JPH10241936A - Magnetic film and magnetic material - Google Patents

Magnetic film and magnetic material

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Publication number
JPH10241936A
JPH10241936A JP4272997A JP4272997A JPH10241936A JP H10241936 A JPH10241936 A JP H10241936A JP 4272997 A JP4272997 A JP 4272997A JP 4272997 A JP4272997 A JP 4272997A JP H10241936 A JPH10241936 A JP H10241936A
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JP
Japan
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magnetic
film
elements selected
thin film
flexible substrate
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4272997A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kumiko Ominato
久美子 大湊
Yasuo Hayakawa
康男 早川
Takashi Hatauchi
隆史 畑内
Teruhiro Makino
彰宏 牧野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
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Publication of JPH10241936A publication Critical patent/JPH10241936A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/02Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
    • H01F41/0206Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
    • H01F41/0213Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s)
    • H01F41/0226Manufacturing of magnetic circuits made from strip(s) or ribbon(s) from amorphous ribbons

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a magnetic core which shows a high Q-value even in a high-frequency domain and is less in loss by forming a magnetic alloy thin film having an amorphous phase on a plastic substrate in a state where a no- film making area is left on the substrate. SOLUTION: Three magnetic alloy thin films 2 are formed on a plastic substrate 1. A no-film forming area 3 is formed by protecting the surface of the substrate 1 with an appropriate masking material before forming the thin films 2 and removing the masking material after forming the thin films 2. The area occupied by the thin films 2 on the substrate 1 is adjusted to about 50-100% of the whole area of the substrate 1. The thin films 2 are composed of a crystalline phase composed mainly of one or more kinds of elements selected out of Fe and Co and having an average crystal grain size of <=30nm and an amorphous phase containing a compound of M composed of one or more kinds of elements selected form among Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, W, and rare-earth elements and O. Therefore, a magnetic core showing a high Q-value even in a high-frequency domain can be manufactured.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波数帯域で高
い透磁率を示す磁性合金薄膜と、この磁性合金薄膜を使
用した磁性フィルムおよびこの磁性フィルムを棒状に丸
めた磁性体に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a magnetic alloy thin film having high magnetic permeability in a high frequency band, a magnetic film using the magnetic alloy thin film, and a magnetic material obtained by rolling the magnetic film into a rod shape.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気素子の小型化、高性能化に伴い、高
い飽和磁束密度を有する上に、数百MHz以上の周波数
帯域における透磁率が高く、高い比抵抗を有する磁性材
料が求められている。従来、高い飽和磁束密度を持つ磁
性材料として、FeあるいはFeを主成分とする合金が
多く知られているが、スパッタ法などの成膜技術により
これらのFe系合金の磁性膜を作成すると、飽和磁束密
度は高いものの保磁力が大きく、比抵抗が小さくなって
しまい、良好な軟磁気特性を有する磁性膜を得ることは
困難であった。
2. Description of the Related Art With the miniaturization and high performance of magnetic elements, a magnetic material having a high saturation magnetic flux density, a high magnetic permeability in a frequency band of several hundred MHz or more, and a high specific resistance is required. I have. Conventionally, as a magnetic material having a high saturation magnetic flux density, Fe or an alloy containing Fe as a main component is widely known. However, when a magnetic film of these Fe-based alloys is formed by a film forming technique such as a sputtering method, the Although the magnetic flux density is high, the coercive force is large and the specific resistance is low, and it has been difficult to obtain a magnetic film having good soft magnetic properties.

【0003】高周波数における透磁率低下の原因の一つ
に、渦電流の発生による損失がある。この高周波透磁率
の低下の一因である渦電流損失を防ぐために、薄膜化お
よび薄膜の高抵抗化を図ることが望まれている。しかし
ながら、磁気特性を保ったまま比抵抗を高めることは非
常に難しく、センダストなどの合金系の軟磁性薄膜の比
抵抗は、数十〜百数十μΩ・cm程度と小さい。そこ
で、少なくとも0.5T(テスラ)以上の飽和磁束密度
を確保しながら比抵抗を高めた軟磁性合金が求められて
いる。また、合金を薄膜として得る場合には、磁歪の発
生などの影響により良好な軟磁気特性のものを得ること
はさらに困難である。
One of the causes of a decrease in magnetic permeability at a high frequency is a loss due to generation of an eddy current. In order to prevent eddy current loss, which is one of the causes of the decrease in the high-frequency magnetic permeability, it is desired to reduce the thickness and increase the resistance of the thin film. However, it is very difficult to increase the specific resistance while maintaining the magnetic characteristics, and the specific resistance of an alloy-based soft magnetic thin film such as sendust is as small as several tens to several hundreds μΩ · cm. Therefore, a soft magnetic alloy having an increased specific resistance while securing a saturation magnetic flux density of at least 0.5 T (tesla) is required. Further, when the alloy is obtained as a thin film, it is more difficult to obtain good soft magnetic characteristics due to the influence of generation of magnetostriction and the like.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような背景から本
発明者らは、Fe−M−O系(ただし元素Mは、4A、
5A族元素、あるいは希土類元素から選ばれる少なくと
も一種またはそれらの混合物を示し、50≦Fe≦7
0、5≦M≦30、10≦O≦30の組成を有する)の
軟磁性材料を開発し、特許出願した(特開平6―316
748号公報)。この系の軟磁性材料によれば、比抵抗
が高い(215.3〜133709μΩ・cm)ため、
高周波領域における渦電流損失が少なく、高周波領域に
おいて高い透磁率を得ることができ、飽和磁束密度が
0.5T以上の高い値(0.7〜1.5T前後)を得るこ
とができ、保磁力も低い(0.8〜4.0 Oe)もので
あった。なお、希土類元素とは、周期表の3A族に属す
るSc、Y、あるいは、La、Ce、Pr、Nd、P
m、Sm、Eu、Gd、Td、Dy、Ho、Er、T
m、Yb、Luなどのランタノイドの総称である。
SUMMARY OF THE INVENTION From such a background, the present inventors have proposed an Fe-MO system (where the element M is 4A,
At least one element selected from the group 5A elements or rare earth elements or a mixture thereof, and 50 ≦ Fe ≦ 7
A soft magnetic material having a composition of 0, 5 ≦ M ≦ 30, and 10 ≦ O ≦ 30 was developed and a patent application was filed (Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-316).
748). According to the soft magnetic material of this type, the specific resistance is high (215.3 to 133709 μΩ · cm),
Low eddy current loss in the high frequency region, high magnetic permeability in the high frequency region, high saturation magnetic flux density of 0.5T or more (around 0.7 to 1.5T), and coercive force Was also low (0.8 to 4.0 Oe). The rare earth element is Sc, Y, or La, Ce, Pr, Nd, P belonging to Group 3A of the periodic table.
m, Sm, Eu, Gd, Td, Dy, Ho, Er, T
It is a general term for lanthanoids such as m, Yb, and Lu.

【0005】この他にも、この種のバルク材料としてB
3Co2Fe5441(一般にはCo 2Zなどと表記す
る)などの組成式で表されるマグネトプランバイトが高
周波領域で高いQ値を示すことが知られているが、この
ものにあっても図8に示すように、1GHzでQの値が
1となり、それ以上の高周波帯域では損失が増大する問
題がある。これに対して、通信関係の分野(パーソナル
ハンディホンシステム:PHS)などにおいては、GH
z帯域がより一層利用される傾向にある。また、現在の
ところ部品としては空芯のインダクタが利用されている
が、将来的にはさらに高いQ値を持つ材料に対する要求
が高まっていくと考えられる。また、アンテナ材料にお
いても同様の状況にある。
[0005] In addition, as a bulk material of this type, B
aThreeCoTwoFe54O41(Generally Co TwoNotation such as Z
The magnetoplumbite represented by a composition formula such as
It is known to show a high Q value in the frequency domain.
As shown in FIG. 8, the value of Q at 1 GHz
1 and the loss increases at higher frequencies.
There is a title. In contrast, communication-related fields (personal
In handy phone systems (PHS), etc., GH
The z band tends to be more utilized. Also, the current
However, air-core inductors are used as parts
However, in the future there will be a demand for materials with higher Q values
Is thought to increase. Also, the antenna material
Is in a similar situation.

