JPH10223736A - Table device and plasma processor using the same - Google Patents

Table device and plasma processor using the same

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JPH10223736A
JPH10223736A JP2520297A JP2520297A JPH10223736A JP H10223736 A JPH10223736 A JP H10223736A JP 2520297 A JP2520297 A JP 2520297A JP 2520297 A JP2520297 A JP 2520297A JP H10223736 A JPH10223736 A JP H10223736A
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JP
Japan
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processed
mounting surface
table device
gas
main body
Prior art date
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Pending
Application number
JP2520297A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Osamu Yamazaki
修 山崎
Shuichi Saito
秀一 齋藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2520297A priority Critical patent/JPH10223736A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a table device and plasma processor using the same capable of controlling temperature excellently without destructing a processed body even under low pressure. SOLUTION: A table device 17 for temperature-controlling a processed body to be processed inside a chamber 11 is to be equipped with a table main body 19 wherein the shape of a mounting surface 20 is formed in a recessed and curved shape, a temperature control means 21 provided inside the table main body 19 for controlling the temperature of the mounting surface 20, as well as a clamping means 26 provided on the mounting surface 20 side of the table main body 19 tightly pressing the processed body 18 against the mounting surface 20.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶基板や半導体ウ
エハなど被処理体の温度調節を行う機能を有するテーブ
ル装置およびそのテーブル装置が用いられるプラズマ処
理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a table apparatus having a function of controlling the temperature of a processing object such as a liquid crystal substrate or a semiconductor wafer, and a plasma processing apparatus using the table apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶基板や半導体ウエハなど被処理体の
処理を行うために、プラズマ処理装置が用いられてい
る。このプラズマ処理装置は内部に媒質ガスを供給し、
この媒質ガスを励起してプラズマ化し、このプラズマ化
によって発生するラジカルやイオンなどを利用して被処
理体に対してアッシングやエッチングなどの処理を行う
ように構成されている。
2. Description of the Related Art A plasma processing apparatus has been used to process an object to be processed such as a liquid crystal substrate or a semiconductor wafer. This plasma processing apparatus supplies a medium gas inside,
The medium gas is excited and turned into plasma, and a process such as ashing and etching is performed on the object to be processed using radicals and ions generated by the plasma.

【0003】すなわち、上記プラズマ処理装置は媒質ガ
スを数Pa〜数十Pa程度の低圧状態となるようにチャ
ンバ内部に導入されるようになっており、このチャンバ
内部の媒質ガスをマイクロ波で励起することで媒質ガス
がプラズマ化されて活性種が生成される。このマイクロ
波は、マイクロ波発生源から導波管によって伝達され、
他端部側へ伝達されたマイクロ波は、石英ガラスなどで
形成された導入窓を透過して上記チャンバ内へ入射し、
このチャンバ内の媒質ガスを励起する。
That is, in the plasma processing apparatus, the medium gas is introduced into the chamber so as to be in a low pressure state of several Pa to several tens Pa, and the medium gas in the chamber is excited by microwaves. As a result, the medium gas is turned into plasma to generate active species. This microwave is transmitted by a waveguide from a microwave source,
The microwave transmitted to the other end side is transmitted through an introduction window formed of quartz glass or the like and enters the chamber,
The medium gas in this chamber is excited.

【0004】上記チャンバ内部には図12に示すテーブ
ル装置1が設けられている。このテーブル装置1はテー
ブル本体3を有し、このテーブル本体3上には半導体ウ
エハや液晶基板などの被処理体2が載置される。この被
処理体2はテーブル本体3の内部に設けられたヒータな
どの温度調節装置4によって温度調節されるようになっ
ている。そして、このように温度調節された被処理体2
に対して上記ラジカルやイオンなどの活性種がエッチン
グやアッシングなどの処理を行っている。
A table apparatus 1 shown in FIG. 12 is provided inside the chamber. The table apparatus 1 has a table main body 3 on which a workpiece 2 such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate is mounted. The temperature of the processing target 2 is controlled by a temperature control device 4 such as a heater provided inside the table main body 3. Then, the temperature of the object 2 to be processed is controlled.
The active species such as the above radicals and ions perform processes such as etching and ashing.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、最近は半導
体ウエハの大口径化や液晶基板の大面積化が著しい。こ
のような被処理体の大型化に伴って、上記テーブル装置
も大型化してきている。しかしながら上記チャンバの内
部は真空に近い低圧状態となっているため、熱を伝導し
にくくなっている。このためテーブル本体の表面に直接
被処理体を接触させてこの被処理体の温度調節を行うよ
うにしている。
Recently, the diameter of a semiconductor wafer and the area of a liquid crystal substrate have been remarkably increased. As the size of the object to be processed increases, the size of the table device also increases. However, since the inside of the chamber is in a low pressure state close to vacuum, it is difficult to conduct heat. For this reason, the object to be processed is brought into direct contact with the surface of the table body to adjust the temperature of the object to be processed.

【0006】しかし、上記のような大型化した被処理体
においては裏面全体をもれなくテーブル本体の表面に密
着させることは難しい。このため、被処理体を上記テー
ブル本体上に載置しただけのものでは接触部分と非接触
部分とで被処理体に温度差が生じてしまい、よって被処
理体を処理する際、その表面の反応速度にむらが生じて
しまう。
However, it is difficult to make the entire back surface of the large-sized object as described above tightly adhere to the surface of the table body. For this reason, when the object is simply placed on the table main body, a temperature difference occurs between the contact part and the non-contact part, and thus, when the object is treated, The reaction speed becomes uneven.

【0007】また、被処理体を単に上記テーブル本体上
に載置しただけで温度調節する場合、上記被処理体が反
ってしまうことがある。被処理体に反りが生じると、テ
ーブル本体の表面に対する接触面積がさらに減少してし
まうから、その部分では熱の伝導効率の低下による温度
差がより一層顕著になる。
Further, when the temperature of the object is adjusted simply by placing the object on the table body, the object may be warped. When the object to be processed is warped, the contact area with the surface of the table main body is further reduced, and in that portion, the temperature difference due to a decrease in heat conduction efficiency becomes more remarkable.

