JPH104315A - High frequency oscillation circuit - Google Patents

High frequency oscillation circuit

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JPH104315A
JPH104315A JP15356596A JP15356596A JPH104315A JP H104315 A JPH104315 A JP H104315A JP 15356596 A JP15356596 A JP 15356596A JP 15356596 A JP15356596 A JP 15356596A JP H104315 A JPH104315 A JP H104315A
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JP
Japan
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circuit
oscillation
transistor
frequency oscillation
resonance
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Application number
JP15356596A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisanaga Miyoshi
久永 三好
Makoto Sakakura
真 坂倉
Koji Hashimoto
興二 橋本
Nobuo Fuse
伸夫 布施
Hiroaki Kosugi
裕昭 小杉
Kaoru Ishida
石田  薫
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the scale of a high frequency oscillation circuit by securing oscillation at two or more frequency bands by means of a single oscillation transistor. SOLUTION: When the high oscillation frequency band switching control voltage is applied to an oscillation frequency band switching control element 42, a switching diode 26 of a resonance circuit block 4 is turned on and switched to the lower resonance frequency to secure an inductive impedance at a low frequency band. The feedback circuit blocks 1, 2 and 3 have their impedances which are controlled so as to satisfy the oscillation conditions at a low frequency band. Thus the blocks 1 to 3 oscillate to satisfy their oscillation conditions at a low oscillation frequency band. When the control voltage of a low level is applied to the element 42, the diode 26 of the block 4 is turned off. Then the block 4 is switched to the higher resonance frequency to secure an inductive impedance at a high frequency band. The blocks 1 to 3 also have the controlled impedances so as to satisfy their oscillation conditions even at a high frequency band.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、主として自動車電
話や携帯電話等の移動体通信システムあるいは衛星通信
機器に用いられ、2つ以上の異なる発振周波数帯域で発
振する小型の電圧制御発振回路(VCO)に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is mainly used in a mobile communication system such as an automobile telephone or a portable telephone or a satellite communication device, and is a small voltage controlled oscillator (VCO) oscillating in two or more different oscillation frequency bands. ).

【0002】[0002]

【従来の技術】以下に、異なる2つの周波数帯域で発振
が可能な従来の高周波発振回路について説明する。図7
は、従来の異なる2つの周波数帯域で発振が可能な高周
波発振回路を示す構成図である。回路ブロック80、8
1はそれぞれ発振用トランジスタを含む独立した高周波
発振回路(1)、(2)である。それぞれの出力は結合
回路ブロック82に接続され、高周波発振回路(1)8
0及び(2)81のいずれかの信号を選択して出力端子
83から出力される。このように、異なる2つ以上の周
波数帯域で発振が可能な高周波発振回路を構成するには
従来の方式では、発振周波数帯域の数だけ発振用トラン
ジスタが必要である。
2. Description of the Related Art A conventional high-frequency oscillation circuit capable of oscillating in two different frequency bands will be described below. FIG.
FIG. 2 is a configuration diagram showing a conventional high-frequency oscillation circuit capable of oscillating in two different frequency bands. Circuit blocks 80, 8
Reference numeral 1 denotes independent high-frequency oscillation circuits (1) and (2) each including an oscillation transistor. Each output is connected to the coupling circuit block 82, and the high-frequency oscillation circuit (1) 8
One of the signals 0 and (2) 81 is selected and output from the output terminal 83. As described above, in order to configure a high-frequency oscillation circuit capable of oscillating in two or more different frequency bands, the conventional method requires oscillation transistors in the number of oscillation frequency bands.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、発振用トランジスタを2つ以上必要と
したため、それに付随する回路等も含めると実装面積が
大きくなるという課題を有していた。小型化のためには
1つの発振用トランジスタで2つ以上の周波数帯域で発
振する高周波発振回路を実現する必要がある。
However, in the above configuration, since two or more oscillation transistors are required, there is a problem that the mounting area becomes large including the circuits and the like associated therewith. For downsizing, it is necessary to realize a high-frequency oscillation circuit that oscillates in two or more frequency bands with one oscillation transistor.

【0004】本発明は、従来の高周波発振回路のこのよ
うな課題を考慮し、1つの発振用トランジスタで異なる
2つ以上の周波数帯域での発振を可能とし、回路規模の
小型化ができる高周波発振回路を提供することを目的と
するものである。
The present invention has been made in consideration of such a problem of a conventional high-frequency oscillation circuit, and enables a single oscillation transistor to oscillate in two or more different frequency bands, thereby reducing the circuit size. It is intended to provide a circuit.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1の本発明は、1
つの発振用トランジスタと、そのトランジスタに対す
る、異なる2つ以上のインピーダンスを有する帰還回路
と、トランジスタに接続され、異なる2つ以上の共振周
波数を選択できる共振回路とを備えた高周波発振回路で
ある。
According to the first aspect of the present invention, there is provided:
This is a high-frequency oscillation circuit including one oscillation transistor, a feedback circuit having two or more different impedances for the transistors, and a resonance circuit connected to the transistor and capable of selecting two or more different resonance frequencies.

【0006】請求項3の本発明は、1つの発振用トラン
ジスタと、異なる2つ以上のインピーダンスを選択でき
る、トランジスタに対する帰還回路と、トランジスタに
接続され、異なる2つ以上の共振周波数を有する共振回
路とを備えた高周波発振回路である。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a single oscillation transistor, a feedback circuit for the transistor capable of selecting two or more different impedances, and a resonance circuit connected to the transistor and having two or more different resonance frequencies. And a high-frequency oscillation circuit comprising:

【0007】[0007]

【発明の実施の形態】以下に、本発明をその実施の形態
を示す図面に基づいて説明する。 (実施の形態1)図1は、本発明の第1の実施の形態に
おける高周波発振回路の回路図である。図1において、
共振回路ブロック4は誘導性インピーダンス回路として
機能し、共振回路として高いQ値を有している。チュー
ニング電圧を加える端子43は十分なインダクタ値を有
したインダクタ20により、バラクタ24のカソード
側、及びコンデンサ23に接続される。またバラクタ2
4のアノード側は接地する。コンデンサ23の他端に接
続されたストリップライン共振器22は所望周波数帯域
で必要なインダクタンス成分を有しており、誘電体基板
上に形成される。このストリップライン共振器22の他
端は所望の周波数帯で十分低インピーダンスとなるよう
に、例えば1GHz程度の高周波に対して100pF程
度のコンデンサ25を介してスイッチングダイオード2
6のアノード側に接続される。スイッチングダイオード
26のカソード側は接地する。さらに、十分なインダク
タ値を有したインダクタ21の一端を発振周波数帯域切
り換え制御端子42に接続し、もう一端をスイッチング
ダイオード26のバイアス抵抗27を介してスイッチン
グダイオード26のアノードに接続する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings showing an embodiment. (Embodiment 1) FIG. 1 is a circuit diagram of a high-frequency oscillation circuit according to a first embodiment of the present invention. In FIG.
The resonance circuit block 4 functions as an inductive impedance circuit, and has a high Q value as a resonance circuit. A terminal 43 for applying the tuning voltage is connected to the cathode side of the varactor 24 and the capacitor 23 by the inductor 20 having a sufficient inductor value. Varactor 2
The anode side of 4 is grounded. The strip line resonator 22 connected to the other end of the capacitor 23 has a necessary inductance component in a desired frequency band, and is formed on a dielectric substrate. The other end of the strip line resonator 22 has a switching diode 2 via a capacitor 25 of about 100 pF for a high frequency of about 1 GHz, for example, so as to have a sufficiently low impedance in a desired frequency band.
6 is connected to the anode side. The cathode side of the switching diode 26 is grounded. Further, one end of the inductor 21 having a sufficient inductor value is connected to the oscillation frequency band switching control terminal 42, and the other end is connected to the anode of the switching diode 26 via the bias resistor 27 of the switching diode 26.

【0008】また、直流供給電圧が加えられる電源供給
端子40と発振用トランジスタ10のコレクタ間には十
分なインダクタ値を有するインダクタ33が接続され
る。抵抗36はトランジスタ10のエミッタとグランド
間に接続される。抵抗34及び抵抗35はトランジスタ
10のコレクタとグランド間に直列に接続され、抵抗3
4、35の接続点をトランジスタ10のベースに接続す
る。また、トランジスタ10のコレクタと共振回路ブロ
ック4との間に接続されたコンデンサ30は、共振回路
ブロック4とトランジスタ10を高周波的に結合し、コ
ンデンサ32は一方をトランジスタ10のベースに接続
し、他端を接地することでトランジスタ10をベース接
地型高周波発振回路として動作させる。さらに出力はト
ランジスタ10のエミッタに接続された出力結合コンデ
ンサ31を介して出力端子41から得られる。
Further, an inductor 33 having a sufficient inductor value is connected between a power supply terminal 40 to which a DC supply voltage is applied and the collector of the oscillation transistor 10. The resistor 36 is connected between the emitter of the transistor 10 and the ground. The resistor 34 and the resistor 35 are connected in series between the collector of the transistor 10 and the ground.
The connection points 4 and 35 are connected to the base of the transistor 10. Also, a capacitor 30 connected between the collector of the transistor 10 and the resonance circuit block 4 couples the resonance circuit block 4 and the transistor 10 in high frequency, and one of the capacitors 32 connects to the base of the transistor 10. By grounding the end, the transistor 10 is operated as a common base type high frequency oscillation circuit. Further, an output is obtained from an output terminal 41 via an output coupling capacitor 31 connected to the emitter of the transistor 10.

【0009】また、帰還回路ブロック1はトランジスタ
10のコレクタ−エミッタ間に接続され、コンデンサ1
2とインダクタ13の並列回路にコンデンサ11を直列
接続した回路で構成され、2つの所望周波数帯域で所望
の容量性インピーダンスが得られる。同様の回路構成の
帰還回路ブロック2、3も、それぞれトランジスタ10
のエミッタ−グランド間、コレクタ−ベース間に接続さ
れており、これによりそれぞれの容量性インピーダンス
は2つの所望周波数帯域において最適なインピーダンス
値が得られる。また、端子40、42、43とグランド
間には高周波ノイズ阻止用コンデンサ37がそれぞれ接
続される。
The feedback circuit block 1 is connected between the collector and the emitter of the transistor 10 and has a capacitor 1
It is configured by a circuit in which the capacitor 11 is connected in series to a parallel circuit of the inductor 2 and the inductor 13, and a desired capacitive impedance can be obtained in two desired frequency bands. Feedback circuit blocks 2 and 3 having a similar circuit configuration also include transistors 10
Are connected between the emitter and the ground, and between the collector and the base, so that the respective capacitive impedances can obtain optimum impedance values in two desired frequency bands. Further, high-frequency noise blocking capacitors 37 are connected between the terminals 40, 42, and 43 and the ground, respectively.

【0010】以上のように構成された第1の実施の形態
の高周波発振回路の動作について、図面を参照しながら
説明する。
The operation of the high-frequency oscillation circuit according to the first embodiment configured as described above will be described with reference to the drawings.

【0011】いま、発振周波数帯域切り換え制御端子4
2に加えられた発振周波数帯域切り換え制御電圧が高い
とき、共振回路ブロック4のスイッチングダイオード2
6がオンして低い方の共振周波数に切り替わり、低い周
波数帯域で誘導性インピーダンスとなる。帰還回路ブロ
ック1、2、3は、その低い周波数帯域で発振条件を満
足するように調整されたインピーダンスを有するため、
低い発振周波数で発振条件を満足し、発振する。また、
端子42の制御電圧が低い時、共振回路ブロック4のス
イッチングダイオード26はオフとなり、共振回路ブロ
ック4は高い方の共振周波数に切り換わり、高い周波数
帯域で誘導性インピーダンスとなる。帰還回路ブロック
1、2、3は、所望の高い周波数帯域でも発振条件を満
足するように調整されたインピーダンスも有するので、
所望の高い周波数帯域で発振が可能となる。
Now, the oscillation frequency band switching control terminal 4
When the oscillation frequency band switching control voltage applied to the switching circuit 2 is high, the switching diode 2
6 turns on and switches to the lower resonance frequency, and becomes inductive impedance in a low frequency band. Since the feedback circuit blocks 1, 2, and 3 have impedances adjusted to satisfy the oscillation conditions in the low frequency band,
It satisfies the oscillation conditions at low oscillation frequency and oscillates. Also,
When the control voltage of the terminal 42 is low, the switching diode 26 of the resonance circuit block 4 is turned off, and the resonance circuit block 4 switches to a higher resonance frequency, and becomes inductive impedance in a high frequency band. The feedback circuit blocks 1, 2, and 3 also have an impedance adjusted to satisfy the oscillation condition even in a desired high frequency band.
Oscillation is possible in a desired high frequency band.

【0012】以上のように、本実施の形態によれば、発
振用トランジスタ1つで異なる2つの周波数帯域での発
振を実現することができる。
As described above, according to the present embodiment, oscillation in two different frequency bands can be realized with one oscillation transistor.

【0013】なお、上記第1の実施の形態では、帰還回
路ブロック1,2,3を2つの異なるインピーダンスを
有するインピーダンス素子で構成したが、これに代え
て、帰還回路ブロック1、2、3を、図3に示すよう
に、コンデサ100、101の2つを半導体スイッチ回
路102で切り換える回路で構成しても同様の効果を得
ることができる。
In the first embodiment, the feedback circuit blocks 1, 2, and 3 are constituted by impedance elements having two different impedances. However, the feedback circuit blocks 1, 2, and 3 are replaced by the feedback circuit blocks 1, 2, and 3. As shown in FIG. 3, the same effect can be obtained even if two of the capacitors 100 and 101 are configured by a circuit switched by the semiconductor switch circuit 102.

【0014】また、共振回路ブロック4を、図4に示す
ように、共振周波数の異なる2つの共振器103、10
4を半導体スイッチ回路105で切り換える回路、ある
いは又、図5に示すように、一端を接地した共振器10
6上の中間の1点に直流電流阻止用コンデサ107を介
して半導体スイッチ素子108を接続し、その半導体ス
イッチ素子108にバイアス抵抗109を接続した構成
の回路、あるいは又、図6に示すように、一端を接地し
た共振器110の他端にコンデサ111を接続し、コン
デンサ111に半導体スイッチ素子112を接続し、そ
の半導体スイッチ素子112にバイアス抵抗113を接
続した構成の回路を用いても同様の効果を得ることが出
来る。 (実施の形態2)図2は、本発明の第2の実施の形態の
高周波発振回路の回路図である。図2において、一端を
接地したストリップライン共振器76にストリップライ
ン共振器75およびコンデンサ73を接続する。ストリ
ップライン共振器75の他端にはコンデンサ72を接続
し、コンデンサ72、73の他端を接続すると同時にバ
ラクタ74のカソードおよび十分なインダクタ値を有し
たインダクタ71を接続する。バラクタ74のアノード
は接地する。インダクタ71の他端はチューニング電圧
を加える端子43に接続する。2帯域共振回路ブロック
6は、以上の回路で構成される。
As shown in FIG. 4, the resonance circuit block 4 is composed of two resonators 103, 10 having different resonance frequencies.
4 is switched by a semiconductor switch circuit 105. Alternatively, as shown in FIG.
6, a semiconductor switch element 108 is connected via a DC current blocking capacitor 107 to an intermediate point, and a bias resistor 109 is connected to the semiconductor switch element 108, or as shown in FIG. The same applies to the case where a capacitor 111 is connected to the other end of a resonator 110 having one end grounded, a semiconductor switch element 112 is connected to the capacitor 111, and a bias resistor 113 is connected to the semiconductor switch element 112. The effect can be obtained. (Embodiment 2) FIG. 2 is a circuit diagram of a high-frequency oscillation circuit according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 2, a strip line resonator 75 and a capacitor 73 are connected to a strip line resonator 76 having one end grounded. A capacitor 72 is connected to the other end of the stripline resonator 75, and the other ends of the capacitors 72 and 73 are connected to the cathode of the varactor 74 and the inductor 71 having a sufficient inductor value. The anode of varactor 74 is grounded. The other end of the inductor 71 is connected to a terminal 43 for applying a tuning voltage. The two-band resonance circuit block 6 is configured by the above circuits.

【0015】また、コンデンサ30はストリップライン
共振器75、76の接続点と発振用トランジスタ10の
コレクタ間に接続する。直流供給電圧が加えられる電源
供給端子40と発振用トランジスタ10のコレクタ間に
十分なインダクタ値を有するインダクタ33を接続す
る。抵抗36はトランジスタ10のエミッタとグランド
間に接続する。抵抗34、抵抗35はトランジスタ10
のコレクタとグランド間に直列接続し、抵抗34、35
の接続点をトランジスタ10のベースに接続する。コン
デンサ32は一方をトランジスタ10のベースに接続
し、他端を接地することでトランジスタ10をベース接
地型高周波発振回路として動作させる。さらに出力はト
ランジスタ10のエミッタに接続したコンデンサ31を
介して端子41から得られる。
The capacitor 30 is connected between the connection point between the strip line resonators 75 and 76 and the collector of the oscillation transistor 10. An inductor 33 having a sufficient inductor value is connected between a power supply terminal 40 to which a DC supply voltage is applied and a collector of the oscillation transistor 10. The resistor 36 is connected between the emitter of the transistor 10 and the ground. The resistor 34 and the resistor 35 are connected to the transistor 10
Connected in series between the collector of the
Is connected to the base of the transistor 10. One end of the capacitor 32 is connected to the base of the transistor 10, and the other end is grounded, so that the transistor 10 operates as a grounded-base high-frequency oscillation circuit. Further, the output is obtained from terminal 41 via capacitor 31 connected to the emitter of transistor 10.

【0016】また、帰還回路ブロック7は、トランジス
タ10のコレクタ−エミッタ間に接続され、コンデンサ
62と誘電体基板に形成したストリップライン61との
並列回路にコンデンサ60を直列接続した回路で構成さ
れ、調整により2つの所望周波数帯で所望の容量性イン
ピーダンスが得られる。コンデンサ63は発振用トラン
ジスタ10のコレクタ−ベース間に接続する。帰還回路
ブロック5は、トランジスタ10のエミッタ−グランド
間に接続され、コンデンサ50、51はトランジスタ1
0のエミッタに接続されている。コンデンサ50の他端
は接地し、コンデンサ51の他端はスイッチングダイオ
ード52のアノードに接続する。またスイッチングダイ
オード52のアノードはバイアス抵抗53を介して発振
周波数帯域切り換え制御端子42に接続し、さらにスイ
ッチングダイオード52のカソードは接地する。端子4
0、42、43とグランド間には高周波ノイズ阻止用コ
ンデンサ37をそれぞれ接続する。
The feedback circuit block 7 is connected between the collector and the emitter of the transistor 10, and is constituted by a circuit in which a capacitor 60 is connected in series with a parallel circuit of a capacitor 62 and a strip line 61 formed on a dielectric substrate. The adjustment provides the desired capacitive impedance in the two desired frequency bands. The capacitor 63 is connected between the collector and the base of the oscillation transistor 10. The feedback circuit block 5 is connected between the emitter of the transistor 10 and the ground, and the capacitors 50 and 51 are connected to the transistor 1.
0 emitter. The other end of the capacitor 50 is grounded, and the other end of the capacitor 51 is connected to the anode of the switching diode 52. The anode of the switching diode 52 is connected to the oscillation frequency band switching control terminal 42 via the bias resistor 53, and the cathode of the switching diode 52 is grounded. Terminal 4
High frequency noise blocking capacitors 37 are connected between 0, 42, and 43 and the ground, respectively.

【0017】以上のように構成された第2の実施の形態
の高周波発振回路の動作について、図面を参照しながら
説明する。
The operation of the high-frequency oscillation circuit according to the second embodiment configured as described above will be described with reference to the drawings.

【0018】2帯域共振回路ブロック6は、半導体スイ
ッチ素子等の切り換えスイッチを持たないが同時に所望
の2つの発振周波数帯域より高めの共振周波数を有し、
2つの周波数帯域において所望の誘導性インピーダンス
回路として機能する。さらに共振回路ブロック6は、上
記2つの共振点において共振回路としてなるべく高いQ
値を有している。端子42に加える制御電圧によりスイ
ッチングダイオード52がオン、オフすることでトラン
ジスタ10のエミッタ−グランド間の容量性インピーダ
ンスを切り換えることができる。帰還回路ブロック7
は、2つの周波数帯域で自由にインピーダンスを調整す
ることができる。以上により、2つの所望周波数帯域の
いづれでも発振条件を満足させる事ができるので、2つ
の所望周波数帯域での発振を実現することができる。ま
た、発振周波数の切り換えはスイッチングダイオード5
2のオン、オフにより行う事ができる。
The two-band resonance circuit block 6 does not have a changeover switch such as a semiconductor switch element, but has a resonance frequency higher than two desired oscillation frequency bands at the same time.
It functions as a desired inductive impedance circuit in two frequency bands. Further, the resonance circuit block 6 has as high a Q as possible as a resonance circuit at the two resonance points.
Have a value. When the switching diode 52 is turned on and off by the control voltage applied to the terminal 42, the capacitive impedance between the emitter and the ground of the transistor 10 can be switched. Feedback circuit block 7
Can freely adjust the impedance in two frequency bands. As described above, since the oscillation condition can be satisfied in any of the two desired frequency bands, oscillation in the two desired frequency bands can be realized. Switching of the oscillation frequency is performed by the switching diode 5.
2 can be turned on and off.

【0019】以上のように、本実施の形態によれば、発
振用トランジスタ1つで異なる2つの周波数帯域での発
振を実現することができる。
As described above, according to the present embodiment, oscillation in two different frequency bands can be realized with one oscillation transistor.

【0020】なお、結合コンデンサ30は、ストリップ
ライン共振器75とコンデンサ72の接続点または、コ
ンデンサ72とバラクタ74のアノードの接続点と、発
振用トランジスタ10のコレクタとの間に接続しても同
様の効果が得られる。
The coupling capacitor 30 may be connected between the connection point between the strip line resonator 75 and the capacitor 72 or the connection point between the capacitor 72 and the anode of the varactor 74 and the collector of the oscillation transistor 10. The effect of is obtained.

【0021】なお、上記実施の形態では、いずれも所望
する周波数帯域を2つとして説明したが、所望する周波
数帯域の数は3つ以上であっても勿論良い。
[0021] In the above-described embodiment, the description has been made on the assumption that the number of desired frequency bands is two. However, the number of desired frequency bands may be three or more.

【0022】以上のように、1つの発振用トランジスタ
と、異なる2つ以上の所望周波数帯域で共振周波数を有
する共振回路と、発振用トランジスタのコレクタ−ベー
ス間、ベース−エミッタ間、エミッタ−コレクタ間に接
続され、2つ以上の周波数帯域でそれぞれ所望のインピ
ーダンスを有する帰還回路とを備えた構成とし、共振回
路または、帰還回路の少なくとも1つを制御電圧により
インピーダンス切り換えできる構成とすることで、所望
の周波数帯域のいづれでも発振条件を満足させることが
でき、一つの発振用トランジスタで2つ以上の所望周波
数帯での発振を実現することができる。
As described above, one oscillation transistor, a resonance circuit having resonance frequencies in two or more different desired frequency bands, a collector-base, a base-emitter, and an emitter-collector of the oscillation transistor And a feedback circuit having a desired impedance in each of two or more frequency bands, and a configuration in which at least one of the resonance circuit and the feedback circuit can be switched in impedance by a control voltage. The oscillation condition can be satisfied in any of the above frequency bands, and oscillation in two or more desired frequency bands can be realized with one oscillation transistor.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上述べたところから明らかなように本
発明は、1つの発振用トランジスタで異なる2つ以上の
周波数帯域での発振を可能とし、回路規模の小型化がで
きるという長所を有する。
As is apparent from the above description, the present invention has an advantage that one oscillation transistor can oscillate in two or more different frequency bands and the circuit scale can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態の高周波発振回路の
回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram of a high-frequency oscillation circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態の高周波発振回路の
回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram of a high-frequency oscillation circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態における帰還回路の一例を
示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram illustrating an example of a feedback circuit according to the embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態における共振周波数切り換
え回路の一例を示す回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram illustrating an example of a resonance frequency switching circuit according to the embodiment of the present invention.

【図5】本発明の実施の形態における共振周波数切り換
え回路の別の一例を示す回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing another example of the resonance frequency switching circuit according to the embodiment of the present invention.

【図6】本発明の実施の形態における共振周波数切り換
え回路の別の一例を示す回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing another example of the resonance frequency switching circuit according to the embodiment of the present invention.

【図7】従来の二帯域高周波発振回路を示す回路図であ
る。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a conventional two-band high-frequency oscillation circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2、3、5、7 帰還回路ブロック 4 共振回路ブロック 6 2帯域共振回路ブロック 10 発振用トランジスタ 22 ストリップライン共振器 24 バラクタダイオード 26、52、108、112 スイッチングダイオード 40 電源供給端子 42 発振周波数帯域切り換え制御端子 43 チューニング電圧供給端子 75、76 ストリップライン共振器 80 高周波発振回路1 81 高周波発振回路2 82 結合回路 102、105 切り換えスイッチ 103、104、106、110 ストリップライン共
振器
1, 2, 3, 5, 7 Feedback circuit block 4 Resonance circuit block 6 Two-band resonance circuit block 10 Oscillation transistor 22 Stripline resonator 24 Varactor diode 26, 52, 108, 112 Switching diode 40 Power supply terminal 42 Oscillation frequency Band switching control terminal 43 Tuning voltage supply terminal 75, 76 Strip line resonator 80 High frequency oscillation circuit 1 81 High frequency oscillation circuit 2 82 Coupling circuit 102, 105 Switching switch 103, 104, 106, 110 Strip line resonator

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 布施 伸夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 小杉 裕昭 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 石田 薫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Nobuo Fuse, Inventor 1006 Kadoma, Kazuma, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 72) Inventor Kaoru Ishida 1006 Kadoma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (14)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 1つの発振用トランジスタと、そのトラ
ンジスタに対する、異なる2つ以上のインピーダンスを
有する帰還回路と、前記トランジスタに接続され、異な
る2つ以上の共振周波数を選択できる共振回路とを備え
たことを特徴とする高周波発振回路。
1. An oscillation transistor, a feedback circuit having two or more different impedances for the transistor, and a resonance circuit connected to the transistor and capable of selecting two or more different resonance frequencies. A high frequency oscillation circuit characterized by the above.
【請求項2】 帰還回路は、前記トランジスタのコレク
タ−ベース間、ベース−エミッタ間、エミッターコレク
タ間にそれぞれ接続されたインピーダンス素子であるこ
とを特徴とする請求項1記載の高周波発振回路。
2. The high-frequency oscillation circuit according to claim 1, wherein the feedback circuit is an impedance element connected between the collector and the base, between the base and the emitter, and between the emitter and the collector of the transistor.
【請求項3】 1つの発振用トランジスタと、異なる2
つ以上のインピーダンスを選択できる、前記トランジス
タに対する帰還回路と、前記トランジスタに接続され、
異なる2つ以上の共振周波数を有する共振回路とを備え
たことを特徴とする高周波発振回路。
3. One oscillation transistor and two different oscillation transistors
One or more impedances can be selected, a feedback circuit for the transistor, and connected to the transistor;
And a resonance circuit having two or more different resonance frequencies.
【請求項4】 帰還回路は、前記トランジスタのコレク
タ−ベース間、ベース−エミッタ間、エミッターコレク
タ間にそれぞれ接続されたインピーダンス素子であっ
て、前記インピーダンス素子のうちの少なくとも1つの
インピーダンス素子において前記インピーダンスの選択
を行うことを特徴とする請求項3記載の高周波発振回
路。
4. The feedback circuit is an impedance element connected between a collector and a base, between a base and an emitter, and between an emitter and a collector of the transistor, wherein at least one of the impedance elements has the impedance. 4. The high frequency oscillation circuit according to claim 3, wherein the selection is made.
【請求項5】 インピーダンス素子の少なくとも一つ
が、第1のキャパシタンス素子とインダクタンス素子と
の並列回路に、第2のキャパシタンス素子が直列に接続
されていることを特徴とする請求項2、又は4記載の高
周波発振回路。
5. The device according to claim 2, wherein at least one of the impedance elements has a second capacitance element connected in series to a parallel circuit of the first capacitance element and the inductance element. High frequency oscillation circuit.
【請求項6】 インダクタンス素子が、誘電体基板上も
しくは誘電体基板中に形成されたストリップライン共振
器であることを特徴とする請求項5記載の高周波発振回
路。
6. The high-frequency oscillation circuit according to claim 5, wherein the inductance element is a strip line resonator formed on or in the dielectric substrate.
【請求項7】 インピーダンス素子の少なくとも1つ
が、第1のリアクタンス素子と、第2のリアクタンス素
子と、それら第1のリアクタンス素子及び第2のリアク
タンス素子を切り換える半導体スイッチ素子とを有する
ことを特徴とする請求項4記載の高周波発振回路。
7. At least one of the impedance elements has a first reactance element, a second reactance element, and a semiconductor switch element for switching between the first reactance element and the second reactance element. The high-frequency oscillation circuit according to claim 4, wherein
【請求項8】 インピーダンス素子の少なくとも1つ
が、第1のリアクタンス素子と半導体スイッチ素子の直
列回路に、第2のリアクタンス素子が並列に接続された
ことを特徴とする請求項4記載の高周波発振回路。
8. The high-frequency oscillation circuit according to claim 4, wherein at least one of the impedance elements is connected to a series circuit of the first reactance element and the semiconductor switch element, and the second reactance element is connected in parallel. .
【請求項9】 共振回路が、前記2つ以上の共振周波数
にそれぞれ対応する共振器と、その共振器を切り換える
半導体スイッチ素子とを有することを特徴とする請求項
1、又は2記載の高周波発振回路。
9. The high-frequency oscillation according to claim 1, wherein the resonance circuit has a resonator corresponding to each of the two or more resonance frequencies, and a semiconductor switch element for switching the resonator. circuit.
【請求項10】 半導体スイッチ素子は、前記共振器の
一端とグランドとの間に設けられていることを特徴とす
る請求項9記載の高周波発振回路。
10. The high-frequency oscillation circuit according to claim 9, wherein the semiconductor switch element is provided between one end of the resonator and a ground.
【請求項11】 半導体スイッチ素子は、前記共振器上
の中間の一点とグランドとの間に設けられていることを
特徴とする請求項9記載の高周波発振回路。
11. The high-frequency oscillation circuit according to claim 9, wherein the semiconductor switch element is provided between a middle point on the resonator and a ground.
【請求項12】 共振器が、誘電体基板に形成したスト
リップライン共振器、又は同軸誘電体共振器であること
を特徴とする請求項10、又は11記載の高周波発振回
路。
12. The high frequency oscillation circuit according to claim 10, wherein the resonator is a strip line resonator formed on a dielectric substrate or a coaxial dielectric resonator.
【請求項13】 半導体スイッチ素子と前記共振器との
間にキャパシタンス素子が直列に接続されていることを
特徴とする請求項9記載の高周波発振回路。
13. The high-frequency oscillation circuit according to claim 9, wherein a capacitance element is connected in series between the semiconductor switch element and the resonator.
【請求項14】 共振回路は所望の2つの共振周波数を
有する二帯域共振回路であって、その共振回路は、誘電
体基板に形成され、一端同士が接続された第1のストリ
ップライン及び第2のストリップラインと、前記一端同
士の接続点に一端が接続された第1のコンデンサと、前
記第2のストリップラインの他端に一端が接続された第
2のコンデンサと、前記第1のコンデンサの他端及び前
記第2のコンデンサの他端に同時にカソードが接続され
たバラクタとを有し、前記第1のストリップラインの他
端及び、前記バラクタのアノードが接地されていること
を特徴とする請求項3記載の高周波発振回路。
14. The resonance circuit is a two-band resonance circuit having two desired resonance frequencies. The resonance circuit is formed on a dielectric substrate, and has a first strip line and one end connected to one end. A first capacitor having one end connected to a connection point between the one ends, a second capacitor having one end connected to the other end of the second strip line, A varactor having a cathode connected to the other end and the other end of the second capacitor at the same time, and the other end of the first strip line and an anode of the varactor are grounded. Item 3. The high-frequency oscillation circuit according to Item 3.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4831821A (en) * 1986-06-11 1989-05-23 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha System for purifying exhaust gas from a diesel engine
KR20000009352A (en) * 1998-07-23 2000-02-15 이형도 Dual band voltage controlling oscillator
KR100407493B1 (en) * 2000-12-14 2003-11-28 알프스 덴키 가부시키가이샤 Television tuner
JP4678076B2 (en) * 1999-07-02 2011-04-27 株式会社村田製作所 Resonator, oscillator, filter, duplexer, and communication device

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