【0006】ところで、一般的に透磁率を表すには、透
磁率の実数部(μ')と透磁率の虚数部(μ'')の2つ
の値があり、インダクタやアンテナに用いられるには実
数部の値が高く、虚数部の値は低いことが望まれるが、
Fe−M−O系の軟磁性合金薄膜にあっては数百MHz
以上の高周波帯域では透磁率の実数部(μ')の値を高
い値にすることはできるものの、透磁率の虚数部が透磁
率の実数部の値を超え、(透磁率の実数部)/(透磁率
の虚数部)の値、すなわち、(μ')/(μ'')で表さ
れるQの値が1を下回るようになり、損失が大きくなる
問題がある。
In general, there are two values for expressing magnetic permeability, a real part (μ ') of magnetic permeability and an imaginary part (μ'') of magnetic permeability. It is desired that the real part has a high value and the imaginary part has a low value.
Several hundred MHz for Fe-MO based soft magnetic alloy thin film
In the above high frequency band, the value of the real part (μ ′) of the magnetic permeability can be set to a high value, but the imaginary part of the magnetic permeability exceeds the value of the real part of the magnetic permeability, and the (real part of the magnetic permeability) / The value of (the imaginary part of the magnetic permeability), that is, the value of Q expressed by (μ ′) / (μ ″) becomes smaller than 1, and there is a problem that the loss increases.

【0007】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、高周波用などの磁性材料として高い比抵抗を
有し、高周波数帯域で透磁率が高い軟磁性合金からなる
薄膜を可撓性の基板上に成膜した、良好な軟磁気特性を
有する磁性フィルムを提供すること、およびそれを用い
たアンテナなどを提供することを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and a thin film made of a soft magnetic alloy having a high specific resistance as a magnetic material for high frequencies and having a high magnetic permeability in a high frequency band is used. It is an object of the present invention to provide a magnetic film having good soft magnetic properties formed on a substrate of the above, and to provide an antenna and the like using the same.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明の磁性フィルム
は、Fe、Coから選ばれる一種または二種の元素を主
成分とし、平均結晶粒径30nm以下の結晶粒からなる
結晶相と、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Wお
よび希土類元素から選ばれる一種または二種以上の元素
からなる元素Mと、Oの化合物を含む非晶質相からなる
磁性合金薄膜を、可撓性の基板上に非成膜領域を残した
状態で成膜してなるものである。本発明は、請求項1記
載の磁性フィルムにおいて、前記磁性合金薄膜の非晶質
相が、さらにB、Cから選ばれる一種または二種の元素
からなる元素TとOを多量に含んでなるものである。本
発明の磁性フィルムは、その組成式がFeaM'bcで示
され、元素M'は、希土類元素から選ばれる一種または
二種以上の元素を表し、組成比a、b、cは原子%で、
50≦a≦70、5≦b≦30、10≦c≦30、a+
b+c=100なる関係を満足する磁性合金薄膜を、可
撓性の基板上に非成膜領域を残した状態で成膜してなる
ものである。本発明の磁性フィルムは、その組成式がF
dM''efで示され、元素M''は、Ti、Zr、H
f、V、Nb、Ta、Wから選ばれる一種または二種以
上の元素を表し、組成比d、e、fは原子%で、45≦
d≦70、5≦e≦30、10≦f≦40、d+e+f
=100なる関係を満足する磁性合金薄膜を、可撓性の
基板上に非成膜領域を残した状態で成膜してなるもので
ある。
The magnetic film of the present invention contains one or two elements selected from Fe and Co as main components, and has a crystal phase composed of crystal grains having an average crystal grain size of 30 nm or less; A magnetic alloy thin film made of an amorphous phase containing a compound of O and one or two or more elements selected from Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, W and a rare earth element is made of a flexible material. The film is formed on the substrate in a state where a non-film formation region is left. According to the present invention, there is provided the magnetic film according to claim 1, wherein the amorphous phase of the magnetic alloy thin film further contains a large amount of elements T and O composed of one or two elements selected from B and C. It is. The composition formula of the magnetic film of the present invention is represented by Fe a M ′ b O c , and the element M ′ represents one or more elements selected from rare earth elements, and the composition ratios a, b, and c are In atomic%,
50 ≦ a ≦ 70, 5 ≦ b ≦ 30, 10 ≦ c ≦ 30, a +
A magnetic alloy thin film satisfying the relationship of b + c = 100 is formed on a flexible substrate while leaving a non-film forming region. The magnetic film of the present invention has a composition formula of F
'indicated by e O f, the element M' e d M '' is, Ti, Zr, H
represents one or more elements selected from f, V, Nb, Ta, and W, and the composition ratios d, e, and f are atomic% and 45 ≦
d ≦ 70, 5 ≦ e ≦ 30, 10 ≦ f ≦ 40, d + e + f
= 100 is formed by forming a magnetic alloy thin film satisfying the relationship of = 100 on a flexible substrate while leaving a non-film forming region.

【0009】本発明の磁性フィルムは、その組成式がF
ghijで示され、元素Mは、Ti、Zr、Hf、
Nb、Ta、Mo、Wおよび希土類元素から選ばれる一
種または二種以上の元素を表し、元素Tは、B、Cから
選ばれる一種または二種の元素を表し、組成比g、h、
i、jは原子%で、50≦g≦75、5≦h≦30、1
5≦i≦25、0<j≦6、15≦i+j≦30なる関
係を満足する磁性合金薄膜を、可撓性の基板上に非成膜
領域を残した状態で成膜してなるものである。本発明の
磁性フィルムは、その組成式が(Co1-kkmM'''n
pqrで示され、元素Rは、Fe、Ni、Pd、M
n、Alから選ばれる一種または二種以上の元素を表
し、元素M'''は、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、M
o、Wおよび希土類元素から選ばれる一種または二種以
上の元素を表し、元素Qは、O、N、C、Bから選ばれ
る一種または二種以上の元素を表し、元素Xは、Si、
Crから選ばれる一種または二種の元素を表し、元素Z
は、Au、Agおよび白金族の元素から選ばれる一種ま
たは二種以上の元素を表し、組成比kは、0.05≦k
≦0.5、組成比n、p、q、rは原子%で、3≦n≦
30、7≦p≦40、0≦q≦20、0≦r≦20なる
関係を満足し、残部はmと不可避不純物である磁性合金
薄膜を、可撓性の基板上に非成膜領域を残した状態で成
膜してなるものである。本発明は、上記いずれかに記載
の磁性フィルムにおいて、可撓性の基板上に、前記非成
膜領域が縞状もしくは格子状に形成されているものであ
る。本発明は、上記いずれかに記載の磁性フィルムにお
いて、可撓性の基板の全面積に対して、磁性合金薄膜を
形成した領域が占める面積の割合を50%以上100%
未満とするものである。
The magnetic film of the present invention has a composition formula of F
indicated by e g M h O i T j , the element M, Ti, Zr, Hf,
Represents one or more elements selected from Nb, Ta, Mo, W and rare earth elements, and the element T represents one or two elements selected from B and C, and has a composition ratio g, h,
i and j are atomic%, 50 ≦ g ≦ 75, 5 ≦ h ≦ 30, 1
A magnetic alloy thin film satisfying the relationship of 5 ≦ i ≦ 25, 0 <j ≦ 6, and 15 ≦ i + j ≦ 30 is formed on a flexible substrate while leaving a non-film formation region. is there. The magnetic film of the present invention has a composition formula of (Co 1-k R k ) m M ″ ′ n
Indicated by Q p X q Z r, element R, Fe, Ni, Pd, M
represents one or more elements selected from n and Al, and the element M ″ ′ is Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, M
o, W and one or more elements selected from rare earth elements; element Q represents one or more elements selected from O, N, C and B; element X represents Si,
Represents one or two elements selected from Cr,
Represents one or more elements selected from Au, Ag and platinum group elements, and the composition ratio k is 0.05 ≦ k
≦ 0.5, composition ratio n, p, q, r is atomic% and 3 ≦ n ≦
30, 7 ≦ p ≦ 40, 0 ≦ q ≦ 20, 0 ≦ r ≦ 20, the remainder being m and a magnetic alloy thin film as an unavoidable impurity, and a non-film formation region on a flexible substrate. The film is formed in a state where it is left. According to the present invention, in the magnetic film described in any one of the above, the non-film-forming region is formed in a stripe shape or a lattice shape on a flexible substrate. According to the present invention, in the magnetic film according to any one of the above, the ratio of the area occupied by the region where the magnetic alloy thin film is formed to 50% or more and 100% of the total area of the flexible substrate
Less than.

