JPH1020145A - 低偏波依存ロス光ファイバカプラの製造方法 - Google Patents
低偏波依存ロス光ファイバカプラの製造方法Info
- Publication number
- JPH1020145A JPH1020145A JP17886996A JP17886996A JPH1020145A JP H1020145 A JPH1020145 A JP H1020145A JP 17886996 A JP17886996 A JP 17886996A JP 17886996 A JP17886996 A JP 17886996A JP H1020145 A JPH1020145 A JP H1020145A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coupler
- optical fibers
- optical fiber
- low
- heating range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 偏波依存ロスが少なく、高波長アイソレーシ
ョンで低損失な特性を持つ、従来法で得られた光ファイ
バカプラよりもカプラ長が短い、1.48μｍ帯／1.55μｍ
帯用の光分波合成器（ＷＤＭカプラ）の製造方法を提供
する。 【解決手段】 本発明による低偏波依存ロス光ファイバ
カプラの製造方法は、複数本の光ファイバの融着により
形成される光ファイバカプラの製造方法において、複数
本の裸光ファイバをツイストして把持し、融着延伸する
際の加熱範囲を10,000μｍ以上としてなることを特徴と
するものである。
ョンで低損失な特性を持つ、従来法で得られた光ファイ
バカプラよりもカプラ長が短い、1.48μｍ帯／1.55μｍ
帯用の光分波合成器（ＷＤＭカプラ）の製造方法を提供
する。 【解決手段】 本発明による低偏波依存ロス光ファイバ
カプラの製造方法は、複数本の光ファイバの融着により
形成される光ファイバカプラの製造方法において、複数
本の裸光ファイバをツイストして把持し、融着延伸する
際の加熱範囲を10,000μｍ以上としてなることを特徴と
するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ファイバカプラの
製造方法、特に広帯域幅にわたり偏波依存ロス（以下Ｐ
ＤＬと略記する）が低く、ピーク波長アイソレーション
が高く、かつ低損失な光ファイバカプラの製造方法に関
するものである。
製造方法、特に広帯域幅にわたり偏波依存ロス（以下Ｐ
ＤＬと略記する）が低く、ピーク波長アイソレーション
が高く、かつ低損失な光ファイバカプラの製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年エルビウムを添加した光ファイバを
用いたエルビウムドープファイバアンプ（ＥＤＦＡ）の
開発が盛んに行なわれており、実用化の段階に入ってい
る。ＥＤＦＡには励起光と信号光を合波分波するための
ＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexer ）カプラお
よび増幅信号光の一部をモニタするための不等分岐カプ
ラが用いられるが、これらのカプラは増幅器を多段に使
用したときにカプラの特性変動がそのまま増幅されるた
めに、特性変動の小さいカプラが要求されており、ＥＤ
ＦＡについてはＷＤＭカプラ、不等分岐カプラに低ＰＤ
Ｌのものが望まれている。
用いたエルビウムドープファイバアンプ（ＥＤＦＡ）の
開発が盛んに行なわれており、実用化の段階に入ってい
る。ＥＤＦＡには励起光と信号光を合波分波するための
ＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexer ）カプラお
よび増幅信号光の一部をモニタするための不等分岐カプ
ラが用いられるが、これらのカプラは増幅器を多段に使
用したときにカプラの特性変動がそのまま増幅されるた
めに、特性変動の小さいカプラが要求されており、ＥＤ
ＦＡについてはＷＤＭカプラ、不等分岐カプラに低ＰＤ
Ｌのものが望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、低ＰＤＬカプ
ラとするためにはカプラのテーパー形状を緩やかにすれ
ばよいが、テーパー形状を緩やかにするとカプラ長が長
くなるという問題がある。とりわけＥＤＦＡに用いられ
る1.48μｍ帯／1.55μｍ帯用ＷＤＭカプラについては、
不等分岐カプラに比べてカプラ長が30mm以上も長くな
る。
ラとするためにはカプラのテーパー形状を緩やかにすれ
ばよいが、テーパー形状を緩やかにするとカプラ長が長
くなるという問題がある。とりわけＥＤＦＡに用いられ
る1.48μｍ帯／1.55μｍ帯用ＷＤＭカプラについては、
不等分岐カプラに比べてカプラ長が30mm以上も長くな
