JPH10198456A - マイクロプロセッサ及びその最適化方法 - Google Patents

マイクロプロセッサ及びその最適化方法

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JPH10198456A
JPH10198456A JP9294010A JP29401097A JPH10198456A JP H10198456 A JPH10198456 A JP H10198456A JP 9294010 A JP9294010 A JP 9294010A JP 29401097 A JP29401097 A JP 29401097A JP H10198456 A JPH10198456 A JP H10198456A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電圧、クロック、及びプロセッサにより実行
される動作を含む変数の階層を用いることにより可能な
限り性能が最適化されたプロセッサを提供する。 【解決手段】 通常プロセッサが動作できる領域400
は、低電圧限界300と負荷限界100と動作温度によ
り定まる。動作温度が限界値より低い場合はプロセッサ
を高い電圧で安定して動作させることができ、またプロ
セッサの利用状態に関係した負荷を制限する必要はな
い。従ってプロセッサの動作温度を検出し、利用状態の
変数を用いて、電圧、クロック周波数、及び負荷を制限
することでプロセッサを最適性能領域500で動作させ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はプロセッサの性能を
最大限に発揮させる技術に関し、より詳しくはプロセッ
サの温度を限界内に維持しながら、電圧、動作機能、ク
ロック周波数の組合せを最適にする技術に関する。
【0002】
【従来の技術】現在のところ、マイクロプロセッサが、
実行中にその電力及び温度を制御するための選択肢は極
めて僅かしかない。このことは、移動型及びデスクトッ
プ型の双方のパーソナル・コンピュータにおいていえ
る。マイクロプロセッサ・システムは、しばしば、最悪
の電力消費状態で連続的に使用されることを想定して設
計される。製品が生産にリリースされる前に、この設計
条件に適合できることを保証するため高精度のシステム
検証が行われる。
【0003】現在のマイクロプロセッサは、マイクロプ
ロセッサ・システムが稼働中でないときに実行される多
数の電力低減状態を有することを特徴とする。X86ク
ラスのマイクロプロセッサにおいては、その特徴は、通
常、SMM(システム管理モード)と称される。電力消
費は、次のような方法により極めて低レベルに下げるこ
とができる。 ・マイクロプロセッサ内の論理オペレーションを停止す
る。 ・マイクロプロセッサへのクロックを止める。 ・マイクロプロセッサへの電力を切る。
【0004】これらは特に、バッテリ寿命の限られる移
動型パーソナル・コンピュータにとって有用な特徴であ
る。しかしながら、上記の手順は全て、マイクロプロセ
ッサによる生産的作業を完全に停止してしまう荒っぽい
対応策である。
【0005】「フェイル・セーフ・モード」として、幾
つかのシステムは、熱によるオーバランの場合にクロッ
クを落とすために外部論理を用いる電力センサを導入し
てきた。この「フェイル・セーフ・モード」がアクティ
ブにされるとき、その結果として生じる性能の減退が極
めて深刻なことがある。例えば、10分の1になってし
まう。
【0006】他のマイクロプロセッサ及び技術革新によ
り、そのマイクロプロセッサを所与の特定の動作特性又
はその特性に近い特性で動作させることが求められるよ
うになった。例えば、Elmerによる米国特許第5488
288号では、温度及びプロセス変化に応答して、内部
動作電圧を発生しかつこれを制御することによりスイッ
チング速度の揺らぎを補償する電圧安定化装置の使用が
開示されている。
【0007】Turnvallによる米国特許第5498971
号では、温度の関数として変化するパラメータを有する
チップ上回路要素の使用と、ダイ(die)温度を計測しか
つ過剰な温度条件の際に回路のクロック周波数を低下さ
せるチップ外の回路要素の使用が開示されている。この
ことは、2つの所定の電圧をそのダイの出力ピンに対し
て供給することにより行われ、各々の電圧は、温度と共
に変化する回路要素により発生される。そして、電圧の
差を計測して、クロック周波数を制御するために用いら
れるダイ温度を表す信号を発生する。
【0008】Schutzらによる米国特許第5440520
号は、別の解決手段であり、電圧マップが温度検知ユニ
ットと結合される。当該特許では、所定の電圧と温度の
関係を利用して、高いチップ温度の期間に電圧を上昇さ
せている。そうしなければ、マイクロプロセッサ・チッ
プの性能が低下することとなる。さらに、所定の素子特