【0008】本発明は上記の事情にもとづき成されたも
ので、その目的とするところは、被処理体を破壊させる
ことなく良好に温度調節可能なテーブル装置およびこれ
を用いたプラズマ処理装置を提供することにある。
The present invention has been made based on the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a table apparatus capable of controlling the temperature without destruction of a processing object and a plasma processing apparatus using the table apparatus. Is to do.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、処理
室内部で処理される被処理体を載置し温度調節するテー
ブル装置において、上記被処理体を載置する面の形状が
凹曲面状に形成されたテーブル本体と、上記テーブル本
体内部に設けられ、上記載置面の温度を調節する温度調
節手段と、上記被処理体を密着させるように上記載置面
に保持するクランプ手段と、を具備したことを特徴とし
ている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a table apparatus for mounting an object to be processed in a processing chamber and controlling the temperature of the table, wherein the surface on which the object is mounted has a concave shape. A table body formed into a curved surface, temperature adjusting means provided inside the table body to adjust the temperature of the mounting surface, and clamp means for holding the processing object on the mounting surface so as to be in close contact with the processing object And characterized in that:

【0010】請求項2の発明は、上記テーブル本体に
は、上記載置面と被処理体との間に熱伝導用ガスを供給
するガス供給路が設けられたことを特徴とする請求項1
記載のテーブル装置である。
According to a second aspect of the present invention, the table main body is provided with a gas supply passage for supplying a heat conducting gas between the mounting surface and the object to be processed.
It is a table device of description.

【0011】請求項3の発明は、上記テーブル本体に
は、上記載置面と被処理体との間に供給される熱伝導用
ガスが漏れるのを防止する密閉部材が設けられたことを
特徴とする請求項2記載のテーブル装置である。
According to a third aspect of the present invention, the table main body is provided with a sealing member for preventing the heat conduction gas supplied between the mounting surface and the object to be processed from leaking. The table device according to claim 2, wherein

【0012】請求項4の発明は、上記載置面には、上記
ガス供給路から供給された熱伝導用ガスを上記載置面と
上記被処理体の間に導入分散させる導入溝が形成された
ことを特徴とする請求項2または請求項3記載のテーブ
ル装置である。
According to a fourth aspect of the present invention, the introduction surface is provided with an introduction groove for introducing and dispersing the heat conducting gas supplied from the gas supply passage between the installation surface and the object. The table device according to claim 2 or 3, wherein

【0013】請求項5の発明は、上記載置面に弾性部材
を設けたことを特徴とする請求項1記載のテーブル装置
である。請求項6の発明は、上記クランプ手段は、上記
被処理体の対向する端部に当接するクランプ対と、この
クランプ対を夫々近接させ上記被処理体を上記載置面に
密着させるクランプ駆動機構を有することを特徴とする
請求項1記載のテーブル装置である。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the table apparatus according to the first aspect, wherein an elastic member is provided on the mounting surface. According to a sixth aspect of the present invention, the clamp means includes a clamp pair abutting on opposite ends of the object to be processed, and a clamp driving mechanism for bringing the pair of clamps close to each other and bringing the object into close contact with the mounting surface. 2. The table device according to claim 1, comprising:

【0014】請求項7の発明は、上記クランプ手段は、
上記載置面に載置された上記被処理体縁部近傍を上方か
ら押圧して上記載置面に密着させるクランプ手段である
ことを特徴とする請求項1記載のテーブル装置である。
According to a seventh aspect of the present invention, the clamping means is
2. The table device according to claim 1, wherein the table device is a clamp unit that presses the vicinity of the edge of the object placed on the mounting surface from above to bring the object into close contact with the mounting surface.

【0015】請求項8の発明は、上記テーブル本体に突
没可能に設けられ、上記被処理体の縁部近傍を上記テー
ブル本体側から支持する支持手段を有することを特徴と
する請求項1記載のテーブル装置である。
The invention according to an eighth aspect of the present invention is characterized in that there is provided a supporting means which is provided in the table main body so as to be able to protrude and retract, and supports near the edge of the object to be processed from the table main body side. Table device.

【0016】請求項9の発明は、上記請求項1乃至請求
項8記載のテーブル装置を用いたことを特徴とするプラ
ズマ処理装置である。請求項1、5乃至7の発明による
と、被処理体をテーブル本体の載置面に密着させて保持
することが可能となるので、温度調節時に被処理体に生
じる温度差を抑えることができる。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus using the table apparatus according to any one of the first to eighth aspects. According to the first, fifth to seventh aspects of the present invention, the object to be processed can be held in close contact with the mounting surface of the table body, so that a temperature difference generated in the object during temperature adjustment can be suppressed. .

【0017】請求項2乃至4の発明によると、被処理体
と差一面との間に熱伝導用のガスを介在させることで、
被処理体に対する熱伝導率を高めることが可能となり、
被処理体の温度差をさらに抑えることができる。
According to the second to fourth aspects of the present invention, by interposing a gas for heat conduction between the object to be processed and the one surface,
It is possible to increase the thermal conductivity for the object to be processed,
The temperature difference of the object can be further suppressed.

【0018】請求項8の発明によると、被処理体が載置
面に載置される前に被処理体を湾曲させることが可能と
なるので、被処理体と載置面との擦れを極力抑えること
ができる。請求項9の発明によると、被処理体の温度む
らを極力抑えることが可能となるので、被処理体の表面
処理を均一に行うことができる。
According to the eighth aspect of the present invention, since the object to be processed can be curved before the object to be mounted on the mounting surface, the friction between the object to be processed and the mounting surface can be minimized. Can be suppressed. According to the ninth aspect of the present invention, the temperature unevenness of the object can be suppressed as much as possible, so that the surface treatment of the object can be performed uniformly.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の第1の実施の形態
について、図1ないし図3にもとづいて説明する。図1
はテーブル装置の構成を示す断面図、図2はプラズマ処
理装置の構成を示す断面図、図3はテーブル装置の被処
理体載置面の形状を示す斜視図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a table apparatus, FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a plasma processing apparatus, and FIG. 3 is a perspective view illustrating a shape of a surface of the table apparatus on which an object to be processed is placed.

