JPH10209017A - スキャン型露光装置およびスキャン露光方法 - Google Patents
スキャン型露光装置およびスキャン露光方法Info
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- JPH10209017A JPH10209017A JP1080897A JP1080897A JPH10209017A JP H10209017 A JPH10209017 A JP H10209017A JP 1080897 A JP1080897 A JP 1080897A JP 1080897 A JP1080897 A JP 1080897A JP H10209017 A JPH10209017 A JP H10209017A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スキャン露光においてパターン密度に応じて
露光量を変えること。 【解決手段】 光源からの光をスリットＳを介して基板
１０上に照射するにあたり、スリットＳを通過する光を
走査することで所定パターンの露光を行うスキャン型露
光装置１では、このスリットＳが、所定パターンの密度
に応じて、走査の方向に沿った一の幅と他の幅とを備え
ている。また、予めスリットＳの走査の方向に沿った幅
として、所定パターンの密度に応じた一の幅と他の幅と
を設定しておき、光源からの光をこの一の幅と他の幅と
を備えたスリットＳを介して基板１０上に照射したり、
また、一の幅のスリットＳを介して照射した後、所定パ
ターンの密度に応じて決められた部分に対してスリット
Ｓの一部を介して再照射するスキャン露光方法である。
露光量を変えること。 【解決手段】 光源からの光をスリットＳを介して基板
１０上に照射するにあたり、スリットＳを通過する光を
走査することで所定パターンの露光を行うスキャン型露
光装置１では、このスリットＳが、所定パターンの密度
に応じて、走査の方向に沿った一の幅と他の幅とを備え
ている。また、予めスリットＳの走査の方向に沿った幅
として、所定パターンの密度に応じた一の幅と他の幅と
を設定しておき、光源からの光をこの一の幅と他の幅と
を備えたスリットＳを介して基板１０上に照射したり、
また、一の幅のスリットＳを介して照射した後、所定パ
ターンの密度に応じて決められた部分に対してスリット
Ｓの一部を介して再照射するスキャン露光方法である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光源からの光をス
リットを介して基板上に走査しながら照射するスキャン
型露光装置およびスキャン露光方法に関する。
リットを介して基板上に走査しながら照射するスキャン
型露光装置およびスキャン露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子製造のフォトリソグラフィー
工程で使用されるスキャン型露光装置は、光源からの光
を所定幅に絞るスリットと、このスリットを介してレチ
クルに照射した光を縮小する縮小投影光学系とを備えて
おり、露光の際にはレチクルおよび基板を相反する方向
へ移動することによってスリットを介した露光範囲を基
板上で走査し、チップ領域全体への露光を行っている。
工程で使用されるスキャン型露光装置は、光源からの光
を所定幅に絞るスリットと、このスリットを介してレチ
クルに照射した光を縮小する縮小投影光学系とを備えて
おり、露光の際にはレチクルおよび基板を相反する方向
へ移動することによってスリットを介した露光範囲を基
板上で走査し、チップ領域全体への露光を行っている。
【０００３】図８は従来例を説明する模式図（その
１）、図９は従来例を説明する模式図（その２）であ
る。図８に示すように、従来のスキャン型露光装置で使
用されるスリット板Ｐ’のスリットＳは、走査方向
（Ａ）に対して垂直な方向に細長い長方形状となってお
り、図９に示すように、スリットＳ（図８参照）の形状
に対応した露光範囲Ｈ’が走査方向に沿って移動するこ
とでロジック・ゲート形成領域Ｇ１やＤＲＡＭゲート形
成領域Ｇ２の露光を行っている。
１）、図９は従来例を説明する模式図（その２）であ
る。図８に示すように、従来のスキャン型露光装置で使
用されるスリット板Ｐ’のスリットＳは、走査方向
（Ａ）に対して垂直な方向に細長い長方形状となってお
り、図９に示すように、スリットＳ（図８参照）の形状
に対応した露光範囲Ｈ’が走査方向に沿って移動するこ
とでロジック・ゲート形成領域Ｇ１やＤＲＡＭゲート形
