JPH10261600A - Manufacture of protective sheet for semiconductor wafer, and protective sheet and die - Google Patents

Manufacture of protective sheet for semiconductor wafer, and protective sheet and die

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JPH10261600A
JPH10261600A JP9083398A JP8339897A JPH10261600A JP H10261600 A JPH10261600 A JP H10261600A JP 9083398 A JP9083398 A JP 9083398A JP 8339897 A JP8339897 A JP 8339897A JP H10261600 A JPH10261600 A JP H10261600A
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JP
Japan
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sheet
semiconductor wafer
synthetic resin
protective sheet
embossing
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Kenichi Kishi
健一 岸
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a protective sheet for a semiconductor wafer which can effectively protect a semiconductor wafer and does not attach to the wafer and also provide a method for manufacturing it. SOLUTION: A synthetic resin sheet 8 is placed between an upper and a lower embossing die 5A, 5B whose recessed and projecting sections 5C, 5D are made of other material than metal such as hard synthetic resin to form an embossing pattern in the sheet 8 and then the sheet 8 is punched to a circular shape to be used as a protective sheet for a semiconductor wafer. Or, an embossing pattern is formed on a circular synthetic resin sheet made by forming on a base sheet a resin layer which melts at a lower temperature than the base sheet by the upper and the lower embossing die 5A, 5B whose recessed and projecting sections 5C, 5D are made of other material than metal and then the resin layer which melts at a lower temperature than the base sheet is heat- set to mold the embossing pattern. The manufactured sheet is used as a protective sheet for a semiconductor wafer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は半導体ウエハの保
護シートの製造方法並びに保護シートに係り、特に半導
体ウエハの処理工程を容易にし安全性を向上させること
のできる半導体ウエハの保護シートの製造方法並びに保
護シートに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a protective sheet for a semiconductor wafer and a protective sheet, and more particularly to a method for manufacturing a protective sheet for a semiconductor wafer capable of facilitating a semiconductor wafer processing step and improving safety. Related to protective sheets.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウエハは、直径は小さい物
で3インチから大きい物で8インチ程度の薄い円盤形
で、これを截断機で所望の大きさに截断して半導体を形
成している。その截断機においては、半導体ウエハを供
給部に保護シートを介して重ね置いてあり、該供給部か
ら、吸盤によって半導体ウエハを一枚づつ截断部に移動
して、截断部においてカッタにより半導体ウエハを所望
の大きさに截断している。前記保護シートは半導体ウエ
ハに擦り傷ゃ埃を着けないように保護するためのもの
で、一般的に合成樹脂のラミネートシートや、合成樹脂
シートに剥離剤をコーティングした平滑なシートが使用
されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor wafer is a thin disk having a small diameter of about 3 inches to a large diameter of about 8 inches and is cut into a desired size by a cutting machine to form a semiconductor. . In the cutting machine, a semiconductor wafer is placed on a supply section via a protective sheet. From the supply section, the semiconductor wafers are moved one by one to a cutting section by a suction cup, and the semiconductor wafer is cut by a cutter at the cutting section. It is cut to the desired size. The protective sheet is for protecting the semiconductor wafer from scratches and dust, and generally a synthetic resin laminate sheet or a smooth sheet obtained by coating a synthetic resin sheet with a release agent is used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】前記截断機において、
半導体ウエハを供給部から、吸盤によって一枚づつ截断
部に移動する際に保護シートが半導体ウエハに密着して
剥離せぬまま截断部に移動してしまい、カッテイングの
段階でトラブルが生じるという難点があった。また重ね
置いた半導体ウエハに上から力がかかった場合に衝撃が
下方にもかかって半導体ウエハの破損枚数が増加すると
いう難点もあった。この発明は前記のような難点を解消
して、半導体ウエハの保護性に優れ、また半導体ウエハ
に密着しない半導体ウエハの保護シートとその製造方法
を提供することを目的として開発されたものである。
In the above cutting machine,
When the semiconductor wafer is moved from the supply section to the cut section one by one by the suction cup, the protective sheet moves to the cut section without peeling off due to the close contact with the semiconductor wafer, causing a problem at the cutting stage. there were. Another problem is that when a force is applied to the stacked semiconductor wafers from above, the impact is also applied to the lower side and the number of damaged semiconductor wafers increases. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been developed to solve the above-mentioned difficulties and to provide a semiconductor wafer protection sheet which is excellent in semiconductor wafer protection properties and does not adhere to the semiconductor wafer, and a method of manufacturing the same.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】この発明は前記の課題を
解決し、目的を達成するために次のような技術的な手段
を講じた。ここでいう合成樹脂シートとは合成樹脂の単
体シート、合成樹脂単体シートの複数のラミネートシー
ト、紙の表面に樹脂コーテイングを施してあるシート、
不織布の単体もしくはコーテイングを施したもの等をさ
している。基本シートとは、ラミネート、コーテイング
などを施すための基本となる樹脂シート、紙、不織布な
どをさしている。凹凸部分が金属以外の素材から成る上
下エンボッシング型は、セラミック、硬質合成樹脂によ
り形成された型のほかに、金属、セラミック、木質物な
どの表面に硬質合成樹脂皮膜やセラミック皮膜を形成し
た物、も含まれる。具体的な構成は次の通りである。
Means for Solving the Problems The present invention has taken the following technical means in order to solve the above-mentioned problems and achieve the object. The synthetic resin sheet referred to here is a single sheet of a synthetic resin, a plurality of laminated sheets of a single sheet of a synthetic resin, a sheet having a resin coating on a paper surface,
It refers to nonwoven fabric alone or coated. The basic sheet refers to a basic resin sheet, paper, nonwoven fabric, or the like for performing lamination, coating, or the like. The upper and lower embossing type, in which the uneven portion is made of a material other than metal, is a type in which a hard synthetic resin film or ceramic film is formed on the surface of metal, ceramic, wood, etc. Is also included. The specific configuration is as follows.

