JPH1022192A - Substrate treating device - Google Patents

Substrate treating device

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Publication number
JPH1022192A
JPH1022192A JP17104896A JP17104896A JPH1022192A JP H1022192 A JPH1022192 A JP H1022192A JP 17104896 A JP17104896 A JP 17104896A JP 17104896 A JP17104896 A JP 17104896A JP H1022192 A JPH1022192 A JP H1022192A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
heat treatment
posture
holding
arm
Prior art date
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Pending
Application number
JP17104896A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yukihiko Inagaki
幸彦 稲垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP17104896A priority Critical patent/JPH1022192A/en
Publication of JPH1022192A publication Critical patent/JPH1022192A/en
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating device which does not require any large installed area. SOLUTION: A substrate treating device is provided with a plurality of substrate treating sections including a heat-treating section 1 and a substrate carrying device which moves between each substrate treating section while the device holds a substrate W and, at the same time, delivers the substrate W to each substrate treating section. The heat treating section 1 is provided with a substrate holding table 2 which holds the substrate W in an erected state and a hot plate 4 which has a heat-treating surface 3 faced to the substrate W held on the table 2, and heats or cools the heat-treating surface 3. Alternatively, a motor 8 which rotates the substrate W held on the table 2 around the center (CJ axis) of the substrate W against the heat-treating surface of the plate 4 can be installed to the table 2. The substrate carrying device, in addition, is constituted so that the device can switch the attitude of a substrate holding arm, which can hold the substrate W in an erected attitude or horizontal attitude, between the erected and the horizontal attitudes.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、熱処理部を含む複
数の基板処理部と、基板を保持して各基板処理部間で移
動するとともに、各基板処理部に対する基板の受渡しを
行う基板搬送手段とを備えた基板処理装置に係り、特に
は、基板処理装置の設置面積のコンパクト化等を目的と
した熱処理部や基板搬送手段の改良技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plurality of substrate processing units including a heat treatment unit, and a substrate transfer means for holding a substrate, moving between the substrate processing units, and transferring a substrate to each substrate processing unit. More particularly, the present invention relates to an improved technique of a heat treatment section and a substrate transfer means for reducing the installation area of the substrate processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の基板処理装置としては、熱処理
部(加熱処理部や冷却処理部)、スピンコーター、スピ
ンデベロッパーなどの複数の基板処理部と、基板を保持
して各基板処理部間で移動するとともに、各基板処理部
に対する基板の受渡しを行う基板搬送装置とを備えて構
成されたレジスト処理装置などがある。
2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus of this type includes a plurality of substrate processing units such as a heat treatment unit (a heat processing unit and a cooling processing unit), a spin coater, and a spin developer, and a substrate holding unit. And a substrate transfer device that transfers a substrate to each substrate processing unit.

【0003】この装置では、従来、各基板処理部での基
板処理は基板を水平姿勢に保持して行われ、装置内での
基板の搬送(各基板処理部間の移動や各基板処理部に対
する基板の受渡しなど)も基板を水平姿勢に保持して行
っている。
Conventionally, in this apparatus, substrate processing in each substrate processing section is performed while holding the substrate in a horizontal position, and the substrate is transported in the apparatus (movement between the substrate processing sections and movement of each substrate processing section. The transfer of the substrate is also performed while the substrate is held in a horizontal position.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。従来装置のように、各基板処理部での基板処理
や、装置内での基板の搬送などを基板を水平姿勢に保持
して行っていれば、各基板処理部の水平方向の面積や、
基板搬送装置が基板を搬送する基板搬送路の水平方向の
面積が大きくならざるを得ず、その結果、装置の設置面
積が大きくなっていた。この種の基板処理装置は、ラン
ニングコストが高いクリーンルームに設置されるが、従
来装置では、クリーンルームの床の利用効率が悪いとい
う問題があった。また、基板のサイズは大型化してお
り、今後も基板サイズの大型化は一層進む傾向にある
が、従来装置の構成では、基板のサイズが大きくなれば
それに比例して基板処理装置の設置面積が大きくならざ
るを得ないのが実情である。
However, the prior art having such a structure has the following problems. As in the conventional apparatus, if the substrate processing in each substrate processing unit or the transfer of the substrate in the apparatus is performed while holding the substrate in a horizontal posture, the horizontal area of each substrate processing unit,
The horizontal area of the substrate transfer path for transferring the substrate by the substrate transfer device has to be increased, and as a result, the installation area of the device has been increased. Although this type of substrate processing apparatus is installed in a clean room where running costs are high, the conventional apparatus has a problem that the use efficiency of the floor of the clean room is poor. In addition, the size of the substrate is increasing, and the size of the substrate is likely to increase further in the future.However, in the configuration of the conventional apparatus, the installation area of the substrate processing apparatus increases in proportion to the increase in the size of the substrate. The fact is that it has to grow.

【0005】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、装置の設置面積をコンパクト化し得る
基板処理装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of reducing the installation area of the apparatus.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、熱処理部を含む複数の基
板処理部と、基板を保持して各基板処理部間で移動する
とともに、各基板処理部に対する基板の受渡しを行う基
板搬送手段とを備えた基板処理装置において、前記熱処
理部を、基板を起立姿勢で保持する基板保持手段と、前
記基板保持手段に保持された基板に対向した熱処理面を
有し、熱処理面を加熱または冷却する熱プレートと、を
備えて構成したことを特徴とするものである。
The present invention has the following configuration in order to achieve the above object. That is, the invention according to claim 1 includes a plurality of substrate processing units including a heat treatment unit, and a substrate transport unit that holds a substrate, moves between the substrate processing units, and transfers a substrate to each substrate processing unit. A substrate processing apparatus comprising: a substrate holding unit configured to hold the substrate in an upright posture; and a heat treatment surface facing the substrate held by the substrate holding unit, and heating or cooling the heat treatment surface. And a heat plate to be provided.

【0007】また、請求項2に記載の発明は、上記請求
項1に記載の基板処理装置において、前記基板保持手段
に保持された基板を、前記熱プレートの熱処理面に対し
て、基板の中心周りに回転させる回転手段をさらに備え
たことを特徴とするものである。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect, the substrate held by the substrate holding means is positioned at a center of the substrate with respect to a heat treatment surface of the heat plate. It is characterized by further comprising a rotating means for rotating around.

【0008】また、請求項3に記載の発明は、上記請求
項1または2に記載の基板処理装置において、前記基板
搬送手段を、基板を起立姿勢状態および水平姿勢状態で
保持し得る基板保持アームと、前記基板保持アームを起
立姿勢と水平姿勢とで姿勢転換させる姿勢転換手段と、
前記基板保持アームを介して各基板処理部に対する基板
の受渡しを行う基板受渡し手段と、前記基板保持アーム
を各基板処理部間で移動させる移動手段と、を備えて構
成したことを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the first or second aspect, the substrate holding arm is capable of holding the substrate in the standing posture state and the horizontal posture state. And posture changing means for changing the posture of the substrate holding arm between a standing posture and a horizontal posture,
A substrate delivery unit for delivering a substrate to each substrate processing unit via the substrate holding arm; and a moving unit for moving the substrate holding arm between the substrate processing units. It is.

【0009】[0009]

【作用】本発明の作用は次のとおりである。請求項1に
記載の発明によれば、基板保持手段に基板が起立姿勢で
保持され、熱プレートの熱処理面を加熱または冷却して
基板への熱処理(加熱処理または冷却処理)が行われ
る。なお、ここで、基板の起立姿勢とは、基板の処理面
が鉛直軸方向に平行となる姿勢をいう。
The operation of the present invention is as follows. According to the first aspect of the present invention, the substrate is held by the substrate holding means in an upright posture, and the heat treatment surface of the heat plate is heated or cooled to perform heat treatment (heating treatment or cooling treatment) on the substrate. Here, the standing posture of the substrate means a posture in which the processing surface of the substrate is parallel to the vertical axis direction.

【0010】請求項2に記載の発明によれば、熱処理を
行う間、回転手段によって熱処理部の基板保持手段に保
持された基板を、熱プレートの熱処理面に対して、基板
の中心周りに回転させる。基板を起立姿勢にして熱処理
(例えば、加熱処理)することで、基板の鉛直軸方向の
熱履歴が変動するような場合でも、上述のように基板を
回転させれば、基板の鉛直軸方向の熱履歴を均一にする
ことができる。
According to the second aspect of the present invention, during the heat treatment, the substrate held by the substrate holding means of the heat treatment section by the rotation means is rotated around the center of the substrate with respect to the heat treatment surface of the heat plate. Let it. Even when the heat history in the vertical axis direction of the substrate fluctuates by performing the heat treatment (for example, heat treatment) with the substrate in an upright posture, if the substrate is rotated as described above, the substrate in the vertical axis direction can be obtained. The heat history can be made uniform.