【0020】図2において、プラズマ処理装置10はチ
ャンバ11を有しており、このチャンバ11にはガス供
給配管12が接続されており、このチャンバ11の内部
に媒質ガスを供給可能となっている。このガス供給配管
12の他端部側は図示されない媒質ガスの供給源に連結
されていて上記ガス供給配管12を介してエッチング
用、CVD用あるいはアッシング用の媒質ガスを供給す
るようになっている。
In FIG. 2, the plasma processing apparatus 10 has a chamber 11, and a gas supply pipe 12 is connected to the chamber 11 so that a medium gas can be supplied into the chamber 11. . The other end of the gas supply pipe 12 is connected to a supply source of a medium gas (not shown) so as to supply a medium gas for etching, CVD or ashing via the gas supply pipe 12. .

【0021】また上記チャンバ11の底部にはガス吸引
配管13の一端が接続されている。このガス吸引配管1
3の他端部は図示しない吸引ポンプに連結され、チャン
バ11の内部を減圧するようになっている。
One end of a gas suction pipe 13 is connected to the bottom of the chamber 11. This gas suction pipe 1
The other end of 3 is connected to a suction pump (not shown) to reduce the pressure inside the chamber 11.

【0022】上記チャンバ11にはマイクロ波が導入さ
れるようになっている。上記マイクロ波はマイクロ波発
生源14で発生し、このマイクロ波発生源14から導波
管15へと伝達される。導波管15の一端部側15aは
マイクロ波発生源14と連結され、また他端部側15b
は上記チャンバ11を気密に構成する石英などの誘電体
よりなる導入窓16と対向して設けられている。上記マ
イクロ波発生源14で発生したマイクロ波は導波管15
を介してこの導入窓16まで伝達されるようになってお
り、この導入窓16を透過してチャンバ11の内部へと
伝達されるようになっている。
A microwave is introduced into the chamber 11. The microwave is generated by the microwave source 14 and transmitted from the microwave source 14 to the waveguide 15. One end 15a of the waveguide 15 is connected to the microwave source 14 and the other end 15b
Is provided so as to face an introduction window 16 made of a dielectric material such as quartz which makes the chamber 11 airtight. The microwave generated by the microwave generation source 14 is applied to a waveguide 15
The light is transmitted to the introduction window 16 through the transmission window 16, and transmitted through the introduction window 16 to the inside of the chamber 11.

【0023】このチャンバ11の内部には、上記導入窓
16の下方にテーブル装置17が設けられている。図1
にこの構成を示す。このテーブル装置17は液晶基板や
半導体ウエハなどの被処理体18を載置するためのテー
ブル本体19を有し、このテーブル本体19の上記導入
窓16と対向する上面は、図3に示すように中央部が最
も低く形成された凹曲面状(円筒面状)の被処理体の載
置面20である。
A table device 17 is provided inside the chamber 11 below the introduction window 16. FIG.
FIG. The table device 17 has a table main body 19 on which an object 18 such as a liquid crystal substrate or a semiconductor wafer is placed. The upper surface of the table main body 19 facing the introduction window 16 is, as shown in FIG. The center portion is the lowest mounting surface 20 of the concavely curved (cylindrical) workpiece to be processed.

【0024】上記載置面20は、上記被処理体18をこ
の載置面20に密着させた場合に、この被処理体18を
破壊したり次のプロセスへの悪影響が生じたりしない程
度のゆるやかな曲率を有し、かつこの被処理体18が上
記載置面20に対して密着して折れ曲がることが可能と
なっている。例えば一辺500mm、厚さ1mmの液晶用ガ
ラス基板では周辺部と中央部との高低の差を100mm以
下にする必要があり、好ましくは5〜30mm程度の曲面
状に形成すると良い。
The mounting surface 20 is so loose that when the object 18 is brought into close contact with the mounting surface 20, the object 18 is not broken or adversely affected in the next process. The object 18 has a large curvature and can be bent in close contact with the mounting surface 20. For example, in the case of a liquid crystal glass substrate having a side of 500 mm and a thickness of 1 mm, the height difference between the peripheral portion and the central portion needs to be 100 mm or less, and is preferably formed into a curved surface of about 5 to 30 mm.

【0025】また、上記テーブル本体19の内部には、
温度調節手段として電熱線21が設けられており、この
電熱線21によって上記テーブル本体19はその載置面
20が均一温度になるように加熱される。
Further, inside the table body 19,
A heating wire 21 is provided as a temperature adjusting means, and the table body 19 is heated by the heating wire 21 so that the mounting surface 20 of the table body 19 has a uniform temperature.

【0026】上記テーブル本体19の中央部には一端を
上記載置面20に開口させ、他端をテーブル本体19の
下面に開口させた通孔22が形成されている。この通孔
22の他端には、ガス導入配管23が接続されている。
このガス導入配管23の他端は図示せぬ媒質ガスの供給
源に接続されている。したがって、上記ガス導入配管2
3により上記チャンバ11の外部からこのテーブル本体
19の表面に熱伝導用ガスを供給可能としている。さら
に、図3に示すように、テーブル本体19の載置面20
にはこの載置面20に沿って熱伝導用ガスを導入分散さ
せる複数の導入溝24が一端を上記通孔22の一端に連
通させて放射状に形成されている。
At the center of the table body 19, a through hole 22 is formed, one end of which is opened on the mounting surface 20 and the other end is opened on the lower surface of the table body 19. A gas introduction pipe 23 is connected to the other end of the through hole 22.
The other end of the gas introduction pipe 23 is connected to a medium gas supply source (not shown). Therefore, the gas introduction pipe 2
By means of 3, a heat conducting gas can be supplied to the surface of the table body 19 from outside the chamber 11. Further, as shown in FIG.
A plurality of introduction grooves 24 for introducing and dispersing the heat transfer gas along the mounting surface 20 are formed radially with one end communicating with one end of the through hole 22.

