JPH10256338A - Wafer treatment device and wafer carrying mechanism - Google Patents

Wafer treatment device and wafer carrying mechanism

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Publication number
JPH10256338A
JPH10256338A JP9055698A JP5569897A JPH10256338A JP H10256338 A JPH10256338 A JP H10256338A JP 9055698 A JP9055698 A JP 9055698A JP 5569897 A JP5569897 A JP 5569897A JP H10256338 A JPH10256338 A JP H10256338A
Authority
JP
Japan
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gate
wafer
positioning
bottom wall
chamber
Prior art date
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Pending
Application number
JP9055698A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenji Miyata
建二 宮田
Kimio Nakajima
公朗 中島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP9055698A priority Critical patent/JPH10256338A/en
Publication of JPH10256338A publication Critical patent/JPH10256338A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer treatment device and a wafer carrying mechanism, which can align and connect a gate valve and a chamber or a wafer carrier all the time when the gate valve and the chamber or the wafer carrier are connected. SOLUTION: A plasma etching device has a first load block 32, an etching chamber 34 and a first gate valve 38A for connecting the first load lock 32 and the etching chamber 34. The etching chamber 32 has a bottom wall 39, whose lower surface is the horizontal plane, a strut 44, which is provided at the shortest corner to the first gate valve 38A among the four corners, and a positioning plate 5, which determined the position of the height of the first gate valve 38A penetrating the strut 44. The upper surface of the positioning plate 45 forms the planar positioning surface. Thus, the positioning surface of the positioning plate 45 is brought into contact with the bottom wall 39 and a lower surface 46 of the first gate valve 38A at the same time, and the bottom wall 39 and the lower surface 46 are connected at the same height.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ処理装置及
びウエハ搬送機構に関し、更に詳しくは、チャンバ又は
ウエハを搬送するウエハ搬送体にゲートバルブを接続す
るに際し、常に整合させて接続することを可能にしたウ
エハ処理装置及びウエハ搬送機構に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer processing apparatus and a wafer transfer mechanism, and more particularly, to connecting a gate valve to a chamber or a wafer transfer body for transferring a wafer while always aligning the gate valve. And a wafer transfer mechanism.

【0002】[0002]

【従来の技術】ウエハを処理する処理室のウエハ搬入出
口には、通常、ゲートバルブが設けられている。ゲート
バルブは、メンテナンスや装置の故障時の修理を考慮
し、ウエハ搬入出口に着脱自在であることが多い。図4
は、従来のウエハ処理装置の一例として示すプラズマエ
ッチング装置の部分正面図である。
2. Description of the Related Art Usually, a gate valve is provided at a wafer loading / unloading port of a processing chamber for processing a wafer. The gate valve is often detachable from the wafer loading / unloading port in consideration of maintenance and repair in case of equipment failure. FIG.
1 is a partial front view of a plasma etching apparatus shown as an example of a conventional wafer processing apparatus.

【0003】従来のプラズマエッチング装置10は、全
自動枚葉式のエッチング装置であって、第1キャリア1
2、第1搬送機構13、第1ロードロック室14、ウエ
ハをエッチングするエッチングチャンバ16、第2ロー
ドロック室18、第2搬送機構19、及び第2キャリア
20を順次備えている。エッチングチャンバ16と第1
及び第2ロードロック室との間は、それぞれ、着脱自在
の第1ゲートバルブ24A及び第2ゲートバルブ24B
により接続されている。また、第1搬送機構13と第1
ロードロック室14との間、及び第2ロードロック室1
8と第2搬送機構19との間は、それぞれ、着脱自在な
第3ゲートバルブ28A及び第4ゲートバルブ28Bに
より接続されている。プラズマエッチング装置10は、
更に、CRT付きコントロールパネル29と、第1、第
2ロードロック室及びエッチングチャンバ16を真空排
気する真空排気系統(図示せず)とを備えている。
A conventional plasma etching apparatus 10 is a fully automatic single-wafer type etching apparatus, and includes a first carrier 1.
2, a first transfer mechanism 13, a first load lock chamber 14, an etching chamber 16 for etching a wafer, a second load lock chamber 18, a second transfer mechanism 19, and a second carrier 20 are sequentially provided. Etching chamber 16 and first
The first gate valve 24A and the second gate valve 24B are detachable between the first and second load lock chambers, respectively.
Connected by In addition, the first transport mechanism 13 and the first
Between the load lock chamber 14 and the second load lock chamber 1
8 and the second transport mechanism 19 are connected by a detachable third gate valve 28A and a fourth gate valve 28B, respectively. The plasma etching apparatus 10
Further, a control panel 29 with a CRT and a vacuum exhaust system (not shown) for evacuating the first and second load lock chambers and the etching chamber 16 are provided.

