JPH10208907A - Electronic device and production thereof - Google Patents

Electronic device and production thereof

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Publication number
JPH10208907A
JPH10208907A JP9013618A JP1361897A JPH10208907A JP H10208907 A JPH10208907 A JP H10208907A JP 9013618 A JP9013618 A JP 9013618A JP 1361897 A JP1361897 A JP 1361897A JP H10208907 A JPH10208907 A JP H10208907A
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JP
Japan
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resin
insulating layer
electronic component
electrode
element body
Prior art date
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Pending
Application number
JP9013618A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Riho Jinno
理穂 神野
Kazuyuki Nakamura
和幸 中村
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP9013618A priority Critical patent/JPH10208907A/en
Publication of JPH10208907A publication Critical patent/JPH10208907A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electronic device in which possibility of moisture intrusion through the end part of the electrode is eliminated by coating the end part of the electrode with resin. SOLUTION: Outer electrodes 3 are formed on the opposite end faces of a varistor element 1 comprising an alternate laminate of a ceramic sheet 1a and an inner electrode 2. The porous surface in the varistor element 1 is then coated with Si resin while filling the pores and an outer surface insulation layer 31 is formed to cover the inner surface insulation layer 30, the outer surface of the varistor element 1 and the end part of the outer electrode 3 thus completing a multilayer varistor.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば積層バリス
タなどの電子部品とその製造方法に関するものである。
The present invention relates to an electronic component such as a multilayer varistor and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の電子部品は、素体の外表面に少な
くとも一対の電極を有し、この素体表面の電極非形成面
のみに樹脂を含浸させたものであった。
2. Description of the Related Art A conventional electronic component has at least a pair of electrodes on the outer surface of a body, and impregnates only the surface of the body on which no electrodes are formed with resin.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】この構成によると、素
体中に含浸された樹脂により耐湿性は向上するが、電極
端部より水分などが浸入し、特性劣化を起こすという問
題点を有していた。
According to this structure, although the moisture resistance is improved by the resin impregnated in the element body, there is a problem that moisture and the like infiltrate from the end of the electrode to cause deterioration of characteristics. I was

【0004】そこで本発明は、電極端部を絶縁層を被覆
することにより、電極端部からの水分などの浸入を防止
できる電子部品を提供することを目的とするものであ
る。
Accordingly, an object of the present invention is to provide an electronic component capable of preventing the penetration of moisture or the like from an electrode end by coating the electrode end with an insulating layer.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の電子部品は、端部が曲線状である素体と、
この素体端部の外表面に所定の間隔を設けて形成した少
なくとも一対の電極と、前記素体表面の前記電極の非形
成部分および前記電極の端部を覆うように設けた絶縁層
とを備え、前記絶縁層の少なくとも一部は、前記素体の
内表面に含浸されているものであり、外表面の絶縁層に
より電極端部の剥離を防ぎ、電極端部からの水分などの
浸入を防止することができるものである。
In order to achieve the above object, an electronic component according to the present invention comprises: a body having a curved end;
At least one pair of electrodes formed at predetermined intervals on the outer surface of the end of the element body, and an insulating layer provided so as to cover a part of the element body surface where the electrode is not formed and an end of the electrode. At least a part of the insulating layer is impregnated on the inner surface of the element body, and the insulating layer on the outer surface prevents peeling of the electrode end, preventing intrusion of moisture and the like from the electrode end. Can be prevented.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明
は、端部が曲線状である素体と、この素体端部の外表面
に所定の間隔を設けて形成した少なくとも一対の電極
と、前記素体表面の前記電極の非形成部分および前記電
極の端部を覆うように設けた絶縁層とを備え、前記絶縁
層の少なくとも一部は、前記素体の内表面に含浸されて
いる電子部品であり、内表面に含浸された絶縁層により
耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の絶縁層により電
極端部の剥離も防ぐことができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The invention according to claim 1 of the present invention is directed to a body having a curved end portion and at least a pair of body members formed at predetermined intervals on the outer surface of the body end portion. An electrode, and an insulating layer provided so as to cover a portion of the element body surface where the electrode is not formed and an end of the electrode, and at least a part of the insulating layer is impregnated on an inner surface of the element body. In addition, the insulating layer impregnated on the inner surface can prevent the deterioration of the moisture resistance property, and the insulating layer on the outer surface can also prevent peeling of the electrode end.

【0007】請求項2に記載の発明は、絶縁層を金属ア
ルコキシドまたは樹脂の少なくとも一方を用いて形成し
た請求項1に記載の電子部品であり、内表面に含浸され
た絶縁層により耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の
絶縁層により電極端部の剥離も防ぐことができる。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the electronic component according to the first aspect, wherein the insulating layer is formed by using at least one of a metal alkoxide and a resin. In addition to preventing deterioration, the insulating layer on the outer surface can also prevent peeling of the electrode end.

【0008】請求項3に記載の発明は、絶縁層を金属ア
ルコキシドを用いて形成し、この金属アルコキシドは、
シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、イッ
トリウム、マグネシウムから選ばれる少なくとも1種類
以上の金属を有するものである請求項1に記載の電子部
品であり、内表面に含浸された金属アルコキシドにより
耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の金属アルコキシ
ドにより電極端部の剥離も防ぐことができる。
According to a third aspect of the present invention, the insulating layer is formed using a metal alkoxide.
2. The electronic component according to claim 1, wherein the electronic component has at least one metal selected from silicon, titanium, aluminum, zirconium, yttrium, and magnesium. In addition, the metal alkoxide on the outer surface can prevent peeling of the electrode end.

【0009】請求項4に記載の発明は、絶縁層を樹脂を
用いて形成し、この樹脂は、シリコン系樹脂、エポキシ
系樹脂、アクリル系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、フェ
ノール系樹脂のうちの少なくとも1種類以上である請求
項1に記載の電子部品であり、内表面に含浸された樹脂
により耐湿特性が劣化を防ぐと共に、外表面の樹脂によ
り電極端部の剥離も防ぐことができる。
According to a fourth aspect of the present invention, the insulating layer is formed using a resin, and the resin is at least one of a silicon resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a polybutadiene resin, and a phenol resin. The electronic component according to claim 1, wherein the number of types is equal to or more than one, wherein the resin impregnated on the inner surface can prevent the moisture resistance property from deteriorating, and the resin on the outer surface can also prevent peeling of the electrode end.

【0010】請求項5に記載の発明は、素体の内表面に
含浸されている絶縁層の厚みは、10μm以上である請
求項1に記載の電子部品であり、十分な厚さの絶縁層で
あるので耐湿性を確保できる。
The invention according to claim 5 is the electronic component according to claim 1, wherein the thickness of the insulating layer impregnated on the inner surface of the element body is 10 μm or more. Therefore, moisture resistance can be ensured.

【0011】請求項6に記載の発明は、素体外表面の絶
縁層の厚みは、この絶縁層に隣接する電極の最大の厚み
よりも小さい請求項1に記載の電子部品であり、電極の
加工や電子部品の実装を容易に行うことができる。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided the electronic component according to the first aspect, wherein the thickness of the insulating layer on the outer surface of the element body is smaller than the maximum thickness of the electrode adjacent to the insulating layer. And electronic components can be easily mounted.

【0012】請求項7に記載の発明は、端部が曲線状で
ある素体と、この素体端部の外表面に所定の間隔を設け
て形成した少なくとも一対の電極と、前記素体の表面の
少なくとも電極の非形成部分に設けた絶縁層とを備え、
前記素体外表面は光沢を有する電子部品であり、表面に
光沢を有するので、電子部品を選択する際、完成品か否
かを容易に判断することができる。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided an element having a curved end portion, at least one pair of electrodes formed at predetermined intervals on an outer surface of the end portion of the element body, An insulating layer provided on at least a portion of the surface where no electrodes are formed,
The outer surface of the element body is a glossy electronic component, and has a glossy surface. Therefore, when an electronic component is selected, it can be easily determined whether or not it is a completed product.

【0013】請求項8に記載の発明は、端部が曲線状で
ある素体端部の外表面に所定の間隔を設けて少なくとも
一対の電極を形成する工程と、次に前記素体外表面を少
なくとも有機物を含む含浸液に接触させて前記含浸液で
前記素体外表面を被覆する工程と、次に前記素体外表面
を被覆する含浸液の一部を除去する工程と、次いで前記
含浸液中の有機物を硬化させる工程と、その後前記素体
の前記電極外表面の硬化した有機物を研磨により除去す
る工程とを有する電子部品の製造方法であり、素体内表
面とともに外表面にも絶縁層が形成されるので、耐湿特
性の劣化に加えて、電極の端部の剥離を防止した電子部
品を得ることができる。
The invention according to claim 8 is a step of forming at least a pair of electrodes at predetermined intervals on the outer surface of the end of the element having a curved end, and then forming the outer surface of the element. A step of contacting the impregnating liquid containing at least an organic substance to coat the outer surface of the element body with the impregnating liquid, and a step of removing a part of the impregnating liquid covering the outer surface of the element body, and then, A method of manufacturing an electronic component having a step of curing an organic substance and a step of polishing and removing the cured organic substance on the outer surface of the electrode of the element afterwards, wherein an insulating layer is formed on the outer surface as well as the surface of the element. Therefore, it is possible to obtain an electronic component in which exfoliation of the end of the electrode is prevented in addition to deterioration of the moisture resistance.

【0014】請求項9に記載の発明は、素体を含浸液に
接触させる工程を複数回繰り返す請求項8に記載の電子
部品の製造方法であり、素体内部に十分に有機物を含浸
することができるため、より耐湿性に優れた電子部品を
得ることができる。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the method of manufacturing an electronic component according to the eighth aspect, wherein the step of contacting the element body with the impregnating liquid is repeated a plurality of times, wherein the organic substance is sufficiently impregnated inside the element body. Therefore, an electronic component having more excellent moisture resistance can be obtained.