【0011】請求項3に記載の発明によれば、基板搬送
中、基板は基板搬送手段の基板保持アームに保持され
る。そして、基板保持アームが起立姿勢に姿勢転換され
ることで、基板保持アームに保持されている基板が起立
姿勢状態にされ、基板保持アームが水平姿勢に姿勢転換
されることで、基板保持アームに保持されている基板が
水平姿勢状態にされる。
According to the third aspect of the present invention, the substrate is held by the substrate holding arm of the substrate transfer means during the transfer of the substrate. When the posture of the substrate holding arm is changed to the standing posture, the substrate held by the substrate holding arm is changed to the standing posture state, and the posture of the substrate holding arm is changed to the horizontal posture, so that the posture of the substrate holding arm is changed. The held substrate is brought into a horizontal posture state.

【0012】基板受渡し手段によって基板保持アームと
基板処理部との間の基板の受渡しが行われるが、請求項
1、2に記載の発明に係る熱処理部のように基板を起立
姿勢で基板処理する基板処理部に対する基板の受渡し
は、基板保持アームを起立姿勢に姿勢転換した状態で行
う。また、基板を水平姿勢で基板処理する基板処理部に
対する基板の受渡しは、姿勢転換手段により基板保持ア
ームを水平姿勢に姿勢転換した状態で行う。なお、ここ
で、基板の水平姿勢とは、基板の処理面が水平方向に平
行となる姿勢をいう。また、基板保持アームの起立姿勢
とは、基板を起立姿勢状態で保持する姿勢をいい、基板
保持アームの水平姿勢とは、基板を水平姿勢状態で保持
する姿勢をいう。
The substrate is transferred between the substrate holding arm and the substrate processing unit by the substrate transferring means. The substrate is processed in the upright posture as in the heat treatment unit according to the first and second aspects of the present invention. The transfer of the substrate to the substrate processing unit is performed in a state where the posture of the substrate holding arm is changed to the upright posture. The delivery of the substrate to the substrate processing unit for processing the substrate in the horizontal posture is performed in a state where the posture of the substrate holding arm is changed to the horizontal posture by the posture changing means. Here, the horizontal posture of the substrate means a posture in which the processing surface of the substrate is parallel to the horizontal direction. Further, the standing posture of the substrate holding arm refers to a posture for holding the substrate in a standing posture state, and the horizontal posture of the substrate holding arm refers to a posture for holding the substrate in a horizontal posture state.

【0013】また、移動手段によって基板保持アームが
移動され、各基板処理部間での基板の移動が行われる
が、この移動の際、基板を起立姿勢状態に保持して移動
させることも可能となる。
Further, the substrate holding arm is moved by the moving means, and the substrate is moved between the substrate processing units. In this movement, the substrate may be moved while being held in the upright posture. Become.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図1は、本発明に係る基板処理装
置に備えられる熱処理部の一実施例の概略構成を示す正
面図であり、図2は、図1のA−A矢視図、図3は、基
板保持部材の構成を示す一部省略断面図であって、図2
のB−B矢視断面図、図4は、基板保持部材の開閉機構
の一例の構成を示す図である。なお、各図の位置関係を
明確にするために、図1以下の適宜の図面にはXYZ直
交座標系を付している。また、このXYZ直交座標系で
は、X軸、Y軸が水平方向の直交軸(XY平面が水平
面)であり、Z軸が鉛直軸である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a front view showing a schematic configuration of an embodiment of a heat treatment section provided in a substrate processing apparatus according to the present invention. FIG. 2 is a view taken along the line AA of FIG. 1, and FIG. FIG. 2 is a partially omitted cross-sectional view showing a configuration of a member,
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. In addition, in order to clarify the positional relationship between the respective drawings, the appropriate drawings after FIG. 1 are given an XYZ orthogonal coordinate system. In the XYZ orthogonal coordinate system, the X axis and the Y axis are orthogonal axes in the horizontal direction (the XY plane is a horizontal plane), and the Z axis is a vertical axis.

【0015】この熱処理部1は、基板Wを起立姿勢で保
持する基板保持台2と、基板保持台2に保持された基板
Wに対向する熱処理面3を有する熱プレート4とを備え
て構成されている。
The heat treatment section 1 includes a substrate holder 2 for holding a substrate W in an upright posture, and a heat plate 4 having a heat treatment surface 3 facing the substrate W held on the substrate holder 2. ing.

【0016】基板保持台2には、基板Wの外周端部の少
なくとも3箇所以上(図では4箇所)を保持するための
3個以上(図では4個)の基板保持部材5が設けられて
いる。各基板保持部材5は、長孔6に沿って図の矢印に
示す方向に開閉するようになっていて、基板Wの外周端
部に接触して基板Wを保持する保持状態と、基板Wの外
周端部から離れて基板Wの保持を解除する非保持状態と
を採り得るように構成されている。なお、各基板保持部
材5には切り欠き5aが設けられていて、上記保持状態
のとき、この切り欠き5aで基板Wを保持するようにな
っている(図3参照)。
The substrate holding table 2 is provided with three or more (four in the drawing) substrate holding members 5 for holding at least three (four in the drawing) outer peripheral ends of the substrate W. I have. Each substrate holding member 5 opens and closes in the direction shown by the arrow in the figure along the long hole 6, and holds the substrate W by contacting the outer peripheral end of the substrate W; It is configured to be able to take a non-holding state in which the holding of the substrate W is released away from the outer peripheral end. In addition, each substrate holding member 5 is provided with a notch 5a, and the substrate W is held by the notch 5a in the holding state (see FIG. 3).

【0017】各基板保持部材5を開閉させる開閉機構
は、例えば、図4に示すリンク機構7などのような機構
で実現することができる。図4の機構では、円板状の部
材7aがCJ軸周りに回転自在に基板保持台2の裏面
(基板Wを保持する側の面と反対側の面)側に支持され
ている。各基板保持部材5と円板状部材7aとがアーム
部材7bによって連結されている。各アーム部材7bの
一端部側は、各基板保持部材5の基端部に回動自在に連
結され、他端部側は、円板状部材7aの外周端部に回動
自在に連結されている。そして、図示しないエアシリン
ダなどによって駆動されて円板状部材7aがCJ軸周り
に所定角度回動されることで、各アーム部材7bが図の
実線と二点鎖線の間で変位し、各基板保持部材5は長孔
6に沿って開閉される。
The opening and closing mechanism for opening and closing each substrate holding member 5 can be realized by a mechanism such as a link mechanism 7 shown in FIG. In the mechanism shown in FIG. 4, a disk-shaped member 7a is supported on the back surface (surface opposite to the surface holding the substrate W) of the substrate holding table 2 so as to be rotatable around the CJ axis. Each substrate holding member 5 and the disk-shaped member 7a are connected by an arm member 7b. One end of each arm member 7b is rotatably connected to the base end of each substrate holding member 5, and the other end is rotatably connected to the outer peripheral end of the disk-shaped member 7a. I have. The disk member 7a is rotated by a predetermined angle around the CJ axis by being driven by an air cylinder or the like (not shown), whereby each arm member 7b is displaced between the solid line and the two-dot chain line in the figure, The holding member 5 is opened and closed along the long hole 6.

【0018】また、基板保持台2は、モーター8によっ
てCJ軸周りに回転されるようになっている。上記CJ
軸は、基板保持台2に保持された基板Wの中心を貫通す
る軸であり、上記基板保持台2のCJ軸周りの回転によ
り、基板保持台2に保持された基板Wが中心周りに回転
されるようになっている。
The substrate holder 2 is rotated about the CJ axis by a motor 8. The above CJ
The axis is a shaft that passes through the center of the substrate W held by the substrate holder 2, and the substrate W held by the substrate holder 2 rotates around the center by the rotation of the substrate holder 2 around the CJ axis. It is supposed to be.

【0019】なお、例えば、基板Wを起立姿勢で加熱処
理すると、基板の熱履歴が鉛直軸方向に変動する可能性
があるので、そのような不都合を防止するために基板W
を中心周りに回転させるようにしているが、基板Wの鉛
直軸方向の熱履歴の変動が心配ない場合には、モーター
8などを省略してもよい。
For example, if the substrate W is heat-treated in an upright position, the thermal history of the substrate may fluctuate in the vertical axis direction.
Is rotated around the center, but if there is no concern about fluctuations in the thermal history of the substrate W in the vertical axis direction, the motor 8 and the like may be omitted.

【0020】熱処理部1が加熱処理部である場合には、
熱プレート(加熱プレート)4には図示しないヒーター
などが内設されて熱処理面3を加熱して、基板保持台2
に保持された基板Wに加熱処理を施すように構成され
る。また、熱処理部1が冷却処理部である場合には、熱
プレート(冷却プレート)4には図示しないペルチェ素
子などが内設されて熱処理面3を冷却して、基板保持台
2に保持された基板Wに冷却処理を施すように構成され
る。この熱プレート4は、基板保持台2に保持された基
板Wに熱処理面3が対向するように起立姿勢で配設され
ている。
When the heat treatment section 1 is a heat treatment section,
A heating plate (heating plate) 4 is provided with a heater or the like (not shown) therein to heat the heat-treated surface 3 and
Is configured to perform a heat treatment on the substrate W held in the substrate. When the heat treatment section 1 is a cooling processing section, a Peltier element (not shown) or the like is provided inside the heat plate (cooling plate) 4 to cool the heat treatment surface 3 and to be held by the substrate holding table 2. It is configured to perform a cooling process on the substrate W. The heat plate 4 is disposed in an upright posture such that the heat treatment surface 3 faces the substrate W held on the substrate holding table 2.

