JPH1025333A - Epoxy resin composition for sealing semiconductor - Google Patents

Epoxy resin composition for sealing semiconductor

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JPH1025333A
JPH1025333A JP18078696A JP18078696A JPH1025333A JP H1025333 A JPH1025333 A JP H1025333A JP 18078696 A JP18078696 A JP 18078696A JP 18078696 A JP18078696 A JP 18078696A JP H1025333 A JPH1025333 A JP H1025333A
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JP
Japan
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epoxy resin
weight
terpene phenol
terpene
resin
Prior art date
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Pending
Application number
JP18078696A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuyuki Murata
保幸 村田
Norio Michiiwa
典生 通岩
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Yuka Shell Epoxy KK
Original Assignee
Yuka Shell Epoxy KK
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Publication date
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Publication of JPH1025333A publication Critical patent/JPH1025333A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain the subject new composition comprising a specific epoxy resin, a curing agent, an inorganic filler and a curing accelerator, capable of giving cured products having excellent heat resistant and low hygroscopicity, and useful for sealing semiconductors. SOLUTION: This epoxy resin composition contains (A) an epoxy resin having an epoxy equivalent of 220-370g/eq and obtained by the reaction of (i) a terpene phenolic resin having a phenolic hyroxyl group equivalent of 150-280g/eq with (ii) an epihalohydrin, (B) a phenolic and/or modified phenolic epoxy resin curing agent, (C) an inorganic filler in an amount of 60-95wt.% based on the whole amount of the composition, and (D) a curing accelerator as essential components. The terpene phenolic resin (i) is produced from (a) 20-80wt.% of a terpene phenolic compound of formula I [R<1> is a 1-10C hydrocarbon, a (substituted) aromatic, a (substituted) aralkyl, an alkoxy, a halogen; (m) is 0-2], (b) 10-60wt.% of a terpene phenolic compound of formula II [R<2> is the same as R<1> ; (n) is 0-2], and (c) 0-40wt.% of one or more other terpene phenolic compounds.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物に関する。詳しくは、本発明は、特定の
テルペンフェノール樹脂とエピハロヒドリンとの反応に
より得られるエポキシ樹脂を特定のエポキシ樹脂硬化
剤、無機充填剤及び硬化促進剤に配合してなる、耐熱性
及び低吸湿性に優れた硬化物を与える新規な半導体封止
用エポキシ樹脂組成物に関する。
[0001] The present invention relates to an epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor. More specifically, the present invention provides an epoxy resin obtained by a reaction between a specific terpene phenolic resin and epihalohydrin in a specific epoxy resin curing agent, an inorganic filler and a curing accelerator. The present invention relates to a novel epoxy resin composition for semiconductor encapsulation that gives an excellent cured product.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体素子の高集積化に従って、
半導体素子の封止材料に対して要求される諸特性は厳し
くなり、特にハンダ浴浸漬時の耐クラック性が重要な課
題となっている。しかし、現在一般に用いられているエ
ポキシ樹脂組成物では、要求特性を十分に満足できなく
なって来た。即ち、半導体装置の高集積化が進み、半導
体素子の大型化が著しいが、その反面パッケージそのも
のは小型化、薄型化している。また、半導体装置の実装
も表面実装へと移行している。表面実装においては半導
体装置がハンダ浴に直接浸漬され高温に晒らされる際
に、吸湿された水分が膨張し、パッケージ全体に大きな
応力が掛かり、封止材にクラックが入り易い。そのため
に、耐ハンダクラック性の良好な封止材には、高い耐熱
性(即ち、高いガラス転移温度)及び低吸湿性が要求さ
れ、現在主として用いられているクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂をベースとした封止材では、耐熱性及び
低吸湿性共十分なものとは言えなくなって来た。
2. Description of the Related Art In recent years, as semiconductor devices have become more highly integrated,
Various characteristics required for a sealing material for a semiconductor element have become severe, and crack resistance during immersion in a solder bath has become an important issue. However, epoxy resin compositions generally used at present have not been able to sufficiently satisfy required characteristics. That is, semiconductor devices have been highly integrated and semiconductor elements have been significantly increased in size. On the other hand, packages themselves have been reduced in size and thickness. In addition, the mounting of semiconductor devices has also shifted to surface mounting. In surface mounting, when a semiconductor device is directly immersed in a solder bath and exposed to a high temperature, the moisture absorbed expands, a large stress is applied to the entire package, and cracks are easily formed in the sealing material. Therefore, a sealing material having good solder crack resistance is required to have high heat resistance (that is, a high glass transition temperature) and low moisture absorption, and is based on a cresol novolac type epoxy resin which is mainly used at present. In the case of a sealing material, both heat resistance and low hygroscopicity have become insufficient.

【0003】エポキシ樹脂及び硬化剤のそれぞれについ
ては、高耐熱化及び低吸湿化の研究が広く行われてお
り、いろいろと提案がなされている。例えば特開平5−
301946号公報又は特開平4−248828号公報
には、ジシクロペンタジエン骨格や、キシレン骨格等の
疎水基を導入したエポキシ樹脂や硬化剤が提案されてお
り、また、特開昭61−47725号公報には、テトラ
メチルビフェノール型エポキシ樹脂を用いることが提案
されている。
[0003] With respect to each of the epoxy resin and the curing agent, studies on high heat resistance and low moisture absorption have been widely conducted, and various proposals have been made. For example, Japanese Unexamined Patent Publication
JP-A-301946 or JP-A-4-248828 proposes an epoxy resin or a curing agent into which a hydrophobic group such as a dicyclopentadiene skeleton or a xylene skeleton has been introduced, and JP-A-61-47725. It has been proposed to use a tetramethyl biphenol type epoxy resin.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記公
報で提案されたエポキシ樹脂についてはその低吸湿性効
果は十分とは言えず、また、耐熱性も劣るため耐ハンダ
クラック性も十分には改良されていない。本発明の課題
は、耐熱性及び低吸湿性に優れた硬化物を与える新規な
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供することにあ
る。
However, the epoxy resin proposed in the above publication cannot be said to have a sufficiently low hygroscopic effect, and the heat resistance is inferior, so that the solder crack resistance is sufficiently improved. Not. An object of the present invention is to provide a novel epoxy resin composition for semiconductor encapsulation that gives a cured product having excellent heat resistance and low moisture absorption.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者等は、前記の課
題を解決するために種々研究を重ねた結果、特定のテル
ペンフェノール樹脂とエピハロヒドリンとから製造され
たエポキシ樹脂を特定のエポキシ樹脂硬化剤、無機充填
剤及び硬化促進剤と配合してなるエポキシ樹脂組成物が
耐熱性及び低吸湿性に優れた硬化物を与えることを見出
し、本発明を完成した。
The present inventors have conducted various studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have found that an epoxy resin produced from a specific terpene phenol resin and epihalohydrin can be cured with a specific epoxy resin. It has been found that an epoxy resin composition mixed with an agent, an inorganic filler and a curing accelerator gives a cured product having excellent heat resistance and low moisture absorption, and has completed the present invention.

