JPH10203847A - 磁気ヘッド用結晶化ガラス基板およびその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド用結晶化ガラス基板およびその製造方法Info
- Publication number
- JPH10203847A JPH10203847A JP9251389A JP25138997A JPH10203847A JP H10203847 A JPH10203847 A JP H10203847A JP 9251389 A JP9251389 A JP 9251389A JP 25138997 A JP25138997 A JP 25138997A JP H10203847 A JPH10203847 A JP H10203847A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- magnetic head
- crystallized glass
- zno
- mgo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/007—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by thermal treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0009—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing silica as main constituent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C19/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by mechanical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2204/00—Glasses, glazes or enamels with special properties
- C03C2204/08—Glass having a rough surface
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好なる機械加工性および表面特性を有し、
磁気ディスクに対して優れた摩擦特性を有する磁気ヘッ
ド用結晶化ガラス基板およびその製造方法を提供するこ
とにある。 【解決手段】 主結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・
２ＳｉＯ2 ）結晶および、α−クォーツ（α−Ｓｉ
Ｏ2 ）とα−クリストバライト（α−ＳｉＯ2 ）の中か
ら選ばれた１種又は２種の結晶との混晶であり、該α−
クォーツ（α−ＳｉＯ2 ）は結晶粒子が凝集した複数の
粒子からなる球状粒子構造であり、その球状粒子の大き
さは０．１〜３．０μｍの範囲の径を有し、該α−クリ
ストバライトは球状結晶粒子構造であり、その球状粒子
の大きさは０．１〜１．０μｍの範囲の径を有してお
り、更に該結晶化ガラス基板の表面粗度（Ｒａ）は５〜
５０Åなる特性を有する、磁気へッド用結晶化ガラス基
板を得る。
磁気ディスクに対して優れた摩擦特性を有する磁気ヘッ
ド用結晶化ガラス基板およびその製造方法を提供するこ
とにある。 【解決手段】 主結晶相が二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・
２ＳｉＯ2 ）結晶および、α−クォーツ（α−Ｓｉ
Ｏ2 ）とα−クリストバライト（α−ＳｉＯ2 ）の中か
ら選ばれた１種又は２種の結晶との混晶であり、該α−
クォーツ（α−ＳｉＯ2 ）は結晶粒子が凝集した複数の
粒子からなる球状粒子構造であり、その球状粒子の大き
さは０．１〜３．０μｍの範囲の径を有し、該α−クリ
ストバライトは球状結晶粒子構造であり、その球状粒子
の大きさは０．１〜１．０μｍの範囲の径を有してお
り、更に該結晶化ガラス基板の表面粗度（Ｒａ）は５〜
５０Åなる特性を有する、磁気へッド用結晶化ガラス基
板を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、良好な機械加工性
および表面特性を有し、更に磁気ディスクに対して優れ
た摩擦特性を有する結晶化ガラスからなる磁気ヘッド用
基板およびその製造方法に関する。
および表面特性を有し、更に磁気ディスクに対して優れ
た摩擦特性を有する結晶化ガラスからなる磁気ヘッド用
基板およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年マルチメディヤ化が進み、画像、音
声等で大容量のデータを取り扱う様になってきた。この
ため、コンピューターの主外部記録媒体としてのＨＤＤ
（ハードディスク）装置の大容量化、高速化が急激に進
行しており、またこれに伴い、薄膜磁気ヘッドにおいて
は、従来の磁気誘導型（インダクティブ）の薄膜磁気ヘ
ッドから磁気抵抗効果型のＭＲへッドが主流になりつつ
あり、更に将来、高感度対応のための巨大磁気抵抗（Ｇ
ＭＲ）型ヘッドが注目を集めている。現在、ハードディ
スクはその稼働時に基板を高速で回転させ、磁気へッド
を浮上させてハードディスク基板上への書き込みおよび
読み出しを磁気へッドを介して行っている。これらＨＤ
Ｄにおいて、起動時にＣＳＳ（コンタクト・スタート・
ストップ）方式を用いている装置では、この際に磁気ヘ
ッドスライダーと磁気ディスクとの吸着を防止するた
め、ディスク基板上に磁気ディスクの円周方向にほぼ同
心円周上に機械的研磨を行って加工痕を残す加工（機械
的テクステャ）が行われている。ディスク基板に対して
のテクスチャ処理としては、他に薬品によるエッチング
処理、スパッタ処理、レーザー加工等が行われている。
一方、基板表面に特殊な結晶構造を有する結晶粒子を析
出させて、このような特殊なテクスチャ処理を行わない
方法も提案されている。磁気へッドにおいてのＣＣＳに
対する対策としては、以下のものが知られている。
声等で大容量のデータを取り扱う様になってきた。この
ため、コンピューターの主外部記録媒体としてのＨＤＤ
（ハードディスク）装置の大容量化、高速化が急激に進
行しており、またこれに伴い、薄膜磁気ヘッドにおいて
は、従来の磁気誘導型（インダクティブ）の薄膜磁気ヘ
ッドから磁気抵抗効果型のＭＲへッドが主流になりつつ
あり、更に将来、高感度対応のための巨大磁気抵抗（Ｇ
ＭＲ）型ヘッドが注目を集めている。現在、ハードディ
スクはその稼働時に基板を高速で回転させ、磁気へッド
を浮上させてハードディスク基板上への書き込みおよび
読み出しを磁気へッドを介して行っている。これらＨＤ
Ｄにおいて、起動時にＣＳＳ（コンタクト・スタート・
ストップ）方式を用いている装置では、この際に磁気ヘ
ッドスライダーと磁気ディスクとの吸着を防止するた
め、ディスク基板上に磁気ディスクの円周方向にほぼ同
心円周上に機械的研磨を行って加工痕を残す加工（機械
的テクステャ）が行われている。ディスク基板に対して
のテクスチャ処理としては、他に薬品によるエッチング
処理、スパッタ処理、レーザー加工等が行われている。
一方、基板表面に特殊な結晶構造を有する結晶粒子を析
出させて、このような特殊なテクスチャ処理を行わない
方法も提案されている。磁気へッドにおいてのＣＣＳに
対する対策としては、以下のものが知られている。
【０００３】特開昭５６−１６９２６４号公報では、記
録媒体面に対向するスライダー面に非接着性の膜を形成
し、スライダーの吸着を防止する磁気ヘッドが提案され
ている。また、特開平５−１８２１８９号公報では、磁
気へッドの磁気ディスク基板面に接するレール部に感光
性ガラス層を形成し、この感光性ガラス層の表面に凹凸
のパターンを形成し、これにより吸着を防止する方法が
提案されている。特開昭６３−６０１２７号公報には主
結晶相としてα−石英およびスピネルを析出させた磁気
ヘッド基板材用高強度高膨張性結晶化ガラスが開示され
ている。しかしながら、前述した非接着性の膜を形成し
たへッドについては、その皮膜が固体材料であれば摺動
時に皮膜の摩耗粉が摺動障害の原因となる可能性があ
