JPH10226887A - ガス噴射ヘッド - Google Patents
ガス噴射ヘッドInfo
- Publication number
- JPH10226887A JPH10226887A JP4967897A JP4967897A JPH10226887A JP H10226887 A JPH10226887 A JP H10226887A JP 4967897 A JP4967897 A JP 4967897A JP 4967897 A JP4967897 A JP 4967897A JP H10226887 A JPH10226887 A JP H10226887A
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- Japan
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- gas
- injection head
- small holes
- gas injection
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 ガス流のチョーク現象を利用することで、構
造が簡単で、且つガスの均一な分配・混合ができるガス
噴射ヘッドを提供すること。 【解決手段】 ガスを多数の小孔を通して均一に分配す
る薄膜気相成長装置に用いるガス噴射ヘッドであって、
小孔の最小断面積Ｆc（ｍ2）が次式を満足するように設
定される。 但し ｍc：小孔１個当りの質量流量（ｋｇ／ｓ） ｋ：比熱比（ガスにより一定） ｐ1：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ） ｖ1：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ3／ｋｇ）
造が簡単で、且つガスの均一な分配・混合ができるガス
噴射ヘッドを提供すること。 【解決手段】 ガスを多数の小孔を通して均一に分配す
る薄膜気相成長装置に用いるガス噴射ヘッドであって、
小孔の最小断面積Ｆc（ｍ2）が次式を満足するように設
定される。 但し ｍc：小孔１個当りの質量流量（ｋｇ／ｓ） ｋ：比熱比（ガスにより一定） ｐ1：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ） ｖ1：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ3／ｋｇ）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板表面に薄膜を成
長させる薄膜気相成長装置に用いる成膜原料ガス、キャ
リアガス、酸化ガスのいずれか１種のガス又は複数種の
ガスを多数の小孔から噴射させ均一に分配・混合させる
ガス噴射ヘッドに関するものである。
長させる薄膜気相成長装置に用いる成膜原料ガス、キャ
リアガス、酸化ガスのいずれか１種のガス又は複数種の
ガスを多数の小孔から噴射させ均一に分配・混合させる
ガス噴射ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜気相成長装置に用いるガス噴
射ヘッドはガスの均一分配或いは複数のガスの均一混合
のためにその構造がいろいろと工夫されている。例え
ば、均一分配のためには、分割された個々のガス流路に
抵抗を設けるとか、ガス流路を除々に細分化する等の工
夫が施される。また、均一混合のためには２種以上のガ
スをどこで合流させるか等に工夫が施されている。
射ヘッドはガスの均一分配或いは複数のガスの均一混合
のためにその構造がいろいろと工夫されている。例え
ば、均一分配のためには、分割された個々のガス流路に
抵抗を設けるとか、ガス流路を除々に細分化する等の工
夫が施される。また、均一混合のためには２種以上のガ
スをどこで合流させるか等に工夫が施されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記のように種々の工