【0004】プラズマエッチング装置10の第1ロード
ロック室14,エッチングチャンバ16及び第2ロード
ロック室18は、ウエハ処理をしていないときは真空状
態である。ウエハを第1キャリア12にセットすると、
第1ロードロック室14が大気状態になり、第3ゲート
バルブ28Aが開になる。次いで、ウエハが第1搬送機
構13により第1ロードロック室14に搬入され、第3
ゲートバルブ28Aが閉になり、第1ロードロック室1
4が真空吸引される。所定圧にまで減圧されたら、第1
ゲートバルブ24Aが開になり、第1ロードロック室1
4からエッチングチャンバ16にウエハが移載される。
次いで、第1ゲートバルブ24Aが閉になり、エッチン
グチャンバ16内でウエハがエッチング処理される。次
いで、エッチングガスの排出等の所定の動作が行われた
後、第2ゲートバルブ24Bが開になり、ウエハが第2
ロードロック室18に移載される。次いで、第2ロード
ロック室18が大気状態になり、第4ゲートバルブ28
Bが開になり、ウエハが第2キャリア20に収納され
る。
The first load lock chamber 14, the etching chamber 16, and the second load lock chamber 18 of the plasma etching apparatus 10 are in a vacuum state when no wafer processing is performed. When the wafer is set on the first carrier 12,
The first load lock chamber 14 enters the atmospheric state, and the third gate valve 28A opens. Next, the wafer is carried into the first load lock chamber 14 by the first transfer mechanism 13,
The gate valve 28A is closed and the first load lock chamber 1 is closed.
4 is evacuated. Once the pressure has been reduced to the specified pressure,
When the gate valve 24A is opened, the first load lock chamber 1 is opened.
The wafer is transferred from 4 to the etching chamber 16.
Next, the first gate valve 24A is closed, and the wafer is etched in the etching chamber 16. Next, after a predetermined operation such as discharge of an etching gas is performed, the second gate valve 24B is opened and the wafer is
It is transferred to the load lock chamber 18. Next, the second load lock chamber 18 is brought into the atmospheric state, and the fourth gate valve 28 is turned on.
B is opened, and the wafer is stored in the second carrier 20.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、第1、第2
ロードロック室14、18及びエッチングチャンバ16
には気密性が要求される。このため、第1ゲートバルブ
24Aのゲート口26a、bは、それぞれ、第1ロード
ロック室14のウエハ搬出口、及びエッチングチャンバ
16のウエハ搬入口に整合して接続されている必要があ
り、第2から第4ゲートバルブ24A〜Dも同様であ
る。しかし、第1から第4のゲートバルブを接続する
際、従来、目視や指の触感覚を頼りにして高さ位置を判
断して接続しているので、接続のときに上述のような整
合は満たされない場合が多く、このため、接続後、真空
引きの際にリークが生じたり、ゲートバルブの動作不良
などによりウエハはゲートバルブを良好に通過できない
という搬送トラブルが生じたりするという問題があっ
た。以上のような事情に照らして、本発明の目的は、ゲ
ートバルブをチャンバ又はウエハを搬送するウエハ搬送
体に接続するに際し、常に整合させて接続することを可
能にしたウエハ処理装置及びウエハ搬送機構を提供する
ことである。
By the way, the first and the second are as follows.
Load lock chambers 14, 18 and etching chamber 16
Requires airtightness. Therefore, the gate ports 26a and 26b of the first gate valve 24A need to be aligned and connected to the wafer loading port of the first load lock chamber 14 and the wafer loading port of the etching chamber 16, respectively. The same applies to the second to fourth gate valves 24A to 24D. However, when connecting the first to fourth gate valves, conventionally, the height position is determined by relying on visual or tactile sensation of the finger, so that the connection as described above is not performed at the time of connection. In many cases, it is not satisfied, so that there is a problem that a leak occurs at the time of evacuation after connection, or a transport trouble that a wafer cannot pass through the gate valve satisfactorily due to a malfunction of the gate valve. . In view of the circumstances described above, an object of the present invention is to provide a wafer processing apparatus and a wafer transfer mechanism that can always align and connect when connecting a gate valve to a chamber or a wafer transfer body that transfers a wafer. It is to provide.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るウエハ処理装置(以下、第1発明と言
う)は、水平な下面を有する底壁から直立する側壁にウ
エハ搬入出口を有するチャンバと、水平な下面と垂直な
ゲート面とを有するバルブボディと、バルブボディを貫
通し、ゲート面で開口する開閉自在なゲート口とを有
し、チャンバの側壁とゲートバルブのゲート面とを面接
触させ、かつチャンバ底壁の下面の延長上にバルブボデ
ィの下面を位置決めしたとき、ゲート口がウエハ搬入出
口に整合するように構成されたゲートバルブと、チャン
バ底壁から下方に垂下する支柱と、水平面からなる上向
きの位置決め面を有し、かつ位置決め面をチャンバ底壁
の下面に面接触するように貫通孔を介して支柱に掛止す
るようにした位置決め板とを有する、ゲートバルブ位置
決め装置とを備え、チャンバ底壁に面接触した位置決め
板の位置決め面上にバルブボディの下面を位置決めする
ことにより、ゲート口をウエハ搬入出口に整合させるよ
うにしたことを特徴としている。
In order to achieve the above object, a wafer processing apparatus according to the present invention (hereinafter referred to as a first invention) comprises a wafer loading / unloading port on a side wall which stands upright from a bottom wall having a horizontal lower surface. A valve body having a horizontal lower surface and a vertical gate surface; a gate port that penetrates the valve body and is openable and closable at the gate surface; and a side wall of the chamber and a gate surface of the gate valve. And a gate valve configured such that the gate port is aligned with the wafer loading / unloading port when the lower surface of the valve body is positioned on an extension of the lower surface of the chamber bottom wall, and the gate valve depends downward from the chamber bottom wall. And a positioning surface having an upward positioning surface formed of a horizontal plane, and having the positioning surface hooked to the column via a through hole so as to make surface contact with the lower surface of the chamber bottom wall. A gate valve positioning device having a plate, and positioning the lower surface of the valve body on the positioning surface of the positioning plate in surface contact with the chamber bottom wall, thereby aligning the gate port with the wafer loading / unloading port. It is characterized by.