【0010】また、本発明の磁性体は、Fe、Coから
選ばれる一種または二種の元素を主成分とし、平均結晶
粒径30nm以下の結晶粒からなる結晶相と、Ti、Z
r、Hf、Nb、Ta、Mo、Wおよび希土類元素から
選ばれる一種または二種以上の元素からなる元素Mと、
Oの化合物を含む非晶質相からなる磁性合金薄膜を、可
撓性の基板上に非成膜領域を残した状態で成膜して得ら
れた磁性フィルムを棒状に丸めてなるものである。本発
明は、前記の磁性体において、前記磁性合金薄膜の非晶
質相が、さらにB、Cから選ばれる一種または二種の元
素からなる元素TとOを多量に含んでなるものである。
本発明の磁性体は、その組成式がFeaM'bcで示さ
れ、元素M'は、希土類元素から選ばれる一種または二
種以上の元素を表し、組成比a、b、cは原子%で、5
0≦a≦70、5≦b≦30、10≦c≦30、a+b
+c=100なる関係を満足する磁性合金薄膜を、可撓
性の基板上に非成膜領域を残した状態で成膜して得られ
た磁性フィルムを棒状に丸めてなるものである。本発明
の磁性体は、その組成式がFedM''efで示され、元
素M''は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Wから
選ばれる一種または二種以上の元素を表し、組成比d、
e、fは原子%で、45≦d≦70、5≦e≦30、1
0≦f≦40、d+e+f=100なる関係を満足する
磁性合金薄膜を、可撓性の基板上に非成膜領域を残した
状態で成膜して得られた磁性フィルムを棒状に丸めてな
るものである。
[0010] The magnetic material of the present invention contains one or two elements selected from Fe and Co as main components, and has a crystal phase composed of crystal grains having an average crystal grain size of 30 nm or less;
an element M composed of one or more elements selected from r, Hf, Nb, Ta, Mo, W and rare earth elements;
A magnetic film obtained by forming a magnetic alloy thin film composed of an amorphous phase containing a compound of O on a flexible substrate while leaving a non-film-forming region, and rounding the obtained magnetic film into a rod shape. . According to the present invention, in the above magnetic material, the amorphous phase of the magnetic alloy thin film further contains a large amount of elements T and O composed of one or two elements selected from B and C.
The composition of the magnetic material of the present invention is represented by Fe a M ′ b O c , and the element M ′ represents one or more elements selected from rare earth elements, and the composition ratios a, b, and c are Atomic%, 5
0 ≦ a ≦ 70, 5 ≦ b ≦ 30, 10 ≦ c ≦ 30, a + b
A magnetic film obtained by depositing a magnetic alloy thin film satisfying the relationship of + c = 100 on a flexible substrate while leaving a non-deposition area is rounded into a rod shape. Magnetic body of the present invention, its composition formula 'indicated by e O f, the element M' Fe d M '' is, Ti, Zr, Hf, V , Nb, Ta, one or two or more selected from W And the composition ratio d,
e and f are atomic%, 45 ≦ d ≦ 70, 5 ≦ e ≦ 30, 1
A magnetic film obtained by forming a magnetic alloy thin film satisfying the relationship of 0 ≦ f ≦ 40 and d + e + f = 100 on a flexible substrate while leaving a non-film forming region is rounded into a rod shape. Things.

【0011】本発明の磁性体は、その組成式がFegh
ijで示され、元素Mは、Ti、Zr、Hf、Nb、
Ta、Mo、Wおよび希土類元素から選ばれる一種また
は二種以上の元素を表し、元素Tは、B、Cから選ばれ
る一種または二種の元素を表し、組成比g、h、i、j
は原子%で、50≦g≦75、5≦h≦30、15≦i
≦25、0<j≦6、15≦i+j≦30なる関係を満
足する磁性合金薄膜を、可撓性の基板上に非成膜領域を
残した状態で成膜して得られた磁性フィルムを棒状に丸
めてなるものである。本発明の磁性体は、その組成式が
(Co1-kkmM'''npqrで示され、元素Rは、
Fe、Ni、Pd、Mn、Alから選ばれる一種または
二種以上の元素を表し、元素M'''は、Ti、Zr、H
f、Nb、Ta、Mo、Wおよび希土類元素から選ばれ
る一種または二種以上の元素を表し、元素Qは、O、
N、C、Bから選ばれる一種または二種以上の元素を表
し、元素Xは、Si、Crから選ばれる一種または二種
の元素を表し、元素Zは、Au、Agおよび白金族の元
素から選ばれる一種または二種以上の元素を表し、組成
比kは、0.05≦k≦0.5、組成比n、p、q、r
は原子%で、3≦n≦30、7≦p≦40、0≦q≦2
0、0≦r≦20なる関係を満足し、残部はmと不可避
不純物である磁性合金薄膜を、可撓性の基板上に非成膜
領域を残した状態で成膜して得られた磁性フィルムを棒
状に丸めてなるものである。本発明は、前記いずれかに
記載の磁性体において、可撓性の基板上に、磁性合金薄
膜が縞状に形成されているか、あるいは前記非成膜領域
が格子状に形成されているものである。本発明は、前記
いずれかに記載の磁性体において、可撓性の基板の全面
積に対して、磁性合金薄膜を形成した領域が占める面積
の割合を50%以上100%未満とするものである。
The magnetic material of the present invention has a composition formula of Fe g M h
O i T j , and the element M is composed of Ti, Zr, Hf, Nb,
Represents one or two or more elements selected from Ta, Mo, W and rare earth elements; the element T represents one or two elements selected from B and C; and the composition ratio g, h, i, j
Is atomic%, 50 ≦ g ≦ 75, 5 ≦ h ≦ 30, 15 ≦ i
≦ 25, 0 <j ≦ 6, 15 ≦ i + j ≦ 30 A magnetic alloy thin film formed by forming a magnetic alloy thin film on a flexible substrate while leaving a non-film-forming region is formed. It is rolled into a bar. The magnetic material of the present invention has a composition formula of (Co 1-k R k ) m M ″ ′ n Q p X q Z r , wherein the element R is
Represents one or more elements selected from Fe, Ni, Pd, Mn, and Al, and the element M ″ ′ is Ti, Zr, H
represents one or more elements selected from f, Nb, Ta, Mo, W and rare earth elements;
Represents one or more elements selected from N, C, and B; the element X represents one or two elements selected from Si and Cr; and the element Z represents one of Au, Ag, and platinum group elements. Represents one or more selected elements, and the composition ratio k is 0.05 ≦ k ≦ 0.5, the composition ratio n, p, q, r
Is atomic%, 3 ≦ n ≦ 30, 7 ≦ p ≦ 40, 0 ≦ q ≦ 2
The relationship 0, 0 ≦ r ≦ 20 is satisfied, and the remainder is obtained by forming a film of a magnetic alloy thin film, which is an unavoidable impurity, on a flexible substrate while leaving a non-film formation region. The film is rolled into a rod. The present invention provides the magnetic material according to any one of the above, wherein a magnetic alloy thin film is formed in a stripe shape on a flexible substrate, or the non-film-forming region is formed in a grid shape. is there. According to the present invention, in the magnetic material according to any one of the above, the ratio of the area occupied by the region where the magnetic alloy thin film is formed to the entire area of the flexible substrate is 50% or more and less than 100%. .

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明について、図面を用
いてさらに詳細に説明する。本発明の要旨は、種々の磁
性合金からなる薄膜を、可撓性の基板上に非成膜領域を
残した状態で成膜したことにある。非成膜領域を残した
状態で成膜するとは、基板上に1枚の大きな薄膜を形成
するのではなく、基板上の薄膜をいくつかに分割して形
成することで、薄膜と薄膜の間に成膜されていない領域
を残すという意味である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings. The gist of the present invention resides in that thin films made of various magnetic alloys are formed on a flexible substrate while leaving a non-film forming region. Depositing a film without leaving a non-deposition region means that a thin film on the substrate is divided into several thin films instead of forming one large thin film on the substrate. Means that an area where no film is formed is left.

【0013】基板上に大きな薄膜が1枚だけ形成されて
いる場合、薄膜には渦電流が発生しやすく、これが高周
波透磁率の低下の一因となるが、薄膜を細分化してその
数を増やし、薄膜の1枚当たりの面積を小さくすること
で、渦電流の発生を抑制することができ、高周波透磁率
の低下を抑えることができる。
When only one large thin film is formed on a substrate, eddy currents are liable to be generated in the thin film, which causes a decrease in high-frequency magnetic permeability. By reducing the area per thin film, generation of eddy current can be suppressed, and a decrease in high-frequency magnetic permeability can be suppressed.

