JPH10208625A - Thick film pattern forming method - Google Patents

Thick film pattern forming method

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JPH10208625A
JPH10208625A JP761197A JP761197A JPH10208625A JP H10208625 A JPH10208625 A JP H10208625A JP 761197 A JP761197 A JP 761197A JP 761197 A JP761197 A JP 761197A JP H10208625 A JPH10208625 A JP H10208625A
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pattern
substrate
pattern forming
female mold
forming material
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Katsuhiko Mizuno
克彦 水野
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Dai Nippon Printing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form a thick film pattern with a high accuracy at a high productivity. SOLUTION: A female die 13 formed on a base film 11 is transferred to a substrate 10, and a pattern forming material 14 is filled to the female die 13 on the substrate 10, or the female die 13 formed on the base film 11, and the pattern forming material 14 filled to the female die 13 are transferred to the substrate 10 at a time. While the pattern forming material 14 is sintered by baking, the female die 13 is removed. This method has the fewer processing number and a higher productivity compared with the conventional method such as a screen printing method or a sand blast method. Since only a film in which the quality check of the female die 13 formed beforehand is finished can be used, the nondefective rate can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル(PDP)、フィールドエミッションディス
プレイ(FED)、液晶表示装置(LCD)、蛍光表示
装置、混成集積回路等の製造過程において基板上に厚膜
パターンを形成する方法に係り、特にPDPの障壁の形
成方法に好適な厚膜パターン形成方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel (PDP), a field emission display (FED), a liquid crystal display (LCD), a fluorescent display, a hybrid integrated circuit, etc. More particularly, the present invention relates to a method for forming a thick film pattern suitable for a method for forming a PDP barrier.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、この種の厚膜パターン形成方法と
しては、ガラスやセラミックス基板上に導体或いは絶縁
体用のペーストをスクリーン印刷法によりパターン状に
塗布した後、焼成工程を経て基板に密着したパターンを
形成する方法が知られている。この方法では例えば線幅
100μm、高さ100μmの細線を形成するには重ね
刷りを複数回繰り返す必要がある。また、別の方法とし
ては、基板上の前面にパターン形成層を形成した後、そ
のパターン形成層上に感光性レジストでサンドブラスト
用マスクを形成し、次いで研磨材を噴射してパターン形
成層のパターニングを行う所謂サンドブラスト法が知ら
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of forming a thick film pattern of this kind, a paste for a conductor or an insulator is applied in a pattern on a glass or ceramic substrate by a screen printing method and then adhered to the substrate through a firing step. A method for forming a patterned pattern is known. In this method, for example, in order to form a thin line having a line width of 100 μm and a height of 100 μm, overprinting needs to be repeated a plurality of times. Another method is to form a pattern forming layer on the front surface of the substrate, form a sandblast mask with a photosensitive resist on the pattern forming layer, and then spray an abrasive to pattern the pattern forming layer. A so-called sand blast method for performing the above is known.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、スクリーン印
刷法では、前記したように1回の印刷で形成できる膜厚
が小さいために所望の膜厚を得るために重ね刷りを行う
必要があり生産性が悪いという欠点がある。また、スク
リーン版の伸び等の理由により、重ね刷りするごとに印
刷位置が微妙にずれ、このためパターンの形状が悪くな
るという問題点や、さらにはペーストには流動性がある
ため、すそが広がってしまい、高アスペクト比の厚膜パ
ターンが形成できないという問題点もある。また、サン
ドブラスト法では加工速度に問題があり、例えば一辺が
50cm以上の大型の基板になると1枚当たりの加工時
間は数十分間を必要とする。パターン形成層の研削速度
を上げるには研磨材の衝撃力を上げればよいが、そうす
ると感光性レジストへのダメージが大きくなって、パタ
ーンに欠陥を生じることになる。
However, in the screen printing method, as described above, since the film thickness that can be formed by one printing is small, it is necessary to perform overprinting to obtain a desired film thickness. Has the disadvantage of being bad. In addition, the printing position is slightly shifted each time overprinting is performed due to elongation of the screen plate or the like, which deteriorates the pattern shape. Further, since the paste has fluidity, the hem spreads. As a result, there is also a problem that a thick film pattern having a high aspect ratio cannot be formed. In addition, the sandblasting method has a problem in processing speed. For example, in the case of a large substrate having one side of 50 cm or more, the processing time per one substrate requires several tens of minutes. In order to increase the grinding speed of the pattern forming layer, the impact force of the abrasive may be increased. However, doing so increases the damage to the photosensitive resist and causes defects in the pattern.

【0004】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、精度の高い厚
膜パターンを高い生産性で形成することのできる厚膜パ
ターン形成方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for forming a thick film pattern capable of forming a highly accurate thick film pattern with high productivity. Is to do.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る第1の厚膜パターン形成方法は、ベ
ースフィルム上にネガティブ型の感光性樹脂層を形成
し、その感光性樹脂層をパターン露光して現像すること
によりパターンの雌型を形成した後、その雌型を基板に
転写してから基板上で雌型にパターン形成材料を充填
し、焼成によりパターン形成材料を焼結するとともに雌
型を除去することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a first method for forming a thick film pattern according to the present invention comprises forming a negative photosensitive resin layer on a base film, After forming the female mold of the pattern by pattern exposure and development of the resin layer, the female mold is transferred to the substrate, and then the female mold is filled with the pattern forming material on the substrate, and the pattern forming material is baked by firing. It is characterized by tying and removing the female mold.