夫が施されているため、ガス噴射ヘッドの構造は非常に
複雑になる。構造が複雑になると下記のような問題が生
じる。 （１）ガス噴射ヘッドの加熱保温の構造が複雑となる。 （２）原料ガスが凝縮、分解を起こし、ガス噴射ヘッド
内に付着物を生じさせやすい。 （３）付着物のクリーニングが困難になる。 （４）メンテナンスが困難になる。 （５）構造が複雑となるため製造が困難になる。
夫が施されているため、ガス噴射ヘッドの構造は非常に
複雑になる。構造が複雑になると下記のような問題が生
じる。 （１）ガス噴射ヘッドの加熱保温の構造が複雑となる。 （２）原料ガスが凝縮、分解を起こし、ガス噴射ヘッド
内に付着物を生じさせやすい。 （３）付着物のクリーニングが困難になる。 （４）メンテナンスが困難になる。 （５）構造が複雑となるため製造が困難になる。
【０００４】本発明は上述の点に鑑みてなされたもの
で、チョーク現象を利用することで上記問題点を除去
し、構造が簡単で、且つガスの均一な分配・混合ができ
るガス噴射ヘッドを提供することを目的とする。
で、チョーク現象を利用することで上記問題点を除去
し、構造が簡単で、且つガスの均一な分配・混合ができ
るガス噴射ヘッドを提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、ガスを多数の小孔を通して均
一に分配する薄膜気相成長装置に用いるガス噴射ヘッド
であって、前記小孔の最小断面積Ｆc（ｍ2）が次式を満
足するように設定されることを特徴とする。 但し ｍc：小孔１個当りの質量流量（ｋｇ／ｓ） ｋ：比熱比（ガスにより一定） ｐ1：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ） ｖ1：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ3／ｋｇ）
請求項１に記載の発明は、ガスを多数の小孔を通して均
一に分配する薄膜気相成長装置に用いるガス噴射ヘッド
であって、前記小孔の最小断面積Ｆc（ｍ2）が次式を満
足するように設定されることを特徴とする。 但し ｍc：小孔１個当りの質量流量（ｋｇ／ｓ） ｋ：比熱比（ガスにより一定） ｐ1：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ） ｖ1：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ3／ｋｇ）
【０００６】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の薄膜気相成長装置に用いるガス噴射ヘッドにお
いて、ガス噴射ヘッドのどの分割部分をとっても単位面
積当りの小孔の最小ガス通過断面の総計が略等しいこと
を特徴とする。
に記載の薄膜気相成長装置に用いるガス噴射ヘッドにお
いて、ガス噴射ヘッドのどの分割部分をとっても単位面
積当りの小孔の最小ガス通過断面の総計が略等しいこと
を特徴とする。
【０００７】また、請求項３に記載の発明は請求項１又
は２に記載のガス噴射ヘッドにおいて、多数の小孔は複
数段に配置され、各段の小孔の最小断面積Ｆcは上記式
を満足するように設定されることを特徴とする。
は２に記載のガス噴射ヘッドにおいて、多数の小孔は複
数段に配置され、各段の小孔の最小断面積Ｆcは上記式
を満足するように設定されることを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は本発明のガス噴射ヘッド
の概略構造を示す図で、図１（ａ）はガス噴射ヘッドの
全体構造の断面図、図１（ｂ）は小孔部の拡大図であ
る。図示するように、ガス噴射ヘッド１０は内部に室１
１が形成されたヘッド部１２を具備し、該ヘッド部１２
の下面に多数の小孔１３が形成されたノズル板１４が設
けられた構造である。ヘッド部１２の室１１内に供給管
からガスＧを供給することにより、ノズル板１４の小孔
１３からガスｇが噴射される。
面に基づいて説明する。図１は本発明のガス噴射ヘッド