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような問題
を解決した低ＰＤＬ光ファイバカプラの製造方法に関す
るもので、これは、複数本の光ファイバの融着延伸によ
り形成される光ファイバカプラの製造方法において、複
数本の裸光ファイバをツイストして把持し、融着延伸す
る際の加熱範囲を10,000μｍ以上とするものである。
を解決した低ＰＤＬ光ファイバカプラの製造方法に関す
るもので、これは、複数本の光ファイバの融着延伸によ
り形成される光ファイバカプラの製造方法において、複
数本の裸光ファイバをツイストして把持し、融着延伸す
る際の加熱範囲を10,000μｍ以上とするものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明は光ファイバカプラ、特に
低ＰＤＬ光ファイバカプラの製造方法に関するもので、
複数本の光ファイバを融着延伸して光ファイバカプラを
製造するときに、複数本の裸光ファイバをツイストして
把持し、光ファイバの融着延伸時における加熱範囲を1
0,000μｍ以上とするもので、このカプラは融着部のテ
ーパー形状が緩やかとなるので低ＰＤＬ値を示し、また
カプラ長も短くすることができる。ただし加熱範囲が2
0,000μｍを超えるとカプラ長が長くなり、装置上の制
限もあるので20,000μｍ以下とすればよく、好ましくは
10,000〜15,000μｍがよい。
低ＰＤＬ光ファイバカプラの製造方法に関するもので、
複数本の光ファイバを融着延伸して光ファイバカプラを
製造するときに、複数本の裸光ファイバをツイストして
把持し、光ファイバの融着延伸時における加熱範囲を1
0,000μｍ以上とするもので、このカプラは融着部のテ
ーパー形状が緩やかとなるので低ＰＤＬ値を示し、また
カプラ長も短くすることができる。ただし加熱範囲が2
0,000μｍを超えるとカプラ長が長くなり、装置上の制
限もあるので20,000μｍ以下とすればよく、好ましくは
10,000〜15,000μｍがよい。
【０００６】次に、本発明による低ＰＤＬ1.48μｍ帯／
1.55μｍ帯用ＷＤＭカプラである1.48μｍ／1.56μｍ用
ＷＤＭカプラ（以下1.48／1.56ＷＤＭカプラと表記）の
製造方法を図によって説明する。図１は本発明による光
ファイバカプラ製造装置の外観斜視図を示したものであ
る。まず２本の光ファイバ１、２を移動ステージ３の把
持部５で把持し、光ファイバのコーティング部を部分的
に除去して裸光ファイバとし、これをツイストして接触
させ、この部分をプロパン／酸素火炎などのバーナー４
で加熱範囲を10,000μｍ以上で加熱して融着し、移動ス
テージ３を移動して延伸しながら光ファイバ１の一端か
らＬＤ光源６より波長1,560nm のモニター光を入射し、
これを光ファイバの他端の２つのポート７、８で受光器
９、10で受信して光の分岐比が所望の値となったところ
で延伸をストップすれば低ＰＤＬ1.48／1.56ＷＤＭカプ
ラが作製される。
1.55μｍ帯用ＷＤＭカプラである1.48μｍ／1.56μｍ用
ＷＤＭカプラ（以下1.48／1.56ＷＤＭカプラと表記）の
製造方法を図によって説明する。図１は本発明による光
ファイバカプラ製造装置の外観斜視図を示したものであ
る。まず２本の光ファイバ１、２を移動ステージ３の把
持部５で把持し、光ファイバのコーティング部を部分的
に除去して裸光ファイバとし、これをツイストして接触
させ、この部分をプロパン／酸素火炎などのバーナー４
で加熱範囲を10,000μｍ以上で加熱して融着し、移動ス
テージ３を移動して延伸しながら光ファイバ１の一端か
らＬＤ光源６より波長1,560nm のモニター光を入射し、
これを光ファイバの他端の２つのポート７、８で受光器
９、10で受信して光の分岐比が所望の値となったところ
で延伸をストップすれば低ＰＤＬ1.48／1.56ＷＤＭカプ
ラが作製される。
【０００７】本発明を図２、３により更に詳しく説明す
る。図２に示すように加熱範囲を 7,500μｍまたは14,0
00μｍとしてカプラを作製すると、得られたカプラのＰ
ＤＬ値が 7,500μｍでは＋印または×印で示す大きな値
であったが、14,000μｍでは□印または○印で示すかな
り低下した値となった。さらに図３によると、加熱範囲
が 7,500μｍから14,000μｍの範囲については、加熱範
囲が 7,500μｍではＰＤＬ 0.2dB帯域幅が７nmで、ピー
ク波長アイソレーション値が16.5dBであったが、加熱範
囲を14,000μｍとするとＰＤＬ 0.2dBの帯域幅が13nm、
ピーク波長アイソレーションが21dBとなり、加熱範囲が
10,000μｍではＰＤＬ 0.2dBの帯域幅が 9.5nm、ピーク
波長アイソレーションが18.5dBとなる。以上の結果から
加熱範囲は10,000μｍ以上とすればよいことが確認され
た。