【0005】金属以外の素材から成る上下エンボッシン
グ型の間に合成樹脂シートを配置してエンボッシング模
様を形成し、円形に型抜きする半導体ウエハの保護シー
ト製造方法。
[0005] A method of manufacturing a protective sheet for a semiconductor wafer, in which an embossing pattern is formed by arranging a synthetic resin sheet between upper and lower embossing dies made of a material other than metal, and die-cutting into a circle.

【0006】基本シートの表面に該基本シートよりも低
温で溶融する樹脂層を形成した合成樹脂シートに、金属
以外の素材から成る上下エンボッシング型でエンボッシ
ング模様を形成すると共に、前記基本シートよりも低温
で溶融する樹脂層をヒートセットすることによってエン
ボッシング模様を成形する半導体ウエハの保護シート製
造方法。
[0006] An embossing pattern is formed on a surface of a basic sheet by a vertical embossing type made of a material other than metal on a synthetic resin sheet having a resin layer that melts at a lower temperature than the basic sheet. A method of manufacturing a protective sheet for a semiconductor wafer, wherein an embossing pattern is formed by heat setting a resin layer that is melted in step (a).

【0007】合成樹脂シートの表面中心部に平滑面を設
定しその周囲にエンボッシング模様を形成した半導体ウ
エハの保護シート。
A protective sheet for a semiconductor wafer in which a smooth surface is set at the center of the surface of a synthetic resin sheet and an embossing pattern is formed around the smooth surface.

【0008】基本シートの表面に該基本シートよりも低
温で溶融する樹脂層を形成した円形合成樹脂シートにエ
ンボッシング模様を形成すると共に、前記基本シートよ
りも低温で溶融する樹脂層をヒートセットすることによ
ってエンボッシング模様を固定成形してなる半導体ウエ
ハの保護シート。
An embossing pattern is formed on a circular synthetic resin sheet having a resin layer that melts at a lower temperature than the base sheet formed on the surface of the base sheet, and the resin layer that melts at a lower temperature than the base sheet is heat-set. A protective sheet for a semiconductor wafer obtained by fixing and molding an embossing pattern.