【0027】さらに、上記載置面20の周辺部には、載
置面20に液晶基板や半導体ウエハなどの被処理体18
を載置した場合に、この被処理体18の裏面周辺部に沿
って周状に密着するOリング25が設けられており、こ
のOリング25によって被処理体18の裏面とテーブル
本体19の載置面20との間が密閉封止される。
Further, in the peripheral portion of the mounting surface 20, the mounting surface 20 includes an object 18 to be processed such as a liquid crystal substrate or a semiconductor wafer.
Is mounted, an O-ring 25 is provided in close contact with the periphery of the back surface of the processing object 18 along the peripheral portion of the back surface of the processing object 18. A space between the mounting surface 20 is hermetically sealed.

【0028】このようなテーブル本体19の載置面20
の湾曲方向両端側には、クランプ手段として基板保持機
構26がそれぞれ設けられている。この基板保持機構2
6は被処理体18の端部と係合して上記テーブル本体1
9の載置面20にこの被処理体18を密着するように押
し付けるものである。本実施の形態ではこの基板保持機
構26はチャンバ11に取り付けられた基部27を有す
る。この基部27には第1のアーム28の一端が枢着さ
れ、この第1のアーム28の他端部には第2のアーム2
9の一端が枢着されている。第2のアーム29の中途部
には一端が上記基部27に枢着されたシリンダ30のロ
ッド30aが枢着されており、このシリンダ30が作動
することでこれらアーム28,29は屈伸可能となって
いる。
The mounting surface 20 of such a table body 19
The substrate holding mechanisms 26 are provided as clamping means on both ends in the bending direction. This substrate holding mechanism 2
The table body 1 is engaged with the end of the object 18 to be processed.
The object 18 is pressed so as to be in close contact with the mounting surface 20 of the substrate 9. In the present embodiment, the substrate holding mechanism 26 has a base 27 attached to the chamber 11. One end of a first arm 28 is pivotally connected to the base 27, and the other end of the first arm 28 is connected to the second arm 2.
One end of 9 is pivoted. A rod 30a of a cylinder 30 having one end pivotally attached to the base 27 is pivotally attached to a middle part of the second arm 29. When the cylinder 30 is operated, the arms 28 and 29 can be bent and extended. ing.

【0029】上記第2のアーム29の他端部にはクラン
プ31が回動自在に設けられており、このクランプ31
の端部には被処理体18の上方および側方に係合する係
合部31aが形成されている。上記油圧シリンダ30を
作動させて一対のアーム28,29を伸長させると、上
記クランプ31が載置面20の湾曲方向端部に沿ってス
ライドし、係合部31aが被処理体18の端部上面およ
び端面を押圧する。一対のクランプ31によって被処理
体18の両端部が押圧されると、この被処理体18は上
記載置面20に沿って湾曲変形する。それによって、こ
の被処理体18はテーブル本体19の載置面20に密着
される。
At the other end of the second arm 29, a clamp 31 is provided rotatably.
An engagement portion 31a that engages above and to the side of the object to be processed 18 is formed at the end of. When the hydraulic cylinder 30 is operated to extend the pair of arms 28 and 29, the clamp 31 slides along the curved end of the mounting surface 20, and the engaging portion 31 a is moved to the end of the workpiece 18. Press the top and end faces. When both ends of the object 18 are pressed by the pair of clamps 31, the object 18 bends and deforms along the mounting surface 20. As a result, the object 18 is brought into close contact with the mounting surface 20 of the table body 19.

【0030】上記基板保持機構26は本実施の形態では
チャンバ11に取付けられているが、この基板保持機構
26はテーブル装置17等、他の部分に取り付けて形成
されているものでも構わない。
In the present embodiment, the substrate holding mechanism 26 is attached to the chamber 11, but the substrate holding mechanism 26 may be attached to another part such as the table device 17 or the like.

【0031】以上のような構成を有するテーブル装置1
7の作用について、以下に説明する。まず被処理体18
を上記テーブル本体19の載置面20上に載置し、この
後に上記基板保持機構26を作動させてクランプ31の
係合部31aを被処理体18の側方および上方に当接さ
せる。そして上記油圧シリンダ30を伸長作動させる
と、このクランプ31は第2のアーム29への取り付け
部分を中心として下方側へ回転しながら、被処理体18
に圧縮力を加える。
The table device 1 having the above configuration
The operation of No. 7 will be described below. First, the target object 18
Is mounted on the mounting surface 20 of the table body 19, and thereafter, the substrate holding mechanism 26 is operated to bring the engaging portion 31a of the clamp 31 into contact with the side and the upper side of the object 18 to be processed. When the hydraulic cylinder 30 is extended, the clamp 31 rotates downward around the portion to be attached to the second arm 29 while the clamp 31 rotates.
Apply compressive force to

【0032】それによって、この被処理体18は上記載
置面20に沿って湾曲変形し、この載置面20に密着す
る。被処理体18が湾曲変形することで、載置面20に
設けられたOリング25にこの被処理体18の裏面が圧
着するから、この被処理体18とテーブル本体19の載
置面20の間とは密閉封止された状態となる。
As a result, the object 18 is curved and deformed along the mounting surface 20 and comes into close contact with the mounting surface 20. Since the back surface of the processing object 18 is press-bonded to the O-ring 25 provided on the mounting surface 20 by the bending deformation of the processing object 18, the processing surface of the processing object 18 and the mounting surface 20 of the table main body 19 are pressed. The space is a state of being hermetically sealed.

【0033】このようにして上記被処理体18をテーブ
ル本体19の載置面20に密着させた後、ガス導入配管
23から通孔22を介して上記載置面20と上記被処理
体18との間に熱伝導用ガスを供給する。通孔22から
載置面20へと供給された熱伝導用ガスはこの載置面2
0上に形成された導入溝24に沿ってこの載置面20に
沿って放射状に導入分散される。この場合、熱伝導用ガ
スはチャンバ11の内部へなるべく漏れないよう、また
被処理体18を上方へ変形させて載置面20との密着状
態が損なわれていない適宜の圧力に調整され、それによ
って、電熱線21により温度調節されたテーブル本体1
9によって上記被処理体18の温度調節が開始される。
After the object 18 is brought into close contact with the mounting surface 20 of the table body 19 in this manner, the mounting surface 20 and the object 18 are connected to each other through the gas introduction pipe 23 through the through hole 22. During this time, a gas for heat conduction is supplied. The heat-conducting gas supplied from the through hole 22 to the mounting surface 20
Radiation is introduced and dispersed radially along the mounting surface 20 along the introduction groove 24 formed on the top surface 0. In this case, the pressure for heat conduction is adjusted to an appropriate pressure so that the processing object 18 is deformed upward so that the close contact with the mounting surface 20 is not impaired. Table main body 1 whose temperature is controlled by heating wire 21
By 9, the temperature adjustment of the object 18 is started.

【0034】このようなテーブル装置17においては、
このテーブル本体19の表面を載置面20に形成してお
り、これに加えてテーブル本体19の表面に基板保持機
構26を設けている。このため、上記基板保持機構26
にて被処理体18を湾曲板状に変形させ載置面20に対
して密着させることが可能となる。
In such a table device 17,
The surface of the table body 19 is formed on the mounting surface 20, and a substrate holding mechanism 26 is provided on the surface of the table body 19. For this reason, the substrate holding mechanism 26
The processing target 18 can be deformed into a curved plate shape and brought into close contact with the mounting surface 20.

【0035】また、このようにクランプ31で被処理体
18を押さえ付けることは、温度調節時に被処理体18
が反るのを防止することができ、よって被処理体18の
密着性が高まって温度調節の効率が良好となり、かつこ
の被処理体18に温度分布にむらが生じることが少なく
なる。そのため、被処理体18の表面の処理も良好なも
のとなる。
Pressing the workpiece 18 with the clamp 31 in this manner is not effective when the temperature is adjusted.
Can be prevented from warping, so that the adhesion of the object 18 is enhanced, the efficiency of temperature control is improved, and the temperature distribution of the object 18 is less likely to be uneven. Therefore, the treatment of the surface of the object 18 is also good.

【0036】そして、本実施の形態ではテーブル本体1
9に設けられた通孔22の下端部にガス導入配管23が
接続されており、上記載置面20に熱伝導用ガスを供給
可能となっている。このために熱伝導用ガスをこの被処
理体18の裏面と載置面20の間に介在させることがで
きるので、この被処理体18への熱伝導の効率がより一
層良好なものとなる。
In this embodiment, the table body 1
A gas introduction pipe 23 is connected to the lower end of the through hole 22 provided in the nozzle 9, so that a gas for heat conduction can be supplied to the mounting surface 20. For this reason, since the heat conduction gas can be interposed between the back surface of the processing target 18 and the mounting surface 20, the efficiency of heat conduction to the processing target 18 is further improved.

【0037】さらにこの載置面20には被処理体18を
載置した場合に、この被処理体18の裏面周囲に密着す
るOリング25が設けられているので、熱伝導ガスが上
記通孔22から供給されても、このOリング25で囲ま
れた部分からチャンバ11の内部へと漏れることは少な
くなる。
Further, when the object 18 is mounted on the mounting surface 20, an O-ring 25 is provided so as to be in close contact with the periphery of the back surface of the object 18, so that the heat conductive gas can pass through the through holes. Even when supplied from 22, the leakage from the portion surrounded by the O-ring 25 into the chamber 11 is reduced.

【0038】しかもこのOリング25で囲まれた載置面
20には通孔22の吐出口から上記Oリング25が形成
されている付近まで導入溝24が側方に向かい放射状に
形成されている。このために熱伝導用ガスをこの載置面
20に沿って偏りなく供給することが可能となってい
る。
Further, on the mounting surface 20 surrounded by the O-ring 25, an introduction groove 24 is formed radially from the discharge port of the through hole 22 to the vicinity where the O-ring 25 is formed. . For this reason, it is possible to supply the heat conducting gas without bias along the mounting surface 20.

【0039】このような載置面20と被処理体18の裏
面との間に熱伝導ガスが介在する構成により、被処理体
18の温度分布にむらが生じることが一層なくなり、よ
って被処理体18の表面温度もより一層均一に保つこと
が可能となる。このため被処理体18の処理がさらに良
好なものとなる。
With the configuration in which the heat conductive gas is interposed between the mounting surface 20 and the back surface of the processing object 18, unevenness in the temperature distribution of the processing object 18 is further reduced, and thus the processing object 18 It is also possible to keep the surface temperature of 18 even more uniform. Therefore, the processing of the processing object 18 is further improved.

【0040】次に、本発明の第2の実施の形態につき、
図4乃至図6を参照しながら説明する。本実施の形態に
おいて上記第1の実施の形態と同一の構成要件には、同
様の符号を付して説明は省略する。
Next, according to a second embodiment of the present invention,
This will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

【0041】図4はテーブル装置の拡大斜視図である。
テーブル本体19の載置面20上には、熱伝導性の良い
弾性部材42、例えばシリコーンゴムやテフロンゴム、
バイトン等が接着などにより設けられている。このよう
な弾性部材を設けると、被処理体18と載置面20との
間を密着させることができ、被処理体18の温度むらを
極力抑えることが可能となる。
FIG. 4 is an enlarged perspective view of the table device.
On the mounting surface 20 of the table body 19, an elastic member 42 having good heat conductivity, for example, silicone rubber or Teflon rubber,
Viton or the like is provided by bonding or the like. When such an elastic member is provided, the object 18 and the mounting surface 20 can be brought into close contact with each other, and temperature unevenness of the object 18 can be suppressed as much as possible.

【0042】図中43aはクランプ機構であり、下部が
載置面20の凹曲面形状とほぼ同じ曲面をなして形成さ
れている。そして、テーブル本体19上に載置された被
処理体18の屈曲する2辺の端部を、上方より載置面2
0に対して押圧し密着させるように構成されている。こ
のようなクランプ機構43aを設けることで、被処理体
18の反りなどを防止することができるとともに、被処
理体18をより載置面20に密着させることが可能とな
る。
In the drawing, reference numeral 43a denotes a clamp mechanism, the lower portion of which is formed to have a curved surface substantially the same as the concave curved surface of the mounting surface 20. Then, the ends of the two bent sides of the object 18 placed on the table body 19 are connected to the mounting surface 2 from above.
It is configured to be pressed against and brought into close contact with zero. By providing such a clamp mechanism 43a, it is possible to prevent the object to be processed 18 from warping and to make the object to be processed 18 more closely adhere to the mounting surface 20.

