the 2-position represented An element was prepared in the same conditions as in Example 1. In addition,
Al2mq 3 having a methyl group at the 2-position is obtained by Matsu
Mura et al. [M. Matsum
ura, Jpn. J. Appl. Phys. , V
ol. 35, P5357. (1996)]. This NP
D / but Al2mq blue green emission having a peak 500nm from 3 two-layer element was observed at the maximum luminance 9,0
It was as low as 00 cd / m 2 (one third of Example 1), and the external quantum efficiency was 0.9%. In addition, the half-life of luminance in continuous driving was as short as 10 hours (1/500 of Example 1). From the above results, the Almq 3 substituted with a methyl group at the 4-position used in Example 1 of the present invention is superior to Al2mq 3 having a methyl group at the 2-position in terms of luminance and efficiency, and It can be seen that the position of the substituent is very important.

【0051】実施例2 実施例1の方法と類似の方法で、下記式〔V〕Example 2 By a method similar to that of Example 1, the following formula [V]

【化13】 で示されるビス(4−メチル−8−キノリノラト)モノ
(8−キノリノラト)アルミニウム(Almq21)を
合成した(この化合物は2つの配位子が本発明にかかる
化合物であり、他の1つの配位子は従来型のものであ
る)。トレインサブリメーション後、黄色粉末状化合物
を得た。収率25%、元素分析値、理論値C=71.4
5%、H=4.55%、N=8.62%、分析値C=7
1.42%、H=4.36%、N=8.58%。
Embedded image (Bis- (4-methyl-8-quinolinolato) mono (8-quinolinolato) aluminum (Almq 2 q 1 ) represented by the following formula was synthesized. (This compound is a compound having two ligands according to the present invention. The two ligands are conventional). After train sublimation, a yellow powdery compound was obtained. Yield 25%, elemental analysis value, theoretical value C = 71.4
5%, H = 4.55%, N = 8.62%, analytical value C = 7
1.42%, H = 4.36%, N = 8.58%.

【0052】このAlmq21を実施例1と同様の素子
構成でNPDをホール輸送層して用い、素子化した。素
子構成はITO/NPD(400Å)/Almq2
1(600Å)/Mg:Agとした。直流電圧印加によ
りこの素子からも錯体からの緑色の発光が観測され、最
高輝度19,000cd/m2、外部量子効率2.3%
と共に高かった。また、輝度半減期は2000時間と長
かった。
[0052] Using the NPD in the same device structure as in Example 1 with the Almq 2 q 1 and a hole transport layer, and the element of. The element configuration is ITO / NPD (400 °) / Almq 2 q
1 (600 °) / Mg: Ag. Green light emission from the complex was also observed from this device by applying a DC voltage, the maximum luminance was 19,000 cd / m 2 , and the external quantum efficiency was 2.3%.
It was high with. The luminance half-life was as long as 2000 hours.

【0053】実施例3 実施例1の方法と類似の方法で、下記式〔VI〕Example 3 In a manner similar to that of Example 1, the following formula [VI]

【化14】 で表されるモノ(4−メチル−8−キノリノラト)ビス
(8−キノリノラト)アルミニウム(Almq12)を
合成した(この化合物は1つの配位子が本発明にかかる
化合物であり、2つの配位子は従来型のものである)。
トレインサブリメーション後、黄色粉末状化合物を得
た。収率25%、元素分析値、理論値C=71.03
%、H=4.26%、N=8.87%、分析値C=7
1.20%、H=4.21%、N=8.78%。
Embedded image Mono (4-methyl-8-quinolinolato) bis (8-quinolinolato) aluminum (Almq 1 q 2 ) represented by the following formula was synthesized. (This compound has one ligand according to the present invention. The ligand is conventional).
After train sublimation, a yellow powdery compound was obtained. Yield 25%, elemental analysis value, theoretical value C = 71.03
%, H = 4.26%, N = 8.87%, analytical value C = 7
1.20%, H = 4.21%, N = 8.78%.

【0054】次に、合成したAlmq12を実施例1と
同様の素子構成でNPDをホール輸送層して用い素子化
した。素子構成はITO/NPD(400Å)/Alm
12(600Å)/Mg:Agとした。この素子から
も錯体からの緑色の発光が観測された。この素子からは
最高輝度18,000cd/m2、外部量子効率2.6
%が得られた。また、輝度半減期は2200時間と長か
った。
Next, the synthesized Almq 1 q 2 was made into an element by using NPD as a hole transport layer in the same element configuration as in Example 1. Element structure is ITO / NPD (400Å) / Alm
q 1 q 2 (600 °) / Mg: Ag. Green light emission from the complex was also observed from this device. From this device, a maximum luminance of 18,000 cd / m 2 and an external quantum efficiency of 2.6 were obtained.
%was gotten. Further, the luminance half life was as long as 2200 hours.

