JPH10207580A - Power on reset generation circuit, semiconductor integrated circuit and ic card - Google Patents

Power on reset generation circuit, semiconductor integrated circuit and ic card

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JPH10207580A
JPH10207580A JP9006165A JP616597A JPH10207580A JP H10207580 A JPH10207580 A JP H10207580A JP 9006165 A JP9006165 A JP 9006165A JP 616597 A JP616597 A JP 616597A JP H10207580 A JPH10207580 A JP H10207580A
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JP
Japan
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circuit
power
voltage
reset
generation circuit
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Withdrawn
Application number
JP9006165A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Kadokawa
滋 門川
Hiroshi Ogawara
浩 大河原
Masaaki Ando
公明 安藤
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Hitachi Ltd
Hitachi Solutions Technology Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi ULSI Systems Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a power ON reset generation circuit capable of accurately generating a power ON reset signal when power supply voltage reaches a prescribed level and interrupting the generation of the power ON reset signal when power supply voltage is within an allowable range even if the voltage is changed. SOLUTION: Reference voltage is inputted to the input terminal of a comparator CMP for comparing voltage divided by voltage dividing resistor circuits R11, R12 for dividing power supply voltage with reference voltage Vref generated from a band gap reference voltage generation circuit through a resistor R13. A pull down circuit consists of a resistor R14 and a switch transistor(TR) Qs mutually connected in series, the TR Qs is controlled by an output signal, and after generating a power ON reset signal, the comparing level of the comparator CMP is forcedly reduced by the resistors R13, R14 as compared with that held before the generation of the power ON reset signal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
おけるパワーオンリセット発生回路に適用して有効な技
術に関し、特に非接触型ICカードに用いられるトラン
シーバ用半導体集積回路におけるパワーオンリセット発
生回路に利用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technology effective when applied to a power-on reset generation circuit in a semiconductor integrated circuit, and more particularly to a power-on reset generation circuit in a semiconductor integrated circuit for a transceiver used in a non-contact type IC card. Regarding effective technology to use.

【0002】[0002]

【従来の技術】非接触型ICカードとして、コイルの相
互誘導現象を利用してデータの送受信および電力の供給
を受けるようにしたものが提案されている。かかる非接
触型ICカードにはデータ処理を行なうマイクロコンピ
ュータと、マイクロコンピュータとコイルとの間に接続
されて外部装置との間でデータの送受信を行なうための
トランシーバ用半導体集積回路が搭載される。このよう
なトランシーバ用半導体集積回路においては、電磁結合
を使用してコイルを介して入力される交流信号から電源
電圧および受信データ信号が生成される。そして、交流
信号を整流して直流電圧を発生する際すなわち電源電圧
が立ち上がるときにマイクロコンピュータに対して供給
されるリセットパルスを形成するためのパワーオンリセ
ット発生回路が設けられる。
2. Description of the Related Art There has been proposed a non-contact type IC card which transmits and receives data and receives electric power by utilizing a mutual induction phenomenon of coils. Such a non-contact type IC card includes a microcomputer for performing data processing, and a semiconductor integrated circuit for a transceiver connected between the microcomputer and the coil for transmitting and receiving data to and from an external device. In such a semiconductor integrated circuit for a transceiver, a power supply voltage and a received data signal are generated from an AC signal input through a coil using electromagnetic coupling. A power-on reset generation circuit is provided for generating a reset pulse supplied to the microcomputer when the DC signal is generated by rectifying the AC signal, that is, when the power supply voltage rises.

【0003】従来、パワーオンリセット発生回路として
は、例えば図7(A),(B)に示すような回路があっ
た。
Conventionally, as a power-on reset generation circuit, for example, there has been a circuit as shown in FIGS. 7A and 7B.

【0004】このうち、図7(A)に示す回路は、CR
時定数回路とインバータとを組合せ、時定数回路の電位
がインバータG1の論理しきい値レベルを超えたときに
パワーオンリセットパルスを発生するようにしたもので
ある。一方、図7(B)に示す回路は、図7(A)の回
路の前に電源電圧を抵抗分割する分圧回路と、分圧され
た電圧と基準電圧Vrefとを比較する比較器CMPとを
設けたものである。
Among them, the circuit shown in FIG.
A time constant circuit and an inverter are combined, and a power-on reset pulse is generated when the potential of the time constant circuit exceeds the logical threshold level of the inverter G1. On the other hand, the circuit shown in FIG. 7B includes a voltage dividing circuit for dividing the power supply voltage by resistance before the circuit of FIG. 7A, and a comparator CMP for comparing the divided voltage with the reference voltage Vref. Is provided.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、非接触
型ICカードに用いられるトランシーバ用半導体集積回
路におけるパワーオンリセット発生回路について検討し
た。
SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have studied a power-on reset generation circuit in a transceiver semiconductor integrated circuit used for a non-contact type IC card.

【0006】電源電圧が立ち上がるときにマイクロコン
ピュータに対してリセットパルスを出力するパワーオン
リセット発生回路は、マイクロコンピュータが誤動作し
ない電源電圧になってからリセットパルスを出力する必
要があるが、図7(A)の回路にあっては、電源電圧の
レベルを検出するインバータ自身の電源電圧が変動する
とともに、プロセスのばらつきによりインバータの論理
しきい値がばらついてしまうため、リセットパルスを発
生する電源電圧レベルの設定が困難であるという欠点が
ある。
A power-on reset generation circuit that outputs a reset pulse to a microcomputer when the power supply voltage rises needs to output a reset pulse after the power supply voltage has reached a level at which the microcomputer does not malfunction. In the circuit A), the power supply voltage of the inverter itself for detecting the level of the power supply voltage fluctuates, and the logic threshold value of the inverter varies due to process variations. Is difficult to set.

【0007】一方、図7(B)の回路にあっては、電源
電圧が下がったときに不要なリセットパルスを発生する
おそれがある。特に非接触型ICカードの場合にはカー
ドの位置決めが比較的ラフであるので、カードとそのリ
ード・ライト装置との結合状態が変化して電源電圧が変
動し易いため上記のような問題点が発生するおそれが高
い。
On the other hand, in the circuit of FIG. 7B, there is a possibility that an unnecessary reset pulse is generated when the power supply voltage drops. Particularly, in the case of a non-contact type IC card, since the positioning of the card is relatively rough, the coupling state between the card and its read / write device changes, and the power supply voltage tends to fluctuate. Highly likely to occur.