【0043】図5はクランプ機構の変形例であり、クラ
ンプ機構43aと異なる点は、クランプ機構43aの場
合は被処理体18の2辺を押圧する形態であったが、ク
ランプ機構43bは被処理体18の4辺を押圧できるよ
うに構成されている。
FIG. 5 shows a modification of the clamp mechanism. The difference from the clamp mechanism 43a is that the clamp mechanism 43a presses two sides of the workpiece 18 while the clamp mechanism 43b does not. It is configured so that four sides of the body 18 can be pressed.

【0044】図6はクランプ機構の変形例であり、クラ
ンプ機構43cは、複数のピンから構成されており、被
処理体18の少なくとも屈曲する2辺を上方から載置面
20へ押圧するように構成している。
FIG. 6 shows a modification of the clamp mechanism. The clamp mechanism 43c is composed of a plurality of pins, and presses at least two bent sides of the object 18 to the mounting surface 20 from above. Make up.

【0045】このように、第2の実施の形態では、クラ
ンプ機構を上方から載置面20に密着させるようにクラ
ンプすることで、被処理体18の反りや熱伝導用ガスに
よる被処理体18の浮きを防止することができる。
As described above, in the second embodiment, the clamp mechanism is clamped from above so as to be in close contact with the mounting surface 20, so that the workpiece 18 may be warped or the heat transfer gas may be used. Can be prevented from floating.

【0046】次に、本発明第3の実施の形態につき図7
乃至図11を参照しながら説明する。本実施の形態は、
被処理体18を載置面20上に載置する前に、載置面2
0の凹曲面に合わせようとするものである。図7(a)
に示すものは、被処理体18が自重で屈曲しその屈曲が
載置面20の凹曲面とほぼ同等の場合である。図中44
はテーブル本体であり、テーブル本体44には、図7
(b)に示すように4本の支持ピン45が被処理体18
の四隅に位置するように設けられ、或いは図7(c)に
示すように2枚の板状支持体45aが被処理体18の被
屈曲側2辺に対応して設けられ、ともにテーブル本体4
4を貫通して載置面20に対して突没可能に構成されて
いる。そして、被処理体18が載置される際に突出して
支持すると、被処理体18が自重により屈曲し、支持ピ
ン45或いは板状支持体45aを加工させることで被処
理体18を載置面20上に載置する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIGS. In this embodiment,
Before placing the workpiece 18 on the placing surface 20, the placing surface 2
It is intended to match the concave surface of 0. FIG. 7 (a)
The case shown in (1) is a case where the object to be processed 18 is bent by its own weight and the bending is almost equal to the concave curved surface of the mounting surface 20. 44 in the figure
Is a table body, and the table body 44 has
As shown in (b), four support pins 45 are attached to the object 18 to be processed.
7 (c), or two plate-like supports 45a are provided corresponding to the two sides of the object 18 to be bent, as shown in FIG.
4 and is configured to be able to protrude and retract from the mounting surface 20. When the object 18 is projected and supported when being placed, the object 18 is bent by its own weight, and the support pin 45 or the plate-like support 45a is processed so that the object 18 is placed on the mounting surface. 20.

【0047】図8および図9に示すものは、被処理体1
8が自重で屈曲すると載置面20の凹曲面より屈曲して
しまう場合の支持体である。図8(a)においてテーブ
ル本体46には、複数の支持ピン47が図8(b)に示
すように被処理体18の屈曲する2辺を支えるように複
数本設けられており、載置面20に対して突没可能に構
成されている。そして、被処理体18を載置する際は、
載置面20の凹曲面に沿うように支持ピン47を突出さ
せて被処理体18を支持し、下降して載置面20上に載
置する。
FIGS. 8 and 9 show the object 1 to be processed.
Reference numeral 8 denotes a supporting body in a case where it bends from the concave curved surface of the mounting surface 20 when it is bent by its own weight. In FIG. 8A, a plurality of support pins 47 are provided on the table body 46 so as to support two bending sides of the object 18 as shown in FIG. 20 can be protruded and retracted. Then, when placing the workpiece 18,
The support pins 47 are protruded along the concave curved surface of the mounting surface 20 to support the object 18 to be processed, and are lowered to be mounted on the mounting surface 20.

【0048】図9(a)においてテーブル本体48に
は、図9(b)に示すように被処理体18の屈曲側2辺
を支える位置に板状支持体49が設けられ、載置面20
に対して突没可能に構成され、上記支持ピン47と同様
に突出した状態で被処理体18を支持し、下降して載置
面20上に載置する。
In FIG. 9A, a plate-like support 49 is provided on the table body 48 at a position supporting the two bent sides of the object 18 as shown in FIG.
The object to be processed 18 is supported in such a manner as to be able to protrude and retract with respect to the support pin 47 and is protruded in the same manner as the support pin 47, and is lowered and mounted on the mounting surface 20.

【0049】また、図10においては、被処理体18が
自重ではあまり屈曲せず上方より押圧する必要がある場
合で、上述した支持体45,45a,47,49により
支持した状態で、上述したクランプ43a,43b,4
3cにより上方より押圧している。このようにして保持
すると、載置面20と被処理体18の裏面とが擦れるよ
うなことを防止することができる。
FIG. 10 shows a case in which the object 18 does not bend very much under its own weight and needs to be pressed from above. The above-mentioned state is shown in the state where the object 18 is supported by the supports 45, 45a, 47 and 49. Clamps 43a, 43b, 4
It is pressed from above by 3c. When held in this manner, it is possible to prevent the mounting surface 20 and the back surface of the processing object 18 from rubbing.

【0050】上述したクランプ43a,43b,43c
及び支持体45,45a,47,49の被処理体18と
の接触部に図11に示すような車輪やボールを設け、被
処理体18との擦れを極力防止する構成とするとさらに
効果的である。
The above-mentioned clamps 43a, 43b, 43c
Further, it is more effective to provide a wheel or a ball as shown in FIG. 11 at a contact portion of the supports 45, 45a, 47, and 49 with the object to be processed 18 so as to minimize the friction with the object to be processed 18. is there.

【0051】以上、本発明の一実施の形態にもとづいて
説明したが、本発明はその構成を種々変形可能である。
以下に説明する。上記実施の形態では、テーブル本体1
9の表面を円筒面状としたが、これ以外にも、例えば楕
円面状や球面状など様々な形状に形成可能である。
Although the present invention has been described with reference to an embodiment, the present invention can be modified in various ways.
This will be described below. In the above embodiment, the table body 1
Although the surface of 9 has a cylindrical surface, it can be formed in various shapes other than this, such as an elliptical surface and a spherical surface.

【0052】また、温度調節のためにテーブル本体19
の内部に電熱線21を用いた構成であるが、この電熱線
21の代わりに他の加熱用のヒータや、冷却用のチラー
を用いた構成でも良い。
The table body 19 is used for temperature control.
Is a configuration using a heating wire 21 inside, but a configuration using another heater for heating or a chiller for cooling may be used instead of the heating wire 21.

【0053】そして、上記ガス導入用配管23は必ずし
もテーブル本体19の下方からこの表面に向かうように
形成しなくても良く、例えばテーブル本体19の側方か
らこの表面に向かってガス導入配管23が設けられる構
成であっても良い。
The gas introduction pipe 23 does not necessarily need to be formed from below the table body 19 toward this surface. For example, the gas introduction pipe 23 may be formed from the side of the table body 19 toward this surface. A configuration may be provided.

【0054】さらに上記導入溝24は通孔22の吐出口
から放射状に形成されていなくても良く、載置面20に
沿って偏りなく熱伝導ガスを供給するものであれば、例
えば網目状などであろうがどのように形成されていても
良い。
Further, the introduction groove 24 may not be formed radially from the discharge port of the through hole 22, but may be a mesh-like one as long as it supplies the heat conductive gas without unevenness along the mounting surface 20. However, it may be formed in any manner.

【0055】そして本実施の形態では密閉部材としてO
リング25を用いた構成であるが、密閉部材であればO
リング25以外のどのようなものであっても良い。な
お、上記テーブル本体19の載置面20と被処理体18
の裏面との間に供給される熱伝導用ガスの圧力によっ
て、上記被処理体18が浮き上がってしまうのを防ぐた
めに、上記テーブル本体19にガス抜き配管を形成して
も良い。この場合、ガス抜き配管にさらに弁等を形成し
て、この隙間に供給される熱伝導用ガスの圧力を適宜に
保つことが可能となる。このようにすると、この隙間に
供給される熱伝導用ガスによる浮き上がりがさらに防ぐ
ことが可能となるとともに、適宜の圧力に調整すること
でこの隙間からチャンバ11への熱伝導用ガスの漏れを
極力抑えることが可能となる。この場合、ガス抜き配管
に必要に応じて圧力弁を形成しても良い。また、この発
明はCVDにも適用することができる。
In this embodiment, O is used as the sealing member.
This is a configuration using the ring 25.
Any material other than the ring 25 may be used. The mounting surface 20 of the table body 19 and the object 18
A gas vent pipe may be formed in the table main body 19 in order to prevent the object to be processed 18 from being lifted up by the pressure of the heat conducting gas supplied to the back surface of the table. In this case, it is possible to form a valve or the like in the gas vent pipe and maintain the pressure of the heat transfer gas supplied to the gap appropriately. In this way, it is possible to further prevent the heat conduction gas supplied to the gap from being lifted up, and to adjust the pressure to an appropriate value to minimize the leakage of the heat conduction gas from the gap to the chamber 11. It can be suppressed. In this case, a pressure valve may be formed in the gas vent pipe as needed. Further, the present invention can be applied to CVD.

【0056】[0056]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1、5乃至
7の発明によれば、被処理体をテーブル本体の載置面に
密着させて保持することが可能となるので、温度調節時
に被処理体に生じる温度差を抑えることができる。
As described above, according to the first, fifth to seventh aspects of the present invention, the object to be processed can be held in close contact with the mounting surface of the table main body. A temperature difference generated in the object can be suppressed.

【0057】請求項2乃至4の発明によれば、被処理体
と差一面との間に熱伝導用のガスを介在させることで、
被処理体に対する熱伝導率を高めることが可能となり、
被処理体の温度差をさらに抑えることができる。
According to the second to fourth aspects of the present invention, by interposing a gas for heat conduction between the object to be processed and the one surface,
It is possible to increase the thermal conductivity for the object to be processed,
The temperature difference of the object can be further suppressed.

【0058】請求項8の発明によれば、被処理体が載置
面に載置される前に被処理体を湾曲させることが可能と
なるので、被処理体と載置面との擦れを極力抑えること
ができる。請求項9の発明によれば、被処理体の温度む
らを極力抑えることが可能となるので、被処理体の表面
処理を均一に行うことができる。
According to the eighth aspect of the present invention, the object to be processed can be curved before the object to be mounted on the mounting surface, so that the object to be processed and the mounting surface can be rubbed. It can be suppressed as much as possible. According to the ninth aspect of the invention, it is possible to minimize the temperature unevenness of the object to be processed, so that the surface treatment of the object to be processed can be performed uniformly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係わるテーブル装
置の構成を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a table device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】同実施の形態に係わるプラズマ処理装置の構成
を示す側面図。
FIG. 2 is a side view showing the configuration of the plasma processing apparatus according to the embodiment.

【図3】同実施の形態を示すテーブル装置のテーブル本
体の表面を示す斜視図。
FIG. 3 is a perspective view showing a surface of a table body of the table device according to the embodiment;

【図4】本発明の第2の実施の形態に係わるテーブル装
置の斜視図。
FIG. 4 is a perspective view of a table device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】同実施の形態に係わるクランプ機構の構成を示
す斜視図。
FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a clamp mechanism according to the embodiment.

