JPH10269543A - 磁気ディスク用基板 - Google Patents
磁気ディスク用基板Info
- Publication number
- JPH10269543A JPH10269543A JP7595497A JP7595497A JPH10269543A JP H10269543 A JPH10269543 A JP H10269543A JP 7595497 A JP7595497 A JP 7595497A JP 7595497 A JP7595497 A JP 7595497A JP H10269543 A JPH10269543 A JP H10269543A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- magnetic disk
- sapphire
- flatness
- parallelism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
度および平面度を高めることで、小型化および薄型化な
らびに軽量化・高密度化を向上させる。 【解決手段】Al2 O3 99.99重量%以上のサファ
イアからなる基板の磁性膜の主面1aをR面(ミラー指
数1−102)となして、中心線平均粗さ(Ra)を
0.5nm以下に、平行度を1μm以下に、平面度を1
μm以下にした磁気ディスク用基板1。
Description
使用される磁気ディスク用基板に関するものである。
外部記憶装置として幅広く使用される磁気ディスク装置
には、磁気ディスクおよび磁気ヘッドが配設されている
が、この磁気ディスクはディスク状基板上に磁性膜と保
護膜とを積層したものである。
(8)の各特性が求められる。 (1)表面精度が良好であり、無欠陥である。 (2)高強度・高剛性であり、高速回転に耐えうる。 (3)形状・寸法精度が優れている。 (4)表面硬度が高い。 (5)化学的に安定である。 (6)軽量化が可能である。 (7)低熱膨張率であり、耐熱性に優れる。 (8)磁性を持たない。 これらの要求特性を満たすことで、高密度記録用の小型
化・薄型化の磁気ディスク用基板が実現できる。
ム合金が使用されていたが、高硬度化の進展によりソー
ダーライム系・アルミノシリケート系・結晶化ガラスな
どからなるガラス系基板、またはセラミックス系基板や
セラミックス表面にグレーズ処理した基板等も提案され
ている。
ルミニウム合金製磁気ディスク用基板は材料欠陥および
不純物により基板表面に突起物が残ったり、窪みが生じ
やすく、これにより、精密研磨をおこなっても、表面粗
度で20nm程度が限度であり、その上、耐食性に劣
り、さらなる高密度記録化には適当ではなかった。
基板の上にアルマイト層を形成したり、あるいはSiO
2 、Al2 O3 等の酸化膜をスパッタリングにより形成
しているが、前者の形成方法ではアルマイト層中の不純
物が磁性膜の被着に悪影響をおよぼし、後者では基板と
酸化膜との間で密着力不足が生じて、いずれにせよ、さ
らなる精度向上が難しい。
スク用基板の場合、表面精度には優れるが、その反面、
耐食性・耐衝撃性等の強度という点で十分ではなく、そ
して、径サイズが2.5インチから1.8インチ、さら
に1.3インチ、0.7インチへとディスク用基板を小
型化させ、さらに各々の基板に対して薄型化した場合に
は破損する恐れがあり、実用化が難しい。
面の微少なボイドをなくすことが困難であり、その対策
として表面をグレーズ処理するという方法が提案されて
いるが、製造工程が複雑化し、さらなる薄型化が難しい
という問題点がある。
単結晶サファイアにより磁気ディスク用基板を作製する
ことが提案されている(特開平7−129952号公報
参照)。この提案の磁気ディスク用基板によれば、Al
2 O3 99.99重量%以上の単結晶サファイアからな
り、これによって小型化・薄型化が達成され、しかも、
その主面が中心線平均粗さ(Ra)1.0nm以下にで
き、その結果、歪みのない表面にできたが、近年のさら
なる小型化および薄型化の要望、ならびに軽量化・高密
度化を進展させるためには、その基板の表面平滑性のほ
かに、基板の仕上がり精度である平行度および平面度を
それぞれ1μm以下のレベルまで向上させる必要があ
る。なお、上記公報により提案された磁気ディスク用基
板では、その主面(磁性膜の被着面)の結晶面と表面加
工性・仕上がり性との関係については何ら究明されてい
ない。
意研究に努めた結果、磁性膜の被着面の結晶面をR面
(ミラー指数1−102)にすると、それ以外の結晶面
にした場合とくらべて、表面の加工性が最も良好とな
り、仕上がり精度が最良となることを知見した。本発明
は上記知見により完成されたものであり、その目的は磁
気ディスク用基板の仕上がり精度である平行度および平
面度を高めることで、小型化および薄型化ならびに軽量
化・高密度化を向上させた高品質かつ高信頼性の磁気デ
ィスク用基板を提供することにある。ちなみに、単結晶
サファイアを磁気ディスク用基板に採用する場合、通
常、高速回転に対する要求が高く、そのために剛性にも
っとも優れたA結晶面を磁性膜の被着面にしている。
基板は、Al2 O3 99.99重量%以上の単結晶サフ
ァイアからなる基板の磁性膜の被着面をR面(ミラー指
数1−102)となして、中心線平均粗さ(Ra)を
0.5nm以下に、平行度を1μm以下に、平面度を1
μm以下にしたことを特徴とする。
る。図1は本発明の磁気ディスク用基板であり、Aは平
面図、BはAにおいて切断面線X−Xによる横断面図で
ある。図2は単結晶サファイアを構成するAl原子とO