【0008】本発明の目的は、電源電圧が所定のレベル
に達したときに正確にパワーオンリセット信号を発生で
きるパワーオンリセット発生回路を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to provide a power-on reset generation circuit that can accurately generate a power-on reset signal when a power supply voltage reaches a predetermined level.

【0009】本発明の他の目的は、電源電圧が変動して
も許容範囲内であればパワーオンリセット信号を発生し
ないようなパワーオンリセット発生回路を提供すること
にある。
Another object of the present invention is to provide a power-on reset generation circuit which does not generate a power-on reset signal if the power supply voltage fluctuates within an allowable range.

【0010】この発明の前記ならびにそのほかの目的と
新規な特徴については、本明細書の記述および添附図面
から明らかになるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。
The outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application is as follows.

【0012】すなわち、本発明のパワーオンリセット発
生回路は、電源電圧を分圧する抵抗分圧回路で分圧され
た電圧とバンドギャップ基準電圧発生回路からの基準電
圧とを比較する比較器の入力端子に抵抗を介して基準電
圧を入力するとともに直列形態の抵抗とスイッチトラン
ジスタとからなるプルダウン回路を接続し、前記スイッ
チトランジスタを出力信号によって制御して、パワーオ
ンリセット信号発生後は上記抵抗によって上記比較器の
比較レベルをパワーオンリセット信号発生前よりも強制
的に低くする。また、上記比較器の後段に該比較器の出
力をイネーブル信号とし、入力交流信号を波形整形する
受信回路もしくは入力回路からの信号によって電源電圧
による充電を開始する時定数回路と、該時定数回路の充
電電圧のレベルを判定して所定のレベルになったときに
パワーオンリセット信号を出力する論理回路とを設ける
ようにしたものである。
That is, the power-on reset generation circuit of the present invention provides an input terminal of a comparator for comparing a voltage divided by a resistance voltage division circuit for dividing a power supply voltage with a reference voltage from a band gap reference voltage generation circuit. A reference voltage is input through a resistor, and a pull-down circuit including a resistor in series form and a switch transistor is connected to the switch transistor. The switch transistor is controlled by an output signal. The comparator comparison level is forcibly made lower than before the power-on reset signal is generated. A time-constant circuit which starts the charging with a power supply voltage by a signal from a receiving circuit or an input circuit which makes an output of the comparator an enable signal, and shapes an input AC signal at a stage subsequent to the comparator; And a logic circuit that outputs a power-on reset signal when the level of the charging voltage is determined and reaches a predetermined level.

【0013】上記した手段によれば、半導体集積回路に
おいて温度変化や電源電圧の変動にかかわらず一定の電
圧を発生することができるバンドギャップ基準電圧発生
回路からの基準電圧に基づいてパワーオンリセット信号
を出力するので、電源電圧が所定のレベルに達したとき
に正確にパワーオンリセット信号を発生することができ
るとともに、パワーオンリセット信号発生後は比較器の
比較レベルを低くするため電源電圧が変動してもそれが
許容範囲内すなわち回路(マイクロコンピュータ等)の
安定動作レベル以上であればパワーオンリセット信号を
発生しないようにすることができる。また、上記比較器
の後段に該比較器の出力をイネーブル信号とする時定数
回路を設けているので、電源電圧が回路の安定動作レベ
ルを充分に超えてからパワーオンリセット信号を発生さ
せることができる。
According to the above-mentioned means, a power-on reset signal is generated based on a reference voltage from a bandgap reference voltage generating circuit capable of generating a constant voltage in a semiconductor integrated circuit irrespective of a change in temperature or a change in power supply voltage. Output, a power-on reset signal can be accurately generated when the power supply voltage reaches a predetermined level, and after the power-on reset signal is generated, the power supply voltage fluctuates to lower the comparison level of the comparator. Even if it is within an allowable range, that is, higher than a stable operation level of a circuit (microcomputer or the like), a power-on reset signal can be prevented from being generated. Further, since a time constant circuit that uses the output of the comparator as an enable signal is provided at a stage subsequent to the comparator, it is possible to generate a power-on reset signal after the power supply voltage sufficiently exceeds the stable operation level of the circuit. it can.

【0014】上記時定数回路としては、入力交流信号を
波形整形する受信回路もしくは入力回路からの信号によ
ってオン、オフ動作するスイッチと該スイッチがオンし
たときに電荷が注入される容量とからなるチャージポン
プ回路を用いるようにする。これによって、入力交流信
号の強度すなわち振幅に応じてチャージポンプ回路を充
電動作させ、電源電圧の立ち上がり速度に応じた適切な
タイミングでパワーオンリセット信号を出力させること
ができる。
The time constant circuit includes a switch which is turned on and off by a signal from a receiving circuit or an input circuit for shaping an input AC signal, and a charge comprising a capacitor into which electric charge is injected when the switch is turned on. Use a pump circuit. This allows the charge pump circuit to perform the charging operation in accordance with the intensity, that is, the amplitude of the input AC signal, and output the power-on reset signal at an appropriate timing in accordance with the rising speed of the power supply voltage.

【0015】さらに、上記パワーオンリセット発生回路
の次段に上記パワーオンリセット信号発生後にクロック
発生回路からのクロック信号を計数し所定数以上になっ
たときにリセットパルスを出力するリセットパルス発生
回路を設けると良い。これによって、クロック信号が確
実に発生した後にマイクロコンピュータ等に対するリセ
ットパルスを発生させることができ、マイクロコンピュ
ータ等の誤動作を防止することができる。
Further, a reset pulse generating circuit which counts a clock signal from the clock generating circuit after generating the power-on reset signal and outputs a reset pulse when the count exceeds a predetermined number is provided at the next stage of the power-on reset generating circuit. It is good to provide. As a result, a reset pulse for a microcomputer or the like can be generated after the clock signal is reliably generated, and malfunction of the microcomputer or the like can be prevented.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面を用いて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0017】図1は本発明に係るパワーオンリセット発
生回路を備えた非接触型ICカードに用いられるトラン
シーバ用IC10の構成およびこれを搭載したICカー
ド全体の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a transceiver IC 10 used in a non-contact type IC card provided with a power-on reset generation circuit according to the present invention and a schematic configuration of an entire IC card on which the transceiver is mounted.