【0007】本発明の好適な実施態様は、位置決め板の
貫通孔の輪郭が、支柱の横断面輪郭より小さく形成さ
れ、位置決め板が、貫通孔を中心にしてゲートバルブ下
に位置する第1板体と、チャンバ下に位置する第2板体
とに平面的に分割された2個の板体から構成され、かつ
貫通孔の両側で第2板体を位置決め面に平行な方向に貫
通して第1板体に達する少なくとも2個のネジ穴を有
し、ネジ穴にネジをねじ込んで第2板体を第1板体に連
結し、貫通孔を介して支柱を締め付け、係合させるよう
にしたことを特徴としている。また、垂下する支柱に代
えて、チャンバ近傍に直立する棒体を備えていてもよ
い。
In a preferred embodiment of the present invention, the outline of the through hole of the positioning plate is formed to be smaller than the cross sectional outline of the column, and the positioning plate is located below the gate valve with the through hole as the center. And a second plate positioned below the chamber, the plate being divided into two plates in a plane, and penetrating the second plate on both sides of the through hole in a direction parallel to the positioning surface. It has at least two screw holes reaching the first plate body, and screws are screwed into the screw holes to connect the second plate body to the first plate body, and to tighten and engage the columns through the through holes. It is characterized by doing. In addition, a rod that stands upright near the chamber may be provided instead of the hanging column.

【0008】第1発明のウエハ処理装置では、ゲートバ
ルブをチャンバに接続する際、ゲートバルブのゲート口
とチャンバのウエハ搬入出口とを常に整合させて接続す
ることができる。これにより、気密性が維持される状態
に常に接続される。
In the wafer processing apparatus of the first invention, when the gate valve is connected to the chamber, the gate port of the gate valve and the wafer loading / unloading port of the chamber can always be aligned and connected. Thereby, it is always connected in a state where airtightness is maintained.

【0009】また、本発明に係るウエハ搬送機構(以
下、第2発明と言う)は、水平な下面を有する底壁と、
底壁に直交する面が形成された搬送路端とを有するウエ
ハ搬送体と、水平な下面と垂直なゲート面とを有するバ
ルブボディと、バルブボディを貫通し、ゲート面で開口
する開閉自在なゲート口とを有し、ウエハ搬送体の搬送
路端とバルブボディのゲート面とを面接触させ、かつウ
エハ搬送体底壁の下面の延長上にバルブボディの下面を
位置決めしたとき、ゲート口下縁が搬送路端下縁に整合
するように構成されたゲートバルブと、ウエハ搬送体底
壁から下方に垂下する支柱と、水平面からなる上向きの
位置決め面を有し、かつ位置決め面をウエハ搬送体底壁
の下面に面接触するように貫通孔を介して支柱に掛止す
るようにした位置決め板とを有する、ゲートバルブ位置
決め装置とを備え、ウエハ搬送体底壁に面接触した位置
決め板の位置決め面上にバルブボディの下面を位置決め
することにより、ゲート口下縁を搬送路端下縁に整合さ
せるようにしたことを特徴としている。
Further, a wafer transfer mechanism (hereinafter referred to as a second invention) according to the present invention includes a bottom wall having a horizontal lower surface,
A wafer transfer body having a transfer path end having a surface orthogonal to the bottom wall, a valve body having a horizontal lower surface and a vertical gate surface, and an openable and closable penetrating through the valve body and opening at the gate surface; When the lower surface of the valve body is positioned on an extension of the lower surface of the bottom wall of the wafer transfer body, the transfer path end of the wafer transfer body is brought into surface contact with the gate surface of the valve body, and A gate valve configured such that an edge thereof is aligned with a lower edge of a transfer path end, a support hanging downward from a bottom wall of the wafer transfer body, and an upward positioning surface formed of a horizontal plane, and the positioning surface is a wafer transfer body. A gate valve positioning device, comprising: a positioning plate that is engaged with a support via a through hole so as to make surface contact with the lower surface of the bottom wall; and positioning of the positioning plate that makes surface contact with the wafer carrier bottom wall. By positioning the lower surface of the valve body above it is characterized in that so as to align the gate opening lower edge in the conveyance path end lower edge.