原子の結晶状態図、図3は単結晶サファイアの結晶構造
を示す図、また、図4は単結晶サファイアのR面の劈開
性を示す図である。
央に貫通穴を有する円盤状体であって、その全体が単結
晶サファイア(以下、サファイアと記す)からなる。そ
して、この磁気ディスク用基板1の主面1aをR面(ミ
ラー指数1−102)となし、この面上に磁性膜および
保護膜を形成することで、磁気ディスクとなす。そし
て、図2に示すとおり上記サファイアはアルミニウム
(Al)原子・酸素(O)原子が規則的に秩序よく配列
されたアルミナ(Al2 O3 )の単結晶体である。
晶系であり、その中心軸にC軸があり、C軸と垂直した
面方位に、いわゆるC面(ミラー指数0001)があ
る。しかも、C軸から放射状にのびるA軸(a1、a
2、a3)と、さらにそれと垂直したA面(ミラー指数
11−20)がある。そして、R面はC軸と一定の角度
(約32.383°)を有して存在する。なお、これら
の軸および面については、X線回折により分析ができ
る。
ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、結晶
化ガラス、アルミナセラミックスと対比する。表1に各
材料の特性を示す。ただし、耐食性については、その良
否を2つに区分し、○印は良好な耐食性を示した場合で
あり、×印は腐食が顕著に生じた場合である。
とくらべて、ヤング率・ビッカース硬度・抗折強度・熱
膨張率の各特性において格段に優れている。さらにサフ
ァイアは耐薬品性・耐熱性に優れた特性を示しているの
で、長期間にわたって良好に使用できる。
が可能となり、軽量化ができる。すなわち、サファイア
を用いて同サイズのものを作製した場合には、比重差に
より1.5〜1.7倍の重量となるが、実際にはヤング
率および抗折強度のデータに示されるように強度で2〜
4倍も優れるため、比重差以上に厚みを薄くすることが
でき、その結果、トータルとして大幅な軽量化ができ
る。
あるR面(1−102)とし、さらに所要の方法で研削
・研磨の各加工をおこなうことで、きわめて滑らかな表
面となすことができ、その上、平面度・平行度にも優れ
た高精度仕上げができる。すなわち、図4に示すような
R面の劈開性を示す酸素(O)原子の配置図において
(ただし、M面とは、図3の六角柱の側面に相当す
る)、破線はM面を直角に横切るR面の切片であって、
酸素原子がこの切片にそって平行に配列されている。そ
こで、このR面を主面1aとすることで、難削材である
サファイアの加工性を格段と向上させている。
主面をR面(1−102)とするに当たって、多少の面
ズレが生じてもよく、その精度を±2°以内、好適には
±0.5°以内にすることで、本発明の目的が達成でき
る。
よれば、機械的特性に優れるサファイアを用いて、主面
1aをR面(1−102)としたことで、その主面1a
の中心線表面粗さ(Ra)を0.5nm以下、平行度・
平面度を1μm以下という高い精度に仕上げることがで
きた。
いては、上記主面1aが実質的に歪みのない表面層をな
している。すなわち、通常、サファイアの表面を研削お
よびダイヤモンド砥粒によりラッピング加工した場合、
その加工によって歪みが生じ、結晶の一部が破壊してア
モルフアス状態となった破壊層が生じるが、これに対し
て、本発明のような実質的に歪みのない表面層について
は、かかる破壊層が完全に除去され、純粋な単結晶サフ
ァイアのみからなる表面層をなしている。なお、この表
面層の評価については、高速反射電子線回折(RHEE
D)により確認できる。
に歪みのない表面層の磁気ディスク用基板1を使用する
ことで、浮上した磁気へツドが磁気ディスクの表面に接
触しなくなり、これにより、磁気へツドの浮上高さを極
小にすることができ、しかも、精度の向上により安定し
て回転数をあげることができ、その結果、記録密度が格
段に向上した。ちなみに、従来のガラス系材料からなる
磁気ディスク用基板においては、主面の中心線平均粗さ
(Ra)を1.0nm程度までしか研磨仕上げすること
ができず、さらに平行度・平面度についても5μm程度
であった。
の磁性膜の被着面については、その面の面方位をいくと
おりにも選択することができるが、被着面がA面である
場合と対比して、本発明のR面と仕上がり精度を対比し
た。その結果、A面では、安定して実現できる面粗さ
が、1.0nm弱程度であり、さらに平行度・平面度も
2μm程度であり、また、加工性も悪いので、この程度
の精度仕上げであっても非常に時間を要する作業になっ
た。
法)つぎに本発明にかかる製造方法を述べる。本発明に
かかるサファイアは、EFG法(Edge−defin
ed Film−fed Growth法)により製造
した。すなわち、高純度のアルミナを不活性雰囲気中で
溶融し、このアルミナ融液と接するように内部にスリッ
トを備えたリボン状のサファイア単結晶育成用のモリブ
デンダイを位置させ、アルミナ融液を毛細管作用により
モリブデンダイ上端部のアルミナ融液と接触させ、つい
でシードを上方に引き上げてサファイアの育成をおこな
った。この基板素材を引上育成するに当たっては、シー
ドの主面をR面としてセットし、引き上げればよい。こ
のように引き上げることにより、主面の面方位を容易に
R面へとコントロールできる。このR面の面精度につい
ては±0.5°とするのがよい。なお、サファイアの育
成方法は、EFG法に限らず、チョクラルスキー法など
の他の方法を採用してもよい。
イヤモンドホイールにより所定の円盤形状に研削加工を
おこない、その後にダイヤモンド砥粒を用いたラッピン