【0009】凹凸部分が金属以外の素材から成るエンボ
ッシング型であって、型の中に加熱手段が内装されてい
るエンボッシング型。
An embossing type in which the concave and convex portions are made of a material other than metal, wherein a heating means is provided inside the type.

【0010】[0010]

【作用】上記のように構成されたこの発明は次のような
作用を有している。従来使用されている半導体ウエハの
保護シートは両面が平滑なシートであるために、これを
積層する各半導体ウエハの間に介在させると、保護シー
トは半導体ウエハに密着する必然性が高くなっている。
本願発明では保護シートにエンボッシング模様を形成し
たために、保護シートと半導体ウエハとの接着面積が著
しく減少し、かつ空間があるので気流が流通するので、
保護シートが半導体ウエハに接着しにくいという作用が
ある。加えて、保護シートの厚さが従来のものと同じで
あっても、エンボッシング模様は表裏に凹凸があるため
にクッション性に優れ、その結果、半導体ウエハを積層
している状態で上から力がかかっても、エンボッシング
模様の凹凸が衝撃を吸収してしまう作用があり、半導体
ウエハの破損を防止することができる。製造方法におい
て、一般的にエンボッシング型は金属製であるが、金属
製のエンボッシング型で合成樹脂シートにエンボッシン
グ加工をした場合、微細な金属粉が合成樹脂シートに付
着すると共に金属イオンが合成樹脂シートに移動するこ
とを防止することができない。また合成樹脂シートに付
着した金属粉や金属イオンをエンボッシング加工後に合
成樹脂シートから除去させることは大がかりな設備を要
しかつ極めて困難なことである。そしてそれら金属粉や
金属イオンの付着した保護シートを使用すると、半導体
ウエハの品質に影響をおよぼすという難点がある。その
点本願発明は、凹凸面が金属以外の素材から成るエンボ
ッシング型を使用したため、合成樹脂シートにエンボッ
シング加工を施すことはできるが、金属性の影響が生じ
ることはない。
The present invention configured as described above has the following functions. Conventionally used protective sheets for semiconductor wafers have smooth surfaces on both sides. Therefore, if the protective sheets are interposed between the semiconductor wafers to be laminated, the protective sheet is more likely to be in close contact with the semiconductor wafer.
In the present invention, since the embossing pattern is formed on the protective sheet, the bonding area between the protective sheet and the semiconductor wafer is significantly reduced, and since there is a space, the airflow flows,
There is an effect that the protective sheet is hard to adhere to the semiconductor wafer. In addition, even if the thickness of the protective sheet is the same as the conventional one, the embossing pattern has excellent cushioning due to the unevenness on the front and back, and as a result, the force is applied from above when the semiconductor wafer is stacked. Even if it is applied, the unevenness of the embossing pattern has an effect of absorbing the impact, and can prevent the semiconductor wafer from being damaged. In the manufacturing method, the embossing type is generally made of metal. However, when embossing is performed on a synthetic resin sheet using a metal embossing type, fine metal powder adheres to the synthetic resin sheet and metal ions are formed on the synthetic resin sheet. Cannot be prevented from moving. In addition, removing metal powder and metal ions attached to the synthetic resin sheet from the synthetic resin sheet after the embossing process requires large-scale equipment and is extremely difficult. The use of a protective sheet to which these metal powders and metal ions are attached has a disadvantage that the quality of the semiconductor wafer is affected. In this regard, the present invention uses an embossing type in which the uneven surface is made of a material other than metal, so that the synthetic resin sheet can be subjected to embossing, but there is no effect of metallicity.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態例を図面に
基づいて説明する。図1は半導体ウエハの保護シート
(以下保護シートという)の平面図である。保護シート
1は例えばポリエチレンの薄いシートから成り、3イン
チないし8インチの円盤形で、その中央部に吸着盤が吸
着出来る範囲の吸着面1Aを設定して、その外域にエン
ボッシング加工により、エンボッシング模様2が形成さ
れている。該エンボッシング模様2の凹凸2A,2Bは
シートの肉厚の2ないし5倍程度で、模様の形状は任意
である。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a plan view of a protection sheet (hereinafter referred to as a protection sheet) of a semiconductor wafer. The protective sheet 1 is made of, for example, a thin sheet of polyethylene and has a disk shape of 3 inches to 8 inches. The suction surface 1A is set in the center of the disk so that the suction disk can be sucked. 2 are formed. The unevenness 2A, 2B of the embossing pattern 2 is about 2 to 5 times the thickness of the sheet, and the shape of the pattern is arbitrary.