り、液体であれば摩耗、摩擦による脱着を引き起こし、
スライダー付着物となり性能劣化を引き起こす可能性が
ある。
録媒体面に対向するスライダー面に非接着性の膜を形成
し、スライダーの吸着を防止する磁気ヘッドが提案され
ている。また、特開平５−１８２１８９号公報では、磁
気へッドの磁気ディスク基板面に接するレール部に感光
性ガラス層を形成し、この感光性ガラス層の表面に凹凸
のパターンを形成し、これにより吸着を防止する方法が
提案されている。特開昭６３−６０１２７号公報には主
結晶相としてα−石英およびスピネルを析出させた磁気
ヘッド基板材用高強度高膨張性結晶化ガラスが開示され
ている。しかしながら、前述した非接着性の膜を形成し
たへッドについては、その皮膜が固体材料であれば摺動
時に皮膜の摩耗粉が摺動障害の原因となる可能性があ
り、液体であれば摩耗、摩擦による脱着を引き起こし、
スライダー付着物となり性能劣化を引き起こす可能性が
ある。
【０００４】また、感光性ガラスを用いた磁気へッドで
は、磁気へッドに設けたガラス層の脱離の問題や、凹凸
を形成する際に感光処理またはエッチング処理を行わね
ばならず、コスト、手間等が増大するという問題を抱え
ている。結晶相にα−石英およびスピネルを析出させた
結晶化ガラスは高い強度を有しているが、その反面加工
性が非常に悪い。アルミナーチタン・カーバイト系焼結
材を用いた磁気へッド材料は非常に硬く、加工性が悪い
材料であり、そのうえボイドが多く、磁気へッドの生産
性および低コスト化を妨げる要因となっている。
は、磁気へッドに設けたガラス層の脱離の問題や、凹凸
を形成する際に感光処理またはエッチング処理を行わね
ばならず、コスト、手間等が増大するという問題を抱え
ている。結晶相にα−石英およびスピネルを析出させた
結晶化ガラスは高い強度を有しているが、その反面加工
性が非常に悪い。アルミナーチタン・カーバイト系焼結
材を用いた磁気へッド材料は非常に硬く、加工性が悪い
材料であり、そのうえボイドが多く、磁気へッドの生産
性および低コスト化を妨げる要因となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、結晶化ガラス
の析出結晶の結晶構造および結晶粒子を制御することに
より、表面特性に一段と優れた結晶化ガラスからなる磁
気へッド用基板およびその製造方法を提供することにあ
る。
従来技術に見られる諸欠点を解消しつつ、結晶化ガラス
の析出結晶の結晶構造および結晶粒子を制御することに
より、表面特性に一段と優れた結晶化ガラスからなる磁
気へッド用基板およびその製造方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記目的を
達成するため鋭意試験研究を重ねた結果、極めて限定さ
れたＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−Ｐ2 Ｏ5 系原ガラスを、特定
条件の熱処理を行うことによって得られる結晶化ガラス
の結晶構造は、二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）の微細結晶の中に、α−クォーツ（α−Ｓｉ
Ｏ2 ）の凝集球状結晶粒子とα−クリストバライトの球
状粒子の中から選ばれる１種又は２種がランダムに析出
した混晶状態の構造であり、この構造は機械的・化学的
に不安定な二珪酸リチウム結晶相及び、機械的・化学的
に安定なα−クォーツの凝集球状粒子とα−クリストバ
ライトの球状粒子の中から選ばれる１種又は２種の結晶
相との間に、研磨加工により機械的・化学的作用に対応
して、表面に凹凸を生じることを見いだし、更に、α−
クォーツの凝集球状粒子とα−クリストバライトの球状
粒子の中から選ばれる１種又は２種の結晶のサイズを制
御することにより、研磨してなる表面特性の優れた、磁
気ヘッド用基板材が得られることを見いだし、本発明を
成すに至った。
達成するため鋭意試験研究を重ねた結果、極めて限定さ
れたＳｉＯ2 −Ｌｉ2 Ｏ−Ｐ2 Ｏ5 系原ガラスを、特定
条件の熱処理を行うことによって得られる結晶化ガラス
の結晶構造は、二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）の微細結晶の中に、α−クォーツ（α−Ｓｉ
Ｏ2 ）の凝集球状結晶粒子とα−クリストバライトの球
状粒子の中から選ばれる１種又は２種がランダムに析出
した混晶状態の構造であり、この構造は機械的・化学的
に不安定な二珪酸リチウム結晶相及び、機械的・化学的
に安定なα−クォーツの凝集球状粒子とα−クリストバ
ライトの球状粒子の中から選ばれる１種又は２種の結晶
相との間に、研磨加工により機械的・化学的作用に対応
して、表面に凹凸を生じることを見いだし、更に、α−
クォーツの凝集球状粒子とα−クリストバライトの球状
粒子の中から選ばれる１種又は２種の結晶のサイズを制
御することにより、研磨してなる表面特性の優れた、磁
気ヘッド用基板材が得られることを見いだし、本発明を
成すに至った。
【０００７】すなわち、請求項１に記載の発明は、磁気
へッド用結晶化ガラス基板において、前記結晶化ガラス
基板の主結晶相は二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ
2 ）および、α−クォーツ（α−ＳｉＯ2 ）及びα−ク
リストバライト（α−ＳｉＯ2 ）の中から選ばれた１種
又は２種の結晶との混晶であって、該α−クォーツは結
晶粒子がそれぞれ凝集した複数の粒子からなる球状粒子
構造であり、その球状粒子の大きさは０．１〜３．０μ
ｍの範囲の径を有し、該α−クリストバライトは球状結
晶粒子構造であり、その球状粒子の大きさは０．１〜
１．０μｍの範囲の径を有しており、更に、前記結晶化
ガラス基板の研磨後の表面粗度（Ｒａ）は５〜５０Åの
範囲内であることを特徴とする、磁気ヘッド用結晶化ガ
ラス基板であり、
へッド用結晶化ガラス基板において、前記結晶化ガラス
基板の主結晶相は二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ
2 ）および、α−クォーツ（α−ＳｉＯ2 ）及びα−ク
リストバライト（α−ＳｉＯ2 ）の中から選ばれた１種
又は２種の結晶との混晶であって、該α−クォーツは結
晶粒子がそれぞれ凝集した複数の粒子からなる球状粒子
構造であり、その球状粒子の大きさは０．１〜３．０μ
ｍの範囲の径を有し、該α−クリストバライトは球状結
晶粒子構造であり、その球状粒子の大きさは０．１〜
１．０μｍの範囲の径を有しており、更に、前記結晶化
ガラス基板の研磨後の表面粗度（Ｒａ）は５〜５０Åの
範囲内であることを特徴とする、磁気ヘッド用結晶化ガ
ラス基板であり、
【０００８】請求項２に記載の発明は、前記結晶化ガラ
ス基板は重量百分率で、 ＳｉＯ2 ６５ 〜８３ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１３ ％、 Ｋ2 Ｏ ０ 〜 ７ ％、 ＭｇＯ ０．５ 〜 ５．５％、 ＺｎＯ ０ 〜 ５ ％、 ＰｂＯ ０ 〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ ０．５〜５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ４ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 ０ 〜 ７ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを熱処理することによって得られるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の磁気へッド用結晶化
ガラス基板であり、