【0055】実施例4 実施例1記載の方法に準拠して下記式〔VII〕Example 4 The following formula [VII] was prepared according to the method described in Example 1.

【化15】 で表わされるモノ(4−エチル−8−キノリノラト)モ
ノ(4−メチル−8−キノリノラト)モノ(8−キノリ
ノラト)アルミニウム(Aleq1mq11)を合成し
た。トレインサブリメーション後、黄色粉末状化合物を
得た。収率22%、元素分析値、理論値C=71.85
%、H=4.82%、N=8.38%、分析値C=7
1.83%、H=4.81%、N=8.32%。
Embedded image In represented by mono (4-ethyl-8-quinolinolato) mono (4-methyl-8-quinolinolato) mono (8-quinolinolato) were synthesized aluminum (Aleq 1 mq 1 q 1) . After train sublimation, a yellow powdery compound was obtained. Yield 22%, elemental analysis value, theoretical value C = 71.85
%, H = 4.82%, N = 8.38%, analytical value C = 7
1.83%, H = 4.81%, N = 8.32%.

【0056】次に、合成したAleq1mq11を実施
例1と同様の素子構成でNPDをホール輸送層して用い
素子化した。素子構成はITO/NPD(400Å)/
Aleq1mq11(600Å)/Mg:Agとした。
この素子からも錯体からの緑色の発光が観測された。こ
の素子からは最高輝度19,000cd/m2、外部量
子効率2.5%が得られた。また、輝度半減期は230
0時間と長かった。
Next, the elements of used in the hole transport layer NPD the aleq 1 mq 1 q 1 which synthesized by the same device structure as in Example 1. The device configuration is ITO / NPD (400Å) /
Aleq 1 mq 1 q 1 (600Å ) / Mg: it was Ag.
Green light emission from the complex was also observed from this device. From this device, a maximum luminance of 19,000 cd / m 2 and an external quantum efficiency of 2.5% were obtained. The luminance half-life is 230
It was as long as 0 hours.

【0057】実施例5 Almq3中にクマリン6を1wt%ドーピングした素
子を作製した。素子作製法は共蒸着法でクマリン6をA
lmq3層中にドーピングする以外は実施例1と同様で
あり、素子構成はITO/NPD(400Å)/クマリ
ン6をドーピングしたAlmq3(600Å)/Mg:
Agとした。この素子からはクマリン6の青緑色の発光
が観測され、最高輝度は12Vで62,000cd/m
2、11Vのとき外部量子効率は5.2%と非常に高い
値を示した。また、輝度半減期は8,000時間と長か
った。
[0057] The coumarin 6 was prepared 1 wt% doped element in Example 5 Almq 3. Coumarin 6 was prepared by co-evaporation method
Except for doping in the lmq 3 layer, the same as in Example 1, and the device configuration was ITO / NPD (400 °) / Almq 3 (600 °) doped with coumarin 6 / Mg:
Ag. Blue-green light emission of coumarin 6 was observed from this device, and the maximum luminance was 62,000 cd / m at 12V.
At 2 and 11 V, the external quantum efficiency showed a very high value of 5.2%. Further, the luminance half-life was as long as 8,000 hours.

【0058】本発明の実施態様項を以下に列記する。 (1) 下記一般式〔I〕The embodiments of the present invention are listed below. (1) The following general formula [I]