【0012】上記の構成において保護シート1を図2に
示すように積層する半導体ウエハ3,3の間に挾み込む
と、エンボッシング模様2の凹凸2A,2Bが上の半導
体ウエハ3を支えるので、上下の半導体ウエハ3,3の
間に間隙4が形成されることから、クッション性に優れ
て、上の半導体ウエハ3が破損する程の衝撃が上から加
えられても、その衝撃はエンボッシング模様2の凹凸2
A,2Bによって吸収され、下方にある半導体ウエハ3
の破損が防止され保護される。また図でもよくわかるよ
うに、上下の半導体ウエハ3,3の間にエンボッシング
模様2の凹凸2A,2Bによる間隙4が形成されている
ために、上の半導体ウエハ3を吸盤で吸着して移動させ
ても、その下にある保護シート1は半導体ウエハ3に密
着していないために、上の半導体ウエハ3に付着して移
動することはない。前記保護シート1の中央部にはエン
ボッシング模様2が形成されていない吸着面1Aが設定
されているので、該吸着面1Aに機械的に吸盤で吸着し
て半導体ウエハ3の上に運んで重ねることができ、また
半導体ウエハ3の上から機械的に吸盤で吸着して取り除
くことができる。該吸着面1Aは円形でなくても例えば
三角形でも環状でも構わない。またエンボッシング模様
2の凹凸2A,2Bの高さが低いもの、あるいは模様の
形によっては、吸着面1Aを形成しなくても吸着するこ
とができる。更に図1における吸着面1A部分を開口部
とすることができる。
When the protective sheet 1 is sandwiched between the semiconductor wafers 3 and 3 stacked as shown in FIG. 2 in the above configuration, the unevenness 2A and 2B of the embossing pattern 2 support the upper semiconductor wafer 3. Since the gap 4 is formed between the upper and lower semiconductor wafers 3, the cushioning is excellent, and even if an impact is applied from the top to damage the upper semiconductor wafer 3, the impact is applied to the embossing pattern 2. Unevenness 2
Semiconductor wafer 3 which is absorbed by
Is prevented and protected. Further, as can be clearly understood from the figure, since the gap 4 is formed between the upper and lower semiconductor wafers 3 and 3 by the irregularities 2A and 2B of the embossing pattern 2, the upper semiconductor wafer 3 is sucked and moved by the suction cup. However, since the protective sheet 1 thereunder does not adhere to the semiconductor wafer 3, it does not adhere to the upper semiconductor wafer 3 and does not move. Since the suction surface 1A on which the embossing pattern 2 is not formed is set at the center of the protection sheet 1, the suction surface 1A is mechanically sucked to the suction surface 1A by a suction cup and carried on the semiconductor wafer 3 for stacking. And can be mechanically sucked and removed from above the semiconductor wafer 3 with a suction cup. The suction surface 1A is not limited to a circle, but may be, for example, a triangle or a ring. Further, depending on the embossing pattern 2 having a small height of the irregularities 2A and 2B, or depending on the shape of the pattern, the embossing pattern 2 can be adsorbed without forming the adsorption surface 1A. Further, the suction surface 1A in FIG. 1 can be an opening.