【0018】この実施例のトランシーバ用ICを搭載し
たICカードは、例えばプリント配線層により渦巻き状
に形成されたコイルLと、該コイルLの両端子に接続さ
れデータの送受信および電源電圧の生成を行なうトラン
シーバ用IC10と、該トランシーバ用IC10に接続
されデータの処理、記憶および送信データの形成を行な
うマイクロコンピュータチップ20と、上記トランシー
バ用IC10に接続された外付けのコンデンサCF,C
t1,Ct2等により構成されている。図には1つの渦
巻きパターンからなるコイルが示されているが、外部の
リード・ライト装置のヘッドの構成に応じて同様の渦巻
きパターンを2つ有するコイルとされる場合もある。
An IC card mounted with a transceiver IC according to this embodiment has, for example, a coil L spirally formed by a printed wiring layer, and is connected to both terminals of the coil L to transmit / receive data and generate a power supply voltage. Transceiver IC 10, a microcomputer chip 20 connected to the transceiver IC 10 for processing, storing, and forming transmission data, and external capacitors CF, C connected to the transceiver IC 10.
It is composed of t1, Ct2 and the like. Although the figure shows a coil having one spiral pattern, a coil having two similar spiral patterns may be used depending on the configuration of the head of an external read / write device.

【0019】上記マイクロコンピュータチップ20は記
憶装置として電気的に書込み・消去が可能なEEPRO
Mを内蔵しており、ICカードがリード・ライト装置か
ら排出されて電源の供給を受けない状態においてもデー
タを保持できるように構成されている。
The microcomputer chip 20 is an electrically programmable and erasable EEPROM as a storage device.
M is built in so that data can be retained even when the IC card is ejected from the read / write device and is not supplied with power.

【0020】特に制限されないが、トランシーバ用IC
10内の各ブロックを構成する回路素子は、公知の半導
体集積回路の製造技術によって、単結晶シリコンのよう
な1個の半導体基板上において形成される。
Although not particularly limited, transceiver ICs
Circuit elements constituting each block in 10 are formed on one semiconductor substrate such as single crystal silicon by a known semiconductor integrated circuit manufacturing technique.

【0021】1はトランシーバ用IC10の外部端子T
1,T2に接続(外付け)された電磁結合手段としての
コイルLより入力された交流信号を整流して直流電源電
圧を生成するダイオードブリッジからなる整流回路で、
この整流回路1の出力ノードは外部端子T3に接続さ
れ、この外部端子T3には10nFのような比較的大き
な容量値を有する電源フィルタ容量CFが接続可能にさ
れている。2は整流回路1によって整流された電圧の変
動を吸収して6〜20Vの所定の電位の電源電圧Vccを
生成する電圧リミッタ回路、3は生成された電源電圧V
ccを安定化させるシリーズレギュレータからなる電源安
定化回路で、この電源安定化回路3から出力された電源
電圧VDDは当該チップ内部の各回路に供給されるととも
に、外部端子T4に接続されたマイクロコンピュータチ
ップ20へも供給される。
1 is an external terminal T of the transceiver IC 10
1, a rectifier circuit comprising a diode bridge for rectifying an AC signal input from a coil L as an electromagnetic coupling means connected (externally connected) to T2 to generate a DC power supply voltage;
The output node of the rectifier circuit 1 is connected to an external terminal T3, and a power supply filter capacitor CF having a relatively large capacitance value such as 10 nF can be connected to the external terminal T3. Reference numeral 2 denotes a voltage limiter circuit that absorbs fluctuations in the voltage rectified by the rectifier circuit 1 to generate a power supply voltage Vcc having a predetermined potential of 6 to 20 V, and 3 denotes a generated power supply voltage Vcc.
A power supply stabilizing circuit comprising a series regulator for stabilizing cc. The power supply voltage VDD output from the power supply stabilizing circuit 3 is supplied to each circuit inside the chip, and a microcomputer connected to an external terminal T4. It is also supplied to the chip 20.

【0022】4は上記電源安定化回路3から出力される
電源電圧VDDを監視して電源投入時にパワーオンリセッ
ト信号を発生するパワーオンリセット発生回路、5は外
部のマイクロコンピュータチップ20に対するリセット
パルスPrを発生するリセットパルス発生回路である。
このリセットパルス発生回路5は、上記パワーオンリセ
ット発生回路4の出力がハイレベルに立ち上がってから
後述のPLL回路からなるクロック発生回路より出力さ
れるクロック信号を所定数計数したときに、リセットパ
ルスPrを形成して外部端子T5よりマイクロコンピュ
ータチップ20へ出力する。
4 is a power-on reset generation circuit for monitoring the power supply voltage VDD output from the power supply stabilization circuit 3 and generating a power-on reset signal when the power is turned on. 5 is a reset pulse Pr for the external microcomputer chip 20. Is a reset pulse generation circuit that generates the reset pulse.
The reset pulse generation circuit 5 generates a reset pulse Pr when a predetermined number of clock signals output from a clock generation circuit composed of a PLL circuit described later are counted after the output of the power-on reset generation circuit 4 rises to a high level. And outputs it to the microcomputer chip 20 from the external terminal T5.

【0023】6は上記コイル接続用外部端子T1,T2
に接続され入力交流信号を波形整形して出力するデータ
受信回路、7は波形整形された信号から「0」,「1」
のデータを再生するデータ復調回路で、復調されたデー
タは外部端子T6よりマイクロコンピュータチップ20
へ出力される。この実施例のトランシーバ用ICは、特
に制限されないが、PSK(Phase Shift Keying)変調
された信号の位相変化を検出してデータを復調するよう
に構成されている。上記データ復調回路7は、例えば後
述のクロック発生回路から供給されるクロック信号に同
期して、上記データ受信回路6から出力された信号をラ
ッチするフリップフロップ等により構成することができ
る。
Reference numeral 6 denotes the coil connecting external terminals T1 and T2.
And a data receiving circuit 7 for waveform-shaping and outputting the input AC signal, and outputting "0" and "1" from the waveform-shaped signal.
The demodulated data is supplied from an external terminal T6 to the microcomputer chip 20.
Output to Although not particularly limited, the transceiver IC of this embodiment is configured to detect a phase change of a PSK (Phase Shift Keying) modulated signal and demodulate data. The data demodulation circuit 7 can be composed of, for example, a flip-flop that latches a signal output from the data reception circuit 6 in synchronization with a clock signal supplied from a clock generation circuit described later.