【0014】図1は、本発明の実施形態の一例を示す平
面図であり、図中符号1は基板、符号2は磁性合金薄
膜、符号3は非成膜領域である。非成膜領域3は、例え
ば、成膜を行う前に該当部分を適当なマスキング材で保
護しておき、成膜後マスキング材を除去することで形成
することができる。図1(a)は、可撓性の基板1上に
幅10mmの磁性合金薄膜2を3枚形成したものであ
る。2つの磁性合金薄膜2、2に挟まれた非成膜領域3
は、幅1mmのポリイミドテープをマスキング材として
使用することで得た。同様に、図1(b)は幅5mmの
磁性合金薄膜2を6枚、図1(c)は幅2mmの磁性合
金薄膜2を13枚形成したものである。本発明において
は、これら一連の成膜パターンを縦ストライプ型と称す
る。
FIG. 1 is a plan view showing an example of the embodiment of the present invention. In the drawing, reference numeral 1 denotes a substrate, reference numeral 2 denotes a magnetic alloy thin film, and reference numeral 3 denotes a non-film formation region. The non-film formation region 3 can be formed by, for example, protecting the relevant portion with a suitable masking material before performing film formation and removing the masking material after film formation. FIG. 1A shows a structure in which three magnetic alloy thin films 2 each having a width of 10 mm are formed on a flexible substrate 1. Non-film formation region 3 sandwiched between two magnetic alloy thin films 2 and 2
Was obtained by using a polyimide tape having a width of 1 mm as a masking material. Similarly, FIG. 1B shows six magnetic alloy thin films 2 having a width of 5 mm, and FIG. 1C shows thirteen magnetic alloy thin films 2 having a width of 2 mm. In the present invention, these series of film formation patterns are referred to as a vertical stripe type.

【0015】図2は、本発明の実施形態の他の一例を示
す平面図であり、図中符号1は基板、符号2は磁性合金
薄膜、符号3は非成膜領域である。図2(d)は、可撓
性の基板1上に縦横10mm四方の磁性合金薄膜2を合
計9枚形成したものである。非成膜領域3は、図1の説
明において述べた通り、幅1mmのポリイミドテープを
マスキング材として使用することで得た。同様に、図2
(e)は縦横5mm四方の磁性合金薄膜2を合計36
枚、図2(f)は縦横2mm四方の磁性合金薄膜2を合
計121枚形成したものである。本発明においては、こ
れら一連の成膜パターンを格子型と称する。
FIG. 2 is a plan view showing another example of the embodiment of the present invention. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes a substrate, reference numeral 2 denotes a magnetic alloy thin film, and reference numeral 3 denotes a non-film formation region. FIG. 2D shows a case where a total of nine magnetic alloy thin films 2 each measuring 10 mm in length and width are formed on a flexible substrate 1. The non-film formation region 3 was obtained by using a polyimide tape having a width of 1 mm as a masking material, as described in the description of FIG. Similarly, FIG.
(E) shows a magnetic alloy thin film 2 of 5 mm in length and width and 36 mm in total.
FIG. 2 (f) shows a total of 121 magnetic alloy thin films 2 of 2 mm × 2 mm square. In the present invention, these series of film formation patterns are referred to as a lattice type.

【0016】図3は、本発明の実施形態のさらに別の一
例を示す平面図であり、図中符号1は基板、符号2は磁
性合金薄膜、符号3は非成膜領域である。図3(g)
は、可撓性の基板上に幅10mmの磁性合金薄膜2を3
枚形成したものである。2つの磁性合金薄膜2、2に挟
まれた非成膜領域3は、図1の説明において述べた通
り、幅1mmのポリイミドテープをマスキング材として
使用することで得た。同様に、図3(h)は幅5mmの
磁性合金薄膜2を6枚、図3(i)は幅2mmの磁性合
金薄膜2を13枚形成したものである。本発明において
は、これら一連の成膜パターンを横ストライプ型と称す
る。
FIG. 3 is a plan view showing still another example of the embodiment of the present invention, wherein reference numeral 1 denotes a substrate, reference numeral 2 denotes a magnetic alloy thin film, and reference numeral 3 denotes a non-film formation region. FIG. 3 (g)
Is to deposit a 10 mm-wide magnetic alloy thin film 2 on a flexible substrate.
It is one formed. The non-film-forming region 3 sandwiched between the two magnetic alloy thin films 2 and 2 was obtained by using a polyimide tape having a width of 1 mm as a masking material as described in the description of FIG. Similarly, FIG. 3H shows six magnetic alloy thin films 2 having a width of 5 mm, and FIG. 3I shows thirteen magnetic alloy thin films 2 having a width of 2 mm. In the present invention, these series of film formation patterns are referred to as a horizontal stripe type.

【0017】細分化された薄膜の形状および基板上の配
置は任意である。すなわち、薄膜が基板上に規則的に並
んでいてもよいし、不規則な形状と間隔で形成されてい
ても差し支えない。例えば、図1や図3に示すように、
可撓性の基板上に長方形の薄膜が並んで縞状になるよう
に形成されていてもよいし、あるいは、図2に示すよう
に非成膜領域が格子状に見えるように、四角形の薄膜が
縦横に規則的に並んでいてもよい。
The shape of the subdivided thin film and the arrangement on the substrate are arbitrary. That is, the thin films may be arranged regularly on the substrate, or may be formed at irregular shapes and intervals. For example, as shown in FIGS. 1 and 3,
A rectangular thin film may be formed on a flexible substrate so as to be arranged in stripes, or a rectangular thin film may be formed so that the non-film formation region looks like a lattice as shown in FIG. May be regularly arranged vertically and horizontally.

【0018】可撓性の基板の全面積に対して、磁性合金
薄膜を形成した領域が占める面積の割合は、50%以上
100%未満の範囲にあることが好ましく、60%以上
95%以下の範囲にあることがさらに好ましく、70%
以上90%以下の範囲にあることが最も好ましい。上記
割合が50%未満であると、フィルム全体に対する磁性
膜の割合が小さくなり、実効的な磁束密度や透磁率が小
さくなるといった不都合が生じる。
The ratio of the area occupied by the region where the magnetic alloy thin film is formed to the total area of the flexible substrate is preferably in the range of 50% or more and less than 100%, and more preferably in the range of 60% or more and 95% or less. More preferably in the range, 70%
Most preferably, it is in the range of at least 90%. If the above ratio is less than 50%, the ratio of the magnetic film to the entire film becomes small, resulting in a disadvantage that the effective magnetic flux density and the magnetic permeability become small.

【0019】次に、本発明に好適に用いることのできる
磁性合金について、組成例を挙げて説明する。組成例1
の磁性合金は、Fe、Coから選ばれる一種または二種
の元素を主成分とし、平均結晶粒径30nm以下の結晶
粒からなる結晶相と、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、
Mo、Wおよび希土類元素から選ばれる一種または二種
以上の元素からなる元素Mと、Oの化合物を含む非晶質
相からなるものである。なお、組成例1において、非晶
質相にはB、Cから選ばれる一種または二種の元素から
なる元素TとOを多量に含んでいてもよい。組成例2の
磁性合金は、組成式がFeaM'bcで示され、元素M'
は、希土類元素から選ばれる一種または二種以上の元素
を表し、組成比a、b、cは原子%で、50≦a≦7
0、5≦b≦30、10≦c≦30、a+b+c=10
0なる関係を満足するものである。組成例3の磁性合金
は、組成式がFedM''efで示され、元素M''は、T
i、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Wから選ばれる一種
または二種以上の元素を表し、組成比d、e、fは原子
%で、45≦d≦70、5≦e≦30、10≦f≦4
0、d+e+f=100なる関係を満足するものであ
る。
Next, magnetic alloys that can be suitably used in the present invention will be described with reference to composition examples. Composition Example 1
The magnetic alloy of the present invention is mainly composed of one or two elements selected from Fe and Co, and has a crystal phase composed of crystal grains having an average crystal grain size of 30 nm or less, Ti, Zr, Hf, Nb, Ta,
An amorphous phase containing a compound of O and one or two or more elements selected from Mo, W and rare earth elements. In the composition example 1, the amorphous phase may contain a large amount of the elements T and O composed of one or two elements selected from B and C. In the magnetic alloy of Composition Example 2, the composition formula is represented by Fe a M ' b O c , and the element M'
Represents one or more elements selected from rare earth elements, and the composition ratios a, b, and c are atomic%, and 50 ≦ a ≦ 7.
0, 5 ≦ b ≦ 30, 10 ≦ c ≦ 30, a + b + c = 10
0 is satisfied. Magnetic alloy having the composition Example 3, the composition formula is 'indicated by e O f, the element M' Fe d M '' is T
represents one or more elements selected from i, Zr, Hf, V, Nb, Ta, and W, and the composition ratios d, e, and f are atomic% and 45 ≦ d ≦ 70, 5 ≦ e ≦ 30, 10 ≦ f ≦ 4
0, d + e + f = 100.

【0020】組成例4の磁性合金は、組成式がFegh
ijで示され、元素Mは、Ti、Zr、Hf、Nb、
Ta、Mo、Wおよび希土類元素から選ばれる一種また
は二種以上の元素を表し、元素Tは、B、Cから選ばれ
る一種または二種の元素を表し、組成比g、h、i、j
は原子%で、50≦g≦75、5≦h≦30、15≦i
≦25、0<j≦6、15≦i+j≦30なる関係を満
足するものである。組成例5の磁性合金は、組成式が
(Co1-kkmM'''npqrで示され、元素Rは、
Fe、Ni、Pd、Mn、Alから選ばれる一種または
二種以上の元素を表し、元素M'''は、Ti、Zr、H
f、Nb、Ta、Mo、Wおよび希土類元素から選ばれ
る一種または二種以上の元素を表し、元素Qは、O、
N、C、Bから選ばれる一種または二種以上の元素を表
し、元素Xは、Si、Crから選ばれる一種または二種
の元素を表し、元素Zは、Au、Agおよび白金族の元
素から選ばれる一種または二種以上の元素を表し、組成
比kは、0.05≦k≦0.5、組成比n、p、q、r
は原子%で、3≦n≦30、7≦p≦40、0≦q≦2
0、0≦r≦20なる関係を満足し、残部はmと不可避
不純物からなるものである。
The magnetic alloy of Composition Example 4 has a composition formula of Fe g M h
O i T j , and the element M is composed of Ti, Zr, Hf, Nb,
Represents one or two or more elements selected from Ta, Mo, W and rare earth elements; the element T represents one or two elements selected from B and C; and the composition ratio g, h, i, j
Is atomic%, 50 ≦ g ≦ 75, 5 ≦ h ≦ 30, 15 ≦ i
≦ 25, 0 <j ≦ 6, and 15 ≦ i + j ≦ 30. The magnetic alloy of Composition Example 5 has a composition formula of (Co 1-k R k ) m M ″ ′ n Q p X q z r where the element R is
Represents one or more elements selected from Fe, Ni, Pd, Mn, and Al, and the element M ″ ′ is Ti, Zr, H
represents one or more elements selected from f, Nb, Ta, Mo, W and rare earth elements;
Represents one or more elements selected from N, C, and B; element X represents one or two elements selected from Si and Cr; and element Z represents one from Au, Ag, and platinum group elements. Represents one or more selected elements, and the composition ratio k is 0.05 ≦ k ≦ 0.5, the composition ratio n, p, q, r
Is atomic%, 3 ≦ n ≦ 30, 7 ≦ p ≦ 40, 0 ≦ q ≦ 2
The relationship of 0, 0 ≦ r ≦ 20 is satisfied, and the remainder consists of m and unavoidable impurities.

【0021】これらの磁性合金からなる薄膜を作成する
には、スパッタ、蒸着などの既存の薄膜形成技術を適宜
使用すればよい。スパッタ装置としては、RF二極スパ
ッタ、DCスパッタ、マグネトロンスパッタ、三極スパ
ッタ、イオンビームスパッタ、対向ターゲット式スパッ
タなど既存のものを使用することができる。また、基板
上の非成膜領域は、薄膜を形成する前に当該部分をポリ
イミドテープ、レジスト材などのマスキング材で被覆し
ておき、薄膜形成後にマスキング材を除去することで得
ることができる。すなわち、これらの磁性合金からなる
薄膜を、可撓性の基板上に非成膜領域を残した状態で成
膜することで、本発明の磁性フィルムを得ることができ
る。
In order to form a thin film made of these magnetic alloys, existing thin film forming techniques such as sputtering and vapor deposition may be used as appropriate. As the sputtering apparatus, an existing apparatus such as RF bipolar sputtering, DC sputtering, magnetron sputtering, tripolar sputtering, ion beam sputtering, and facing target type sputtering can be used. In addition, the non-film formation region on the substrate can be obtained by covering the portion with a masking material such as a polyimide tape or a resist material before forming a thin film, and removing the masking material after forming the thin film. That is, the magnetic film of the present invention can be obtained by forming a thin film made of these magnetic alloys on a flexible substrate while leaving a non-film forming region.

【0022】こうして得られた磁性フィルムは、可撓性
があるので、その形状を自由に変えることができる。例
えば、フィルムを丸めて筒状にしたり、フィルムを折り
曲げたりすることが可能となり、これにより電子機器の
小型化などを図ることができる。この磁性フィルムの用
途としては、棒状のアンテナ、プレーナーインダクタ、
トランスなどを例示することができる。
Since the magnetic film thus obtained is flexible, its shape can be freely changed. For example, the film can be rolled into a cylindrical shape, or the film can be bent, whereby the size of an electronic device can be reduced. Applications of this magnetic film include rod-shaped antennas, planar inductors,
A transformer and the like can be exemplified.

【0023】この磁性フィルムを丸めたり折り曲げたり
する場合、薄膜が細分化されていることで、薄膜にかか
る応力を緩和することができる。磁性フィルムをたわま
せると、薄膜も同時に曲げられるが、薄膜が1枚の場合
は、たわんだ力が全て薄膜にも同様にかかるのに対し、
薄膜が複数枚に細分化されている場合は、薄膜1枚ごと
に力が分散され、さらに非成膜部分でも力を受け止める
ため、全体として薄膜にかかる力を緩和することができ
る。
When this magnetic film is rolled or bent, the stress applied to the thin film can be reduced because the thin film is subdivided. When the magnetic film is bent, the thin film is also bent at the same time, but when only one thin film is used, all the bending force is applied to the thin film as well.
When the thin film is divided into a plurality of thin films, the force is dispersed for each thin film, and the force is received even in the non-film-formed portion, so that the force applied to the thin film as a whole can be reduced.

【0024】[0024]

【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるもので
はない。
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0025】本発明の磁性合金の一例としてFe−Co
−Hf−O系の合金を用い、この磁性合金を可撓性のフ
ィルム上に成膜して得られた磁性フィルムを丸めて筒状
にした場合の、薄膜の細分化の度合い、筒の内径などの
要素による磁性体の特性の変化について調べた。まず、
PET(ポリエチレンテレフタレート)フィルムに、F
e−Co−Hf−O系の合金からなる薄膜をスパッタし
たサンプルを、以下のように作成した。スパッタ装置に
はRFコンベンショナルスパッタ装置を、ターゲットに
はCoターゲットにFeチップ、Hfチップを付着させ
た複合ターゲットを用い、Ar+O2の混合ガス雰囲気
中でスパッタを行った。スパッタは、約50 Oeの磁
場中で行い、出力は200W、ガス圧は6×10-3To
rrであった。
As an example of the magnetic alloy of the present invention, Fe--Co
When a magnetic film obtained by forming a magnetic film on a flexible film using an Hf-O-based alloy is rolled into a cylindrical shape, the degree of subdivision of the thin film, the inner diameter of the cylinder Changes in the characteristics of the magnetic material due to factors such as the above were investigated. First,
PET (polyethylene terephthalate) film with F
A sample obtained by sputtering a thin film made of an e-Co-Hf-O-based alloy was prepared as follows. Sputtering was performed in a mixed gas atmosphere of Ar + O 2 using an RF conventional sputtering apparatus as a sputtering apparatus and a composite target obtained by attaching an Fe chip and an Hf chip to a Co target as a target. The sputtering was performed in a magnetic field of about 50 Oe, the output was 200 W, and the gas pressure was 6 × 10 −3 To.
rr.

【0026】図1〜3に示す通り、磁性フィルムの細分
化パターンとしては、縦ストライプ型、格子型、横スト
ライプ型の3種類、細分化サイズは、幅10mm、5m
m、2mmの3種類、合計9種類のサンプルを2つずつ
作成した。この時、成膜させない部分は、PETフィル
ムをあらかじめ幅1mmのポリイミドテープを用いてマ
スキングした。こうして得られた薄膜の組成は、Co44
Fe14Hf2022であった。図1〜3に示す合計9種類
のサンプルについて、基板1を図中矢印方向(巻き取り
方向)に巻くことで、各サンプルごとに内径3.5mm
と内径2.0mmの2本の筒、合計18本を作成した。
それぞれについてネットワークアナライザーを使用して
透磁率(μ)と周波数(f)の関係について測定した。
磁場印加方向は、図1〜3の矢印方向(励磁方向)とし
た。
As shown in FIGS. 1 to 3, there are three types of subdivided patterns of the magnetic film: a vertical stripe type, a lattice type, and a horizontal stripe type.
Three samples of m and 2 mm, a total of nine types of samples, were prepared two by two. At this time, the PET film was masked in advance by using a polyimide tape having a width of 1 mm in the portion where the film was not formed. The composition of the thin film thus obtained was Co 44
Fe 14 Hf 20 O 22 . By winding the substrate 1 in the direction of the arrow (winding direction) in the figure for a total of nine types of samples shown in FIGS.
And two cylinders having an inner diameter of 2.0 mm, for a total of 18 tubes.
The relationship between magnetic permeability (μ) and frequency (f) was measured for each of them using a network analyzer.
The magnetic field application direction was the direction of the arrow (excitation direction) in FIGS.