【0021】なお、基板搬送装置との基板Wの受渡しを
行い易くするために、ボールネジやエアシリンダなどの
周知の1軸方向駆動機構(図示せず)により、基板保持
台2と熱プレート4とは相対的に接離されるように構成
されている。そして、基板Wの受渡し時には、基板保持
台2と熱プレート4とが相対的に離間され、熱処理時に
は、基板保持台2と熱プレート4とが相対的に近接され
るようになっている。
In order to facilitate the transfer of the substrate W to and from the substrate transfer device, the substrate holder 2 and the heat plate 4 are connected to each other by a well-known uniaxial driving mechanism (not shown) such as a ball screw or an air cylinder. Are configured to be relatively moved toward and away from each other. When the substrate W is delivered, the substrate holder 2 and the heat plate 4 are relatively separated from each other, and during heat treatment, the substrate holder 2 and the heat plate 4 are relatively close to each other.

【0022】ここで、従来の熱処理部の構成を図5、図
6を参照して説明する。なお、図5は、従来の熱処理部
の構成を示す斜視図であり、図6は、その一部省略正面
図である。
Here, the configuration of the conventional heat treatment section will be described with reference to FIGS. FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a conventional heat treatment unit, and FIG. 6 is a partially omitted front view thereof.

【0023】従来の熱処理部1pでは、熱プレート(加
熱処理部では加熱プレート、冷却処理部では冷却プレー
ト)4の熱処理面3が、水平方向に一致するように熱プ
レート4が配設されている。そして、基板Wは、熱処理
面3に接触載置されたり、微小間隔(プロキシミティギ
ャップ)を隔てて近接支持されて熱処理が施される。つ
まり、基板Wは水平姿勢で熱処理が施される。
In the conventional heat treatment section 1p, the heat plate 4 is arranged so that the heat treatment surface 3 of the heat plate 4 (the heating plate in the heat treatment section, the cooling plate in the cooling treatment section) coincides with the horizontal direction. . Then, the substrate W is placed in contact with the heat treatment surface 3 or is closely supported with a small gap (proximity gap) therebetween to be subjected to heat treatment. That is, the heat treatment is performed on the substrate W in a horizontal posture.

【0024】なお、従来の熱処理部1pでの基板Wの受
渡しは、一般的に、熱プレート4を貫通して昇降自在に
設けられた複数本の昇降ピンZPによって行われるよう
に構成されている。すなわち、図の二点鎖線で示すよう
に、複数本の昇降ピンZPが熱プレート23から突出し
て基板Wが熱プレート23上方に支持された受渡し位置
で基板Wの受渡しが行われる。
It is to be noted that the transfer of the substrate W in the conventional heat treatment section 1p is generally performed by a plurality of lifting pins ZP which penetrate the heating plate 4 and are provided so as to be able to move up and down. . That is, as shown by the two-dot chain line in the figure, the transfer of the substrate W is performed at the transfer position where the plurality of lifting pins ZP project from the heat plate 23 and the substrate W is supported above the heat plate 23.

【0025】一般的に、熱プレート4の熱処理面3は、
その直径が基板Wの直径よりも大きくなるように構成さ
れている。従って、従来の熱処理部1pでは、基板Wを
水平姿勢にして熱処理する構成であるので、熱処理面3
(熱プレート4)が水平方向に大きくならざるを得な
い。そして、基板Wのサイズ(直径)が大型化すれば、
それに応じて、熱処理面3(熱プレート4)の水平方向
の直径を大きくしなければならない。そのため、熱処理
部1pの水平方向の面積が大きくなり、その結果、熱処
理部1pを設置する従来の基板処理装置は、その設置面
積の大型化が避けられず、クリーンルームの床の利用効
率が悪くなっていた。また、基板Wのサイズが大型化す
れば、それに伴って熱処理部1pの水平方向の面積が一
層大きくなり、基板処理装置の設置面積は一層大きくな
らざるを得なかった。
Generally, the heat-treated surface 3 of the hot plate 4
It is configured such that its diameter is larger than the diameter of the substrate W. Therefore, in the conventional heat treatment unit 1p, since the heat treatment is performed with the substrate W in the horizontal posture, the heat treatment surface 3
(Heat plate 4) must be enlarged in the horizontal direction. If the size (diameter) of the substrate W increases,
Accordingly, the horizontal diameter of the heat treatment surface 3 (the heat plate 4) must be increased. For this reason, the horizontal area of the heat treatment unit 1p increases, and as a result, in the conventional substrate processing apparatus in which the heat treatment unit 1p is installed, an increase in the installation area is unavoidable, and the use efficiency of the floor of the clean room deteriorates. I was In addition, as the size of the substrate W increases, the horizontal area of the heat treatment unit 1p further increases, and the installation area of the substrate processing apparatus is inevitably increased.

【0026】これに対して、本実施例に係る熱処理部1
では、基板Wを起立姿勢にし、熱処理面3が起立姿勢を
採るように熱プレート4を配設して熱処理するように構
成しているので、熱処理部1の水平方向の面積をコンパ
クトにすることができる。さらに、基板Wのサイズが大
型化し、熱処理面3の直径を大きくしても、大きくなる
方向は鉛直軸方向であり、水平方向への大型化はほとん
ど起きない。従って、本実施例に係る熱処理部1によれ
ば、従来の熱処理部1pに比べて水平方向の面積のコン
パクト化が図れ、さらに、基板Wのサイズが大型化すれ
ばそれに比例して水平方向の面積のコンパクト化という
効果は一層大きくなる。
On the other hand, the heat treatment unit 1 according to this embodiment
In this embodiment, the heat treatment is performed by arranging the heat plate 4 so that the substrate W is in the upright position and the heat treatment surface 3 is in the upright position. Can be. Furthermore, even if the size of the substrate W is increased and the diameter of the heat-treated surface 3 is increased, the direction of the increase is the vertical axis direction, and the increase in the horizontal direction hardly occurs. Therefore, according to the heat treatment unit 1 according to the present embodiment, the area in the horizontal direction can be reduced in size as compared with the conventional heat treatment unit 1p, and if the size of the substrate W is increased, the horizontal direction is proportionally increased. The effect of reducing the area is even greater.

【0027】なお、従来の熱処理部1pでは、基板Wの
受渡しのために昇降ピンZPが設けられているが、この
昇降ピンZPは、熱プレート4を貫通させなければなら
ず、そのため、熱処理面3(熱プレート4)には昇降ピ
ンZPが出退する孔(貫通孔)HLが設けられている。
そのため、熱処理面3全面での熱履歴を均一化させるの
が難しく、その結果、基板W全面の熱履歴を均一化させ
るのは難しかった。
In the conventional heat treatment section 1p, the elevation pins ZP are provided for the transfer of the substrate W. However, the elevation pins ZP have to penetrate the heat plate 4, so that the heat treatment surface 3 (the heat plate 4) is provided with a hole (through hole) HL through which the elevating pin ZP moves.
Therefore, it is difficult to equalize the heat history over the entire surface of the heat treatment surface 3, and as a result, it is difficult to equalize the heat history over the entire surface of the substrate W.

【0028】これに対して、本実施例に係る熱処理部1
によれば、熱処理面3に孔などを設ける必要がなく、熱
処理面3全面での熱履歴を均一化させるのが容易であ
り、基板W全面の熱履歴を容易に均一化させることが可
能となった。さらに、基板Wを起立姿勢にして熱処理す
ることにより、基板Wの鉛直軸方向の熱履歴が不均一に
なる場合には、起立姿勢の熱処理面3に対して起立姿勢
の基板Wを中心周りに回転させるようにしているので、
基板W全面の熱履歴を均一にすることが可能となる。
On the other hand, the heat treatment unit 1 according to this embodiment
According to this, it is not necessary to provide holes or the like on the heat treatment surface 3, it is easy to make the heat history uniform over the entire heat treatment surface 3, and the heat history over the entire surface of the substrate W can be easily made uniform. became. Furthermore, if the heat history in the vertical axis direction of the substrate W becomes non-uniform by performing the heat treatment with the substrate W in the standing posture, the substrate W in the standing posture is centered around the heat treatment surface 3 in the standing posture. Because it is made to rotate,
The thermal history over the entire surface of the substrate W can be made uniform.