【0006】また、本発明に係る第2の厚膜パターン形
成方法は、ベースフィルム上にネガティブ型の感光性樹
脂層を形成し、その感光性樹脂層をパターン露光して現
像することによりパターンの雌型を形成した後、パター
ン形成材料を雌型に充填してから基板に雌型とパターン
形成材料を同時に転写し、焼成によりパターン形成材料
を焼結するとともに雌型を除去することを特徴とする。
A second method of forming a thick film pattern according to the present invention comprises forming a negative photosensitive resin layer on a base film, exposing the photosensitive resin layer to a pattern, and developing the pattern. After forming the female mold, fill the female mold with the pattern forming material, transfer the female mold and the pattern forming material to the substrate simultaneously, sinter the pattern forming material by firing, and remove the female mold. I do.

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】第1の厚膜パターン形成方法の具
体的な手順は図1に示すようであり、これについて以下
に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The specific procedure of the first method for forming a thick film pattern is as shown in FIG. 1, which will be described below.

【0008】まず、図1(a)に示すように、ベースフ
ィルム11の上にネガティブ型の感光性樹脂を塗布して
乾燥させることで感光性樹脂層12を形成する。次に、
図1(b)に示すようにマスクMを介して感光性樹脂層
12をパターン露光し、続けて現像することにより図1
(c)に示す如くパターンの雌型13を形成する。次い
で、図1(d)に示すように、ベースフィルム11上に
雌型13を設けてなるシートを、その雌型13が基板1
0側となる向きで基板10に重ね合わせてからベースフ
ィルム11を剥がすことにより雌型13を基板10に転
写する。そして、図1(e)に示すように基板10上で
雌型13にパターン形成材料14を充填した後、焼成を
行ってパターン形成材料14を焼結するとともに雌型を
除去する。これにより図1(f)に示す如く基板10上
にパターン形成材料からなる厚膜パターン15が形成さ
れる。
First, as shown in FIG. 1A, a photosensitive resin layer 12 is formed by applying a negative photosensitive resin on a base film 11 and drying it. next,
As shown in FIG. 1B, the photosensitive resin layer 12 is subjected to pattern exposure through a mask M, and subsequently developed,
A female die 13 having a pattern is formed as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 1 (d), a sheet having a female mold 13 provided on a base film 11 is placed on the base film 11.
The female die 13 is transferred to the substrate 10 by superimposing the substrate 10 on the substrate 10 in the direction toward the 0 side and then peeling off the base film 11. Then, as shown in FIG. 1 (e), after filling the pattern forming material 14 into the female mold 13 on the substrate 10, baking is performed to sinter the pattern forming material 14 and remove the female mold. Thus, a thick film pattern 15 made of a pattern forming material is formed on the substrate 10 as shown in FIG.

【0009】第2の厚膜パターン形成方法の具体的な手
順は図2に示すようであり、これについて以下に説明す
る。
The specific procedure of the second thick film pattern forming method is as shown in FIG. 2, which will be described below.

【0010】まず、図2(a)に示すように、ベースフ
ィルム11の上にネガティブ型の感光性樹脂を塗布して
乾燥させることで感光性樹脂層12を形成する。次に、
図2(b)に示すようにマスクMを介して感光性樹脂層
12をパターン露光し、続けて現像することにより図2
(c)に示す如くパターンの雌型13を形成する。次い
で、図2(d)に示すように、パターン形成材料14を
雌型13に充填した後、ベースフィルム11をその上の
雌型13が基板10と向き合うようにして基板10に重
ね合わせてからベースフィルム11を剥がすことによ
り、図2(e)に示すように基板10に雌型13とパタ
ーン形成材料14を同時に転写する。そして、焼成を行
ってパターン形成材料14を焼結するとともに雌型13
を除去する。これにより図2(f)に示す如く基板10
上にパターン形成材料からなる厚膜パターン25が形成
される。
First, as shown in FIG. 2A, a photosensitive resin layer 12 is formed by applying a negative photosensitive resin on a base film 11 and drying it. next,
As shown in FIG. 2B, the photosensitive resin layer 12 is subjected to pattern exposure through a mask M, and is subsequently developed, thereby
A female die 13 having a pattern is formed as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 2D, after filling the female mold 13 with the pattern forming material 14, the base film 11 is overlaid on the substrate 10 so that the female mold 13 on the base film 11 faces the substrate 10. By peeling off the base film 11, the female mold 13 and the pattern forming material 14 are simultaneously transferred to the substrate 10 as shown in FIG. Then, sintering is performed to sinter the pattern forming material 14, and
Is removed. As a result, as shown in FIG.
A thick film pattern 25 made of a pattern forming material is formed thereon.

【0011】ベースフィルムとしては、PETフィル
ム、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム、ポ
リイミドフィルム、ポリアミドフィルム、ポリテトラク
ルオロエチレンフィルム等が使用できるが、中でもコス
トの点でPETフィルムが好適である。
As the base film, a PET film, a polyethylene film, a polyester film, a polyimide film, a polyamide film, a polytetrafluoroethylene film and the like can be used. Among them, a PET film is preferable in terms of cost.