【0013】図3はエンボッシング加工用のエンボッシ
ング型の正面図である。エンボッシング型5は例えばF
RP樹脂成形体など硬質合成樹脂(セラミックでもい
い)で成形された上型5Aと下型5Bからなり、それぞ
れの対向面に凹凸型5C…,5Dが形成され、図示しな
い加圧手段によって上型5Aが下型5Bに加圧されたと
きにそれぞれの凸型5Dが相手の凹型5Cに嵌合する態
様に形成されている。図中符号6は加熱手段としてのヒ
ータであり図示しない電源からコード7を介して給電さ
れることによって加熱手段6は発熱して凹凸型5C…,
5Dを合成樹脂シート8のヒートセットに必要な温度に
加熱させることができる。しかして上型5Aと下型5B
の間に合成樹脂シート8を配置して上型5Aを下型5B
へと加圧することによって、合成樹脂シート8にエンボ
ッシング模様2が形成される。この場合、硬質合成樹脂
の上型5Aと下型5Bに加熱手段6によりあらかじめ加
熱が可能な場合には、エンボッシング加工と同時にヒー
トセットに必要な加熱をすることによってエンボッシン
グ模様2をヒートセットさせることができる。また硬質
合成樹脂の上型5Aと下型5Bに加熱することが困難な
場合には、エンボッシング模様2を型押しした後に上型
5Aと下型5Bから取りだした合成樹脂シート8を熱
風、赤外線その他の手段により加熱することによってエ
ンボッシング模様2の形状をヒートセットさせる。勿
論、単にプレスだけでエンボッシング模様2を形成させ
ることができる。またエンボッシング加工は上下ローラ
による形成もできる。前記合成樹脂シート8の素材は目
的に合うものならどのようなものでもよいが、前記ヒー
トセットを効果的にさせる目的で、基本シートの表面に
基本シートよりも低温で熱溶融する樹脂の層を形成させ
ておくことができる。それによって、前記硬質合成樹脂
の上型5Aと下型5Bに内装した加熱手段による加熱温
度が比較的低温でも、確実にエンボッシング模様をヒー
トセットさせることができる。またプレスだけでエンボ
ッシング模様2を形成させる場合には、軟質樹脂のコー
テイング層を形成したシートを使用すると、圧縮型成形
のように凹凸を効果的に形成して固定化させることがで
きる。前記合成樹脂シート8が長いものであれば、一つ
のエンボッシング模様2を形成して一駒ずつ合成樹脂シ
ート8を長手方向に移動させて連続してエンボッシング
模様2を形成する。しかる後、図1に示すような形状に
打ち抜きによって保護シート1を形成する。前記硬質合
成樹脂の型5の素材は、合成樹脂の単体でもよいが、硬
度あるいは耐摩耗性の点で、金属以外の鉱物質粉を混入
することができる。なお本願発明は前述の構成に限定さ
れるものではなく、目的に合わせて適宜設計変更するこ
とができる。
FIG. 3 is a front view of an embossing die for embossing. The embossing mold 5 is, for example, F
An upper mold 5A and a lower mold 5B formed of a hard synthetic resin (ceramic may be used) such as an RP resin molded body, and concave and convex molds 5C... When 5A is pressed to lower mold 5B, each convex mold 5D is formed so as to fit with the corresponding concave mold 5C. In the figure, reference numeral 6 denotes a heater as a heating means, which is supplied with power from a power source (not shown) via a cord 7, and the heating means 6 generates heat to form the concave and convex molds 5C,.
5D can be heated to a temperature required for heat setting the synthetic resin sheet 8. The upper mold 5A and lower mold 5B
Between the upper mold 5A and the lower mold 5B.
The embossing pattern 2 is formed on the synthetic resin sheet 8 by pressing to. In this case, when the upper and lower dies 5A and 5B of the hard synthetic resin can be heated in advance by the heating means 6, the embossing pattern 2 is heat-set by performing heating necessary for heat setting simultaneously with the embossing process. Can be. If it is difficult to heat the hard synthetic resin to the upper mold 5A and the lower mold 5B, the embossing pattern 2 is pressed, and then the synthetic resin sheet 8 taken out of the upper mold 5A and the lower mold 5B is heated with hot air, infrared rays, or the like. The shape of the embossing pattern 2 is heat-set by heating by means of (1). Of course, the embossing pattern 2 can be formed simply by pressing. In addition, the embossing process can be formed by upper and lower rollers. The material of the synthetic resin sheet 8 may be any material as long as it suits the purpose. However, in order to make the heat setting effective, a layer of a resin that is thermally melted at a lower temperature than the base sheet is formed on the surface of the base sheet. Can be formed. This makes it possible to heat-set the embossing pattern reliably even when the heating temperature of the heating means provided in the upper mold 5A and the lower mold 5B of the hard synthetic resin is relatively low. In the case where the embossing pattern 2 is formed only by pressing, if a sheet on which a soft resin coating layer is formed is used, irregularities can be effectively formed and fixed as in compression molding. If the synthetic resin sheet 8 is long, one embossing pattern 2 is formed, and the synthetic resin sheet 8 is moved one frame at a time in the longitudinal direction to form the embossing pattern 2 continuously. Thereafter, the protective sheet 1 is formed by punching into a shape as shown in FIG. The material of the hard synthetic resin mold 5 may be a single synthetic resin, but mineral powder other than metal can be mixed in terms of hardness or wear resistance. It should be noted that the present invention is not limited to the above-described configuration, and can be appropriately designed and changed according to the purpose.