【0024】8は上記データ受信回路6で波形整形され
た信号に基づいて入力交流信号に含まれている4.91
MHzの周波数の基準クロック信号に同期したクロック
信号CLKを発生するクロック発生回路で、発生された
クロックCLKはチップ内のリセットパルス発生回路5
や外部端子T7を介してチップ外部のマイクロコンピュ
ータ20等へ供給される。9は外部端子T8を介してマ
イクロコンピュータチップ20より入力されるシリアル
送信データに基づいて、外部端子T9,T10にドレイ
ン端子が接続されているドライブMOSFET Qd
1,Qd2をオン、オフ駆動して、コンデンサCt1,
Ct2とコイルLとからなる共振回路を共振状態および
非共振状態に切り換えることでデータを送信するバッフ
ァ回路等からなるデータ送信回路である。
Reference numeral 8 denotes 4.91 included in the input AC signal based on the signal shaped by the data receiving circuit 6.
A clock generation circuit for generating a clock signal CLK synchronized with a reference clock signal having a frequency of MHz.
And the microcomputer 20 and the like outside the chip via the external terminal T7. Reference numeral 9 denotes a drive MOSFET Qd having a drain terminal connected to the external terminals T9 and T10 based on serial transmission data input from the microcomputer chip 20 via the external terminal T8.
1 and Qd2 are turned on and off, and capacitors Ct1,
A data transmission circuit including a buffer circuit and the like for transmitting data by switching a resonance circuit including Ct2 and the coil L between a resonance state and a non-resonance state.

【0025】この実施例のPLL回路からなる上記クロ
ック発生回路8は、外部から入力された交流信号から抽
出された基準クロック信号CKinと帰還クロック信号C
Kfの位相差を検出する位相比較器80と、抵抗R1,
R2と容量C1とからなり位相差に応じた制御電圧Vc
oを発生するループフィルタ83と、このループフィル
タ83からの制御電圧Vcoに応じた周波数で発振する
電圧制御発振器84と、上記ループフィルタ83の出力
電圧Vcoを監視してPLLの誤ロックを防止する信号
および発振器の発振許容信号を形成して上記チャージポ
ンプ82及び電圧制御発振器84に供給する誤ロック防
止回路85と、上記電圧制御発振器84の発振信号を分
周する分周器86とにより構成されている。
The clock generation circuit 8 composed of the PLL circuit of this embodiment includes a reference clock signal CKin extracted from an AC signal inputted from the outside and a feedback clock signal C
A phase comparator 80 for detecting a phase difference of Kf;
A control voltage Vc according to the phase difference, which is composed of R2 and the capacitor C1.
o, a voltage-controlled oscillator 84 that oscillates at a frequency corresponding to the control voltage Vco from the loop filter 83, and monitors the output voltage Vco of the loop filter 83 to prevent erroneous locking of the PLL. An erroneous lock prevention circuit 85 that forms a signal and an oscillation allowable signal of the oscillator and supplies the signal to the charge pump 82 and the voltage controlled oscillator 84 and a frequency divider 86 that divides the oscillation signal of the voltage controlled oscillator 84. ing.

【0026】上記分周器86より出力されたクロック信
号CLKは帰還クロックCKfとして上記位相比較器8
1に帰還されるとともに、システムクロックとして上記
データ復調回路7およびリセットパルス発生回路5並び
に外部のマイクロコンピュータチップ20に対して供給
される。
The clock signal CLK output from the frequency divider 86 is used as the feedback clock CKf as the phase comparator 8
1 and supplied to the data demodulation circuit 7, the reset pulse generation circuit 5, and the external microcomputer chip 20 as a system clock.

【0027】図2には、上記パワーオンリセット発生回
路4の実施例が示されている。
FIG. 2 shows an embodiment of the power-on reset generation circuit 4.

【0028】この実施例のパワーオンリセット発生回路
4は、上記電源安定化回路3から供給される電源電圧V
DDと接地点との間に直列に接続された抵抗R11,R1
2からなる分圧回路と、前記抵抗R11,R12の接続
ノードn1の電位を反転入力端子に受けかつ非反転入力
端子にシリコンのバンドギャップに相当する電圧(1.
0〜1.2V)を発生するバンドギャップ基準電圧発生
回路からの基準電圧Vrefが印加された比較器CMP
と、該比較器CMPの出力をイネーブル信号として動作
する時定数回路CRGと、その後段に接続されたインバ
ータG1,G2とから構成されている。
The power-on reset generation circuit 4 of this embodiment is provided with a power supply voltage V supplied from the power supply stabilization circuit 3.
Resistors R11, R1 connected in series between DD and ground
2 and a voltage corresponding to the bandgap of silicon (1...) Receiving the potential of the connection node n1 of the resistors R11 and R12 at the inverting input terminal and the non-inverting input terminal.
0 to 1.2 V) from the bandgap reference voltage generating circuit.
And a time constant circuit CRG that operates using the output of the comparator CMP as an enable signal, and inverters G1 and G2 connected to the subsequent stage.

【0029】そして、上記比較器CMPの非反転入力側
端子に、抵抗R13を介して基準電圧Vrefが入力され
るとともに直列形態の抵抗R14とスイッチトランジス
タQsとからなるプルダウン回路が接続され、前記スイ
ッチトランジスタQsのベースにインバータG2の出力
信号が抵抗R15を介して帰還されるように構成されて
いる。また、上記時定数回路CRGは、上記比較器CM
Pの出力電圧Vcomを抵抗R16を介してベースに受
け、エミッタが接地点に接続された制御用トランジスタ
Q1と、該トランジスタQ1のコレクタにスイッチMO
SFET Q2を介して接続された定電流源I1と、上
記トランジスタQ1のコレクタと接地点との間に接続さ
れた容量C2とにより構成され、上記MOSFET Q
2のゲートに前述のデータ受信回路6からのパルスφi
が入力され、Q2と容量C2との接続ノードn2に前記
インバータG1の入力端子が接続されている。
A reference voltage Vref is input to a non-inverting input terminal of the comparator CMP via a resistor R13, and a pull-down circuit including a resistor R14 in series form and a switch transistor Qs is connected to the switch. The output signal of the inverter G2 is fed back to the base of the transistor Qs via the resistor R15. Further, the time constant circuit CRG is provided with the comparator CM
An output voltage Vcom of P is received at a base via a resistor R16, and a control transistor Q1 having an emitter connected to a ground point, and a switch MO connected to the collector of the transistor Q1.
The MOSFET Q includes a constant current source I1 connected via an SFET Q2, and a capacitor C2 connected between the collector of the transistor Q1 and a ground point.
The pulse φi from the data receiving circuit 6 described above
Is input, and the input terminal of the inverter G1 is connected to a connection node n2 between Q2 and the capacitor C2.

【0030】次に、上記パワーオンリセット発生回路4
の動作を図3のタイミングチャートを用いて説明する。
Next, the power-on reset generation circuit 4
Will be described with reference to the timing chart of FIG.