【0012】ネガティブ型の感光性樹脂としては、ポリ
ビニルアルコール、ポリケイ皮酸ビニルや環化ポリイソ
プレン、環化シス1,4−ポリブタジエンなどの環化ゴ
ム系樹脂、ポリビニル−p−アシドベンザル、アシドア
クリレートポリマー等のポリマー側鎖にジアゾ基やアジ
ド基を導入した樹脂が挙げられ、バインダー樹脂として
ポリメチルメタクリレートやポリメチルアクリレートの
ようなメタクリル系やアクリル系樹脂を使い、それにモ
ノマーとしてペンタエリスリトールトリアクリレート、
トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラエチ
レングリコールジアクリレートを加えた系等が使用可能
である。
[0012] Negative-type photosensitive resins include cyclized rubber resins such as polyvinyl alcohol, polyvinyl cinnamate, cyclized polyisoprene, cyclized cis 1,4-polybutadiene, polyvinyl-p-acidbenzal, and acid acrylate polymers. Resins having a diazo group or an azide group introduced into a polymer side chain such as a methacrylic or acrylic resin such as polymethyl methacrylate or polymethyl acrylate as a binder resin, and pentaerythritol triacrylate as a monomer.
A system to which trimethylolpropane triacrylate or tetraethylene glycol diacrylate is added can be used.

【0013】基板としては、用途に応じてガラス板、セ
ラミック板、シリコン板等を使用することになる。
As the substrate, a glass plate, a ceramic plate, a silicon plate or the like is used depending on the application.

【0014】雌型の転写性を向上させるために、必要に
応じてベースフィルムの表面に剥離層が設けられていて
もよく、またベースフィルム中、また雌型を形成する感
光性樹脂中に剥離剤を混練していてもよい。
In order to improve the transferability of the female mold, a release layer may be provided on the surface of the base film as necessary, and the release layer may be formed in the base film or the photosensitive resin forming the female mold. The agent may be kneaded.

【0015】剥離剤は、例えばポリエチレンワックス、
アミドワックス、テフロンパウダー、シリコーンワック
ス、カルバナワックス、アクリルワックス、パラフィン
ワックス等のワックス類、フッ素系樹脂、メラミン系樹
脂、ポリオレフィン樹脂、電離放射線硬化型の多官能ア
クリレート樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ア
ミノ変性、エポキシ変性、OH変性、COOH変性、触
媒硬化型、光硬化型、熱硬化型のシリコーンオイル、ま
たはシリコーン樹脂が例示される。剥離層を形成する場
合には膜厚10〜3000μmのものとされる。
The release agent is, for example, polyethylene wax,
Amides wax, Teflon powder, silicone wax, carbana wax, acrylic wax, wax such as paraffin wax, fluorine resin, melamine resin, polyolefin resin, ionizing radiation curable polyfunctional acrylate resin, polyester resin, epoxy resin, Examples thereof include amino-modified, epoxy-modified, OH-modified, COOH-modified, catalyst-curable, photocurable, and thermosetting silicone oils or silicone resins. When a release layer is formed, the thickness is 10 to 3000 μm.

【0016】ネガティブ型の感光性樹脂は、通常は光に
より硬化して粘着性を失うが、架橋密度をコントロール
することにより、加熱によって粘着性を生じる材料を用
い、熱圧着ロールにより転写することができる。また、
十分な粘着性を有さない材料の場合には被転写基板側に
焼成により除去できる粘着剤層を形成しておいて転写を
行うようにしてもよい。
Negative-type photosensitive resins are usually cured by light and lose their tackiness. However, by controlling the crosslinking density, it is possible to use a material that gives rise to tackiness by heating and transfer the material with a thermocompression roll. it can. Also,
In the case of a material that does not have sufficient adhesiveness, an adhesive layer that can be removed by baking may be formed on the transfer-receiving substrate side before transferring.

【0017】パターン形成材料は、その用途が抵抗体
層、障壁層の場合には、少なくともガラスフリットを有
する無機成分と焼成により除去される樹脂成分とからな
る。
When the pattern forming material is used for a resistor layer or a barrier layer, it is composed of at least an inorganic component having a glass frit and a resin component removed by firing.

【0018】ガラスフリットとしては、その軟化点が3
50℃〜650℃で、熱膨張係数α300 が60×10-7
/℃〜100×10-7/℃のものが挙げられる。ガラス
フリットの軟化点が650℃を越えると焼成温度を高く
する必要があり、その積層対象によっては熱変形したり
するので好ましくなく、また、350℃より低いと樹脂
等が分解、揮発する前にガラスフリットが融着し、層中
に空隙等の発生が生じるので好ましくない。また、熱膨
張係数α300 が60×10-7/℃〜100×10-7/℃
の範囲外であると、ガラス基板の熱膨張係数との差が大
きく、歪み等を生じるので好ましくない。
The glass frit has a softening point of 3
At 50 ° C. to 650 ° C., the coefficient of thermal expansion α 300 is 60 × 10 −7
/ ° C to 100 × 10 -7 / ° C. If the softening point of the glass frit exceeds 650 ° C., it is necessary to increase the firing temperature, and depending on the lamination object, it is not preferable because it is thermally deformed. It is not preferable because glass frit is fused and voids and the like are generated in the layer. Further, the coefficient of thermal expansion α 300 is 60 × 10 −7 / ° C. to 100 × 10 −7 / ° C.
Is out of the range, the difference from the coefficient of thermal expansion of the glass substrate is large, and distortion or the like is generated, which is not preferable.

【0019】また、無機成分として、ガラスフリットの
他に無機粉体、無機顔料をそれぞれ2種以上混合しても
よい。
As the inorganic component, two or more kinds of inorganic powders and inorganic pigments may be mixed in addition to the glass frit.