成領域Ｇ２の露光を行っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、同一チ
ップ内にロジック系等のパターン密度の低いセルと、メ
モリ系等のパターン密度の高いセルとが混在する場合、
双方のレジストパターンに対してスキャン露光を行っ
て、同時に狙い通りの寸法に仕上げるのは困難である。
ップ内にロジック系等のパターン密度の低いセルと、メ
モリ系等のパターン密度の高いセルとが混在する場合、
双方のレジストパターンに対してスキャン露光を行っ
て、同時に狙い通りの寸法に仕上げるのは困難である。
【０００５】例えば、図１０（ａ）に示すようなロジッ
ク・ゲート用のレチクルと（ｂ）に示すようなＤＲＡＭ
ゲート用のレチクルとが混在する場合、一方のレチクル
で露光現像する際のレジストパターンの寸法に合わせて
露光量を設定すると、この同じ条件により他方のレチク
ルで露光現像した際のレジストパターンの寸法が合わな
くなってしまう。
ク・ゲート用のレチクルと（ｂ）に示すようなＤＲＡＭ
ゲート用のレチクルとが混在する場合、一方のレチクル
で露光現像する際のレジストパターンの寸法に合わせて
露光量を設定すると、この同じ条件により他方のレチク
ルで露光現像した際のレジストパターンの寸法が合わな
くなってしまう。
【０００６】図１１はパターン状態を説明する図であ
り、左側２つがロジック・ゲートのパターン状態、右側
２つがＤＲＡＭゲートのパターン状態である。このう
ち、上側２つはロジック・ゲート長を合わせる露光量で
露光して現像した場合、下側２つはＤＲＡＭゲート長を
合わせる露光量で露光して現像した場合である。
り、左側２つがロジック・ゲートのパターン状態、右側
２つがＤＲＡＭゲートのパターン状態である。このう
ち、上側２つはロジック・ゲート長を合わせる露光量で
露光して現像した場合、下側２つはＤＲＡＭゲート長を
合わせる露光量で露光して現像した場合である。
【０００７】このように、ロジック・ゲート長を合わせ
る露光量で露光を行うとＤＲＡＭゲート長が設計よりも
太く形成されてしまい、反対にＤＲＡＭゲート長を合わ
せる露光量で露光を行うとロジック・ゲート長が設計よ
りも細く形成されてしまう。同様な問題は、メモリ系等
のパターンのようなパターン密度の高いセルと、パター
ン密度の低いその周辺回路のパターンとの間でも発生す
る。スキャン露光では大型のチップを生産性良く形成で
きることから適用されているが、大型のチップほど同一
チップ内でパターン密度の異なる部分が多く存在し、こ
のような問題が顕著に現れることになる。
る露光量で露光を行うとＤＲＡＭゲート長が設計よりも
太く形成されてしまい、反対にＤＲＡＭゲート長を合わ
せる露光量で露光を行うとロジック・ゲート長が設計よ
りも細く形成されてしまう。同様な問題は、メモリ系等
のパターンのようなパターン密度の高いセルと、パター
ン密度の低いその周辺回路のパターンとの間でも発生す
る。スキャン露光では大型のチップを生産性良く形成で
きることから適用されているが、大型のチップほど同一
チップ内でパターン密度の異なる部分が多く存在し、こ
のような問題が顕著に現れることになる。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成されたスキャン型露光装置およびス
キャン露光方法である。すなわち、光源からの光をスリ
ットを介して基板上に照射するにあたり、スリットを通
過する光を走査することで所定パターンの露光を行うス
キャン型露光装置では、このスリットが、所定パターン
の密度に応じて、走査の方向に沿った一の幅と他の幅と
を備えているものである。
を解決するために成されたスキャン型露光装置およびス
キャン露光方法である。すなわち、光源からの光をスリ
ットを介して基板上に照射するにあたり、スリットを通
過する光を走査することで所定パターンの露光を行うス
キャン型露光装置では、このスリットが、所定パターン
の密度に応じて、走査の方向に沿った一の幅と他の幅と
を備えているものである。
【０００９】また、光源からの光をスリットを介して基
板上に照射するにあたり、スリットを通過する光を走査
することで所定パターンの露光を行うスキャン露光方法
においては、予めスリットの走査の方向に沿った幅とし
て、所定パターンの密度に応じた一の幅と他の幅とを設
定しておき、光源からの光をこの一の幅と他の幅とを備
えたスリットを介して基板上に照射しながら走査を行い
露光を施している。
板上に照射するにあたり、スリットを通過する光を走査
することで所定パターンの露光を行うスキャン露光方法