【化16】 (式中、Rはアルキル基、アルコキシ基、ジアルキルア
ミノ基、、シアノ基、ハロゲン、置換基を有することも
あるフェニル基、ジフェニル基、ナフチル基およびスチ
リル基よりなる群から独立して選ばれた基である)で示
される4位に置換基を有する8−キノリノラト誘導体を
配位子として少なくとも1つ有する金属錯体であること
を特徴とする発光材料。 (2)前記一般式〔I〕で示される4位に置換基を有す
る8−キノリノラト誘導体に含まれる2種以上の化合物
を配位子として有する金属錯体であることを特徴とする
発光材料。 (3)前記一般式〔I〕で示される4位に置換基を有
する8−キノリノラト誘導体少なくとも1種と、前記
一般式〔I〕で示される化合物とは異なる発光材料用の
他の配位子少なくとも1種、とを配位子として有する金
属錯体であることを特徴とする発光材料。 (4)前記一般式〔I〕記載の4位に置換基を有する8
−キノリノラト誘導体を配位子として少なくとも1つ有
する金属錯体であることを特徴とする電子輸送材料。 (5)前記一般式〔I〕で示される4位に置換基を有す
る8−キノリノラト誘導体に含まれる2種以上の化合物
を配位子として有する金属錯体であることを特徴とする
電子輸送材料。 (6)前記一般式〔I〕で示される4位に置換基を有
する8−キノリノラト誘導体少なくとも1種と、前記
一般式〔I〕で示される化合物とは異なる電子輸送材料
用の他の配位子少なくとも1種、とを配位子として有す
る金属錯体であることを特徴とする電子輸送材料。 (7)前項(1)、(2)または(3)記載の発光材料
を用いた有機EL素子。 (8)前項(4)、(5)または(6)記載の電子輸送
材料を用いた有機EL素子。 (9)前項(4)、(5)または(6)記載の電子輸送
材料をホスト材料に使用し、微量の色素を発光中心とし
てドーピングした発光層を有する有機EL素子。
Embedded image Wherein R is independently selected from the group consisting of an alkyl group, an alkoxy group, a dialkylamino group, a cyano group, a halogen, a phenyl group which may have a substituent, a diphenyl group, a naphthyl group and a styryl group. A luminescent material, which is a metal complex having at least one 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position represented by the formula: (2) A light-emitting material, which is a metal complex having as a ligand two or more compounds contained in an 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position represented by the general formula [I]. (3) At least one 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position represented by the general formula [I], and another ligand for a light emitting material different from the compound represented by the general formula [I] A light-emitting material, which is a metal complex having at least one kind as a ligand. (4) 8 having a substituent at the 4-position described in the general formula [I].
-An electron transport material, which is a metal complex having at least one quinolinolato derivative as a ligand. (5) An electron transport material, which is a metal complex having, as a ligand, two or more compounds contained in an 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position represented by the general formula [I]. (6) At least one 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position represented by the general formula [I] and another coordination for an electron transport material different from the compound represented by the general formula [I] An electron transporting material, which is a metal complex having at least one element as a ligand. (7) An organic EL device using the luminescent material according to the above (1), (2) or (3). (8) An organic EL device using the electron transporting material according to (4), (5) or (6). (9) An organic EL device using the electron transporting material according to the above (4), (5) or (6) as a host material and having a light emitting layer doped with a trace amount of a dye as a light emitting center.

【0059】[0059]

【効果】以上説明したとおり、本発明によれば4位に置
換基をもつ8−キノリノラト誘導体を配位子として少な
くとも1つ有する金属錯体は、高輝度かつ高効率の有機
EL素子の活性層として極めて有効である。
As described above, according to the present invention, a metal complex having at least one 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position as a ligand can be used as an active layer of a high-luminance and high-efficiency organic EL device. Extremely effective.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例1のITO/NPD(400Å)/Al
mq3(600Å)/Mg:Agよりなる構成の素子に
おける発光スペクトル図である。
FIG. 1 shows ITO / NPD (400 °) / Al of Example 1.
FIG. 5 is an emission spectrum diagram of an element having a configuration of mq 3 (600 °) / Mg: Ag.

【図2】実施例1のITO/NPD(400Å)/Al
mq3(600Å)/Mg:Agよりなる構成の素子に
おける輝度−電圧(○印)、電流密度−電圧(△印)の
関係をプロットした図面である。
FIG. 2 shows ITO / NPD (400 °) / Al of Example 1.
mq 3 (600Å) / Mg: brightness in the configuration of the elements consisting of Ag - voltage (○ mark), the current density - the voltage diagram plotting the relationship (△ mark).

【図3】ITO膜表面の断面プロフィールとAlmq3
膜表面の断面プロフィールを示す。
FIG. 3 is a cross-sectional profile of an ITO film surface and Almq 3
3 shows a cross-sectional profile of the film surface.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式〔I〕 【化1】 (式中、Rはアルキル基、アルコキシ基、ジアルキルア
ミノ基、シアノ基、ハロゲン、置換基を有することもあ
るフェニル基、ジフェニル基、ナフチル基およびスチリ
ル基よりなる群から独立して選ばれた基である)で示さ
れる4位に置換基を有する8−キノリノラト誘導体を配
位子として少なくとも1つ有する金属錯体であることを
特徴とする発光材料。
1. A compound represented by the following general formula [I] Wherein R is an alkyl group, an alkoxy group, a dialkylamino group, a cyano group, a halogen, a phenyl group which may have a substituent, a diphenyl group, a naphthyl group and a styryl group. Which is a metal complex having at least one 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position represented by formula (1) as a ligand.
【請求項2】 前記一般式〔I〕記載の4位に置換基を
有する8−キノリノラト誘導体を配位子として少なくと
も1つ有する金属錯体であることを特徴とする電子輸送
材料。
2. An electron transporting material, which is a metal complex having at least one 8-quinolinolato derivative having a substituent at the 4-position according to the general formula [I] as a ligand.
【請求項3】 請求項1記載の発光材料を用いた有機E
L素子。
3. Organic E using the luminescent material according to claim 1.
L element.
【請求項4】 請求項2記載の電子輸送材料を用いた有
機EL素子。
4. An organic EL device using the electron transporting material according to claim 2.
【請求項5】 請求項2記載の電子輸送材料をホスト材
料に使用し、微量の色素を発光中心としてドーピングし
た発光層を有する有機EL素子。
5. An organic EL device using the electron transporting material according to claim 2 as a host material and having a light emitting layer doped with a trace amount of a dye as a light emitting center.
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