の概略構造を示す図で、図１（ａ）はガス噴射ヘッドの
全体構造の断面図、図１（ｂ）は小孔部の拡大図であ
る。図示するように、ガス噴射ヘッド１０は内部に室１
１が形成されたヘッド部１２を具備し、該ヘッド部１２
の下面に多数の小孔１３が形成されたノズル板１４が設
けられた構造である。ヘッド部１２の室１１内に供給管
からガスＧを供給することにより、ノズル板１４の小孔
１３からガスｇが噴射される。
【０００９】本ガス噴射ヘッドではガスを均一に分配す
るために、従来のように単に流路に抵抗体を設けるので
はなく、各々の小孔におけるガスの流速がＭ（マッハ）
＝１或いはそれ以上になるまで、小孔１３の径を小さく
する。この時の小孔を通過する質量流量ｍc（ｋｇ／
ｓ）は下式（１）により求められる。
るために、従来のように単に流路に抵抗体を設けるので
はなく、各々の小孔におけるガスの流速がＭ（マッハ）
＝１或いはそれ以上になるまで、小孔１３の径を小さく
する。この時の小孔を通過する質量流量ｍc（ｋｇ／
ｓ）は下式（１）により求められる。
【００１０】 但し、Ｆc：小孔の最小断面積（ｍ2） ｋ：比熱比（ガスにより一定） ｐ1：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ） ｖ1：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ3／ｋｇ）
【００１１】ここで、構造的ファクターは小孔１３の面
積Ｆc（ｍ2）であり、小孔の形状にかかわらず、その小
孔の最小断面積Ｆcのみにより、構造的に小孔１個当り
の質量流量ｍc（ｋｇ／ｓ）は下式（２）によって決定
される。 但し ｋ：比熱比（ガスにより一定） ｐ1：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ） ｖ1：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ3／ｋｇ） （２）
積Ｆc（ｍ2）であり、小孔の形状にかかわらず、その小
孔の最小断面積Ｆcのみにより、構造的に小孔１個当り
の質量流量ｍc（ｋｇ／ｓ）は下式（２）によって決定
される。 但し ｋ：比熱比（ガスにより一定） ｐ1：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ） ｖ1：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ3／ｋｇ） （２）
【００１２】プロセス的にガスの流速がＭ（マッハ）＝
１以上であるかどうかは、小孔１３のガス出口側の圧力
に対するガス入口側の圧力の比で決定され、その圧力比
がラバル圧力比ｐ*／ｐ1以下であれば、Ｍ≧１の状態と
なる。ここでｐ*はＭ≧１のときの小孔１３の最小断面
積部分の圧力である。該ラバル圧力比ｐ*／ｐ1は比熱比
により下記のようになる｛柘植盛男 機械熱力学（第７
版） 昭和４８年３月２０日 株式会社朝倉書店 Ｐ．
１６６参照｝。
１以上であるかどうかは、小孔１３のガス出口側の圧力
に対するガス入口側の圧力の比で決定され、その圧力比
がラバル圧力比ｐ*／ｐ1以下であれば、Ｍ≧１の状態と
なる。ここでｐ*はＭ≧１のときの小孔１３の最小断面
積部分の圧力である。該ラバル圧力比ｐ*／ｐ1は比熱比
により下記のようになる｛柘植盛男 機械熱力学（第７
版） 昭和４８年３月２０日 株式会社朝倉書店 Ｐ．
１６６参照｝。
【００１３】 小孔の出口側のガス圧力ｐ2として、ラバル圧力比ｐ*／
ｐ1＝０．５の時、 ａ）ｐ1＝２（ｐａ）、ｐ2＝２（ｐａ）のとき、ノズル
のノド部でガスの流速は零、 ｂ）ｐ1＝２（ｐａ）、ｐ2＝１．５（ｐａ）のとき、ガ
スの流速は亜音速、 ｃ）ｐ1＝２（ｐａ）、ｐ2＝１（ｐａ）のとき、Ｍ＝１
となり、ｐ*＝ｐ2、上記ｃ）の状態からｐ2の圧力を下
げて下記ｄ）の状態にした場合、即ち、 ｄ）ｐ1＝２（ｐａ）、ｐ2＝０．５（ｐａ）のとき、ノ
ズル部でＭ＝１且つノズルがデラバル管のときノズル出
口でＭ＞１となり、ｐ*＝１（ｐａ）、ｐ2＝０．５（ｐ