【0020】無機粉体は骨材であって、必要に応じて添
加される。無機粉体は、焼成に際しての流延防止、緻密
性向上を目的とするものであり、ガラスフリットより軟
化点が高い。例えば、酸化アルミニウム、酸化硼素、シ
リカ、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化カルシウ
ム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、炭酸カルシウ
ム等の各無機粉体が利用でき、平均粒径0.1〜20μ
mのものが例示される。無機粉体の使用割合は、ガラス
フリットの100重量部に対して0〜30重量部にする
とよい。
The inorganic powder is an aggregate and is added as needed. The inorganic powder is intended to prevent casting during firing and to improve the compactness, and has a higher softening point than glass frit. For example, inorganic powders such as aluminum oxide, boron oxide, silica, titanium oxide, magnesium oxide, calcium oxide, strontium oxide, barium oxide, and calcium carbonate can be used, and the average particle size is 0.1 to 20 μm.
m. The use ratio of the inorganic powder is preferably 0 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the glass frit.

【0021】無機顔料は、外光反射を低減して実用上の
コントラストを向上させるために必要に応じて添加され
るものである。暗色にする場合には、耐火性の黒色顔料
として、Co−Cr−Fe、Co−Mn−Fe、Co−
Fe−Mn−Al、Co−Ni−Cr−Fe、Co−N
i−Mn−Cr−Fe、Co−Ni−Al−Cr−F
e、Co−Mn−Al−Cr−Fe−Si等が挙げられ
る。また、耐火性の白色顔料としては、酸化チタン、酸
化アルミニウム、シリカ、炭酸カルシウム等が挙げられ
る。
The inorganic pigment is added as necessary to reduce external light reflection and improve practical contrast. In the case of darkening, Co-Cr-Fe, Co-Mn-Fe, Co-
Fe-Mn-Al, Co-Ni-Cr-Fe, Co-N
i-Mn-Cr-Fe, Co-Ni-Al-Cr-F
e, Co-Mn-Al-Cr-Fe-Si and the like. Examples of the fire-resistant white pigment include titanium oxide, aluminum oxide, silica, and calcium carbonate.

【0022】焼成により除去される樹脂成分は熱可塑性
樹脂であり、無機成分のバインダーとして、また転写性
の向上を目的として含有させる。この熱可塑性樹脂とし
ては、例えば、メチルアクリレート、メチルメタクリレ
ート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、n
−プロピルアクリレート、n−プロピルメタクリレー
ト、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタクリ
レート、sec−ブチルアクリレート、sec−ブチル
メタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブチル
メタクリレート、tert−ブチルアクリレート、te
rt−ブチルメタクリレート、n−ペンチルアクリレー
ト、n−ペンチルメタクリレート、n−ヘキシルアクリ
レート、n−ヘキシルメタクリレート、2−エチルヘキ
シルアクリレート、2−エチルヘキシルメタクリレー
ト、n−オクチルアクリレート、n−オクチルメタクリ
レート、n−デシルアクリレート、n−デシルメタクリ
レート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエ
チルメタクリレート、ヒドロキプロピルアクリレート、
ヒドロキプロピルメタクリレート、スチレン、α−メチ
ルスチレン、N−ビニル−2−ピロリドン等の1種以上
からなるポリマー又はコポリマー、エチルセルロース等
のセルロース誘導体、ポリブテン誘導体等が挙げられ
る。
The resin component removed by firing is a thermoplastic resin, which is contained as a binder for the inorganic component and for the purpose of improving transferability. Examples of the thermoplastic resin include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, n
-Propyl acrylate, n-propyl methacrylate, isopropyl acrylate, isopropyl methacrylate, sec-butyl acrylate, sec-butyl methacrylate, isobutyl acrylate, isobutyl methacrylate, tert-butyl acrylate, te
rt-butyl methacrylate, n-pentyl acrylate, n-pentyl methacrylate, n-hexyl acrylate, n-hexyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, n-octyl acrylate, n-octyl methacrylate, n-decyl acrylate, n-decyl methacrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate,
Examples thereof include polymers or copolymers of one or more of hydroxypropyl methacrylate, styrene, α-methylstyrene, N-vinyl-2-pyrrolidone, etc., cellulose derivatives such as ethyl cellulose, and polybutene derivatives.

【0023】特に、メチルアクリレート、メチルメタク
リレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレー
ト、n−プロピルアクリレート、n−プロピルメタクリ
レート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタ
クリレート、sec−ブチルアクリレート、sec−ブ
チルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブ
チルメタクリレート、tert−ブチルアクリレート、
tert−ブチルメタクリレート、ヒドロキシエチルア
クリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロ
キプロピルアクリレート、ヒドロキプロピルメタクリレ
ート等の1種以上からなるポリマー又はコポリマー、エ
チルセルロース、ポリブテン誘導体が好ましい。
Particularly, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, n-propyl acrylate, n-propyl methacrylate, isopropyl acrylate, isopropyl methacrylate, sec-butyl acrylate, sec-butyl methacrylate, isobutyl acrylate, isobutyl methacrylate, tert -Butyl acrylate,
Preferred are polymers or copolymers of one or more of tert-butyl methacrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, hydroxypropyl methacrylate, etc., ethyl cellulose, and polybutene derivatives.

