JPH10269150A - Memory initializing method - Google Patents

Memory initializing method

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JPH10269150A
JPH10269150A JP9087440A JP8744097A JPH10269150A JP H10269150 A JPH10269150 A JP H10269150A JP 9087440 A JP9087440 A JP 9087440A JP 8744097 A JP8744097 A JP 8744097A JP H10269150 A JPH10269150 A JP H10269150A
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memory
initialization
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function
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豊 蓑田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To fast initialize data in a memory system even if the memory system is made mass and also to drastically reduce a time that is needed for a memory initialization operation. SOLUTION: A memory chip 20 that is constituted of DRAM(dynamic random access memory) is initialized by stopping a refresh cycle with an access controller 23 which has a function that controls a refresh cycle. That is, when power is inputted or at the time of the initialization operation of a memory system 1, an initialization operation control circuit 2 detects power determination with a power determination detection circuit 31, measures a fixed time with a timer circuit 30 after the power determination is detected, controls a refresh control circuit 24 and an access control circuit 23, stops a refresh operation at a fixed time and also inhibits an access from an outside to the chip 20 for the time. With this, data in the chip 20 is volatilized and initialized to all zeros or all ones.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はメモリ初期化方法に
関し、特に情報処理システムにおいてDRAM(Dyn
amic Random Access Memor
y)により構成されたメモリチップを搭載するメモリシ
ステムの初期化方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory initialization method, and more particularly to a DRAM (Dyn) in an information processing system.
Amic Random Access Memory
y) relates to a method for initializing a memory system equipped with a memory chip constituted by the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】誤り訂正機能を有するメモリシステムに
おいては、情報処理システムの電源投入時に記憶内容が
不確定となっているため、データビットと検査ビットと
の関係を初期化する必要があり、メモリ初期化が実行さ
れている。
2. Description of the Related Art In a memory system having an error correction function, the relationship between data bits and check bits needs to be initialized because the stored contents are undefined when the information processing system is powered on. Initialization has been performed.

【0003】従来、この種のメモリ初期化方法では、全
アドレスに対して順番にデータ書き込みを実施してい
る。データの書き込み指示は、情報処理システムの起動
時の初期診断プログラムに含まれており、CPU(Ce
ntral Processing Unit)がメモ
リシステムの全アドレスに対して順にデータ書き込み指
示を実行する。もしくは、メモリ初期化用にアドレス発
生回路,データ発生回路等を用意し、メモリシステムの
初期化を実施している。
Conventionally, in this type of memory initialization method, data is written to all addresses in order. The instruction to write data is included in the initial diagnosis program at the time of starting the information processing system, and the CPU (Ce
The central processing unit) sequentially issues a data write instruction to all addresses of the memory system. Alternatively, an address generation circuit, a data generation circuit, and the like are prepared for memory initialization, and the memory system is initialized.

【0004】従来のメモリ初期化方法の一例が、特開昭
62−222495号公報に記載されている。この公報
に記載されたメモリ初期化方法は、定データに冗長符号
を付加してメモリ回路に連続的に書き込んで初期設定を
行うことにより、メモリ回路内のデータを高速に初期化
し、冗長符号の生成およびエラー検出回路の初期診断開
始を早める方法である。
An example of a conventional memory initialization method is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-222495. According to the memory initialization method described in this publication, data in a memory circuit is initialized at a high speed by adding a redundant code to constant data and continuously writing the data to a memory circuit for initialization. This is a method for hastening the initial diagnosis of the generation and error detection circuit.

【0005】図6は、従来のメモリ初期化方法が適用さ
れたメモリシステム101の一例を示すブロック図であ
る。このメモリシステム101は、メモリ回路112
と、アクセス制御回路114と、アドレス処理回路11
5と、定データを発生する定データ発生回路116と、
電源投入直後にメモリライトアクセスを連続的に発生す
る初期設定制御回路120と、メモリライトアクセスが
連続的に発生したときに定データ発生回路116より出
力される定データに冗長符号を付加してメモリ回路11
2内のアドレスカウンタの示すアドレスに書き込みを行
うデータ処理回路119と、リフレッシュサイクルを制
御するリフレッシュ制御回路118とから構成されてい
た。
FIG. 6 is a block diagram showing an example of a memory system 101 to which a conventional memory initialization method is applied. The memory system 101 includes a memory circuit 112
, Access control circuit 114, address processing circuit 11
5, a constant data generation circuit 116 for generating constant data,
An initial setting control circuit 120 for continuously generating a memory write access immediately after power-on, and a memory for adding a redundant code to constant data output from a constant data generating circuit 116 when a memory write access occurs continuously. Circuit 11
2 includes a data processing circuit 119 for writing to the address indicated by the address counter and a refresh control circuit 118 for controlling the refresh cycle.

【0006】このようなメモリシステム101では、電
源投入直後は、パワーオンリセットにより初期設定制御
回路120が起動され、連続したメモリライトがアクセ
ス制御回路114に対して出力される。データ処理回路
119は、定データ発生回路116より出力される定デ
ータを読み出し冗長符号を付加してメモリ回路112内
のアドレスカウンタで示されるアドレスに書き込む。こ
のように定データに冗長符号を付加し、連続的にメモリ
回路112に書き込むことで初期設定が高速化され、初
期診断開始を早めることができる。
In such a memory system 101, immediately after the power is turned on, the initialization control circuit 120 is activated by a power-on reset, and a continuous memory write is output to the access control circuit 114. The data processing circuit 119 reads the constant data output from the constant data generation circuit 116, adds a redundant code to the data, and writes the data to the address indicated by the address counter in the memory circuit 112. In this way, by adding the redundant code to the constant data and writing the data continuously to the memory circuit 112, the initial setting is speeded up, and the start of the initial diagnosis can be hastened.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の技術の
第1の問題点は、記憶容量の大容量化に伴い、情報処理
システムの起動時において初期化および診断に占めるメ
モリ初期化動作の所要時間が増大しているということで
ある。その理由は、メモリシステムの全アドレスに対し
て順番にメモリ初期化動作を実行していることにある。
また、近年の情報処理システムの高性能化に伴って大容
量のメモリシステムが要求されており、ますますメモリ
システムの容量が増える傾向にある。
A first problem of the above-mentioned prior art is that, with the increase in storage capacity, a memory initialization operation occupying initialization and diagnosis when starting up the information processing system is required. Time is increasing. The reason is that the memory initialization operation is executed sequentially for all addresses of the memory system.
Further, with the recent increase in performance of information processing systems, large-capacity memory systems have been required, and the capacity of memory systems has tended to increase further.