【0014】[0014]

【発明の効果】以上説明したように、この発明は次のよ
うなすぐれた効果を有している。
As described above, the present invention has the following excellent effects.

【0015】A.保護シートは、エンボッシング模様2
が凹凸状に形成されているためにシートの肉厚よりも嵩
高になっていて、衝撃を受けても、凹凸が崩れることに
よって衝撃を吸収するため、保護シートを介在させて積
層する半導体ウエハの破損を防止、保護することができ
る効果がある。
A. Protective sheet is embossing pattern 2
Because of the unevenness, the sheet is bulkier than the thickness of the sheet. Even if it receives an impact, the impact is absorbed by the collapse of the unevenness. There is an effect that damage can be prevented and protected.

【0016】B.保護シートは、エンボッシング模様2
が凹凸状に形成されているためにシートの肉厚よりも嵩
高になっていて、かつ凹凸によって保護シートの半導体
ウエハへの接触面積が少なく、凹凸による空間の存在に
よって密着が阻止されるため、半導体ウエハの移動時に
保護シートが貼り付いて移動することがないので、半導
体ウエハの処理工程において保護シートがトラブルの原
因を作るということがなくなるという効果がある。
B. Protective sheet is embossing pattern 2
Is formed bulkier than the thickness of the sheet because it is formed in an uneven shape, and the contact area of the protection sheet to the semiconductor wafer is small due to the unevenness, and the close contact is prevented by the presence of the space due to the unevenness, Since the protection sheet does not stick and move when the semiconductor wafer is moved, there is an effect that the protection sheet does not cause a trouble in the processing step of the semiconductor wafer.

【0017】C.保護シートの製造において、金属以外
の素材のエンボッシング型を使用するため、保護シート
に金属粉や金属イオンが付着する恐れが全くなく、その
結果、保護シートを半導体ウエハ間に介在させて半導体
ウエハを積層しても、金属粉や金属イオンによる悪影響
が半導体ウエハに生じることがないという効果がある。
C. In the production of the protective sheet, since an embossing type of a material other than metal is used, there is no possibility that metal powder or metal ions adhere to the protective sheet. As a result, the protective sheet is interposed between the semiconductor wafers and the semiconductor wafer is interposed. Even when the layers are stacked, there is an effect that no adverse effect due to metal powder or metal ions is caused on the semiconductor wafer.