【0031】電源電圧VDDが立ち上がり始めると、まず
比較器CMPが活性化されてその出力がハイレベルとな
ってトランジスタQ1がオンされ、容量C2の電荷が引
き抜かれて、ノードn2の電位は接地電位とされる。従
って、このときインバータG1の出力はハイレベル、G
2の出力はロウレベルであり、比較器CMPの非反転入
力端子側のトランジスタQsはオフ状態とされ、非反転
入力端子には基準電圧Vrefがそのまま印加される。そ
して、電源電圧VDDがさらに上昇して抵抗R11,R1
2によって分圧されたノードn1の電位が基準電圧Vre
fよりも高くなると、上記比較器CMPの出力Vcom
がロウレベルに反転してトランジスタQ1がオフされる
(図3のタイミングt1)。
When the power supply voltage VDD starts to rise, first, the comparator CMP is activated, the output thereof becomes high level, the transistor Q1 is turned on, the charge of the capacitor C2 is extracted, and the potential of the node n2 is changed to the ground potential. It is said. Therefore, at this time, the output of the inverter G1 is high level,
2 is low level, the transistor Qs on the non-inverting input terminal side of the comparator CMP is turned off, and the reference voltage Vref is applied to the non-inverting input terminal as it is. Then, the power supply voltage VDD further rises and the resistances R11, R1
2 is divided by the reference voltage Vre
f, the output Vcom of the comparator CMP
Is inverted to a low level to turn off the transistor Q1 (timing t1 in FIG. 3).

【0032】一方、スイッチMOSFET Q2のゲー
トにはデータ受信回路6からクロック状のパルスφiが
入って来るため、Q2はオン、オフを繰り返し、Q2が
オンしている間に定電流源I1から容量C2に電荷が流
れ込んで充電され、ノードn2の電位Vn2が徐々に上昇
する。このノードn2の電位Vn2がインバータG1の論
理しきい値よりも高くなる(図3のタイミングt2)
と、インバータG1の出力がハイレベルからロウレベル
に変化し、これがパワーオンリセット信号Ponとして
次段のリセットパルス発生回路5に供給される。する
と、カウンタからなるリセットパルス発生回路5はクロ
ックパルスを計数し、所定数を計数すると出力がロウレ
ベルからハイレベルへ変化し(図3のタイミングt
3)、これがリセットパルスPrとしてマイクロコンピ
ュータチップ20等へ出力される。
On the other hand, since the clock-like pulse φi is input from the data receiving circuit 6 to the gate of the switch MOSFET Q2, Q2 is repeatedly turned on and off, and the capacitor from the constant current source I1 is turned on while Q2 is on. Electric charge flows into C2 and is charged, and the potential Vn2 of the node n2 gradually increases. The potential Vn2 of the node n2 becomes higher than the logical threshold value of the inverter G1 (timing t2 in FIG. 3).
Then, the output of the inverter G1 changes from the high level to the low level, and this is supplied to the next-stage reset pulse generation circuit 5 as the power-on reset signal Pon. Then, the reset pulse generation circuit 5 composed of a counter counts the clock pulses, and when a predetermined number is counted, the output changes from a low level to a high level (at timing t in FIG. 3).
3) This is output to the microcomputer chip 20 and the like as a reset pulse Pr.

【0033】また、インバータG1の出力がロウレベル
になると次段インバータG2の出力はハイレベルに変化
しこれによってトランジスタQsがオンされる。する
と、比較器CMPの非反転入力端子には基準電圧Vref
を抵抗R13とR14の比で分割した電圧Vcが印加さ
れ、比較レベルがパワーオンリセット信号発生前よりも
強制的に低くされる。その結果、トランジスタQsがな
く基準電圧Vrefでのみ電源電圧レベルを判定する場合
には、図3の符号Aのように、電源電圧VDDが判定レベ
ルVb(=Vref)以下に低下しただけで上記比較器
CMPの出力が反転してトランジスタQsがオンされ、
容量C2の電荷がディスチャージされてパワーオンリセ
ット信号Ponがハイレベルに立ち上がってリセットパ
ルスPrを立ち下げてしまうものが、実施例の回路では
電源電圧VDDがVbよりも低いVc以下に下がったとき
に初めて比較器CMPの出力が反転しパワーオンリセッ
ト信号Ponがロウレベルに変化するようになる(図3
のタイミングt4)。
When the output of the inverter G1 goes low, the output of the next-stage inverter G2 goes high, thereby turning on the transistor Qs. Then, the reference voltage Vref is applied to the non-inverting input terminal of the comparator CMP.
Is divided by the ratio of the resistors R13 and R14, and the comparison level is forcibly lowered compared to before the power-on reset signal is generated. As a result, in the case where the power supply voltage level is determined only by the reference voltage Vref without the transistor Qs, the power supply voltage VDD is reduced to the determination level Vb (= Vref) or less, as indicated by the symbol A in FIG. The output of the device CMP is inverted to turn on the transistor Qs,
Although the charge of the capacitor C2 is discharged and the power-on reset signal Pon rises to a high level and causes the reset pulse Pr to fall, the circuit of this embodiment is used when the power supply voltage VDD falls below Vc lower than Vb. For the first time, the output of the comparator CMP is inverted and the power-on reset signal Pon changes to low level (FIG. 3).
Timing t4).

【0034】従って、上記電圧Vcがマイクロコンピュ
ータの動作安定電圧と一致するように抵抗R13とR1
4の抵抗比を設定しておくことにより、電源電圧VDDが
充分に立ち上がってマイクロコンピュータが動作を開始
した後にカードがずれてリード・ライト装置との電磁結
合が緩くなり電源電圧VDDが低下したような場合に、電
源電圧がマイクロコンピュータの動作安定電圧Vcより
も高ければリセットパルスPrが立ち下がってリセット
がかかるのを回避することができるようになる。つま
り、電源電圧VDDが図3に鎖線Aで示すような変動をし
た場合、従来のパワーオンリセット発生回路ではパワー
オンリセット信号が立ち下がってマイクロコンピュータ
等に対してリセットがかかってしまうものが、上記実施
例のパワーオンリセット発生回路を使用した場合にはマ
イクロコンピュータ等にリセットがかからないようにさ
れる。なお、図3において、Vdは実施例の回路が動作
する最低電圧レベルである。
Therefore, the resistors R13 and R1 are set so that the voltage Vc matches the operation stable voltage of the microcomputer.
By setting the resistance ratio to 4, the power supply voltage VDD has risen sufficiently and the microcomputer has started operation. In such a case, if the power supply voltage is higher than the operation stable voltage Vc of the microcomputer, it is possible to prevent the reset pulse Pr from falling and resetting. That is, when the power supply voltage VDD fluctuates as shown by a chain line A in FIG. When the power-on reset generation circuit of the above embodiment is used, the microcomputer is not reset. In FIG. 3, Vd is the lowest voltage level at which the circuit of the embodiment operates.

【0035】図4には、上記パワーオンリセット発生回
路4のより具体的な実施例回路が示されている。
FIG. 4 shows a more specific embodiment of the power-on reset generation circuit 4.

【0036】図4において、図2の回路と同一の回路部
分には同一の符号が付されている。この実施例の回路は
基本的な構成は図2の回路と同じであり、同様の作用効
果を有する。第1の実施例回路に加えてこの実施例で
は、比較器CMPの反転入力端子(−)と接地点との間
に電源電圧VDDからノイズを除去する容量C3が設けら
れている。そして、電源電圧VDDを分圧する抵抗R1
1,R12はそれぞれ10kΩ、90kΩのような抵抗
値に設定され、容量C2は25pFのような容量値に設
定されている。
In FIG. 4, the same circuit portions as those in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals. The circuit of this embodiment has the same basic configuration as the circuit of FIG. 2 and has the same operation and effect. In this embodiment, in addition to the circuit of the first embodiment, a capacitor C3 for removing noise from the power supply voltage VDD is provided between the inverting input terminal (-) of the comparator CMP and the ground point. A resistor R1 for dividing the power supply voltage VDD
1 and R12 are set to resistance values such as 10 kΩ and 90 kΩ, respectively, and the capacitance C2 is set to a capacitance value such as 25 pF.

【0037】比較器CMPは、ダーリントン接続された
入力トランジスタQ11,Q12とQ13,Q14、ア
クティブ負荷トランジスタQ15,Q16、出力エミッ
タ接地トランジスタQ17および定電流用トランジスタ
Q21〜Q24からなる差動増幅回路11と、トランジ
スタQ31〜Q40からなり上記定電流用トランジスタ
Q21〜Q24にベースバイアス電圧を与えるバイアス
回路12とから構成されている。時定数回路CRGを構
成する定電流源I1は、比較器CMPの非反転入力端子
に印加される基準電圧Vrefと同一の基準電圧がベース
に印加され所定の電流を流すトランジスタ Q41と、
このトランジスタQ41のコレクタ側に接続されカレン
トミラー回路を構成するMOSFET Q42,Q43
とから構成され、Q43のドレインが前記スイッチMO
SFET Q2のドレインに接続されて容量C2をチャ
ージアップするための電流を与える。インバータG1は
直列形態のMOSFET Q51,Q52により、また
インバータG2は同じく直列形態のMOSFET Q6
1,Q62によりそれぞれ構成されている。
The comparator CMP includes a differential amplifier circuit 11 composed of Darlington-connected input transistors Q11, Q12 and Q13, Q14, active load transistors Q15, Q16, a common output emitter transistor Q17, and constant current transistors Q21 to Q24. , And a bias circuit 12 for applying a base bias voltage to the constant current transistors Q21 to Q24. The constant current source I1 constituting the time constant circuit CRG includes a transistor Q41 having a base applied with the same reference voltage as the reference voltage Vref applied to the non-inverting input terminal of the comparator CMP and flowing a predetermined current;
MOSFETs Q42 and Q43 which are connected to the collector side of this transistor Q41 and constitute a current mirror circuit
And the drain of Q43 is connected to the switch MO
It is connected to the drain of the SFET Q2 to supply a current for charging up the capacitor C2. The inverter G1 is formed by series-type MOSFETs Q51 and Q52, and the inverter G2 is formed by a series-type MOSFET Q6.
1 and Q62.

【0038】図5および図6には、図2のパワーオンリ
セット発生回路の変形例が示されている。
FIGS. 5 and 6 show modifications of the power-on reset generation circuit of FIG.

【0039】このうち図5の実施例の回路は、図2の実
施例におけるバイポーラ・トランジスタQs,Q1の代
わりにMOSFETを用いるようにしたもので、図2の
パワーオンリセット発生回路とほぼ同様の作用効果を有
する。Qs,Q1としてMOSFETを用いたことによ
り、ベース抵抗となる抵抗R15,R16は不要とな
る。また、インバータG1,G2も省略している。
5 uses a MOSFET in place of the bipolar transistors Qs and Q1 in the embodiment of FIG. 2, and is substantially the same as the power-on reset generation circuit of FIG. Has an effect. By using MOSFETs as Qs and Q1, the resistors R15 and R16 serving as base resistors become unnecessary. The inverters G1 and G2 are also omitted.

【0040】図6の実施例の回路は、図2の実施例にお
ける時定数回路CRGのMOSFET Q2の代わりに
抵抗R17を用い、チャージポンプ型時定数回路の代わ
りにCR時定数回路としたもので、図2のパワーオンリ
セット発生回路とほぼ同様の作用効果を有する。
The circuit of the embodiment of FIG. 6 uses a resistor R17 instead of the MOSFET Q2 of the time constant circuit CRG in the embodiment of FIG. 2, and uses a CR time constant circuit instead of the charge pump type time constant circuit. Has almost the same operation and effect as the power-on reset generation circuit of FIG.