においては、予めスリットの走査の方向に沿った幅とし
て、所定パターンの密度に応じた一の幅と他の幅とを設
定しておき、光源からの光をこの一の幅と他の幅とを備
えたスリットを介して基板上に照射しながら走査を行い
露光を施している。
【００１０】また、先ず、光源からの光を、走査の方向
に沿った一の幅のスリットを介して基板上に照射しなが
ら走査を行う第１の露光を施し、次いで、第１の露光を
施した部分のうち、所定パターンの密度に応じて決めら
れた部分に対して、光源からの光をその部分と対応する
スリットの一部を介して基板上に再照射しながら走査を
行う第２の露光を施すスキャン露光方法でもある。
に沿った一の幅のスリットを介して基板上に照射しなが
ら走査を行う第１の露光を施し、次いで、第１の露光を
施した部分のうち、所定パターンの密度に応じて決めら
れた部分に対して、光源からの光をその部分と対応する
スリットの一部を介して基板上に再照射しながら走査を
行う第２の露光を施すスキャン露光方法でもある。
【００１１】本発明のスキャン型露光装置では、スリッ
トが、所定パターンの密度に応じて走査の方向に沿った
一の幅と他の幅とを備えていることから、一つのチップ
に対して露光量の異なる露光を行うことができ、各々の
パターン密度に合った露光量での露光を一度の走査で行
うことができるようになる。
トが、所定パターンの密度に応じて走査の方向に沿った
一の幅と他の幅とを備えていることから、一つのチップ
に対して露光量の異なる露光を行うことができ、各々の
パターン密度に合った露光量での露光を一度の走査で行
うことができるようになる。
【００１２】また、本発明のスキャン露光方法では、予
めスリットの幅として、所定パターンの密度に応じた一
の幅と他の幅とを設定しておき、このスリットを用いて
走査露光を行うようにすることで、各々のパターン密度
に合った露光量での露光を一度の走査で行うことができ
るようになる。
めスリットの幅として、所定パターンの密度に応じた一
の幅と他の幅とを設定しておき、このスリットを用いて
走査露光を行うようにすることで、各々のパターン密度
に合った露光量での露光を一度の走査で行うことができ
るようになる。
【００１３】また、一の幅のスリットを用いたスキャン
露光方法では、第１の露光によって均一な露光量での露
光を行い、第２の露光によってパターン密度に応じた追
加露光を行いたい部分だけ再露光を行うことで、各々の
パターン密度に合った露光量での露光を行うことができ
るようになる。
露光方法では、第１の露光によって均一な露光量での露
光を行い、第２の露光によってパターン密度に応じた追
加露光を行いたい部分だけ再露光を行うことで、各々の
パターン密度に合った露光量での露光を行うことができ
るようになる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のスキャン型露光
装置およびスキャン露光方法における実施の形態を図に
基づいて説明する。図１は本実施形態におけるスキャン
型露光装置を説明する模式構成図、図２はスリット板を
説明する模式平面図である。
装置およびスキャン露光方法における実施の形態を図に
基づいて説明する。図１は本実施形態におけるスキャン
型露光装置を説明する模式構成図、図２はスリット板を
説明する模式平面図である。
【００１５】すなわち、本実施形態のスキャン型露光装
置１は、光源からの光を絞り込むスリットＳを備えたス
リット板Ｐと、このスリットＳを介してレチクルＲに照
射した光を縮小して基板１０上に結像する縮小投影光学
系Ｌとを備えており、レチクルＲを図中（Ａ）方向、基
板１０を図中（ａ）方向に移動するか、またはレチクル
Ｒを図中（Ｂ）方向、基板１０を図中（ｂ）方向に移動
するかによってスリットＳを通過する光によって構成さ
れる基板１０上の露光範囲を走査してスキャン露光を行
うようになっている。
置１は、光源からの光を絞り込むスリットＳを備えたス
リット板Ｐと、このスリットＳを介してレチクルＲに照
射した光を縮小して基板１０上に結像する縮小投影光学
系Ｌとを備えており、レチクルＲを図中（Ａ）方向、基
板１０を図中（ａ）方向に移動するか、またはレチクル
Ｒを図中（Ｂ）方向、基板１０を図中（ｂ）方向に移動
するかによってスリットＳを通過する光によって構成さ
れる基板１０上の露光範囲を走査してスキャン露光を行
うようになっている。
【００１６】特に、本実施形態のスキャン型露光装置１
のスリット板Ｐは、図２に示すように例えばＰ１〜Ｐ４
の４枚のプレートから構成され、各プレートＰ１〜Ｐ４
の配置によってスリットＳの形状（大きさ）を変えられ
るようになっている。
のスリット板Ｐは、図２に示すように例えばＰ１〜Ｐ４
の４枚のプレートから構成され、各プレートＰ１〜Ｐ４
の配置によってスリットＳの形状（大きさ）を変えられ
るようになっている。
【００１７】つまり、プレートＰ１はｘ１、ｙ１方向、
プレートＰ２はｘ２、ｙ２方向、プレートＰ３はｘ３、
ｙ３方向、プレートＰ４はｘ４、ｙ４方向に各々移動で
きるようなスライド機構（図示せず）を備えており、例
えばプレートＰ１とプレートＰ２との配置関係によって
走査方向に沿ったスリットＳの幅ｄ１が設定され、例え
ば、プレートＰ３とプレートＰ４との配置関係によって
走査方向に沿ったスリットＳの幅ｄ２が設定される。
プレートＰ２はｘ２、ｙ２方向、プレートＰ３はｘ３、
ｙ３方向、プレートＰ４はｘ４、ｙ４方向に各々移動で
きるようなスライド機構（図示せず）を備えており、例
えばプレートＰ１とプレートＰ２との配置関係によって
走査方向に沿ったスリットＳの幅ｄ１が設定され、例え
ば、プレートＰ３とプレートＰ４との配置関係によって
走査方向に沿ったスリットＳの幅ｄ２が設定される。
【００１８】また、プレートＰ１、Ｐ２の組と、プレー
トＰ３、Ｐ４の組との配置関係によって、スリットＳの
幅ｄ１の長さや幅ｄ２の長さが設定される。なお、プレ
ートＰ１〜Ｐ４が全てスライドする必要はなく、必要に
応じて少なくとも一つのプレートがスライドできるよう
になっていればよい。
トＰ３、Ｐ４の組との配置関係によって、スリットＳの
幅ｄ１の長さや幅ｄ２の長さが設定される。なお、プレ
ートＰ１〜Ｐ４が全てスライドする必要はなく、必要に
応じて少なくとも一つのプレートがスライドできるよう
になっていればよい。
【００１９】次に、このようなスキャン型露光装置１を
用いた露光方法を説明する。図３は第１の露光方法を説
明する模式平面図である。なお、ここでは走査方向を図
中下方とし、図中左側略半分にパターン密度の低いロジ
ック・ゲート形成領域Ｇ１、図中左側略半分にパターン
密度の高いＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２がある場合を例
とする。
用いた露光方法を説明する。図３は第１の露光方法を説
明する模式平面図である。なお、ここでは走査方向を図
中下方とし、図中左側略半分にパターン密度の低いロジ
ック・ゲート形成領域Ｇ１、図中左側略半分にパターン
密度の高いＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２がある場合を例
とする。
【００２０】先ず、スリット板Ｐ（図１参照）の各プレ
ートＰ１〜Ｐ４（図２参照）をスライドさせて、ロジッ
ク・ゲート形成領域Ｇ１に対応するスリットＳの幅ｄ１
（図２参照）と、ＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２に対応す
るスリットＳの幅ｄ２（図２参照）とを設定する。
ートＰ１〜Ｐ４（図２参照）をスライドさせて、ロジッ
ク・ゲート形成領域Ｇ１に対応するスリットＳの幅ｄ１
（図２参照）と、ＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２に対応す
るスリットＳの幅ｄ２（図２参照）とを設定する。
【００２１】図１０および図１１に示すように、ロジッ
ク・ゲートはＤＲＡＭゲートよりパターン密度が低いた
め、ロジック・ゲート形成領域Ｇ１に対応するスリット
Ｓの幅ｄ１をＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２に対応するス
リットＳの幅ｄ２よりも狭く設定しておく。
ク・ゲートはＤＲＡＭゲートよりパターン密度が低いた
め、ロジック・ゲート形成領域Ｇ１に対応するスリット
Ｓの幅ｄ１をＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２に対応するス
リットＳの幅ｄ２よりも狭く設定しておく。
【００２２】次に、光源からこのスリットＳに対して光
を照射し、レチクルＲ（図１参照）および縮小投影光学
系Ｌ（図１参照）を介して基板１０（図１参照）上にス
リットＳに対応した露光を行う。この露光では、スリッ
トＳに対応した露光範囲Ｈでの走査が行われることにな
る。つまり、図２に示すスリットＳの幅ｄ１と図３に示
す露光範囲Ｈの幅ｄ１’とが対応し、スリットＳの幅ｄ
２と露光範囲Ｈの幅ｄ２’とが対応する状態となる。
を照射し、レチクルＲ（図１参照）および縮小投影光学