【0027】図4は、縦ストライプ型のサンプル3種類
を、内径3.5mmの筒状に巻いたときの透磁率(μ)
と周波数(f)の測定結果である。図中、グラフ(a)
は磁性合金薄膜の幅10mm、グラフ(b)は幅5m
m、グラフ(c)は幅2mmである。グラフから、周波
数100MHzにおける透磁率の実数部(μ')と、透
磁率の虚数部(μ'')の数値を読み取り、(μ')/
(μ'')の値Qを求めた。
FIG. 4 shows the magnetic permeability (μ) when three kinds of vertical stripe type samples were wound into a cylinder having an inner diameter of 3.5 mm.
And measurement results of frequency (f). In the figure, graph (a)
Is a width of a magnetic alloy thin film of 10 mm, and the graph (b) is a width of 5 m.
m, the graph (c) has a width of 2 mm. From the graph, the numerical values of the real part (μ ′) of the magnetic permeability and the imaginary part (μ ″) of the magnetic permeability at a frequency of 100 MHz are read, and (μ ′) /
The value Q of (μ ″) was determined.

【0028】図5は、縦ストライプ型のサンプル3種類
を、内径2.0mmの筒状に巻いたときの透磁率(μ)
と周波数(f)の測定結果である。図中、グラフ(d)
は磁性合金薄膜の幅10mm、グラフ(e)は幅5m
m、グラフ(f)は幅2mmである。上記と同様に、グ
ラフから、周波数100MHzにおける透磁率の実数部
(μ')と、透磁率の虚数部(μ'')の数値を読み取
り、(μ')/(μ'')の値Qを求めた。他のサンプル
も同様にQを求めた。得られた結果から、Qと各サンプ
ルの細分化サイズの関係をグラフにまとめた。
FIG. 5 shows the magnetic permeability (μ) when three kinds of vertical stripe type samples were wound into a cylinder having an inner diameter of 2.0 mm.
And measurement results of frequency (f). In the figure, graph (d)
Indicates the width of the magnetic alloy thin film of 10 mm, and the graph (e) indicates the width of 5 m.
m, the graph (f) has a width of 2 mm. Similarly to the above, the numerical values of the real part (μ ′) of the magnetic permeability and the imaginary part (μ ″) of the magnetic permeability at a frequency of 100 MHz are read from the graph, and the value Q of (μ ′) / (μ ″) is read. I asked. Q was similarly determined for the other samples. From the obtained results, the relationship between Q and the fragmentation size of each sample was summarized in a graph.

【0029】図6は、各サンプルを内径3.5mmの筒
状に巻いた場合の測定結果を示すグラフである。縦スト
ライプ型、格子型、横ストライプ型のいずれも薄膜を細
分化するほどQ値が高くなっており、ほとんどのデータ
が、細分化していない磁性フィルムのQ値(約11)を
上回っている。Q値は、いずれのサイズにおいても格子
型がいちばん高く、横ストライプ型は格子型に迫る数字
になっている。
FIG. 6 is a graph showing the measurement results when each sample was wound into a cylinder having an inner diameter of 3.5 mm. In any of the vertical stripe type, the lattice type, and the horizontal stripe type, the Q value increases as the thin film is subdivided, and almost all data exceed the Q value (about 11) of the undivided magnetic film. Regarding the Q value, the lattice type is the highest in any size, and the horizontal stripe type is a number approaching that of the lattice type.

【0030】縦ストライプ型は、他の2つのパターンと
比較してQ値が低くなっているが、これは縦ストライプ
型の帯状の薄膜の長手方向と、巻き取り方向との関係に
起因する。横ストライプ型の場合は、帯状の薄膜の長手
方向と巻き取り方向が一致しており、磁性フィルムを筒
状にすることで薄膜に応力が加わり、各ストライプには
励磁方向と直角方向の誘導異方性が付与され、励磁方向
が磁化困難軸方向となり、Q値は高くなると考えられ
る。これに対し、縦ストライプ型は、帯状の薄膜の長手
方向と巻き取り方向が直交しており、磁性フィルムを筒
状にしても、薄膜には応力が加わりにくく、さらに各ス
トライプの異方性は、励磁方向と同方向に磁化容易軸を
持つようになり、容易軸励磁となってしまう。
The Q value of the vertical stripe type is lower than that of the other two patterns. This is due to the relationship between the longitudinal direction of the vertical stripe band-shaped thin film and the winding direction. In the case of the horizontal stripe type, the longitudinal direction of the strip-shaped thin film and the winding direction match, and stress is applied to the thin film by making the magnetic film cylindrical, and each stripe has an induction difference in a direction perpendicular to the excitation direction. It is considered that anisotropy is provided, the excitation direction becomes the direction of the hard magnetization axis, and the Q value increases. On the other hand, in the vertical stripe type, the longitudinal direction of the strip-shaped thin film and the winding direction are orthogonal, and even if the magnetic film is cylindrical, stress is not easily applied to the thin film, and the anisotropy of each stripe is further reduced. In this case, an axis of easy magnetization is provided in the same direction as the excitation direction, resulting in easy axis excitation.

【0031】図7は、各サンプルを内径2.0mmの筒
状に巻いた場合の測定結果を示すグラフである。縦スト
ライプ型、格子型、横ストライプ型のいずれも薄膜を細
分化するほどQ値が高くなる傾向にあり、全てのデータ
が、細分化していない磁性フィルムのQ値(約11)を
上回っている。Q値は、いずれのサイズにおいても格子
型がいちばん高く、横ストライプ型、縦ストライプ型の
順になっている。
FIG. 7 is a graph showing the measurement results when each sample was wound into a cylindrical shape having an inner diameter of 2.0 mm. In any of the vertical stripe type, the lattice type, and the horizontal stripe type, the Q value tends to increase as the thin film is subdivided, and all data exceed the Q value (about 11) of the non-subdivided magnetic film. . Regarding the Q value, the lattice type is the highest in any size, and is in the order of the horizontal stripe type and the vertical stripe type.

【0032】図6、図7から、細分化されていない磁性
フィルムのQ値を上回るためには、少なくとも細分化サ
イズを10mm以下とし、100MHzで15以上のQ
値を得るためには、細分化サイズを5mm以下としなく
てはならないことがわかる。細分化のパターンとして
は、縦ストライプとするのが最も好ましく、細分化サイ
ズを5mm以下とすれば20以上のQ値が得られる。
From FIGS. 6 and 7, it can be seen that, in order to exceed the Q value of the undivided magnetic film, at least the size of the fragmentation should be 10 mm or less and the Q value of 15 or more at 100 MHz.
It can be seen that in order to obtain a value, the subdivision size must be 5 mm or less. The subdivision pattern is most preferably a vertical stripe. If the subdivision size is 5 mm or less, a Q value of 20 or more can be obtained.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁性合金
薄膜は、前述した特定の組成と特定の組成比からなるF
e、CoまたはFeとCoを主成分とする合金からなる
ものであって、この磁性合金を可撓性の基板上に非成膜
領域を残した状態で成膜して得られた磁性フィルムは、
高周波数領域においても高いQ値を示し、損失の少ない
磁心を提供できるので、アンテナ、プレーナーインダク
タ、トランスなどの磁気素子の小型軽量化、高性能化に
貢献するものである。特に、磁性フィルムを丸めて棒状
とした磁性体からは、優れた棒状アンテナなどが提供さ
れる。
As described above, the magnetic alloy thin film of the present invention has a specific composition and a specific composition ratio described above.
e, Co or a magnetic film made of an alloy mainly composed of Fe and Co, and obtained by forming a film of this magnetic alloy on a flexible substrate while leaving a non-film forming region. ,
Since a magnetic core having a high Q value and a low loss can be provided even in a high frequency region, it contributes to a reduction in the size, weight, and performance of magnetic elements such as an antenna, a planar inductor, and a transformer. In particular, an excellent rod-shaped antenna or the like is provided from a magnetic material formed by rolling a magnetic film into a rod shape.