ス基板は重量百分率で、 ＳｉＯ2 ６５ 〜８３ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１３ ％、 Ｋ2 Ｏ ０ 〜 ７ ％、 ＭｇＯ ０．５ 〜 ５．５％、 ＺｎＯ ０ 〜 ５ ％、 ＰｂＯ ０ 〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ ０．５〜５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ４ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 ０ 〜 ７ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを熱処理することによって得られるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の磁気へッド用結晶化
ガラス基板であり、
【０００９】請求項３に記載の発明は、前記結晶化ガラ
ス基板は重量百分率で、 ＳｉＯ2 ７０ 〜８２ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１２ ％、 Ｋ2 Ｏ １ 〜 ６ ％、 ＭｇＯ １ 〜 ５ ％、 ＺｎＯ ０．２〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．５〜５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ３ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 １ 〜 ６ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを熱処理することによって得られるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の磁気ヘット用結晶化
ガラス基板であり、
ス基板は重量百分率で、 ＳｉＯ2 ７０ 〜８２ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１２ ％、 Ｋ2 Ｏ １ 〜 ６ ％、 ＭｇＯ １ 〜 ５ ％、 ＺｎＯ ０．２〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．５〜５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ３ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 １ 〜 ６ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを熱処理することによって得られるこ
とを特徴とする、請求項１に記載の磁気ヘット用結晶化
ガラス基板であり、
【００１０】請求項４に記載の発明は、磁気ヘッド用結
晶化ガラス基板の製造方法において、重量百分率で ＳｉＯ2 ６５ 〜８３ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１３ ％、 Ｋ2 Ｏ ０ 〜 ７ ％、 ＭｇＯ ０．５〜 ５．５％、 ＺｎＯ ０ 〜 ５ ％、 ＰｂＯ ０ 〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ ０．５〜５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ４ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 ０ 〜 ７ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを４００〜６００℃の核形成温度で１
〜１０時間の範囲で熱処埋し、つづいて、６５０〜８５
０℃の結晶化温度で１〜１０時間の範囲で熱処埋後、表
面を５〜５０Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨することを特
徴とする、磁気ヘッド用結晶化ガラス基板の製造方法で
あり、
晶化ガラス基板の製造方法において、重量百分率で ＳｉＯ2 ６５ 〜８３ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１３ ％、 Ｋ2 Ｏ ０ 〜 ７ ％、 ＭｇＯ ０．５〜 ５．５％、 ＺｎＯ ０ 〜 ５ ％、 ＰｂＯ ０ 〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ ０．５〜５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ４ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 ０ 〜 ７ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを４００〜６００℃の核形成温度で１
〜１０時間の範囲で熱処埋し、つづいて、６５０〜８５
０℃の結晶化温度で１〜１０時間の範囲で熱処埋後、表
面を５〜５０Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨することを特
徴とする、磁気ヘッド用結晶化ガラス基板の製造方法で
あり、
【００１１】請求項５に記載の発明は、磁気ヘッド用結
晶化ガラス基板の製造方法において、重量百分率で ＳｉＯ2 ７０ 〜８２ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１２ ％、 Ｋ2 Ｏ １ 〜 ６ ％、 ＭｇＯ １ 〜 ５ ％、 ＺｎＯ ０．２〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．５〜５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ３ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 １ 〜 ６ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを４５０〜５４０℃の核形成温度で１
〜５時間の範囲で熱処理し、つづいて、７３０〜８２０
℃の結晶化温度で１〜５時間の範囲で熱処埋する後、表
面を５〜５０Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨することを特
徴とする、磁気ヘット用結晶化ガラス基板の製造方法で
ある。
晶化ガラス基板の製造方法において、重量百分率で ＳｉＯ2 ７０ 〜８２ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１２ ％、 Ｋ2 Ｏ １ 〜 ６ ％、 ＭｇＯ １ 〜 ５ ％、 ＺｎＯ ０．２〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．５〜５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ３ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 １ 〜 ６ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを４５０〜５４０℃の核形成温度で１
〜５時間の範囲で熱処理し、つづいて、７３０〜８２０
℃の結晶化温度で１〜５時間の範囲で熱処埋する後、表
面を５〜５０Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨することを特
徴とする、磁気ヘット用結晶化ガラス基板の製造方法で
ある。
【００１２】本発明の磁気へッド用基板を構成する結晶
化ガラス基板において、主結晶相は二珪酸リチウム結晶
（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）および、α−クォーツ（α−
ＳｉＯ2 ）とα−クリストバライトの中から選ばれる１
種又は２種の結晶との混晶で、且つ、該α−クォーツ
は、それそれが凝集した複数の粒子からなる球状粒子構
造を有しており、その球状粒子の大きさは０．１〜３．
０μｍの範囲であり、該α−クリストバライトは球状粒
子構造を有しており、その球状粒子の大きさは０．１〜
１．０μｍの範囲であり、更に、研磨してなる該結晶化
ガラス基板の表面粗度は５〜５０Åであることが、磁気
へッドと磁気ディスクとのトライボロジーの上で必要で
ある。好ましくは、α−クォーツの凝集球状粒子の大き
さは０．１〜２．０μｍ、α−クリストバライトの球状