【0024】無機成分と樹脂成分との使用割合は、無機
成分100重量部に対して樹脂成分3〜50重量部、好
ましくは5〜30重量部である。樹脂成分が3重量部よ
り少ないと、パターン形状保持性が悪く、PDP等の作
製に支障となるという問題が発生する。また、50重量
部より多くなると、焼成後の膜中にカーボンが残り、品
質が低下するので好ましくない。
The proportion of the inorganic component to the resin component is 3 to 50 parts by weight, preferably 5 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the inorganic component. When the amount of the resin component is less than 3 parts by weight, a problem arises in that the pattern shape retention is poor and the production of PDP or the like is hindered. On the other hand, if the amount exceeds 50 parts by weight, carbon remains in the film after sintering, and the quality is undesirably deteriorated.

【0025】また、必要に応じて可塑剤、増粘剤、分散
剤、沈降防止剤、消泡剤、剥離剤、レベリング剤等が添
加される。
If necessary, a plasticizer, a thickener, a dispersant, an antisettling agent, an antifoaming agent, a release agent, a leveling agent and the like are added.

【0026】可塑剤は、転写性、インキの流動性を向上
させることを目的として添加され、例えばジメチルフタ
レート、ジブチルフタレート、ジ−n−オクチルフタレ
ート、ビス−2−エチルヘキシルフタレート等のノルマ
ルアルキルフタレート類、ジ−2−エチルヘキシルフタ
レート、ジイソデシルフタレート、ブチルベンジルフタ
レート、ジイソノニルフタレート、エチルフタルエチル
グリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート等の
フタル酸エステル類、トリ−2−エチルヘキシルトリメ
リテート、トリ−n−アルキルトリメリテート、トリイ
ソノニルトリメリテート、トリイソデシルトリメリテー
ト等のトリメリット酸エステル、ジメチルアジペート、
ジブチルアジペート、ジ−2−エチルヘキシルアジペー
ト、ジイソデシルアジペート、ジブチルジグリコールア
ジペート、ジ−2−エチルヘキシルアゼテート、ジメチ
ルセバケート、ジブチルセバケート、ジ−2−エチルヘ
キシルセバケート、ジ−2−エチルヘキシルマレート、
アセチル−トリ−(2−エチルヘキシル)シトレート、
アセチル−トリ−n−ブチルシトレート、アセチルトリ
ブチルシトレート等の脂肪族二塩基酸エステル類、ポリ
エチレングリコールベンゾエート、トリエチレングリコ
ール−ジ−(2−エチルヘキソエート)、ポリグリコー
ルエーテル等のグリコール誘導体、グリセロールトリア
セテート、グリセロールジアセチルモノラウレート等の
グリセリン誘導体、セバシン酸、アジピン酸、アゼライ
ン酸、フタル酸などからなるポリエステル類、分子量3
00〜3,000の低分子量ポリエーテル、同低分子量
ポリ−α−スチレン、同低分子量ポリスチレン、トリメ
チルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチ
ルホスフェート、トリ−2−エチルヘキシルホスフェー
ト、トリブトキシエチルホスフェート、トリフェニルホ
スフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニ
ルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、キ
シレニルジフェニルホスフェート、2−エチルヘキシル
ジフェニルホスフェート等の正リン酸エステル類、メチ
ルアセチルリシノレート等のリシノール酸エステル類、
ポリ−1,3−ブタンジオールアジペート、エポキシ化
大豆油等のポリエステル、エポキシ化エステル類、グリ
セリントリアセテート、2−エチルヘキシルアセテート
等の酢酸エステル類が例示される。
The plasticizer is added for the purpose of improving transferability and fluidity of the ink. For example, normal alkyl phthalates such as dimethyl phthalate, dibutyl phthalate, di-n-octyl phthalate and bis-2-ethylhexyl phthalate are used. Phthalic acid esters such as di-2-ethylhexyl phthalate, diisodecyl phthalate, butylbenzyl phthalate, diisononyl phthalate, ethyl phthalethyl glycolate and butyl phthalyl butyl glycolate; tri-2-ethylhexyl trimellitate; tri-n- Trimellitate such as alkyl trimellitate, triisononyl trimellitate, triisodecyl trimellitate, dimethyl adipate,
Dibutyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, diisodecyl adipate, dibutyl diglycol adipate, di-2-ethylhexyl acetate, dimethyl sebacate, dibutyl sebacate, di-2-ethylhexyl sebacate, di-2-ethylhexyl malate,
Acetyl-tri- (2-ethylhexyl) citrate,
Aliphatic dibasic acid esters such as acetyl-tri-n-butyl citrate and acetyl tributyl citrate, glycol derivatives such as polyethylene glycol benzoate, triethylene glycol di- (2-ethylhexoate) and polyglycol ether Glycerol derivatives such as glycerol triacetate and glycerol diacetyl monolaurate, polyesters composed of sebacic acid, adipic acid, azelaic acid, phthalic acid, etc., molecular weight 3
Low molecular weight polyether of 00 to 3,000, low molecular weight poly-α-styrene, low molecular weight polystyrene, trimethyl phosphate, triethyl phosphate, tributyl phosphate, tri-2-ethylhexyl phosphate, tributoxyethyl phosphate, triphenyl phosphate, Tricresyl phosphate, trixylenyl phosphate, cresyl diphenyl phosphate, xylenyl diphenyl phosphate, orthophosphoric acid esters such as 2-ethylhexyl diphenyl phosphate, ricinoleic acid esters such as methyl acetyl ricinoleate,
Examples thereof include polyesters such as poly-1,3-butanediol adipate and epoxidized soybean oil, epoxidized esters, and acetic esters such as glycerin triacetate and 2-ethylhexyl acetate.