【0008】第2の問題点は、メモリ初期化のために、
定データ発生回路,初期設定制御回路およびアドレスカ
ウンタを用意すると、ハードウェア量が大きくなるとい
うことである。その理由は、メモリシステムの全アドレ
ス空間に対して自動的に初期化を実施するために定デー
タ発生回路,初期設定制御回路およびアドレスカウンタ
を必要とし、回路規模および配線規模が増加することに
よる。
The second problem is that, for memory initialization,
The provision of the constant data generation circuit, the initial setting control circuit, and the address counter increases the amount of hardware. The reason is that a constant data generating circuit, an initial setting control circuit, and an address counter are required to automatically initialize all address spaces of the memory system, and the circuit scale and wiring scale increase.

【0009】本発明の第1の目的は、メモリシステムが
大容量化されてもメモリシステム内のデータを高速に初
期化することができ、メモリ初期化動作に要する時間を
大幅に短縮することができるメモリ初期化方法を提供す
ることにある。
A first object of the present invention is to enable high-speed initialization of data in a memory system even if the memory system has a large capacity, and to greatly reduce the time required for the memory initialization operation. It is to provide a memory initialization method which can be performed.

【0010】また、本発明の第2の目的は、上述のメモ
リ初期化方法によるメモリの初期化が確実に行われたこ
とを検証するためのメモリ診断方法を提供することにあ
る。
It is a second object of the present invention to provide a memory diagnostic method for verifying that the memory has been securely initialized by the above-described memory initialization method.

【0011】さらに、本発明の第3の目的は、上述のメ
モリ診断方法を実現させるためのプログラムを記録した
機械読み取り可能な記録媒体を提供することにある。
Further, a third object of the present invention is to provide a machine-readable recording medium on which a program for realizing the above-described memory diagnosis method is recorded.

【0012】さらにまた、本発明の第4の目的は、上述
のメモリ初期化方法を実施するためのメモリシステムを
提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a memory system for implementing the above-mentioned memory initialization method.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明のメモリ初期化方
法は、DRAMで構成されたメモリチップを搭載するメ
モリシステムのメモリ初期化方法において、リフレッシ
ュサイクルを制御できる機能のあるアクセス制御回路を
持ち、リフレッシュサイクルを停止することにより前記
メモリチップの初期化を実施することを特徴とする。
A memory initialization method according to the present invention is a memory initialization method for a memory system equipped with a memory chip constituted by a DRAM. The memory initialization method has an access control circuit having a function of controlling a refresh cycle. The memory chip is initialized by stopping a refresh cycle.

【0014】また、本発明の初期化診断方法は、DRA
Mで構成されたメモリチップを搭載するメモリシステム
でリフレッシュサイクルを停止することにより前記メモ
リチップの初期化を実施する初期化方法において、メモ
リをリードする第1のメモリリード工程と、リードデー
タのエラーを検出する第1のデータエラー検出工程と、
リードデータが初期化データと一致するかどうかを判定
する第1の初期化データ判定工程と、リードデータが初
期化データと一致しなかったときにメモリに初期化デー
タをライトとする初期化データライト工程と、初期化デ
ータをライトしたメモリのデータをリードする第2のメ
モリリード工程と、リードデータのエラーを検出する第
2のデータエラー検出工程と、リードデータが初期化デ
ータと一致するかどうかを判定する第2の初期化データ
判定工程と、リードデータが初期化データと一致しなか
ったときにメモリを含むブロックを不良メモリブロック
とする不良メモリブロック決定工程とを含むことを特徴
とする。
[0014] Further, the initialization diagnosis method of the present invention comprises a DRA
A first memory read step for reading a memory, the method comprising: performing a first memory read step for reading a memory by stopping a refresh cycle in a memory system including the memory chip configured with M. A first data error detection step of detecting
A first initialization data determination step of determining whether the read data matches the initialization data, and an initialization data write for writing the initialization data to the memory when the read data does not match the initialization data A second memory read step of reading data of the memory in which the initialization data has been written, a second data error detection step of detecting an error in the read data, and whether the read data matches the initialization data And a defective memory block determining step in which a block including a memory is determined to be a defective memory block when the read data does not match the initialization data.

【0015】さらに、本発明の機械読み取り可能な記録
媒体は、コンピュータに、メモリをリードする第1のメ
モリリード機能,リードデータのエラーを検出する第1
のデータエラー検出機能,リードデータが初期化データ
と一致するかどうかを判定する第1の初期化データ判定
機能,リードデータが初期化データと一致しなかったと
きにメモリに初期化データをライトとする初期化データ
ライト機能,初期化データをライトしたメモリのデータ
をリードする第2のメモリリード機能,リードデータの
エラーを検出する第2のデータエラー検出機能,リード
データが初期化データと一致するかどうかを判定する第
2の初期化データ判定機能,およびリードデータが初期
化データと一致しなかったときにメモリを含むブロック
を不良メモリブロックとする不良メモリブロック決定機
能を実現させるためのプログラムを記録する。
Further, the machine-readable recording medium of the present invention provides a computer with a first memory read function for reading a memory and a first memory read function for detecting an error in read data.
A data error detection function, a first initialization data determination function for determining whether read data matches initialization data, and writing initialization data to memory when read data does not match initialization data. Initialization data write function, a second memory read function for reading data in the memory in which the initialization data is written, a second data error detection function for detecting an error in the read data, and the read data matches the initialization data. A program for realizing a second initialization data determination function for determining whether or not the read data does not match the initialization data, and a defective memory block determination function for setting a block including a memory as a defective memory block. Record.