【0010】第2発明のウエハ搬送機構では、ゲートバ
ルブをウエハ搬送機構に接続する際、ゲートバルブのゲ
ート口とウエハ搬送機構の搬送路端とを常に整合させて
接続することができるので、ウエハは、ゲートバルブを
常に良好に通過することができる。
In the wafer transfer mechanism according to the second aspect of the invention, when the gate valve is connected to the wafer transfer mechanism, the gate port of the gate valve and the transfer path end of the wafer transfer mechanism can always be aligned and connected. Can always satisfactorily pass through the gate valve.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下に、実施例を挙げ、添付図面
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより詳細
に説明する。実施例 本実施例は、ウエハ処理装置がプラズマエッチング装置
である第1発明の例である。図1は、本実施例のプラズ
マエッチング装置(ラムコ社製のRAM−300)の部
分正面図である。本実施例のプラズマエッチング装置3
0は、従来と同じ第1キャリア12及び第1搬送機構1
3と、第1ロードロック室32と、エッチングチャンバ
34と、第2ロードロック室36と、従来と同じ第2搬
送機構19及び第2キャリア20とを順次備えている。
また、プラズマエッチング装置30は、従来のプラズマ
エッチング装置10の第1から第4ゲートバルブ24
A、B、28A、Bに相当する各々の箇所に、それぞ
れ、図1に示すように第1から第4ゲートバルブ38A
〜Dを備えている。プラズマエッチング装置30は、更
に、CRT付きコントロールパネル29と、第1、第2
ロードロック室32、36及びエッチングチャンバ32
を真空排気する従来と同様の真空排気系統(図示せず)
とを備えている。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. Embodiment This embodiment is an example of the first invention in which the wafer processing apparatus is a plasma etching apparatus. FIG. 1 is a partial front view of the plasma etching apparatus (RAM-300 manufactured by Ramco) of the present embodiment. Plasma etching apparatus 3 of the present embodiment
0 is the same as the conventional first carrier 12 and first transport mechanism 1
3, a first load lock chamber 32, an etching chamber 34, a second load lock chamber 36, and a second transport mechanism 19 and a second carrier 20, which are the same as the conventional one.
Further, the plasma etching apparatus 30 is the same as the first to fourth gate valves 24 of the conventional plasma etching apparatus 10.
A, B, 28A, and B correspond to first to fourth gate valves 38A as shown in FIG.
To D. The plasma etching apparatus 30 further includes a control panel 29 with a CRT, first and second
Load lock chambers 32 and 36 and etching chamber 32
Vacuum exhaust system similar to the conventional one (not shown)
And

【0012】図2は、エッチングチャンバ34近傍の部
分拡大正面図である。ウエハをエッチング処理するエッ
チングチャンバ34は、水平な下面を有する底壁39か
ら直立する側壁にウエハ搬入口40a及びウエハ搬出口
40bを有しており、第1、第2ロードロック室32、
36も同様である。また、エッチングチャンバ34は、
第1ゲートバルブ38Aを接続するに際し、高さ位置の
位置決めをするゲートバルブ位置決め装置42を備えて
おり、第2ゲートバルブ38B用のゲートバルブ位置決
め装置も同様に備えている。ゲートバルブ位置決め装置
42は、第1ゲートバルブ38Aに最短のチャンバ底壁
隅から下方に垂下する支柱44と、水平面からなる上向
きの位置決め面を有し、かつ位置決め面をチャンバ底壁
の下面に面接触するように貫通孔を介して支柱に掛止す
るようにした位置決め板45とを有する。支柱44の断
面形状は、どの部分でも全て同一の正六角形であり、位
置決め板の貫通孔の輪郭は、支柱44の横断面輪郭より
も僅かに小さく形成されている。
FIG. 2 is a partially enlarged front view of the vicinity of the etching chamber 34. The etching chamber 34 for etching a wafer has a wafer loading port 40a and a wafer loading port 40b on a side wall that stands upright from a bottom wall 39 having a horizontal lower surface.
36 is the same. Further, the etching chamber 34
When the first gate valve 38A is connected, a gate valve positioning device 42 for positioning the height position is provided, and a gate valve positioning device for the second gate valve 38B is similarly provided. The gate valve positioning device 42 has a column 44 that hangs downward from the shortest chamber bottom wall corner to the first gate valve 38A, and an upward positioning surface formed of a horizontal plane, and the positioning surface is located on the lower surface of the chamber bottom wall. And a positioning plate 45 which is hung on the column through the through-hole so as to be in contact therewith. The cross-sectional shape of the column 44 is the same regular hexagon in any part, and the outline of the through hole of the positioning plate is formed slightly smaller than the cross-sectional outline of the column 44.