【0006】即ち、本発明は、 1.(a)(1)下記一般式(I)で表わされるテルペ
ンフェノール化合物20〜80重量%、(2)下記一般
式(II)で表わされるテルペンフェノール化合物10〜
60重量%及び(3)その他の構造のテルペンフェノー
ル化合物0〜40重量%からなる、フェノール性水酸基
当量150〜280g/eqを有するテルペンフェノー
ル樹脂と、エピハロヒドリンとの反応により得られるエ
ポキシ当量220〜370g/eqを有するエポキシ樹
脂、 (b)フェノール系及び/又は変性フェノール系エポキ
シ樹脂硬化剤、 (c)該組成物総量の60〜95重量%の無機充填剤及
び (d)硬化促進剤 を必須成分として配合してなる半導体封止用エポキシ樹
脂組成物、
That is, the present invention provides: (A) (1) 20 to 80% by weight of a terpene phenol compound represented by the following general formula (I), (2) 10 to 10% by weight of a terpene phenol compound represented by the following general formula (II)
Epoxy equivalents 220 to 370 g obtained by reacting a terpene phenol resin having a phenolic hydroxyl equivalent of 150 to 280 g / eq with epihalohydrin, comprising 60% by weight and 0 to 40% by weight of a terpene phenol compound having another structure (3). / Eq, (b) a phenolic and / or modified phenolic epoxy resin curing agent, (c) an inorganic filler of 60 to 95% by weight of the total amount of the composition, and (d) a curing accelerator. Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation formulated as

【0007】[0007]

【化3】 Embedded image

【0008】(式中、R1 は、炭素数1〜10の炭化水
素基、置換基を有してもよい芳香族基、置換基を有して
もよいアラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を
表わし、それぞれ同一でも異なってもよい。また、m
は、0ないし2の整数であり、それぞれ同一でも異なっ
てもよい)
(Wherein R 1 represents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, an aromatic group which may have a substituent, an aralkyl group which may have a substituent, an alkoxy group or a halogen atom. And may be the same or different.
Is an integer of 0 to 2, and may be the same or different.

【0009】[0009]

【化4】 Embedded image

【0010】(式中、R2 は、炭素数1〜10の炭化水
素基、置換基を有してもよい芳香族基、置換基を有して
もよいアラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を
表わし、それぞれ同一でも異なってもよい。また、n
は、0ないし2の整数であり、それぞれ同一でも異なっ
てもよい)
(Wherein R 2 represents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, an aromatic group which may have a substituent, an aralkyl group which may have a substituent, an alkoxy group or a halogen atom. And may be the same or different.
Is an integer of 0 to 2, and may be the same or different.

【0011】2.(a)成分として、(1)一般式
(I)においてm=0であるテルペンフェノール化合物
20〜80重量%、(2)一般式(II)においてn=0
であるテルペンフェノール化合物10〜60重量%及び
(3)その他の構造のテルペンフェノール化合物0〜4
0重量%からなる、フェノール性水酸基当量150〜2
40g/eqを有するテルペンフェノール樹脂と、エピ
ハロヒドリンとの反応により得られるエポキシ当量22
0〜310g/eqを有するエポキシ樹脂を用いる1項
に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
2. As the component (a), (1) 20 to 80% by weight of a terpene phenol compound where m = 0 in the general formula (I), and (2) n = 0 in the general formula (II)
10 to 60% by weight of a terpene phenol compound having the following structure:
A phenolic hydroxyl equivalent of 150 to 2
An epoxy equivalent of 22 obtained by reacting a terpene phenol resin having 40 g / eq with epihalohydrin
2. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to item 1, wherein an epoxy resin having 0 to 310 g / eq is used.

【0012】3.(a)成分として、(1)一般式
(I)においてR1 がメチル基であり、mが1又は2で
あるテルペンフェノール化合物20〜80重量%、
(2)一般式(II)においてR2 がメチル基であり、n
が1又は2であるテルペンフェノール化合物10〜60
重量%及び(3)その他の構造のテルペンフェノール化
合物0〜40重量%からなるフェノール性水酸基当量1
60〜260g/eqを有するテルペンフェノール樹脂
と、エピハロヒドリンとの反応により得られるエポキシ
当量230〜350g/eqを有するエポキシ樹脂を用
いる1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
3. As the component (a), (1) 20 to 80% by weight of a terpene phenol compound represented by the general formula (I) wherein R 1 is a methyl group and m is 1 or 2;
(2) In the general formula (II), R 2 is a methyl group;
Is 1 or 2, and the terpene phenol compound is 10 to 60.
Phenolic hydroxyl equivalent of 1% by weight and (3) 0 to 40% by weight of a terpene phenol compound having another structure.
2. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to item 1, wherein an epoxy resin having an epoxy equivalent of 230 to 350 g / eq obtained by reacting a terpene phenol resin having 60 to 260 g / eq with epihalohydrin is used.

【0013】4.(b)成分として、テルペンフェノー
ル樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジ
エンフェノール樹脂、及びフェノール樹脂類のフェノー
ル性水酸基の全部又は一部をエステル化することにより
得られる活性エステル変性フェノール樹脂から選ばれた
少なくとも一種のエポキシ樹脂硬化剤を用いる1ないし
3項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物、
4. The component (b) is selected from terpene phenol resins, phenol aralkyl resins, dicyclopentadiene phenol resins, and active ester-modified phenol resins obtained by esterifying all or part of the phenolic hydroxyl groups of phenol resins. The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 3, wherein at least one epoxy resin curing agent is used.

【0014】5.(c)成分として、該組成物総量の7
0〜93重量%の破砕型及び/又は球状の、溶融及び/
又は結晶シリカ粉末充填剤を用いる1ないし4項のいず
れかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、にあ
る。以下、本発明について詳細に説明する。
5. As the component (c), 7 of the total amount of the composition
0-93% by weight of crushed and / or spherical, molten and / or
Or the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of items 1 to 4, wherein a crystalline silica powder filler is used. Hereinafter, the present invention will be described in detail.

【0015】本発明に用いられる(a)成分のエポキシ
樹脂は、(1)下記一般式(I)で表わされるテルペン
フェノール化合物20〜80重量%、(2)下記一般式
(II)で表わされるテルペンフェノール化合物10〜6
0重量%及び(3)その他の構造のテルペンフェノール
化合物0〜40重量%からなる、フェノール性水酸基当
量150〜280g/eqを有するテルペンフェノール
樹脂とエピハロヒドリンとの反応により得られるエポキ
シ当量220〜370g/eqを有するエポキシ樹脂で
ある。
The epoxy resin (a) used in the present invention comprises (1) 20 to 80% by weight of a terpene phenol compound represented by the following general formula (I), and (2) a terpene phenol compound represented by the following general formula (II). Terpene phenol compounds 10 to 6
220 to 370 g / epoxy equivalent obtained by the reaction of a terpene phenol resin having a phenolic hydroxyl equivalent of 150 to 280 g / eq and epihalohydrin, which comprises 0 to 40% by weight of a terpene phenol compound having 0% by weight and (3) other structures. It is an epoxy resin having eq.

【0016】[0016]

【化5】 Embedded image

【0017】(式中、R1 は、炭素数1〜10の炭化水
素基、置換基を有してもよい芳香族基、置換基を有して
もよいアラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を
表わし、それぞれ同一でも異なってもよい。また、m
は、0ないし2の整数であり、それぞれ同一でも異なっ
てもよい)
(Wherein R 1 represents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, an aromatic group which may have a substituent, an aralkyl group which may have a substituent, an alkoxy group or a halogen atom. And may be the same or different.
Is an integer of 0 to 2, and may be the same or different.

【0018】[0018]

【化6】 Embedded image

【0019】(式中、R2 は、炭素数1〜10の炭化水
素基、置換基を有してもよい芳香族基、置換基を有して
もよいアラルキル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を
表わし、それぞれ同一でも異なってもよい。また、n
は、0ないし2の整数であり、それぞれ同一でも異なっ
てもよい)
(Wherein R 2 represents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, an aromatic group which may have a substituent, an aralkyl group which may have a substituent, an alkoxy group or a halogen atom. And may be the same or different.
Is an integer of 0 to 2, and may be the same or different.