【0018】D.金属以外の素材のエンボッシング型は
保護シートに金属粉や金属イオンを付着させることがな
いという効果があり、加熱手段を内装するときは、保護
シートにエンボッシング型を効果的に形成させることが
できるという効果がある。
D. The embossing type made of a material other than metal has an effect that metal powder and metal ions do not adhere to the protective sheet. When the heating means is installed, the embossing type can be effectively formed on the protective sheet. effective.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】半導体ウエハの保護シートの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a protection sheet for a semiconductor wafer.

【図2】半導体ウエハの保護シートの使用状態を示す正
面図である。
FIG. 2 is a front view showing a use state of a protection sheet for a semiconductor wafer.

【図3】半導体ウエハの保護シートの製造方法を示す正
面図である。
FIG. 3 is a front view illustrating a method for manufacturing a protection sheet for a semiconductor wafer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体ウエハの保護シート 1A 吸着面 2 エンボッシング模様 2A 凹部 2B 凸部 3 半導体ウエハ 4 間隙 5 エンボッシング型 5A 上型 5B 下型 6 加熱手段 7 コード 8 樹脂シート DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Protective sheet of semiconductor wafer 1A adsorption surface 2 embossing pattern 2A concave part 2B convex part 3 semiconductor wafer 4 gap 5 embossing type 5A upper die 5B lower die 6 heating means 7 code 8 resin sheet

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 凹凸部分が金属以外の素材から成る上下
エンボッシング型の間に合成樹脂シートを配置してエン
ボッシング模様を形成し、円形に型抜きすることを特徴
とする半導体ウエハの保護シート製造方法。
1. A method for manufacturing a protective sheet for a semiconductor wafer, comprising: forming an embossing pattern by arranging a synthetic resin sheet between upper and lower embossing dies whose uneven portions are made of a material other than metal; .
【請求項2】 基本シートの表面に該基本シートよりも
低温で溶融する樹脂層を形成した合成樹脂シートに、凹
凸部分が金属以外の素材から成る上下エンボッシング型
でエンボッシング模様を形成すると共に、前記基本シー
トよりも低温で溶融する樹脂層をヒートセットすること
によってエンボッシング模様を成形することを特徴とす
る半導体ウエハの保護シート製造方法。
2. A synthetic resin sheet in which a resin layer that melts at a lower temperature than the base sheet is formed on the surface of the base sheet. A method for manufacturing a protective sheet for a semiconductor wafer, wherein an embossing pattern is formed by heat setting a resin layer that melts at a lower temperature than a base sheet.
【請求項3】 円形合成樹脂シートの表面中心部に平滑
面を設定しその周囲にエンボッシング模様を形成したこ
とを特徴とする半導体ウエハの保護シート。
3. A protection sheet for a semiconductor wafer, wherein a smooth surface is set at the center of the surface of a circular synthetic resin sheet, and an embossing pattern is formed around the smooth surface.
【請求項4】 基本シートの表面に該基本シートよりも
低温で溶融する樹脂層を形成した円形合成樹脂シートに
エンボッシング模様を形成すると共に、前記基本シート
よりも低温で溶融する樹脂層をヒートセットすることに
よってエンボッシング模様を成形してなることを特徴と
する半導体ウエハの保護シート。
4. An embossing pattern is formed on a circular synthetic resin sheet having a resin layer that melts at a lower temperature than the base sheet formed on the surface of the base sheet, and the resin layer that melts at a lower temperature than the base sheet is heat-set. A protective sheet for a semiconductor wafer, characterized in that an embossing pattern is formed by doing so.
【請求項5】 凹凸部分が金属以外の素材から成るエン
ボッシング型であって、型の中に加熱手段が内装されて
いることを特徴とするエンボッシング型。
5. An embossing type wherein an uneven portion is made of a material other than metal, wherein a heating means is provided in the type.
JP9083398A 1997-03-18 1997-03-18 Manufacture of protective sheet for semiconductor wafer, and protective sheet and die Pending JPH10261600A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100388651B1 (en) * 2000-04-26 2003-06-25 에이스 인더스트리 주식회사 wafer tape film, apparatus and method for manufacturing the same

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