【0041】以上説明したように上記実施例のパワーオ
ンリセット発生回路は、電源電圧を分圧する抵抗分圧回
路で分圧された電圧とバンドギャップ基準電圧発生回路
からの基準電圧とを比較する比較器の入力端子に抵抗を
介して基準電圧を入力するとともに直列形態の抵抗とス
イッチトランジスタとからなるプルダウン回路を接続
し、前記スイッチトランジスタを出力信号によって制御
して、パワーオンリセット信号発生後は上記抵抗によっ
て上記比較器の比較レベルをパワーオンリセット信号発
生前よりも強制的に低くするとともに、上記比較器の後
段に該比較器の出力をイネーブル信号とし、入力交流信
号を波形整形する受信回路もしくは入力回路からの信号
によって電源電圧による充電を開始する時定数回路と、
該時定数回路の充電電圧のレベルを判定して所定のレベ
ルになったときにパワーオンリセット信号を出力する論
理回路とを設けるようにしたので、半導体集積回路にお
いて温度変化や電源電圧の変動にかかわらず一定の電圧
を発生することができるバンドギャップ基準電圧発生回
路からの基準電圧に基づいてパワーオンリセット信号を
出力するため、電源電圧が所定のレベルに達したときに
正確にパワーオンリセット信号を発生することができる
とともに、パワーオンリセット信号発生後は比較器の比
較レベルを低くするため電源電圧が変動してもそれが許
容範囲内すなわち回路(マイクロコンピュータ等)の安
定動作レベル以上であればパワーオンリセット信号を発
生しないようにすることができる。また、上記比較器の
後段に該比較器の出力をイネーブル信号とする時定数回
路を設けているので、電源電圧が回路の安定動作レベル
を充分に超えてからパワーオンリセット信号を発生させ
ることができるという効果がある。
As described above, the power-on reset generation circuit according to the above-described embodiment compares the voltage divided by the resistance voltage dividing circuit for dividing the power supply voltage with the reference voltage from the band gap reference voltage generating circuit. A reference voltage is input to the input terminal of the device via a resistor, and a pull-down circuit including a resistor in series form and a switch transistor is connected, and the switch transistor is controlled by an output signal. A receiving circuit for forcibly lowering the comparison level of the comparator by a resistor as compared with before the power-on reset signal is generated, and using the output of the comparator as an enable signal at the subsequent stage of the comparator to shape the waveform of the input AC signal or A time constant circuit that starts charging with the power supply voltage by a signal from the input circuit,
A logic circuit that determines the level of the charging voltage of the time constant circuit and outputs a power-on reset signal when the level reaches a predetermined level. The power-on reset signal is output based on the reference voltage from the bandgap reference voltage generation circuit that can generate a constant voltage regardless of whether the power-on reset signal is accurate when the power supply voltage reaches a predetermined level. Can be generated, and after the power-on reset signal is generated, if the power supply voltage fluctuates within the allowable range, that is, is higher than the stable operation level of the circuit (microcomputer or the like) in order to lower the comparison level of the comparator. For example, a power-on reset signal can be prevented from being generated. Further, since a time constant circuit that uses the output of the comparator as an enable signal is provided at a stage subsequent to the comparator, it is possible to generate a power-on reset signal after the power supply voltage sufficiently exceeds the stable operation level of the circuit. There is an effect that can be.

【0042】上記時定数回路として、入力交流信号を波
形整形する受信回路もしくは入力回路からの信号によっ
てオン、オフ動作するスイッチと該スイッチがオンした
ときに電荷が注入される容量とからなるチャージポンプ
回路を用いるようにしたので、入力交流信号の強度すな
わち振幅に応じてチャージポンプ回路を充電動作させ、
電源電圧の立ち上がり速度に応じた適切なタイミングで
パワーオンリセット信号を出力させることができるとい
う効果がある。
As the time constant circuit, a charge pump comprising a switch for turning on and off by a signal from a receiving circuit or an input circuit for shaping an input AC signal and a capacitor into which electric charge is injected when the switch is turned on. Because the circuit is used, the charge pump circuit is charged according to the intensity, that is, the amplitude of the input AC signal,
There is an effect that the power-on reset signal can be output at an appropriate timing according to the rising speed of the power supply voltage.

【0043】さらに、上記パワーオンリセット発生回路
の次段に上記パワーオンリセット信号発生後にクロック
発生回路からのクロック信号を計数し所定数以上になっ
たときにリセットパルスを出力するリセットパルス発生
回路を設けるようにしたので、クロック信号が確実に発
生した後にマイクロコンピュータ等に対するリセットパ
ルスを発生させることができ、マイクロコンピュータ等
の誤動作を防止することができるという効果がある。
Further, at the next stage of the power-on reset generation circuit, there is provided a reset pulse generation circuit which counts the clock signal from the clock generation circuit after the generation of the power-on reset signal and outputs a reset pulse when the count exceeds a predetermined number. Since it is provided, the reset pulse for the microcomputer or the like can be generated after the clock signal is reliably generated, and the malfunction of the microcomputer or the like can be prevented.

【0044】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明はそれに限定さ
れるものでなく、例えば上記実施例では、パワーオンリ
セット発生回路の次段に該パワーオンリセット発生回路
で形成された信号に基づいてクロック信号を計数して所
定数を計数したときにリセットパルスを出力するリセッ
トパルス発生回路を設けているが、このリセットパルス
発生回路はデータ受信回路から出力されるパルスを計数
してリセットパルスを出力するように構成しても良い。
Although the invention made by the inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment. For example, in the above-described embodiment, the invention is provided next to the power-on reset generation circuit. A reset pulse generation circuit is provided which outputs a reset pulse when the clock signal is counted based on a signal formed by the power-on reset generation circuit and a predetermined number is counted. The reset pulse generation circuit is a data reception circuit. May be configured to count the pulses output from and output a reset pulse.

【0045】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である電磁結
合の非接触型ICカードに用いられるトランシーバIC
におけるパワーオンリセット発生回路に適用した場合に
ついて説明したが、本発明は発明はそれに限定されるも
のでなく半導体集積回路におけるパワーオンリセット発
生回路一般に利用することができる。
In the above description, a transceiver IC used in a non-contact type IC card of electromagnetic coupling, which is a field of application which is a background of the invention made mainly by the present inventors.
Has been described above, the present invention is not limited to this, and can be used in general for a power-on reset generation circuit in a semiconductor integrated circuit.

【0046】[0046]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0047】すなわち、電源電圧が所定のレベルに達し
たときに正確にパワーオンリセット信号を発生できると
ともに、電源電圧が変動しても許容範囲内であればパワ
ーオンリセット信号を発生しないようなパワーオンリセ
ット発生回路を実現することができる。
That is, a power-on reset signal can be accurately generated when the power supply voltage reaches a predetermined level, and a power-on reset signal that does not generate a power-on reset signal within a permissible range even when the power supply voltage fluctuates. An on-reset generation circuit can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るパワーオンリセット発生回路を備
えた非接触型ICカードに用いられるトランシーバ用I
Cの構成を示すブロック図である。
FIG. 1 shows a transceiver I used for a non-contact type IC card having a power-on reset generation circuit according to the present invention.
It is a block diagram which shows the structure of C.

【図2】パワーオンリセット発生回路の実施例を示す回
路構成図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of a power-on reset generation circuit.

【図3】パワーオンリセット発生回路における電源電圧
と各部の信号波形を示す波形図である。
FIG. 3 is a waveform diagram showing a power supply voltage and a signal waveform of each part in the power-on reset generation circuit.

【図4】図2のパワーオンリセット発生回路の具体例を
示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a specific example of a power-on reset generation circuit of FIG. 2;

【図5】パワーオンリセット発生回路の第2の実施例を
示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a second embodiment of the power-on reset generation circuit.

【図6】パワーオンリセット発生回路の第3の実施例を
示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a third embodiment of the power-on reset generation circuit.