【0016】さらにまた、本発明のメモリシステムは、
DRAMで構成されたメモリチップと、データバスと前
記メモリチップとのデータのやり取りおよび誤り訂正機
能を持つデータ制御回路と、アドレスバスの指示アドレ
スから前記メモリチップに対してのアドレスを出力する
アドレス制御回路と、リフレッシュサイクルを制御でき
る機能を備え、制御信号線から前記メモリチップへのア
クセスを指示するアクセス制御回路と、このアクセス制
御回路に前記メモリチップのリフレッシュを指示するリ
フレッシュ制御回路と、電源投入時あるいはメモリシス
テムの初期化動作時に前記リフレッシュ制御回路および
前記アクセス制御回路を制御して、一定時間リフレッシ
ュ動作を停止させ、その間は外部からの前記メモリチッ
プへのアクセスを禁止させる初期動作制御回路とを有す
ることを特徴とする。
Further, the memory system according to the present invention comprises:
A memory chip composed of a DRAM, a data control circuit having a function of exchanging data between the data bus and the memory chip and an error correction function, and an address control for outputting an address to the memory chip from an instruction address of an address bus An access control circuit having a circuit and a function of controlling a refresh cycle and instructing access to the memory chip from a control signal line; a refresh control circuit instructing the access control circuit to refresh the memory chip; An initial operation control circuit that controls the refresh control circuit and the access control circuit at the time of initialization operation of the memory system to stop the refresh operation for a certain period of time, and prohibits external access to the memory chip during that time. Characterized by having .

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0018】図2は、本発明のメモリ初期化方法の前提
となる情報処理システムの概略構成を示すブロック図で
ある。この情報処理システムは、CPU40がバス等を
介してメモリシステム1およびROM(Read On
ly Memory)50に接続されている。ROM5
0には、初期診断プログラム60等が格納されている。
なお、初期診断プログラム60を格納する記録媒体は、
ROM50に限られず、磁気ディスク,その他の記録媒
体であってもよい。
FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of an information processing system on which the memory initialization method of the present invention is based. In this information processing system, the CPU 40 has a memory system 1 and a ROM (Read On)
ly Memory) 50. ROM5
0 stores the initial diagnosis program 60 and the like.
The recording medium for storing the initial diagnosis program 60 is:
The invention is not limited to the ROM 50, and may be a magnetic disk or another recording medium.

【0019】図1は、本発明の一実施の形態に係るメモ
リ初期化方法が適用されたメモリシステム1の構成を示
すブロック図である。このメモリシステム1は、DRA
Mで構成されたメモリチップ20と、データバス10と
メモリチップ20とのデータのやり取りおよび誤り訂正
機能を持つデータ制御回路21と、アドレスバス12の
指示アドレスからメモリチップ20に対してのアドレス
を出力するアドレス制御回路22と、メモリシステム1
への制御信号線11からメモリチップ20へのアクセス
を指示するアクセス制御回路23と、アクセス制御回路
23にメモリチップ20のリフレッシュを指示するリフ
レッシュ制御回路24と、電源投入時あるいはメモリシ
ステム1の初期化動作時にリフレシュ制御回路24およ
びアクセス制御回路23を制御する初期動作制御回路2
とから構成されている。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a memory system 1 to which a memory initialization method according to one embodiment of the present invention is applied. This memory system 1 has a DRA
M, a data control circuit 21 having a function of exchanging data between the data bus 10 and the memory chip 20 and an error correction function, and an address for the memory chip 20 based on an instruction address of the address bus 12. Output address control circuit 22 and memory system 1
An access control circuit 23 for instructing the access from the control signal line 11 to the memory chip 20 to the memory chip 20, a refresh control circuit 24 for instructing the access control circuit 23 to refresh the memory chip 20, a power-on state or an initial state of the memory system 1. Operation control circuit 2 for controlling the refresh control circuit 24 and the access control circuit 23 during the conversion operation
It is composed of

【0020】メモリシステム1は、データバス10と、
制御信号線11と、アドレスバス12とに接続されてお
り、情報処理システムのデータやプログラムを格納す
る。
The memory system 1 includes a data bus 10 and
It is connected to a control signal line 11 and an address bus 12, and stores data and programs of the information processing system.

【0021】データバス10,制御信号線11およびア
ドレスバス12は、情報処理システムの上位(CPU4
0)へと接続されており、それぞれデータの転送,メモ
リに対する制御指示およびアドレスの指定を行う。
The data bus 10, the control signal line 11, and the address bus 12 are connected to a host (CPU 4) of the information processing system.
0) to transfer data, control instructions to the memory, and designate addresses.

【0022】メモリチップ20は、DRAMにより構成
されており、情報処理システムのデータやプログラムを
保持する。
The memory chip 20 is composed of a DRAM and holds data and programs of the information processing system.

【0023】データ制御回路21は、データバス10
と、メモリチップ20と、アクセス制御回路23とに接
続されている。データ制御回路21は、データの読み出
し時には、メモリチップ20からデータを読み出し、誤
り訂正機能によりエラー検出および可能ならばエラー訂
正を実施し、データバス10へ読み出しデータとして出
力する。また、データ制御回路21は、データの書き込
み時には、データバス10から入力されたデータに対し
誤り訂正機能が正常に機能するように検査ビットを付加
して、メモリチップ20へデータビットおよび検査ビッ
トを書き込む。
The data control circuit 21 is connected to the data bus 10
, The memory chip 20, and the access control circuit 23. When reading data, the data control circuit 21 reads data from the memory chip 20, performs error detection and, if possible, error correction by an error correction function, and outputs the data to the data bus 10 as read data. When writing data, the data control circuit 21 adds a check bit to the data input from the data bus 10 so that the error correction function can function normally, and sends the data bit and the check bit to the memory chip 20. Write.

【0024】アドレス制御回路22は、アドレスバス1
2と、メモリチップ20と、アクセス制御回路23とに
接続されている。アドレス制御回路22は、メモリシス
テム1へのデータの読み出しまたは書き込みアドレスを
アドレスバス12から入力し、メモリチップ20内の特
定位置を示すようにメモリチップ20に対してアドレス
を指示して出力する。
The address control circuit 22 is connected to the address bus 1
2, the memory chip 20, and the access control circuit 23. The address control circuit 22 inputs a data read or write address to the memory system 1 from the address bus 12 and instructs and outputs an address to the memory chip 20 so as to indicate a specific position in the memory chip 20.