【0029】次に、上記実施例に係る熱処理部を設置す
る基板処理装置に備えるのに好適な基板搬送装置の一実
施例の構成を図7ないし図9を参照して説明する。図7
は、本発明の一実施例に係る基板搬送装置の構成を示す
斜視図であり、図8は、基板保持アームによる基板の保
持状態と非保持状態とを示す要部側面図、図9は、基板
保持アームが起立姿勢と水平姿勢とに姿勢転換された状
態を示す要部正面図である。
Next, the structure of an embodiment of a substrate transfer apparatus suitable for being provided in the substrate processing apparatus provided with the heat treatment section according to the above embodiment will be described with reference to FIGS. FIG.
FIG. 8 is a perspective view showing a configuration of a substrate transfer apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 8 is a side view of a main part showing a holding state and a non-holding state of a substrate by a substrate holding arm. It is a principal part front view which shows the state in which the attitude | position was changed into the standing attitude | position and the horizontal attitude | position in the board | substrate holding arm.

【0030】この基板搬送装置20は、以下のように構
成されている。水平1軸方向である図のY軸(X軸でも
よい)方向に配設された一対のレール21に沿って第1
の台座22が水平1軸方向(図ではY軸方向)に移動さ
れるように構成されている。
The substrate transfer device 20 is configured as follows. Along a pair of rails 21 disposed in the Y-axis (or X-axis) direction in the drawing, which is a horizontal one-axis direction,
Is moved in one horizontal axis direction (Y axis direction in the drawing).

【0031】第1の台座22の下部には旋回昇降機構2
3が取り付けられている。旋回昇降機構23は第1の台
座22とともにレール21に沿って移動される。この旋
回昇降機構23により、第1の台座22を貫通した昇降
部24aが昇降(第1の台座22から出退)されるとと
もに、昇降部24aから回転自在に突出された軸24が
鉛直軸である図のZJ軸(なお、ZJ軸は軸24の中心
軸に一致する軸である)周りに回転(旋回)されるよう
になっている。なお、旋回昇降機構23は、昇降部24
aに内設された図示しないモーターの回転により軸24
を旋回させ、その昇降部24aを、ボールネジなどの周
知の1軸方向駆動機構(図示せず)によって昇降させる
ように構成されている。
The lower part of the first pedestal 22 is provided with a turning elevating mechanism 2.
3 is attached. The turning elevating mechanism 23 is moved along the rail 21 together with the first pedestal 22. By the turning elevating mechanism 23, the elevating part 24a penetrating the first pedestal 22 is moved up and down (moves out of the first pedestal 22), and the shaft 24 rotatably protruded from the elevating part 24a is a vertical axis. It is configured to be rotated (turned) around a ZJ axis in a certain figure (the ZJ axis is an axis coinciding with the central axis of the axis 24). The turning elevating mechanism 23 includes an elevating unit 24.
a by rotation of a motor (not shown) installed in
Is rotated, and the elevating unit 24a is configured to be moved up and down by a well-known uniaxial drive mechanism (not shown) such as a ball screw.

【0032】軸24の上端部には第2の台座25が取り
付けられている。この第2の台座25には、半円柱状の
部材26が図示しないモーターによって水平1軸(図の
HJ1軸)周りに回転されるように取り付けられてい
る。この半円柱状部材26には、アーム支持台27が前
記HJ1軸に直交する水平1軸(図のHJ2軸)方向に
微小移動できるように取り付けられている。
A second pedestal 25 is attached to the upper end of the shaft 24. A semi-cylindrical member 26 is attached to the second pedestal 25 so as to be rotated about one horizontal axis (HJ1 axis in the figure) by a motor (not shown). An arm support 27 is attached to the semi-cylindrical member 26 so as to be able to move minutely in one horizontal axis (HJ2 axis in the drawing) orthogonal to the HJ1 axis.

【0033】アーム支持台27には、2個のアーム支持
部28が前記HJ1軸に平行な水平1軸(図のHJ3
軸)方向に個別に移動(アーム支持台27に対して出
退)されるようになっている。
The arm support 27 has two arm supports 28 on one horizontal axis parallel to the HJ1 axis (HJ3 in the figure).
It is individually moved in the (axial) direction (moves to and from the arm support 27).

【0034】各アーム支持部28には基板保持アーム2
9が設けられている。各基板保持アーム29は、開閉自
在に構成された一対のアーム部材30と、出退自在に構
成された基板保持部31とを備えている。各アーム部材
30と基板保持部31には、図示しない溝が刻設されて
いて、各アーム部材30が閉じられるとともに、基板保
持部31が突出された状態で基板Wが前記各アーム部材
30及び基板保持部31の溝に保持されるようになって
いる(図8(a))。一方、各アーム部材30が開かれ
るとともに、基板保持部31が後退された状態で基板W
の保持状態が解除されるようになっている(図8
(b))。
Each arm supporting portion 28 has a substrate holding arm 2
9 are provided. Each substrate holding arm 29 includes a pair of arm members 30 configured to be openable and closable, and a substrate holding unit 31 configured to be freely retractable. A groove (not shown) is formed in each of the arm members 30 and the substrate holding portion 31 so that each arm member 30 is closed, and in the state where the substrate holding portion 31 is protruded, the substrate W is attached to each of the arm members 30 and It is held in the groove of the substrate holding part 31 (FIG. 8A). On the other hand, while each arm member 30 is opened and the substrate holding portion 31 is retracted, the substrate W
8 is released (FIG. 8).
(B)).

【0035】第1の台座22がレール21に沿って移動
されることにより、基板保持アーム29が水平1軸(Y
軸)方向に移動される。また、第1の台座22に対して
昇降部24aが昇降されることにより基板保持アーム2
9が昇降される。さらに、軸24がZJ軸周りに旋回さ
れることによりアーム保持台27に対する基板保持アー
ム29の出退する方向が変えられる。これら動作によ
り、基板保持アーム29が、基板処理装置に設置される
熱処理部1を含む複数の基板処理部間で移動される。
When the first pedestal 22 is moved along the rail 21, the substrate holding arm 29 is moved horizontally by one axis (Y
Axis). Further, the elevating part 24 a is moved up and down with respect to the first pedestal 22 so that the substrate holding arm 2
9 is raised and lowered. Further, by rotating the shaft 24 about the ZJ axis, the direction in which the substrate holding arm 29 moves with respect to the arm holding table 27 can be changed. With these operations, the substrate holding arm 29 is moved between a plurality of substrate processing units including the heat treatment unit 1 installed in the substrate processing apparatus.

【0036】また、第2の台座25に対して半円柱状部
材26がHJ1軸周りに回転されることにより、基板保
持アーム29が起立姿勢(基板Wを起立姿勢状態で保持
する姿勢)と、水平姿勢(基板Wを水平姿勢状態で保持
する姿勢)との間で姿勢転換される(図7、図9参
照)。
Further, by rotating the semi-cylindrical member 26 about the HJ1 axis with respect to the second pedestal 25, the substrate holding arm 29 stands up (position for holding the substrate W in the upright position), and The posture is changed between a horizontal posture (a posture for holding the substrate W in the horizontal posture state) (see FIGS. 7 and 9).

【0037】さらに、アーム保持台27に対する基板保
持アーム29の出退動作と、アーム支持台27に対する
半円柱状部材26のHJ2軸方向の微小移動と、基板保
持アーム29による基板Wの保持およびその解除の動作
とにより、各基板処理部に対する基板Wの受渡しが行わ
れる。
Further, the movement of the substrate holding arm 29 with respect to the arm holding table 27, the movement of the semi-cylindrical member 26 with respect to the arm holding table 27 in the HJ2-axis direction, the holding of the substrate W by the substrate holding arm 29, and the like. With the release operation, delivery of the substrate W to each substrate processing unit is performed.

【0038】この基板搬送装置20によれば、本実施例
に係る熱処理部1のように基板Wを起立姿勢に保持して
基板処理する基板処理部に対する基板Wの受渡しは、基
板保持アーム29を起立姿勢にして行うことができる。
一方、基板Wを水平姿勢に保持して基板処理する従来一
般の基板処理部に対する基板Wの受渡しは、基板保持ア
ーム29を水平姿勢にして行うことができる。また、基
板処理部間の移動を、基板保持アーム29(基板W)を
起立姿勢にして行うこともできるし、水平姿勢にして行
うこともできる。
According to the substrate transfer apparatus 20, the transfer of the substrate W to the substrate processing unit for processing the substrate while holding the substrate W in the upright posture as in the heat treatment unit 1 according to the present embodiment is performed by using the substrate holding arm 29. It can be performed in a standing posture.
On the other hand, the delivery of the substrate W to a conventional general substrate processing unit that performs substrate processing while holding the substrate W in a horizontal position can be performed with the substrate holding arm 29 in a horizontal position. Further, the movement between the substrate processing units can be performed with the substrate holding arm 29 (substrate W) standing upright or in a horizontal posture.

【0039】次に、上記熱処理部や基板搬送装置などを
備えた基板処理装置の構成の一例を図10の平断面図を
参照して説明する。
Next, an example of the configuration of a substrate processing apparatus provided with the above-described heat treatment section and substrate transfer device will be described with reference to a plan sectional view of FIG.

【0040】この基板処理装置は、上記実施例に係る熱
処理部1(加熱処理部1hおよび冷却処理部1c)や、
スピンコーターSC、スピンデベロッパーSDなどの複
数の基板処理部が配置される配置部R1およびR2が、
上記基板搬送装置20の基板搬送路TRを挟んで設けら
れている。
The substrate processing apparatus includes a heat treatment section 1 (heat treatment section 1h and cooling treatment section 1c) according to the above embodiment,
Arrangement units R1 and R2 in which a plurality of substrate processing units such as a spin coater SC and a spin developer SD are arranged,
It is provided with the substrate transfer path TR of the substrate transfer device 20 interposed therebetween.

【0041】基板搬送装置20の上記レール21の配設
方向(Y軸方向)は、基板搬送路TRの長手方向に一致
されている。
The arrangement direction (Y-axis direction) of the rails 21 of the substrate transfer device 20 coincides with the longitudinal direction of the substrate transfer path TR.

【0042】上述したように、熱処理部1では基板Wを
起立姿勢に保持して熱処理するように構成されている。
ここで、熱処理部1の基板保持台2と基板搬送装置20
の基板保持アーム29との間の基板Wの受渡しについて
説明する。
As described above, the heat treatment section 1 is configured to perform the heat treatment while holding the substrate W in the upright posture.
Here, the substrate holding table 2 of the heat treatment unit 1 and the substrate transfer device 20
The transfer of the substrate W to and from the substrate holding arm 29 will be described.

【0043】基板保持アーム29が保持している基板W
を基板保持台2に引き渡す場合について図12を参照し
て説明する。
The substrate W held by the substrate holding arm 29
Is transferred to the substrate holder 2 with reference to FIG.

【0044】基板搬送路TRに沿った移動や昇降動作に
より、基板保持アーム29を受渡し対象の熱処理部1の
前に移動させ、軸24の旋回により、アーム保持台27
に対する基板保持アーム29の出退方向を熱処理部1側
に調節する。そして、基板保持アーム29が起立姿勢で
あればそのまま、水平姿勢であれば起立姿勢に姿勢転換
させてから、アーム保持台27に対して基板保持アーム
29を送り出す(図12(a))。
The substrate holding arm 29 is moved in front of the heat treatment section 1 to be transferred by moving or elevating the substrate along the substrate transport path TR.
Of the substrate holding arm 29 relative to the heat treatment unit 1 is adjusted. Then, if the substrate holding arm 29 is in the standing posture, the posture is changed to the standing posture if it is in the horizontal posture, and then the substrate holding arm 29 is sent out to the arm holding base 27 (FIG. 12A).

【0045】次に、アーム支持台27をHJ2軸方向
(図の右方向)に微小移動させて、基板保持台2の基板
保持部材5が基板Wを保持し得る位置に基板Wを位置さ
せる(図12(b))。このとき、基板保持台2の基板
保持部材5は開いている。そして、上記動作によって基
板保持部材5が基板Wを保持し得る位置に基板Wが位置
されると、基板保持部材5を閉じて基板保持台2側でも
基板Wを保持する(図12(c))。
Next, the arm support 27 is slightly moved in the direction of the HJ2 axis (the right direction in the figure) to position the substrate W at a position where the substrate holding member 5 of the substrate holder 2 can hold the substrate W ( FIG. 12 (b). At this time, the substrate holding member 5 of the substrate holding table 2 is open. Then, when the substrate W is positioned at a position where the substrate holding member 5 can hold the substrate W by the above operation, the substrate holding member 5 is closed and the substrate W is also held on the substrate holding table 2 side (FIG. 12C). ).

【0046】そして、基板保持アーム29による基板W
の保持を解除させ、アーム支持台27をHJ2軸方向
(図の左方向)に微小移動させて基板保持アーム29と
基板保持部材5との干渉を避ける状態にし、アーム部材
30を閉じてから、基板保持アーム29を後退させる
(図12(d))。これにより、基板保持アーム29が
保持している基板Wを基板保持台2に引き渡すことがで
きる。なお、基板保持アーム29を水平姿勢にして移動
させる場合には、基板Wを基板保持台2に引き渡して基
板保持アーム29が後退された後、起立姿勢の基板保持
アーム29を水平姿勢に姿勢転換させることになる。
Then, the substrate W by the substrate holding arm 29 is
Is released, the arm support 27 is slightly moved in the HJ2 axis direction (left direction in the drawing) to avoid interference between the substrate holding arm 29 and the substrate holding member 5, and the arm member 30 is closed. The substrate holding arm 29 is retracted (FIG. 12D). Thereby, the substrate W held by the substrate holding arm 29 can be delivered to the substrate holding table 2. When the substrate holding arm 29 is moved in the horizontal posture, the substrate W is delivered to the substrate holding table 2 and the substrate holding arm 29 is retracted. Then, the posture of the substrate holding arm 29 in the standing posture is changed to the horizontal posture. Will be.

【0047】熱処理部1では、基板Wを受け取ると、基
板Wを保持した基板保持台2と熱プレート4とが相対的
に接近し、基板Wと熱処理面3とを近接配置させて基板
Wに熱処理を施す。このとき、基板Wの鉛直軸方向の熱
履歴が変動する場合には、基板保持台2をCJ軸周りに
回転させ、熱処理面3に対して基板Wを中心周りに回転
させて熱処理を行う(図12(e))。
In the heat treatment section 1, when the substrate W is received, the substrate holding table 2 holding the substrate W and the heat plate 4 relatively approach each other, and the substrate W and the heat treatment surface 3 are disposed close to each other. Heat treatment is performed. At this time, if the thermal history of the substrate W in the vertical axis direction fluctuates, the heat treatment is performed by rotating the substrate holding table 2 around the CJ axis and rotating the substrate W around the center with respect to the heat treatment surface 3 ( FIG. 12 (e).

【0048】また、基板保持台2に保持されている基板
Wを基板保持アーム29で取り出す場合は、上記動作と
略逆の動作で行うことができる。
When the substrate W held on the substrate holding table 2 is taken out by the substrate holding arm 29, the operation can be performed in substantially the reverse of the above operation.

【0049】スピンコーターSCやスピンデベロッパー
SDは、一般的に、図10に示すように、スピンチャッ
クSSに基板Wを水平姿勢で保持してレジスト塗布処理
や現像処理を行うように構成されている。
The spin coater SC and the spin developer SD are generally configured to hold the substrate W on a spin chuck SS in a horizontal position and perform a resist coating process and a developing process, as shown in FIG. .

【0050】このスピンチャックSSと基板保持アーム
29との間の基板Wの受渡しは、基板保持アーム29の
姿勢転換動作や、アーム保持台27に対する基板保持ア
ーム29の出退動作、アーム支持台27のHJ2軸方向
の微小移動、基板保持アーム29による基板Wの保持お
よびその解除の動作などを適宜に組み合わせて行われ
る。
The transfer of the substrate W between the spin chuck SS and the substrate holding arm 29 is performed by changing the posture of the substrate holding arm 29, moving the substrate holding arm 29 to and from the arm holding table 27, and transferring the substrate W to the arm holding table 27. , And the operations of holding and releasing the substrate W by the substrate holding arm 29 are appropriately combined.