系Ｌ（図１参照）を介して基板１０（図１参照）上にス
リットＳに対応した露光を行う。この露光では、スリッ
トＳに対応した露光範囲Ｈでの走査が行われることにな
る。つまり、図２に示すスリットＳの幅ｄ１と図３に示
す露光範囲Ｈの幅ｄ１’とが対応し、スリットＳの幅ｄ
２と露光範囲Ｈの幅ｄ２’とが対応する状態となる。
【００２３】このような２つの幅ｄ１’、ｄ２’をもつ
露光範囲Ｈでの露光を走査することにより、ロジック・
ゲート形成領域Ｇ１と対応する部分には露光範囲Ｈの幅
ｄ１’の部分での露光が行われ、ＤＲＡＭゲート形成領
域Ｇ２と対応する部分には露光範囲Ｈの幅ｄ２’の部分
での露光が行われることになる。
露光範囲Ｈでの露光を走査することにより、ロジック・
ゲート形成領域Ｇ１と対応する部分には露光範囲Ｈの幅
ｄ１’の部分での露光が行われ、ＤＲＡＭゲート形成領
域Ｇ２と対応する部分には露光範囲Ｈの幅ｄ２’の部分
での露光が行われることになる。
【００２４】つまり、幅ｄ１’より幅ｄ２’の方が広い
ことで、幅ｄ１’の走査での露光量より幅ｄ２’の走査
での露光量の方が多くなり、一回の走査でロジック・ゲ
ート形成領域Ｇ１に対する露光量より、ＤＲＡＭゲート
形成領域Ｇ２に対する露光量の方を多くすることができ
るようになる。
ことで、幅ｄ１’の走査での露光量より幅ｄ２’の走査
での露光量の方が多くなり、一回の走査でロジック・ゲ
ート形成領域Ｇ１に対する露光量より、ＤＲＡＭゲート
形成領域Ｇ２に対する露光量の方を多くすることができ
るようになる。
【００２５】第１の露光方法では、形成するパターンの
パターン密度に応じてスリットＳの幅ｄ１、ｄ２を設定
することにより、パターン密度と対応した異なる露光量
を一回の走査で与えることができ、例えば１チップ内に
パターン密度の異なる領域が存在する場合であっても、
一回の走査でパターン密度に応じた露光を完了できるよ
うになる。
パターン密度に応じてスリットＳの幅ｄ１、ｄ２を設定
することにより、パターン密度と対応した異なる露光量
を一回の走査で与えることができ、例えば１チップ内に
パターン密度の異なる領域が存在する場合であっても、
一回の走査でパターン密度に応じた露光を完了できるよ
うになる。
【００２６】次に、第２の露光方法を図４〜図７に基づ
いて説明する。第２の露光方法では、先ず、図４に示す
ように、プレートＰ１〜Ｐ４をスライドさせて走査方向
と垂直は方向に沿って長さｈ１から成るスリットＳを設
定する。このスリットＳの長さｈ１は図５に示す露光範
囲ｈ１’と対応し、ロジック・ゲート形成領域Ｇ１およ
びＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２を全てカバーできるよう
になっている。また、プレートＰ１、Ｐ２を適宜スライ
ドさせて露光量に合わせたスリットＳの幅も設定してお
く。
いて説明する。第２の露光方法では、先ず、図４に示す
ように、プレートＰ１〜Ｐ４をスライドさせて走査方向
と垂直は方向に沿って長さｈ１から成るスリットＳを設
定する。このスリットＳの長さｈ１は図５に示す露光範
囲ｈ１’と対応し、ロジック・ゲート形成領域Ｇ１およ
びＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２を全てカバーできるよう
になっている。また、プレートＰ１、Ｐ２を適宜スライ
ドさせて露光量に合わせたスリットＳの幅も設定してお
く。
【００２７】次に、この長さｈ１に設定したスリットＳ
に光源からの光を照射し、レチクルＲ（図１参照）およ
び縮小投影光学系Ｌ（図１参照）を介して基板１０（図
１参照）上にスリットＳに対応した露光および走査を行
う。これにより、図５に示す露光範囲ｈ１’での露光走
査が行われ、ロジック・ゲート形成領域Ｇ１およびＤＲ
ＡＭゲート形成領域Ｇ２に一様な露光量での露光が行わ
れる状態となる。
に光源からの光を照射し、レチクルＲ（図１参照）およ
び縮小投影光学系Ｌ（図１参照）を介して基板１０（図
１参照）上にスリットＳに対応した露光および走査を行
う。これにより、図５に示す露光範囲ｈ１’での露光走
査が行われ、ロジック・ゲート形成領域Ｇ１およびＤＲ
ＡＭゲート形成領域Ｇ２に一様な露光量での露光が行わ
れる状態となる。
【００２８】次いで、図６に示すように、例えばプレー
トＰ３をスライドさせてスリットＳの長さをｈ２に縮め
る。このスリットＳの長さｈ２は図７に示す露光範囲ｈ
２’と対応し、ＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２をカバーで
きるようになっている。