【0025】アクセス制御回路23は、制御信号線11
と、メモリチップ20と、データ制御回路21と、アド
レス制御回路22と、リフレッシュ制御回路24と、初
期動作制御回路2とに接続されている。アクセス制御回
路23は、制御信号線11からの指示に従い、データ制
御回路21と、アドレス制御回路22と、メモリチップ
20とを制御し、データの読み出しおよび書き込みを実
施する。また、アクセス制御回路23は、リフレッシュ
制御回路24からの指示に従い、DRAMで構成されて
いるメモリチップ20のリフレッシュ動作を実施する。
さらに、アクセス制御回路23は、初期動作制御回路2
から指示するリフレシュサイクル停止によるメモリ初期
化の期間において、メモリシステム1へのアクセス要求
を受け付けない。
The access control circuit 23 is connected to the control signal line 11
, A memory chip 20, a data control circuit 21, an address control circuit 22, a refresh control circuit 24, and an initial operation control circuit 2. The access control circuit 23 controls the data control circuit 21, the address control circuit 22, and the memory chip 20 in accordance with an instruction from the control signal line 11, and reads and writes data. Further, the access control circuit 23 performs a refresh operation of the memory chip 20 composed of a DRAM according to an instruction from the refresh control circuit 24.
Further, the access control circuit 23 includes the initial operation control circuit 2
During the period of the memory initialization due to the refresh cycle stop indicated by (1), no access request to the memory system 1 is accepted.

【0026】リフレッシュ制御回路24は、アクセス制
御回路23と、初期動作制御回路2とに接続されてい
る。リフレッシュ制御回路24は、情報処理システムの
通常動作時においては、メモリチップ20を構成してい
るDRAMのデータの保持に必要なリフレッシュ間隔を
満足する時間で定期的にリフレッシュサイクルを起動す
るように、リフレッシュサイクルの起動要求をアクセス
制御回路23に対して出力する。また、リフレッシュ制
御回路24は、電源投入時のメモリ初期化動作時には、
初期動作制御回路2からリフレッシュサイクル停止によ
るメモリ初期化の指示がある場合には、リフレッシュサ
イクルの起動要求をアクセス制御回路23に対して出力
しない。
The refresh control circuit 24 is connected to the access control circuit 23 and the initial operation control circuit 2. During a normal operation of the information processing system, the refresh control circuit 24 activates a refresh cycle periodically at a time that satisfies a refresh interval required for holding data of a DRAM constituting the memory chip 20. A request to start a refresh cycle is output to the access control circuit 23. Also, the refresh control circuit 24 performs a memory initialization operation at power-on,
If there is an instruction from the initial operation control circuit 2 to initialize the memory by stopping the refresh cycle, a request to start the refresh cycle is not output to the access control circuit 23.

【0027】初期動作制御回路2は、タイマ回路30
と、電源確定検出回路31とからなり、リフレッシュ制
御回路24と、アクセス制御回路23とに接続されてい
る。初期動作制御回路2は、電源投入時のメモリ初期化
実行を一定時間リフレッシュサイクルを停止することに
より実施するために、リフレッシュ制御回路24とアク
セス制御回路23とにリフレッシュサイクル停止による
メモリ初期化指示信号B(図3参照)を出力する。
The initial operation control circuit 2 includes a timer circuit 30
, And a power supply confirmation detection circuit 31, and are connected to the refresh control circuit 24 and the access control circuit 23. The initial operation control circuit 2 transmits a memory initialization instruction signal for stopping the refresh cycle to the refresh control circuit 24 and the access control circuit 23 in order to execute the memory initialization at power-on by stopping the refresh cycle for a predetermined time. B (see FIG. 3) is output.

【0028】タイマ回路30は、電源確定検出回路31
と、リフレッシュ制御回路24と、アクセス制御回路2
3とに接続されている。タイマ回路30は、電源投入時
に電源電圧の安定を検出する電源確定検出回路31から
の電源確定信号A(図3参照)の出力を受け、リフレッ
シュサイクル停止によるメモリ初期化指示信号B(図3
参照)をリフレッシュ制御回路24とアクセス制御回路
23とに対して出力する。
The timer circuit 30 includes a power supply confirmation detection circuit 31
, Refresh control circuit 24, access control circuit 2
3 and is connected to. The timer circuit 30 receives the output of the power supply confirmation signal A (see FIG. 3) from the power supply confirmation detection circuit 31 that detects the stability of the power supply voltage when the power is turned on, and receives the memory initialization instruction signal B (see FIG.
To the refresh control circuit 24 and the access control circuit 23.

【0029】図3は、メモリ初期化指示信号B等の出力
を示すタイミングチャートである。図3において、電源
確定信号Aは電源確定検出回路31から出力される信
号、メモリ初期化指示信号Bはタイマ回路30から出力
される信号、リフレッシュサイクル起動要求信号Cはリ
フレッシュ制御回路24から出力される信号、アクセス
制御信号Dはアクセス制御回路23から出力される信号
である。時刻T0に電源が投入され、電源確定により電
源確定信号Aがイネーブルになると、一定のリフレッシ
ュサイクルの停止時間後の時刻T1にメモリ初期化指示
信号Bをディセーブルする。時刻T1以降は、通常のメ
モリ制御動作となり、制御信号によるリード,ライトお
よびリフレッシュ動作が実行される。
FIG. 3 is a timing chart showing the output of the memory initialization instruction signal B and the like. In FIG. 3, a power determination signal A is a signal output from a power determination circuit 31, a memory initialization instruction signal B is a signal output from a timer circuit 30, and a refresh cycle start request signal C is output from a refresh control circuit 24. The access control signal D is a signal output from the access control circuit 23. When the power is turned on at time T0 and the power determination signal A is enabled by the power determination, the memory initialization instruction signal B is disabled at time T1 after a certain refresh cycle stop time. After the time T1, the normal memory control operation is performed, and the read, write, and refresh operations by the control signal are performed.