【0013】第1ゲートバルブ38Aは、水平な下面4
6と垂直なゲート面48a、bとを有するバルブボディ
50と、バルブボディ50を貫通し、ゲート面48a、
bで開口する開閉自在なゲート口48a’、b’とを有
する。第1ゲートバルブ38Aは、エッチングチャンバ
34のウエハ搬入口40aと第1ゲートバルブ38Aの
ゲート面48bとを面接触させ、かつ底壁39の下面の
延長上に下面46を位置決めしたとき、ゲート口48
b’がウエハ搬入口40aに整合し、ゲート口48a’
が第1ロードロック室32のウエハ搬出口49に整合す
るように構成されている。尚、位置決めに際し、紙面に
垂直方向の位置決めは、プラズマエッチング装置30に
設けられているガイド(図示せず)により案内されて位
置決めされる構成である。また、第1、第2ゲートバル
ブ38A,Bの下面の横幅は、位置決め板の長手方向長
さよりも長い。
The first gate valve 38A has a horizontal lower surface 4A.
6, a valve body 50 having gate surfaces 48a, 48b perpendicular to 6 and a gate surface 48a,
It has openable and closable gate ports 48a 'and b' opening at b. The first gate valve 38A brings the wafer port 40a of the etching chamber 34 into contact with the gate surface 48b of the first gate valve 38A, and when the lower surface 46 is positioned on the extension of the lower surface of the bottom wall 39, the gate port is opened. 48
b ′ is aligned with the wafer entrance 40a, and the gate port 48a ′
Are configured to be aligned with the wafer outlet 49 of the first load lock chamber 32. In the positioning, the positioning in the direction perpendicular to the sheet is guided by a guide (not shown) provided in the plasma etching apparatus 30. The lateral width of the lower surface of each of the first and second gate valves 38A and 38B is longer than the length of the positioning plate in the longitudinal direction.

【0014】位置決め板45は、貫通孔53を中心にし
て、第1ゲートバルブ38Aの下に位置する第1板体5
4Aと、エッチングチャンバ34の下に位置する第2板
体54Bとに平面的に分割された2個の板体から構成さ
れる。図3(a)から(c)は、それぞれ、位置決め板
45の平面図、側面図及び矢視I−Iの正面図である。
上述の位置決め面は、第1、第2板体54A、Bのそれ
ぞれの上面55a、bから構成される。
The positioning plate 45 is provided with the first plate 5 positioned below the first gate valve 38A with the through hole 53 as a center.
4A and a second plate 54B located below the etching chamber 34. 3A to 3C are a plan view, a side view, and a front view taken along the line II of the positioning plate 45, respectively.
The above-mentioned positioning surface is constituted by upper surfaces 55a, b of the first and second plate bodies 54A, B, respectively.

【0015】第1板体54Aは、第2板体54Bに対向
する側面56aの両端部に、上面55aに平行なM4の
ネジ穴58a、bを有している。ネジ穴58a、bの中
心軸と上面55aとの間隔l1は、何れも5mmであり、
ネジ穴58a、bの互いの間隔l2は19mmである。ま
た、第1板体54Aの長手方向長さl3は22mmであ
る。第2板体54Bは、第1板体54Aに対向する側面
56bの両端部で、ネジ穴58a、bに対応する位置
に、ボルトねじの貫通する貫通孔60a、bを上面55
bに平行に備えている。貫通孔60a、bの中心軸と上
面55bとの間隔、及び貫通孔60a、bの互いの間隔
は、第1板体54Aと同じである。また、貫通孔60
a、bは、何れも、孔径dが3mmφで、孔長さl4が9m
mである。
The first plate 54A has M4 screw holes 58a, b parallel to the upper surface 55a at both ends of the side surface 56a facing the second plate 54B. The distance l 1 between the center axis of the screw holes 58a, b and the upper surface 55a is 5 mm,
Screw holes 58a, interval l 2 of mutual b is 19 mm. Also, the longitudinal length l 3 of the first plate member 54A is 22 mm. The second plate 54B is provided with through holes 60a and 60b through which bolt screws penetrate at upper ends 55 at positions corresponding to the screw holes 58a and b at both ends of the side surface 56b facing the first plate 54A.
b. The distance between the central axis of the through holes 60a and 60b and the upper surface 55b and the distance between the through holes 60a and 60b are the same as those of the first plate 54A. Also, the through hole 60
Each of a and b has a hole diameter d of 3 mmφ and a hole length l 4 of 9 m.
m.

【0016】また、第1、第2板体54A、Bを互いに
締め付けることに用いるボルトねじ62a、bは、先端
部分にM4の雄ネジが形成されており、ボルトねじ長さ
5は15mmである(図3(a)参照)。
[0016] The first and second plate members 54A, bolt screws 62a using B to be fastened to one another, b is a male screw of M4 is formed in the tip portion, the bolt thread length l 5 is 15mm (See FIG. 3A).

【0017】尚、貫通孔53の形状は、支柱44の断面
形状と同じでなくてもよく、12角形などの多角形でも
よい(以下、このような多角形にすることを、ユニオン
ジャック化すると記載)。
The shape of the through-hole 53 may not be the same as the cross-sectional shape of the column 44, but may be a polygon such as a dodecagon (hereinafter, such a polygon is referred to as a union jack). Described).