【0027】増粘剤は、インキにおける粘度を増大させ
ることを目的として必要に応じて添加されるものであ
り、公知のものを使用できるが、例えばヒドロキシエチ
ルセルロース、メチルセルロース、カルボキシメチルセ
ルロース、アルギン酸ソーダ、カゼイン、カゼイン酸ソ
ーダ、キサンタンガム、ポリビニルアルコール、ポリエ
ーテルワレン変性物、ポリアクリル酸エステル、ポリメ
タクリル酸エステル、モンモタロナイト、ステアリン酸
アルミニウム、ステアリン酸亜鉛、オクチル酸アルミニ
ウム、水添加ひまし油、ひまし油エステル、脂肪酸アマ
イド、酸化ポリエチレン、デキストリン脂肪酸エステ
ル、ジベンジリデンソルビトール、植物油系重合油、表
面処理炭酸カルシウム、有機ベントナイト、シリカ、チ
タニア、ジルコニア、アルミナ等の微粉末等が挙げられ
る。
The thickener is added as needed for the purpose of increasing the viscosity of the ink. Known thickeners can be used, for example, hydroxyethylcellulose, methylcellulose, carboxymethylcellulose, sodium alginate, casein , Sodium caseinate, xanthan gum, polyvinyl alcohol, modified polyether warren, polyacrylates, polymethacrylates, monmotalonite, aluminum stearate, zinc stearate, aluminum octylate, water-added castor oil, castor oil esters, fatty acids Amide, polyethylene oxide, dextrin fatty acid ester, dibenzylidene sorbitol, vegetable oil-based polymerized oil, surface-treated calcium carbonate, organic bentonite, silica, titania, zirconia, Fine powder such as alumina and the like.

【0028】分散剤、沈降防止剤は、それぞれ無機成分
の分散性、沈降防止性の向上を目的とするものであり、
例えば燐酸エステル系、シリコーン系、ひまし油エステ
ル系、各種界面活性剤等が例示され、消泡剤としては、
例えばシリコーン系、アクリル系、各種界面活性剤等が
例示され、剥離剤としては、例えばシリコーン系、フッ
素油系、パラフィン系、脂肪酸系、脂肪酸エステル系、
ひまし油系、ワックス系、コンパウンドタイプが例示さ
れ、レベリング剤としては、例えばフッ素系、シリコー
ン系、各種界面活性剤等が例示され、それぞれ適量添加
される。
The dispersant and the anti-settling agent are intended to improve the dispersibility of the inorganic component and the anti-settling property, respectively.
For example, phosphate ester type, silicone type, castor oil ester type, various surfactants and the like are exemplified.
For example, silicone-based, acrylic-based, various surfactants and the like are exemplified, and as the release agent, for example, silicone-based, fluorine oil-based, paraffin-based, fatty acid-based, fatty acid ester-based,
Castor oil-based, wax-based, and compound types are exemplified. Examples of the leveling agent include fluorine-based, silicone-based, and various surfactants, and each is added in an appropriate amount.

【0029】上記のパターン形成材料は、メタノール、
エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチ
ルケトン、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン等の
アノン類、塩化メチレン、3−メトキシブチルアセテー
ト、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチ
レングリコールアルキルエーテルアセテート類、ジエチ
レングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレング
リコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレ
ングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリ
コールモノアルキルエーテルアセテート類、ジプロピレ
ングリコールモノアルキルエーテル類、ジプロピレング
リコールモノアルキルエーテルアセテート類、α−若し
くはβ−テルピネオール等のテルペン類に溶解又は分散
させてインキとされる。なお、このような溶剤を使用し
ないノンソルタイプのインキでもよい。
The pattern forming material is methanol,
Anones such as ethanol, isopropanol, acetone, methyl ethyl ketone, toluene, xylene, cyclohexanone, methylene chloride, 3-methoxybutyl acetate, ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl Dissolve or disperse in terpenes such as ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol monoalkyl ether acetates, α- or β-terpineol Let it be ink. A non-sol type ink that does not use such a solvent may be used.

【0030】また、パターン形成材料が電極形成用であ
る場合には、電極形成用ペーストは、少なくともガラス
フリットからなる無機成分、焼成により除去される樹脂
成分、導電性粉末とから構成される。
When the pattern forming material is for forming an electrode, the electrode forming paste comprises at least an inorganic component made of glass frit, a resin component removed by firing, and a conductive powder.

【0031】無機成分としては、前述した障壁層等のパ
ターン形成材料の項で記載したガラスフリット、無機粉
体、無機顔料が使用できる。無機粉体はガラスフリット
の100重量部に対して0〜10重量部にするとよい。
As the inorganic component, the glass frit, the inorganic powder, and the inorganic pigment described in the section of the pattern forming material such as the barrier layer described above can be used. The amount of the inorganic powder is preferably 0 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the glass frit.

【0032】また、焼成により除去される樹脂成分とし
ては、前述した障壁層等のパターン形成材料の項で記載
した熱可塑性樹脂を使用することができ、この樹脂成分
の電極形成用ペースト中の含有量は、3〜60重量%、
好ましくは5〜30重量%である。
As the resin component removed by firing, the thermoplastic resin described in the section of the pattern forming material for the barrier layer or the like can be used, and the resin component contained in the electrode forming paste can be used. The amount is 3-60% by weight,
Preferably it is 5 to 30% by weight.