【0015】請求項10に記載の発明は、有機物として
金属アルコキシドまたは樹脂の少なくとも一方を含んで
いるものを用いる請求項8に記載の電子部品の製造方法
であり、耐湿特性の劣化に加えて、電極の端部の剥離を
も防止した電子部品を得ることができる。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an electronic component according to the eighth aspect, wherein an organic material containing at least one of a metal alkoxide and a resin is used. It is possible to obtain an electronic component in which peeling of the end of the electrode is prevented.

【0016】請求項11に記載の発明は、有機物として
金属アルコキシドを含み、この金属アルコキシドは、シ
リコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、イット
リウム、マグネシウムのうちの少なくとも1種類以上の
金属アルコキシドである請求項8に記載の電子部品の製
造方法であり、耐湿特性の劣化に加えて、電極の端部の
剥離をも防止した電子部品を得ることができる。
[0016] The invention according to claim 11 includes a metal alkoxide as an organic substance, wherein the metal alkoxide is at least one or more of silicon, titanium, aluminum, zirconium, yttrium, and magnesium. The electronic component can be obtained in which not only the deterioration of the moisture resistance property but also the peeling of the end of the electrode is prevented.

【0017】請求項12に記載の発明は、有機物として
樹脂を含み、この樹脂は、シリコン系樹脂、エポキシ系
樹脂、アクリル系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、フェノ
ール系樹脂のうちの少なくとも1種類以上である請求項
8に記載の電子部品の製造方法であり、耐湿特性の劣化
に加えて、電極の端部の剥離をも防止した電子部品を得
ることができる。
According to a twelfth aspect of the present invention, a resin is contained as an organic substance, and the resin is at least one or more of a silicone resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a polybutadiene resin, and a phenol resin. According to the electronic component manufacturing method of the eighth aspect, it is possible to obtain an electronic component in which not only the end portions of the electrodes are prevented from peeling off in addition to the deterioration of the moisture resistance property.

【0018】請求項13に記載の発明は、素体を含浸液
に接触させた状態で、加圧する請求項8に記載の電子部
品の製造方法であり、含浸液を素体に容易に含浸させる
ことができる。
According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided the electronic component manufacturing method according to the eighth aspect, wherein the element body is pressurized in contact with the impregnating liquid, and the impregnating liquid is easily impregnated into the element body. be able to.

【0019】請求項14に記載の発明は、素体外表面の
有機物の除去は、遠心分離、有機物が可溶な液体による
洗浄、含浸液と反応しない粉末との接触のうち少なくと
も一つを用いて行う請求項8に記載の電子部品の製造方
法であり、含浸液をセラミック素体に容易に含浸させる
ことができる。
According to a fourteenth aspect of the present invention, the organic substance on the outer surface of the element body is removed by at least one of centrifugation, washing with a liquid in which the organic substance is soluble, and contact with a powder that does not react with the impregnating liquid. The method for producing an electronic component according to claim 8, wherein the impregnating liquid can be easily impregnated into the ceramic body.

【0020】請求項15に記載の発明は、粉末としてS
iO2、ZrO2、Al23、MgOのうち少なくとも1
種類以上を含んでいるものを用いる請求項14に記載の
電子部品の製造方法であり、不要な有機物を容易に除去
することができる。
[0020] The invention according to claim 15 is characterized in that S
at least one of iO 2 , ZrO 2 , Al 2 O 3 , and MgO
The method for producing an electronic component according to claim 14, wherein the method includes using one containing more than one kind, and unnecessary organic substances can be easily removed.

【0021】請求項16に記載の発明は、研磨工程を少
なくとも素体と液体とを入れた容器を運動させて行う請
求項8に記載の電子部品の製造方法であり、後工程に支
障のない程度に電極表面上の有機物を除去することがで
きる。
According to a sixteenth aspect of the present invention, there is provided the electronic component manufacturing method according to the eighth aspect, wherein the polishing step is performed by moving a container containing at least the element body and the liquid, and does not hinder the subsequent steps. Organic substances on the electrode surface can be removed to a certain extent.

【0022】以下、本発明の一実施の形態について、積
層バリスタを例に図面を参照しながら説明する。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings, taking a laminated varistor as an example.