【0018】以下、プラズマエッチング装置30から取
り外した第1ゲートバルブ38Aをプラズマエッチング
装置30に接続する方法を説明する。エッチングチャン
バ34の底壁39の下面に第2板体54Bの上面55b
を面接触させて、支柱44が貫通孔53を貫通するよう
に、ボルトねじ62a、bにより第1、第2板体54
A、Bを締め付けて連結する(図2参照)。この結果、
第1、第2板体54A、Bは、支柱44に掛止され、か
つ位置決め板45を構成する。次いで、第1ゲートバル
ブ38Aの下面46が第1板体54Aの上面55aに面
接触するようにして第1ゲートバルブ38Aを位置決め
面に載せ、第1ロードロック室32のウエハ搬出口4
9、及びエッチングチャンバ34のウエハ搬入口40a
に、それぞれゲート口48a’、b’を整合させ、エッ
チングチャンバ34及び第1ロードロック室32に第1
ゲートバルブ54Aを接続する。
Hereinafter, a method of connecting the first gate valve 38A detached from the plasma etching apparatus 30 to the plasma etching apparatus 30 will be described. The upper surface 55b of the second plate 54B is provided on the lower surface of the bottom wall 39 of the etching chamber 34.
Are brought into surface contact with each other, and the first and second plate members 54 are bolted by the bolt screws 62a and 62b so that the columns 44 pass through the through holes 53.
A and B are tightened and connected (see FIG. 2). As a result,
The first and second plate members 54A and 54B are hooked on the columns 44 and constitute a positioning plate 45. Next, the first gate valve 38A is placed on the positioning surface so that the lower surface 46 of the first gate valve 38A is in surface contact with the upper surface 55a of the first plate 54A, and the wafer loading port 4 of the first load lock chamber 32 is placed.
9, and the wafer entrance 40a of the etching chamber 34
First, the gate ports 48a 'and b' are aligned with each other, and the first port is
The gate valve 54A is connected.

【0019】第2ゲートバルブ38Bの接続も、第1ゲ
ートバルブ38Aと同様にして行う。また、第1搬送機
構13が、下面は平面で、支柱44と同様の支柱を有し
ていると、本実施例と同様にして、第3ゲートバルブ3
8Cを第1搬送機構13及び第1ロードロック室32に
接続することができる。第4ゲートバルブ38Dについ
ても同様である。プラズマエッチング装置30を用いて
ウエハをエッチング処理するには、プラズマエッチング
装置10と同様にして行う。
The connection of the second gate valve 38B is made in the same manner as the first gate valve 38A. Further, when the first transport mechanism 13 has a flat bottom surface and the same support as the support 44, the third gate valve 3 is provided in the same manner as in the present embodiment.
8C can be connected to the first transport mechanism 13 and the first load lock chamber 32. The same applies to the fourth gate valve 38D. The etching of the wafer using the plasma etching apparatus 30 is performed in the same manner as the plasma etching apparatus 10.

【0020】本実施例により、第1ゲートバルブ38A
のゲート口48b’は、エッチングチャンバ34のウエ
ハ搬入口40aに、常に整合して接続される。よって、
気密性の良いように常に接続され、エッチングチャンバ
34や第1ロードロック室32を真空吸引をした際、リ
ークが発生することはない。また、接続不良による第1
及び第2ゲートバルブ38A、Bに動作不良が生じるこ
とはない。また、第1、第2ゲートバルブ38A、Bの
ゲート口48a、bをそれぞれ整合させることが容易な
ので、接続にかかる時間を従来に比べて大幅に短縮する
ことができる。更に、貫通孔53の形状をユニオンジャ
ック化することにより、様々な形状の支柱に対して位置
決め板45を用いることが可能になる。
According to this embodiment, the first gate valve 38A
Is always connected to the wafer carrying port 40a of the etching chamber 34 in an aligned manner. Therefore,
The connection is always performed so as to be airtight, and no leak occurs when the etching chamber 34 and the first load lock chamber 32 are evacuated. In addition, the first due to poor connection
Also, no malfunction occurs in the second gate valves 38A and 38B. In addition, since it is easy to align the gate ports 48a and 48b of the first and second gate valves 38A and 38B, the time required for connection can be significantly reduced as compared with the related art. Further, by forming the shape of the through hole 53 into a union jack, it becomes possible to use the positioning plate 45 for columns having various shapes.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明の第1発明によれば、ウエハ処理
装置は、水平な下面を有するチャンバと、チャンバ底壁
の下面の延長上にバルブボディの下面を位置決めしたと
き、ゲート口がウエハ搬入出口に整合するように構成さ
れたゲートバルブと、水平面からなる上向きの位置決め
面を有する位置決め板とを有するゲートバルブ位置決め
装置とを備えている。これにより、チャンバ底壁及びバ
ルブボディの下面に位置決め面を面接触させてゲートバ
ルブを位置決めすることにより、ゲート口をウエハ搬入
出口に常に整合させることができる。よって、気密性が
良いように常に接続され、しかも、ウエハがゲートバル
ブを良好に通過できないという搬送トラブルは、生じな
い。また、ゲートバルブを整合させることが容易なの
で、接続にかかる時間を従来に比べて大幅に短縮するこ
とができる。また、本発明の第2発明によれば、ウエハ
搬送機構は、水平な下面を有する底壁、及び底壁に直交
する面が形成された搬送路端を有するウエハ搬送体と、
ウエハ搬送体底壁の下面の延長上にバルブボディの下面
を位置決めしたとき、ゲート口下縁が搬送路端下縁に整
合するように構成されたゲートバルブと、水平面からな
る上向きの位置決め面を有するゲートバルブ位置決め装
置とを備えている。これにより、ウエハ搬送機構底壁及
びバルブボディ下面に位置決め面を面接触させてゲート
バルブを位置決めし、ゲート口下縁を搬送路端下縁に常
に整合させることができる。よって、ウエハがゲートバ
ルブを良好に通過できないという搬送トラブルは、生じ
ない。
According to the first aspect of the present invention, in a wafer processing apparatus, when a lower surface of a valve body is positioned on an extension of a lower surface of a chamber having a horizontal lower surface and a lower surface of a chamber bottom wall, a gate opening is formed on a wafer. A gate valve positioning device having a gate valve configured to be aligned with the loading / unloading port and a positioning plate having an upward positioning surface formed of a horizontal plane is provided. Thus, by positioning the gate valve by bringing the positioning surface into surface contact with the bottom wall of the chamber and the lower surface of the valve body, the gate port can always be aligned with the wafer loading / unloading port. Therefore, there is no transfer trouble that the wafers are always connected with good airtightness and the wafer cannot pass through the gate valve satisfactorily. In addition, since it is easy to align the gate valves, the time required for connection can be significantly reduced as compared with the related art. Further, according to the second invention of the present invention, the wafer transfer mechanism includes a wafer transfer body having a bottom wall having a horizontal lower surface, and a transfer path end having a surface orthogonal to the bottom wall.
When the lower surface of the valve body is positioned on the extension of the lower surface of the bottom wall of the wafer transfer body, the gate valve configured so that the lower edge of the gate opening is aligned with the lower edge of the transfer path end, and the upward positioning surface formed of a horizontal plane. And a gate valve positioning device. This makes it possible to position the gate valve by bringing the positioning surface into surface contact with the bottom wall of the wafer transfer mechanism and the lower surface of the valve body, and to constantly align the lower edge of the gate opening with the lower edge of the transfer path end. Therefore, the transfer trouble that the wafer cannot pass through the gate valve properly does not occur.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例のプラズマエッチング装置の部分正面図
である。
FIG. 1 is a partial front view of a plasma etching apparatus according to an embodiment.