粒子の大きさは０．１〜０．８μｍ、研磨後の表面粗度
が５〜４０Åであり、特に好ましくは、α−クォーツの
凝集球状粒子の大きさは０．１〜１．５μｍ、α−クリ
ストバライトの球状粒子の大きさは０．１〜０．６μ
ｍ、研磨後の表面粗度が５〜３０Åである。
化ガラス基板において、主結晶相は二珪酸リチウム結晶
（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）および、α−クォーツ（α−
ＳｉＯ2 ）とα−クリストバライトの中から選ばれる１
種又は２種の結晶との混晶で、且つ、該α−クォーツ
は、それそれが凝集した複数の粒子からなる球状粒子構
造を有しており、その球状粒子の大きさは０．１〜３．
０μｍの範囲であり、該α−クリストバライトは球状粒
子構造を有しており、その球状粒子の大きさは０．１〜
１．０μｍの範囲であり、更に、研磨してなる該結晶化
ガラス基板の表面粗度は５〜５０Åであることが、磁気
へッドと磁気ディスクとのトライボロジーの上で必要で
ある。好ましくは、α−クォーツの凝集球状粒子の大き
さは０．１〜２．０μｍ、α−クリストバライトの球状
粒子の大きさは０．１〜０．８μｍ、研磨後の表面粗度
が５〜４０Åであり、特に好ましくは、α−クォーツの
凝集球状粒子の大きさは０．１〜１．５μｍ、α−クリ
ストバライトの球状粒子の大きさは０．１〜０．６μ
ｍ、研磨後の表面粗度が５〜３０Åである。
【００１３】前記該磁気ヘッド用結晶化ガラス基板の組
成は、原ガラスと同様酸化物基準で表示し得る。以下
に、原ガラスの組成範囲に限定した理由について述べ
る。
成は、原ガラスと同様酸化物基準で表示し得る。以下
に、原ガラスの組成範囲に限定した理由について述べ
る。
【００１４】ＳｉＯ2 成分は、原ガラスの熱処理により
主結晶相としての二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ
2 ） およびα−クォーツ・α−クリストバライトを生
成する極めて重要な成分であるが、その量が６５％未満
では得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定で結晶組
織が粗大化しやすく、また、８３％を超えると原ガラス
の溶融が困難となる。実験の結果、好ましい範囲は７０
〜８２％であり、特に好ましい範囲は７０〜７７％であ
ることが分かった。
主結晶相としての二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ
2 ） およびα−クォーツ・α−クリストバライトを生
成する極めて重要な成分であるが、その量が６５％未満
では得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定で結晶組
織が粗大化しやすく、また、８３％を超えると原ガラス
の溶融が困難となる。実験の結果、好ましい範囲は７０
〜８２％であり、特に好ましい範囲は７０〜７７％であ
ることが分かった。
【００１５】Ｌｉ2 Ｏ成分は、ガラスの熱処理により主
結晶相としての二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ））を生成する重要な成分てあるが、その量が８％
未満では上記結晶の析出が困難であると同時に原ガラス
の溶融が困難となり、また、１３％を超えると得られる
結晶化ガラスの析出結晶の組織が粗大化しやすいうえ、
化学的耐久性および硬度が低下する。好ましい範囲は８
〜１２％であり、特に好ましい範囲は８〜１１％であ
る。
結晶相としての二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ））を生成する重要な成分てあるが、その量が８％
未満では上記結晶の析出が困難であると同時に原ガラス
の溶融が困難となり、また、１３％を超えると得られる
結晶化ガラスの析出結晶の組織が粗大化しやすいうえ、
化学的耐久性および硬度が低下する。好ましい範囲は８
〜１２％であり、特に好ましい範囲は８〜１１％であ
る。
【００１６】Ｋ2 Ｏ成分はガラスの溶融性を向上させる
と同時に析出結晶の粗大化を防止する効果を有する成分
であるが、７％を超えると、逆に析出結晶の異常成長・
結晶相変化及び化学的耐久性の低下をもたらすため、７
％以下とする必要がある。好ましい範囲は１〜６％であ
り、特に好ましい範囲は１〜５％である。
と同時に析出結晶の粗大化を防止する効果を有する成分
であるが、７％を超えると、逆に析出結晶の異常成長・
結晶相変化及び化学的耐久性の低下をもたらすため、７
％以下とする必要がある。好ましい範囲は１〜６％であ
り、特に好ましい範囲は１〜５％である。
【００１７】ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＰｂＯの二価金属酸
化物は、本発明における結晶化ガラスの主結晶相として
のα−クォーツ（α−ＳｉＯ2 ）の結晶を凝集した球状
粒子としてガラス中にランダムに析出させるための重要
な成分であり、実験の結果、所望の結晶を析出させるに
は、ＭｇＯ成分は、０．５〜５．５％の範囲である必要
があり、ＺｎＯ、ＰｂＯは前記析出の調整補助を目的と
して、各々５％まで含有させることができる。但し、こ
の時上記３成分の合計量が０．５％未満では所望の結晶
粒径が得られず、また、５．５％を超えると所望の結晶
が析出し難くなる。尚、好ましい範囲は、ＭｇＯが１〜
５％、ＺｎＯが０．２〜５％、但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯは
１．５〜５．５％の範囲であり、特に好ましい範囲は、
ＭｇＯが２〜４％、ＺｎＯが０．５〜４％、但し、Ｍｇ
Ｏ＋ＺｎＯは２．５〜５．５％の範囲である。
化物は、本発明における結晶化ガラスの主結晶相として
のα−クォーツ（α−ＳｉＯ2 ）の結晶を凝集した球状
粒子としてガラス中にランダムに析出させるための重要
な成分であり、実験の結果、所望の結晶を析出させるに
は、ＭｇＯ成分は、０．５〜５．５％の範囲である必要
があり、ＺｎＯ、ＰｂＯは前記析出の調整補助を目的と
して、各々５％まで含有させることができる。但し、こ
の時上記３成分の合計量が０．５％未満では所望の結晶
粒径が得られず、また、５．５％を超えると所望の結晶
が析出し難くなる。尚、好ましい範囲は、ＭｇＯが１〜
５％、ＺｎＯが０．２〜５％、但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯは
１．５〜５．５％の範囲であり、特に好ましい範囲は、
ＭｇＯが２〜４％、ＺｎＯが０．５〜４％、但し、Ｍｇ
Ｏ＋ＺｎＯは２．５〜５．５％の範囲である。
【００１８】Ｐ2 Ｏ5 成分は、本発明において、ガラス
の結晶核形成剤として不可欠な成分であるが、その量が
１％未満では結晶核の形成が不十分であり、また、４％
を超えると、得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定
で組織が組大化しやすい上、原ガラスの溶融中に失透を
起こしやすくなる。好ましい範囲は１〜３％であり、特
に好ましい範囲は１．５〜２．５％である。
の結晶核形成剤として不可欠な成分であるが、その量が
１％未満では結晶核の形成が不十分であり、また、４％
を超えると、得られる結晶化ガラスの析出結晶が不安定
で組織が組大化しやすい上、原ガラスの溶融中に失透を
起こしやすくなる。好ましい範囲は１〜３％であり、特
に好ましい範囲は１．５〜２．５％である。
【００１９】Ａｌ2 Ｏ3 成分は、結晶化ガラスの化学的
耐久性を向上させる有効な成分であるが、その量が７％
を超えるとガラスの溶融性が悪化し、また、主結晶とし
てのα−クォーツの結晶析出量が低下する。好ましい範
囲は１〜６％である。
耐久性を向上させる有効な成分であるが、その量が７％
を超えるとガラスの溶融性が悪化し、また、主結晶とし
てのα−クォーツの結晶析出量が低下する。好ましい範
囲は１〜６％である。
【００２０】ＡＳ2 Ｏ3 およびＳｂ2 Ｏ3 成分はガラス
溶融の際の清澄剤として添加し得るがその合計量は２％
以下で十分である。
溶融の際の清澄剤として添加し得るがその合計量は２％
以下で十分である。
【００２１】なお、本発明においては、析出結晶粒径調