【0023】(実施の形態1)図1は本実施の形態にお
ける積層バリスタの断面図、図2は本実施の形態におけ
る積層バリスタの製造工程図、図3はSiワニスに含浸
後のバリスタ素子の断面図、図4は遠心分離工程後バリ
スタ素子の断面図、図5はトルエンに浸漬後のバリスタ
素子の断面図、図6はSi樹脂硬化後のバリスタ素子の
断面図、図7は研磨後のバリスタ素子の断面図であり、
1は端面が曲線状のバリスタ素子で、内部にNiを主成
分とする内部電極2が複数設けられている。これらの内
部電極2は、交互にバリスタ素子1の両端面に引き出さ
れ、その両端面において外部電極3と電気的に接続され
ている。外部電極3は少なくとも二重構造となってお
り、内層3aはNiを主成分とし、外層3bはAgを主
成分としている。また、内部電極2間、及びその外側の
セラミックシート1aは、SrTiO3を主成分とし、
副成分として、Nb25、SiO2等を含んでいる。3
0は内表面絶縁層でSi樹脂でバリスタ素子1内部の気
孔表面を被覆あるいは気孔に充填させて形成した層であ
る。31は外表面絶縁層で外部電極3の端部を被覆して
おり、Si樹脂で形成されたものである。また外部電極
3の表面にはNiメッキ4a、ハンダメッキ4bよりな
るメッキ層4を形成している。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a cross-sectional view of a laminated varistor according to the present embodiment, FIG. 2 is a manufacturing process diagram of the laminated varistor according to the present embodiment, and FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view of the varistor element after the centrifugation step, FIG. 5 is a cross-sectional view of the varistor element after immersion in toluene, FIG. 6 is a cross-sectional view of the varistor element after curing of Si resin, and FIG. It is a cross-sectional view of a varistor element,
Reference numeral 1 denotes a varistor element having a curved end face, and a plurality of internal electrodes 2 mainly containing Ni are provided inside. These internal electrodes 2 are alternately drawn to both end faces of the varistor element 1, and are electrically connected to the external electrodes 3 at both end faces. The external electrode 3 has at least a double structure. The inner layer 3a has Ni as a main component, and the outer layer 3b has Ag as a main component. Further, the ceramic sheet 1a between the internal electrodes 2 and outside thereof has SrTiO 3 as a main component,
It contains Nb 2 O 5 , SiO 2 and the like as subcomponents. 3
Numeral 0 is an inner surface insulating layer formed by covering or filling the pore surface inside the varistor element 1 with Si resin. Reference numeral 31 denotes an outer surface insulating layer which covers the end of the external electrode 3 and is formed of Si resin. On the surface of the external electrode 3, a plating layer 4 made of Ni plating 4a and solder plating 4b is formed.

【0024】図2に示すように、セラミックシート1a
は図2において(11)で示すごとく原料の混合、仮
焼、粉砕、スラリー化、シート成形によりつくられる。
次に、このセラミックシート1aと、内部電極2とを積
層(12)し、それを切断(13)、脱バイ(14)、
面とり(15)し、端部を曲線状にする。次に、外部電
極3の内層3aを塗布(16)し、1200〜1300
℃で還元焼成(17)し、その後外層3bを塗布(1
8)し、800〜850℃で再酸化のために加熱(1
9)する。次に、完全に乾燥させたバリスタ素子1を溶
剤としてトルエン75%を含むSiワニスに浸漬し(2
0)、バリスタ素子1にSiワニスを含浸させる。
As shown in FIG. 2, the ceramic sheet 1a
Is formed by mixing, calcining, pulverizing, slurrying, and sheet forming the raw materials as shown by (11) in FIG.
Next, the ceramic sheet 1a and the internal electrode 2 are laminated (12), and cut (13), de-built (14),
Chamfer (15) and make the ends curved. Next, the inner layer 3a of the external electrode 3 is applied (16), and 1200 to 1300
At 17 ° C., and then the outer layer 3b is applied (1).
8) and heated at 800 to 850 ° C. for re-oxidation (1
9). Next, the completely dried varistor element 1 was immersed in a Si varnish containing 75% of toluene as a solvent (2).
0), the varistor element 1 is impregnated with Si varnish.