【図6】同実施の形態に係わるクランプ機構の構成を示
す斜視図。
FIG. 6 is a perspective view showing a configuration of a clamp mechanism according to the embodiment.

【図7】(a)は本発明の第3の実施の形態に係わるテ
ーブル装置の断面図、(b)は被処理体と支持体との関
係を示す平面図、(c)は変形例を示す平面図。
FIG. 7A is a cross-sectional view of a table device according to a third embodiment of the present invention, FIG. 7B is a plan view showing a relationship between an object to be processed and a support, and FIG. FIG.

【図8】(a)は同実施の形態に係わるテーブル装置の
変形例断面図、(b)は被処理体と支持体との関係を示
す平面図。
FIG. 8A is a cross-sectional view of a modification of the table device according to the embodiment, and FIG. 8B is a plan view showing a relationship between a processing target and a support.

【図9】(a)は同実施の形態に係わるテーブル装置の
変形例断面図、(b)は被処理体と支持体との関係を示
す平面図。
FIG. 9A is a cross-sectional view of a modification of the table device according to the embodiment, and FIG. 9B is a plan view showing a relationship between a processing target and a support.

【図10】同実施の形態に係わるテーブル装置の変形例
断面図。
FIG. 10 is a sectional view of a modification of the table device according to the embodiment;

【図11】クランプ機構、或いは支持体の被処理体との
接触部の拡大図。
FIG. 11 is an enlarged view of a contact portion of a clamp mechanism or a support with a workpiece.

【図12】従来のテーブル装置の構成を示す断面図。FIG. 12 is a sectional view showing a configuration of a conventional table device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…プラズマ処理装置 11…チャンバ 14…マイクロ波発生源 15…導波管 16…導入窓 17…テーブル装置 18…被処理体 19…テーブル本体 20…載置面 21…温度調節装置 23…ガス導入配管 24…導入溝 25…Oリング 26…基板保持機構 31…クランプ 43…クランプ機構 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Plasma processing apparatus 11 ... Chamber 14 ... Microwave generation source 15 ... Waveguide 16 ... Introduction window 17 ... Table device 18 ... Processed object 19 ... Table main body 20 ... Placement surface 21 ... Temperature control device 23 ... Gas introduction Piping 24 ... Introduction groove 25 ... O-ring 26 ... Substrate holding mechanism 31 ... Clamp 43 ... Clamp mechanism

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 処理室内部で処理される被処理体を載置
し温度調節するテーブル装置において、 上記被処理体を載置する面の形状が凹曲面状に形成され
たテーブル本体と、 上記テーブル本体内部に設けられ、上記載置面の温度を
調節する温度調節手段と、 上記被処理体を密着させるように上記載置面に保持する
クランプ手段と、 を具備したことを特徴とするテーブル装置。
1. A table device for mounting an object to be processed inside a processing chamber and adjusting the temperature, wherein a table body on which the surface on which the object to be processed is mounted is formed in a concave curved shape; A table provided inside the table body, comprising: a temperature adjusting means for adjusting the temperature of the mounting surface; and a clamp means for holding the object to be processed on the mounting surface so as to be in close contact therewith. apparatus.
【請求項2】 上記テーブル本体には、上記載置面と被
処理体との間に熱伝導用ガスを供給するガス供給路が設
けられたことを特徴とする請求項1記載のテーブル装
置。
2. The table apparatus according to claim 1, wherein the table main body is provided with a gas supply path for supplying a heat conducting gas between the mounting surface and the object to be processed.
【請求項3】 上記テーブル本体には、上記載置面と被
処理体との間に供給される熱伝導用ガスが漏れるのを防
止する密閉部材が設けられたことを特徴とする請求項2
記載のテーブル装置。
3. The table main body is provided with a sealing member for preventing a gas for heat conduction supplied between the mounting surface and the object to be processed from leaking.
Table device as described.
【請求項4】 上記載置面には、上記ガス供給路から供
給された熱伝導用ガスを上記載置面と上記被処理体の間
に導入分散させる導入溝が形成されたことを特徴とする
請求項2または請求項3記載のテーブル装置。
4. An introduction groove for introducing and dispersing the heat transfer gas supplied from the gas supply path between the installation surface and the object to be processed, wherein the introduction surface is formed on the installation surface. The table device according to claim 2 or 3, wherein
【請求項5】 上記載置面に弾性部材を設けたことを特
徴とする請求項1記載のテーブル装置。
5. The table device according to claim 1, wherein an elastic member is provided on the mounting surface.
【請求項6】 上記クランプ手段は、上記被処理体の対
向する端部に当接するクランプ対と、このクランプ対を
夫々近接させ上記被処理体を上記載置面に密着させるク
ランプ駆動機構を有することを特徴とする請求項1記載
のテーブル装置。
6. The clamping means has a clamp pair that abuts on opposite ends of the object to be processed, and a clamp drive mechanism that brings the pair of clamps close to each other and brings the object into close contact with the mounting surface. The table device according to claim 1, wherein:
【請求項7】 上記クランプ手段は、上記載置面に載置
された上記被処理体縁部近傍を上方から押圧して上記載
置面に密着させるクランプ手段であることを特徴とする
請求項1記載のテーブル装置。
7. The apparatus according to claim 1, wherein the clamping means is a clamping means which presses, from above, a vicinity of an edge of the object placed on the placement surface and makes it closely contact with the placement surface. 2. The table device according to 1.
【請求項8】 上記テーブル本体に突没可能に設けら
れ、上記被処理体の縁部近傍を上記テーブル本体側から
支持する支持手段を有することを特徴とする請求項1記
載のテーブル装置。
8. The table apparatus according to claim 1, further comprising support means provided to be protrudable and retractable in said table main body, and supporting near an edge of said object to be processed from said table main body side.
【請求項9】 上記請求項1乃至請求項8のいずれかに
記載のテーブル装置を用いたことを特徴とするプラズマ
処理装置。
9. A plasma processing apparatus using the table device according to any one of claims 1 to 8.
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Cited By (7)

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