【図7】本発明に先立って検討したパワーオンリセット
発生回路の構成例を示す回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration example of a power-on reset generation circuit studied prior to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

L コイル 1 整流回路 2 電圧リミッタ回路(定電圧電源回路) 3 電源安定化回路 4 パワーオンリセット発生回路 5 リセットパルス発生回路 6 データ受信回路 7 データ復調回路 8 クロック発生回路 9 データ送信回路 10 トランシーバ用半導体集積回路 20 マイクロコンピュータ L coil 1 Rectifier circuit 2 Voltage limiter circuit (constant voltage power supply circuit) 3 Power supply stabilization circuit 4 Power-on reset generation circuit 5 Reset pulse generation circuit 6 Data reception circuit 7 Data demodulation circuit 8 Clock generation circuit 9 Data transmission circuit 10 For transceiver Semiconductor integrated circuit 20 Microcomputer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大河原 浩 東京都小平市上水本町5丁目22番1号 株 式会社日立マイコンシステム内 (72)発明者 安藤 公明 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hiroshi Ogawara 5-22-1, Josuihoncho, Kodaira-shi, Tokyo Inside Hitachi Microcomputer System Co., Ltd. Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電源電圧を分圧する抵抗分圧回路と、該
分圧回路で分圧された電圧と基準電圧とを比較する比較
器と、該比較器の基準電圧入力側端子に接続された入力
抵抗と、上記基準電圧入力側端子と接地点との間に接続
された直列形態の抵抗とスイッチトランジスタとからな
るプルダウン回路と、上記比較器の出力によって徐々に
電圧を立ち上げる時定数回路とを備え、パワーオンリセ
ット信号出力後は上記プルダウン回路が動作されて上記
比較器の基準電圧入力側端子に印加される電圧が下がる
ように構成されてなることを特徴とするパワーオンリセ
ット発生回路。
1. A resistor voltage dividing circuit for dividing a power supply voltage, a comparator for comparing a voltage divided by the voltage dividing circuit with a reference voltage, and a reference voltage input terminal of the comparator. An input resistor, a pull-down circuit including a series-connected resistor and a switch transistor connected between the reference voltage input terminal and the ground point, and a time constant circuit that gradually raises a voltage by the output of the comparator. A power-on reset generating circuit, wherein after the power-on reset signal is output, the pull-down circuit is operated to lower the voltage applied to the reference voltage input terminal of the comparator.
【請求項2】 上記基準電圧はバンドギャップ基準電圧
発生回路で発生された電圧であることを特徴とする請求
項1に記載のパワーオンリセット発生回路。
2. The power-on reset generation circuit according to claim 1, wherein said reference voltage is a voltage generated by a band gap reference voltage generation circuit.
【請求項3】 上記時定数回路は、容量と、該容量に選
択的に電荷を注入する第1のスイッチトランジスタと、
上記容量の電荷を上記比較器の出力に応じて引き抜くた
めの第2のスイッチトランジスタとにより構成されてい
ることを特徴とする請求項1または2に記載のパワーオ
ンリセット発生回路。
3. A time constant circuit comprising: a capacitor; a first switch transistor for selectively injecting charge into the capacitor;
3. The power-on reset generation circuit according to claim 1, further comprising a second switch transistor for extracting the electric charge of the capacitance according to the output of the comparator.
【請求項4】 上記時定数回路の後段には、該時定数回
路の充電電圧のレベルを判定して所定のレベルになった
ときにパワーオンリセット信号を出力する論理回路が接
続されていることを特徴とする請求項1、2または3に
記載のパワーオンリセット発生回路。
4. A logic circuit for determining a charging voltage level of the time constant circuit and outputting a power-on reset signal when a predetermined level is reached is connected to a stage subsequent to the time constant circuit. The power-on reset generation circuit according to claim 1, 2 or 3.
【請求項5】 電磁結合手段が接続される外部端子と、
該外部端子に接続された電磁結合手段を介して入力され
た交流電圧を整流して直流電圧を形成する整流回路と、
該整流回路で形成された電圧から所定のレベルの電源電
圧を形成する定電圧電源回路と、該定電圧電源回路で生
成された電源電圧の立ち上がりを検出してパワーオンリ
セット信号を形成する請求項1〜4に記載のパワーオン
リセット発生回路とを備えてなることを特徴とするIC
カードのトランシーバ用半導体集積回路。
5. An external terminal to which the electromagnetic coupling means is connected,
A rectifier circuit that rectifies the AC voltage input through the electromagnetic coupling means connected to the external terminal to form a DC voltage;
A constant voltage power supply circuit for forming a power supply voltage of a predetermined level from the voltage formed by the rectifier circuit, and a power-on reset signal is formed by detecting a rise of the power supply voltage generated by the constant voltage power supply circuit. An IC comprising the power-on reset generation circuit according to any one of claims 1 to 4.
Semiconductor integrated circuits for card transceivers.
【請求項6】 上記パワーオンリセット発生回路の次段
に該パワーオンリセット発生回路で形成された信号に基
づいてクロック信号の計数を開始して所定数を計数した
ときにリセットパルスを出力するリセットパルス発生回
路を備えてなることを特徴とする請求項5に記載のIC
カードのトランシーバ用半導体集積回路。
6. A reset which starts counting a clock signal based on a signal formed by the power-on reset generation circuit at the next stage of the power-on reset generation circuit and outputs a reset pulse when a predetermined number is counted. The IC according to claim 5, further comprising a pulse generation circuit.
Semiconductor integrated circuits for card transceivers.
【請求項7】 1枚のカード状基板上に、請求項6に記
載のトランシーバ用半導体集積回路と、該半導体集積回
路に接続された電磁結合手段と、マイクロコンピュータ
チップとが搭載され、上記トランシーバ用半導体集積回
路のパワーオンリセット発生回路からの信号に基づいて
上記マイクロコンピュータチップに対するリセットパル
スの供給が行なわれるとともに、上記マイクロコンピュ
ータチップは上記トランシーバ用半導体集積回路を介し
て外部装置との間のデータの送受信を行なうように構成
されてなることを特徴とする非接触型ICカード。
7. The transceiver according to claim 6, wherein the semiconductor integrated circuit for a transceiver, the electromagnetic coupling means connected to the semiconductor integrated circuit, and the microcomputer chip are mounted on a single card-shaped substrate. A reset pulse is supplied to the microcomputer chip based on a signal from a power-on reset generation circuit of the semiconductor integrated circuit, and the microcomputer chip is connected to an external device through the transceiver semiconductor integrated circuit. A non-contact IC card configured to transmit and receive data.
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