【0025】その後、バリスタ素子1をSiワニスに浸
漬したまま6〜1500kg/cm2に加圧し(21)、S
iワニスをさらにバリスタ素子1に含浸させるため、例
えば2分間保持した後積層バリスタが使用される状態で
ある大気圧にもどす。このときのバリスタ素子1は図3
に示すように表面全体がSiワニス5に厚く覆われてい
るとともに外部電極3内部及びバリスタ素子1内部にも
Siワニス5が含浸されている。この時の加圧力はバリ
スタ素子1の密度により決定する。つまり密度の大きい
バリスタ素子1ほど加圧力も大きくして含浸させやすく
する。例えばZnOを主成分とするバリスタ素子の場
合、密度が高いので500〜1500kg/cm2と加圧力
を高くする。その後、Siワニスよりバリスタ素子1を
取り出し、金属製網かご(あるいはネット等)に入れ
て、例えば内径60cmの遠心分離装置にセットし、50
0〜1500r/minで作動させ(22)、図4に示
すようにバリスタ素子1の外表面に付着した不要なSi
ワニス5をおおまかに除去する。さらに、金属製網かご
ごとトルエンに浸漬し、5〜60秒間振動を与えた後取
出し(23)、例えば60℃で速やかに加熱して、図5
に示すようにバリスタ素子1及び外部電極3の外表面に
付着しているSiワニスを除去する。またトルエンに浸
漬させる代わりに、バリスタ素子1を金属製網かごから
取り出し、Siワニス5と反応しない粉末であるSiO
2粉末をバリスタ素子1に接触させて、SiO2粉末にバ
リスタ素子1外表面の不要なSiワニス5を吸い込ませ
た後、ふるい等を利用してバリスタ素子1を分離する方
法をとっても良い。以上の方法により、バリスタ素子1
表面上の不要なSiワニス5は除去される。その後バリ
スタ素子1を金属製網上に並べ、Siワニス5中に含ま
れるSi樹脂の硬化温度以上の温度(約125〜200
℃)でSi樹脂硬化のための加熱を行い(24)、図6
に示すようなバリスタ素子1を得る。この加熱により、
バリスタ素子1及び外部電極3内部に含浸されていたS
i樹脂の一部が析出してくる。その後、例えばポリエチ
レンの容器にバリスタ素子1、SiC製研磨材、水を入
れて密閉し、回転、振動等の機械的な方法で運動させる
ことにより、表面研磨を行い(25)、図7に示すよう
に外部電極3表面上のSi樹脂をメッキ等の後工程に影
響を及ぼさない程度まで除去する。この表面研磨(2
5)により、バリスタ素子1の端面に加わる機械ストレ
ス、硬化後のSi樹脂との接着強度が外部電極3よりも
セラミック素体との方が優位なことより、外部電極3上
のSi樹脂を選択的に除去することができる。このと
き、外部電極3の内表面にはSi樹脂が残るがこのSi
樹脂により外部電極3の電気的接続が妨げられることは
ない。又、外部電極3の内表面の樹脂により、その後の
メッキ(26)で、メッキ液が外部電極3内部に浸入す
るのを防ぐことができる。
Thereafter, while the varistor element 1 is immersed in the Si varnish, the pressure is increased to 6 to 1500 kg / cm 2 (21).
In order to further impregnate the varistor element 1 with the i-varnish, the varistor 1 is kept at, for example, 2 minutes and then returned to the atmospheric pressure where the laminated varistor is used. The varistor element 1 at this time is shown in FIG.
As shown in (1), the entire surface is thickly covered with the Si varnish 5, and the inside of the external electrode 3 and the inside of the varistor element 1 are also impregnated with the Si varnish 5. The pressing force at this time is determined by the density of the varistor element 1. In other words, the varistor element 1 having a higher density has a higher pressing force to facilitate impregnation. For example, in the case of a varistor element containing ZnO as a main component, the pressure is increased to 500 to 1500 kg / cm 2 because of its high density. After that, the varistor element 1 is taken out from the Si varnish, placed in a metal net basket (or net or the like), and set in, for example, a centrifuge having an inner diameter of 60 cm.
Operating at 0 to 1500 r / min (22), unnecessary Si adhered to the outer surface of the varistor element 1 as shown in FIG.
The varnish 5 is roughly removed. Further, the metal net basket was immersed in toluene and vibrated for 5 to 60 seconds, and then taken out (23).
As shown in (1), the Si varnish adhering to the outer surfaces of the varistor element 1 and the external electrode 3 is removed. Also, instead of being immersed in toluene, the varistor element 1 is taken out of a metal mesh basket and is a powder SiO 2 which does not react with the Si varnish 5.
After the powder 2 is brought into contact with the varistor element 1 and unnecessary Si varnish 5 on the outer surface of the varistor element 1 is sucked into the SiO 2 powder, the varistor element 1 may be separated using a sieve or the like. By the above method, the varistor element 1
Unnecessary Si varnish 5 on the surface is removed. After that, the varistor elements 1 are arranged on a metal net, and the temperature (about 125 to 200
6C) for heating the Si resin (24), and FIG.
A varistor element 1 as shown in FIG. With this heating,
S impregnated inside the varistor element 1 and the external electrode 3
Part of the i-resin precipitates. Thereafter, the varistor element 1, an abrasive made of SiC, and water are put in a container made of, for example, polyethylene and sealed, and the surface is polished by moving it by a mechanical method such as rotation or vibration (25), and shown in FIG. As described above, the Si resin on the surface of the external electrode 3 is removed to such an extent that the subsequent steps such as plating are not affected. This surface polishing (2
According to 5), the mechanical stress applied to the end surface of the varistor element 1 and the adhesive strength with the cured Si resin are superior to the ceramic body compared to the external electrode 3, so the Si resin on the external electrode 3 is selected. Can be removed. At this time, the Si resin remains on the inner surface of the external electrode 3, but this Si resin remains.
The electrical connection of the external electrodes 3 is not hindered by the resin. Further, the resin on the inner surface of the external electrode 3 can prevent the plating solution from entering the inside of the external electrode 3 in the subsequent plating (26).

【0026】次いでこのバリスタ素子1の外部電極3の
表面にメッキ(26)を行い図1に示すような積層バリ
スタを得る。
Next, the surface of the external electrode 3 of the varistor element 1 is plated (26) to obtain a laminated varistor as shown in FIG.

【0027】以上のように、バリスタ素子1内部にSi
樹脂を含浸させた内表面絶縁層30を形成することによ
り耐湿性に優れ、且つ、外表面絶縁層31を形成するこ
とにより、外部電極3の端部の剥離が起きず、外部電極
3において、メッキ(26)等の後工程に影響を及ぼさ
ない積層バリスタを得ることが可能となる。
As described above, Si inside the varistor element 1
By forming the inner surface insulating layer 30 impregnated with the resin, excellent moisture resistance is obtained, and by forming the outer surface insulating layer 31, exfoliation of the end of the external electrode 3 does not occur. It is possible to obtain a laminated varistor that does not affect the subsequent steps such as plating (26).