【0051】例えば、基板保持アーム29が保持してい
る基板WをスピンチャックSSに引き渡す場合には、基
板保持アーム29の姿勢転換やアーム保持台27に対す
る基板保持アーム29の送り出しにより、水平姿勢の基
板保持アーム29に保持されている基板Wをスピンチャ
ックSSの上方に位置させ、アーム支持台27のHJ2
軸方向の微小移動(この場合、基板保持アーム29が下
降される)と、基板保持アーム29による基板Wの保持
の解除動作とにより、水平姿勢の基板Wをスピンチャッ
ク1に載置するようにして基板保持アーム29からスピ
ンチャックSSへの基板Wの引き渡しが行われる。な
お、基板保持アーム29の姿勢転換は、基板保持アーム
29を起立姿勢にして移動させる場合に、起立姿勢の基
板保持アーム29を水平姿勢に姿勢転換させり、基板W
の受渡し後の水平姿勢の基板保持アーム29を起立姿勢
に戻す場合に行われ、基板保持アーム29を水平姿勢に
して移動させる場合には、基板保持アーム29の姿勢転
換は不要である。水平姿勢の基板保持アーム29に保持
されている基板WをスピンチャックSSの上方に位置さ
せるために、基板保持アーム29の姿勢転換と、アーム
保持台27に対する基板保持アーム29の送り出しを行
う場合、いずれの動作を先に行ってもよい。すなわち、
起立姿勢の基板保持アーム29を水平姿勢に姿勢転換し
てから基板保持アーム29を送り出して、水平姿勢の基
板保持アーム29に保持されている基板Wをスピンチャ
ックSSの上方に位置させてもよいし、起立姿勢の基板
保持アーム29を送り出してから基板保持アーム29を
水平姿勢に姿勢転換して水平姿勢の基板保持アーム29
に保持されている基板WをスピンチャックSSの上方に
位置させてもよい。
For example, when the substrate W held by the substrate holding arm 29 is transferred to the spin chuck SS, the posture of the substrate holding arm 29 is changed and the substrate holding arm 29 is sent out to the arm holder 27 so that the substrate W is kept in a horizontal position. The substrate W held by the substrate holding arm 29 is positioned above the spin chuck SS, and the HJ2
A horizontal movement of the substrate W is performed on the spin chuck 1 by a minute movement in the axial direction (in this case, the substrate holding arm 29 is lowered) and an operation of releasing the holding of the substrate W by the substrate holding arm 29. Thus, the transfer of the substrate W from the substrate holding arm 29 to the spin chuck SS is performed. The posture change of the substrate holding arm 29 is performed by changing the posture of the substrate holding arm 29 in the upright posture to the horizontal posture when moving the substrate holding arm 29 in the upright posture.
This is performed when the substrate holding arm 29 in the horizontal posture after the transfer is returned to the upright posture. When the substrate holding arm 29 is moved in the horizontal posture, the posture change of the substrate holding arm 29 is unnecessary. When the posture of the substrate holding arm 29 is changed and the substrate holding arm 29 is sent out to the arm holding base 27 in order to position the substrate W held by the substrate holding arm 29 in the horizontal posture above the spin chuck SS, Either operation may be performed first. That is,
The posture of the substrate holding arm 29 in the upright posture may be changed to the horizontal posture, and then the substrate holding arm 29 may be sent out to position the substrate W held by the substrate holding arm 29 in the horizontal posture above the spin chuck SS. Then, the substrate holding arm 29 in the upright posture is sent out, the posture of the substrate holding arm 29 is changed to the horizontal posture, and the substrate holding arm 29 in the horizontal posture is moved.
May be positioned above the spin chuck SS.

【0052】また、スピンチャックSSに保持されてい
る基板Wを基板保持アーム29で取り出す場合には、上
記と略逆の動作で、水平姿勢の基板保持アーム29がス
ピンチャックSSから基板Wを持ち上げるようにして行
われる。
When the substrate W held by the spin chuck SS is taken out by the substrate holding arm 29, the substrate holding arm 29 in a horizontal posture lifts the substrate W from the spin chuck SS in an operation substantially opposite to the above. It is done as follows.

【0053】ここで、同じ基板処理部を備えた基板処理
装置であって、従来の熱処理部を備えた従来装置の構成
の一例を図11の平断面図に示す。図10と図11とを
比較しても明らかなように、従来の熱処理部1pの水平
方向の面積に比べて、本実施例の熱処理部1の水平方向
の面積の方が小さいので、基板処理装置全体の水平方向
の面積、すなわち、基板処理装置の設置面積を小さくす
ることができる。
FIG. 11 is a plan sectional view showing an example of the configuration of a conventional apparatus having the same substrate processing section and having a conventional heat treatment section. As is clear from the comparison between FIGS. 10 and 11, the horizontal area of the heat treatment unit 1 of the present embodiment is smaller than the horizontal area of the conventional heat treatment unit 1p. The area in the horizontal direction of the entire apparatus, that is, the installation area of the substrate processing apparatus can be reduced.

【0054】なお、熱処理部1に限らず、その他の基板
処理部(スピンコーターSCやスピンデベロッパーSD
など)も基板Wを起立姿勢にして基板処理するように構
成すれば、基板処理装置の設置面積の一層のコンパクト
化を図ることができる。また、基板処理装置内の全ての
基板処理部が基板Wを起立姿勢にして基板処理する構成
であれば、基板搬送装置20は基板処理部間の移動や、
各基板処理部に対する基板Wの受渡しを常に基板Wを起
立姿勢状態に保持して行えるので、基板搬送装置20の
構成や動作も簡略化できる。
It should be noted that not only the heat treatment section 1 but also other substrate processing sections (spin coater SC and spin developer SD
And so on), the substrate processing can be performed with the substrate W in the standing posture, so that the installation area of the substrate processing apparatus can be further reduced. In addition, if all the substrate processing units in the substrate processing apparatus perform the substrate processing with the substrate W in an upright posture, the substrate transfer device 20 can move between the substrate processing units,
Since the transfer of the substrate W to each substrate processing unit can be always performed while the substrate W is held in the upright posture, the configuration and operation of the substrate transfer device 20 can be simplified.

【0055】ところで、図10などに示す基板処理装置
では、配置部R1に配置されている基板処理部に対する
基板Wの受渡しを行う場合と、配置部R2に配置されて
いる基板処理部に対する基板Wの受渡しを行う場合とで
は、図13に示すように、基板搬送装置20の基板保持
アーム29の出退方向が反対方向となる。すなわち、基
板搬送装置20のアーム保持台27を180°旋回させ
る必要がある。
By the way, in the substrate processing apparatus shown in FIG. 10 and the like, the case where the substrate W is transferred to and from the substrate processing unit disposed in the placement unit R1, and the case where the substrate W is transferred to the substrate processing unit disposed in the placement unit R2. 13, the direction in which the substrate holding arm 29 of the substrate transfer device 20 moves back and forth is the opposite direction, as shown in FIG. That is, it is necessary to rotate the arm holder 27 of the substrate transfer device 20 by 180 °.

【0056】ここで、基板処理部に対する基板Wの受渡
しのための基板保持アーム29の出退のストロークをS
Tとすると、基板保持アーム29が出退されるアーム保
持台27の長手方向の長さは前記ストロークSTよりも
長く形成する必要がある。このアーム保持台27の長手
方向の長さを(AL1+AL2)とすると、アーム保持
台27を前記軸24により180°旋回させるために
は、少なくとも前記アーム保持台27の長手方向の長さ
を構成するAL1、AL2のうちの長い方の寸法を半径
とする円よりも広い面積が必要になる。従って、図14
に示すように、基板搬送路TRの幅W(基板搬送路TR
の短手方向の長さ)は、少なくとも前記AL1又はAL
2の長い方の寸法の2倍の長さ(ALとする)以上の長
さが必要である。
Here, the stroke of the substrate holding arm 29 for transferring the substrate W to and from the substrate processing section is set to S.
Assuming T, the longitudinal length of the arm holding base 27 from which the substrate holding arm 29 is extended and retracted must be longer than the stroke ST. Assuming that the length of the arm holder 27 in the longitudinal direction is (AL1 + AL2), at least the length of the arm holder 27 in the longitudinal direction is required to rotate the arm holder 27 by 180 ° by the shaft 24. A larger area is required than a circle whose radius is the longer dimension of AL1 and AL2. Therefore, FIG.
, The width W of the substrate transport path TR (the substrate transport path TR
) Is at least AL1 or AL
It is necessary to have a length that is at least twice the length (referred to as AL) of the longer dimension of 2.

【0057】そこで、例えば、図15に示すように、基
板処理装置を構成すれば図10などの構成に比べて基板
搬送路TRの幅を短くすることができる。
Therefore, for example, as shown in FIG. 15, if the substrate processing apparatus is configured, the width of the substrate transport path TR can be reduced as compared with the configuration of FIG.

【0058】図15では、基板搬送路20の基板保持ア
ーム29の出退方向を基板搬送路TRの長手方向(Y軸
方向)に一致させた状態で、基板搬送装置20が基板搬
送路TRに沿った移動を行うように構成している(図の
実線)。すなわち、図7に示す状態でレール21に沿っ
た移動を行わせる。そして、基板搬送路TRの長手方向
(Y軸方向)に対して、±θ(但し、θは0°以上90
°未満)だけアーム保持台27を旋回させた状態(図の
二点鎖線)で、各基板処理部に対して基板Wの受渡しが
行えるように、基板処理部(熱処理部1やスピンコータ
ーSC、スピンデベロッパーSDなど)を基板処理装置
の配置部R1、R2に配設している。
In FIG. 15, the substrate transfer device 20 is moved to the substrate transfer path TR with the direction in which the substrate holding arm 29 of the substrate transfer path 20 retreats and coincides with the longitudinal direction (Y-axis direction) of the substrate transfer path TR. It is configured to move along (solid line in the figure). That is, movement along the rail 21 is performed in the state shown in FIG. Then, with respect to the longitudinal direction (Y-axis direction) of the substrate transport path TR, ± θ (where θ is 0 ° or more and 90 ° or more).
The substrate processing unit (the heat treatment unit 1, the spin coater SC, and the like) can transfer the substrate W to each of the substrate processing units in a state where the arm holding base 27 is pivoted by less than (°) (two-dot chain line in the drawing). (A spin developer SD, etc.) are arranged in the arrangement sections R1 and R2 of the substrate processing apparatus.