る。図２に示すように加熱範囲を 7,500μｍまたは14,0
00μｍとしてカプラを作製すると、得られたカプラのＰ
ＤＬ値が 7,500μｍでは＋印または×印で示す大きな値
であったが、14,000μｍでは□印または○印で示すかな
り低下した値となった。さらに図３によると、加熱範囲
が 7,500μｍから14,000μｍの範囲については、加熱範
囲が 7,500μｍではＰＤＬ 0.2dB帯域幅が７nmで、ピー
ク波長アイソレーション値が16.5dBであったが、加熱範
囲を14,000μｍとするとＰＤＬ 0.2dBの帯域幅が13nm、
ピーク波長アイソレーションが21dBとなり、加熱範囲が
10,000μｍではＰＤＬ 0.2dBの帯域幅が 9.5nm、ピーク
波長アイソレーションが18.5dBとなる。以上の結果から
加熱範囲は10,000μｍ以上とすればよいことが確認され
た。
【０００８】光ファイバカプラの製造については、本発
明では裸光ファイバがツイストして接触されているが、
製造時にツイストした場合としなかった場合について得
られた光ファイバカプラのカプラ長をしたべたところ、
表１に示したように、加熱範囲が 7,000μｍ、12,500μ
ｍ、14,000μｍのいずれでもツイストすればカプラ長を
短くすることができることが確認された。なおツイスト
の回数は１〜５回が適当で、多過ぎると伝送損失が大き
くなる問題がある。
明では裸光ファイバがツイストして接触されているが、
製造時にツイストした場合としなかった場合について得
られた光ファイバカプラのカプラ長をしたべたところ、
表１に示したように、加熱範囲が 7,000μｍ、12,500μ
ｍ、14,000μｍのいずれでもツイストすればカプラ長を
短くすることができることが確認された。なおツイスト
の回数は１〜５回が適当で、多過ぎると伝送損失が大き
くなる問題がある。
【０００９】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１〜２、比較例１ 図１に示した光ファイバカプラ製造装置を用いて1.48／
1.56ＷＤＭカプラを作製したが、これは図示したように
２本の光ファイバ１、２を沿わせた状態で移動ステージ
３の把持部５で把持し、その中央部のコーティング部を
長さ25mmにわたって除去し裸光ファイバとし、これらを
３回ツイストした状態で接触させ、接触部をプロパン／
酸素火炎バーナー４で加熱して融着し、移動ステージ３
を移動して延伸したが、このときの加熱範囲を 7,500μ
ｍ（比較例１）、12,500μｍ（実施例１）、14,000μｍ
（実施例２）とした。そして延伸しながら光ファイバ１
にＬＤ光源６を用いて波長 1,560ｎｍのモニター光を入
射し、光ファイバの反対側の二つのポート７、８で光を
受光し、分岐比が50／50となったところで融着延伸を中
止して1.48／1.56ＷＤＭカプラを作製した。実施例２と
比較例１で得られた1.48／1.56ＷＤＭカプラのＰＤＬ値
を調べたところ図２に示す結果が得られた。図中実施例
２は□印および○印で示し、比較例１は＋印および×印
で示した。また図３には実施例１、２および比較例１の
ＷＤＭカプラについて、加熱範囲とＰＤＬ 0.2dB帯域幅
およびピーク波長アイソレーションの関係を示した。図
２、３の結果より実施例１、２のＷＤＭカプラは十分低
ＰＤＬのものであることが確認できた。
1.56ＷＤＭカプラを作製したが、これは図示したように
２本の光ファイバ１、２を沿わせた状態で移動ステージ
３の把持部５で把持し、その中央部のコーティング部を
長さ25mmにわたって除去し裸光ファイバとし、これらを
３回ツイストした状態で接触させ、接触部をプロパン／
酸素火炎バーナー４で加熱して融着し、移動ステージ３
を移動して延伸したが、このときの加熱範囲を 7,500μ
ｍ（比較例１）、12,500μｍ（実施例１）、14,000μｍ
（実施例２）とした。そして延伸しながら光ファイバ１
にＬＤ光源６を用いて波長 1,560ｎｍのモニター光を入
射し、光ファイバの反対側の二つのポート７、８で光を
受光し、分岐比が50／50となったところで融着延伸を中
止して1.48／1.56ＷＤＭカプラを作製した。実施例２と
比較例１で得られた1.48／1.56ＷＤＭカプラのＰＤＬ値
を調べたところ図２に示す結果が得られた。図中実施例
２は□印および○印で示し、比較例１は＋印および×印
で示した。また図３には実施例１、２および比較例１の
ＷＤＭカプラについて、加熱範囲とＰＤＬ 0.2dB帯域幅
およびピーク波長アイソレーションの関係を示した。図
２、３の結果より実施例１、２のＷＤＭカプラは十分低
ＰＤＬのものであることが確認できた。
【００１０】比較例２〜４ また比較例２〜４として、２本の裸光ファイバをツイス
トせずに接触させた以外は、表１に示す加熱範囲で比較
例１、実施例１、２と同様にして1.48／1.56ＷＤＭカプ
