JPH10200333A - Transistor oscillator - Google Patents

Transistor oscillator

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JPH10200333A
JPH10200333A JP300697A JP300697A JPH10200333A JP H10200333 A JPH10200333 A JP H10200333A JP 300697 A JP300697 A JP 300697A JP 300697 A JP300697 A JP 300697A JP H10200333 A JPH10200333 A JP H10200333A
Authority
JP
Japan
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transistor
microwave
line
wavelength
dielectric resonator
Prior art date
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Pending
Application number
JP300697A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazusuke Yanagisawa
和介 柳沢
Takumi Yano
工 矢野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yokowo Co Ltd
Original Assignee
Yokowo Co Ltd
Yokowo Mfg Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Yokowo Co Ltd, Yokowo Mfg Co Ltd filed Critical Yokowo Co Ltd
Priority to JP300697A priority Critical patent/JPH10200333A/en
Publication of JPH10200333A publication Critical patent/JPH10200333A/en
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oscillator for a microwave with a small phase noise and high stability. SOLUTION: This oscillator is provided with a transistor 1 operating in a microwave band, a microwave line 2 connected with a base B of the transistor 1, and a dielectric resonator 3 provided connected with the microwave line 2. Then, the microwave line 2 is provided with a length which is 1/2 the wavelength of an oscillated frequency so that the end can be open-circuited, or this is provided with a length which is 1/4 the wavelength or the odd times as long as that so that the end can be short-circuited. Moreover, the dielectric resonator 3 is provided with a resonance frequency matching the above resonance frequency.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば衛星放送
受信用コンバータの局部発振器などに用いられるような
マイクロ波帯の発振器に関する。さらに詳しくは、トラ
ンジスタにマイクロ波線路と誘電体共振器との組合せを
用いたマイクロ波帯のトランジスタ発振器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an oscillator in a microwave band, for example, used as a local oscillator of a converter for receiving satellite broadcasting. More specifically, the present invention relates to a microwave-band transistor oscillator using a combination of a microwave line and a dielectric resonator as a transistor.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、マイクロ波帯における発振器とし
ては、たとえば特公昭60−48921号公報や特公昭
62−48925号公報に示されるように、電界効果型
トランジスタ(以下、FETという)を用いてマイクロ
ストリップラインと誘電体共振器とにより誘電体共振器
の共振周波数で発振させる発振器が種々の構造で用いら
れている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an oscillator in the microwave band, for example, as shown in Japanese Patent Publication No. 60-48921 and Japanese Patent Publication No. 62-48925, a field effect transistor (hereinafter referred to as FET) is used. 2. Description of the Related Art Oscillators that oscillate at a resonance frequency of a dielectric resonator using a microstrip line and a dielectric resonator are used in various structures.

【0003】図4にFETと誘電体共振器とを用いたマ
イクロ波帯発振器の一例が示されている。図4におい
て、Q11はFETで、そのドレインD側には、1/4波
長のオープンスタブS12が設けられて高周波的に短絡す
るドレイン接地型の発振回路になっている。ゲートG側
のマイクロストリップラインS11と結合するように誘電
体共振器13が設けられ、この誘電体共振器13の位置
が調整されることにより、ゲートG側に誘導性リアクタ
ンスをもたせて、ソース側から見て負性抵抗素子として
発振させている。なお、ゲートG側のマイクロストリッ
プラインS11の他端部は50Ω程度の抵抗Rg を経てア
ースに接続されており、ドレインD側には、高周波をカ
ットするコイルL11を介して電源Vd が供給され、ソー
スSには、ソース抵抗R11が接続され、ソース抵抗R11
からの出力が直流カットのコンデンサC11を介して取り
出される構造になっている。
FIG. 4 shows an example of a microwave band oscillator using an FET and a dielectric resonator. In FIG. 4, Q 11 is FET, to its drain D side, has a drain grounded type oscillation circuit for short-circuiting 1/4 open stub S 12 is provided for wavelengths high frequency. Dielectric resonator 13 is provided to be coupled with the microstrip line S 11 of the gate G side, by the position of the dielectric resonator 13 is adjusted, by remembering inductive reactance to the gate G side, the source It oscillates as a negative resistance element when viewed from the side. The other end portion of the microstrip line S 11 of the gate G side is connected to ground via a resistor R g of about 50 [Omega, the drain D side, the power supply Vd through the coil L 11 to cut the high frequency is supplied to the source S, the source resistor R 11 is connected to the source resistance R 11
The output from is in the structure to be taken out through the capacitor C 11 of the DC cut.