ａ）、上記ｃ）とｄ）より、ｐ2／ｐ1＞０．５のときノ
ズル出口側でＭ≧１が保証されることがわかる。Ｍ＝１
のとき（ｐ*＝ｐ2のとき）が境界条件となり、（ｐ2／
ｐ1）＝（ｐ*／ｐ1）＝０．５となる。即ち、ｐ2＜ｐ*
のときノズル出口側でＭ≧１となる。
ｐ1＝０．５の時、 ａ）ｐ1＝２（ｐａ）、ｐ2＝２（ｐａ）のとき、ノズル
のノド部でガスの流速は零、 ｂ）ｐ1＝２（ｐａ）、ｐ2＝１．５（ｐａ）のとき、ガ
スの流速は亜音速、 ｃ）ｐ1＝２（ｐａ）、ｐ2＝１（ｐａ）のとき、Ｍ＝１
となり、ｐ*＝ｐ2、上記ｃ）の状態からｐ2の圧力を下
げて下記ｄ）の状態にした場合、即ち、 ｄ）ｐ1＝２（ｐａ）、ｐ2＝０．５（ｐａ）のとき、ノ
ズル部でＭ＝１且つノズルがデラバル管のときノズル出
口でＭ＞１となり、ｐ*＝１（ｐａ）、ｐ2＝０．５（ｐ
ａ）、上記ｃ）とｄ）より、ｐ2／ｐ1＞０．５のときノ
ズル出口側でＭ≧１が保証されることがわかる。Ｍ＝１
のとき（ｐ*＝ｐ2のとき）が境界条件となり、（ｐ2／
ｐ1）＝（ｐ*／ｐ1）＝０．５となる。即ち、ｐ2＜ｐ*
のときノズル出口側でＭ≧１となる。
【００１４】ある小孔１３に上記状態（チョーク状態）
を作ることにより、その小孔１３のガス流量は、小孔１
３の入口側（一次側）のガス圧力ｐ1によってのみ決定
されることになる（厳密には圧力ｐ1と小孔１３のガス
入口側（一次側）のガス比容積ｖ1によって決定され
る）。即ち、このチョーク状態にある小孔１３から流出
し得ない余分なガス流量は別の未チョーク状態の小孔１
３から流出しようとし、その小孔１３もチョーク状態に
なる。
を作ることにより、その小孔１３のガス流量は、小孔１
３の入口側（一次側）のガス圧力ｐ1によってのみ決定
されることになる（厳密には圧力ｐ1と小孔１３のガス
入口側（一次側）のガス比容積ｖ1によって決定され
る）。即ち、このチョーク状態にある小孔１３から流出
し得ない余分なガス流量は別の未チョーク状態の小孔１
３から流出しようとし、その小孔１３もチョーク状態に
なる。
【００１５】上記のようなプロセスで全ての小孔１３を
通るガス流がチョーク状態となり、一次側のガス圧力ｐ
1がヘッド部１２の室１１内で概略同じになる様な構造
であれば、全部の小孔１３からのガスの質量流量ｍ
c（ｋｇ／ｓ）は全て同一となることが必然的に保証さ
れ、均一なガス噴射が可能となる。
通るガス流がチョーク状態となり、一次側のガス圧力ｐ
1がヘッド部１２の室１１内で概略同じになる様な構造
であれば、全部の小孔１３からのガスの質量流量ｍ
c（ｋｇ／ｓ）は全て同一となることが必然的に保証さ
れ、均一なガス噴射が可能となる。
【００１６】全ての小孔１３がチョーク状態となっても
必要流量に不足した場合は、一次側のガス圧力ｐ1を上
昇させることにより、質量流量ｍcが増大し、最終的に
は必要流量が流れることになる。
必要流量に不足した場合は、一次側のガス圧力ｐ1を上
昇させることにより、質量流量ｍcが増大し、最終的に
は必要流量が流れることになる。
【００１７】複数ガスの混合を行なう場合、該混合をガ
ス噴射ヘッド１０の前方（上流側）で行なう場合と、ガ
ス噴射ヘッドの内部或いはその後流（下流側）で行なう
場合がある。複数ガスの均一な混合は、混合をガス噴射
ヘッド１０の前方で行なう場合は、その混合部の混合性
能に依存することになり、本ガス噴射ヘッドの性能とは
関係がない。本ガス噴射ヘッドの性能がガスの均一混合
に影響するのは混合がガス噴射ヘッド１０の内部或いは
その後流で行なう場合である。この場合は上記小孔を複
数段設置し、各々の段の小孔のガス流にチョーク現象を
起こさせ、その小孔あるいはその二次側で混合を行なえ
ば良い。
ス噴射ヘッド１０の前方（上流側）で行なう場合と、ガ
ス噴射ヘッドの内部或いはその後流（下流側）で行なう
場合がある。複数ガスの均一な混合は、混合をガス噴射
ヘッド１０の前方で行なう場合は、その混合部の混合性
能に依存することになり、本ガス噴射ヘッドの性能とは
関係がない。本ガス噴射ヘッドの性能がガスの均一混合