【0030】図4および図5を参照すると、初期化診断
プログラム60のシステムメモリ診断処理は、診断メモ
リ先頭アドレスセットステップA1と、メモリリードス
テップA2と、データエラー検出ステップA3と、リー
ドデータ=初期化データ判定ステップA4と、最終アド
レス判定ステップA5と、次アドレスセットステップA
6と、初期化データライトステップB1と、メモリリー
ドステップB2と、データエラー検出ステップB3と、
リードデータ=初期化データ判定ステップB4と、不良
メモリブロック決定ステップB5とからなる。
Referring to FIG. 4 and FIG. 5, the system memory diagnosis processing of the initialization diagnosis program 60 includes a diagnosis memory start address setting step A1, a memory read step A2, a data error detection step A3, and read data = initial data. Data determination step A4, final address determination step A5, next address setting step A
6, an initialization data write step B1, a memory read step B2, a data error detection step B3,
Read data = initialized data determination step B4 and defective memory block determination step B5.

【0031】次に、このように構成された本実施の形態
に係るメモリ初期化方法についてメモリシステム1の動
作とともに説明する。
Next, the memory initialization method according to the present embodiment configured as described above will be described together with the operation of the memory system 1.

【0032】通常の動作状態のときは、データ制御回路
21,アドレス制御回路22およびアクセス制御回路2
3により、メモリチップ20に対してデータの読み出し
および書き込みを実施している。また、DRAMで構成
されているメモリチップ20は、リフレッシュ制御回路
24の指示に応じてアクセス制御回路23により定期的
にリフレッシュサイクルが実行されている。
In a normal operation state, the data control circuit 21, the address control circuit 22, and the access control circuit 2
3, data is read from and written to the memory chip 20. Further, in the memory chip 20 composed of a DRAM, a refresh cycle is periodically executed by the access control circuit 23 according to an instruction of the refresh control circuit 24.

【0033】電源投入時は、電源確定検出回路31によ
り電源電圧の安定した確定状態を検出し、電源確定信号
Aをタイマ回路30へ通知する。
When the power is turned on, a stable power supply voltage determination state is detected by the power supply determination detection circuit 31, and a power supply determination signal A is notified to the timer circuit 30.

【0034】タイマ回路30は、電源確定検出回路31
からの電源確定信号Aを受け、電源投入時に電源電圧が
安定に確定した後に一定時間が経過するまで、リフレッ
シュサイクル停止によるメモリ初期化指示信号Bをリフ
レッシュ制御回路24およびアクセス制御回路23に対
して出力する。
The timer circuit 30 includes a power supply confirmation detection circuit 31
And supplies a memory initialization instruction signal B by refresh cycle stop to the refresh control circuit 24 and the access control circuit 23 until a predetermined time elapses after the power supply voltage is stably determined at power-on. Output.

【0035】リフレッシュサイクルの停止時間は、通常
動作中は2ms〜64ms周期で動作しているメモリチ
ップ20のリフレッシュサイクルを一定時間(数msか
ら数s)停止するようにする。
During the normal operation, the refresh cycle of the memory chip 20 operating at a cycle of 2 ms to 64 ms is stopped for a fixed time (several ms to several s).

【0036】リフレッシュ制御回路24は、初期動作制
御回路2からのメモリ初期化指示信号Bが解除されるま
でリフレッシュサイクル停止要求信号Cをアクセス制御
回路23に出力してリフレッシュサイクルを停止させ
る。
The refresh control circuit 24 outputs a refresh cycle stop request signal C to the access control circuit 23 to stop the refresh cycle until the memory initialization instruction signal B from the initial operation control circuit 2 is released.

【0037】このように、メモリチップ20に対するリ
フレッシュ動作を一定時間停止させることにより、DR
AMがリフレッシュ動作を行わないことよってデータが
消えることを利用して、メモリチップ20内のデータの
大部分を初期化する。メモリチップ20内のデータは、
メモリチップ20の回路構成に応じてオール0もしくは
オール1となる傾向がある。
As described above, by stopping the refresh operation for the memory chip 20 for a certain period of time, the DR
Most of the data in the memory chip 20 is initialized by utilizing the fact that the data disappears due to the AM not performing the refresh operation. The data in the memory chip 20 is
It tends to be all 0s or all 1s depending on the circuit configuration of the memory chip 20.

【0038】また、アクセス制御回路23は、リフレッ
シュサイクル停止によるメモリ初期化中に外部からのメ
モリチップ20へのアクセスを受け付けないようにす
る。
Further, the access control circuit 23 prevents external access to the memory chip 20 during memory initialization due to the stop of the refresh cycle.

【0039】ところで、メモリシステム1の信頼性を向
上させるために、メモリシステム1は、通常、誤り訂正
機能を有している。メモリ読み出し動作時にメモリチッ
プ20から読み出したデータに対して、データ制御回路
21は、エラー検出あるいは訂正を実施している。ま
た、書き込みの際には、データバス10からの入力デー
タビットに対し検査ビットを付加してメモリチップ20
にデータを書き込んでいる。このため、データ制御回路
21の有する誤り訂正機能では、メモリチップ20がリ
フレッシュサイクル停止によるメモリ初期化時にデータ
がオール0になる場合、もしくはオール1になる場合を
正常なデータビットと検査ビットとの関係である誤り訂
正符号を用いる。
Incidentally, in order to improve the reliability of the memory system 1, the memory system 1 usually has an error correction function. The data control circuit 21 performs error detection or correction on data read from the memory chip 20 during the memory read operation. At the time of writing, a check bit is added to the input data bit from the data bus 10 to
Writing data to Therefore, the error correction function of the data control circuit 21 determines whether the data becomes all 0 or all 1 when the memory chip 20 initializes the memory by stopping the refresh cycle. An error correcting code that is related is used.

