JPH10221373A - プローブカード - Google Patents

プローブカード

Info

Publication number
JPH10221373A
JPH10221373A JP2747997A JP2747997A JPH10221373A JP H10221373 A JPH10221373 A JP H10221373A JP 2747997 A JP2747997 A JP 2747997A JP 2747997 A JP2747997 A JP 2747997A JP H10221373 A JPH10221373 A JP H10221373A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe card
temperature
probe
heat
electronic parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2747997A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Matsuzawa
均 松澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2747997A priority Critical patent/JPH10221373A/ja
Publication of JPH10221373A publication Critical patent/JPH10221373A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高温プローブテストを行う半導体製品(ウエ
ハー)に適用して有効な技術。プローブカード及び実装
電子部品に対する熱伝導を減少させる。 【解決手段】 プローブカード及び、パフォーマンスボ
ード上に実装された電子部品に対する熱伝導を減少させ
られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はプローブガードに関
する。
【0002】
【従来の技術】従来は、高温プローブテストを行うにあ
たり、高温チャックからのプローブカードに対する熱対
策として、例えばプローブカードの材質をポリイミド等
を使用していた。
【0003】しかし、通常、常温プローブテストのプロ
ーブカードの材質はガラスエポキシ等を使用しており、
前者のポリイミドを使用すると割高となる。
【0004】又、プローブカード上に、電子部品を実装
するケースが増てきており(図3参照)、これは、半導
体製品の動作速度が早く、多機能になってきたためであ
る。この様なプローブカードに実装する電子部品はJI
S規格により0℃〜70℃までの温度保証であり、例え
ば、図3のプローブカードを使用する、半導体製品は
(HD6433977S)85℃の高温チャック温度で
高温プローブテストを行っており、プローブカード上の
実装電子部品は70℃を越えてしまう。
【0005】これにより、プローブカード上に実装され
た電子部品が故障したケースもある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】高温チャックからの熱
伝導を減少させ、プローブカード及び、プローブカード
上に実装された電子部品が、熱の影響を受けない様にす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】プローブカードの高温チ
ャック側(プローブの付いている向き)に鏡面加工をほ
どこし、高チャックからの熱を鏡面にて反射し、熱伝導
を減少させる。
【0008】最近、高温プローブテストの需要が高ま
り、各メーカから耐熱、高温仕様のプローブカードが出
ている。
【0009】これらのプローブカードは、基板の材料を
高温に耐えられるポリイミド等(標準はガラスエポキ
シ)にしたものである。
【0010】プローブカード上、パフォーマンスボード
上に実装された、電子部品等に熱が伝わり、電子部品の
寿命を縮めたり、電子部品の温度影響で、プローブテス
トの不安定があった。
【0011】そこで、プローブカードを耐熱にするので
はなく、熱そのものの熱伝導を少なくするためのプロー
ブカード(鏡面加工をほどこしたもの)を考案した。
【0012】
【発明の実施の形態】例えば、図3のプローブカードを
使用する、半導体製品(HD6433977S)は85
℃の高温チャック5の温度で高温プローブテストを行っ
ている。
【0013】プローブカード3自体は材料等を例えばポ
リイミド等に替えることで熱に耐えられるが、カード
上、パフォーマンスボード1上の電子部品に熱を伝えて
しまい、電子部品の温度保証範囲(JIS規格)0℃〜
70℃を越えていた。本発明により、高温チャック5か
らの熱伝導を減少させることで、電子部品の温度保証範
囲で高温プローブテストが行なえる。
【0014】
【発明の効果】本発明により、プローブカード及びパフ
ォーマンスボード上に実装された電子部品の安定化によ
り、高温プローブテストの安定化とプローブカード及び
パフォーマンスボード上に実装された、電子部品の耐久
性が大になる。
【0015】又、プローブカードの材質を高温に耐えら
れる材料(ガラスエポキシ→ポリイミド)にする必要も
なくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】プローブテストの説明。
【図2】本発明を実施する前と実施後の熱伝導、熱伝達
の説明図。
【図3】半導体製品用プローブカードの説明図。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】高温プローブテストにおいて、高温チャッ
    クからの熱伝導を低減する構造を持ち、熱の影響を少な
    くなるために、鏡面加工をほどこしたことを特徴とする
    プローブガード。
JP2747997A 1997-02-12 1997-02-12 プローブカード Pending JPH10221373A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2747997A JPH10221373A (ja) 1997-02-12 1997-02-12 プローブカード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2747997A JPH10221373A (ja) 1997-02-12 1997-02-12 プローブカード

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH10221373A true JPH10221373A (ja) 1998-08-21

Family

ID=12222268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2747997A Pending JPH10221373A (ja) 1997-02-12 1997-02-12 プローブカード

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH10221373A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1746429A1 (de) * 2005-07-23 2007-01-24 ATMEL Germany GmbH Vorrichtung zum Prüfen von integrierten Halbleiterschaltkreisen auf Wafern und Verwendung der Vorrichtung
JP2016191563A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 株式会社東芝 プローブカード及びそれを含む試験装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1746429A1 (de) * 2005-07-23 2007-01-24 ATMEL Germany GmbH Vorrichtung zum Prüfen von integrierten Halbleiterschaltkreisen auf Wafern und Verwendung der Vorrichtung
JP2016191563A (ja) * 2015-03-30 2016-11-10 株式会社東芝 プローブカード及びそれを含む試験装置
US9933478B2 (en) 2015-03-30 2018-04-03 Toshiba Memory Corporation Probe card and having opposite surfaces with different directions and test apparatus including probe card thereof

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI393888B (zh) Probe card
TWI278676B (en) Optical transceiver module and control method thereof
CN100422747C (zh) 探针卡
EP1588407B1 (en) Area array package with non-electrically connected solder balls
US5233161A (en) Method for self regulating CMOS digital microcircuit burn-in without ovens
US7578614B2 (en) Thermal resistance measuring apparatus
BR0009377A (pt) Método e aparelho para monitorar a temperaturade um processador
US20080116925A1 (en) Probe device
JPS57138191A (en) United structure of semiconductor laser and optical fiber
BR0010572A (pt) Portador projetado para um ou diversos componentes eletrônicos, e, processo para fabricar um portador substancialmente condutor de calor para um componente eletrônico
CN101619975A (zh) 一种激光陀螺温度补偿控制装置及用途
US20160109496A1 (en) Measurement method and measurement system
EP1150355A4 (en) INTEGRATED CIRCUIT CHIP, INTEGRATED CIRCUIT, PCB AND ELECTRONIC ELEMENT
JPH10221373A (ja) プローブカード
WO2004053443A8 (en) Thermal mismatch compensation technique for integrated circuit assemblies
JPS6486538A (en) Member for semiconductor device
Suhir et al. Elevated Stand-Off Heights in Solder Joint Interconnections of Surface Mounted IC Packages Result in Appreciable Stress and Warpage Relief
US7198666B2 (en) Jointing material comprising a mixture of boron oxide and aluminum oxide and method of jointing utilizing said jointing material
CN215177784U (zh) 一种基于散热设计的光纤陀螺
JP2001201308A (ja) 静電容量式変位検出装置及びその製造方法
JPS6423599A (en) Multilayer circuit substrate of mullite ceramic material and semiconductor module
CN104241222A (zh) 芯片及具有该芯片的电路板
JPS5650539A (en) Semiconductor device
JPS6448119A (en) Semiconductor device
JPS6259482B2 (ja)