ラを作製して、カプラ長をしらべたところ、表１に示す
ように、ツイストを３回したものは、ツイストをしなか
ったものより15mm短かった。
トせずに接触させた以外は、表１に示す加熱範囲で比較
例１、実施例１、２と同様にして1.48／1.56ＷＤＭカプ
ラを作製して、カプラ長をしらべたところ、表１に示す
ように、ツイストを３回したものは、ツイストをしなか
ったものより15mm短かった。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、広帯域にわたり低ＰＤ
Ｌで、ピーク波長アイソレーションが高く、かつ低損失
な特性を有し、カプラ長が従来法によるものより短いＷ
ＤＭカプラを容易に得ることができる。
Ｌで、ピーク波長アイソレーションが高く、かつ低損失
な特性を有し、カプラ長が従来法によるものより短いＷ
ＤＭカプラを容易に得ることができる。
【図１】光ファイバカプラ製造装置の外観斜視図を示し
たものである。
たものである。
【図２】加熱範囲と1.48／1.56ＷＤＭカプラの各波長で
のＰＤＬ値との関係図を示したものである。
のＰＤＬ値との関係図を示したものである。
【図３】加熱範囲と1.48／1.56ＷＤＭカプラの特性との
関係図を示したものである。
関係図を示したものである。
１，２…光ファイバ ３…移動ステージ ４…バーナー ５…把持部 ６…ＬＤ光源 ７，８…他端のポート ９，10…受光器
Claims (1)
- 【請求項１】 複数本の光ファイバの融着延伸により形
成される光ファイバカプラの製造方法において、複数本
の裸光ファイバをツイストして把持し、融着延伸する際
の加熱範囲を10,000μｍ以上とすることを特徴とする低
偏波依存ロス光ファイバカプラの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17886996A JPH1020145A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 低偏波依存ロス光ファイバカプラの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17886996A JPH1020145A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 低偏波依存ロス光ファイバカプラの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1020145A true JPH1020145A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=16056118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17886996A Pending JPH1020145A (ja) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 低偏波依存ロス光ファイバカプラの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1020145A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6760149B2 (en) * | 2002-07-08 | 2004-07-06 | Nortel Networks Limited | Compensation of polarization dependent loss |
| JP2005099496A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 波長平坦型光カプラおよびその製造方法 |
-
1996
- 1996-07-09 JP JP17886996A patent/JPH1020145A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6760149B2 (en) * | 2002-07-08 | 2004-07-06 | Nortel Networks Limited | Compensation of polarization dependent loss |
| JP2005099496A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 波長平坦型光カプラおよびその製造方法 |
| JP4615201B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2011-01-19 | 古河電気工業株式会社 | 波長平坦型光カプラおよびその製造方法 |
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