に影響するのは混合がガス噴射ヘッド１０の内部或いは
その後流で行なう場合である。この場合は上記小孔を複
数段設置し、各々の段の小孔のガス流にチョーク現象を
起こさせ、その小孔あるいはその二次側で混合を行なえ
ば良い。
【００１８】図２（ａ）は小孔を複数段設置した場合の
ガス噴射ヘッドの構造例を示す図である。図２（ａ）に
おいて、上側の３層の板状部材２１，２２，２３は異な
る２種類のガスを混合室２５に分配する分配部２４を構
成し、その下側にガスを混合する複数のガス混合室２５
が形成されたノズル板２７が設けられている。
ガス噴射ヘッドの構造例を示す図である。図２（ａ）に
おいて、上側の３層の板状部材２１，２２，２３は異な
る２種類のガスを混合室２５に分配する分配部２４を構
成し、その下側にガスを混合する複数のガス混合室２５
が形成されたノズル板２７が設けられている。
【００１９】板状部材２１には一方の種類のガスを分配
供給する分配路２８が形成され、板状部材２２には他方
の種類のガスを分配供給する分配路２９が形成されてい
る。また、板状部材２２及び２３には分配路２８と混合
室２５を連結する貫通孔３０が形成され、板状部材２３
には分配路２９と混合室２５を連結する貫通孔３１が形
成されている。また、ノズル板２７には絞り部３３とデ
ィフューザ部３４からなる貫通孔２６が形成されてい
る。
供給する分配路２８が形成され、板状部材２２には他方
の種類のガスを分配供給する分配路２９が形成されてい
る。また、板状部材２２及び２３には分配路２８と混合
室２５を連結する貫通孔３０が形成され、板状部材２３
には分配路２９と混合室２５を連結する貫通孔３１が形
成されている。また、ノズル板２７には絞り部３３とデ
ィフューザ部３４からなる貫通孔２６が形成されてい
る。
【００２０】上記構造のガス噴射ヘッドにおいて、例え
ば分配路２８から原料ガス、分配路２９から酸化ガスを
供給すると、該原料ガスや酸化ガスは貫通孔３０や貫通
孔３１を通って個々のガス混合室２５に導かれて混合
し、貫通孔２６の絞り部３３とディフューザ部３４を通
って、反応室（図示せず）内に噴射される。
ば分配路２８から原料ガス、分配路２９から酸化ガスを
供給すると、該原料ガスや酸化ガスは貫通孔３０や貫通
孔３１を通って個々のガス混合室２５に導かれて混合
し、貫通孔２６の絞り部３３とディフューザ部３４を通
って、反応室（図示せず）内に噴射される。
【００２１】上記のように貫通孔（小孔）３０，３１と
貫通孔（小孔）２６を段状に配置した構造のガス噴射ヘ
ッドにおいて、貫通孔３０及び貫通孔３１を流れるガス
流にチョーク現象を起こさせることにより、各貫通孔３
０から原料ガスが均一に流出し、各貫通孔３１から酸化
ガスが均一に流出し、ノズル板２７の混合室２５及び貫
通孔２６で両者は均一に混合されることになる。
貫通孔（小孔）２６を段状に配置した構造のガス噴射ヘ
ッドにおいて、貫通孔３０及び貫通孔３１を流れるガス
流にチョーク現象を起こさせることにより、各貫通孔３
０から原料ガスが均一に流出し、各貫通孔３１から酸化
ガスが均一に流出し、ノズル板２７の混合室２５及び貫
通孔２６で両者は均一に混合されることになる。
【００２２】図２（ｂ）は同図（ａ）の一部拡大図であ
る。貫通孔３０、貫通孔３１の断面積Ｆc1及び絞り部３
３の断面積Ｆc2を前記（１）式を満足するように設定
し、入口側（一次側）のガス圧、出口側（二次側）及び
貫通孔（小孔）内部のガス圧を（ｐ2／ｐ1）＜（ｐ*／
ｐ1）、（ｐ2／ｐ1’）＜（ｐ*’／ｐ1’）とすること
により、貫通孔３０、貫通孔３１のガス流にチョーク現
象が起こる。これにより、原料ガスと酸化ガスとが混合
室２５及び貫通孔２６で均一に混合されることになる。
る。貫通孔３０、貫通孔３１の断面積Ｆc1及び絞り部３
３の断面積Ｆc2を前記（１）式を満足するように設定
し、入口側（一次側）のガス圧、出口側（二次側）及び
貫通孔（小孔）内部のガス圧を（ｐ2／ｐ1）＜（ｐ*／
ｐ1）、（ｐ2／ｐ1’）＜（ｐ*’／ｐ1’）とすること
により、貫通孔３０、貫通孔３１のガス流にチョーク現