グ加工をおこなう。つぎに、粒径50nm以下のSiO
2 の球状コロイド粒子を水に分散させた液を研磨液とし
て供給しながら、サファイアと研磨布を相対的に摺動さ
せて精磨研磨をおこなう(この研磨液は、コロイダルシ
リカ粒子の安定化が目的であって、NaOH、NH3等
が安定化剤として使用されているため、pH9〜10程
度のアルカリを示す)。
歪を生じさせないままで、上記研削およびラッピング加
工で生じた破壊層を除去することができ、これにより、
実質的に歪みのない表面層が形成でき、しかも、中心線
平均粗さが0.5nm以下となり、平行度・平面度が1
μm以下となるまで、かかる精密研磨を続けることがで
きた。
1.3インチ(φ34mm)の磁気ディスク用基板を作
成した場合、その基板から0.15mmの厚みの基板が
得られた。ちなみに、ガラス製基板であれば、その厚み
は0.635mmである。
粗さを非接触式光学タイプの測定器で調べたところ、中
心線平均粗さ(Ra)が0.087nmとなり、極めて
滑らかな面とすることができた。また、平行度・平面度
の双方も判定した結果、平行度は0.8μm、平面度は
0.6μmという良好な値が得られた。
なサファイア製磁気ディスク用基板1について、外径を
3.5インチから0.7インチまでいくとおりにも変え
て、それぞれの外径のディスク用基板1に関して、規格
での厚み0.635mmに対して、今日、ガラス基板で
もって薄型化をすすめている厚み寸法と、本発明の磁気
ディスク用基板1でもって実現可能な厚み寸法を記載す
る。
ィスク用基板1であれば、相当に薄くでき、さらに小型
化・軽量化も達成できた。
るものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種
々の変更や改良等は何ら差し支えない。たとえば、上記
の例の磁気ディスク用基板1においては、滑らかな主面
1aを有しているが、磁気へツドの張り付きを防止する
ために、この主面1aに数nm〜数十nm程度の凹凸パ
ターンを形成してテスクチヤリングをおこない、その上
に磁性膜および保護膜を形成して磁気ディスクとなして
もよい。
O3 99.99重量%以上のサファイアからなる基板の
磁性膜の被着面をR面(ミラー指数1−102)となし
たことで、中心線平均粗さ(Ra)を0.5nm以下
に、平行度を1μm以下に、平面度を1μm以下にで
き、そして、ヤング率などの剛性に優れているので、薄
型化を進めても、破損の恐れはなく、さらに高精度仕上
げができ、超高速で回転させても歪みが発生せず、その
上、化学的に安定で、耐熱にも優れ、その結果、長期間
にわたって高品質かつ高信頼性の磁気ディスク用基板が
提供できた。
ては、磁気へツドの浮上量を小さくすることができ、し
かも、表面欠陥もないことから、小型かつ軽量となると
ともに、高い記録密度を達成することができた。
においては、加工性に優れ、高精度な加工が容易である
ことから、一定した品質でもって安価に製造することが
できた。さらにサファイアは高硬度で、歪みのない表面
を作成できるため、被膜等の後処理が不要となり、その
結果、製造工程が簡略化される。
図、BはAにおいて切断面線X−Xによる横断面図であ
る。
の結晶状態図である。
る。
Claims (1)
- 【請求項1】Al2 O3 99.99重量%以上の単結晶
サファイアからなる基板の磁性膜の被着面をR面(ミラ
ー指数1−102)となして、中心線平均粗さ(Ra)
を0.5nm以下に、平行度を1μm以下に、平面度を
1μm以下にした磁気ディスク用基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07595497A JP3526509B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 磁気ディスク用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07595497A JP3526509B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 磁気ディスク用基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10269543A true JPH10269543A (ja) | 1998-10-09 |
JP3526509B2 JP3526509B2 (ja) | 2004-05-17 |
Family
ID=13591136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07595497A Expired - Fee Related JP3526509B2 (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | 磁気ディスク用基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3526509B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG88773A1 (en) * | 1999-03-31 | 2002-05-21 | Hoya Corp | Substrate for an information recording medium, information recording medium using the substrate, and method of producing the substrate |