【0034】磁性合金を基板上に成膜する場合、薄膜を
細分化して形成することで、大きな薄膜が1枚だけ形成
されている場合と比較して、渦電流の発生を抑制するこ
とができ、高周波透磁率の低下を抑えることができ、Q
値の高い磁性フィルムを得ることができる。基板の全面
積に対する磁性合金薄膜の面積の割合を50%以上10
0%未満とすることで、高性能の磁性フィルムを得るこ
とができる。この磁性フィルムを丸めたり折り曲げたり
する場合、薄膜が細分化されていることで、薄膜にかか
る応力を緩和することができる。
When a magnetic alloy is formed on a substrate, the generation of an eddy current can be suppressed by forming the thin film into smaller pieces as compared with the case where only one large thin film is formed. , The decrease in high-frequency permeability can be suppressed, and Q
A high value magnetic film can be obtained. The ratio of the area of the magnetic alloy thin film to the entire area of the substrate is 50% or more and 10% or more.
When the content is less than 0%, a high-performance magnetic film can be obtained. When the magnetic film is rolled or bent, the stress applied to the thin film can be reduced because the thin film is subdivided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施形態の一例を示す平面図。FIG. 1 is a plan view showing an example of an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施形態の他の一例を示す平面図。FIG. 2 is a plan view showing another example of the embodiment of the present invention.

【図3】 本発明の実施形態のさらに別の一例を示す平
面図。
FIG. 3 is a plan view showing still another example of the embodiment of the present invention.

【図4】 縦ストライプ型のサンプル3種類を、内径
3.5mmの筒状に巻いたときの透磁率(μ)と周波数
(f)の測定結果を示すグラフ。
FIG. 4 is a graph showing measurement results of magnetic permeability (μ) and frequency (f) when three kinds of vertical stripe type samples are wound into a cylinder having an inner diameter of 3.5 mm.

【図5】 縦ストライプ型のサンプル3種類を、内径
2.0mmの筒状に巻いたときの透磁率(μ)と周波数
(f)の測定結果を示すグラフ。
FIG. 5 is a graph showing measurement results of magnetic permeability (μ) and frequency (f) when three types of vertical stripe type samples are wound into a cylindrical shape having an inner diameter of 2.0 mm.

【図6】 内径3.5mmの筒状磁性体の、100MH
zにおけるQ値と薄膜の細分化サイズの関係を示すグラ
フ。
FIG. 6: 100 MH of a cylindrical magnetic material having an inner diameter of 3.5 mm
7 is a graph showing the relationship between the Q value at z and the subdivided size of the thin film.

【図7】 内径2.0mmの筒状磁性体の、100MH
zにおけるQ値と薄膜の細分化サイズの関係を示すグラ
フ。
FIG. 7: 100 MH of a cylindrical magnetic body having an inner diameter of 2.0 mm
7 is a graph showing the relationship between the Q value at z and the subdivided size of the thin film.

【図8】 従来材料における透磁率の周波数依存性を示
すグラフ。
FIG. 8 is a graph showing the frequency dependence of the magnetic permeability of a conventional material.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 磁性合金薄膜 3 非成膜領域 1 Substrate 2 Magnetic alloy thin film 3 Non-film formation area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧野 彰宏 東京都大田区雪谷大塚町1番7号 アルプ ス電気株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Akihiro Makino 1-7 Yukiya Otsukacho, Ota-ku, Tokyo Alps Electric Co., Ltd.

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 Fe、Coから選ばれる一種または二種
の元素を主成分とし、平均結晶粒径30nm以下の結晶
粒からなる結晶相と、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、
Mo、Wおよび希土類元素から選ばれる一種または二種
以上の元素からなる元素Mと、Oの化合物を含む非晶質
相からなる磁性合金薄膜を、可撓性の基板上に非成膜領
域を残した状態で成膜したことを特徴とする磁性フィル
ム。
1. A crystal phase mainly composed of one or two elements selected from Fe and Co and having an average crystal grain size of 30 nm or less, and Ti, Zr, Hf, Nb, Ta,
A magnetic alloy thin film composed of an amorphous phase containing a compound of O and an element M composed of one or two or more elements selected from Mo, W and rare earth elements is formed on a flexible substrate by a non-film formation region. A magnetic film characterized by being formed in a state where it is left.
【請求項2】 前記磁性合金薄膜の非晶質相が、さらに
B、Cから選ばれる一種または二種の元素からなる元素
TとOを多量に含むことを特徴とする請求項1記載の磁
性フィルム。
2. The magnetic material according to claim 1, wherein the amorphous phase of the magnetic alloy thin film further contains a large amount of elements T and O comprising one or two elements selected from B and C. the film.
【請求項3】 組成式がFeaM'bcで示され、元素
M'は、希土類元素から選ばれる一種または二種以上の
元素を表し、組成比a、b、cは原子%で、50≦a≦
70、5≦b≦30、10≦c≦30、a+b+c=1
00なる関係を満足する磁性合金薄膜を、可撓性の基板
上に非成膜領域を残した状態で成膜したことを特徴とす
る磁性フィルム。
3. The composition formula is represented by Fe a M ′ b O c , wherein the element M ′ represents one or more elements selected from rare earth elements, and the composition ratios a, b, and c are atomic percent. , 50 ≦ a ≦
70, 5 ≦ b ≦ 30, 10 ≦ c ≦ 30, a + b + c = 1
A magnetic film, wherein a magnetic alloy thin film satisfying the relationship of 00 is formed on a flexible substrate while leaving a non-film formation region.
【請求項4】 組成式がFedM''efで示され、元素
M''は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Wから選
ばれる一種または二種以上の元素を表し、組成比d、
e、fは原子%で、45≦d≦70、5≦e≦30、1
0≦f≦40、d+e+f=100なる関係を満足する
磁性合金薄膜を、可撓性の基板上に非成膜領域を残した
状態で成膜したことを特徴とする磁性フィルム。
'Indicated by e O f, the element M' wherein a composition formula Fe d M '' is, Ti, Zr, Hf, V , Nb, Ta, and one or more elements selected from W And the composition ratio d,
e and f are atomic%, 45 ≦ d ≦ 70, 5 ≦ e ≦ 30, 1
A magnetic film, wherein a magnetic alloy thin film satisfying a relationship of 0 ≦ f ≦ 40 and d + e + f = 100 is formed on a flexible substrate while leaving a non-film formation region.
【請求項5】 組成式がFeghijで示され、元素
Mは、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Wおよび
希土類元素から選ばれる一種または二種以上の元素を表
し、元素Tは、B、Cから選ばれる一種または二種の元
素を表し、組成比g、h、i、jは原子%で、50≦g
≦75、5≦h≦30、15≦i≦25、0<j≦6、
15≦i+j≦30なる関係を満足する磁性合金薄膜
を、可撓性の基板上に非成膜領域を残した状態で成膜し
たことを特徴とする磁性フィルム。
5. The composition formula is represented by Fe g M h O i T j , and the element M is one or more elements selected from Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, W and rare earth elements. And the element T represents one or two elements selected from B and C, and the composition ratios g, h, i, and j are atomic% and 50 ≦ g
≦ 75, 5 ≦ h ≦ 30, 15 ≦ i ≦ 25, 0 <j ≦ 6,
A magnetic film, wherein a magnetic alloy thin film satisfying a relationship of 15 ≦ i + j ≦ 30 is formed on a flexible substrate in a state where a non-film formation region is left.
【請求項6】 組成式が(Co1-kkmM'''npq
rで示され、元素Rは、Fe、Ni、Pd、Mn、A
lから選ばれる一種または二種以上の元素を表し、元素
M'''は、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Wお
よび希土類元素から選ばれる一種または二種以上の元素
を表し、元素Qは、O、N、C、Bから選ばれる一種ま
たは二種以上の元素を表し、元素Xは、Si、Crから
選ばれる一種または二種の元素を表し、元素Zは、A
u、Agおよび白金族の元素から選ばれる一種または二
種以上の元素を表し、組成比kは、0.05≦k≦0.
5、組成比n、p、q、rは原子%で、3≦n≦30、
7≦p≦40、0≦q≦20、0≦r≦20なる関係を
満足し、残部はmと不可避不純物である磁性合金薄膜
を、可撓性の基板上に非成膜領域を残した状態で成膜し
たことを特徴とする磁性フィルム。
6. The composition formula is (Co 1-k R k ) m M ″ ′ n Q p X q
Represented by Z r, element R, Fe, Ni, Pd, Mn , A
l represents one or more elements selected from l, the element M '''' represents one or more elements selected from Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, W and rare earth elements, The element Q represents one or more elements selected from O, N, C, and B, the element X represents one or two elements selected from Si and Cr, and the element Z represents A
u, Ag, and one or more elements selected from platinum group elements, and the composition ratio k is 0.05 ≦ k ≦ 0.
5, composition ratio n, p, q, r is atomic%, 3 ≦ n ≦ 30,
The relationship of 7 ≦ p ≦ 40, 0 ≦ q ≦ 20, 0 ≦ r ≦ 20 is satisfied, and the remainder is m and a magnetic alloy thin film which is an unavoidable impurity, and a non-film formation region is left on a flexible substrate. A magnetic film characterized by being formed in a state.
【請求項7】 可撓性の基板上に、前記非成膜領域が縞
状もしくは格子状に形成されていることを特徴とする請
求項1ないし6のいずれか一項に記載の磁性フィルム。
7. The magnetic film according to claim 1, wherein the non-film-forming region is formed in a stripe shape or a lattice shape on a flexible substrate.
【請求項8】 可撓性の基板の全面積に対して、磁性合
金薄膜を形成した領域が占める面積の割合が50%以上
100%未満であることを特徴とする請求項1ないし7
のいずれか一項に記載の磁性フィルム。
8. The method according to claim 1, wherein a ratio of an area occupied by the region where the magnetic alloy thin film is formed to the entire area of the flexible substrate is 50% or more and less than 100%.
The magnetic film according to any one of the above.
【請求項9】 Fe、Coから選ばれる一種または二種
の元素を主成分とし、平均結晶粒径30nm以下の結晶
粒からなる結晶相と、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、
Mo、Wおよび希土類元素から選ばれる一種または二種
以上の元素からなる元素Mと、Oの化合物を含む非晶質
相からなる磁性合金薄膜を、可撓性の基板上に非成膜領
域を残した状態で成膜して得られた磁性フィルムを棒状
に丸めたことを特徴とする磁性体。
9. A crystal phase mainly composed of one or two elements selected from Fe and Co and having an average crystal grain size of 30 nm or less, and Ti, Zr, Hf, Nb, Ta,
A magnetic alloy thin film composed of an amorphous phase containing a compound of O and an element M composed of one or two or more elements selected from Mo, W and rare earth elements is formed on a flexible substrate by a non-film formation region. A magnetic material characterized in that a magnetic film obtained by forming a film in a state where it is left is rounded into a rod shape.
【請求項10】 前記磁性合金薄膜の非晶質相が、さら
にB、Cから選ばれる一種または二種の元素からなる元
素TとOを多量に含む磁性フィルムを棒状に丸めたこと
を特徴とする請求項9記載の磁性体。
10. A magnetic film in which the amorphous phase of the magnetic alloy thin film further contains a large amount of elements T and O composed of one or two elements selected from B and C, and is rounded into a rod shape. The magnetic body according to claim 9, wherein
【請求項11】 組成式がFeaM'bcで示され、元素
M'は、希土類元素から選ばれる一種または二種以上の
元素を表し、組成比a、b、cは原子%で、50≦a≦
70、5≦b≦30、10≦c≦30、a+b+c=1
00なる関係を満足する磁性合金薄膜を、可撓性の基板
上に非成膜領域を残した状態で成膜して得られた磁性フ
ィルムを棒状に丸めたことを特徴とする磁性体。
11. The composition formula is represented by Fe a M ′ b O c , wherein the element M ′ represents one or more elements selected from rare earth elements, and the composition ratios a, b, and c are expressed in atomic%. , 50 ≦ a ≦
70, 5 ≦ b ≦ 30, 10 ≦ c ≦ 30, a + b + c = 1
A magnetic material obtained by forming a magnetic alloy thin film satisfying the relationship of No. 00 on a flexible substrate while leaving a non-film forming region, and rounding the magnetic film into a rod shape.
【請求項12】 組成式がFedM''efで示され、元
素M''は、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Wから
選ばれる一種または二種以上の元素を表し、組成比d、
e、fは原子%で、45≦d≦70、5≦e≦30、1
0≦f≦40、d+e+f=100なる関係を満足する
磁性合金薄膜を、可撓性の基板上に非成膜領域を残した
状態で成膜して得られた磁性フィルムを棒状に丸めたこ
とを特徴とする磁性体。
12. A composition formula is 'indicated by e O f, the element M' Fe d M '' is, Ti, Zr, Hf, V , Nb, Ta, and one or more elements selected from W And the composition ratio d,
e and f are atomic%, 45 ≦ d ≦ 70, 5 ≦ e ≦ 30, 1
A magnetic film obtained by forming a magnetic alloy thin film satisfying a relationship of 0 ≦ f ≦ 40 and d + e + f = 100 on a flexible substrate while leaving a non-film forming region, and rounding the obtained magnetic film into a rod shape. A magnetic material characterized by the following.
【請求項13】 組成式がFeghijで示され、元
素Mは、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Wおよ
び希土類元素から選ばれる一種または二種以上の元素を
表し、元素Tは、B、Cから選ばれる一種または二種の
元素を表し、組成比g、h、i、jは原子%で、50≦
g≦75、5≦h≦30、15≦i≦25、0<j≦
6、15≦i+j≦30なる関係を満足する磁性合金薄
膜を、可撓性の基板上に非成膜領域を残した状態で成膜
して得られた磁性フィルムを棒状に丸めたことを特徴と
する磁性体。
13. The composition formula is represented by Fe g M h O i T j , and the element M is one or more elements selected from Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, W and rare earth elements. And the element T represents one or two elements selected from B and C, and the composition ratios g, h, i, and j are atomic% and 50 ≦
g ≦ 75, 5 ≦ h ≦ 30, 15 ≦ i ≦ 25, 0 <j ≦
6. A magnetic film obtained by forming a magnetic alloy thin film satisfying a relationship of 15 ≦ i + j ≦ 30 on a flexible substrate while leaving a non-film forming region, and rounding the magnetic film into a rod shape. Magnetic material.
【請求項14】 組成式が(Co1-kkmM'''np
qrで示され、元素Rは、Fe、Ni、Pd、Mn、A
lから選ばれる一種または二種以上の元素を表し、元素
M'''は、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Wお
よび希土類元素から選ばれる一種または二種以上の元素
を表し、元素Qは、O、N、C、Bから選ばれる一種ま
たは二種以上の元素を表し、元素Xは、Si、Crから
選ばれる一種または二種の元素を表し、元素Zは、A
u、Agおよび白金族の元素から選ばれる一種または二
種以上の元素を表し、組成比kは、0.05≦k≦0.
5、組成比n、p、q、rは原子%で、3≦n≦30、
7≦p≦40、0≦q≦20、0≦r≦20なる関係を
満足し、残部はmと不可避不純物である磁性合金薄膜
を、可撓性の基板上に非成膜領域を残した状態で成膜し
て得られた磁性フィルムを棒状に丸めたことを特徴とす
る磁性体。
14. The composition formula is (Co 1-k R k ) m M ″ ′ n Q p X
represented by q Z r, element R, Fe, Ni, Pd, Mn , A
l represents one or more elements selected from l, the element M '''' represents one or more elements selected from Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, W and rare earth elements, The element Q represents one or more elements selected from O, N, C, and B, the element X represents one or two elements selected from Si and Cr, and the element Z represents A
u, Ag, and one or more elements selected from platinum group elements, and the composition ratio k is 0.05 ≦ k ≦ 0.
5, composition ratio n, p, q, r is atomic%, 3 ≦ n ≦ 30,
The relationship of 7 ≦ p ≦ 40, 0 ≦ q ≦ 20, 0 ≦ r ≦ 20 is satisfied, and the remainder is m and a magnetic alloy thin film which is an unavoidable impurity, and a non-film formation region is left on a flexible substrate. A magnetic material characterized in that a magnetic film obtained by forming a film in a state is rounded into a rod shape.
【請求項15】 可撓性の基板上に、前記非成膜領域が
縞状もしくは格子状に形成されていることを特徴とする
請求項9ないし14のいずれか一項に記載の磁性体。
15. The magnetic body according to claim 9, wherein the non-film-forming region is formed in a stripe shape or a lattice shape on a flexible substrate.
【請求項16】 可撓性の基板の全面積に対して、磁性
合金薄膜を形成した領域が占める面積の割合が50%以
上100%未満であることを特徴とする請求項9ないし
15のいずれか一項に記載の磁性体。
16. The flexible substrate according to claim 9, wherein the ratio of the area occupied by the region where the magnetic alloy thin film is formed to the entire area of the flexible substrate is 50% or more and less than 100%. A magnetic material according to claim 1.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2003096361A1 (en) * 2002-05-13 2003-11-20 Splashpower Limited Improvements relating to the transfer of electromagnetic power
JP2008159926A (en) * 2006-12-25 2008-07-10 Denso Corp Soft magnetic member, laminated body of soft magnetic members, and manufacturing method for those materials

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