【0040】誤り訂正を実施する場合は、代表的なもの
として、1ビット誤り訂正・2ビット誤り検出機能を有
するものとして、線形符号を用いることができる。線形
符号の場合、データビットに検査ビットを付加したもの
が生成された符号になり、データとしてメモリチップ2
0に記録される。データビットから符号化する際にデー
タのビット間での加減算を実施するため、検査ビットは
すべて0とすることもできる。線形符号の一種であるハ
ミング符号を用いた場合などでは、データビットおよび
検査ビットをオール0としても利用できる。また、符号
化の種類に付加される検査ビットに、例えば、オール0
のデータに対して検査ビットに”1”が含まれていて
も、そのビットラインは常時反転して符号として扱えば
多くの符号化手法を使用することができる。メモリチッ
プ20の場合、全データビットの誤り訂正を実現するこ
とは困難であり、実用的な面から、1ビット誤り訂正・
2ビット誤り検出の機能を有した符号が使われるが、デ
ータビット数が32ビットで検査ビット数7ビット、デ
ータビット数64ビットで検査ビット8ビットであり、
検査ビットの一部に反転回路を付加しても数ゲートの追
加で済み、回路規模が増大することはない。メモリチッ
プ20上の初期化データが”1”の場合でも、データ制
御回路21の入出力段にてデータビットとして”0”と
扱うようにすれば問題はない。また、通常、入出力段に
は、入出力用のゲートが付加されており、バッファもし
くは反転バッファをメモリチップ20の特性に合わせて
採用すれば付加回路も必要ない。
When performing error correction, as a typical example, a linear code can be used as one having a one-bit error correction / two-bit error detection function. In the case of a linear code, a code obtained by adding a check bit to a data bit is a generated code.
Recorded as 0. In order to perform addition and subtraction between bits of data when encoding from data bits, all check bits may be set to 0. When a Hamming code, which is a kind of linear code, is used, the data bits and the check bits can be used as all 0s. Also, check bits added to the type of encoding include, for example, all 0s.
Even if the check bit contains "1" for the data of, many encoding methods can be used if the bit line is always inverted and treated as a code. In the case of the memory chip 20, it is difficult to realize error correction of all data bits, and from a practical point of view, one-bit error correction
A code having a function of 2-bit error detection is used. The number of data bits is 32 bits, the number of check bits is 7 bits, the number of data bits is 64 bits, and the number of check bits is 8 bits.
Even if an inversion circuit is added to a part of the check bits, only a few gates need to be added, and the circuit scale does not increase. Even if the initialization data on the memory chip 20 is "1", there is no problem if the input / output stage of the data control circuit 21 handles "0" as a data bit. Usually, an input / output gate is added to the input / output stage. If a buffer or an inversion buffer is adopted according to the characteristics of the memory chip 20, no additional circuit is required.

【0041】リフレッシュサイクルの停止によりメモリ
チップ20内のデータがすべて初期化される保証を得る
ためには、リフレッシュ停止時間が長くなりすぎる場合
は、大部分のデータが初期化される時間にリフレッシュ
停止時間を定め、データ初期化の保証は、以下の方法に
より実施する。
In order to ensure that all the data in the memory chip 20 is initialized by stopping the refresh cycle, if the refresh stop time is too long, the refresh stop is performed at the time when most of the data is initialized. The time is set and the data initialization is guaranteed by the following method.

【0042】情報処理システムの初期診断プログラム6
0のメモリシステム診断において、リフレッシュサイク
ル停止によるメモリシステム1の初期化後にメモリシス
テム1の初期化チェックを実施する。全ビットがオール
0またはオール1に初期化され、誤り訂正機能が正常に
動作することを診断する。リフレッシュサイクル停止期
間内に完全に初期化されていないデータがあった場合
は、当該アドレスに初期化データを書き込み実施し、再
度データが初期値であり、誤り訂正機能が正常動作する
ことを診断する。メモリシステム1の初期化チェックと
同時にデータ初期化を保証することができる。
Initial diagnosis program 6 for information processing system
In the memory system diagnosis of 0, the initialization check of the memory system 1 is performed after the initialization of the memory system 1 due to the stop of the refresh cycle. All bits are initialized to all 0s or all 1s, and it is diagnosed that the error correction function operates normally. If there is data that has not been completely initialized within the refresh cycle stop period, the initialization data is written to the address and executed, and it is diagnosed that the data has the initial value again and the error correction function operates normally. . Data initialization can be guaranteed simultaneously with the initialization check of the memory system 1.

【0043】詳しくは、初期化診断プログラム60は、
診断アドレスADRに診断を開始するメモリチップ20
の先頭アドレスをセットする(ステップA1)。次に、
初期化診断プログラム60は、診断アドレスADRの示
すアドレスのメモリをリードし(ステップA2)、メモ
リリードを実施してデータエラーが検出されたか否かを
判定する(ステップA3)。データエラーが検出されな
ければ、初期化診断プログラム60は、リードデータが
初期化データ(オール0またはオール1)と一致するか
どうかを判定する(ステップA4)。リードデータが初
期化データ(オール0またはオール1)と一致した場合
には、初期化診断プログラム60は、診断アドレスAD
Rが最終アドレスに達したかどうかを判定する(ステッ
プA5)。診断アドレスADRが最終アドレスに達して
いなければ、初期化診断プログラム60は、診断アドレ
スADRに次のアドレスをセットして(ステップA
6)、ステップA2に制御を戻す。一方、ステップA3
でデータエラーが検出された場合およびステップA4で
リードデータが初期化データ(オール0またはオール
1)と一致しなかった場合には、初期化診断プログラム
60は、診断アドレスADRの示すメモリに初期化デー
タをライトする(ステップB1)。次に、初期化診断プ
ログラム60は、診断アドレスADRの示すアドレスの
メモリをリードして(ステップB2)、メモリリードを
実施してデータエラーが検出されたかどうかを判定する
(ステップB3)。データエラーが検出されなければ、
初期化診断プログラム60は、リードデータが初期化デ
ータ(オール0またはオール1)と一致するかどうかを
判定する(ステップB4)。データエラーが検出された
場合およびリードデータが初期化データ(オール0また
はオール1)と一致しなかった場合には、初期化診断プ
ログラム60は、初期化データのライト後もエラーが発
生しているので、該当する診断アドレスADRを含むメ
モリブロックを不良メモリブロックとして情報処理シス
テムのメモリマップから除き、エラー通報等を実施し、
(ステップB5)、ステップA5に制御を移す。そし
て、ステップA5で診断アドレスADRが最終アドレス
に達すると、初期化診断プログラム60は、メモリシス
テム診断処理を終了する。
More specifically, the initialization diagnostic program 60
Memory chip 20 for starting diagnosis at diagnosis address ADR
Is set (step A1). next,
The initialization diagnostic program 60 reads the memory at the address indicated by the diagnostic address ADR (step A2), and determines whether a data error has been detected by performing the memory read (step A3). If no data error is detected, the initialization diagnosis program 60 determines whether the read data matches the initialization data (all 0s or all 1s) (step A4). If the read data matches the initialization data (all 0s or all 1s), the initialization diagnosis program 60 sets the diagnosis address AD
It is determined whether or not R has reached the final address (step A5). If the diagnostic address ADR has not reached the final address, the initialization diagnostic program 60 sets the next address in the diagnostic address ADR (step A).
6) Return control to step A2. On the other hand, step A3
When a data error is detected in step S4 and when the read data does not match the initialization data (all 0 or all 1) in step A4, the initialization diagnosis program 60 initializes the memory indicated by the diagnosis address ADR. The data is written (step B1). Next, the initialization diagnosis program 60 reads the memory at the address indicated by the diagnosis address ADR (Step B2), and executes the memory read to determine whether a data error has been detected (Step B3). If no data error is detected,
The initialization diagnosis program 60 determines whether the read data matches the initialization data (all 0s or all 1s) (step B4). If a data error is detected, or if the read data does not match the initialization data (all 0s or all 1s), the initialization diagnostic program 60 has generated an error even after writing the initialization data. Therefore, the memory block including the corresponding diagnostic address ADR is removed from the memory map of the information processing system as a defective memory block, and an error notification is performed.
(Step B5) The control is shifted to Step A5. Then, when the diagnostic address ADR reaches the final address in step A5, the initialization diagnostic program 60 ends the memory system diagnostic processing.

【0044】また、情報処理システムの初期診断プログ
ラム60の実行中に、初期診断プログラム60の命令で
診断実行中のCPU40から、制御信号線11を通して
アクセス制御回路23にリフレッシュサイクル停止を命
令することによりリフレッシュ制御回路24を制御し、
メモリ初期化のためのリフレッシュサイクル停止を可能
となるようなアクセス制御回路23を用いることもでき
る。
Further, during execution of the initial diagnosis program 60 of the information processing system, the CPU 40 executing the diagnosis by the instruction of the initial diagnosis program 60 instructs the access control circuit 23 through the control signal line 11 to stop the refresh cycle. Controlling the refresh control circuit 24,
An access control circuit 23 capable of stopping a refresh cycle for memory initialization can also be used.

【0045】[0045]

【発明の効果】第1の効果は、メモリの初期化時間を短
縮できるということである。その理由は、時間のかかる
メモリシステムの全アドレスに対して順番にメモリ初期
化動作を実行することなしに、リフレッシュサイクルの
動作を止めることによってメモリ全体を一度に初期化で
きるためである。
The first effect is that the initialization time of the memory can be reduced. The reason is that the entire memory can be initialized at once by stopping the operation of the refresh cycle without performing the memory initialization operation sequentially for all addresses of the memory system which takes time.

【0046】第2の効果は、メモリ初期化用の定データ
発生回路,初期設定制御回路およびアドレスカウンタを
有するメモリシステムに比べてハードウェア量を大きく
することがないということである。その理由は、メモリ
初期化の動作を電源投入時およびメモリシステムの初期
化動作時にリフレッシュ制御回路を停止させることので
きるタイマ機能を持った初期動作制御回路のみで実現で
きるため、複雑な多くの制御回路を必要としないためで
ある。
A second effect is that the amount of hardware is not increased as compared with a memory system having a constant data generation circuit for initializing a memory, an initialization control circuit, and an address counter. The reason is that the memory initialization operation can be realized only by the initial operation control circuit with the timer function that can stop the refresh control circuit when the power is turned on and the memory system initialization operation. This is because no circuit is required.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態に係るメモリ初期化方法
が適用されたメモリシステムの構成を示すブロック図で
ある。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a memory system to which a memory initialization method according to an embodiment of the present invention has been applied.

【図2】本発明のメモリ初期化方法の前提となる情報処
理システムの概略構成を示すブロック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a schematic configuration of an information processing system which is a premise of the memory initialization method of the present invention.

【図3】図1のメモリシステムのメモリ初期化指示信号
等の出力を説明するタイミングチャートである。
FIG. 3 is a timing chart for explaining output of a memory initialization instruction signal and the like of the memory system of FIG. 1;

【図4】図1中のメモリシステムに対して初期化診断プ
ログラムによって行われるシステムメモリ診断処理の一
部を示すフローチャートである。
FIG. 4 is a flowchart showing a part of a system memory diagnosis process performed by the initialization diagnosis program for the memory system in FIG. 1;

【図5】図1中のメモリシステムに対して初期化診断プ
ログラムによって行われるシステムメモリ診断処理の他
部を示すフローチャートである。
FIG. 5 is a flowchart showing another part of the system memory diagnosis processing performed by the initialization diagnosis program for the memory system in FIG. 1;

【図6】従来のメモリシステムの一例を示すブロック図
である。
FIG. 6 is a block diagram illustrating an example of a conventional memory system.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 メモリシステム 2 初期動作制御回路 10 データバス 11 制御信号線 12 アドレスバス 20 メモリチップ 21 データ制御回路 22 アドレス制御回路 23 アクセス制御回路 24 リフレッシュ制御回路 30 タイマ回路 31 電源確定検出回路 40 CPU 50 ROM 60 初期診断プログラム A1 診断メモリ先頭アドレスセットステップ A2 メモリリードステップ A3 データエラー検出ステップ A4 リードデータ=初期化データ判定ステップ A5 最終アドレス判定ステップ A6 次アドレスセットステップ A7 初期化データライトステップ B1 初期化データライトステップ B2 メモリリードステップ B3 データエラー検出ステップ B4 リードデータ=初期化データ判定ステップ B5 不良メモリブロック決定ステップ REFERENCE SIGNS LIST 1 memory system 2 initial operation control circuit 10 data bus 11 control signal line 12 address bus 20 memory chip 21 data control circuit 22 address control circuit 23 access control circuit 24 refresh control circuit 30 timer circuit 31 power supply fixed detection circuit 40 CPU 50 ROM 60 Initial diagnostic program A1 Diagnostic memory start address setting step A2 Memory read step A3 Data error detection step A4 Read data = initial data determination step A5 Final address determination step A6 Next address setting step A7 Initial data write step B1 Initial data write step B2 Memory read step B3 Data error detection step B4 Read data = initialization data determination step B5 Bad memory block determination step

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 DRAMで構成されたメモリチップを搭
載するメモリシステムのメモリ初期化方法において、 リフレッシュサイクルを制御できる機能のあるアクセス
制御回路を持ち、リフレッシュサイクルを停止すること
により前記メモリチップの初期化を実施することを特徴
とするメモリ初期化方法。
1. A memory initialization method for a memory system equipped with a memory chip constituted by a DRAM, comprising: an access control circuit having a function of controlling a refresh cycle; A memory initialization method characterized by performing initialization.
【請求項2】 DRAMで構成されたメモリチップを搭
載するメモリシステムでリフレッシュサイクルを停止す
ることにより前記メモリチップの初期化を実施する初期
化方法において、 メモリをリードする第1のメモリリード工程と、 リードデータのエラーを検出する第1のデータエラー検
出工程と、 リードデータが初期化データと一致するかどうかを判定
する第1の初期化データ判定工程と、 リードデータが初期化データと一致しなかったときにメ
モリに初期化データをライトとする初期化データライト
工程と、 初期化データをライトしたメモリのデータをリードする
第2のメモリリード工程と、 リードデータのエラーを検出する第2のデータエラー検
出工程と、 リードデータが初期化データと一致するかどうかを判定
する第2の初期化データ判定工程と、 リードデータが初期化データと一致しなかったときにメ
モリを含むブロックを不良メモリブロックとする不良メ
モリブロック決定工程とを含むことを特徴とする初期化
診断方法。
2. An initialization method for initializing a memory chip by stopping a refresh cycle in a memory system having a memory chip formed of a DRAM mounted thereon, comprising: a first memory read step for reading a memory; A first data error detecting step of detecting an error in the read data, a first initialization data determining step of determining whether the read data matches the initialization data, and a first data error determining step of determining whether the read data matches the initialization data. An initialization data writing step of writing the initialization data to the memory when the initialization data has not been written; a second memory reading step of reading the data of the memory in which the initialization data has been written; and a second step of detecting an error in the read data. A data error detection step, and a second initialization for determining whether the read data matches the initialization data. Data determination step and, initialization diagnosing method characterized by including the defective memory block determining step of the block including the memory and the defective memory block when the read data does not match the initialization data.
【請求項3】 コンピュータに、メモリをリードする第
1のメモリリード機能,リードデータのエラーを検出す
る第1のデータエラー検出機能,リードデータが初期化
データと一致するかどうかを判定する第1の初期化デー
タ判定機能,リードデータが初期化データと一致しなか
ったときにメモリに初期化データをライトとする初期化
データライト機能,初期化データをライトしたメモリの
データをリードする第2のメモリリード機能,リードデ
ータのエラーを検出する第2のデータエラー検出機能,
リードデータが初期化データと一致するかどうかを判定
する第2の初期化データ判定機能,およびリードデータ
が初期化データと一致しなかったときにメモリを含むブ
ロックを不良メモリブロックとする不良メモリブロック
決定機能を実現させるためのプログラムを記録した機械
読み取り可能な記録媒体。
3. A first memory read function for reading a memory, a first data error detection function for detecting an error in read data, and a first function for determining whether the read data matches the initialization data. An initialization data determination function, an initialization data write function of writing initialization data to a memory when read data does not match the initialization data, and a second function of reading data of the memory in which the initialization data has been written. A memory read function, a second data error detection function for detecting read data errors,
A second initialization data determination function for determining whether or not the read data matches the initialization data, and a bad memory block in which a block including a memory is determined as a bad memory block when the read data does not match the initialization data A machine-readable recording medium on which a program for realizing a decision function is recorded.
【請求項4】 DRAMで構成されたメモリチップと、 データバスと前記メモリチップとのデータのやり取りお
よび誤り訂正機能を持つデータ制御回路と、 アドレスバスの指示アドレスから前記メモリチップに対
してのアドレスを出力するアドレス制御回路と、 リフレッシュサイクルを制御できる機能を備え、制御信
号線から前記メモリチップへのアクセスを指示するアク
セス制御回路と、 このアクセス制御回路に前記メモリチップのリフレッシ
ュを指示するリフレッシュ制御回路と、 電源投入時あるいはメモリシステムの初期化動作時に前
記リフレッシュ制御回路および前記アクセス制御回路を
制御して、一定時間リフレッシュ動作を停止させ、その
間は外部からの前記メモリチップへのアクセスを禁止さ
せる初期動作制御回路とを有することを特徴とするメモ
リシステム。
4. A memory chip composed of a DRAM, a data control circuit having a function of exchanging data between a data bus and the memory chip and an error correction function, and an address from the designated address of the address bus to the memory chip. An address control circuit that outputs a clock signal, an access control circuit that has a function of controlling a refresh cycle, and instructs access to the memory chip from a control signal line, and a refresh control that instructs the access control circuit to refresh the memory chip. And a circuit for controlling the refresh control circuit and the access control circuit at power-on or at the time of an initialization operation of the memory system to stop the refresh operation for a certain period of time, and to prohibit external access to the memory chip during the period. With an initial operation control circuit Memory system, characterized in that.
【請求項5】 前記初期動作制御回路が、電源の確定を
検出する電源確定検出回路と、この電源確定検出回路で
電源の確定が検出された後の一定時間を計測するタイマ
回路とからなる請求項4記載のメモリシステム。
5. The initial operation control circuit according to claim 1, further comprising: a power supply confirmation detecting circuit for detecting the power supply confirmation; and a timer circuit for measuring a fixed time after the power supply confirmation is detected by the power supply confirmation detection circuit. Item 5. The memory system according to Item 4.
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