【0020】原料のテルペンフェノール樹脂は、テルペ
ン化合物をフェノール化合物に酸性触媒の存在下で付加
反応させることにより得られる。原料テルペン化合物と
しては、テルペン炭化水素、テルペンアルコール、テル
ペンアルデヒド等が挙げられるが、この中でもリモネ
ン、ジペンテン、テルピノーレン、ピネン、テルピネ
ン、メンタジエン等の環状テルペンが好ましい。また、
原料フェノール化合物としては、フェノール、クレゾー
ル、キシレノール、エチルフェノール、プロピルフェノ
ール、ブチルフェノール、ブチルクレゾール、フェニル
フェノール、ベンジルフェノール、メトキシフェノー
ル、ブロモフェノール等が挙げられるが、この中でもフ
ェノール、クレゾール、キシレノールが好ましい。
The terpene phenol resin as a raw material can be obtained by adding a terpene compound to a phenol compound in the presence of an acidic catalyst. Examples of the starting terpene compound include terpene hydrocarbons, terpene alcohols, terpene aldehydes, etc. Among them, cyclic terpenes such as limonene, dipentene, terpinolene, pinene, terpinene, and mentadien are preferable. Also,
Examples of the raw material phenol compound include phenol, cresol, xylenol, ethyl phenol, propyl phenol, butyl phenol, butyl cresol, phenyl phenol, benzyl phenol, methoxy phenol, bromo phenol and the like. Among them, phenol, cresol and xylenol are preferable.

【0021】テルペン化合物とフェノール化合物との付
加反応は、テルペン化合物1モルに対し、フェノール化
合物を1〜10モル、好ましくは1.5〜6モル使用
し、酸性触媒の存在下で40〜160℃の温度で1〜1
0時間行う。その酸性触媒としては、塩酸、硫酸、燐
酸、ポリ燐酸、三弗化硼素又はその錯体、活性白土等が
挙げられる。その触媒は、通常テルペン化合物とフェノ
ール化合物の合計量に対して、1.5〜6重量%使用す
る。
The addition reaction between the terpene compound and the phenol compound is carried out by using the phenol compound in an amount of 1 to 10 mol, preferably 1.5 to 6 mol, per mol of the terpene compound, at 40 to 160 ° C. in the presence of an acidic catalyst. At a temperature of 1 to 1
Perform for 0 hours. Examples of the acidic catalyst include hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, polyphosphoric acid, boron trifluoride or a complex thereof, and activated clay. The catalyst is usually used in an amount of 1.5 to 6% by weight based on the total amount of the terpene compound and the phenol compound.

【0022】反応溶媒は使用しなくてもよいが、通常は
芳香族炭化水素、アルコール類、エーテル類等の溶媒が
用いられる。得られたテルペンフェノール樹脂の中で
も、フェノールとテルペン化合物との反応で得られたフ
ェノール性水酸基当量が150〜240g/eqの樹
脂、或いはクレゾール又はキシレノールとテルペン化合
物との反応で得られたフェノール性水酸基当量が160
〜260g/eqの樹脂が特に好ましい。そのフェノー
ル性水酸基当量はJIS K0070に示されるアセチ
ル化法により測定することができる。目的の構造及び組
成の樹脂を得るためには、フェノール化合物とテルペン
化合物の使用比率や触媒の種類、反応条件等を調整する
ことが必要である。また、製造後の樹脂を蒸留、抽出、
再結晶等の方法で処理して、目的の性状にしてもよい。
The reaction solvent may not be used, but usually a solvent such as an aromatic hydrocarbon, an alcohol or an ether is used. Among the obtained terpene phenolic resins, resins having a phenolic hydroxyl equivalent of 150 to 240 g / eq obtained by the reaction of phenol and terpene compound, or phenolic hydroxyl obtained by reaction of cresol or xylenol with the terpene compound Equivalent to 160
Particularly preferred is a resin of ~ 260 g / eq. The phenolic hydroxyl group equivalent can be measured by the acetylation method shown in JIS K0070. In order to obtain a resin having a desired structure and composition, it is necessary to adjust the use ratio of the phenol compound and the terpene compound, the type of the catalyst, the reaction conditions, and the like. In addition, the resin after production is distilled, extracted,
It may be processed by a method such as recrystallization to obtain desired properties.

【0023】次に、このテルペンフェノール樹脂と、エ
ピハロヒドリンとをアルカリ金属水酸化物の存在下で反
応させれば、目的のエポキシ樹脂が得られる。その反応
の代表的な態様例を、以下に詳述する。先ず、テルペン
フェノール樹脂をそのフェノール性水酸基1モル当り2
〜20モルに相当する量のエピハロヒドリンに溶解させ
て均一な溶液とする。次いで、その溶液を撹拌しながら
これにフェノール性水酸基1モル当り0.8〜2モル量
のアルカリ金属水酸化物を固体又は水溶液で加えて反応
させる。この反応は、常圧下又は減圧下で行わせること
ができ、反応温度は、通常、常圧下の反応の場合に約3
0〜105℃であり、減圧下の反応の場合に約30〜8
0℃である。反応中は、必要に応じて所定の温度を保持
しながら反応液を共沸させ、揮発する蒸気を冷却して得
られた凝縮液を油/水分離し、水分を除いた油分を反応
系に戻す方法によって反応系より脱水する。アルカリ金
属水酸化物の添加は、急激な反応を押さえるために、
0.5〜8時間かけて少量ずつを断続的若しくは連続的
に添加する。その全反応時間は、通常、1〜10時間程
度である。反応終了後、不溶性の副生塩を濾別して除く
か、水洗により除去した後、未反応のエピハロヒドリン
を減圧留去して除くと、目的のエポキシ樹脂が得られ
る。
Next, by reacting the terpene phenol resin with epihalohydrin in the presence of an alkali metal hydroxide, the desired epoxy resin can be obtained. Representative examples of the reaction are described in detail below. First, a terpene phenolic resin is added in an amount of 2 per mole of the phenolic hydroxyl group.
Dissolve in epihalohydrin in an amount corresponding to 20 mol to make a homogeneous solution. Then, while stirring the solution, 0.8 to 2 moles of alkali metal hydroxide per mole of phenolic hydroxyl group is added as a solid or an aqueous solution and reacted. This reaction can be carried out under normal pressure or reduced pressure, and the reaction temperature is usually about 3 when the reaction is carried out under normal pressure.
0 to 105 ° C. and about 30 to 8 in the case of a reaction under reduced pressure.
0 ° C. During the reaction, the reaction solution is azeotroped while maintaining a predetermined temperature as needed, and the condensate obtained by cooling the volatilizing vapor is separated into oil / water, and the oil component from which water has been removed is fed to the reaction system. It is dehydrated from the reaction system by the returning method. The addition of alkali metal hydroxide suppresses the rapid reaction,
Add in small portions intermittently or continuously over 0.5-8 hours. The total reaction time is usually about 1 to 10 hours. After completion of the reaction, insoluble by-product salts are removed by filtration or removed by washing with water, and unreacted epihalohydrin is removed by distillation under reduced pressure to obtain the desired epoxy resin.

【0024】この反応におけるエピハロヒドリンとして
は、通常、エピクロルヒドリン又はエピブロモヒドリン
が用いられ、また、アルカリ金属水酸化物としては、通
常、苛性ソーダ又は苛性カリが用いられる。また、この
反応においては、テトラメチルアンモニウムクロリド、
テトラエチルアンモニウムブロミド等の第四級アンモニ
ウム塩;ベンジルジメチルアミン、2,4,6−(トリ
スジメチルアミノメチル)フェノール等の第三級アミ
ン;2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニ
ルイミダゾール等のイミダゾール類;エチルトリフェニ
ルホスホニウムイオダイド等のホスホニウム塩;トリフ
ェニルホスフィン等のホスフィン類等の触媒を用いても
よい。
In this reaction, epichlorohydrin or epibromohydrin is usually used as epihalohydrin, and caustic soda or potassium hydroxide is usually used as alkali metal hydroxide. In this reaction, tetramethylammonium chloride,
Quaternary ammonium salts such as tetraethylammonium bromide; tertiary amines such as benzyldimethylamine and 2,4,6- (trisdimethylaminomethyl) phenol; 2-ethyl-4-methylimidazole and 2-phenylimidazole Catalysts such as imidazoles; phosphonium salts such as ethyltriphenylphosphonium iodide; and phosphines such as triphenylphosphine may be used.

【0025】更に、この反応においては、エタノール、
イソプロパノール等のアルコール類;アセトン、メチル
エチルケトン等のケトン類;ジオキサン、エチレングリ
コールジメチルエーテル等のエーテル類;ジメチルスル
ホキシド、ジメチルホルムアミド等の非プロトン性極性
溶媒等の不活性な有機溶媒を使用してもよい。更に、上
記のようにして得られたエポキシ樹脂の可鹸化ハロゲン
量が多すぎる場合には、再処理して、十分に可鹸化ハロ
ゲン量が低下した精製エポキシ樹脂を得ることができ
る。即ち、その粗製エポキシ樹脂を、イソプロパノー
ル、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ト
ルエン、キシレン、ジオキサン、プロピレングリコール
モノメチルエーテル、ジメチルスルホキシド等の不活性
な有機溶媒に再溶解し、アルカリ金属水酸化物を固体又
は水溶液で加えて約30〜120℃の温度で、0.5〜
8時間再閉環反応を行った後、水洗等の方法で過剰のア
ルカリ金属水酸化物や副生塩を除去し、更に有機溶媒を
減圧留去して除くと、精製されたエポキシ樹脂が得られ
る。
Further, in this reaction, ethanol,
Alcohols such as isopropanol; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as dioxane and ethylene glycol dimethyl ether; and inert organic solvents such as aprotic polar solvents such as dimethyl sulfoxide and dimethylformamide may be used. Further, when the amount of the saponified halogen in the epoxy resin obtained as described above is too large, the epoxy resin can be re-processed to obtain a purified epoxy resin in which the amount of the saponified halogen is sufficiently reduced. That is, the crude epoxy resin is redissolved in an inert organic solvent such as isopropanol, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, xylene, dioxane, propylene glycol monomethyl ether, dimethyl sulfoxide, and the alkali metal hydroxide is solid or aqueous solution. At a temperature of about 30 to 120 ° C,
After performing the ring closure reaction for 8 hours, excess alkali metal hydroxide and by-product salts are removed by a method such as water washing, and the organic solvent is removed by distillation under reduced pressure to obtain a purified epoxy resin. .

【0026】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
で用いられるエポキシ樹脂は、上記のように製造された
エポキシ当量が220〜370g/eqであるエポキシ
樹脂であるが、フェノールとテルペン化合物との反応で
得られたテルペンフェノール樹脂とエピハロヒドリンと
の反応で得られるエポキシ当量が220〜310g/e
qであるエポキシ樹脂、或いはクレゾール又はキシレノ
ールとテルペン化合物との反応で得られたテルペンフェ
ノール樹脂とエピハロヒドリンとの反応で得られるエポ
キシ当量が230〜350g/eqであるエポキシ樹脂
が好ましい。
The epoxy resin used in the epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor of the present invention is an epoxy resin having an epoxy equivalent of 220 to 370 g / eq produced as described above. The epoxy equivalent obtained by the reaction between the terpene phenol resin obtained by the reaction and epihalohydrin is 220 to 310 g / e.
The epoxy resin represented by q is preferable, or the epoxy resin obtained by reacting terpene phenol resin obtained by reaction of cresol or xylenol with terpene compound with epihalohydrin has an epoxy equivalent of 230 to 350 g / eq.

【0027】なお、エポキシ当量については、JIS
K7236に示される過塩素酸滴定法により測定するこ
とができる。このエポキシ樹脂の製造に当っては、最終
的に得られるエポキシ樹脂のエポキシ当量が目的の範囲
に入るように各原料の種類、使用割合、製造条件等を調
整する必要がある。
The epoxy equivalent is measured according to JIS.
It can be measured by the perchloric acid titration method described in K7236. In the production of this epoxy resin, it is necessary to adjust the type, the use ratio, the production conditions and the like of each raw material so that the epoxy equivalent of the epoxy resin finally obtained falls within a target range.

【0028】また、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂
組成物には、上記の特定のテルペンフェノール樹脂と、
エピハロヒドリンとから製造されたエピハロヒドリン樹
脂以外のエポキシ樹脂を混合使用することができる。そ
の混合することができる他のエポキシ樹脂としては、例
えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェ
ノールAD、ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、
ジメチルハイドロキノン、ジブチルハイドロキノン、レ
ゾルシン、メチルレゾルシン、ビフェノール、テトラメ
チルビフェノール、ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロ
キシジフェニルエーテル、フェノールノボラック樹脂、
クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラッ
ク樹脂、ジシクロペンタジエンフェノール樹脂、フェノ
ールアラルキル樹脂、ナフトールノボラック樹脂等の種
々のフェノール類や、種々のフェノール類と、ヒドロキ
シベンズアルデヒド、クロトンアルデヒド、グリオキザ
ール等の種々のアルデヒド類との縮合反応で得られる多
価フェノール樹脂等の各種のフェノール系化合物と、エ
ピハロヒドリンとから製造されるエポキシ樹脂等が挙げ
られる。
Further, the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention comprises the above specific terpene phenol resin,
Epoxy resins other than epihalohydrin resin prepared from epihalohydrin can be mixed and used. Other epoxy resins that can be mixed include, for example, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, hydroquinone, methylhydroquinone,
Dimethylhydroquinone, dibutylhydroquinone, resorcinol, methylresorcinol, biphenol, tetramethylbiphenol, dihydroxynaphthalene, dihydroxydiphenylether, phenol novolak resin,
Various phenols such as cresol novolak resin, bisphenol A novolak resin, dicyclopentadiene phenol resin, phenol aralkyl resin, naphthol novolak resin, and various phenols, and various aldehydes such as hydroxybenzaldehyde, crotonaldehyde, and glyoxal. And epoxy resins produced from epihalohydrin and various phenolic compounds such as polyhydric phenolic resins obtained by the condensation reaction of

【0029】また、硬化物を難燃化するために、使用す
るエポキシ樹脂の一部を臭素化エポキシ樹脂とすること
ができる。その臭素化エポキシ樹脂としては、例えば、
臭素化ビスフェノールA又は臭素化フェノールノボラッ
ク樹脂と、エピハロヒドリンとから製造されるエポキシ
樹脂、低分子エポキシ樹脂と臭素化ビスフェノールAと
の反応により製造されるエポキシ樹脂等が挙げられる。
それら他のエポキシ樹脂の使用割合は、エポキシ樹脂成
分全量に対して50重量%以下が好ましい。特定のテル
ペンフェノール樹脂と、エピハロヒドリンとから製造さ
れたエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂の使用割合が多す
ぎると、本発明の効果が十分に発揮されなくなる。
In order to make the cured product flame-retardant, a part of the epoxy resin used can be a brominated epoxy resin. As the brominated epoxy resin, for example,
Examples include an epoxy resin produced from a brominated bisphenol A or a brominated phenol novolak resin and epihalohydrin, and an epoxy resin produced by reacting a low molecular epoxy resin with a brominated bisphenol A.
The use ratio of these other epoxy resins is preferably 50% by weight or less based on the total amount of the epoxy resin components. If the proportion of the epoxy resin other than the epoxy resin produced from the specific terpene phenol resin and epihalohydrin is too large, the effect of the present invention cannot be sufficiently exerted.