【0004】一方、トランジスタを用いた発振器は、一
般にトランジスタの出力の一部を並列共振回路などを用
いて正帰還させることにより発振させるものであるが、
マイクロ波帯のような高周波数に対しては、トランジス
タのカットオフ周波数を高くすることができないことな
どのため、実用化されていない。
On the other hand, an oscillator using a transistor generally oscillates by providing a part of the output of the transistor by positive feedback using a parallel resonance circuit or the like.
For a high frequency such as a microwave band, it has not been put to practical use because the cutoff frequency of the transistor cannot be increased.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】FETはマイクロ波帯
で容易に発振をさせることができるが、一般にトランジ
スタと比べて位相雑音が多く、安定な発振が得られない
という問題がある。
The FET can easily oscillate in the microwave band, but generally has a problem that the phase noise is larger than that of the transistor and stable oscillation cannot be obtained.

【0006】本発明は、このような問題を解決するため
になされたもので、位相雑音の小さい高安定なマイクロ
波用の発振器を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object of the present invention is to provide a highly stable microwave oscillator having small phase noise.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明のトランジスタ発
振器は、マイクロ波帯で動作するトランジスタと、該ト
ランジスタのベースに接続されるマイクロ波線路と、該
マイクロ波線路と結合するように設けられる誘電体共振
器とからなり、前記マイクロ波線路が発振させる周波数
の1/2波長の長さでその先端を開放して設けられる
か、または1/4波長もしくはその奇数倍の長さでその
先端を短絡して設けられると共に、前記誘電体共振器が
前記発振させる周波数と一致する共振周波数を有してい
る。
A transistor oscillator according to the present invention comprises a transistor operating in a microwave band, a microwave line connected to a base of the transistor, and a dielectric line provided to be coupled to the microwave line. The microwave line is provided with its tip open at a length of 1/2 wavelength of the frequency oscillated by the microwave line, or the tip is provided at a length of 1/4 wavelength or an odd multiple thereof. It is provided with a short circuit and has a resonance frequency that matches the oscillation frequency of the dielectric resonator.

【0008】ここにマイクロ波線路とは、マイクロスト
リップライン(線路)や同軸線路などのマイクロ波を伝
送する線路を意味する。
Here, the microwave line means a line for transmitting microwaves, such as a microstrip line (line) or a coaxial line.

【0009】前記トランジスタのコレクタ側に前記発振
させる周波数の1/2波長の長さより僅かに短く、か
つ、その先端が開放されたマイクロ波線路が接続されて
いるか、または1/4波長もしくはその奇数倍の長さよ
り僅かに短く、かつ、その先端が短絡されたマイクロ波
線路が接続されていることが、誘導性リアクタンスが形
成され、トランジスタのコレクタ側とベース線路間に誘
電体共振器を介して発振回路を構成することができるた
め、安定な発振が得られて好ましい。
A microwave line slightly shorter than a half wavelength of the oscillating frequency and having an open end is connected to the collector side of the transistor, or a quarter wavelength or an odd number thereof. The fact that the microwave line whose length is slightly shorter than the double length and whose tip is short-circuited is connected creates an inductive reactance, and a dielectric resonator is provided between the collector side of the transistor and the base line via a dielectric resonator. Since an oscillation circuit can be formed, stable oscillation is preferably obtained.

【0010】ここに1/2波長または1/4波長もしく
はその奇数倍の長さより僅かに短いとは、誘導性リアク
タンスと容量性リアクタンスとの境界となる1/2波長
または1/4波長の長さより、誘導性リアクタンスが形
成される長さになるように短くされた状態を意味する。
[0010] Here, "slightly shorter than the length of 1/2 wavelength or 1/4 wavelength or an odd multiple thereof" means the length of 1/2 wavelength or 1/4 wavelength which is the boundary between the inductive reactance and the capacitive reactance. Rather, it means a state in which the length is reduced to the length at which the inductive reactance is formed.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】つぎに図面を参照しながら本発明
のトランジスタ発振器にいて説明をする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, a transistor oscillator according to the present invention will be described with reference to the drawings.

【0012】図1は本発明のトランジスタ発振器の一実
施形態の構成説明図である。図1において、1はトラン
ジスタで、そのベースBにマイクロストリップ線路2が
この発振器で発振する発振周波数の波長の1/2の長さ
で接続され、その先端が開放されている。マイクロスト
リップ線路2に近接して誘電体共振器3が設けられてい
る。誘電体共振器3の共振周波数で発振するため、誘電
体共振器3は必要な発振周波数に応じて選定され、マイ
クロストリップ線路2と結合するように設けられてい
る。トランジスタ1のベースBには、バイアス抵抗R1
およびマイクロ波をカットするためのチョークコイルL
1 を介して電源端子5が接続されている。
FIG. 1 is a diagram illustrating the configuration of an embodiment of the transistor oscillator of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a transistor, and a microstrip line 2 is connected to a base B of the transistor at a length of の of a wavelength of an oscillation frequency oscillated by the oscillator, and an end thereof is open. A dielectric resonator 3 is provided near the microstrip line 2. In order to oscillate at the resonance frequency of the dielectric resonator 3, the dielectric resonator 3 is selected according to a required oscillation frequency, and is provided so as to be coupled to the microstrip line 2. The base B of the transistor 1 has a bias resistor R 1
And choke coil L for cutting microwave
The power supply terminal 5 is connected via 1 .

【0013】トランジスタ1のコレクタCには、コイル
2 を介して電源端子5が接続され、電源が供給される
と共に、マイクロ波をカットしている。そして、直流カ
ット用のコンデンサC2 を介して、端子6より出力が取
り出される。図1に示される例では、コレクタCにもマ
イクロストリップ線路4が接続されており、その長さは
前述の発振周波数の波長の1/2より僅かに短くなる長
さで形成され、その先端はオープン(開放)にされてい
る。なお、トランジスタ1のエミッタEはアースに接続
されている。
A power supply terminal 5 is connected to the collector C of the transistor 1 via a coil L 2 , so that power is supplied and microwaves are cut off. Then, through the capacitor C 2 of the DC blocking output from terminal 6 is taken out. In the example shown in FIG. 1, the microstrip line 4 is also connected to the collector C, and its length is formed to be slightly shorter than 1 / of the wavelength of the above-mentioned oscillation frequency. Open (open). The emitter E of the transistor 1 is connected to the ground.

【0014】図1に示される構造のトランジスタ発振器
の発振回路の等価回路を図2に示す。図2において、ト
ランジスタ1のRb 、Cb はベースの抵抗および容量
を、R e 、Ce はエミッタの抵抗および容量を、Cc
コレクタの容量をそれぞれ示す。また、誘電体共振器3
のインダクタンス成分がXL 、容量成分がXC で示され
ており、これらの成分は、共振周波数で直列共振するよ
うに設定されている。なお、L2 、C2 は、電源供給用
のチョークコイル、および直流カット用のコンデンサを
それぞれ示している。このチョークコイルは、集中定数
回路でも1/4波長の伝送線路でもよい。
A transistor oscillator having the structure shown in FIG.
FIG. 2 shows an equivalent circuit of the oscillation circuit of FIG. In FIG.
R of transistor 1b, CbIs the resistance and capacitance of the base
And R e, CeIs the resistance and capacitance of the emitter, CcIs
The capacity of the collector is shown. Also, the dielectric resonator 3
Is the inductance component of XL, The capacity component is XCIndicated by
These components are in series resonance at the resonance frequency.
Is set to Note that LTwo, CTwoIs for power supply
Choke coil and DC cut capacitor
Each is shown. This choke coil has a lumped constant
It may be a circuit or a 1/4 wavelength transmission line.

【0015】本発明のトランジスタ発振器によれば、前
述のように、ベースに発振周波数の波長の1/2の長さ
のマイクロストリップ線路が接続されており、その先端
が開放になっている。そのため、発振周波数と異なる周
波数に対しては、ベースからのインピーダンスが大きく
なり、発振周波数と一致する場合にのみ誘電体共振器3
と結合して低インピーダンスとなる。その結果、ベース
電流が流れてトランジスタが動作し、発振を行い得る。
一方、他の周波数に対してはベース電流が殆ど流れず、
発振には至らない。そのため、所望の周波数のみで発振
をする発振器として動作する。
According to the transistor oscillator of the present invention, as described above, the base is connected to the microstrip line having a length of half the wavelength of the oscillation frequency, and the tip is open. Therefore, the impedance from the base increases for frequencies different from the oscillation frequency, and only when the frequency matches the oscillation frequency, the dielectric resonator 3
And low impedance. As a result, the base current flows, the transistor operates, and oscillation can be performed.
On the other hand, the base current hardly flows for other frequencies,
No oscillation occurs. Therefore, it operates as an oscillator that oscillates only at a desired frequency.

【0016】つぎに、コレクタCに接続したストリップ
線路4の作用について説明をする。一般に、一端が解放
にされたストリップ線路のインピーダンスは、図3に示
されるように、その長さに応じて容量性リアクタンスか
ら誘導性リアクタンスに変化する。そして1/2波長の
長さのときに誘導性リアクタンスと容量性リアクタンス
との境界部にあり、1/2波長より僅かに短くすること
により、図3のAで示される誘導性リアクタンスに安定
させ、トランジスタのコレクタ容量およびエミッタ容量
と共に発振回路を構成している。その結果、コレクタの
共振を取ることができ、出力との整合を取ることができ
る。
Next, the operation of the strip line 4 connected to the collector C will be described. Generally, as shown in FIG. 3, the impedance of a strip line having one open end changes from a capacitive reactance to an inductive reactance according to its length. When the length is a half wavelength, it is at the boundary between the inductive reactance and the capacitive reactance. By making the length slightly shorter than the half wavelength, the inductive reactance shown in FIG. , Together with the collector capacitance and the emitter capacitance of the transistor, constitute an oscillation circuit. As a result, resonance of the collector can be obtained, and matching with the output can be obtained.

【0017】以上説明した例では、ベースおよびコレク
タに接続されるマイクロストリップ線路の長さを1/2
波長としてその先端部を開放としたが、ベースおよびコ
レクタからみたその線路側のインピーダンスを大きく
(無限大に)すればよく、1/4波長の長さもしくはそ
の奇数倍の長さにして、その先端を短絡にすれば同様で
ある。また、前述の1/2波長の長さにする場合、その
整数倍にしても同様であることはいうまでもない。
In the example described above, the length of the microstrip line connected to the base and the collector is reduced by half.
Although the tip is open as the wavelength, the impedance on the line side viewed from the base and the collector may be increased (to infinity). The same is true if the tip is short-circuited. In addition, when the length is set to the above-mentioned half wavelength, it is needless to say that the same applies to an integral multiple thereof.

【0018】さらに、マイクロ波線路としてマイクロス
トリップ線路を用いたが、誘電体共振器と結合するよう
に設けられれば、同軸線路などの他の線路でもよい。
Further, although the microstrip line is used as the microwave line, another line such as a coaxial line may be used as long as the line is provided so as to be coupled to the dielectric resonator.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明によれば、発振素子としてFET
ではなく、トランジスタを用いているため、位相雑音を
抑制することができる。したがって、たとえば衛星放送
の受信用コンバータの局部発振器として用いた場合、位
相雑音が少くCN比を大きく取れるため、受信用コンバ
ータの性能を大幅に向上させることができる。
According to the present invention, an FET is used as an oscillation element.
Instead, phase noise can be suppressed because a transistor is used. Therefore, for example, when used as a local oscillator of a receiving converter for satellite broadcasting, the phase noise is small and the CN ratio can be increased, so that the performance of the receiving converter can be greatly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のトランジスタ発振器の模式的構成を示
す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a transistor oscillator of the present invention.

【図2】図1の構成の発振回路の等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the oscillation circuit having the configuration of FIG.

【図3】ストリップ線路の長さとインピーダンスの変化
の関係を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a length of a strip line and a change in impedance.

【図4】従来のFETを用いた発振器の一例を示す図で
ある。
FIG. 4 is a diagram showing an example of an oscillator using a conventional FET.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 トランジスタ 2 ストリップ線路 3 誘電体共振器 4 ストリップ線路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transistor 2 Strip line 3 Dielectric resonator 4 Strip line

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 マイクロ波帯で動作するトランジスタ
と、該トランジスタのベースに接続されるマイクロ波線
路と、該マイクロ波線路と結合するように設けられる誘
電体共振器とからなり、前記マイクロ波線路が発振させ
る周波数の1/2波長の長さでその先端を開放して設け
られ、前記誘電体共振器が前記発振させる周波数と一致
する共振周波数を有してなるトランジスタ発振器。
1. A microwave line, comprising: a transistor operating in a microwave band; a microwave line connected to a base of the transistor; and a dielectric resonator provided to be coupled to the microwave line. A transistor oscillator having a resonance frequency that is equal to the oscillation frequency of the dielectric resonator, the oscillation frequency being provided at an end of a half wavelength of the oscillation frequency of the dielectric resonator.
【請求項2】 請求項1記載のトランジスタ発振器にお
いて、前記マイクロ波線路が前記発振させる周波数の1
/4波長もしくはその奇数倍の長さで、その先端が短絡
されてなるトランジスタ発振器。
2. The transistor oscillator according to claim 1, wherein said microwave line has one of said oscillating frequencies.
A transistor oscillator having a length of / 4 wavelength or an odd multiple thereof and whose tip is short-circuited.
【請求項3】 前記トランジスタのコレクタ側に前記発
振させる周波数の1/2波長の長さより僅かに短く、か
つ、その先端が開放されたマイクロ波線路、または前記
発振させる周波数の1/4波長もしくはその奇数倍の長
さより僅かに短く、かつ、その先端が短絡されたマイク
ロ波線路が接続されてなる請求項1または2記載のトラ
ンジスタ発振器。
3. A microwave line slightly shorter than a half wavelength of the oscillating frequency on the collector side of the transistor and having an open end, or a 波長 wavelength of the oscillating frequency or 3. The transistor oscillator according to claim 1, wherein a microwave line slightly shorter than an odd multiple thereof and having a short-circuited end is connected.
JP300697A 1997-01-10 1997-01-10 Transistor oscillator Pending JPH10200333A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6504440B2 (en) 2000-02-03 2003-01-07 Sharp Kabushiki Kaisha Dielectric resonance oscillation circuit

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