【0059】このように構成すれば、図16に示すよう
に、アーム支持台27の長手方向が基板搬送路TRに対
して直交する状態を採る図10などの構成に比べて、基
板搬送路TRの短手方向の長さを短くすることができ
る。すなわち、図10などの構成の場合の基板搬送路T
Rの短手方向の長さWは、少なくともALが必要であ
る。これに対して、図15の構成の場合の基板搬送路T
Rの短手方向の長さWSは、少なくとも(((AL/
2)・sinθ)×2)だけあればよい。なお、θが0
°に近づけばそれだけWSが短くなり、基板搬送路TR
の短手方向の長さWSを短くすることができる。
With this configuration, as shown in FIG. 16, the substrate transport path TR is different from the configuration shown in FIG. 10 in which the longitudinal direction of the arm support 27 is orthogonal to the substrate transport path TR. Can be shortened in the lateral direction. That is, the substrate transport path T in the case of the configuration shown in FIG.
At least AL is required for the length W in the short direction of R. On the other hand, in the case of the configuration of FIG.
The length WS in the short direction of R is at least ((((AL /
2) · sin θ) × 2). Note that θ is 0
°, the shorter the WS, the shorter the substrate transport path TR
Can be reduced in the lateral direction WS.

【0060】また、図15では、基板Wを起立姿勢にし
て基板搬送路TRに沿った移動などを行うように構成し
ている。そして、スピンチャックSSへの基板Wの受渡
しでは、基板Wを起立姿勢にして基板保持アーム29が
アーム保持台27に対して出退してから、スピンコータ
ーSCまたはスピンデベロッパーSD内で基板保持アー
ム29を水平姿勢に姿勢転換するようにしている。
FIG. 15 shows a configuration in which the substrate W is moved upright and the substrate W is moved along the substrate transport path TR. Then, in the transfer of the substrate W to the spin chuck SS, the substrate holding arm 29 is moved up and down with respect to the arm holding base 27 with the substrate W in an upright posture, and then the substrate holding arm is set in the spin coater SC or the spin developer SD. 29 is changed to a horizontal posture.

【0061】なお、図15に関する構成によれば、基板
Wを水平姿勢にして基板搬送路TRでの基板搬送を行っ
ても、基板搬送路TRの短手方向の長さを短くできると
いう効果が得られるが、基板Wを起立姿勢にして基板搬
送路TRでの基板搬送を行えば、その効果は一層大きく
なる。
According to the configuration shown in FIG. 15, even when the substrate W is transported in the substrate transport path TR with the substrate W in a horizontal posture, the length of the substrate transport path TR in the short direction can be shortened. However, if the substrate W is transported in the substrate transport path TR with the substrate W in the upright posture, the effect is further enhanced.

【0062】また、図17に示すように、基板搬送路T
Rにおいて基板Wの移動などを行う際、基板Wを水平姿
勢にして行う場合(図17(a))と、起立姿勢にして
行う場合(図17(b))とでは、平面視で見て起立姿
勢で行う方が基板Wの投影面積が小さくなる。従って、
基板Wを起立姿勢にして基板Wの移動などを行うことに
より、基板搬送路TRのコンパクト化を図ることが可能
となり、基板処理装置の設置面積のコンパクト化を図る
ことも可能である。
Further, as shown in FIG.
When moving the substrate W in R, the horizontal position of the substrate W (FIG. 17A) and the vertical position of the substrate W (FIG. 17B) are viewed in plan. The projection area of the substrate W is smaller in the standing posture. Therefore,
By moving the substrate W with the substrate W in an upright posture, the substrate transport path TR can be made compact, and the installation area of the substrate processing apparatus can be made compact.

【0063】なお、この種の基板搬送装置の基板搬送路
TRなどには、上方から下方へとダウンフローで気流を
流して、基板搬送路TRなどにおけるパーティクルの舞
い上がりなどを抑制するようにしている。
It is to be noted that an air flow is caused to flow downward from above to below in the substrate transfer path TR of the substrate transfer apparatus of this type, so as to suppress particles from rising in the substrate transfer path TR and the like. .

【0064】例えば、従来装置のように、基板搬送路T
Rにおける基板Wの移動などを基板Wを水平姿勢にして
行うと、図18(a)に示すように、基板の上面(通
常、処理面を上面にして基板搬送される)に、矢印で示
すダウンフローの気流とともに流下されてくるパーティ
クルが付着し易くなる。また、加熱処理部から基板搬送
路TRの上方に放出される熱雰囲気がダウンフローの気
流とともに下降されてくると、上記パーティクルの付着
と同様に、その熱雰囲気を水平姿勢の基板Wの上面(処
理面)で受け止めることになるので、基板Wの処理面へ
の熱的影響を受け易い。さらに、基板Wが水平姿勢であ
れば、ダウンフローの気流を基板Wの上面で受け止める
ことになるので、ダウンフローの気流の妨げにもなる
(図18(a)参照)。
For example, as in the conventional apparatus, the substrate transport path T
When the movement of the substrate W in R is performed with the substrate W in a horizontal posture, as shown in FIG. 18A, the upper surface of the substrate (usually, the substrate is transported with the processing surface facing upward) is indicated by an arrow. Particles flowing down with the downflow airflow are more likely to adhere. Further, when the thermal atmosphere released from the heat treatment section to the upper side of the substrate transport path TR is lowered together with the downflow airflow, the thermal atmosphere is transferred to the upper surface of the substrate W in a horizontal posture (similar to the above-described adhesion of the particles). The substrate W is susceptible to thermal influence on the processing surface of the substrate W. Furthermore, if the substrate W is in a horizontal position, the downflow airflow is received by the upper surface of the substrate W, which hinders the downflow airflow (see FIG. 18A).

【0065】これに対して、本発明に係る基板搬送装置
20では、基板Wを起立姿勢状態で基板搬送路TRにお
ける移動などを行うことができる。このように基板Wを
起立姿勢状態で基板搬送路TRにおける移動などを行う
ことで、図18(b)に示すように、基板Wの処理面へ
のパーティクルの付着が起き難く、熱的影響も受け難く
なる。さらに、基板Wが起立姿勢であると、ダウンフロ
ーの気流の妨げにもなり難い(図18(b)参照)。従
って、そのような点からも、基板搬送路TRに沿った移
動や、昇降、旋回動作などは、基板保持アーム29を起
立姿勢(図7、図9(a)の状態)にして行う方が好ま
しい。
On the other hand, in the substrate transfer apparatus 20 according to the present invention, the substrate W can be moved in the substrate transfer path TR while the substrate W is standing. By moving the substrate W in the substrate transport path TR in the upright posture state as described above, particles do not easily adhere to the processing surface of the substrate W as shown in FIG. It is hard to receive. Further, when the substrate W is in the upright posture, it is difficult to hinder the downflow airflow (see FIG. 18B). Therefore, from such a point, it is better to perform the movement along the substrate transport path TR, the lifting / lowering, the turning operation, and the like with the substrate holding arm 29 in the upright posture (the state of FIGS. 7 and 9A). preferable.

【0066】[0066]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、基板を起立姿勢で保持して熱
処理するように熱処理部を構成したので、熱処理部の水
平方向の面積をコンパクトにできる。従って、このよう
な熱処理部を備えた基板処理装置全体の設置面積のコン
パクト化を図ることができ、クリーンルームの床の利用
効率が良くなる。
As is apparent from the above description, according to the first aspect of the present invention, the heat treatment section is configured to perform the heat treatment while holding the substrate in the upright posture. The area can be made compact. Therefore, it is possible to reduce the installation area of the entire substrate processing apparatus having such a heat treatment unit, and to improve the use efficiency of the floor of the clean room.

【0067】請求項2に記載の発明によれば、熱処理
中、基板を熱処理面に対して基板の中心周りに回転させ
るように構成したので、基板を起立姿勢で保持して熱処
理することにより、基板の鉛直軸方向の熱履歴が変動す
る場合にも、均一な熱履歴で基板に熱処理を施すことが
できる。
According to the second aspect of the present invention, during the heat treatment, the substrate is rotated around the center of the substrate with respect to the heat-treated surface. Even when the thermal history of the substrate in the vertical axis direction fluctuates, the substrate can be heat-treated with a uniform thermal history.