象が起こる。これにより、原料ガスと酸化ガスとが混合
室２５及び貫通孔２６で均一に混合されることになる。
【００２３】但し、Ｐ1、Ｐ1’はそれぞれ分配路２８、
分配路２９のガス圧（入口側ガス圧）、Ｐ2はガス混合
室２５内のガス圧（出口側ガス圧）、ｐ*、ｐ*’はそれ
ぞれ貫通孔３０、貫通孔３１のガス圧（小孔内ガス圧）
である。
分配路２９のガス圧（入口側ガス圧）、Ｐ2はガス混合
室２５内のガス圧（出口側ガス圧）、ｐ*、ｐ*’はそれ
ぞれ貫通孔３０、貫通孔３１のガス圧（小孔内ガス圧）
である。
【００２４】なお、図に示すガス噴射ヘッドの構造は特
願平７−１６８０４０号の明細書及び図面に示すものと
略同一であり、例えば分配路２８及び分配路２９の配置
構造、該分配路２８及び分配路２９にガスを供給する構
造及びガス噴射ヘッドの全体構造等は同一であるのでそ
の図示及び詳細な説明は省略する。
願平７−１６８０４０号の明細書及び図面に示すものと
略同一であり、例えば分配路２８及び分配路２９の配置
構造、該分配路２８及び分配路２９にガスを供給する構
造及びガス噴射ヘッドの全体構造等は同一であるのでそ
の図示及び詳細な説明は省略する。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ガスを分配する多数の小孔の最小断面積Ｆc（ｍ2）が次
式を満足するように設定されるので、小孔のガス流にチ
ョーク現象が起こり、簡単な構造で均一なガスの混合及
び分配が可能となる。 但し ｍc：小孔１個当りの質量流量（ｋｇ／ｓ） ｋ：比熱比（ガスにより一定） ｐ1：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ） ｖ1：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ3／ｋｇ）
ガスを分配する多数の小孔の最小断面積Ｆc（ｍ2）が次
式を満足するように設定されるので、小孔のガス流にチ
ョーク現象が起こり、簡単な構造で均一なガスの混合及
び分配が可能となる。 但し ｍc：小孔１個当りの質量流量（ｋｇ／ｓ） ｋ：比熱比（ガスにより一定） ｐ1：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ） ｖ1：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ3／ｋｇ）
【図１】本発明のガス噴射ヘッドの概略構造を示す図
で、図１（ａ）はガス噴射ヘッドの全体構造の断面図、
図１（ｂ）は小孔部の拡大図である。
で、図１（ａ）はガス噴射ヘッドの全体構造の断面図、
図１（ｂ）は小孔部の拡大図である。
【図２】本発明のガス噴射ヘッドの概略構造を示す図
で、図２（ａ）はガス噴射ヘッドの一部断面図、図２
（ｂ）小孔部の拡大図である。
で、図２（ａ）はガス噴射ヘッドの一部断面図、図２
（ｂ）小孔部の拡大図である。
１０ ガス噴射ヘッド １１ 室 １２ ヘッド部 １３ 小孔 １４ ノズル板 ２１ 板状部材 ２２ 板状部材 ２３ 板状部材 ２４ 分配部 ２５ 混合室 ２６ 貫通孔 ２７ ノズル板 ２８ 分配路 ２９ 分配路 ３０ 貫通孔 ３１ 貫通孔 ３３ 絞り部 ３４ ディフューザ部
Claims (3)
- 【請求項１】 ガスを多数の小孔を通して均一に分配す
る薄膜気相成長装置に用いるガス噴射ヘッドであって、 前記小孔の最小断面積Ｆc（ｍ2）が次式を満足するよう
に設定されることを特徴とするガス噴射ヘッド。 但し ｍc：小孔１個当りの質量流量（ｋｇ／ｓ） ｋ：比熱比（ガスにより一定） ｐ1：小孔のガス入口側のガス圧力（ｐａ） ｖ1：小孔のガス入口側のガス比容積（ｍ3／ｋｇ） - 【請求項２】 前記ガス噴射ヘッドのどの分割部分をと
っても単位面積当りの小孔の最小ガス通過断面の総計が
略等しいことを特徴とする請求項１に記載のガス噴射ヘ
ッド。 - 【請求項３】 前記多数の小孔は複数段に配置され、各
段の小孔の最小断面積Ｆcは上記式を満足するように設
定されることを特徴とする請求項１又は２に記載のガス
噴射ヘッド。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4967897A JPH10226887A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | ガス噴射ヘッド |
| TW087100063A TW415970B (en) | 1997-01-08 | 1998-01-05 | Vapor-phase film growth apparatus and gas ejection head |
| KR10-1998-0000168A KR100478224B1 (ko) | 1997-01-08 | 1998-01-07 | 기상막성장장치및가스분출헤드 |
| EP98100217A EP0853138B1 (en) | 1997-01-08 | 1998-01-08 | Vapor-phase film growth apparatus and gas ejection head |
| US09/003,948 US6132512A (en) | 1997-01-08 | 1998-01-08 | Vapor-phase film growth apparatus and gas ejection head |
| DE69806650T DE69806650T2 (de) | 1997-01-08 | 1998-01-08 | Vorrichtung zur Abscheidung eines Films aus der Gasphase und Gasinjektionsdüse |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4967897A JPH10226887A (ja) | 1997-02-17 | 1997-02-17 | ガス噴射ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10226887A true JPH10226887A (ja) | 1998-08-25 |
Family
ID=12837843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4967897A Pending JPH10226887A (ja) | 1997-01-08 | 1997-02-17 | ガス噴射ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10226887A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006515039A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-05-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 大面積プラズマ化学気相堆積法のためのガス分配プレートアセンブリ |
-
1997
- 1997-02-17 JP JP4967897A patent/JPH10226887A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006515039A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-05-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 大面積プラズマ化学気相堆積法のためのガス分配プレートアセンブリ |
| JP2010077537A (ja) * | 2003-04-16 | 2010-04-08 | Applied Materials Inc | 大面積プラズマ化学気相堆積法のためのガス分配プレートアセンブリ |
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