性のセットを利用して、電圧の上昇を特定の限界以内に
制限している。
【0009】これらの解決手段の全ての焦点は、性能を
安定化するため、又は、熱によるオーバーランを避ける
ために、電圧及び温度を利用することにある。しばし
ば、2つのパラメータのうち1つを他の1つに対して計
測することにより、性能が精確に計測される。他の動作
特性は無視される。
【0010】これらの解決手段は、適切な状況を利用で
きていない。マイクロプロセッサは、長時間その最大電
力消費状態にあることはなく、そしてめったにその最大
安全温度に近づくことがない。様々な温度範囲において
性能を安定させようとするシステムでさえ、マイクロプ
ロセッサ及びそのシステムはそのほとんどの時間におい
て、より多くのオペレーションをサポートすることがで
きるという事実を十分に取り入れてはいない。
【0011】本発明は、温度及び電圧の双方を便宜上用
いる。本発明は、マイクロプロセッサ・システムがその
電力消費の最悪条件で稼動することは稀であるという事
実を利用する。本発明では、温度及び電圧以外の変数を
用いることにより、様々な方法でシステムをモニターす
る。システム性能を最適化するためにとられるいかなる
動作も、アクティビティが実行されるか若しくは実行さ
れないかの関数となるのであって、いかなる動作も、こ
れらのアクティビティが電圧か温度のいずれかに作用を
及ぼす必要のある結果を生じるまで待つことはない。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、マイ
クロプロセッサの性能を管理するべく、マイクロプロセ
ッサ・システムの性能を最大限とするために種々のアク
ティビティ状態及び変数を用いる方法及びシステムを創
作することである。
【0013】本発明の更なる目的は、電圧及び温度の最
適設計条件と通常の動作条件との間の差を便宜上利用す
る。これらの条件は、普通はマイクロプロセッサの限界
状態条件におけるものではない。
【0014】本発明の更なる目的は、可能な限りの頻度
でその最適性能範囲内で動作する1又は複数のマイクロ
プロセッサを維持することである。
【0015】
【課題を解決するための手段】これらの目的は、本発明
により充足される。本発明は、連続的にマイクロプロセ
ッサの温度をモニターし、マイクロプロセッサがその瞬
間的な最大許容性能において動作するよう維持するため
に他の変数を導入する。
【0016】これらの変数は、供給電圧、クロック及び
機能を含む。プロセッサは、リアルタイムで実行されて
いる機能に依存してかつリアルタイム環境の制約の範囲
内で、その性能を最大に調整するために、単独でこれら
の変数の最良の組合せを決定することができる。例え
ば、温度が所与の制限内であることがわかっている場
合、通常の電圧設計限界を超えてプロセッサを動作させ
ることができる。
【0017】システムの最大性能範囲に可能な限り留ま
るという目的をサポートするには、多数のオペレーショ
ン状態が定められる。各状態においてプロセッサ及びそ
のシステムは、そのシステム及びプロセッサの環境上及
び実行上の状態をリアルタイムでモニターする。状態間
の移動は、モニター用に選択されたパラメータに基づ
く。
【0018】プロセッサ性能制御モジュールは、状態及
び生じた動作を制御し、チップ上の温度検知素子から連
続的に入力される。「n」クロック毎の区切りにおい
て、プロセッサは、現在のオペレーション条件を評価し
て、どの動作をとるべきかそしてどの状態に入るべきか
を決定する。
【0019】
【発明の実施の形態】いかなるときであってもプロセッ
サが動作している機能は、性能を最大化する上で考慮さ
れるべき重要なパラメータである。行われる動作は、部
分的には、実行中のプログラムにより決定される。この
目的を達成するためにプロセッサは、実行中の命令タイ
プのオンゴーイング状態を維持しようとする。これらの
命令タイプは、広くいえば次のように特徴付けられる。 ・バス・トランザクション ・分岐機能 ・レジスタ転送 ・算術オペレーション
【0020】これらの機能の各々は、専用のハードウェ
アに関連している。スーパースカラー・マイクロプロセ
ッサにおいては、このハードウェアがしばしば別個のユ
ニットの形態となっており、このようなユニットの複数
の複製がある場合もある。例えば、2つの算術ユニット
がある場合等である。所与の場合には、これらのユニッ
トは、「回転」、「加算」、「OR」等のさらに基本的
なユニットへ分割されることもある。
【0021】スーパースカラー・マイクロプロセッサに
おいては、複数のタイプのオペレーションを同時に実行
することができる。最適性能を得るために、全てのこれ
らのアクティビティを監視すると共に、所望するスルー
プットを実現するためのみでなくプロセッサがその性能
限界近傍で動作することを確保するべく選択的にオペレ
ーションをアクティブとする。
【0022】図1は、温度と電圧を軸としてマイクロプ
ロセッサが動作可能な領域を描いたノモグラフを示す。
左側の境界は、回路が満足に動作するであろう最低電圧
により決定される。右側の境界は、技術的な安全負荷レ
ベルにより決定される。この最も右側の境界は、温度と
電圧の双方の関数であることに留意されたい。
【0023】右上の点は、通常性能領域400の「限界
状態動作点」を示す。この点及びこの点と同じ温度にお
ける低電圧動作限界により決定される長方形は、特定の
動作条件を規定する。限界条件温度に近づかない場合
は、技術的に、より高い動作電圧を安全にサポートで
き、そしてより高性能をサポートできることになる。実
際に、通常の動作条件下では、限界条件温度に近づくこ
とは稀である。斜線の長方形500は、リアルタイム温
度が頻繁に許容する更なる最適性能領域を示す。
【0024】本発明の目的は、マイクロプロセッサが、
可能な限り頻繁に斜線長方形により示されるこの更なる
最適性能領域内で動作するよう維持することである。こ
の目的のサポートにおいて、電力消費及び動作温度を下
げる多数の他の動作状態が規定される。
【0025】図2は、本発明のための「切り換え制御流
れ図」を示す。更なる最適性能領域500が、4と示さ
れたボックスである。その特徴は、昇圧された電圧(A
V)及び加速されたクロック(AC)、並びに任意のマ
イクロプロセッサの機能を完全に利用することに制約が
ないことである。
【0026】他の動作状態は、他のボックスにより表さ
れている。これらのボックスは、梯子状に配置されてい
る。双方向性の矢印は、マイクロプロセッサが梯子の上
で隣り合う動作状態間へ切り換えられることを示してい
る。あるいは、特定の条件下では、梯子の最上部と最下
部の間で切り換えられることを示す。左上角のキーは、
各ボックス内の動作条件を規定する。
【0027】・正常電圧(NV) 正常電圧とは、従来技術によるマイクロプロセッサであ
る場合に設計されてきた汎用的な設計電圧を意味する。
【0028】・減速されたクロック(RC) 減速されたクロックとは、正常クロック又は加速された
クロックよりも非常に低いクロック周波数を意味する。
【0029】・正常クロック(NC) 正常クロックとは、従来技術によるマイクロプロセッサ
である場合に設計されてきた汎用的クロック周波数を意
味する。
【0030】・昇圧された電圧(AV) 昇圧された電圧とは、温度条件が適合するときに適宜許
容される、より高い動作電圧を意味する。
【0031】・加速されたクロック(AC) 加速されたクロックとは、昇圧された電圧が適用されか
つ温度条件が適合するときに許容し得る、より高いクロ
ック周波数を意味する。
【0032】・利用制御(UC) 利用制御とは、それがなければマイクロプロセッサがそ
のマイクロプロセッサの内部機能の全てを完全に利用す
るはずの、何らかの制約状態に置かれていることを意味
する。これは、僅かな「スローダウン・モード」であ
り、クロック周波数の変化を必要としない。
【0033】破線の輪郭で示されたボックスは、遷移状
態を表す。これらの遷移状態は、マイクロプロセッサ
が、先ず昇圧された電圧へと切り換わることなしには瞬
間的に加速されたクロックへと切り換わることができな
いという理由から存在するにすぎない。逆に、正常電圧
へと戻る前に、マイクロプロセッサは先ず正常クロック
へと切り換わらなければならない。
【0034】ここで、これらのボックスの各々につい
て、先ず最上部のボックスから検討する。
【0035】・状態#1:NV/RC マイクロプロセッサは、No-Op命令のストリングを
検知したときには必ずこの非常に低い電力状態に切り換
わる。この状態は、電力を減らしかつ温度を下げる。結
果的に得られる低い一定温度は、マイクロプロセッサが
その後に突発的なアクティビティに遭遇するときに有利
となる。
【0036】・状態#2:NV/NC マイクロプロセッサは、バス・アクティビティのみを検
知するときには必ずこの状態に留まり、そしてリアルタ
イム温度がTopt未満であるとき又は状態#1と状態#
4の間で遷移しているとき、この状態に留まる。Topt
は、限界条件温度より十分に低い温度であり、この温度
では、より高い電圧及びより高い周波数のオペレーショ
ンが可能でありかつ技術的に不利益がないと判断されて
いる。このポイントは、通常、技術的負荷限界の所与の
許容できる誤差の範囲内で、図1に示した更なる最適性
能領域500の高温限界にて選択される。Toptは、図
1には符号501で示されている。
【0037】・状態#3:AV/NC 前述のように、これは遷移状態である。
【0038】・状態#4:AV/AC これは、「更なる最適性能領域」であり、前述した通り
である。この状態/領域は、高度かつ生産的なアクティ
ビティの期間のために用いられる。マイクロプロセッサ
は、温度がToptの下にある限りにおいてのみ状態#4
に留まることができる。Toptの定義については、「状
態#2」の記述を引用する。
【0039】・状態#5:AV/AC/UC 状態#5は、ある程度状態#4に似ている。状態#5
は、半導体基板温度がToptを超えたことをマイクロプ
ロセッサ・センサが検知するときに誘発される。マイク
ロプロセッサは、昇圧された電圧かつ加速されたクロッ
クに留まるが、電力消費は、その様々な内部マイクロプ
ロセッサ機能の部分的利用に対して巧みな制御を行うこ
とにより制限される。この概念は、以下でさらに詳細に
説明される。
【0040】・状態#6:AV/NC/UC これは、もう1つの遷移状態である。状態#6を介する
状態#7への遷移は、半導体基板温度がTswitchを超え
たことをマイクロプロセッサ・センサが検知するときに
誘発される。Tswitchは、Toptよりほんの僅かだけ高
い温度である。Tswitchを超えることは、更なる温度上
昇を止めるための利用制御の適用が十分でなかったこと
を意味する。そこで、さらに徹底した制御を適用しなけ
ればならない。Tswitchは、図1の符号502により示
され、通常、更なる最適領域500として設定された技
術的負荷限界に近い。それは、更なる温度上昇を止める
ためにとられる尺度として、プロセッサにその技術的負
荷限界を超えさせないように安全に維持するようなポイ
ントである。
【0041】・状態#7 状態#7では、マイクロプロセッサが、様々な内部マイ
クロプロセッサ機能の部分的利用に対する制御を適用し
続けつつ、正常クロック及び正常電圧へ戻る。状態#7
は、限界条件設計限界の範囲内となることを意図されて
いる。図1の領域400を参照されたい。これは、通常
性能領域であるので、マイクロプロセッサはこの状態に
永遠に留まることができる。しかしながら、本発明にお
いては、ほとんど場合にマイクロプロセッサは、状態#
7に入った後まもなく状態#5か状態#4のいずれかに
戻ることになる。
【0042】ここで、マイクロプロセッサは、No-O
ps命令のストリングが検知された場合は状態#7から
状態#1へ直接行くことができることに留意されたい。
しかしながら、温度が最初にToptより下がるまではそ
こから状態#2へ進むことはできない。
【0043】上記のように、状態#4と状態#5との間
の切り換えは、所与の利用制御を呼び出す。正常条件及
び正常プログラミングの下では、マイクロプロセッサが
常に状態#4にあることが想定されている。しかしなが
ら、アクティビティの小さなピークが、瞬間的に状態#
5へと移行させることがある。状態#5は、クロック周
波数を単純に粗く下げることよりも、微妙でかつ効果的
である。状態#5は、マイクロプロセッサ機能の幾つか
を使用できる頻度を制限することにより、アクティビテ
ィのピークであるロード・レベルを求める。明らかに高
電力の機能、特に円滑な性能に悪影響を及ぼす機能が先
ず削られる。図3及び図4は、このロード・レベル決定
を実行する相互動作のパスを示している。
【0044】図3は、プロセッサ及びそのシステムの機
能を管理するために用いられる性能制御回路の構成図で
ある。性能制御ブロック32は、マイクロプロセッサの
様々なユニットの部分的利用を管理するために自動制御
ブロック36への動作情報を与え、そして自動制御ブロ
ック36から利用制御情報を受け取る。これを、例えば
図3のブロック34に一般的に示されるように、算術ユ
ニット、浮動小数点ユニット及び他のさらに基本的なユ
ニットへ接続することができる。
【0045】さらに、性能制御ブロック32は、プロセ
ッサのバスを通しバス・モニター38を介してバス・ア
クティビティを検知し、この情報を自動制御ブロック3
6に対して送る。性能制御ブロックはさらに、クロック
制御回路30へ情報を入力しかつここから情報を受け取
る。これらの入力は、利用率を上げるために、そして自
動制御ブロック36に対するシステム・クロック及び初
期化情報を与えるために用いられる。一般的に、プロセ
ッサ・ユニット34の制御は、プロセッサのアーキテク
チャ及び対象とする特定のプロセッサの性能に大きく依
存する。例えば、アーキテクチャ的配慮により、異なる
ユニット34の制御のために異なる利用度を定めること
もある。なぜなら、1つのユニットが別のユニットより
も性能若しくは依存性の観点からより重要な場合がある
からである。重要性及び利用性のマトリクスに基づい
て、1又は複数のユニットに対するクロックが、その性
能ユニットにより変更されることもある。
【0046】自動制御ブロック36を形成するネットワ
ークが、図4にさらに詳細に示されている。この自動制
御ブロックは、供給電圧及びクロック周波数の双方を制
御する。電圧安定化機能は高電力消費を呈するので、通
常、この機能は、マイクロプロセッサ・チップから物理
的に分離されている。図4では、電圧安定化機能が破線
の右に示され、正常電圧(NV)50及び昇圧された電圧
(AV)52により表されている。図4に示すように好適
例においては、自動制御ブロックの他の全ての部分が、
マイクロプロセッサ・チップ上に置かれている。
【0047】アップダウン・カウンタは、2つの電圧
(NV及びAV)間を直接切り換えるチップ外の電圧安
定化装置(50及び52)を制御する。自動制御ブロック
は、電圧安定化装置がその対応するクロック周波数遷移
の前に両電圧間の遷移を完了するために十分な時間を許
容されるべくプログラミングされている。
【0048】さらに自動制御ブロックは、クロック周波
数がRC、NC及びACの間で切り換わることを制御す
る。再び、自動制御ブロックは、クロック発生器がその
対応する供給電圧遷移の前にこれらの間の遷移を完了す
るために十分な時間を許容されるべくプログラミングさ
れている。
【0049】実際の制御は、初期化用のリセット入力
(ライン51)を具備するアップダウン・カウンタとし
て見ることができる。このカウンタは、条件に基づいて
「梯子」を上がったり下がったりすることができる。ア
ップダウン・カウンタを進めるために必要な条件は、単
純な論理ブロックによりデコードされる。アップダウン
・カウンタの進行は、クロック・サイクル境界上におい
てのみ行われ、多数のNo-Opサイクルにわたること
もある。システム・クロック・ライン53は、この同期
を与える。
【0050】実際の実施においては、これらの単純な論
理ブロックへの入力は、性能制御ブロックからの情報を
含む。例えば、次のようなものである。 ・No-Op命令のストリングが検知されたか(図4の
符号56)。 ・命令は、「バス・オンリー」か(図4の符号54)。
【0051】自動制御ブロックはさらに、符号58とし
て集合的に示されるマイクロプロセッサ・チップ上の温
度センサからの入力を受け取る。温度感知ダイオード
は、この目的のために用いることができる。ブロック6
0、62及び64は、各々インバータ(66)を有し、
それぞれT>Topt(60)、T>Tswitch(62)、
及びT>Tmax(64)となるとき直ちにイネーブルと
される。Tmaxは、プロセッサを動作させるために特定
された最大温度である。
【0052】性能制御ブロック32からのNo-Op信
号もまたインバータを有することに注目すると、ゲート
68が状態1を規定し、ゲート70が状態2を規定し、
ゲート72が状態4及び遷移状態3を規定し、ゲート7
4が状態5を規定し、そしてゲート76が状態7及び遷
移状態6を規定する。状態1が真である場合(すなわ
ち、No-Op条件又はT>Tmaxのいずれかである場
合)、減速クロック発生器80がイネーブルとされ、プ
ロセッサ・クロック出力88が減速されたクロック速度
となる。バス・アクティビティかつT<Toptの場合、
状態2がイネーブルとされる。状態2にあるとき、ゲー
ト90を介する制御が正常クロック(NC)82をイネ
ーブルとし、NC82から戻される信号に基づきゲート
94を介して正常電圧を維持する。状態3は遷移状態で
あり、プロセッサのユニットがオペレーションの実行を
開始する(状態2から出る)ときはいつでも生じ、そし
てT<Toptのとき生じる。この状態においては、ゲー
ト91が、昇圧電圧安定化装置(AV)52をイネーブ
ルとする。AVがイネーブルとされた後、加速クロック
(AC)84をイネーブルとするために信号がゲート9
5を介して送られ、そしてここでプロセッサは状態4に
ある。Topt<T<Tswitchのとき、状態5がゲート7
4を介してイネーブルとされる。これは、プロセッサ及
びシステムを、利用制御(UC)86へ移行させる。こ
の状態では、性能制御ブロック32が、ユニット34の
活動を削減することにより電力消費を安定化させようと
する。
【0053】状態6は、T>Tswitchとなる遷移状態で
ある。この状態では、ゲート76がゲート90を介して
先ず正常クロック82をオンとした後、ゲート93及び
94を介して正常電圧(50)を発生する。その後シス
テムは状態7にあり、そして温度がTmaxを超えるか又
はTswitch未満となるまで留まる。温度がTmaxを超え
た場合、システムは状態1へ移行する。しかし、温度が
Tswitchより下がった場合、システムは状態5へ戻る。
【0054】上記においては、本発明を特定の実施例を
参照して記述した。しかしながら、特許請求の範囲に記
載の本発明のより広い主旨及び範囲から逸脱することな
く様々な修整や変更が可能なことは自明である。明細書
及び図面は、説明のためであって限定することを意図し
たものではない。
【0055】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【0056】(1)安定化された電源を用い複数のクロ
ック周波数を有するプロセッサにおいて、前記プロセッ
サの現在温度に対応する温度信号を与える温度検知回路
と、前記プロセッサの機能的オペレーションをモニター
する性能制御部と、前記性能制御部及び前記温度検知ユ
ニットから情報を受信し、適切なクロック周波数及び動
作電圧を選択するためにその情報を利用する論理ネット
ワークとを有するプロセッサ。 (2)前記性能制御部の一部であって前記論理ネットワ
ークへ結合され、前記論理ネットワークへ与えられる前
記情報に基づいて1又は複数のプロセッサの機能ユニッ
トのオペレーションを制限する利用制御モジュールを有
する上記(1)のプロセッサ。 (3)前記論理ネットワークが、前記温度検知ユニット
及び前記性能制御部からの前記情報を利用することによ
り、前記プロセッサの前記オペレーションを制御する状
態を提供する上記(1)に記載のプロセッサ。 (4)前記性能制御部の一部であって前記論理ネットワ
ークへ結合され、前記論理ネットワークへ与えられる前
記情報に基づいて1又は複数のプロセッサの機能ユニッ
トのオペレーションを制限する利用制御モジュールを有
する上記(3)のプロセッサ。 (5)検知される前記温度が最適温度を超えるときに、
前記利用制御モジュールが、前記状態のうちの1つによ
りイネーブルとされる上記(3)のプロセッサ。 (6)検知される前記温度が高電圧及び高速クロックに
おいて選択された温度範囲外にあるとき、前記状態のう
ちの1つが正常電圧及び正常クロックを与える上記
(3)のプロセッサ。 (7)前記状態のうちの1つが、検知される前記温度が
最適温度より下であるときにイネーブルとされる高電圧
及び高速クロックを与える上記(3)のプロセッサ。 (8)前記状態のうちの1つが、検知される前記温度が
最適温度より下であるときにイネーブルとされる高電圧
及び高速クロックを与える上記(5)のプロセッサ。 (9)検知される前記温度が高電圧及び高速クロックに
おいて選択された温度範囲外にあるとき、前記状態のう
ちの1つが正常電圧及び正常クロックを与える上記
(5)のプロセッサ。 (10)検知される前記温度が高電圧及び高速クロック
において選択された温度範囲外にあるとき、前記状態の
うちの1つが正常電圧及び正常クロックを与える上記
(8)のプロセッサ。 (11)前記性能制御部がバス・アクティビティのみを
検知し、かつ、検知される前記温度が最適温度より下で
あるとき、前記状態のうちの1つが正常電圧及び正常ク
ロックを与える上記(10)のプロセッサ。 (12)前記性能制御部が一連のNo-Op命令を検知
するか、又は、前記温度が前記プロセッサについて特定
された最高温度より上であるかのいずれかのとき、前記
状態のうちの1つが減速されたクロック速度を与える上
記(10)のプロセッサ。 (13)前記性能制御部が一連のNo-Op命令を検知
するか、又は、前記温度が前記プロセッサについて特定
された最高温度より上であるかのいずれかのとき、前記
状態のうちの1つが減速されたクロック速度を与える上
記(11)のプロセッサ。 (14)前記プロセッサの機能ユニットが動作しており
かつ前記プロセッサの検知温度が増進されたアクティビ
ティ状態における最適温度より下であるとき、正常なア
クティビティ状態から前記増進されたアクティビティ状
態へと切り換えるステップと、前記プロセッサの検知温
度が、前記増進されたアクティビティ状態における前記
最適温度と超過しない温度との間であるとき、前記プロ
セッサの機能ユニットを管理する利用制御をイネーブル
とするステップと、前記プロセッサの検知温度が、前記
増進されたアクティビティ状態で動作するための前記超
過しない温度よりも上であるとき、前記増進されたアク
ティビティ状態から正常なアクティビティ状態へと切り
換えるステップとを含むプロセッサの性能を最適化する
方法。 (15)前記正常なアクティビティ状態が正常なクロッ
ク及び電圧を有し、前記増進されたアクティビティ状態
が増進されたクロック及び電圧並びに前記プロセッサの
機能ユニットによる全機能実行を有する上記(14)の
プロセッサの性能を最適化する方法。 (16)前記プロセッサが一連のNo-Op命令を検知
したとき、減速されたクロック状態へ入るステップと、
前記プロセッサの検知温度が最適温度より下でありかつ
バス・アクティビティのみがあるとき、減速されたクロ
ック状態から、又は、増進された電圧及びクロック状態
から、正常なアクティビティ状態へと移行するステップ
とをさらに含む上記(15)の方法。 (17) 前記プロセッサの検知温度が、前記プロセッ
サにおける特定の温度より上であるときはいつでも、前
記減速されたクロック状態へと切り換えるステップをさ
らに含む上記(16)の方法。 (18)可変のクロック及び電圧を有するプロセッサの
性能を最適化する装置において、前記プロセッサの機能
ユニットが動作しておりかつ前記プロセッサの検知温度
が増進された電圧及びクロック状態での動作における最
適温度より下であるとき、正常な電圧及びクロック状態
から前記増進された電圧及びクロック状態へと切り換え
る手段と、前記プロセッサの検知温度が、前記最適温度
と前記増進された電圧及びクロック状態における超過し
ない温度との間であるとき、利用制御をイネーブルする
手段と、前記検知温度が、増進された電圧及びクロック
状態で動作するための前記超過しない温度より上である
とき、前記増進された電圧及びクロック状態から前記正
常なアクティビティ状態へと切り換える手段とを有する
プロセッサの性能を最適化する装置。 (19)前記プロセッサが一連のNo-Op命令を検知
したとき、減速されたクロック状態に入る手段と、前記
プロセッサの検知温度が前記最適温度より下でありかつ
バス・アクティビティのみがあるとき、減速されたクロ
ック状態から、又は、増進された電圧及びクロック状態
から、正常なアクティビティ状態へと移行する手段とを
さらに有する上記(18)の装置。 (20)前記プロセッサの検知温度が、前記プロセッサ
における特定の温度より上であるときはいつでも、前記
減速されたクロック状態へ切り換える手段をさらに有す
る上記(19)の装置。
【図面の簡単な説明】
【図1】マイクロプロセッサが動作可能な領域を描い
た、温度と電圧を軸とするノモグラフである。
【図2】本発明の切換制御の流れ及びその状態を示す流
れ図である。
【図3】本発明の性能制御及び自動制御並びに関連する
入力及び出力の構成図である。
【図4】本発明の自動制御論理の単純な論理ブロックを
用いた図である。
【符号の説明】
30 クロック制御 32 性能制御 34 機能ユニット 36 自動制御 38 バス・モニター 100 技術的負荷限界 200 限界条件動作点 300 回路の電圧限界 400 汎用的仕様領域 500 更なる最適性能領域 501 Topt 510 Tswitch
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウィルバー・デイビット・プライサー アメリカ合衆国05495、バーモント州、シ ャルロット、スペアー・ストリート 5524 (72)発明者 セバスチャン・テオドール・ヴェントロー ン アメリカ合衆国05403、バーモント州、サ ウス・バーリントン、バトラー・ドライブ 38

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】安定化された電源を用い複数のクロック周
    波数を有するプロセッサにおいて、 前記プロセッサの現在温度に対応する温度信号を与える
    温度検知回路と、 前記プロセッサの機能的オペレーションをモニターする
    性能制御部と、 前記性能制御部及び前記温度検知ユニットから情報を受
    信し、適切なクロック周波数及び動作電圧を選択するた
    めにその情報を利用する論理ネットワークとを有するプ
    ロセッサ。
  2. 【請求項2】前記性能制御部の一部であって前記論理ネ
    ットワークへ結合され、前記論理ネットワークへ与えら
    れる前記情報に基づいて1又は複数のプロセッサの機能
    ユニットのオペレーションを制限する利用制御モジュー
    ルを有する請求項1のプロセッサ。
  3. 【請求項3】前記論理ネットワークが、前記温度検知ユ
    ニット及び前記性能制御部からの前記情報を利用するこ
    とにより、前記プロセッサの前記オペレーションを制御
    する状態を提供する請求項1に記載のプロセッサ。
  4. 【請求項4】前記性能制御部の一部であって前記論理ネ
    ットワークへ結合され、前記論理ネットワークへ与えら
    れる前記情報に基づいて1又は複数のプロセッサの機能
    ユニットのオペレーションを制限する利用制御モジュー
    ルを有する請求項3のプロセッサ。
  5. 【請求項5】検知される前記温度が最適温度を超えると
    きに、前記利用制御モジュールが、前記状態のうちの1
    つによりイネーブルとされる請求項3のプロセッサ。
  6. 【請求項6】検知される前記温度が高電圧及び高速クロ
    ックにおいて選択された温度範囲外にあるとき、前記状
    態のうちの1つが正常電圧及び正常クロックを与える請
    求項3のプロセッサ。
  7. 【請求項7】前記状態のうちの1つが、検知される前記
    温度が最適温度より下であるときにイネーブルとされる
    高電圧及び高速クロックを与える請求項3のプロセッ
    サ。
  8. 【請求項8】前記状態のうちの1つが、検知される前記
    温度が最適温度より下であるときにイネーブルとされる
    高電圧及び高速クロックを与える請求項5のプロセッ
    サ。
  9. 【請求項9】検知される前記温度が高電圧及び高速クロ
    ックにおいて選択された温度範囲外にあるとき、前記状
    態のうちの1つが正常電圧及び正常クロックを与える請
    求項5のプロセッサ。
  10. 【請求項10】検知される前記温度が高電圧及び高速ク
    ロックにおいて選択された温度範囲外にあるとき、前記
    状態のうちの1つが正常電圧及び正常クロックを与える
    請求項8のプロセッサ。
  11. 【請求項11】前記性能制御部がバス・アクティビティ
    のみを検知し、かつ、検知される前記温度が最適温度よ
    り下であるとき、前記状態のうちの1つが正常電圧及び
    正常クロックを与える請求項10のプロセッサ。
  12. 【請求項12】前記性能制御部が一連のNo-Op命令
    を検知するか、又は、前記温度が前記プロセッサについ
    て特定された最高温度より上であるかのいずれかのと
    き、前記状態のうちの1つが減速されたクロック速度を
    与える請求項10のプロセッサ。
  13. 【請求項13】前記性能制御部が一連のNo-Op命令
    を検知するか、又は、前記温度が前記プロセッサについ
    て特定された最高温度より上であるかのいずれかのと
    き、前記状態のうちの1つが減速されたクロック速度を
    与える請求項11のプロセッサ。
  14. 【請求項14】前記プロセッサの機能ユニットが動作し
    ておりかつ前記プロセッサの検知温度が増進されたアク
    ティビティ状態における最適温度より下であるとき、正
    常なアクティビティ状態から前記増進されたアクティビ
    ティ状態へと切り換えるステップと、 前記プロセッサの検知温度が、前記増進されたアクティ
    ビティ状態における前記最適温度と超過しない温度との
    間であるとき、前記プロセッサの機能ユニットを管理す
    る利用制御をイネーブルとするステップと、 前記プロセッサの検知温度が、前記増進されたアクティ
    ビティ状態で動作するための前記超過しない温度よりも
    上であるとき、前記増進されたアクティビティ状態から
    正常なアクティビティ状態へと切り換えるステップとを
    含むプロセッサの性能を最適化する方法。
  15. 【請求項15】前記正常なアクティビティ状態が正常な
    クロック及び電圧を有し、前記増進されたアクティビテ
    ィ状態が増進されたクロック及び電圧並びに前記プロセ
    ッサの機能ユニットによる全機能実行を有する請求項1
    4のプロセッサの性能を最適化する方法。
  16. 【請求項16】前記プロセッサが一連のNo-Op命令
    を検知したとき、減速されたクロック状態へ入るステッ
    プと、 前記プロセッサの検知温度が最適温度より下でありかつ
    バス・アクティビティのみがあるとき、減速されたクロ
    ック状態から、又は、増進された電圧及びクロック状態
    から、正常なアクティビティ状態へと移行するステップ
    とをさらに含む請求項15の方法。
  17. 【請求項17】前記プロセッサの検知温度が、前記プロ
    セッサにおける特定の温度より上であるときはいつで
    も、前記減速されたクロック状態へと切り換えるステッ
    プをさらに含む請求項16の方法。
  18. 【請求項18】可変のクロック及び電圧を有するプロセ
    ッサの性能を最適化する装置において、 前記プロセッサの機能ユニットが動作しておりかつ前記
    プロセッサの検知温度が増進された電圧及びクロック状
    態での動作における最適温度より下であるとき、正常な
    電圧及びクロック状態から前記増進された電圧及びクロ
    ック状態へと切り換える手段と、 前記プロセッサの検知温度が、前記最適温度と前記増進
    された電圧及びクロック状態における超過しない温度と
    の間であるとき、利用制御をイネーブルする手段と、 前記検知温度が、増進された電圧及びクロック状態で動
    作するための前記超過しない温度より上であるとき、前
    記増進された電圧及びクロック状態から前記正常なアク
    ティビティ状態へと切り換える手段とを有するプロセッ
    サの性能を最適化する装置。
  19. 【請求項19】前記プロセッサが一連のNo-Op命令
    を検知したとき、減速されたクロック状態に入る手段
    と、 前記プロセッサの検知温度が前記最適温度より下であり
    かつバス・アクティビティのみがあるとき、減速された
    クロック状態から、又は、増進された電圧及びクロック
    状態から、正常なアクティビティ状態へと移行する手段
    とをさらに有する請求項18の装置。
  20. 【請求項20】前記プロセッサの検知温度が、前記プロ
    セッサにおける特定の温度より上であるときはいつで
    も、前記減速されたクロック状態へ切り換える手段をさ
    らに有する請求項19の装置。
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