整用として、上記成分の他に所望の特性を損なわない範
囲で少量のＢ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ
2 、ＳｎＯ2 およびＺｒＯ2 を含有させることができ
る。
整用として、上記成分の他に所望の特性を損なわない範
囲で少量のＢ2 Ｏ3 、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＴｉＯ
2 、ＳｎＯ2 およびＺｒＯ2 を含有させることができ
る。
【００２２】また、上記組成範囲の原ガラスから磁気へ
ッド用結晶化ガラス基板を製造するには、上記組成を有
するガラスを溶融し、熱間成形あるいは冷間加工を行っ
た後、４００〜６００℃の核形成温度で１〜１０時間の
範囲で熱処理し、つづいて、６５０〜８５０℃の結晶化
温度範囲で熱処埋することにより容易に製造することが
できる。核形成温度が４００℃未満ではＰ2 Ｏ5 成分の
分相によって引き起こされる核形成が不十分であり、一
方、核形成温度が６００℃を超えると、結晶核として析
出する二珪酸リチウムの微結晶が均一に析出しないのと
同時に粗大な結晶核となるため、その後析出するα−ク
ォーツ（α−ＳｉＯ2 ）の凝集した球状粒子が分散し、
α−クォーツ単一結晶粒子となったり、α−クリストバ
ライトの異常粒径結晶を生成してしまう。
ッド用結晶化ガラス基板を製造するには、上記組成を有
するガラスを溶融し、熱間成形あるいは冷間加工を行っ
た後、４００〜６００℃の核形成温度で１〜１０時間の
範囲で熱処理し、つづいて、６５０〜８５０℃の結晶化
温度範囲で熱処埋することにより容易に製造することが
できる。核形成温度が４００℃未満ではＰ2 Ｏ5 成分の
分相によって引き起こされる核形成が不十分であり、一
方、核形成温度が６００℃を超えると、結晶核として析
出する二珪酸リチウムの微結晶が均一に析出しないのと
同時に粗大な結晶核となるため、その後析出するα−ク
ォーツ（α−ＳｉＯ2 ）の凝集した球状粒子が分散し、
α−クォーツ単一結晶粒子となったり、α−クリストバ
ライトの異常粒径結晶を生成してしまう。
【００２３】結晶化温度は、ＭｇＯ成分等の二価金属酸
化物の効果と相まってα−クォーツの結晶を凝集した球
状粒子構造に、あるいはα−クリストバライトを球状粒
子構造に制御するのに重要な温度であるが、その温度が
６５０℃未満では、生成したα−クォーツ微結晶が凝集
して球状粒子構造を形成し難く、８５０℃を超えるとα
−クオーツ微結晶の凝集球状粒子構造もしくはα−クリ
ストバライトの球状粒子構造を保つことができなくな
る。尚、磁気へッド用基板として最も好適な表面粗度を
得るには４５０〜５４０℃の核形成温度で１〜５時間の
範囲で、つづいて、７３０〜８２０℃の結晶化温度で１
〜５時間の範囲で熱処埋するのがより好ましい。
化物の効果と相まってα−クォーツの結晶を凝集した球
状粒子構造に、あるいはα−クリストバライトを球状粒
子構造に制御するのに重要な温度であるが、その温度が
６５０℃未満では、生成したα−クォーツ微結晶が凝集
して球状粒子構造を形成し難く、８５０℃を超えるとα
−クオーツ微結晶の凝集球状粒子構造もしくはα−クリ
ストバライトの球状粒子構造を保つことができなくな
る。尚、磁気へッド用基板として最も好適な表面粗度を
得るには４５０〜５４０℃の核形成温度で１〜５時間の
範囲で、つづいて、７３０〜８２０℃の結晶化温度で１
〜５時間の範囲で熱処埋するのがより好ましい。
【００２４】次に、この熱処理により結晶化した結晶化
ガラスを、通常法によりラッピングした後、ポリッシン
グすることにより、表面粗度（Ｒａ）が５〜５０Åの範
囲の磁気へッド用基板材が得られる。
ガラスを、通常法によりラッピングした後、ポリッシン
グすることにより、表面粗度（Ｒａ）が５〜５０Åの範
囲の磁気へッド用基板材が得られる。
【００２５】
【発明の実施の形態】次に本発明にかかる好適な実施例
について説明する。表１〜６は、本発明の磁気へッド用
基板の実施組成例（Ｎｏ．１〜２２）および比較例１，
２の組成を有する原ガラスを、表中にある条件（核形成
温度、結晶化温度及び各処理時間）にて製造し、得られ
た結晶化ガラスの結晶相および研磨後の表面粗度（Ｒ
ａ）の測定結果を示したものである。なお、表中におい
て、各成分の数値は重量％表示、α−クォーツはα−Ｑ
と、α−クリストバライトはα−Ｃと表示した。
について説明する。表１〜６は、本発明の磁気へッド用
基板の実施組成例（Ｎｏ．１〜２２）および比較例１，
２の組成を有する原ガラスを、表中にある条件（核形成
温度、結晶化温度及び各処理時間）にて製造し、得られ
た結晶化ガラスの結晶相および研磨後の表面粗度（Ｒ
ａ）の測定結果を示したものである。なお、表中におい
て、各成分の数値は重量％表示、α−クォーツはα−Ｑ
と、α−クリストバライトはα−Ｃと表示した。
【００２６】
【表１】
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】
【表４】
【００３０】
【表５】
【００３１】
【表６】
【００３２】本発明の上記実施例の磁気ヘッド用結晶化
ガラス基板は、いずれも酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原
料を混合し、これを通常の溶融装置を用いて約１３５０
〜１５００℃の温度で溶融し、攪拌均質化した後、所望
の形状に成形し、冷却後、所定のガラス成形体を得た。
その後、これを所定の温度および所定の時間で熱処理
（結晶核形成・結晶化の各工程）を行うことにより、所
望の結晶化ガラスを得て、続いて、上記結晶化ガラスを
ＧＣ系砥粒でラッピング後、平均粒径９〜１２μｍの酸
化セリウムにて約３０〜４０分間ポリッシングして仕上
げた。表面粗度（Ｒａ）の測定は表面粗さ計（Ｔｅｎｃ
ｏｒ Ｐ２）を、析出結晶の同定にはＸ線回折装置を用
いた。
ガラス基板は、いずれも酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の原
料を混合し、これを通常の溶融装置を用いて約１３５０
〜１５００℃の温度で溶融し、攪拌均質化した後、所望
の形状に成形し、冷却後、所定のガラス成形体を得た。
その後、これを所定の温度および所定の時間で熱処理
（結晶核形成・結晶化の各工程）を行うことにより、所
望の結晶化ガラスを得て、続いて、上記結晶化ガラスを
ＧＣ系砥粒でラッピング後、平均粒径９〜１２μｍの酸
化セリウムにて約３０〜４０分間ポリッシングして仕上
げた。表面粗度（Ｒａ）の測定は表面粗さ計（Ｔｅｎｃ
ｏｒ Ｐ２）を、析出結晶の同定にはＸ線回折装置を用
いた。
【００３３】実施例に示すように、本発明の磁気ヘッド
用結晶化ガラスは、二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）の微細結晶中に、α−クォーツ（α−ＳｉＯ2 ）
の凝集球状粒子及びα−クリストバライトの球状粒子の
中から選ばれる１種又は２種の結晶をランダムに析出さ
せることにより所望の表面粗度が得られる。一方、比較
例１の結晶化ガラス基板は析出結晶相がα−クォーツお
よびスピネルであるが所望の表面粗度が得られず、また
核形成温度および結晶化温度が本発明の熱処埋温度より
はるかに高温となるため、生産性が悪い。比較例２の結
晶化ガラス基板は析出結晶相がα−クォーツおよび二珪
酸リチウムであるが、析出結晶の粒径が大きすぎるため
に、所望の表面粗度が得られない。
用結晶化ガラスは、二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）の微細結晶中に、α−クォーツ（α−ＳｉＯ2 ）
の凝集球状粒子及びα−クリストバライトの球状粒子の
中から選ばれる１種又は２種の結晶をランダムに析出さ
せることにより所望の表面粗度が得られる。一方、比較
例１の結晶化ガラス基板は析出結晶相がα−クォーツお
よびスピネルであるが所望の表面粗度が得られず、また
核形成温度および結晶化温度が本発明の熱処埋温度より
はるかに高温となるため、生産性が悪い。比較例２の結
晶化ガラス基板は析出結晶相がα−クォーツおよび二珪
酸リチウムであるが、析出結晶の粒径が大きすぎるため
に、所望の表面粗度が得られない。