【図2】実施例のプラズマエッチング装置のエッチング
チャンバ近傍の部分拡大正面図である。
FIG. 2 is a partially enlarged front view of the vicinity of an etching chamber of the plasma etching apparatus according to the embodiment.

【図3】図3(a)から(c)は、それぞれ、実施例の
プラズマエッチング装置の位置決め板の平面図、側面図
及び矢視I−Iの正面図である。
FIGS. 3A to 3C are a plan view, a side view, and a front view taken along a line II of a positioning plate of the plasma etching apparatus of the embodiment, respectively.

【図4】従来のウエハ処理装置の一例として示すプラズ
マエッチング装置の部分正面図である。
FIG. 4 is a partial front view of a plasma etching apparatus shown as an example of a conventional wafer processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10……プラズマエッチング装置、12……第1キャリ
ア、13……第1搬送機構、14……第1ロードロック
室、16……エッチングチャンバ、18……第2ロード
ロック室、19……第2搬送機構、20……第2キャリ
ア、24A……第1ゲートバルブ、24B……第2ゲー
トバルブ、26a、b……ゲート口、28A……第3ゲ
ートバルブ、28B……第4ゲートバルブ、29……C
RT付きコントロールパネル、30……プラズマエッチ
ング装置、32……第1ロードロック室、34……エッ
チングチャンバ、36……第2ロードロック室、38A
〜D……第1〜第4ゲートバルブ、39……底壁、40
a……ウエハ搬入口、40b……ウエハ搬出口、42…
…ゲートバルブ位置決め装置、44……支柱、45……
位置決め板、46……下面、48a、b……ゲート面、
48a’、b’……ゲート口、50……バルブボディ、
49……ウエハ搬出口、53……貫通孔、54A、B…
…第1、第2板体、55a、b……上面、56a、b…
…側面、58a、b……ネジ穴、60a、b……貫通
孔、62a、b……ボルトねじ。
10 plasma etching apparatus, 12 first carrier, 13 first transport mechanism, 14 first load lock chamber, 16 etching chamber, 18 second load lock chamber, 19 2 transport mechanism, 20 second carrier, 24A first gate valve, 24B second gate valve, 26a, b gate opening, 28A third gate valve, 28B fourth gate valve , 29 ... C
Control panel with RT, 30 Plasma etching device, 32 First load lock chamber, 34 Etching chamber, 36 Second load lock chamber, 38A
... D ... first to fourth gate valves, 39 ... bottom wall, 40
a wafer loading port, 40b wafer loading port, 42
... Gate valve positioning device, 44 ... Post, 45 ...
Positioning plate, 46... Lower surface, 48a, b.
48a ', b' ... gate opening, 50 ... valve body,
49 wafer outlet, 53 through hole, 54A, B
... First and second plate bodies, 55a, b ... Top surface, 56a, b ...
... side surface, 58a, b ... screw hole, 60a, b ... through hole, 62a, b ... bolt screw.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 水平な下面を有する底壁から直立する側
壁にウエハ搬入出口を有するチャンバと、 水平な下面と垂直なゲート面とを有するバルブボディ
と、バルブボディを貫通し、ゲート面で開口する開閉自
在なゲート口とを有し、チャンバの側壁とゲートバルブ
のゲート面とを面接触させ、かつチャンバ底壁の下面の
延長上にバルブボディの下面を位置決めしたとき、ゲー
ト口がウエハ搬入出口に整合するように構成されたゲー
トバルブと、 チャンバ底壁から下方に垂下する支柱と、水平面からな
る上向きの位置決め面を有し、かつ位置決め面をチャン
バ底壁の下面に面接触するように貫通孔を介して支柱に
掛止するようにした位置決め板とを有する、ゲートバル
ブ位置決め装置とを備え、 チャンバ底壁に面接触した位置決め板の位置決め面上に
バルブボディの下面を位置決めすることにより、ゲート
口をウエハ搬入出口に整合させるようにしたことを特徴
とするウエハ処理装置。
1. A chamber having a wafer loading / unloading port on a side wall erecting from a bottom wall having a horizontal lower surface, a valve body having a horizontal lower surface and a vertical gate surface, an opening penetrating the valve body and opening at the gate surface. A gate port that can be opened and closed, makes the side wall of the chamber come into surface contact with the gate surface of the gate valve, and when the lower surface of the valve body is positioned on an extension of the lower surface of the bottom wall of the chamber, the gate port is loaded with a wafer. A gate valve configured to be aligned with the outlet; a post hanging downward from the chamber bottom wall; and an upward positioning surface formed of a horizontal plane, and the positioning surface is in surface contact with the lower surface of the chamber bottom wall. A gate valve positioning device having a positioning plate hooked to the support column through the through hole, and positioning the positioning plate in surface contact with the chamber bottom wall. A wafer processing apparatus characterized in that a gate port is aligned with a wafer loading / unloading port by positioning a lower surface of a valve body on a surface.