トＰ３をスライドさせてスリットＳの長さをｈ２に縮め
る。このスリットＳの長さｈ２は図７に示す露光範囲ｈ
２’と対応し、ＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２をカバーで
きるようになっている。
【００２９】この状態で、スリットＳに光源からの光を
照射し、レチクルＲ（図１参照）および縮小投影光学系
Ｌ（図１参照）を介して基板１０（図１参照）上のＤＲ
ＡＭゲート形成領域Ｇ２に対応した部分だけ再度露光お
よび走査を行う。これにより、ＤＲＡＭゲート形成領域
Ｇ２だけに二重の露光が行われ、この部分だけ露光量を
増加した露光を行うことができるようになる。
照射し、レチクルＲ（図１参照）および縮小投影光学系
Ｌ（図１参照）を介して基板１０（図１参照）上のＤＲ
ＡＭゲート形成領域Ｇ２に対応した部分だけ再度露光お
よび走査を行う。これにより、ＤＲＡＭゲート形成領域
Ｇ２だけに二重の露光が行われ、この部分だけ露光量を
増加した露光を行うことができるようになる。
【００３０】つまり、スリットＳの長さを１回目の露光
と２回目の露光とで変えることにより、必要な部分（例
えば、ＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２のようなパターン密
度の高い部分）だけ露光量を多くすることができ、例え
ば１チップ内にパターン密度の異なる領域が存在する場
合であっても、同じスキャン型露光装置１を用いて露光
量の異なる露光を行うことができるようになる。
と２回目の露光とで変えることにより、必要な部分（例
えば、ＤＲＡＭゲート形成領域Ｇ２のようなパターン密
度の高い部分）だけ露光量を多くすることができ、例え
ば１チップ内にパターン密度の異なる領域が存在する場
合であっても、同じスキャン型露光装置１を用いて露光
量の異なる露光を行うことができるようになる。
【００３１】なお、上記実施形態では、１チップ内にロ
ジック・ゲート形成領域Ｇ１とＤＲＡＭゲート形成領域
Ｇ２とが存在している例を示したが、本発明はこれに限
定されず、パターン密度の異なる領域に対して露光する
場合であれば適用可能である。また、いずれもスリット
Ｓの幅等を可変できるものを例としたが、露光するパタ
ーンの密度に応じて一の幅と他の幅とを備えた固定的な
スリットＳを用いてもよい。
ジック・ゲート形成領域Ｇ１とＤＲＡＭゲート形成領域
Ｇ２とが存在している例を示したが、本発明はこれに限
定されず、パターン密度の異なる領域に対して露光する
場合であれば適用可能である。また、いずれもスリット
Ｓの幅等を可変できるものを例としたが、露光するパタ
ーンの密度に応じて一の幅と他の幅とを備えた固定的な
スリットＳを用いてもよい。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のスキャン
型露光装置およびスキャン露光方法によれば次のような
効果がある。すなわち、本発明では、スキャン露光を行
う場合であっても、露光するパターンの密度に応じて露
光量を調整できることから、チップ内のパターン密度の
異なるセルを同時に設計寸法通りにパターニングするこ
とが可能となる。これにより、ロジック機能とメモリー
機能とが混在した高集積・高機能の半導体デバイスを生
産性良く製造できるようになる。
型露光装置およびスキャン露光方法によれば次のような
効果がある。すなわち、本発明では、スキャン露光を行
う場合であっても、露光するパターンの密度に応じて露
光量を調整できることから、チップ内のパターン密度の
異なるセルを同時に設計寸法通りにパターニングするこ
とが可能となる。これにより、ロジック機能とメモリー
機能とが混在した高集積・高機能の半導体デバイスを生
産性良く製造できるようになる。
【図１】本実施形態におけるスキャン型露光装置を説明
する模式構成図である。
する模式構成図である。
【図２】スリット板を説明する模式平面図である。
【図３】第１の露光方法を説明する模式平面図である。
【図４】第２の露光方法を説明する模式平面図（その
１）である。
１）である。
【図５】第２の露光方法を説明する模式平面図（その
２）である。
２）である。
【図６】第２の露光方法を説明する模式平面図（その
３）である。
３）である。
【図７】第２の露光方法を説明する模式平面図（その
４）である。
４）である。
【図８】従来例を説明する模式図（その１）である。
【図９】従来例を説明する模式図（その２）である。
【図１０】レチクルを示す模式平面図である。
【図１１】パターン状態を説明する図である。
１ スキャン型露光装置 １０ 基板 Ｌ 縮小投
影光学系 Ｐ スリット Ｐ１〜Ｐ４ プレート Ｒ レチク
ル
影光学系 Ｐ スリット Ｐ１〜Ｐ４ プレート Ｒ レチク
ル
Claims (4)
- 【請求項１】 光源からの光をスリットを介して基板上
に照射するにあたり、該スリットを通過する光を走査す
ることで所定パターンの露光を行うスキャン型露光装置
において、 前記スリットは、前記所定パターンの密度に応じて、前
記走査の方向に沿った一の幅と他の幅とを備えているこ
とを特徴とするスキャン型露光装置。 - 【請求項２】 前記スリットは、複数枚のプレートと、
該複数枚のプレートのうち少なくとも一つに設けられた
スライド機構とを備えていることを特徴とする請求項１
記載のスキャン型露光装置。 - 【請求項３】 光源からの光をスリットを介して基板上
に照射するにあたり、該スリットを通過する光を走査す
ることで所定パターンの露光を行うスキャン露光方法に
おいて、 予め、前記スリットの前記走査の方向に沿った幅とし
て、前記所定パターンの密度に応じた一の幅と他の幅と
を設定しておき、 前記光源からの光を前記一の幅と前記他の幅とを備えた
前記スリットを介して前記基板上に照射しながら前記走
査を行い露光を施すことを特徴とするスキャン露光方
法。 - 【請求項４】 光源からの光をスリットを介して基板上
に照射するにあたり、該スリットを通過する光を走査す
ることで所定パターンの露光を行うスキャン露光方法に
おいて、 先ず、前記光源からの光を、前記走査の方向に沿った一
の幅のスリットを介して前記基板上に照射しながら走査
を行う第１の露光を施し、 次いで、前記第１の露光を施した部分のうち、前記所定
パターンの密度に応じて決められた部分に対して、前記
光源からの光を該部分と対応する前記スリットの一部を
介して前記基板上に再照射しながら走査を行う第２の露
光を施すことを特徴とするスキャン露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080897A JPH10209017A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | スキャン型露光装置およびスキャン露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1080897A JPH10209017A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | スキャン型露光装置およびスキャン露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209017A true JPH10209017A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=11760655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1080897A Pending JPH10209017A (ja) | 1997-01-24 | 1997-01-24 | スキャン型露光装置およびスキャン露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209017A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004356633A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
-
1997
- 1997-01-24 JP JP1080897A patent/JPH10209017A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004356633A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置 |
| US7423730B2 (en) | 2003-05-28 | 2008-09-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US7612867B2 (en) | 2003-05-28 | 2009-11-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
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