【００３４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による結晶化
ガラスの結晶構造は二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）の微細結晶の中に、α−クォーツ（α−Ｓｉ
Ｏ2 ）の凝集球状粒子およびα−クリストバライトの球
状粒子の中から選ばれる１種又は２種の結晶がランダム
に析出した混晶構造であって、該α−クォーツの凝集球
状粒子については０．１〜３．０μｍの範囲内の径を有
し、また該α−クリストバライトの球状粒子については
０．１〜１．０μｍの範囲内の径を有しており、更に磁
気ヘッド基板を研磨してなる表面粗度（Ｒａ）は５〜５
０Åの範囲内にあることにより、磁気ディスク装置の始
動／停止（ＣＳＳ）特性向上のため従来の磁気ヘッド基
板材に必要であったレーザーテクスチャ、機械的、化学
的テクスチャ処理を全く施す必要のない表面粗度を有す
る磁気ヘッド用基板を得ることができる。
ガラスの結晶構造は二珪酸リチウム（Ｌｉ2 Ｏ・２Ｓｉ
Ｏ2 ）の微細結晶の中に、α−クォーツ（α−Ｓｉ
Ｏ2 ）の凝集球状粒子およびα−クリストバライトの球
状粒子の中から選ばれる１種又は２種の結晶がランダム
に析出した混晶構造であって、該α−クォーツの凝集球
状粒子については０．１〜３．０μｍの範囲内の径を有
し、また該α−クリストバライトの球状粒子については
０．１〜１．０μｍの範囲内の径を有しており、更に磁
気ヘッド基板を研磨してなる表面粗度（Ｒａ）は５〜５
０Åの範囲内にあることにより、磁気ディスク装置の始
動／停止（ＣＳＳ）特性向上のため従来の磁気ヘッド基
板材に必要であったレーザーテクスチャ、機械的、化学
的テクスチャ処理を全く施す必要のない表面粗度を有す
る磁気ヘッド用基板を得ることができる。
【００３５】しかも上記範囲内の所望の表面粗度を熱処
埋条件を変えるだけで容易に得ることができるため、あ
らゆる表面粗度を有する磁気ディスク基板にマッチング
させることができる。さらに、基板表面は繊密な結晶構
造を有し、ピットやボイド等の表面欠陥も存在しない。
したがって、高密度記録用磁気ディスク装置に対して好
適な特性を備えた磁気ヘッド用基板を低コストで、か
つ、安定して量産することができる。
埋条件を変えるだけで容易に得ることができるため、あ
らゆる表面粗度を有する磁気ディスク基板にマッチング
させることができる。さらに、基板表面は繊密な結晶構
造を有し、ピットやボイド等の表面欠陥も存在しない。
したがって、高密度記録用磁気ディスク装置に対して好
適な特性を備えた磁気ヘッド用基板を低コストで、か
つ、安定して量産することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 25/04 １０１ Ｇ１１Ｂ 25/04 １０１Ｒ
Claims (5)
- 【請求項１】 磁気へッド用結晶化ガラス基板におい
て、前記結晶化ガラス基板の主結晶相は、二珪酸リチウ
ム（Ｌｉ2 Ｏ・２ＳｉＯ2 ）結晶および、αークォーツ
（α−ＳｉＯ2 ）とα−クリストバライト（α−ＳｉＯ
2 ）の中から選ばれた１種又は２種の結晶との混晶であ
って、該α−クォーツは結晶粒子がそれぞれ凝集した複
数の粒子からなる球状粒子構造であり、その球状粒子の
大きさは０．１〜３．０μｍの範囲の径を有し、該α−
クリストバライトは球状結晶粒子構造であり、その球状
粒子の大きさは０．１〜１．０μｍの範囲の径を有して
おり、更に前記結晶化ガラス基板の研磨後の表面粗度
（Ｒａ）は５〜５０Åの範囲内であることを特徴とす
る、磁気へッド用結晶化ガラス基板。 - 【請求項２】 前記磁気ヘッド用結晶化ガラス基板は重
量百分率で、 ＳｉＯ2 ６５ 〜８３ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１３ ％、 Ｋ2 Ｏ ０ 〜 ７ ％、 ＭｇＯ ０．５ 〜 ５．５％、 ＺｎＯ ０ 〜 ５ ％、 ＰｂＯ ０ 〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ ０．５〜５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ４ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 ０ 〜 ７ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを熱処理後、表面を５〜５０Åの表面
粗度（Ｒａ）に研磨することによって得られることを特
徴とする、請求項１に記載の磁気へッド用結晶化ガラス
基板。 - 【請求項３】 前記磁気ヘッド用結晶化ガラス基板は重
量百分率で、 ＳｉＯ2 ７０ 〜８２ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１２ ％、 Ｋ2 Ｏ １ 〜 ６ ％、 ＭｇＯ １ 〜 ５ ％、 ＺｎＯ ０．２〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．５〜 ５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ３ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 １ 〜 ６ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを熱処理することによって得られるこ
とを特徴とする請求項１に記載の磁気へッド用結晶化ガ
ラス基板。 - 【請求項４】 磁気へッド用結晶化ガラス基板の製造方
法において、重量百分率で、 ＳｉＯ2 ６５ 〜８３ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１３ ％、 Ｋ2 Ｏ ０ 〜 ７ ％、 ＭｇＯ ０．５〜５．５％、 ＺｎＯ ０ 〜 ５ ％、 ＰｂＯ ０ 〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ ０．５〜５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ４ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 ０ 〜 ７ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを４００〜６００℃の核形成温度で１
〜１０時間の範囲で熱処理し、つづいて、６５０〜８５
０℃の結晶化温度で１〜１０時間の範囲で熱処理した
後、表面を５〜５０Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨するこ
とを特徴とする、磁気へッド用結晶化ガラス基板の製造
方法。 - 【請求項５】 磁気へッド用結晶化ガラス基板の製造方
法において、重量百分率で、 ＳｉＯ2 ７０ 〜８２ ％、 Ｌｉ2 Ｏ ８ 〜１２ ％、 Ｋ2 Ｏ １ 〜 ６ ％、 ＭｇＯ １ 〜 ５ ％、 ＺｎＯ ０．２〜 ５ ％、 但し、ＭｇＯ＋ＺｎＯ １．５〜 ５．５％、 Ｐ2 Ｏ5 １ 〜 ３ ％、 Ａｌ2 Ｏ3 １ 〜 ６ ％、 ＡＳ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3 ０ 〜 ２ ％ からなる原ガラスを４５０〜５４０℃の核形成温度で１
〜５時間の範囲で熱処理し、つづいて、７３０〜８２０
℃の結晶化温度で１〜５時間の範囲で熱処理した後、表
面を５〜５０Åの表面粗度（Ｒａ）に研磨することを特
徴とする、磁気ヘッド用結晶化ガラス基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25138997A JP3416033B2 (ja) | 1996-09-05 | 1997-09-01 | 磁気ヘッド用結晶化ガラス基板およびその製造方法 |
| US09/265,039 US6201663B1 (en) | 1996-09-05 | 1999-03-09 | Magnetic head having a slider made of a glass-ceramic |