【0028】ここで、本実施の形態における積層バリス
タ及びこの製造方法において、特徴となることを以下に
示す。 (1)図1に示すように外表面絶縁層31は、バリスタ
素子1の側面にかかるように形成した外部電極3の端部
を覆うように形成することにより、外部電極3とバリス
タ素子1の境界からバリスタ素子1内部へのメッキ液、
水分等の浸入をさらに防ぐことができる。 (2)外表面絶縁層31、内表面絶縁層30は光沢を有
しているので、積層バリスタ表面の光沢を確認すること
により、内表面絶縁層30および外表面絶縁層31を形
成済みかどうかを視覚的に判断することができ、選別を
容易に行うことができる。 (3)外表面絶縁層31、内表面絶縁層30の形成にS
i樹脂を用いたが、硬化後、耐熱性を有し、絶縁性、撥
水性が高く、吸水率が小さい樹脂であれば構わず、Si
樹脂のほかに、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ
ブタジエン系樹脂、フェノール系樹脂等があり、これら
の中から1種類以上を用いても構わない。
Here, the features of the laminated varistor and the manufacturing method according to the present embodiment will be described below. (1) As shown in FIG. 1, the outer surface insulating layer 31 is formed so as to cover the end of the external electrode 3 formed so as to cover the side surface of the varistor element 1, so that the external electrode 3 and the varistor element 1 A plating solution from the boundary to the inside of the varistor element 1;
Infiltration of moisture and the like can be further prevented. (2) Since the outer surface insulating layer 31 and the inner surface insulating layer 30 have luster, it is determined whether the inner surface insulating layer 30 and the outer surface insulating layer 31 have been formed by checking the gloss of the surface of the laminated varistor. Can be visually judged, and sorting can be easily performed. (3) S for forming the outer surface insulating layer 31 and the inner surface insulating layer 30
Although i resin was used, any resin may be used as long as it has heat resistance, high insulation, high water repellency, and low water absorption after curing.
In addition to the resin, there are an epoxy resin, an acrylic resin, a polybutadiene resin, a phenol resin and the like, and one or more of these may be used.

【0029】また樹脂の代わりにあるいは樹脂と混合し
て、シリコン、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、
イットリウム、マグネシウムから選ばれる少なくとも1
種類以上の金属アルコキシドを用いても同様の効果が得
られる。
Instead of the resin or by mixing with the resin, silicon, titanium, aluminum, zirconium,
At least one selected from yttrium and magnesium
Similar effects can be obtained by using more than two kinds of metal alkoxides.

【0030】金属アルコキシドを用いる場合は、アルコ
ールなど金属アルコキシドが溶解することができる溶媒
を用いて含浸液を作製する。 (4)内表面絶縁層30の厚みは、積層バリスタとして
の特性に影響を与えない範囲でできるだけ大きい方が望
ましく、さらには硬化後のSi樹脂の内表面絶縁層30
の厚みが一番薄いところで10μm以上となることが望
ましい。これは、Siワニスの粘度、溶剤率、加圧力の
選択により調整することができる。 (5)バリスタ素子1をSiワニスに含浸させて加圧す
る前に、大気圧よりも低くした状態を設けて、加圧の効
果を高めてもよい。 (6)Siワニスと反応しない粉末としてSiO2を用
いたが、バリスタ素子1に含浸させる含浸液と反応しな
い粉末であればよく、ZrO2、Al23、MgOやあ
るいはこれらを混合したものなども用いることができ
る。 (7)Siワニスをバリスタ素子1に含浸させて硬化さ
せる前に、Siワニスに含まれる溶剤を、突沸しない温
度に加熱して充分に除去してから、Si樹脂の硬化処理
を行うことにより、密度の高い外表面絶縁層31を形成
することができる。 (8)Siワニス浸漬から表面研磨までを複数回、好ま
しくは2回くり返すことにより、バリスタ素子1内部に
よりSi樹脂を含浸させることができるのでさらに耐湿
特性を向上させることができる。 (9)バリスタ素子1の面とり(15)を行い端部を曲
線状にしておくことにより、外部電極3上のSi樹脂を
表面研磨(25)により除去する際、外部電極3の一部
に機械的ストレスが加わるのを防止することができる。
When a metal alkoxide is used, an impregnating liquid is prepared using a solvent capable of dissolving the metal alkoxide such as alcohol. (4) The thickness of the inner surface insulating layer 30 is desirably as large as possible without affecting the characteristics as a laminated varistor.
It is desirable that the thickness be 10 μm or more where the thickness is thinnest. This can be adjusted by selecting the viscosity, solvent ratio, and pressure of the Si varnish. (5) Before the varistor element 1 is impregnated with Si varnish and pressurized, a state lower than the atmospheric pressure may be provided to enhance the effect of pressurization. (6) SiO 2 is used as a powder that does not react with the Si varnish, but any powder that does not react with the impregnating liquid impregnating the varistor element 1 may be used, such as ZrO 2 , Al 2 O 3 , MgO, or a mixture thereof. Etc. can also be used. (7) Before impregnating and curing the varistor element 1 with the Si varnish, the solvent contained in the Si varnish is sufficiently removed by heating to a temperature that does not cause bumping, and then the curing treatment of the Si resin is performed. The outer surface insulating layer 31 having a high density can be formed. (8) By repeating the process from immersion of the Si varnish to polishing of the surface a plurality of times, preferably twice, the varistor element 1 can be impregnated with the Si resin, so that the moisture resistance can be further improved. (9) By chamfering (15) the varistor element 1 and making the ends curved, the Si resin on the external electrode 3 can be partially removed when the Si resin on the external electrode 3 is removed by surface polishing (25). It is possible to prevent mechanical stress from being applied.

【0031】なお、本実施の形態においてはチタン酸ス
トロンチウムを主成分とする積層バリスタを例に説明し
たが、酸化亜鉛を主成分とする積層バリスタはもちろ
ん、セラミック素子を用いるものでもセラミック素子を
用いないものでも、サーミスタ、コンデンサ、抵抗等電
子部品全般において同様の効果が得られる。また、形状
も積層型だけでなくディスク型などどのような形状でも
構わない。
In this embodiment, the laminated varistor containing strontium titanate as a main component is described as an example. Even if they are not provided, similar effects can be obtained in electronic parts in general such as thermistors, capacitors, and resistors. Further, the shape may be any shape such as a disk type as well as a lamination type.

【0032】[0032]

【発明の効果】以上本発明によると、内表面に含浸され
た絶縁層により耐湿特性の劣化を防ぐと共に、外表面の
絶縁層により電極強度が向上するので電極端部の剥離も
防ぐことができる。また電極端部からの水分などの浸入
を防ぐこともできるのでさらに耐湿特性が向上する。
As described above, according to the present invention, the insulating layer impregnated on the inner surface prevents the deterioration of the moisture resistance, and the insulating layer on the outer surface improves the strength of the electrode. . In addition, the infiltration of moisture and the like from the electrode end can be prevented, so that the moisture resistance is further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態における積層バリスタの
断面図
FIG. 1 is a cross-sectional view of a laminated varistor according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態における積層バリスタの
製造工程図
FIG. 2 is a manufacturing process diagram of a laminated varistor according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施の形態におけるSiワニス含浸
後のバリスタ素子の断面図
FIG. 3 is a cross-sectional view of a varistor element after impregnation with a Si varnish according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施の形態における遠心分離工程後
のバリスタ素子の断面図
FIG. 4 is a cross-sectional view of a varistor element after a centrifugation step in one embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施の形態におけるトルエン浸漬後
のバリスタ素子の断面図
FIG. 5 is a sectional view of a varistor element after immersion in toluene according to one embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施の形態におけるSi樹脂硬化後
のバリスタ素子の断面図
FIG. 6 is a cross-sectional view of a varistor element after curing of a Si resin in one embodiment of the present invention.

【図7】本発明の一実施の形態における研磨後のバリス
タ素子の断面図
FIG. 7 is a cross-sectional view of a varistor element after polishing in one embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 バリスタ素子 3 外部電極 5 Siワニス 30 内表面絶縁層 31 外表面絶縁層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Varistor element 3 External electrode 5 Si varnish 30 Inner surface insulating layer 31 Outer surface insulating layer

Claims (16)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 端部が曲線状である素体と、この素体端
部の外表面に所定の間隔を設けて形成した少なくとも一
対の電極と、前記素体表面の前記電極の非形成部分およ
び前記電極の端部を覆うように設けた絶縁層とを備え、
前記絶縁層の少なくとも一部は、前記素体の内表面に含
浸されている電子部品。
An element having a curved end portion, at least a pair of electrodes formed at predetermined intervals on an outer surface of the element end portion, and a portion of the element surface where the electrode is not formed. And an insulating layer provided to cover an end of the electrode,
An electronic component in which at least a part of the insulating layer is impregnated on an inner surface of the element body.
【請求項2】 絶縁層は、金属アルコキシドまたは樹脂
の少なくとも一方を用いて形成された請求項1に記載の
電子部品。
2. The electronic component according to claim 1, wherein the insulating layer is formed using at least one of a metal alkoxide and a resin.
【請求項3】 絶縁層を金属アルコキシドを用いて形成
し、この金属アルコキシドは、シリコン、チタン、アル
ミニウム、ジルコニウム、イットリウム、マグネシウム
から選ばれる少なくとも1種類以上の金属を有するもの
である請求項1に記載の電子部品。
3. The method according to claim 1, wherein the insulating layer is formed by using a metal alkoxide, and the metal alkoxide has at least one metal selected from silicon, titanium, aluminum, zirconium, yttrium, and magnesium. Electronic components as described.
【請求項4】 絶縁層を樹脂を用いて形成し、この樹脂
は、シリコン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹
脂、ポリブタジエン系樹脂、フェノール系樹脂のうちの
少なくとも1種類以上である請求項1に記載の電子部
品。
4. The insulating layer is formed using a resin, and the resin is at least one of a silicon resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a polybutadiene resin, and a phenol resin. Electronic components according to the above.
【請求項5】 素体の内表面に含浸されている絶縁層の
厚みは、10μm以上である請求項1に記載の電子部
品。
5. The electronic component according to claim 1, wherein the thickness of the insulating layer impregnated on the inner surface of the element body is 10 μm or more.
【請求項6】 素体外表面の絶縁層の厚みは、この絶縁
層に隣接する電極の最大の厚みよりも小さい請求項1に
記載の電子部品。
6. The electronic component according to claim 1, wherein the thickness of the insulating layer on the outer surface of the element body is smaller than the maximum thickness of the electrode adjacent to the insulating layer.
【請求項7】 端部が曲線状である素体と、この素体端
部の外表面に所定の間隔を設けて形成した少なくとも一
対の電極と、前記素体表面の少なくとも電極の非形成部
分に設けた絶縁層とを備え、前記素体外表面は光沢を有
する電子部品。
7. An element having a curved end portion, at least a pair of electrodes formed at predetermined intervals on the outer surface of the element end portion, and at least an electrode-free portion of the element surface. An electronic component, comprising: an insulating layer provided on the substrate;
【請求項8】 端部が曲線状である素体端部の外表面に
所定の間隔を設けて少なくとも一対の電極を形成する工
程と、次に前記素体外表面を少なくとも有機物を含む含
浸液に接触させて前記含浸液で前記素体外表面を被覆す
る工程と、次に前記素体外表面を被覆する含浸液の一部
を除去する工程と、次いで前記含浸液中の有機物を硬化
させる工程と、その後前記素体の前記電極外表面の硬化
した有機物を研磨により除去する工程とを有する電子部
品の製造方法。
8. A step of forming at least a pair of electrodes at predetermined intervals on the outer surface of the end of the element body having a curved end, and then applying the outer surface of the element to an impregnating liquid containing at least an organic substance. Contacting the element body outer surface with the impregnating liquid, and removing a part of the impregnating liquid covering the element body outer surface, and then curing the organic matter in the impregnating liquid, Removing the hardened organic matter from the outer surface of the electrode of the element body by polishing.
【請求項9】 素体を含浸液に接触させる工程を複数回
繰り返す請求項8に記載の電子部品の製造方法。
9. The method for manufacturing an electronic component according to claim 8, wherein the step of bringing the element body into contact with the impregnation liquid is repeated a plurality of times.
【請求項10】 有機物は、金属アルコキシドまたは樹
脂の少なくとも一方を含んでいる請求項8に記載の電子
部品の製造方法。
10. The method according to claim 8, wherein the organic material contains at least one of a metal alkoxide and a resin.
【請求項11】 有機物は金属アルコキシドを含み、こ
の金属アルコキシドは、シリコン、チタン、アルミニウ
ム、ジルコニウム、ニットリウム、マグネシウムのうち
の少なくとも1種類以上の金属アルコキシドである請求
項8に記載の電子部品の製造方法。
11. The electronic component according to claim 8, wherein the organic substance includes a metal alkoxide, and the metal alkoxide is at least one metal alkoxide of silicon, titanium, aluminum, zirconium, nitrite, and magnesium. Production method.
【請求項12】 有機物は樹脂を含み、この樹脂は、シ
リコン系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリ
ブタジエン系樹脂、フェノール系樹脂のうちの少なくと
も1種類以上である請求項8に記載の電子部品の製造方
法。
12. The electronic device according to claim 8, wherein the organic material includes a resin, and the resin is at least one of a silicon resin, an epoxy resin, an acrylic resin, a polybutadiene resin, and a phenol resin. The method of manufacturing the part.
【請求項13】 素体を含浸液に接触させた状態で、加
圧する請求項8に記載の電子部品の製造方法。
13. The method for manufacturing an electronic component according to claim 8, wherein the element body is pressurized while being brought into contact with the impregnating liquid.
【請求項14】 素体外表面の有機物の除去は、遠心分
離、有機物が可溶な液体による洗浄、含浸液と反応しな
い粉末との接触のうち少なくとも一つを用いて行う請求
項8に記載の電子部品の製造方法。
14. The method according to claim 8, wherein the organic substance on the outer surface of the element body is removed by at least one of centrifugal separation, washing with a liquid in which the organic substance is soluble, and contact with a powder that does not react with the impregnating liquid. Manufacturing method of electronic components.
【請求項15】 粉末は、SiO2、ZrO2、Al
23、MgOのうち少なくとも1種類以上を含んでいる
請求項14に記載の電子部品の製造方法。
15. The powder is made of SiO 2 , ZrO 2 , Al
2 O 3, method for manufacturing the electronic component according to claim 14 comprising at least one or more of MgO.
【請求項16】 研磨は、少なくとも素体と液体とを入
れた容器を運動させて行う請求項8に記載の電子部品の
製造方法。
16. The method of manufacturing an electronic component according to claim 8, wherein the polishing is performed by moving a container containing at least a body and a liquid.
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