【0033】また、導電性粉末としては、金、銀、銅、
ニッケル、アルミニウム等の金属粉末が挙げられ、平均
粒径が0.1〜5μmの球形金属粉末が好ましい。導電
性粉末とガラスフリットとの使用割合は、導電性粉末の
100重量部に対してガラスフリットは2〜20重量部
である。
As the conductive powder, gold, silver, copper,
Metal powders such as nickel and aluminum are mentioned, and spherical metal powders having an average particle size of 0.1 to 5 μm are preferable. The usage ratio of the conductive powder to the glass frit is such that the glass frit is 2 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the conductive powder.

【0034】また、電極形成用ペーストには、必要に応
じて可塑剤、分散剤、沈降防止剤、消泡剤、剥離剤、レ
ベリング剤を添加してもよく、いずれも前述した障壁等
のパターン形成材料の項で記載したものが使用できる。
電極形成用ペーストとするには、上記の構成材料を、必
要に応じて前述した障壁等のパターン形成材料の項で記
載したものと同様に溶剤と混合され、ロールミル、ビー
ズミル等により混練してペースト状の塗液とするか、ま
たはボールミル等により混練してスラリー状の塗液とさ
れる。基板上に転写された雌型或いはベースフィルム上
の雌型に上述のインキを充填する方法としては、ドクタ
ー方式が挙げられ、また減圧して充填してもよい。
The electrode forming paste may contain a plasticizer, a dispersant, an anti-settling agent, an antifoaming agent, a release agent, and a leveling agent, if necessary. Those described in the section of the forming material can be used.
To form an electrode forming paste, the above constituent materials are mixed with a solvent, if necessary, in the same manner as described in the section of the pattern forming material such as the barrier, and kneaded by a roll mill, a bead mill or the like. Coating liquid or kneaded by a ball mill or the like to obtain a slurry coating liquid. As a method of filling the above-mentioned ink into the female mold transferred onto the substrate or the female mold on the base film, a doctor method may be used, or the ink may be filled under reduced pressure.

【0035】[0035]

【実施例】以下、厚膜パターンとしてPDPの障壁を形
成する場合を実施例に挙げて説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a case where a PDP barrier is formed as a thick film pattern will be described with reference to embodiments.

【0036】(実施例1)厚さ50μmのPETフィル
ム上に下記組成Aのネガティブ型感光性樹脂ペーストを
塗布して乾燥させることで感光性樹脂層を形成し、マス
クを介してのパターン露光、続いて現像を行って障壁パ
ターンの雌型を作成した。
(Example 1) A negative photosensitive resin paste of the following composition A was applied on a PET film having a thickness of 50 μm and dried to form a photosensitive resin layer, and pattern exposure was performed through a mask. Subsequently, development was performed to create a female mold of the barrier pattern.

【0037】 <組成A> ポリビニルアルコール 100重量部 ヒドロキシエチルメタクリレート 100重量部 エチレングリコールジメタクリレート 5重量部 ベンゾイリプロピルエーテル 2.5重量部 P−メトキシフェノール 0.2重量部<Composition A> 100 parts by weight of polyvinyl alcohol 100 parts by weight of hydroxyethyl methacrylate 5 parts by weight of ethylene glycol dimethacrylate 2.5 parts by weight of benzoyl propyl ether 0.2 parts by weight of P-methoxyphenol

【0038】次に、PETフィルムをその雌型側がガラ
ス基板に接するようにしてガラス基板にラミネートし、
PETフィルムを剥がして雌型をガラス基板に転写し
た。具体的には、ガラス基板を80℃に加熱しておき、
温度100℃のロールにて50mm/sのスピードで熱
圧着した。そして、ガラス基板に転写された雌型に下記
組成Bの障壁材料ペーストをドクターブレードを使用し
て充填した。
Next, the PET film is laminated on a glass substrate such that the female mold side is in contact with the glass substrate,
The PET film was peeled off, and the female mold was transferred to a glass substrate. Specifically, the glass substrate is heated to 80 ° C.
Thermocompression bonding was performed at a speed of 50 mm / s using a roll having a temperature of 100 ° C. The female mold transferred to the glass substrate was filled with a barrier material paste having the following composition B using a doctor blade.

【0039】 <組成B> ガラスフリット(松浪硝子工業製「MB−008」) 65重量部 α−アルミナ(岩谷化学工業製「RA−40」) 10重量部 黒色顔料(大日精化製「ダイピロキサイドブラック#9510」) 10重量部 n−ブチルメタクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体 8重量部 フタル酸ビス(2−エチルヘキシル) 5重量部 フタル酸ジメチル 5重量部 プロピレングリコールモノメチルエーテル 12重量部<Composition B> 65 parts by weight of glass frit (“MB-008” manufactured by Matsunami Glass Industry) 10 parts by weight of α-alumina (“RA-40” manufactured by Iwatani Chemical Industry) Black pigment (“Dipiroki” manufactured by Dainichi Seika) Side black # 9510 ") 10 parts by weight n-butyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer 8 parts by weight Bis (2-ethylhexyl) phthalate 5 parts by weight Dimethyl phthalate 5 parts by weight Propylene glycol monomethyl ether 12 parts by weight