JP2005250506A (ja) * | 2005-04-19 | 2005-09-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びこれを備えた投射型表示装置 |
CN103382575A (zh) * | 2006-12-28 | 2013-11-06 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 蓝宝石基材 |
EP2671975A1 (en) * | 2006-12-28 | 2013-12-11 | Saint-Gobain Ceramics and Plastics, Inc. | Sapphire substrates |
US8740670B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-06-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP07595497A patent/JP3526509B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG88773A1 (en) * | 1999-03-31 | 2002-05-21 | Hoya Corp | Substrate for an information recording medium, information recording medium using the substrate, and method of producing the substrate |
JP2005250506A (ja) * | 2005-04-19 | 2005-09-15 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びこれを備えた投射型表示装置 |
CN103382575B (zh) * | 2006-12-28 | 2016-12-07 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 蓝宝石基材 |
CN103382575A (zh) * | 2006-12-28 | 2013-11-06 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 蓝宝石基材 |
US8740670B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-06-03 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrates and methods of making same |
EP2865790A1 (en) * | 2006-12-28 | 2015-04-29 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics Inc. | Sapphire substrates |
US9464365B2 (en) | 2006-12-28 | 2016-10-11 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Sapphire substrate |
EP2671975A1 (en) * | 2006-12-28 | 2013-12-11 | Saint-Gobain Ceramics and Plastics, Inc. | Sapphire substrates |
US10052848B2 (en) | 2012-03-06 | 2018-08-21 | Apple Inc. | Sapphire laminates |
US9221289B2 (en) | 2012-07-27 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Sapphire window |
US9232672B2 (en) | 2013-01-10 | 2016-01-05 | Apple Inc. | Ceramic insert control mechanism |
US9632537B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-04-25 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US9678540B2 (en) | 2013-09-23 | 2017-06-13 | Apple Inc. | Electronic component embedded in ceramic material |
US10386889B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-08-20 | Apple Inc. | Cover glass for an electronic device |
US9154678B2 (en) | 2013-12-11 | 2015-10-06 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
US10324496B2 (en) | 2013-12-11 | 2019-06-18 | Apple Inc. | Cover glass arrangement for an electronic device |