【請求項2】 位置決め板の貫通孔の輪郭が、支柱の横
断面輪郭より小さく形成され、 位置決め板が、貫通孔を中心にしてゲートバルブ下に位
置する第1板体と、チャンバ下に位置する第2板体とに
平面的に分割された2個の板体から構成され、かつ貫通
孔の両側で第2板体を位置決め面に平行な方向に貫通し
て第1板体に達する少なくとも2個のネジ穴を有し、ネ
ジ穴にネジをねじ込んで第2板体を第1板体に連結し、
貫通孔を介して支柱を締め付け、係合させるようにした
ことを特徴とする請求項1に記載のウエハ処理装置。
2. A profile of a through hole of a positioning plate is formed smaller than a cross-sectional profile of a column, and the positioning plate is located below a gate valve with the through hole as a center, and is positioned below a chamber. At least two plate members divided in a plane into a second plate member, and penetrating the second plate member on both sides of the through hole in a direction parallel to the positioning surface to reach the first plate member. Having two screw holes, connecting the second plate to the first plate by screwing the screws into the screw holes,
2. The wafer processing apparatus according to claim 1, wherein the column is tightened and engaged via the through hole.
【請求項3】垂下する支柱に代えて、チャンバ近傍に直
立する棒体を備えていることを特徴とする請求項1又は
2に記載のウエハ処理装置。
3. The wafer processing apparatus according to claim 1, further comprising a rod standing upright in the vicinity of the chamber, instead of the hanging column.
【請求項4】 水平な下面を有する底壁と、底壁に直交
する面が形成された搬送路端とを有するウエハ搬送体
と、 水平な下面と垂直なゲート面とを有するバルブボディ
と、バルブボディを貫通し、ゲート面で開口する開閉自
在なゲート口とを有し、ウエハ搬送体の搬送路端とバル
ブボディのゲート面とを面接触させ、かつウエハ搬送体
底壁の下面の延長上にバルブボディの下面を位置決めし
たとき、ゲート口下縁が搬送路端下縁に整合するように
構成されたゲートバルブと、 ウエハ搬送体底壁から下方に垂下する支柱と、水平面か
らなる上向きの位置決め面を有し、かつ位置決め面をウ
エハ搬送体底壁の下面に面接触するように貫通孔を介し
て支柱に掛止するようにした位置決め板とを有する、ゲ
ートバルブ位置決め装置とを備え、 ウエハ搬送体底壁に面接触した位置決め板の位置決め面
上にバルブボディの下面を位置決めすることにより、ゲ
ート口下縁を搬送路端下縁に整合させるようにしたこと
を特徴とするウエハ搬送機構。
4. A wafer carrier having a bottom wall having a horizontal lower surface, a transfer path end having a surface perpendicular to the bottom wall, a valve body having a horizontal lower surface and a vertical gate surface, An openable and closable gate port that penetrates through the valve body and opens at the gate surface, makes the transfer path end of the wafer transfer body and the gate surface of the valve body make surface contact, and extends the lower surface of the bottom wall of the wafer transfer body. When the lower surface of the valve body is positioned above, the gate valve is configured so that the lower edge of the gate opening aligns with the lower edge of the transfer path end, a support hanging downward from the bottom wall of the wafer transfer body, and an upward facing horizontal surface A positioning plate having a positioning surface, and having a positioning plate hooked to a support via a through hole so that the positioning surface is in surface contact with the lower surface of the bottom wall of the wafer carrier. , Wafer transport A wafer transfer mechanism, wherein a lower edge of a gate opening is aligned with a lower edge of a transfer path end by positioning a lower surface of a valve body on a positioning surface of a positioning plate that is in surface contact with a feeder bottom wall.
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