【0040】上記のように雌型に障壁材料ペーストを充
填してから、120℃で5分間乾燥させた後、580℃
の温度で焼成することにより障壁材料ペーストを焼結す
るとともに雌型を焼き飛ばした。これによりガラス基板
上に障壁が形成された。なお、n−ブチルメタクリレー
ト/2−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体とフ
タル酸ビス(2−エチルヘキシル)、フタル酸ジメチル
を混合すると、これらのフタル酸エステルが可塑剤とし
て作用するだけでなく、消泡効果も有するため、好まし
かった。
After filling the female mold with the barrier material paste as described above, drying at 120 ° C. for 5 minutes,
Sintering the barrier material paste and burning off the female mold. This formed a barrier on the glass substrate. When n-butyl methacrylate / 2-hydroxyethyl methacrylate copolymer is mixed with bis (2-ethylhexyl) phthalate and dimethyl phthalate, these phthalate esters not only act as a plasticizer but also have a defoaming effect. Was also preferred.

【0041】(実施例2)実施例1と同様に、厚さ50
μmのPETフィルム上に前記組成Aのネガティブ型感
光性樹脂ペーストを用いて障壁パターンの雌型を形成し
た。そして、ドクターブレードを用いて前記組成Bの障
壁材料ペーストを雌型に充填した。120℃で5分間乾
燥させた後、PETフィルムをガラス基板に熱圧着し、
雌型と障壁材料ペーストを同時にガラス基板に転写し
た。具体的には、ガラス基板を80℃に加熱しておき、
温度100℃のロールにて50mm/sのスピードで熱
圧着した。そして、580℃の温度で焼成することによ
り障壁材料ペーストを焼結するとともに雌型を焼き飛ば
した。これによりガラス基板上に障壁が形成された。
(Embodiment 2) As in Embodiment 1, the thickness 50
A female mold of a barrier pattern was formed on a μm PET film using the negative photosensitive resin paste of the composition A. Then, the female material was filled with the barrier material paste of the composition B using a doctor blade. After drying at 120 ° C. for 5 minutes, the PET film is thermocompression-bonded to a glass substrate,
The female mold and the barrier material paste were simultaneously transferred to a glass substrate. Specifically, the glass substrate is heated to 80 ° C.
Thermocompression bonding was performed at a speed of 50 mm / s using a roll having a temperature of 100 ° C. Then, by firing at a temperature of 580 ° C., the barrier material paste was sintered and the female mold was burned off. This formed a barrier on the glass substrate.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の厚膜パタ
ーン形成方法によれば、ベースフィルム上に形成した雌
型を基板に転写し、基板上で雌型にパターン形成材料を
充填するか、或いは、ベースフィルム上に形成した雌型
とその雌型に充填したパターン形成材料を同時に基板に
転写する工程を採るので、スクリーン印刷法やサンドブ
ラスト法などの従来の方法に比べて工程数が少なく生産
性が高い。
As described above, according to the method for forming a thick film pattern of the present invention, the female mold formed on the base film is transferred to the substrate, and the female mold is filled with the pattern forming material on the substrate. Alternatively, since the step of simultaneously transferring the female mold formed on the base film and the pattern forming material filled in the female mold to the substrate is employed, the number of steps is smaller than that of a conventional method such as a screen printing method or a sand blast method. High productivity.

【0043】また、予め形成された雌型の品質チェック
をしたフィルムのみを使うことができるので、良品率を
向上させることができる。
Further, since only a pre-formed female film whose quality has been checked can be used, the yield rate can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る第1の厚膜パターン形成方法の手
順を示す工程図である。
FIG. 1 is a process chart showing a procedure of a first thick film pattern forming method according to the present invention.

【図2】本発明に係る第2の厚膜パターン形成方法の手
順を示す工程図である。
FIG. 2 is a process chart showing a procedure of a second thick film pattern forming method according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 ガラス基板 11 ベースフィルム 12 感光性樹脂層 13 雌型 14 パターン形成材料 15 厚膜パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Glass substrate 11 Base film 12 Photosensitive resin layer 13 Female type 14 Pattern forming material 15 Thick film pattern

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ベースフィルム上にネガティブ型の感光
性樹脂層を形成し、その感光性樹脂層をパターン露光し
て現像することによりパターンの雌型を形成した後、そ
の雌型を基板に転写してから基板上で雌型にパターン形
成材料を充填し、焼成によりパターン形成材料を焼結す
るとともに雌型を除去することを特徴とする厚膜パター
ン形成方法。
1. A negative type photosensitive resin layer is formed on a base film, and the photosensitive resin layer is subjected to pattern exposure and development to form a pattern female mold, and then the female mold is transferred to a substrate. A method of forming a thick film pattern, comprising: filling a female mold with a pattern forming material on a substrate, sintering the pattern forming material by firing, and removing the female mold.
【請求項2】 ベースフィルム上にネガティブ型の感光
性樹脂層を形成し、その感光性樹脂層をパターン露光し
て現像することによりパターンの雌型を形成した後、パ
ターン形成材料を雌型に充填してから基板に雌型とパタ
ーン形成材料を同時に転写し、焼成によりパターン形成
材料を焼結するとともに雌型を除去することを特徴とす
る厚膜パターン形成方法。
2. A negative type photosensitive resin layer is formed on a base film, and the photosensitive resin layer is subjected to pattern exposure and development to form a pattern female mold. A method for forming a thick film pattern, comprising: simultaneously transferring a female mold and a pattern forming material to a substrate after filling, sintering the pattern forming material by firing, and removing the female mold.
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