【0030】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
に用いられる(b)エポキシ樹脂硬化剤は、フェノール
系及び/又は変性フェノール系エポキシ樹脂硬化剤であ
る。そのフェノール系エポキシ樹脂硬化剤としては、例
えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェ
ノールAD、ハイドロキノン、レゾルシン、メチルレゾ
ルシン、ビフェノール、テトラメチルビフェノール、ジ
ヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシジフェニルエーテ
ル、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック
樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂、ジシクロペン
タジエンフェノール樹脂、テルペンフェノール樹脂、ナ
フトールノボラック樹脂、臭素化ビスフェノールA、臭
素化フェノールノボラック樹脂等の種々の多価フェノー
ル類や、種々のフェノール類とベンスアルデヒド、ヒド
ロキシベンスアルデヒド、クロトンアルデヒド、グリオ
キザール等の種々のアルデヒド類との縮合反応で得られ
る多価フェノール樹脂等の各種のフェノール樹脂類等が
挙げられる。
The epoxy resin curing agent (b) used in the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is a phenolic and / or modified phenolic epoxy resin curing agent. Examples of the phenolic epoxy resin curing agent include bisphenol A, bisphenol F, bisphenol AD, hydroquinone, resorcin, methylresorcin, biphenol, tetramethylbiphenol, dihydroxynaphthalene, dihydroxydiphenyl ether, phenol novolak resin, cresol novolak resin, and bisphenol A Various polyphenols such as novolak resin, dicyclopentadiene phenol resin, terpene phenol resin, naphthol novolak resin, brominated bisphenol A, brominated phenol novolak resin, and various phenols with benzaldehyde, hydroxybensaldehyde, croton Polyhydric phenol resin obtained by condensation reaction with various aldehydes such as aldehyde and glyoxal Include various phenolic resins such as the of.

【0031】その変性フェノール系エポキシ樹脂硬化剤
としては、フェノール樹脂類のフェノール性水酸基の全
部若しくは一部をベンゾエート化又はアセテート化等の
エステル化することによって得られる活性エステル化合
物等が挙げられる。これらエポキシ樹脂硬化剤の中で
は、その硬化物性等から、テルペンフェノール樹脂、フ
ェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエンフェノ
ール樹脂、及びそれらのフェノール樹脂類のフェノール
性水酸基の全部若しくは一部をベンゾエート化又はアセ
テート化等のエステル化することによって得られる活性
エステル化合物から選ばれた少なくとも一種のエポキシ
樹脂硬化剤が好ましい。
Examples of the modified phenolic epoxy resin curing agent include active ester compounds obtained by esterifying all or a part of the phenolic hydroxyl groups of phenolic resins, such as by benzoation or acetate formation. Among these epoxy resin curing agents, terpene phenol resins, phenol aralkyl resins, dicyclopentadiene phenol resins, and all or a part of the phenolic hydroxyl groups of these phenol resins are converted to benzoates or acetates due to their curing properties and the like. And at least one epoxy resin curing agent selected from active ester compounds obtained by esterification.

【0032】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
で用いられる(b)エポキシ樹脂硬化剤の使用量は、全
エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1モルに対して、全エ
ポキシ樹脂硬化剤成分のエポキシ基と反応する基の合計
が、0.5〜1.5モルとなる量が好ましく、より好ま
しくは、0.7〜1.3モルになる量である。次に、本
発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、(c)無
機充填剤が配合される。その無機充填剤の種類として
は、例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ、ガラス粉、ア
ルミナ、炭酸カルシウム等が挙げられる。その形状とし
ては、破砕型又は球状である。各種の無機充填剤は、単
独で又は、二種以上混合して用いられる。各種の無機充
填剤の中では破砕型若しくは球状の溶融シリカ又は結晶
性シリカが好ましく、その使用量は、該組成物総量の6
0〜95重量%であり、より好ましくは、70〜93重
量%であり、更に好ましくは、75〜92重量%であ
る。また、本発明のエポキシ樹脂組成物に用いられる
(d)硬化促進剤は、エポキシ樹脂中のエポキシ基と硬
化剤中の活性基との反応を促進する化合物である。
The amount of the epoxy resin curing agent (b) used in the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention is based on 1 mol of the epoxy group in the total epoxy resin component and the total amount of the epoxy resin curing agent component. The amount in which the total of the groups reacting with the epoxy group is 0.5 to 1.5 mol is preferable, and more preferably the amount is 0.7 to 1.3 mol. Next, (c) an inorganic filler is blended with the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention. Examples of the type of the inorganic filler include fused silica, crystalline silica, glass powder, alumina, and calcium carbonate. Its shape is crushed or spherical. Various inorganic fillers may be used alone or in combination of two or more. Among various inorganic fillers, crushed or spherical fused silica or crystalline silica is preferable, and the amount used is 6% of the total amount of the composition.
The content is 0 to 95% by weight, more preferably 70 to 93% by weight, and still more preferably 75 to 92% by weight. The (d) curing accelerator used in the epoxy resin composition of the present invention is a compound that promotes a reaction between an epoxy group in the epoxy resin and an active group in the curing agent.

【0033】その硬化促進剤としては、例えば、トリブ
チルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(ジ
メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(ヒドロキシプ
ロピル)ホスフィン、トリス(シアノエチル)ホスフィ
ン等のホスフィン化合物、テトラフェニルホスホニウム
テトラフェニルボレート、メチルトリブチルホスホニウ
ムテラトフェニルボレート、メチルトリシアノエチルホ
スホニウムテトラフェニルボレート等のホスホニウム
塩、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾー
ル、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−ウンデ
シルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミ
ダゾール、2,4−ジシアノ−6−〔2−メチルイミダ
ゾリル−(1)〕−エチル−S−トリアジン、2,4−
ジシアノ−6−〔2−ウンデシルイミダゾリル−
(1)〕−エチル−S−トリアジン等のイミダゾール
類、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウム
トリメリテート、2−メチルイミダゾリウムイソシアヌ
レート、2−エチル−4−メチルイミダゾリウムテトラ
フェニルボレート、2−エチル−1,4−ジメチルイミ
ダゾリウムテトラフェニルボレート等のイミダゾリウム
塩、2,4,6−トリス(ジメチルアミノメチル)フェ
ノール、ベンジルジメチルアミン、テトラメチルブチル
グアニジン、N−メチルピペラジン、2−ジメチルアミ
ノ−1−ピロリン等のアミン類、トリエチルアンモニウ
ムテトラフェニルボレート等のアンモニウム塩、1,5
−ジアザビシクロ(5,4,0)−7−ウンデセン、
1,5−ジアザビシクロ(4,3,0)−5−ノネン、
1,4−ジアザビシクロ(2,2,2)−オクタン等の
ジアザビシクロ化合物、それらジアザビシクロ化合物の
テトラフェニルボレート、フェノール塩、フェノールノ
ボラック塩、2−エチルヘキサン酸塩等が挙げられる。
それらの硬化促進剤となる化合物の中では、ホスフィン
化合物、イミダゾール化合物、ジアザビシクロ化合物、
及びそれらの塩が好ましい。それらの硬化促進剤は、単
独で又は、二種以上混合して用いられ、その使用量は、
全エポキシ樹脂成分に対して、0.1〜7重量%であ
る。
Examples of the curing accelerator include phosphine compounds such as tributylphosphine, triphenylphosphine, tris (dimethoxyphenyl) phosphine, tris (hydroxypropyl) phosphine, and tris (cyanoethyl) phosphine; tetraphenylphosphonium tetraphenylborate; Phosphonium salts such as methyltributylphosphonium teratophenylborate and methyltricyanoethylphosphonium tetraphenylborate, 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Methylimidazole, 2,4-dicyano-6- [2-methylimidazolyl- (1)]-ethyl-S-triazine, 2,4-
Dicyano-6- [2-undecylimidazolyl-
(1)] imidazoles such as -ethyl-S-triazine, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 2-methylimidazolium isocyanurate, 2-ethyl-4-methylimidazolium tetraphenylborate, Imidazolium salts such as 2-ethyl-1,4-dimethylimidazolium tetraphenylborate, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, benzyldimethylamine, tetramethylbutylguanidine, N-methylpiperazine, Amines such as dimethylamino-1-pyrroline; ammonium salts such as triethylammonium tetraphenylborate;
-Diazabicyclo (5,4,0) -7-undecene,
1,5-diazabicyclo (4,3,0) -5-nonene,
Examples thereof include diazabicyclo compounds such as 1,4-diazabicyclo (2,2,2) -octane, tetraphenylborate, phenol salts, phenol novolak salts, and 2-ethylhexanoate salts of the diazabicyclo compounds.
Among the compounds to be those curing accelerators, phosphine compounds, imidazole compounds, diazabicyclo compounds,
And their salts are preferred. These curing accelerators are used alone or as a mixture of two or more, and the amount used is
It is 0.1 to 7% by weight based on all epoxy resin components.

【0034】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物
には、必要に応じてカップリング剤、可塑剤、顔料、溶
剤、難燃剤等を適宜に配合することができる。また、難
燃助剤として、三酸化アンチモン、リン酸等を適宜に配
合することができる。本発明の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物は、耐熱性及び低吸湿性に優れた硬化物を与え
るので半導体封止の分野で有利に使用することができ
る。
[0034] The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention may optionally contain a coupling agent, a plasticizer, a pigment, a solvent, a flame retardant, and the like, if necessary. Further, antimony trioxide, phosphoric acid and the like can be appropriately blended as a flame retardant auxiliary. Since the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention gives a cured product having excellent heat resistance and low moisture absorption, it can be advantageously used in the field of semiconductor encapsulation.

【0035】[0035]

【実施例】以下に、テルペンフェノール樹脂の製造例、
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物で用いられる
エポキシ樹脂の製造例、更に本発明の半導体封止用エポ
キシ樹脂組成物の実施例及び比較例を挙げて本発明を更
に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を越えない限
り実施例に限定されるものではない。 製造例1(テルペンフェノール樹脂) 温度計、撹拌装置、冷却管を備えた内容量3リットルの
三つ口フラスコに、フェノール680g、及びリモネン
320gを仕込み、100℃で減圧乾燥し結晶水を除去
したケイタングステン酸10gを加え、80℃で7時間
撹拌して反応を行なった。続いて、反応混合物にメチル
イソブチルケトン1000gを加え、水洗して触媒等を
除いた後、未反応のフェノール及びメチルイソブチルケ
トンを減圧除去して目的のテルペンフェノール樹脂A8
05gを得た。このテルペンフェノール樹脂AをHPL
Cで分析したところ、一般式(I)で表わされる化合物
(m=0)の含有量が37%、一般式(II)で表わされ
る化合物(n=0)の含有量が20%であり、アセチル
化法によるフェノール性水酸基当量が198g/eqで
あった。
The following are examples of the production of terpene phenolic resins,
The present invention will be described in more detail with reference to Production Examples of the epoxy resin used in the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention, and Examples and Comparative Examples of the epoxy resin composition for semiconductor encapsulation of the present invention. However, the present invention is not limited to the embodiments unless it exceeds the gist. Production Example 1 (Terpene phenol resin) A phenol (680 g) and limonene (320 g) were charged into a three-liter three-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, and a condenser, and dried at 100 ° C under reduced pressure to remove water of crystallization. 10 g of silicotungstic acid was added, and the mixture was stirred at 80 ° C. for 7 hours to carry out a reaction. Subsequently, 1000 g of methyl isobutyl ketone was added to the reaction mixture, and after washing with water to remove the catalyst and the like, unreacted phenol and methyl isobutyl ketone were removed under reduced pressure to obtain the desired terpene phenol resin A8.
05 g were obtained. This terpene phenolic resin A is HPL
When analyzed by C, the content of the compound represented by the general formula (I) (m = 0) was 37%, the content of the compound represented by the general formula (II) (n = 0) was 20%, The phenolic hydroxyl equivalent by the acetylation method was 198 g / eq.

【0036】製造例2(テルペンフェノール樹脂) 製造例1で得られたテルペンフェノール樹脂500gを
トルエン600gに100℃で完全に溶解した後、10
℃に冷却し1昼夜保持して再結晶を行なった。結晶を濾
別し、トルエンを減圧除去して精製テルペンフェノール
樹脂B228gを得た。また、濾液からトルエンを減圧
除去して残渣テルペンフェノール樹脂C261gを得
た。この精製テルペンフェノール樹脂Bは、一般式
(I)で表わされる化合物(m=0)の含有量が65
%、一般式(II)で表わされる化合物(n=0)の含有
量が31%であり、フェノール性水酸基当量が164g
/eqであった。また、残渣テルペンフェノール樹脂C
は、一般式(I)で表わされる化合物(m=0)の含有
量が13%、一般式(II)で表わされる化合物(n=
0)の含有量が11%であり、フェノール性水酸基当量
が243g/eqであった。
Production Example 2 (Terpene phenol resin) After completely dissolving 500 g of the terpene phenol resin obtained in Production Example 1 in 600 g of toluene at 100 ° C.,
The solution was cooled to ℃ and kept for one day to recrystallize. The crystals were separated by filtration and toluene was removed under reduced pressure to obtain 228 g of a purified terpene phenol resin B. Further, toluene was removed from the filtrate under reduced pressure to obtain 261 g of residual terpene phenol resin C. This purified terpene phenol resin B has a compound (m = 0) content of 65 represented by the general formula (I).
%, The content of the compound represented by the general formula (II) (n = 0) is 31%, and the phenolic hydroxyl equivalent is 164 g.
/ Eq. In addition, residual terpene phenolic resin C
Is a compound represented by the general formula (I) (m = 0) having a content of 13% and a compound represented by the general formula (II) (n =
0) was 11%, and the phenolic hydroxyl equivalent was 243 g / eq.

【0037】製造例3(テルペンフェノール樹脂) 製造例1において、フェノール680gの代わりにクレ
ゾール640gを使用した以外は製造例1と同様に反応
及び後処理を行いテルペンフェノール樹脂D893gを
得た。このテルペンフェノール樹脂Dは、一般式(I)
で表わされる化合物(R1 =CH3 ,m=1)の含有量
が43%、一般式(II)で表わされる化合物(R2 =C
3 ,n=1)の含有量が25%であり、フェノール性
水酸基当量が205g/eqであった。
Production Example 3 (terpene phenol resin) The same reaction and post-treatment as in Production Example 1 except that 640 g of cresol was used in place of 680 g of phenol to obtain 893 g of terpene phenol resin D. This terpene phenolic resin D has the general formula (I)
The content of the compound represented by the formula (R 1 CHCH 3 , m = 1) is 43%, and the compound represented by the general formula (II) (R 2 CC
H 3 , n = 1) was 25%, and the phenolic hydroxyl equivalent was 205 g / eq.

【0038】製造例4〜7(エポキシ樹脂) 温度計、撹拌装置、冷却管を備えた内容量3リットルの
三つ口フラスコに、上記で製造した各テルペンフェノー
ル樹脂を表1に示す量、エピクロルヒドリン650g、
及びイソプロピルアルコール250gを仕込み、35℃
に昇温して均一に溶解させた後、48.5重量%の水酸
化ナトリウム水溶液95gを1時間かけて滴下した。そ
の間に徐々に昇温し、滴下終了時には系内が65℃にな
るようにした。その後、65℃で30分間保持して反応
を行なった。その反応終了後、水洗して副生塩及び過剰
の水酸化ナトリウムを除去した。次いで、生成物から減
圧下で過剰のエピクロルヒドリン及びイソプロピルアル
コールを留去して、粗製エポキシ樹脂を得た。この粗製
エポキシ樹脂をメチルイソブチルケトン250gに溶解
させ、48.5重量%の水酸化ナトリウム水溶液4gを
加え、65℃の温度で1時間反応させた。その反応終了
後に、第一リン酸ナトリウムを加えて過剰の水酸化ナト
リウムを中和し、水洗して副生塩を除去した。次いで、
減圧下でメチルイソブチルケトンを完全に除去して、各
エポキシ樹脂を得た。これらのエポキシ樹脂のエポキシ
当量、及び軟化点を表1に示した。
Production Examples 4 to 7 (Epoxy Resin) Each of the terpene phenol resins produced above was placed in a three-liter three-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer, and a condenser, in an amount shown in Table 1 in the amount of epichlorohydrin. 650 g,
And 250 g of isopropyl alcohol at 35 ° C.
Then, 95 g of a 48.5% by weight aqueous sodium hydroxide solution was added dropwise over 1 hour. During this period, the temperature was gradually raised so that the temperature in the system reached 65 ° C. at the end of the dropping. Thereafter, the reaction was carried out at 65 ° C. for 30 minutes. After the completion of the reaction, the product was washed with water to remove by-product salts and excess sodium hydroxide. Next, excess epichlorohydrin and isopropyl alcohol were distilled off from the product under reduced pressure to obtain a crude epoxy resin. This crude epoxy resin was dissolved in 250 g of methyl isobutyl ketone, 4 g of a 48.5% by weight aqueous sodium hydroxide solution was added, and the mixture was reacted at a temperature of 65 ° C. for 1 hour. After the completion of the reaction, sodium phosphate monobasic was added to neutralize the excess sodium hydroxide, and washed with water to remove by-product salts. Then
Methyl isobutyl ketone was completely removed under reduced pressure to obtain each epoxy resin. Table 1 shows the epoxy equivalents and softening points of these epoxy resins.

【0039】[0039]

【表1】 [Table 1]

【0040】実施例1〜5及び比較例1〜3(半導体封
止用エポキシ樹脂組成物) 表2に示したように、(a)エポキシ樹脂として製造例
4〜7で製造した各エポキシ樹脂、テトラメチルビフェ
ノールから誘導されたエポキシ樹脂、又はオルソクレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂、及び臭素化エポキシ樹
脂として臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、
(b)エポキシ樹脂硬化剤としてフェノールノボラック
樹脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペンフェノール
ノボラック樹脂、又はベンゾエート化フェノールノボラ
ック樹脂、(c)無機充填剤として破砕型溶融シリカ粉
末、又は球状溶融シリカ粉末、(d)硬化促進剤として
トリスフェニルホスフィン、又は1,5−ジアザビシク
ロ(5,4,0)−7−ウンデセンを用い、更に難燃助
剤として三酸化アンチモン、充填剤表面処理剤としてエ
ポキシシラン、離型剤としてカルナバワックスをそれぞ
れ用いて、各エポキシ樹脂組成物を配合した。
Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 (Epoxy resin compositions for encapsulating semiconductors) As shown in Table 2, (a) each epoxy resin produced in Production Examples 4 to 7 as an epoxy resin, Epoxy resin derived from tetramethylbiphenol, or ortho-cresol novolak type epoxy resin, and brominated bisphenol A type epoxy resin as a brominated epoxy resin,
(B) a phenol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a terpene phenol novolak resin, or a benzoated phenol novolak resin as an epoxy resin curing agent; (c) a crushed fused silica powder or a spherical fused silica powder as an inorganic filler; Trisphenylphosphine or 1,5-diazabicyclo (5,4,0) -7-undecene is used as a curing accelerator, antimony trioxide is used as a flame retardant auxiliary, epoxysilane is used as a surface treatment agent for a filler, and a release agent. , Each epoxy resin composition was compounded using carnauba wax.

【0041】次いで、各配合物をミキシングロールを用
いて70〜130℃の温度で5分間溶融混合した。得ら
れた各溶融混合物はシート状に取り出し、粉砕して各成
形材料を得た。これらの各成形材料を用い低圧トランス
ファー成形機で金型温度180℃、成形時間160秒〜
300秒で成形して、各試験片を得、180℃で8時間
ポストキュアーさせた。また、各成形材料のゲルタイム
を測定した。各成形材料のゲルタイム、成形時間及び試
験片のポストキュアー後の吸湿率、及びガラス転移温度
を試験した結果は表2に示す通りであり、実施例1〜5
の各成形材料は、比較例1〜3の成形材料に較べて耐熱
性(高ガラス転移温度)と低吸湿性のバランスに優れて
いた。
Next, each composition was melt-mixed for 5 minutes at a temperature of 70 to 130 ° C. using a mixing roll. Each of the obtained molten mixtures was taken out in a sheet shape and pulverized to obtain each molding material. Using each of these molding materials, a mold temperature of 180 ° C. and a molding time of 160 sec.
Each test piece was molded in 300 seconds and post-cured at 180 ° C. for 8 hours. In addition, the gel time of each molding material was measured. The results of testing the gel time of each molding material, the molding time, the moisture absorption after post-curing of the test piece, and the glass transition temperature are as shown in Table 2, and Examples 1 to 5
Each of the molding materials (1) and (2) had an excellent balance of heat resistance (high glass transition temperature) and low hygroscopicity as compared with the molding materials of Comparative Examples 1 to 3.

【0042】[0042]

【表2】 [Table 2]

【0043】表2の注 E:オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(油化
シェルエポキシ社商品名エピコート180S65,エポ
キシ当量:213g/eq) F:テトラメチルビフェノールから誘導されたエポキシ
樹脂(油化シェルエポキシ社商品名 エピコートYX4
000H,エポキシ当量:193g/eq) G:フェノールノボラック樹脂(群栄化学社製,水酸基
当量:103g/eq,軟化点:85℃) H:フェノールアラルキル樹脂(三井東圧社商品名 ミ
レックスXL225LL,水酸基当量:173g/e
q,軟化点:78℃) I:テルペンフェノールノボラック樹脂(油化シェルエ
ポキシ社商品名 エピキュアMP402,水酸基当量:
175g/eq,軟化点:128℃) J:ベンゾエート化フェノールノボラック樹脂(油化シ
ェルエポキシ社商品名エピキュアYLH626,活性基
当量:182g/eq,軟化点:68℃) K:破砕型溶融シリカ粉末(龍森社商品名 RD−8) L:球状溶融シリカ粉末(日本アエロジル商品名 EL
SIL100) M:トリフェニルホスフィン N:1,5−ジアザビシクロ(5,4,0)−7−ウン
デセン *1:臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェルエポキシ社商品名エピコート5050,エポキシ当
量:385g/eq,臭素含有量:49%) *2:三酸化アンチモン *3:カルナバワックス *4:エポキシシラン(信越化学工業社商品名 KBM
−403) *5:TMAを用いて熱膨張曲線の転移点より求めた。 *6:85℃85%RH 168時間後の吸湿率
Notes to Table 2 E: Orthocresol novolak type epoxy resin (Eicoat 180S65, trade name of Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., epoxy equivalent: 213 g / eq) F: Epoxy resin derived from tetramethylbiphenol (Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) Product name Epicoat YX4
000H, epoxy equivalent: 193 g / eq) G: phenol novolak resin (manufactured by Gunei Chemical Co., hydroxyl equivalent: 103 g / eq, softening point: 85 ° C.) H: phenol aralkyl resin (Mitsui Toatsu Co., Ltd. trade name: MILEX XL225LL, hydroxyl group) Equivalent: 173 g / e
q, softening point: 78 ° C) I: Terpene phenol novolak resin (Yuka Kasper Epoxy Co., Ltd., Epicure MP402, hydroxyl equivalent:
175 g / eq, softening point: 128 ° C) J: Benzoated phenol novolak resin (Yuka Kasper Epoxy Co., Ltd., Epicur YLH626, active group equivalent: 182 g / eq, softening point: 68 ° C) K: Crushed fused silica powder ( L: Spherical fused silica powder (Nippon Aerosil trade name EL)
SIL100) M: Triphenylphosphine N: 1,5-diazabicyclo (5,4,0) -7-undecene * 1: Brominated bisphenol A type epoxy resin (Yuika Shell Epoxy Corp., Epicoat 5050, epoxy equivalent: 385 g) / Eq, bromine content: 49%) * 2: Antimony trioxide * 3: Carnauba wax * 4: Epoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. brand name KBM)
-403) * 5: Calculated from the transition point of the thermal expansion curve using TMA. * 6: Moisture absorption after 168 hours at 85 ° C and 85% RH

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、耐熱性及び低吸湿性に優れた硬化物を与えること
ができるので、半導体封止の用途において有利に使用で
きる。
The epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor of the present invention can provide a cured product having excellent heat resistance and low hygroscopicity, and thus can be advantageously used in semiconductor encapsulation applications.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31 Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number in the agency FI Technical display location H01L 23/29 H01L 23/30 R 23/31

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)(1)下記一般式(I)で表わさ
れるテルペンフェノール化合物20〜80重量%、
(2)下記一般式(II)で表わされるテルペンフェノー
ル化合物10〜60重量%及び(3)その他の構造のテ
ルペンフェノール化合物0〜40重量%からなる、フェ
ノール性水酸基当量150〜280g/eqを有するテ
ルペンフェノール樹脂と、エピハロヒドリンとの反応に
より得られるエポキシ当量220〜370g/eqを有
するエポキシ樹脂、 (b)フェノール系及び/又は変性フェノール系エポキ
シ樹脂硬化剤、 (c)該組成物総量の60〜95重量%の無機充填剤及
び (d)硬化促進剤を必須成分として配合してなる半導体
封止用エポキシ樹脂組成物。 【化1】 (式中、R1 は、炭素数1〜10の炭化水素基、置換基
を有してもよい芳香族基、置換基を有してもよいアラル
キル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表わし、それ
ぞれ同一でも異なってもよい。また、mは、0ないし2
の整数であり、それぞれ同一でも異なってもよい) 【化2】 (式中、R2 は、炭素数1〜10の炭化水素基、置換基
を有してもよい芳香族基、置換基を有してもよいアラル
キル基、アルコキシ基又はハロゲン原子を表わし、それ
ぞれ同一でも異なってもよい。また、nは、0ないし2
の整数であり、それぞれ同一でも異なってもよい)
(A) (1) 20 to 80% by weight of a terpene phenol compound represented by the following general formula (I):
(2) A phenolic hydroxyl group equivalent of 150 to 280 g / eq consisting of 10 to 60% by weight of a terpene phenol compound represented by the following general formula (II) and (3) 0 to 40% by weight of a terpene phenol compound having another structure. An epoxy resin having an epoxy equivalent of 220 to 370 g / eq obtained by reacting a terpene phenol resin with epihalohydrin; (b) a phenolic and / or modified phenolic epoxy resin curing agent; An epoxy resin composition for encapsulating a semiconductor, comprising 95% by weight of an inorganic filler and (d) a curing accelerator as essential components. Embedded image (Wherein, R 1 represents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, an aromatic group which may have a substituent, an aralkyl group which may have a substituent, an alkoxy group or a halogen atom. And m may be 0 to 2
Which may be the same or different.) (Wherein, R 2 represents a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms, an aromatic group which may have a substituent, an aralkyl group which may have a substituent, an alkoxy group or a halogen atom. N may be 0 to 2;
Which may be the same or different)
【請求項2】 (a)成分として、(1)一般式(I)
においてm=0であるテルペンフェノール化合物20〜
80重量%、(2)一般式(II)においてn=0である
テルペンフェノール化合物10〜60重量%及び(3)
その他の構造のテルペンフェノール化合物0〜40重量
%からなる、フェノール性水酸基当量150〜240g
/eqを有するテルペンフェノール樹脂と、エピハロヒ
ドリンとの反応により得られるエポキシ当量220〜3
10g/eqを有するエポキシ樹脂を用いる請求項1に
記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
2. Component (a) includes (1) general formula (I)
In which the terpene phenol compound 20 with m = 0
80% by weight, (2) 10 to 60% by weight of a terpene phenol compound in which n = 0 in the general formula (II), and (3)
A phenolic hydroxyl equivalent of 150 to 240 g comprising 0 to 40% by weight of a terpene phenol compound having another structure.
Epoxy equivalent obtained by the reaction of a terpene phenol resin having a / eq and an epihalohydrin of 220 to 3
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein an epoxy resin having 10 g / eq is used.
【請求項3】 (a)成分として、(1)一般式(I)
においてR1 がメチル基であり、mが1又は2であるテ
ルペンフェノール化合物20〜80重量%、(2)一般
式(II)においてR2 がメチル基であり、nが1又は2
であるテルペンフェノール化合物10〜60重量%及び
(3)その他の構造のテルペンフェノール化合物0〜4
0重量%からなるフェノール性水酸基当量160〜26
0g/eqを有するテルペンフェノール樹脂と、エピハ
ロヒドリンとの反応により得られるエポキシ当量230
〜350g/eqを有するエポキシ樹脂を用いる請求項
1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
3. The component (a) includes (1) a compound represented by the general formula (I):
Wherein R 1 is a methyl group and m is 1 or 2, 20 to 80% by weight of a terpene phenol compound, (2) in the general formula (II), R 2 is a methyl group, and n is 1 or 2
10 to 60% by weight of a terpene phenol compound having the following structure:
Phenolic hydroxyl equivalent of 160 to 26% by weight
Epoxy equivalent 230 obtained by the reaction of terpene phenol resin having 0 g / eq with epihalohydrin
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein an epoxy resin having a weight of from 350 g / eq to 350 g / eq is used.
【請求項4】 (b)成分として、テルペンフェノール
樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエ
ンフェノール樹脂、及びフェノール樹脂類のフェノール
性水酸基の全部又は一部をエステル化することにより得
られる活性エステル変性フェノール樹脂から選ばれた少
なくとも一種のエポキシ樹脂硬化剤を用いる請求項1な
いし3のいずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。
4. An active ester-modified phenol obtained by esterifying all or a part of phenolic hydroxyl groups of a terpene phenol resin, a phenol aralkyl resin, a dicyclopentadiene phenol resin, and phenol resins as the component (b). The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 3, wherein at least one type of epoxy resin curing agent selected from resins is used.
【請求項5】 (c)成分として、該組成物総量の70
〜93重量%の破砕型及び/又は球状の、溶融及び/又
は結晶シリカ粉末充填剤を用いる請求項1ないし4のい
ずれか1項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
5. Component (c) is 70% of the total amount of the composition.
The epoxy resin composition for semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 4, wherein a crushed and / or spherical, fused and / or crystalline silica powder filler is used in an amount of up to 93% by weight.
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