【0068】請求項3に記載の発明によれば、基板を起
立姿勢状態と水平姿勢状態とで保持できるように構成し
た基板搬送手段を備えたので、請求項1、2に記載の発
明に係る熱処理部のように基板を起立姿勢で基板処理す
る基板処理部に対する基板の受渡しを基板搬送手段から
直接行うことができる。また、基板を起立姿勢で移動さ
せることも可能であり、そのように動作させることで、
従来装置のように基板を水平姿勢で移動する場合に比べ
て、基板搬送路の水平方向の面積をコンパクトにするこ
とも可能となり、基板処理装置全体の設置面積のコンパ
クト化にも寄与することができる。さらに、基板を起立
姿勢で搬送すると、パーティクルが降下してきても、そ
のパーティクルが基板の処理面に付着し難く、熱雰囲気
が降下してきても基板の処理面への熱的影響を受け難い
などの効果も得られる。
According to the third aspect of the present invention, there is provided the substrate transfer means configured to hold the substrate in the upright posture state and the horizontal posture state. The transfer of the substrate to the substrate processing unit that processes the substrate in the upright posture as in the heat treatment unit can be directly performed from the substrate transfer unit. In addition, it is also possible to move the substrate in a standing posture, and by operating as such,
Compared with the case where the substrate is moved in a horizontal posture as in the conventional apparatus, the horizontal area of the substrate transport path can be made smaller, which contributes to the reduction of the installation area of the entire substrate processing apparatus. it can. Furthermore, when the substrate is transported in the upright position, even if the particles come down, the particles hardly adhere to the processing surface of the substrate, and even if the thermal atmosphere falls, the particles are hardly thermally affected by the processing surface of the substrate. The effect is also obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置に備えられる熱処理
部の一実施例の概略構成を示す正面図である。
FIG. 1 is a front view showing a schematic configuration of an embodiment of a heat treatment section provided in a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1のA−A矢視図である。FIG. 2 is a view as viewed in the direction of arrows AA in FIG. 1;

【図3】基板保持部材の構成を示す一部省略断面図であ
って、図2のB−B矢視断面図である。
FIG. 3 is a partially omitted cross-sectional view showing a configuration of a substrate holding member, and is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 2;

【図4】基板保持部材の開閉機構の一例の構成を示す図
である。
FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of an example of an opening / closing mechanism of a substrate holding member.

【図5】従来の熱処理部の構成を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a configuration of a conventional heat treatment unit.

【図6】従来の熱処理部の一部省略正面図である。FIG. 6 is a partially omitted front view of a conventional heat treatment unit.

【図7】本発明の一実施例に係る基板搬送装置の構成を
示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view illustrating a configuration of a substrate transfer device according to one embodiment of the present invention.

【図8】基板保持アームによる基板の保持状態と非保持
状態とを示す要部側面図である。
FIG. 8 is a main part side view showing a holding state and a non-holding state of the substrate by the substrate holding arm.

【図9】基板保持アームが起立姿勢と水平姿勢とに姿勢
転換された状態を示す要部正面図である。
FIG. 9 is a main part front view showing a state where the posture of the substrate holding arm is changed between a standing posture and a horizontal posture.

【図10】本発明の実施例に係る熱処理部や基板搬送装
置などを備えた基板処理装置の一例の構成を示す平断面
図である。
FIG. 10 is a plan cross-sectional view illustrating a configuration of an example of a substrate processing apparatus including a heat treatment section, a substrate transfer device, and the like according to an embodiment of the present invention.

【図11】従来の熱処理部や基板搬送装置などを備えた
基板処理装置の一例の構成を示す平断面図である。
FIG. 11 is a cross-sectional plan view showing a configuration of an example of a conventional substrate processing apparatus including a heat treatment section, a substrate transfer device, and the like.

【図12】基板搬送装置と熱処理部との基板の受渡し動
作を説明するための図である。
FIG. 12 is a diagram for explaining a substrate transfer operation between the substrate transfer device and the heat treatment unit.

【図13】図10の基板処理装置における基板搬送装置
の基板搬送アームの出退方向を示す図である。
FIG. 13 is a diagram illustrating a direction in which a substrate transfer arm of the substrate transfer apparatus in the substrate processing apparatus of FIG.

【図14】図10の基板処理装置の基板搬送路の短手方
向の長さを示す図である。
FIG. 14 is a diagram illustrating a length in a short direction of a substrate transport path of the substrate processing apparatus of FIG. 10;

【図15】基板搬送路の短手方向の長さを短くするため
の基板処理装置の一例の構成を示す平断面図である
FIG. 15 is a cross-sectional plan view showing a configuration of an example of a substrate processing apparatus for shortening the length of the substrate transport path in the lateral direction.

【図16】図15の構成で基板搬送路の短手方向の長さ
が短くなることを説明するための図である。
FIG. 16 is a view for explaining that the length of the substrate transport path in the short direction is reduced in the configuration of FIG. 15;

【図17】基板を水平姿勢で搬送する場合と起立姿勢で
搬送する場合を平面視で見た図である。
FIG. 17 is a plan view illustrating a case where the substrate is transported in a horizontal posture and a case where the substrate is transported in a standing posture.

【図18】基板を起立姿勢で搬送する場合の別の効果を
説明するための図である。
FIG. 18 is a view for explaining another effect when the substrate is transported in the upright posture.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 :熱処理部 2 :基板保持台 3 :熱処理面 4 :熱プレート 5 :基板保持部材 8 :基板保持台の回転用のモーター 20:基板搬送装置 27:アーム保持台 29:基板保持アーム W :基板 1: heat treatment unit 2: substrate holding table 3: heat treatment surface 4: heat plate 5: substrate holding member 8: motor for rotating the substrate holding table 20: substrate transfer device 27: arm holding table 29: substrate holding arm W: substrate

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 熱処理部を含む複数の基板処理部と、基
板を保持して各基板処理部間で移動するとともに、各基
板処理部に対する基板の受渡しを行う基板搬送手段とを
備えた基板処理装置において、 前記熱処理部を、 基板を起立姿勢で保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に対向した熱処理面
を有し、熱処理面を加熱または冷却する熱プレートと、 を備えて構成したことを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus comprising: a plurality of substrate processing units including a heat treatment unit; and a substrate transport unit that holds a substrate, moves between the substrate processing units, and transfers a substrate to each substrate processing unit. In the apparatus, the heat treatment unit includes: a substrate holding unit that holds a substrate in an upright posture; and a heat plate that has a heat treatment surface facing the substrate held by the substrate holding unit and heats or cools the heat treatment surface. A substrate processing apparatus comprising:
【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
て、 前記基板保持手段に保持された基板を、前記熱プレート
の熱処理面に対して、基板の中心周りに回転させる回転
手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a rotating unit configured to rotate the substrate held by the substrate holding unit around a center of the substrate with respect to a heat treatment surface of the heat plate. A substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned.
【請求項3】 請求項1または2に記載の基板処理装置
において、 前記基板搬送手段を、 基板を起立姿勢状態および水平姿勢状態で保持し得る基
板保持アームと、 前記基板保持アームを起立姿勢と水平姿勢とで姿勢転換
させる姿勢転換手段と、 前記基板保持アームを介して各基板処理部に対する基板
の受渡しを行う基板受渡し手段と、 前記基板保持アームを各基板処理部間で移動させる移動
手段と、 を備えて構成したことを特徴とする基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate transfer means is capable of holding the substrate in a standing posture state and a horizontal posture state, and the substrate holding arm is in a standing posture. Posture changing means for changing the posture between a horizontal posture, substrate transferring means for transferring a substrate to each substrate processing unit via the substrate holding arm, and moving means for moving the substrate holding arm between the substrate processing units. A substrate processing apparatus, comprising:
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012157298A1 (en) * 2011-05-17 2012-11-22 株式会社エフティーエル Substrate heat-treatment device and substrate heat-treatment method
KR20130019931A (en) * 2011-08-18 2013-02-27 세메스 주식회사 Apparatus and method for heating a substrate
JP2014183279A (en) * 2013-03-21 2014-09-29 Tokyo Electron Ltd Magnetic annealing device
WO2017057726A1 (en) * 2015-09-30 2017-04-06 芝浦メカトロニクス株式会社 Heater control device, heater control method, substrate processing device, and substrate processing method
CN107170697A (en) * 2017-04-27 2017-09-15 昆山国显光电有限公司 A kind of annealing of substrates device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012157298A1 (en) * 2011-05-17 2012-11-22 株式会社エフティーエル Substrate heat-treatment device and substrate heat-treatment method
JPWO2012157298A1 (en) * 2011-05-17 2014-07-31 高木 幹夫 Substrate heat treatment apparatus and substrate heat treatment method
KR20130019931A (en) * 2011-08-18 2013-02-27 세메스 주식회사 Apparatus and method for heating a substrate
JP2014183279A (en) * 2013-03-21 2014-09-29 Tokyo Electron Ltd Magnetic annealing device
WO2017057726A1 (en) * 2015-09-30 2017-04-06 芝浦メカトロニクス株式会社 Heater control device, heater control method, substrate processing device, and substrate processing method
CN108141913A (en) * 2015-09-30 2018-06-08 芝浦机械电子株式会社 Heater control device, method for controlling heater, substrate board treatment and substrate processing method using same
CN107170697A (en) * 2017-04-27 2017-09-15 昆山国显光电有限公司 A kind of annealing of substrates device
CN107170697B (en) * 2017-04-27 2019-12-24 昆山国显光电有限公司 Substrate annealing device

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