| US09/266,559 US6034011A (en) | 1996-09-05 | 1999-03-11 | Glass-ceramic substrate for a magnetic head and a method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-255447 | 1996-09-05 | ||
| JP25544796 | 1996-09-05 | ||
| JP8-327689 | 1996-11-11 | ||
| JP32768996 | 1996-11-22 | ||
| JP25138997A JP3416033B2 (ja) | 1996-09-05 | 1997-09-01 | 磁気ヘッド用結晶化ガラス基板およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10203847A true JPH10203847A (ja) | 1998-08-04 |
| JP3416033B2 JP3416033B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=27334021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25138997A Expired - Fee Related JP3416033B2 (ja) | 1996-09-05 | 1997-09-01 | 磁気ヘッド用結晶化ガラス基板およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6034011A (ja) |
| JP (1) | JP3416033B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001019489A (ja) * | 1998-03-23 | 2001-01-23 | Ohara Inc | ガラスセラミックス |
| EP1074523A2 (en) * | 1999-08-03 | 2001-02-07 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium |
| US6395368B1 (en) | 1998-08-10 | 2002-05-28 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium |
| JP2012056786A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Ohara Inc | 結晶化ガラスの製造方法および結晶化ガラス物品 |
| JP2015504399A (ja) * | 2011-10-14 | 2015-02-12 | イフォクレール ヴィヴァデント アクチェンゲゼルシャフトＩｖｏｃｌａｒ Ｖｉｖａｄｅｎｔ ＡＧ | 二価の金属酸化物を含むケイ酸リチウムガラスセラミックおよびケイ酸リチウムガラス |
| JP2018145084A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | ハス カンパニー リミテッドＨａｓｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ | 熱処理温度の変化で加工性又は透光性の調節が可能な結晶化ガラスの製造方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6201663B1 (en) * | 1996-09-05 | 2001-03-13 | Kabushiki Kaisha Ohara | Magnetic head having a slider made of a glass-ceramic |
| US6120922A (en) * | 1997-04-28 | 2000-09-19 | Goto; Naoyuki | Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium |
| US6383645B1 (en) * | 1998-03-23 | 2002-05-07 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic substrate for an information storage medium |
| JP2000143290A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-23 | Ngk Insulators Ltd | 結晶化ガラス、磁気ディスク用基板、磁気ディスクおよび結晶化ガラスの製造方法 |
| DE19917921C1 (de) * | 1999-04-20 | 2000-06-29 | Schott Glas | Gläser und Glaskeramiken mit hohem spezifischen E-Modul und deren Verwendung |
| US6677259B2 (en) * | 1999-08-10 | 2004-01-13 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramics for a light filter |
| JP3107304B1 (ja) * | 1999-08-10 | 2000-11-06 | 株式会社オハラ | 光フィルター用ガラスセラミックス及び光フィルター |
| US6426311B1 (en) * | 2000-02-01 | 2002-07-30 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramics |
| JP5053948B2 (ja) * | 2007-12-21 | 2012-10-24 | 株式会社オハラ | 結晶化ガラス |
| JP4559523B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2010-10-06 | 株式会社オハラ | 情報記録媒体用ガラス基板およびその製造方法 |
| US9878944B1 (en) | 2015-08-25 | 2018-01-30 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | Engineered high expansion glass-ceramics having near linear thermal strain and methods thereof |
| US10544058B1 (en) | 2017-06-01 | 2020-01-28 | National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc | High thermal expansion glass composites and uses thereof |
| JP6927251B2 (ja) * | 2019-07-08 | 2021-08-25 | Tdk株式会社 | ガラスセラミックス焼結体および配線基板 |
| EP4049981A1 (de) * | 2021-02-24 | 2022-08-31 | Ivoclar Vivadent AG | Glaskeramik mit quarz-mischkristallphasen |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2516537B2 (ja) * | 1992-09-14 | 1996-07-24 | 株式会社オハラ | 低膨張透明結晶化ガラス |
| US5391522A (en) * | 1993-05-19 | 1995-02-21 | Kabushiki Kaisya Ohara | Glass-ceramic for magnetic disks and method for manufacturing the same |
| EP0729924B1 (en) * | 1993-05-19 | 2000-01-26 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic for a magnetic disk substrate |