US9461357B2 (en) | 2014-02-12 | 2016-10-04 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
US9692113B2 (en) | 2014-02-12 | 2017-06-27 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
US9225056B2 (en) | 2014-02-12 | 2015-12-29 | Apple Inc. | Antenna on sapphire structure |
US10406634B2 (en) | 2015-07-01 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Enhancing strength in laser cutting of ceramic components |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3526509B2 (ja) | 2004-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3526509B2 (ja) | 磁気ディスク用基板 | |
JP2736869B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
EP0941973B1 (en) | Crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate | |
US8728638B2 (en) | Magnetic disk substrate, method for manufacturing the same, and magnetic disk | |
US11587585B2 (en) | Magnetic-disk substrate and magnetic disk | |
US10497387B2 (en) | Magnetic-disk substrate and magnetic disk | |
JP3568888B2 (ja) | 情報記録媒体用ガラス基板、情報記録媒体、及びそれらの製造方法 | |
SG178005A1 (en) | Glass substrate for magnetic disk and manufacturing method of the same | |
JPH02103507A (ja) | 光学デバイスの製造方法 | |
US4690846A (en) | Recording disk substrate members and process for producing same | |
SG188775A1 (en) | Manufacturing method of glass substrate for magnetic disk, magnetic disk, and magnetic data recording/reproducing device | |
KR100563376B1 (ko) | 박막자기헤드용기판및이를이용한박막자기헤드 | |
JP3619442B2 (ja) | テープクリーナ | |
JPH07129952A (ja) | 磁気ディスク用基板およびその製造方法 | |
JP2009104703A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 | |
JP2007091527A (ja) | 結晶化ガラス体、結晶化ガラス体の製造方法、結晶化ガラス基板ブランクの製造方法、磁気ディスク基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法 | |
JP4270066B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド用基板およびこれを用いた薄膜磁気ヘッド | |
JPH0345448B2 (ja) | ||
JP2015069675A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 | |
JPH0696224B2 (ja) | 磁気ディスク基板の表面加工方法 | |
JPH11134606A (ja) | 磁気ヘッド用基板の平面度制御方法 | |
JPH09102123A (ja) | 磁気記録媒体用カーボン基板の製造方法 | |
JPS60201506A (ja) | 垂直磁気記録用ヘツド |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20040210 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Effective date: 20040216 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 8 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120227 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130227 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140227 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |