JPH10246712A - Apparatus for allowing insulating sample in analytical instrument to have nearly uniform surface potential - Google Patents

Apparatus for allowing insulating sample in analytical instrument to have nearly uniform surface potential

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JPH10246712A
JPH10246712A JP9343242A JP34324297A JPH10246712A JP H10246712 A JPH10246712 A JP H10246712A JP 9343242 A JP9343242 A JP 9343242A JP 34324297 A JP34324297 A JP 34324297A JP H10246712 A JPH10246712 A JP H10246712A
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    • G01N23/227Measuring photoelectric effect, e.g. photoelectron emission microscopy [PEEM]
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To uniform a surface potential of an insulating sample by projecting electron beams of low energy to a sample area while a projection area outside a radiation area is kept in a negative charge stage and directing positive ions to the projection area near the radiation area. SOLUTION: X rays 6 illuminate a radiation area 12 of a sample 2, whereby photoelectrons are emitted. An electron gun 7 projects electrons of low energy to the sample 2, and a charged particle source 10 projects positive ions 11 of low energy of not larger than about 10eV to the sample 2. Both the electron gun 7 and the charged particle source 10 are controlled by a computer 13. The radiation area 12 is positively charged because of the emission of photoelectrons. A projection area 14 to which low energy electrons are projected is larger than the radiation area 12, including the radiation area 12, and therefore positive charges are neutralized. However, excessive negative charges are produced in an area outside the radiation area 12. For neutralizing the excessive negative charges, beams of positive ions 11 are projected to a part 16 of the area near the radiation area 12. A surface potential of the sample 2 can be schematically uniformed according to the method.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、表面分析の際の絶
縁試料の表面電位の制御装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an apparatus for controlling the surface potential of an insulating sample during surface analysis.

【0002】本発明は、一般的に表面分析に関し、特
に、電子及びイオン放射分光分析、例えば、x線光電子
分光分析及び2次イオン質量分光分析、更に特に、絶縁
試料の表面電位を制御して、その種の分光分析を行うこ
とができるようにすることに関する。
The present invention relates generally to surface analysis, and more particularly to electron and ion emission spectroscopy, such as x-ray photoelectron spectroscopy and secondary ion mass spectroscopy, and more particularly to controlling the surface potential of an insulating sample. , So that such a spectroscopic analysis can be performed.

【0003】[0003]

【従来の技術】x線光電子分光分析(XPS)装置で
は、x線ビームを用いて、試料の一部分を照射して、電
子を放射させる(例えば、米国特許公開第531511
3号公報(Larson他))。これらの放射は、エネ
ルギアナライザを用いて分析されて、表面の成分が決定
される。しかし、絶縁試料では、電子は、x線照射領域
内で正に荷電された表面から放射される。正の電荷は、
表面を横切って変化し、その際、放射された電子エネル
ギ及び飛翔経路に作用し、誤差が相応の分析中に導入さ
れる。
2. Description of the Related Art In an x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) apparatus, a portion of a sample is irradiated with an x-ray beam to emit electrons (for example, see US Pat. No. 5,315,511).
No. 3 (Larson et al.). These radiations are analyzed using an energy analyzer to determine surface components. However, in an insulating sample, electrons are emitted from a positively charged surface in the x-ray irradiation area. The positive charge is
It varies across the surface, affecting the emitted electron energy and the trajectory, and errors are introduced during the corresponding analysis.

【0004】2次イオン質量分光分析(SIMS)で
は、表面は、正のイオンで照射され、それにより、表面
から原子及びイオンが放射される。入射イオンによっ
て、絶縁試料上に正の電荷が形成される。 x線光電子
分光分析(XPS)の場合、そのような電荷によって、
分析中に誤差が入る。
[0004] In secondary ion mass spectroscopy (SIMS), a surface is illuminated with positive ions, thereby emitting atoms and ions from the surface. The incident ions form a positive charge on the insulating sample. In the case of x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), such charges
Errors occur during analysis.

【0005】この問題点の種々の解決手法としては、少
なくともx線光電子分光分析(XPS)の場合、電位の
勾配を平滑にするために試料の近傍に格子が挿入される
(米国特許公開第4680467号公報(Bryso
n)に開示されている)。しかし、これにより、干渉要
素が導入されることになり、従って、適用可能領域が限
定される。
Various solutions to this problem include, at least in the case of x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), a grid inserted near the sample to smooth out the potential gradient (US Pat. No. 4,680,467). No. (Bryso
n)). However, this leads to the introduction of interfering elements and thus limits the area of applicability.

【0006】他の解決手法では、試料が、低エネルギ電
子で照射されることによって中性化される。これによ
り、技術的に有意義に改善されるが、一般的に、光放出
領域よりも大きな領域が照射されるので、非均一に中性
化され、それにより、光電子領域の外側の領域内に過剰
な負の電荷が供給される。米国特許公開第543234
5号公報(“Kelly patent”)には、紫外
線又は正イオンビームの照射を用いて負の過剰電荷を放
電することによって磁場勾配を平滑化することが開示さ
れている。この、放射又はイオンを用いた技術は、勾配
を極めて有意義に低減することができるが、幾らかの勾
配が残存して、分析に影響を及ぼす。つまり、前述の米
国特許公開第5432345号公報(“Kelly p
atent”)は、第1に、紫外線放射用であり、正イ
オンを用いる点での詳細は殆ど開示されていない。イオ
ン源は、通常のように、スパッタリング等に使用され、
典型的には、10eV以上の大きなエネルギのイオンを
発生する(低エネルギ装置が経験的に使用されているに
も拘わらず)。
In another solution, the sample is neutralized by irradiating it with low energy electrons. This provides a technically significant improvement, but generally illuminates an area larger than the light-emitting area, so that it is non-uniformly neutralized and thereby has excess in the area outside the optoelectronic area. Negative charge is supplied. U.S. Patent Publication No. 543234
No. 5 (“Kelly patent”) discloses that a magnetic field gradient is smoothed by discharging negative excess charges using irradiation of ultraviolet rays or positive ion beams. This technique using radiation or ions can significantly reduce the gradient, but some gradients remain and affect the analysis. That is, the above-mentioned US Pat. No. 5,432,345 (“Kelly p.
Attent ") is primarily for ultraviolet radiation, and little is disclosed about the use of positive ions. Ion sources are commonly used for sputtering and the like,
It typically produces high energy ions of 10 eV or more (although low energy devices have been used empirically).

【0007】既存のx線光電子分光分析(XPS)装置
の一般的な問題点は、電子照射を利用しても、中性化装
置の作動条件に敏感であることである。再生可能な光電
子ピーク位置及びピーク形状を得難くなる。
A general problem with existing x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) equipment is that it is sensitive to the operating conditions of the neutralizer, even with the use of electron irradiation. It becomes difficult to obtain a reproducible photoelectron peak position and peak shape.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、x線
光電子又は2次イオン放射装置(その中で、試料は、エ
ネルギビームを受け取る放射領域を有していて、試料か
ら放射を発生し、それにより、放射領域の正の電荷を生
じるようにする)内の絶縁試料の表面電位をほぼ均一に
することにある。他の課題は、勾配の何らかの残余(前
述の背景技術によって生じるものよりも小さいながら)
のある表面電位をほぼ均一にすることにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an x-ray photoelectron or secondary ion emitting device in which a sample has a radiation region for receiving an energy beam and emits radiation from the sample. , So as to generate a positive charge in the radiation region). Another challenge is some residual of the gradient (albeit smaller than that caused by the background art described above).
To make a certain surface potential substantially uniform.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前述の各課題は、少なく
とも部分的に、装置に、正の電荷を中和するために、放
射領域を有する試料領域を低エネルギ電子の電子ビーム
で照射し、該照射の際、前記放射領域の外側の前記照射
領域は負の荷電状態にされる電子手段を設けることによ
って解決される。更に、装置には、正のイオンを、少な
くとも、前記放射領域の直ぐ近くの照射領域の部分に方
向付けて、前記部分内の負の電荷を中和するイオン手段
が設けられる。
SUMMARY OF THE INVENTION The foregoing objects are at least partially achieved by irradiating the device with a low energy electron beam at a sample area having an emission area to neutralize a positive charge; During the irradiation, the irradiation area outside the emission area is solved by providing electronic means that are brought into a negatively charged state. Further, the apparatus is provided with ion means for directing positive ions at least to a part of the irradiation area in the immediate vicinity of said emission area to neutralize the negative charges in said part.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】本発明によると、電子手段は、約
2eVより小さな低エネルギで、約0.5eVより小さ
なエネルギ拡がりの電子ビームを発生するように構成さ
れている。有利な実施例では、約2eVより小さな仕事
関数の電子放射材から形成されていて、低エネルギ電子
ビームを発生する熱イオン電子エミッターを有する電子
手段が設けられている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION In accordance with the present invention, an electronic means is configured to generate an electron beam with a low energy of less than about 2 eV and an energy spread of less than about 0.5 eV. In a preferred embodiment, electronic means is provided which is formed from an electron emitting material having a work function of less than about 2 eV and has a thermionic electron emitter for generating a low energy electron beam.

【0011】他の実施例では、有利には、低エネルギ電
子ビームと組み合わされて、イオンが、実質的に、10
eVより小さなイオンエネルギを有しているように構成
されている。別の実施例では、有利には、低エネルギ電
子ビームと低イオンエネルギと組み合わされて、電子手
段は、試料から所定の距離の箇所に離隔されており、電
子ビームは、前記試料の箇所で所定のビーム直径を有し
ており、前記距離と前記直径との比は、約10より小さ
い。
In another embodiment, advantageously, in combination with a low energy electron beam, the ions are substantially reduced to 10
It is configured to have ion energy smaller than eV. In another embodiment, advantageously in combination with a low energy electron beam and a low ion energy, the electronic means is spaced at a predetermined distance from the sample and the electron beam is defined at a predetermined position on said sample. And the ratio of the distance to the diameter is less than about 10.

【0012】[0012]

【実施例】実施例では、本発明で有用な装置が、表面分
析用のx線光電子(XPS)と共に利用されている(例
えば、既述の米国特許公開第5513113号公報
(“Larson patent“)に開示されている
(ここには引用例として全体が挿入されている)。絶縁
試料2(図1)は、 x線光電子分光分析(XPS)装
置4の真空室内に取り付けられている。x線6は、通常
のように、試料の方に向けられており、その際、x線
は、放射領域又は試料上のスポット12(図2)を照射
して、光電子(図示していない)を送出する。電子銃7
は、低エネルギ電子8を送出して、試料に照射される。
荷電分子源10は、正イオン11のビームを試料の方に
向ける。電子銃及びイオン源は、有利には、コンピュー
タ(既述の米国特許公開第5513113号公報(“L
arson patent“)に記載されているのと同
様なシステムコンピュータでよい)によって制御され
る。
In the examples, devices useful in the present invention are utilized with x-ray photoelectrons (XPS) for surface analysis (see, for example, the aforementioned US Pat. No. 5,513,113 (“Larson patent”)). The insulating sample 2 (FIG. 1) is mounted in a vacuum chamber of an x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) apparatus 4. 6 is normally directed toward the sample, where the x-rays illuminate the emitting area or spot 12 (FIG. 2) on the sample and deliver photoelectrons (not shown). Electron gun 7
Sends out low energy electrons 8 and irradiates the sample.
The charged molecular source 10 directs a beam of positive ions 11 toward the sample. The electron gun and the ion source are advantageously provided by a computer (see U.S. Pat.
arson patent ").

【0013】試料面からの光電子の放出により、放射領
域12は正に荷電される。低エネルギ電子によって照射
される領域14は、放射領域よりも大きく且つ放射領域
を含み、従って、正の電荷を中性化するが、放射領域の
外側の領域内に過剰な負の電荷を生じさせる。イオンビ
ーム11は、負の電荷を中性化するために、放射領域に
近い、この領域の少なくとも部分16に向けられる。こ
の図では、正のイオンの領域は、電子照射領域14より
も大きいように示されているにも拘わらず、イオンビー
ムは、照射領域と等しいか、又は小さな領域に向けられ
ている(但し、放射領域の周囲の有意領域は、イオンビ
ームによって覆われていて、放射領域内及び放射領域の
周囲の電位勾配を有効に最小にするとする)。典型的な
x線光電子分光分析(XPS)分光計では、x線放射領
域12は、直径1mm又はそれ以下であり、電子領域1
4は、直径1〜10cmであり、イオン領域16は、直
径10〜50cmである。
The emission region 12 is positively charged by the emission of photoelectrons from the sample surface. The region 14 illuminated by the low energy electrons is larger than and includes the emitting region, thus neutralizing the positive charge, but creating an excess of negative charge in the region outside the emitting region. . The ion beam 11 is directed to at least a portion 16 of this region, near the emission region, to neutralize the negative charge. In this figure, the ion beam is directed to a region that is equal to or smaller than the irradiated region, although the region of positive ions is shown to be larger than the electron irradiated region 14 (where Significant regions around the emission region are covered by the ion beam, effectively minimizing potential gradients within and around the emission region). In a typical x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) spectrometer, the x-ray emission region 12 is 1 mm or less in diameter and the electron region 1
4 has a diameter of 1 to 10 cm, and the ion region 16 has a diameter of 10 to 50 cm.

【0014】本発明の1実施例によると、ビーム11の
イオンは、実質的に、10eVより小さな低イオンエネ
ルギである。適切なイオン銃(図3)では、イオン化室
18は、熱イオンフィラメント20を有しており、この
熱イオンフィラメントは、電子を放出し、この電子は、
管状格子22の正の電位によって加速されて、その中の
アルゴンガスをイオン化する。放出電流は、格子の電流
計23で測定される。ガスは、ガス供給部26からの調
整入り口24を通って、約25mPaの室圧力にする。
圧力は、引き出し電極として作用する室18の電流計3
0によって検出される。イオン化室内の開口19の後ろ
に続いて、円筒コンデンサレンズ31、開口36、一対
のビーム湾曲板32、円筒対物レンズ33、進路制御用
のオプションとして、円筒集合4極乃至8極偏向板34
が設けられている。これらの部材を有する管38は、比
較的低いフローティング状態の電圧に設定されている。
イオンは、管を通って高電圧格子22から加速され、接
地された円錐形出口リング40内に貫入し、それから、
接地された試料2に照射される。レンズ電圧は、ビーム
電圧のパーセンテージとして検出される。管38内に
は、湾曲板32の位置に約5°のベンドが設けられてい
て、イオンビームからの中性原子を除去するようにされ
ている。前述の構成は、適切なイオン源を示すにも拘わ
らず、有利又は所望な低エネルギ源(使用される装置に
適合することができる)を利用することができる。
According to one embodiment of the present invention, the ions of beam 11 have a low ion energy of substantially less than 10 eV. In a suitable ion gun (FIG. 3), ionization chamber 18 has a thermionic filament 20, which emits electrons, which
Accelerated by the positive potential of the tubular lattice 22 ionizes the argon gas therein. The emission current is measured by a grid ammeter 23. The gas passes through a regulated inlet 24 from a gas supply 26 to a room pressure of about 25 mPa.
The pressure is applied to the ammeter 3 of the chamber 18 acting as the extraction electrode.
Detected by 0. Following the opening 19 in the ionization chamber, a cylindrical condenser lens 31, an opening 36, a pair of beam bending plates 32, a cylindrical objective lens 33, and a cylindrical assembly 4-pole to 8-pole deflection plate 34 as an option for path control.
Is provided. The tube 38 having these members is set at a relatively low floating voltage.
The ions are accelerated from the high voltage grid 22 through the tube and penetrate into the grounded conical exit ring 40, where
The sample 2 is irradiated with the ground. The lens voltage is detected as a percentage of the beam voltage. In the tube 38, a bend of about 5 ° is provided at the position of the curved plate 32 so as to remove neutral atoms from the ion beam. The foregoing arrangement, while indicating a suitable ion source, may utilize an advantageous or desired low energy source (which may be compatible with the equipment used).

【0015】他の実施例によると、照射電子は、比較的
狭いエネルギ拡がりを有しており、この拡がりは、実質
的に約0.5eVより小さく、例えば、約0.3eVで
ある。つまり、有利には、電子は、非常に低いエネルギ
を有しており、有利には、2eVより小さい(通常の照
射の場合の約1〜10eVの拡がりと比較して)。電子
銃7(図4)は、典型的には、電流で加熱された熱イオ
ンエミッター42を有しており、その際、放射された電
子は、円筒状引出し器44を通して加速される所望のエ
ネルギ拡がりを達成するための有利な手段では、エミッ
ター42は、例えば、1eVの場合に、約2eVより小
さな仕事関数を有している電子放射材から形成されてい
る。比較のために挙げると、通常のタングステンエミッ
ターは、約4.5eVの仕事関数を有している。低い仕
事関数では、エミッターは、低い温度で作動され、それ
により、実質的に、ボルツマン分布の高エネルギ端部で
のエネルギ分布及び分割の幅が低減される。例えば、エ
ミッターは、ディスクに溶接された支持脚部49での電
流によって加熱されたプラチナディスク48上のバリウ
ム−ストロンチウム酸化物のフィルム46から形成する
とよい。このフィルムは、同様に、真空管内のエミッタ
ー用に利用されるニッケル容器上に形成すると有利であ
る。適切なエミッターは、モデルES−015バリウム
酸化ディスクカソード、Kimball Physic
s Inc.Wilton,NHである。
According to another embodiment, the irradiated electrons have a relatively narrow energy spread, which is substantially less than about 0.5 eV, for example about 0.3 eV. Thus, advantageously, the electrons have a very low energy, advantageously less than 2 eV (compared to a spread of about 1-10 eV for normal irradiation). The electron gun 7 (FIG. 4) typically has a thermionic emitter 42 heated by an electric current, with the emitted electrons being of the desired energy accelerated through a cylindrical extractor 44. In an advantageous way to achieve spreading, the emitter 42 is formed from an electron emitting material having a work function, for example at 1 eV, of less than about 2 eV. By way of comparison, a typical tungsten emitter has a work function of about 4.5 eV. At a low work function, the emitter is operated at a low temperature, thereby substantially reducing the energy distribution and the width of the split at the high energy end of the Boltzmann distribution. For example, the emitter may be formed from a barium-strontium oxide film 46 on a platinum disk 48 heated by current at support legs 49 welded to the disk. This film is likewise advantageously formed on a nickel container used for the emitter in a vacuum tube. Suitable emitters are model ES-015 barium oxide disc cathode, Kimball Physic
s Inc. Wilton, NH.

【0016】択一選択的に、所望のエネルギ拡がりは、
電子源、例えば、熱イオンエミッター42’と試料との
間に配設された半球静電アナライザ50(図5)のよう
な電子エネルギフィルタ(必要に応じて、1つ以上の中
間レンズ52を有している)によって達成するとよい。
そのようなフィルタは、本願用に構成された静電又は電
磁エネルギアナライザ、例えば、円筒静電アナライザ、
又は、既述の米国特許公開第5513113号公報
(“Larson patent“)に開示されたタイ
プの半球静電アナライザ(図示のような)にするとよ
い。
Alternatively, the desired energy spread is:
An electron energy filter, such as a hemispherical electrostatic analyzer 50 (FIG. 5) disposed between the electron source, eg, thermionic emitter 42 'and the sample (optionally having one or more intermediate lenses 52). To achieve this.
Such a filter may be an electrostatic or electromagnetic energy analyzer configured for this application, such as a cylindrical electrostatic analyzer,
Alternatively, it may be a hemispherical electrostatic analyzer (as shown) of the type disclosed in the aforementioned US Pat. No. 5,513,113 (“Larson patent”).

【0017】試料での照射電子の最大電流は、試料の直
ぐ近くの空間電荷によって制限されており、その最大値
は、電子銃と試料との間隔Lと試料の照射電子ビームの
直径との比L/Dの二乗に反比例する。この直径は、一
般的に、電子銃の出口の直径とほぼ同じである。比L/
Dは、有利には、約10より小さい、更に有利には、6
より小さくすべきであり、その際、Dは、電子銃の出口
でのビーム直径であるとする。
The maximum current of irradiated electrons at the sample is limited by the space charge in the immediate vicinity of the sample, and its maximum value is determined by the ratio of the distance L between the electron gun and the sample to the diameter of the irradiated electron beam of the sample. It is inversely proportional to the square of L / D. This diameter is generally about the same as the diameter of the exit of the electron gun. Ratio L /
D is advantageously less than about 10, more preferably 6
Should be smaller, where D is the beam diameter at the exit of the electron gun.

【0018】特に有利には、前述の実施例の少なくとも
2つ、有利には、全てを組み合わせ利用するとよい。従
って、有利な実施例では、イオンエネルギは、ほぼ10
eVよりも小さく、照射電子は、低仕事関数のエミッタ
ーで達成される約0.5eVより小さな狭エネルギ拡が
りで約2eVより小さなエネルギを有しており、電子銃
の距離とビーム直径との比は、約10よりも小さい。一
層有利には、照射電子は、約2eVより小さな仕事関数
の電子エミッターで形成される。
It is particularly advantageous to use a combination of at least two, preferably all, of the above-described embodiments. Thus, in an advantageous embodiment, the ion energy is approximately 10
and less than about 2 eV with a narrow energy spread of less than about 0.5 eV achieved with a low work function emitter, the ratio of electron gun distance to beam diameter is , Less than about 10. Even more advantageously, the irradiating electrons are formed with an electron emitter having a work function less than about 2 eV.

【0019】前述の改善実施例では、米国特許公開第5
432345号公報(“Kellypatent”)に
開示されている電位よりも実質的に一層均一であるとい
うことが分かった。つまり、装置は、有意義に一層ロー
ブストであり、従来技術よりも一層信頼性が高く、その
際、試料のタイプの範囲と表明領域は、分析的な結果及
び設定電子照射電流の感度での前述の変化なしに分析す
ることができる。電子銃を低電子エネルギ及び近接距離
にすることによって、高い照射電流密度にすることがで
きる。光電子密度は、絶縁試料上の焦点化された10ミ
クロンの直径x線ビームスポットの場合に約40nA/
mmに達する。中性電子流の場合には、光電子電流よ
りも少なくとも10倍大きくするのが有利であり、こう
することによって、組み合わされた改善実施例により、
400nA/mmに達することができる。
In the improved embodiment described above, US Pat.
It has been found that the potential is substantially more uniform than the potential disclosed in US Pat. No. 4,432,345 (“Kellypatent”). That is, the device is significantly more robust and more reliable than the prior art, where the range of the sample type and the assertion area are determined by the analytical results and the sensitivity of the set electron emission current described above. Can be analyzed without change. A high irradiation current density can be achieved by using an electron gun with a low electron energy and a short distance. The photoelectron density is about 40 nA / 40 for a focused 10 micron diameter x-ray beam spot on an insulating sample.
reach mm 2. In the case of neutral electron flow, it is advantageous to have at least 10 times greater than the photoelectron current, so that by means of the combined refinement,
400 nA / mm 2 can be reached.

【0020】本発明は、同様に、試料表面を正の荷電状
態にする他の分析装置(例えば、表面を正のイオンで照
射する2次イオン量分析装置(SIMS))で絶縁試料
を中性化するのに利用される。電子照射及び低エネルギ
正イオンを導入することは、実質的に、 x線光電子分
光分析(XPS)と同様にして行われる。図1では、x
線6は、正イオンのビーム(イオン11の中性化ビーム
から分離される)に代えられている。
Similarly, the present invention provides a method for neutralizing an insulated sample with another analyzer (eg, a secondary ion mass spectrometer (SIMS) that irradiates the surface with positive ions) to bring the sample surface into a positively charged state. Used to transform Electron irradiation and introduction of low energy positive ions are performed substantially in the same way as x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). In FIG. 1, x
Line 6 has been replaced by a beam of positive ions (separated from the neutralized beam of ions 11).

【0021】本発明について、上述の特定の実施例を用
いて説明したが、本発明の技術思想内で種々の変更及び
変化することができ、従属請求項の範囲は、当業者にと
って明らかである。従って、本発明は、従属請求項乃至
該従属請求項と等化的な内容によって限定されるに過ぎ
ない。
Although the present invention has been described with reference to the above specific embodiments, various modifications and changes may be made within the spirit of the present invention, and the scope of the dependent claims will be apparent to those skilled in the art. . Accordingly, the invention is only limited by the dependent claims and the equivalents thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の装置の略図FIG. 1 is a schematic diagram of the apparatus of the present invention.

【図2】図1の試料の表面を示す図FIG. 2 is a diagram showing the surface of the sample of FIG. 1;

【図3】図1の装置で使用されるイオン銃の略図FIG. 3 is a schematic diagram of an ion gun used in the apparatus of FIG.

【図4】図1の装置で使用される電子銃の略図FIG. 4 is a schematic diagram of an electron gun used in the apparatus of FIG.

【図5】図1の電子源の代わりに、電子エネルギフィル
タを組み入れた源を備えた実施例の略図
FIG. 5 is a schematic diagram of an embodiment with a source incorporating an electron energy filter instead of the electron source of FIG. 1;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 試料 4 X線光電子装置 6 X線 7 電子銃 8 低エネルギ電子 12 スポット 10 荷電粒子源 11 正イオン 12 X線放射領域 14 電子照射領域 16 イオン領域 20 熱イオンフィラメント 22 管状格子 26 ガス供給部 32 ビーム湾曲板 34 偏向板 40 リング 42 熱イオンエミッター 44 円筒状引き出し器 48 プラチナディスク 50 半球静電アナライザ 52 中間レンズ 2 Sample 4 X-ray photoelectron device 6 X-ray 7 Electron gun 8 Low energy electron 12 Spot 10 Charged particle source 11 Positive ion 12 X-ray emission area 14 Electron irradiation area 16 Ion area 20 Thermal ion filament 22 Tubular lattice 26 Gas supply unit 32 Beam bending plate 34 Deflection plate 40 Ring 42 Thermal ion emitter 44 Cylindrical extractor 48 Platinum disk 50 Hemisphere electrostatic analyzer 52 Intermediate lens

Claims (19)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 分析機器内の絶縁試料上を、ほぼ均一な
表面電位にするための装置であって、前記試料は、放射
領域の正の電荷を生じるように、前記試料からの放射に
作用するエネルギビームを受け取る放射領域を有してい
る装置において、電子手段とイオン手段とを有してお
り、前記電子手段は、正の電荷を中和するために、放射
領域を有する試料領域を低エネルギ電子の電子ビームで
照射し、該照射の際、前記放射領域の外側の前記照射領
域は負の荷電状態にされ、前記イオン手段は、正のイオ
ンを、少なくとも、前記放射領域の直ぐ近くの照射領域
の部分に方向付けて、前記部分内の負の電荷を中和し、
前記電子手段は、約2eVより小さな低エネルギで、約
0.5eVより小さなエネルギ拡がりの電子ビームを発
生するように構成されていることを特徴とする装置。
An apparatus for obtaining a substantially uniform surface potential on an insulating sample in an analytical instrument, said sample acting on radiation from said sample so as to generate a positive charge in an emission area. A device having a radiation area for receiving an energy beam, comprising electronic means and ion means, wherein the electronic means lowers the sample area having the radiation area to neutralize the positive charge. Irradiating with an electron beam of energetic electrons, the irradiating region outside the radiating region being in a negatively charged state during the irradiating, and the ion means is configured to emit positive ions at least in the immediate vicinity of the radiating region; Directing a portion of the illuminated area to neutralize negative charges in said portion;
Apparatus, wherein said electronic means is configured to generate an electron beam with a low energy of less than about 2 eV and an energy spread of less than about 0.5 eV.
【請求項2】 電子手段は、電子源と電子エネルギフィ
ルタとを有しており、該電子エネルギフィルタは、前記
電子源と試料との間に配設されていて、低エネルギの電
子ビームを発生する請求項1記載の装置。
2. The electronic means includes an electron source and an electron energy filter, wherein the electron energy filter is disposed between the electron source and a sample to generate a low energy electron beam. The device of claim 1, wherein
【請求項3】 電子手段は、熱イオン電子エミッターを
有しており、該熱イオン電子エミッターは、約2eVよ
り小さな仕事関数の電子放射材から形成されていて、低
エネルギ電子ビームを発生する請求項1記載の装置。
3. The method of claim 1, wherein the electronic means comprises a thermionic electron emitter, wherein the thermionic electron emitter is formed from an electron emitting material having a work function less than about 2 eV and generates a low energy electron beam. Item 1. The apparatus according to Item 1.
【請求項4】 イオンは、実質的に、10eVより小さ
なイオンエネルギを有している請求項3記載の装置。
4. The apparatus of claim 3, wherein the ions have an ion energy substantially less than 10 eV.
【請求項5】 電子手段は、試料から所定の距離の箇所
に離隔されており、電子ビームは、前記試料の箇所で所
定のビーム直径を有しており、前記距離と前記直径との
比は、約10より小さい請求項4記載の装置。
5. The electronic means is spaced at a predetermined distance from the sample, the electron beam having a predetermined beam diameter at the sample, wherein the ratio of the distance to the diameter is 5. The apparatus of claim 4, wherein said apparatus is less than about 10.
【請求項6】 エネルギビームは、x線ビームであっ
て、光電子を放射して正の電荷を発生する請求項5記載
の装置。
6. The apparatus of claim 5, wherein the energy beam is an x-ray beam and emits photoelectrons to generate a positive charge.
【請求項7】 電子手段は、試料から所定の距離の箇所
に離隔されており、電子ビームは、前記試料の箇所で所
定のビーム直径を有しており、前記距離と前記直径との
比は、約10より小さい請求項3記載の装置。
7. The electronic means is spaced at a predetermined distance from the sample, the electron beam has a predetermined beam diameter at the sample, and the ratio of the distance to the diameter is 4. The apparatus of claim 3, wherein said apparatus is less than about 10.
【請求項8】 イオンは、実質的に、10eVより小さ
なイオンエネルギを有している請求項1記載の装置。
8. The apparatus of claim 1, wherein the ions have an ion energy substantially less than 10 eV.
【請求項9】 電子手段は、試料から所定の距離の箇所
に離隔されており、電子ビームは、前記試料の箇所で所
定のビーム直径を有しており、前記距離と前記直径との
比は、約10より小さい請求項8記載の装置。
9. The electronic means is spaced from the sample at a predetermined distance, the electron beam has a predetermined beam diameter at the sample, and the ratio of the distance to the diameter is The apparatus of claim 8, wherein said apparatus is less than about 10.
【請求項10】 電子手段は、試料から所定の距離の箇
所に離隔されており、電子ビームは、前記試料の箇所で
所定のビーム直径を有しており、前記距離と前記直径と
の比は、約10より小さい請求項1記載の装置。
10. The electronic means is spaced at a predetermined distance from the sample, the electron beam has a predetermined beam diameter at the sample, and the ratio of the distance to the diameter is The apparatus of claim 1, wherein the apparatus is less than about 10.
【請求項11】 エネルギビームは、x線ビームであっ
て、それにより、光電子を放射して正の電荷を発生する
ようにされている請求項1記載の装置。
11. The apparatus of claim 1, wherein the energy beam is an x-ray beam, thereby emitting photoelectrons to generate a positive charge.
【請求項12】 エネルギビームは、正のイオンビーム
であって、それにより、正の電荷を発生するようにされ
ている請求項1記載の装置。
12. The apparatus of claim 1, wherein the energy beam is a positive ion beam, thereby generating a positive charge.
【請求項13】 分析機器内の絶縁試料上を、ほぼ均一
な表面電位にするための装置であって、前記試料は、放
射領域の正の電荷を生じるように、前記試料からの放射
に作用するエネルギビームを受け取る放射領域を有して
いる装置において、電子手段とイオン手段とを有してお
り、前記電子手段は、正の電荷を中和するために、放射
領域を有する試料領域を低エネルギ電子の電子ビームで
照射し、該照射の際、前記放射領域の外側の前記照射領
域は負の荷電状態にされ、前記イオン手段は、正のイオ
ンを、少なくとも、前記放射領域の直ぐ近くの照射領域
の部分に方向付けて、前記部分内の負の電荷を中和し、
イオンは、実質的に10eVより小さなイオンエネルギ
を有しているように構成されていることを特徴とする装
置。
13. An apparatus for obtaining a substantially uniform surface potential on an insulating sample in an analytical instrument, said sample acting on radiation from said sample so as to generate a positive charge in an emission area. A device having a radiation area for receiving an energy beam, comprising electronic means and ion means, wherein the electronic means lowers the sample area having the radiation area to neutralize the positive charge. Irradiating with an electron beam of energetic electrons, the irradiating region outside the radiating region being in a negatively charged state during the irradiating, and the ion means is configured to emit positive ions at least in the immediate vicinity of the radiating region; Directing a portion of the illuminated area to neutralize negative charges in said portion;
The apparatus wherein the ions are configured to have an ion energy of substantially less than 10 eV.
【請求項14】 電子手段は、試料から所定の距離の箇
所に離隔されており、電子ビームは、前記試料の箇所で
所定のビーム直径を有しており、前記距離と前記直径と
の比は、約10より小さい請求項1記載の装置。
14. The electronic means is spaced at a predetermined distance from the sample, the electron beam has a predetermined beam diameter at the sample, and the ratio of the distance to the diameter is The apparatus of claim 1, wherein the apparatus is less than about 10.
【請求項15】 エネルギビームは、x線ビームであっ
て、それにより、光電子を放射して正の電荷を発生する
ようにされている請求項13記載の装置。
15. The apparatus of claim 13, wherein the energy beam is an x-ray beam, thereby emitting photoelectrons to generate a positive charge.
【請求項16】 エネルギビームは、正のイオンビーム
であって、それにより、正の電荷を発生するようにされ
ている請求項13記載の装置。
16. The apparatus of claim 13, wherein the energy beam is a positive ion beam, thereby generating a positive charge.
【請求項17】 分析機器内の絶縁試料上を、ほぼ均一
な表面電位にするための装置であって、前記試料は、放
射領域の正の電荷を生じるように、前記試料からの放射
に作用するエネルギビームを受け取る放射領域を有して
いる装置において、電子手段とイオン手段とを有してお
り、前記電子手段は、正の電荷を中和するために、放射
領域を有する試料領域を低エネルギ電子の電子ビームで
照射し、該照射の際、前記放射領域の外側の前記照射領
域は負の荷電状態にされ、前記イオン手段は、正のイオ
ンを、少なくとも、前記放射領域の直ぐ近くの照射領域
の部分に方向付けて、前記部分内の負の電荷を中和し、
前記電子手段は、試料から所定の距離の箇所に離隔され
ており、電子ビームは、前記試料の箇所で所定のビーム
直径を有しており、前記距離と前記直径との比は、約1
0より小さいことを特徴とする装置。
17. An apparatus for achieving a substantially uniform surface potential on an insulating sample in an analytical instrument, said sample acting on radiation from said sample so as to generate a positive charge in the emission area. A device having a radiation area for receiving an energy beam, comprising electronic means and ion means, wherein the electronic means lowers the sample area having the radiation area to neutralize the positive charge. Irradiating with an electron beam of energetic electrons, the irradiating region outside the radiating region being in a negatively charged state during the irradiating, and the ion means is configured to emit positive ions at least in the immediate vicinity of the radiating region; Directing a portion of the illuminated area to neutralize negative charges in said portion;
The electronic means is spaced at a predetermined distance from the sample, the electron beam has a predetermined beam diameter at the sample, and the ratio of the distance to the diameter is about 1
An apparatus characterized by being less than zero.
【請求項18】 エネルギビームは、x線ビームであっ
て、それにより、光電子を放射して正の電荷を発生する
ようにされている請求項17記載の装置。
18. The apparatus of claim 17, wherein the energy beam is an x-ray beam, such that the energy beam emits photoelectrons to generate a positive charge.
【請求項19】 エネルギビームは、正のイオンビーム
であって、それにより、正の電荷を発生するようにされ
ている請求項17記載の装置。
19. The apparatus of claim 17, wherein the energy beam is a positive ion beam, thereby generating a positive charge.
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