| JP2959363B2 (ja) * | 1993-12-09 | 1999-10-06 | 株式会社オハラ | 磁気ディスク用着色結晶化ガラス |
| US5744208A (en) * | 1994-06-24 | 1998-04-28 | Corning Incorporated | Glass-ceramics containing lithium disilicate and tridymite |
| JP2668057B2 (ja) * | 1994-09-13 | 1997-10-27 | 株式会社オハラ | 低膨張透明ガラスセラミックス |
| JP2736869B2 (ja) * | 1994-11-16 | 1998-04-02 | 株式会社オハラ | 磁気ディスク基板の製造方法 |
| US5626934A (en) * | 1995-10-20 | 1997-05-06 | United States Of America | Enhancing damage tolerance of adhesive bonds |
| US5691256A (en) * | 1995-12-28 | 1997-11-25 | Yamamura Glass Co., Ltd. | Glass composition for magnetic disk substrates and magnetic disk substrate |
| TW366331B (en) * | 1996-02-02 | 1999-08-11 | Ohara Kk | A glass-ceramic substrate for a magnetic disk |
| JPH10158034A (ja) * | 1996-10-04 | 1998-06-16 | S Ii C Kk | 情報記録ディスク基板用結晶化ガラス |
| JP3140702B2 (ja) * | 1996-12-20 | 2001-03-05 | 日本碍子株式会社 | 磁気ディスク基板用結晶化ガラス、磁気ディスク基板および磁気ディスク |
-
1997
- 1997-09-01 JP JP25138997A patent/JP3416033B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-03-11 US US09/266,559 patent/US6034011A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001019489A (ja) * | 1998-03-23 | 2001-01-23 | Ohara Inc | ガラスセラミックス |
| US6395368B1 (en) | 1998-08-10 | 2002-05-28 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium |
| EP1074523A2 (en) * | 1999-08-03 | 2001-02-07 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium |
| EP1074523A3 (en) * | 1999-08-03 | 2001-11-14 | Kabushiki Kaisha Ohara | Glass-ceramic substrate for a magnetic information storage medium |
| JP2012056786A (ja) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Ohara Inc | 結晶化ガラスの製造方法および結晶化ガラス物品 |
| JP2015504399A (ja) * | 2011-10-14 | 2015-02-12 | イフォクレール ヴィヴァデント アクチェンゲゼルシャフトＩｖｏｃｌａｒ Ｖｉｖａｄｅｎｔ ＡＧ | 二価の金属酸化物を含むケイ酸リチウムガラスセラミックおよびケイ酸リチウムガラス |
| JP2018145084A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | ハス カンパニー リミテッドＨａｓｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ | 熱処理温度の変化で加工性又は透光性の調節が可能な結晶化ガラスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3416033B2 (ja) | 2003-06-16 |
| US6034011A (en) | 2000-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3416033B2 (ja) | 磁気ヘッド用結晶化ガラス基板およびその製造方法 | |
| JP2736869B2 (ja) | 磁気ディスク基板の製造方法 | |
| JP2516553B2 (ja) | 磁気ディスク用結晶化ガラスおよびその製造方法 | |
| JP4467597B2 (ja) | 無機組成物物品 | |
| JP5053948B2 (ja) | 結晶化ガラス | |
| US5567217A (en) | Method for manufacturing a crystalized glass magnetic disk substrate | |
| US5626935A (en) | Magnetic disk substrate and method for manufacturing the same | |
| EP0941973B1 (en) | Crystallized glass substrate, and information recording medium using the crystallized glass substrate | |
| JP3131138B2 (ja) | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 | |
| JP4462724B2 (ja) | ガラスセラミックス | |
| KR100329002B1 (ko) | 자기 정보기록매체용 글라스세라믹 기판 | |
| US7589038B2 (en) | Inorganic composition | |
| JP3996294B2 (ja) | 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体 | |
| CN1228396A (zh) | 用于磁信息存储媒体的高刚性玻璃陶瓷基片 | |
| JP4072275B2 (ja) | 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体 | |
| JP2002097037A (ja) | ガラスセラミックス | |
| JP2007223884A (ja) | 無機組成物 | |
| JPS59151339A (ja) | 磁気記録用フエライト磁性体とその製法 | |
| JP2000119042A (ja) | 磁気情報記憶媒体用ガラスセラミック基板 | |
| JP3022524B1 (ja) | 情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板 | |
| JP2628460B2 (ja) | 磁気ディスク基板およびその製造方法 | |
| JP4266095B2 (ja) | ガラスセラミックス | |
| US6201663B1 (en) | Magnetic head having a slider made of a glass-ceramic | |
| JP3011703B1 (ja) | 情報磁気記憶媒体用高剛性ガラスセラミックス基板 | |
| JP2001148114A (ja) | 情報磁気記憶媒体用ガラスセラミックス基板。 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |