JPH10190008A - Semiconductor micromachine - Google Patents
Semiconductor micromachineInfo
- Publication number
- JPH10190008A JPH10190008A JP8355339A JP35533996A JPH10190008A JP H10190008 A JPH10190008 A JP H10190008A JP 8355339 A JP8355339 A JP 8355339A JP 35533996 A JP35533996 A JP 35533996A JP H10190008 A JPH10190008 A JP H10190008A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- electrode
- substrate
- micromachine
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【技術分野】本発明は，各種微小センサ等に利用可能な
半導体マイクロマシンに関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a semiconductor micromachine that can be used for various minute sensors and the like.
【０００２】[0002]
【従来技術】従来，大きさが微小である角速度センサ
（ジャイロセンサ），加速度センサ（Ｇセンサ），マイ
クロアクチュエーター等を作成する技術として，シリコ
ン等の半導体材料を利用したマイクロマシニング技術が
開発されている。この技術によれば，機械的な加工によ
らず，通常の半導体回路等の作成技術を組み合わせ，１
ミリ以下の微小な上記センサ等を作成することができ
る。このような技術により作成された製品の一例とし
て，角速度センサとして機能する半導体マイクロマシン
につき，図５〜図７を用いて説明する。2. Description of the Related Art Conventionally, a micromachining technology using a semiconductor material such as silicon has been developed as a technology for producing an angular velocity sensor (gyro sensor), an acceleration sensor (G sensor), a microactuator, and the like having a small size. I have. According to this technology, the production technology of ordinary semiconductor circuits and the like is combined without using mechanical processing, and 1
It is possible to create the above-described sensor and the like that are minute or smaller. A semiconductor micromachine functioning as an angular velocity sensor will be described as an example of a product created by such a technique with reference to FIGS.
【０００３】図５〜図７に示すごとく，上記半導体マイ
クロマシン９は，基板９２と，該基板９２に間隙部９１
を設けて対向配置されると共に，針状体９５によって支
持された可動部９３と，該可動部９３を挟み，その両側
に対向配置された一対の固定部９７とよりなる。また，
図６に示すごとく，上記可動部９３は上記基板９２に対
し，平行となるように配置されてなる。上記可動部９３
は，上記振動板９６とその両側に一体的に設けられた可
動部側櫛形電極９６１とよりなる。As shown in FIGS. 5 to 7, the semiconductor micromachine 9 includes a substrate 92 and a gap portion 91 in the substrate 92.
And a movable portion 93 supported by the needle-like body 95, and a pair of fixed portions 97 sandwiching the movable portion 93 and opposed to both sides thereof. Also,
As shown in FIG. 6, the movable portion 93 is arranged so as to be parallel to the substrate 92. The movable part 93
Is composed of the vibrating plate 96 and movable portion side comb electrodes 961 integrally provided on both sides thereof.
【０００４】上記針状体９５の端部は，上記基板９２に
固定された支持部９４に接続されてなる。更に，上記支
持部９４は，固定層９４９を介して，上記基板９２に対
し固定されている。また，上記支持部９４には，電極パ
ッド９４８が設けてなる。An end of the needle 95 is connected to a support 94 fixed to the substrate 92. Further, the supporting portion 94 is fixed to the substrate 92 via the fixing layer 949. The support 94 is provided with an electrode pad 948.
【０００５】更に，上記基板９２における上記振動板９
６との対向面には，該振動板９６との距離を検出するた
めの距離検出用電極９８が設けてある。また，図６に示
すごとく，上記振動板９６の裏面９６２には，上記距離
検出用電極９８と対になって動作する検出用電極部が設
けてある。また，上記距離検出用電極９８は，リード部
９８０，端子部９８２を経て，出力取出用の電極パッド
９８８に接続されてなる。Further, the diaphragm 9 on the substrate 92 is
A distance detection electrode 98 for detecting the distance to the vibration plate 96 is provided on the surface facing the plate 6. Further, as shown in FIG. 6, the back surface 962 of the vibration plate 96 is provided with a detection electrode portion which operates in pair with the distance detection electrode 98. The distance detection electrode 98 is connected to an output extraction electrode pad 988 via a lead portion 980 and a terminal portion 982.
【０００６】また，上記固定部９７には，上記振動板９
６を振動させるための固定部側櫛形電極９７１が設けて
ある。上記固定部側櫛形電極９７１と上記可動部側櫛形
電極９６１とは，相互にかみ合うように配置されてな
り，両者の間には微細な隙間が形成されている。なお，
上記固定部９７は固定層９７９を介して上記基板９２に
接合配置されてなる。また，上記固定部９７には，上記
固定部側櫛形電極９７１への電圧印加用の電極パッド９
７８が設けてある。Further, the vibration plate 9 is attached to the fixed portion 97.
A fixed part side comb-shaped electrode 971 for vibrating 6 is provided. The fixed part side comb-shaped electrode 971 and the movable part side comb-shaped electrode 961 are arranged so as to mesh with each other, and a minute gap is formed between them. In addition,
The fixing portion 97 is arranged so as to be bonded to the substrate 92 via a fixing layer 979. The fixed portion 97 has an electrode pad 9 for applying a voltage to the fixed portion side comb-shaped electrode 971.
78 is provided.
【０００７】また，上記半導体マイクロマシン９におい
て，上記基板９２は単結晶のシリコン材料よりなる。ま
た，上記可動部９３は，リン，硼素，アンチモン等をド
ーピングした多結晶シリコンよりなる。また，上記固定
部９７，上記支持部９４，針状体９５も同様にリン，硼
素，アンチモン等をドーピングした多結晶シリコンより
なる。In the semiconductor micromachine 9, the substrate 92 is made of a single crystal silicon material. The movable portion 93 is made of polycrystalline silicon doped with phosphorus, boron, antimony, or the like. Similarly, the fixing part 97, the supporting part 94, and the needle-like body 95 are also made of polycrystalline silicon doped with phosphorus, boron, antimony, or the like.
【０００８】また，上記基板９２に設けた距離検出用電
極９８は，基板９２と異なる特性となるようなドーパン
トをドーピングすることにより形成されている。具体的
には，ｐ型シリコン単結晶よりなる基板９２の該当部分
にリン，硼素，アンチモン等をドーピングし，距離検出
用電極９８となす。また，上記距離検出用電極９８と同
様にして，リード部９８０，端子部９８２を基板９２上
に作成する。なお，上記固定層９４９，９７９は窒化シ
リコン膜よりなる。更に，上記電極パッド９４８，９７
８，９８８は，金，アルミニウム等の導電性材料にて形
成されている。The distance detecting electrode 98 provided on the substrate 92 is formed by doping a dopant having a characteristic different from that of the substrate 92. More specifically, phosphorus, boron, antimony, or the like is doped into a corresponding portion of a substrate 92 made of p-type silicon single crystal to form a distance detection electrode 98. Further, similarly to the distance detecting electrode 98, the lead portion 980 and the terminal portion 982 are formed on the substrate 92. The fixed layers 949 and 979 are made of a silicon nitride film. Furthermore, the electrode pads 948, 97
8 and 988 are formed of a conductive material such as gold or aluminum.
【０００９】上記半導体マイクロマシン９による角速度
の検出につき説明する。まず，上記一対の可動部側櫛形
電極９６１と固定部側櫛形電極９７１との間に０〜Ｖ0
（Ｖ）の振幅の矩形波交流電圧を印加する。この電圧の
周波数は，可動部９３が図５の矢印αに示す方向に共振
するときの共振周波数とする。また，上記とは反対側の
一対には，上記一対と１８０度位相をずらした電圧を印
加する。これにより，上記可動部側櫛形電極９６１と固
定部側櫛形電極９７１との間に静電力が発生する。上記
静電力によって，上記振動板９６には，図５の矢印αに
示すごとく，上記基板９２に対して平行方向の水平振動
が発生する。The detection of the angular velocity by the semiconductor micromachine 9 will be described. First, 0 to V 0 is provided between the pair of movable portion side comb-shaped electrodes 961 and the fixed portion side comb-shaped electrodes 971.
A rectangular wave AC voltage having an amplitude of (V) is applied. The frequency of this voltage is the resonance frequency when the movable section 93 resonates in the direction indicated by the arrow α in FIG. In addition, a voltage having a phase difference of 180 degrees from that of the above pair is applied to the pair of opposite sides. As a result, an electrostatic force is generated between the movable portion side comb-shaped electrode 961 and the fixed portion side comb-shaped electrode 971. Due to the electrostatic force, horizontal vibration occurs in the vibration plate 96 in a direction parallel to the substrate 92 as shown by an arrow α in FIG.
【００１０】この状態にある上記半導体マイクロマシン
９に対し，同図に示すｃ軸を回転軸とする角速度ωを加
えたとする。この時，上記振動板９６には，図５におけ
る矢印βに示すごとく，上記基板９２に対して垂直方向
に，図６に示すごときコリオリ力Ｆ１及びＦ２が交互に
発生する。上記コリオリ力Ｆ１，Ｆ２によって，上記振
動板９６は，上記基板９２に対して，垂直方向へ振動す
る。It is assumed that an angular velocity ω having the c-axis as a rotation axis shown in FIG. 1 is applied to the semiconductor micromachine 9 in this state. At this time, Coriolis forces F1 and F2 as shown in FIG. 6 are alternately generated on the diaphragm 96 in the direction perpendicular to the substrate 92 as shown by an arrow β in FIG. Due to the Coriolis forces F1 and F2, the diaphragm 96 vibrates in the vertical direction with respect to the substrate 92.
【００１１】ここに，上記コリオリ力Ｆ１，Ｆ２は次式
により示される。即ち， Ｆ１＝Ｆ２＝２ｍω×Ａ（２πｆ）ｃｏｓ｛（２πｆ）
ｔ｝ である。ただし，ｍは振動板９６の質量，ωは半導体マ
イクロマシン９の角速度，Ａは振動板９６の振幅，ｆは
上記交流電圧の周波数，ｔは経過時間である。Here, the Coriolis forces F1 and F2 are expressed by the following equations. That is, F1 = F2 = 2mω × A (2πf) cos ｛(2πf)
t｝. Here, m is the mass of the diaphragm 96, ω is the angular velocity of the semiconductor micromachine 9, A is the amplitude of the diaphragm 96, f is the frequency of the AC voltage, and t is the elapsed time.
【００１２】上記振動板９６の垂直方向への振動によ
り，該振動板９６と基板９２との間の間隙部９１の距離
が，上記振動の周期に従って変化する。この距離の変化
を上記振動板の下面９６２と距離検出用電極９８との間
の静電容量の変化として検出する。この検出値に基づ
き，図示を略した回路の信号処理によって角速度ωを検
出する。By vibrating the vibrating plate 96 in the vertical direction, the distance of the gap 91 between the vibrating plate 96 and the substrate 92 changes according to the period of the vibration. This change in distance is detected as a change in capacitance between the lower surface 962 of the diaphragm and the distance detection electrode 98. Based on the detected value, the angular velocity ω is detected by signal processing of a circuit not shown.
【００１３】[0013]
【解決しようとする課題】しかしながら，上記半導体マ
イクロマシン９には以下に示す問題がある。上記可動部
側櫛形電極９６１と振動板９６とは，共に，一枚のドー
ピングされた多結晶シリコンよりなる可動部９３に形成
されてなる。このため，両者は電気的に導通した状態に
ある。However, the semiconductor micromachine 9 has the following problems. Both the movable portion side comb-shaped electrode 961 and the vibrating plate 96 are formed on a movable portion 93 made of one piece of doped polycrystalline silicon. Therefore, the two are in an electrically conductive state.
【００１４】そして，上記可動部側櫛形電極９６１は，
電圧の印加された上記固定部側櫛形電極９７１が，微細
な隙間を隔てて配置されてなることから，帯電する。ま
た，上記振動板９６に接続された針状体９５は，非常に
軽量である振動板９６を効率よく振動させるため，その
バネ定数が小さいことが要求される。よって，上記針状
体９５の形状は，一般に，径が細く，長さが長い。この
ため，上記針状体９５における電気抵抗値は非常に大き
い。The movable-part-side comb-shaped electrode 961 is
The fixed-part-side comb-shaped electrode 971 to which the voltage is applied is charged because it is arranged with a minute gap therebetween. In addition, the needle-like body 95 connected to the vibration plate 96 is required to have a small spring constant in order to efficiently vibrate the extremely lightweight vibration plate 96. Therefore, the shape of the needle 95 is generally small in diameter and long in length. Therefore, the electric resistance value of the needle 95 is very large.
【００１５】従って，上記可動部側櫛形電極９６１に溜
まった電荷は，抵抗値の大きい針状体９５の側に移動し
難く，代わりに上記振動板９６に溜まる。このため，上
記振動板９６の下面９６２に余分の電荷が現れ，該下面
９６２と距離検出用電極９８との間の距離の検出値が，
上記振動板９６と上記基板９２との間の距離に対し，正
確に比例しなくなる。つまり，角速度ωを正確に検出す
ることができなくなる。Accordingly, the electric charge accumulated in the movable-section-side comb-shaped electrode 961 is hard to move to the needle-like body 95 having a large resistance value, and accumulates in the diaphragm 96 instead. For this reason, an extra charge appears on the lower surface 962 of the diaphragm 96, and the detection value of the distance between the lower surface 962 and the distance detection electrode 98 becomes
The distance between the diaphragm 96 and the substrate 92 is not exactly proportional. That is, the angular velocity ω cannot be accurately detected.
【００１６】即ち，従来技術にかかる半導体マイクロマ
シンにおいては，電極または配線の相互間において電荷
の交換が生じ易く，よって，信号のクロストークが発生
する。このことから，上記半導体マイクロマシンにおけ
る電極または配線を構成する回路のＳ／Ｎ比は低く，検
出精度が悪くなる。また，複数の電極を有する可動部が
内部で電気的に接続されているため，それらの電極を同
電位（グランド）として回路を設計する必要があり，回
路設計上の自由度は低い。That is, in the semiconductor micromachine according to the prior art, charges are easily exchanged between electrodes or wirings, and thus signal crosstalk occurs. For this reason, the S / N ratio of the circuit forming the electrode or the wiring in the semiconductor micromachine is low, and the detection accuracy is deteriorated. Further, since the movable portion having a plurality of electrodes is electrically connected inside, it is necessary to design a circuit with these electrodes at the same potential (ground), and the degree of freedom in circuit design is low.
【００１７】また，マイクロマシニング技術による他の
応用例である，加速度センサ，マイクロアクチュエータ
ー等においても，上述した角速度センサと同様の問題が
発生する。In addition, the same problems as those of the above-described angular velocity sensor also occur in acceleration sensors, microactuators, and the like, which are other applications using the micromachining technology.
【００１８】本発明は，かかる問題点に鑑み，複数の電
極または配線の相互間における信号のクロストークを防
止でき，Ｓ／Ｎ比及び回路の設計自由度の高い，半導体
マイクロマシンを提供しようとするものである。In view of the above problems, the present invention intends to provide a semiconductor micromachine capable of preventing signal crosstalk between a plurality of electrodes or wirings and having a high S / N ratio and a high degree of circuit design freedom. It is a thing.
【００１９】[0019]
【課題の解決手段】請求項１の発明は，基板と，該基板
に間隙部を設けて対向配置されると共に，針状体によっ
て支持された半導体薄膜からなる可動部とを有する半導
体マイクロマシンにおいて，上記可動部内には複数の電
極または配線とを設けてなり，かつ，これらの間には電
気的絶縁領域が設けてあることを特徴とする半導体マイ
クロマシンにある。According to a first aspect of the present invention, there is provided a semiconductor micromachine having a substrate and a movable portion formed of a semiconductor thin film supported by a needle and opposed to the substrate with a gap provided therebetween. In the semiconductor micromachine, a plurality of electrodes or wirings are provided in the movable portion, and an electrically insulating region is provided between the electrodes or the wirings.
【００２０】本発明の作用につき，以下に説明する。本
発明にかかる半導体マイクロマシンにおいては，ある電
極または配線と，他の電極または配線との間に電気的絶
縁領域が設けてある。これにより，ある電極または配線
に流通する電荷が，可動部を通じて，他の電極または配
線に移動することを防止できる。即ち，各電極または配
線の相互間における信号のクロストークを防止できる。
また，信号のクロストークが生じ難いことから，電極ま
たは配線におけるＳ／Ｎ比を高めることができる。ま
た，ある電極または配線と，他の電極または配線におけ
る電流（または電圧）とを，別制御とすることができ
る。これにより，回路設計の自由度を高くすることがで
きる。The operation of the present invention will be described below. In the semiconductor micromachine according to the present invention, an electrically insulating region is provided between a certain electrode or wiring and another electrode or wiring. Accordingly, it is possible to prevent the charge flowing through a certain electrode or wiring from moving to another electrode or wiring through the movable portion. That is, it is possible to prevent signal crosstalk between the electrodes or wirings.
In addition, since signal crosstalk is unlikely to occur, the S / N ratio of the electrode or the wiring can be increased. In addition, current (or voltage) at one electrode or wiring and another electrode or wiring can be controlled separately. As a result, the degree of freedom in circuit design can be increased.
【００２１】以上のように，本発明によれば，複数の電
極または配線の相互間における信号のクロストークを防
止でき，Ｓ／Ｎ比及び回路の設計自由度の高い，半導体
マイクロマシンを提供することができる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor micromachine capable of preventing signal crosstalk between a plurality of electrodes or wirings and having a high S / N ratio and a high degree of circuit design flexibility. Can be.
【００２２】なお，本発明にかかる半導体マイクロマシ
ンとしては，マイクロマシニング技術を応用した角速度
センサ，加速度センサ，マイクロアクチュエータ等を挙
げることができる。The semiconductor micromachine according to the present invention includes an angular velocity sensor, an acceleration sensor, and a microactuator to which a micromachining technology is applied.
【００２３】また，上記基板としては，単結晶シリコン
基板，多結晶シリコン基板，ガラス基板，単結晶サファ
イア基板，ステンレス基板等を用いることができる。上
記単結晶シリコン基板は入手容易であるため，半導体マ
イクロマシンの生産性を高めることができる。また，半
導体マイクロマシンの製造プロセスを通常のＬＳＩ製造
プロセスと併用することができる。Further, as the substrate, a single crystal silicon substrate, a polycrystalline silicon substrate, a glass substrate, a single crystal sapphire substrate, a stainless steel substrate or the like can be used. Since the single crystal silicon substrate is easily available, the productivity of the semiconductor micromachine can be increased. Further, the manufacturing process of a semiconductor micromachine can be used together with a normal LSI manufacturing process.
【００２４】上記多結晶シリコン基板は安価に入手する
ことができる。このため，半導体マイクロマシンの製造
コスト等を安価とすることができる。また，上記ガラス
基板は安価であり，また入手しやすい材料であるため，
半導体マイクロマシンの製造コスト等を安価とすること
ができる。The above-mentioned polycrystalline silicon substrate can be obtained at low cost. Therefore, the manufacturing cost of the semiconductor micromachine can be reduced. In addition, since the above glass substrate is an inexpensive and easily available material,
The manufacturing cost of the semiconductor micromachine can be reduced.
【００２５】次に，請求項２の発明のように，上記可動
部内における複数の電極または配線は，互いに絶縁され
てなる駆動用電極部と検出用電極部とよりなることが好
ましい。Next, as in the second aspect of the present invention, it is preferable that the plurality of electrodes or wirings in the movable portion include a driving electrode portion and a detection electrode portion which are insulated from each other.
【００２６】これにより，駆動用電極部と検出用電極部
との相互間における信号のクロストークを防止すること
ができる。なお，上記駆動用電極部とは，例えば，上記
可動部を静電力により駆動するために設けられた電極で
ある。また，上記検出用電極部とは，例えば，上記可動
部の基板に対する位置関係を検出するための電極であ
る。This makes it possible to prevent signal crosstalk between the drive electrode portion and the detection electrode portion. The driving electrode section is, for example, an electrode provided to drive the movable section by electrostatic force. The detection electrode section is, for example, an electrode for detecting the positional relationship of the movable section with respect to the substrate.
【００２７】次に，請求項３の発明のように，上記基板
には上記可動部に対面する位置に，基板と可動部との間
の距離を検出するための距離検出用電極を配設してなる
ことが好ましい。Next, a distance detecting electrode for detecting a distance between the substrate and the movable portion is provided on the substrate at a position facing the movable portion. Preferably.
【００２８】これにより，角速度センサとして機能する
半導体マイクロマシンを得ることができる。即ち，従来
技術に示すごとく，上記半導体マイクロマシンにおける
可動部を一定周期で振動させ，この状態にある半導体マ
イクロマシンに角速度を加える。これにより，上記可動
部にはコリオリ力が作用し，上記基板との位置関係が周
期的に変動する。この位置関係の変動を検出するのが，
上記距離検出用電極である。As a result, a semiconductor micromachine functioning as an angular velocity sensor can be obtained. That is, as shown in the prior art, the movable part of the semiconductor micromachine is vibrated at a constant cycle, and an angular velocity is applied to the semiconductor micromachine in this state. As a result, Coriolis force acts on the movable portion, and the positional relationship with the substrate fluctuates periodically. Detecting this positional change is
It is the distance detection electrode.
【００２９】なお，上記半導体マイクロマシンが角速度
センサである場合には，上述のごとき構成を有するが，
例えば上記半導体マイクロマシンが加速度センサである
場合には，加速度によって位置変動する質量としての可
動部と，その位置変動を静電容量の変化として検出する
電極としての検出電極と，その位置変動を抑制するため
の電極としての駆動電極とを備えた構造を有する。When the semiconductor micromachine is an angular velocity sensor, it has the above-mentioned configuration.
For example, when the semiconductor micromachine is an acceleration sensor, a movable part as a mass whose position is changed by acceleration, a detection electrode as an electrode for detecting the position change as a change in capacitance, and the position change are suppressed. And a drive electrode as an electrode for.
【００３０】次に，請求項４の発明のように，上記半導
体薄膜は，シリコン，ゲルマニウム，ＳｉＣ，ＳｉＧ
ｅ，ＳｉＣＧｅより選ばれる少なくとも一種であること
が好ましい。これにより，量産性，歩留まりが高いシリ
コンＩＣプロセスを用いて半導体マイクロマシンを製造
することができる。Next, the semiconductor thin film is made of silicon, germanium, SiC, SiG.
e, at least one selected from SiCGe. As a result, a semiconductor micromachine can be manufactured using a silicon IC process having high productivity and high yield.
【００３１】次に，請求項５の発明のように，上記シリ
コンは，多結晶シリコンまたは非晶質シリコンのいずれ
かであることが好ましい。半導体薄膜を多結晶シリコン
または非晶質シリコンで構成することにより，半導体薄
膜の製造をより低温で行うことができる。このように，
低温で半導体薄膜を生成すれば，後工程でのドーパント
の再拡散が抑制できる。このため，微細化により有利な
半導体薄膜とすることができる。Next, it is preferable that the silicon is either polycrystalline silicon or amorphous silicon. When the semiconductor thin film is made of polycrystalline silicon or amorphous silicon, the semiconductor thin film can be manufactured at a lower temperature. in this way,
If a semiconductor thin film is formed at a low temperature, re-diffusion of a dopant in a later step can be suppressed. Therefore, an advantageous semiconductor thin film can be obtained by miniaturization.
【００３２】次に，請求項６の発明のように，上記電極
または配線はｎ型半導体またはｐ型半導体のいずれかよ
りなり，かつ上記電気的絶縁領域はアンドープの半導体
よりなることが好ましい。これにより，製造が容易であ
り，かつ電極間の容量が小さく，即ちクロストークを小
さくすることができる。Next, as in the sixth aspect of the present invention, it is preferable that the electrode or the wiring is made of either an n-type semiconductor or a p-type semiconductor, and the electrically insulating region is made of an undoped semiconductor. Thereby, manufacture is easy, and the capacitance between the electrodes is small, that is, crosstalk can be reduced.
【００３３】なお，上記ｎ型半導体としては，多結晶シ
リコンまたは非晶質シリコン等に対し，燐，砒素，アン
チモン等のドーパントをドーピングしたもの用いること
が好ましい。これにより低抵抗ｎ型半導体を得ることが
できる。よって，寄生容量による信号遅延が低減でき
る。As the n-type semiconductor, it is preferable to use polycrystalline silicon or amorphous silicon doped with a dopant such as phosphorus, arsenic or antimony. Thereby, a low-resistance n-type semiconductor can be obtained. Therefore, signal delay due to parasitic capacitance can be reduced.
【００３４】また，上記ｐ型半導体としては，多結晶シ
リコンまたは非晶質シリコン等に対し，硼素，ガリウ
ム，インジウム等のドーパントをドーピングしたものを
用いることが好ましい。これにより，低抵抗ｎ型半導体
と同等の導電率が得られ，優れた半導体マイクロマシン
を得ることができる。なお，上記アンドープの半導体と
は，上述したごときドーパントとなる物質を添加してい
ない半導体のことを示している。As the p-type semiconductor, it is preferable to use polycrystalline silicon or amorphous silicon doped with a dopant such as boron, gallium, or indium. Thereby, the same conductivity as that of the low-resistance n-type semiconductor can be obtained, and an excellent semiconductor micromachine can be obtained. Note that the undoped semiconductor indicates a semiconductor to which a substance serving as a dopant as described above is not added.
【００３５】次に，請求項７の発明のように，上記電極
または配線と上記電気的絶縁領域とは，一方がｎ型半導
体，他方がｐ型半導体よりなることが好ましい。これに
より，上記可動部中にいわゆるｎｐｎ接合（またはｐｎ
ｐ接合）が形成され，電極または配線と，電気的絶縁領
域との間の電荷の移動を防止することができる。Next, it is preferable that one of the electrode or the wiring and the electrically insulating region is made of an n-type semiconductor and the other is made of a p-type semiconductor. Thereby, a so-called npn junction (or pn junction) is formed in the movable portion.
A p-junction is formed, and the transfer of electric charge between the electrode or the wiring and the electrically insulating region can be prevented.
【００３６】次に，請求項８の発明のように，上記電極
または配線と上記電気的絶縁領域とは，一方がｎ型半導
体，他方がｐ型半導体よりなり，かつ両者の間にはアン
ドープの半導体が配置されてなることが好ましい。Next, as in the eighth aspect of the present invention, one of the electrode or wiring and the electrically insulating region is made of an n-type semiconductor, the other is made of a p-type semiconductor, and an undoped layer is provided between the two. Preferably, a semiconductor is provided.
【００３７】これにより，請求項７において述べたごと
く，ｎｐｎ接合（またはｐｎｐ接合）が形成され，電極
または配線と，電気的絶縁領域との間の電荷の移動を防
止することができる。その上，上記ｎ型半導体とｐ型半
導体との間にアンドープの半導体が配置されてなるた
め，可動部内における電荷の移動をより強く防止するこ
とができる。As a result, as described in claim 7, an npn junction (or a pnp junction) is formed, and movement of charges between the electrode or wiring and the electrically insulating region can be prevented. Moreover, since the undoped semiconductor is arranged between the n-type semiconductor and the p-type semiconductor, it is possible to more strongly prevent the movement of charges in the movable portion.
【００３８】次に，請求項９の発明のように，上記電気
的絶縁領域におけるキャリア濃度は，上記電極または配
線におけるキャリア濃度よりも低いことが好ましい。一
般に，ｐ型半導体とｎ型半導体との界面においては，拡
散等により移動する電子は再結合により非常に少なくな
り，イオン化した原子のみが存在する空乏層が形成され
る。また，上記空乏層はキャリア密度のより低い側に広
がる傾向がある。そして，上記空乏層はキャリアが殆ど
存在しないことから電流が流れ難い部分である。Next, the carrier concentration in the electrically insulating region is preferably lower than the carrier concentration in the electrode or the wiring. In general, at the interface between a p-type semiconductor and an n-type semiconductor, the number of electrons moving due to diffusion or the like becomes extremely small due to recombination, and a depletion layer containing only ionized atoms is formed. In addition, the depletion layer tends to spread to the side where the carrier density is lower. The depletion layer is a portion where current hardly flows because there is almost no carrier.
【００３９】よって，上記電気的絶縁領域のキャリア濃
度を低くすることにより，空乏層が上記電極または配線
側に形成されることを防止ができる。電極または配線側
に空乏層が形成された場合には，空乏層の面積分，電極
または配線における有効作用面積が減少するおそれがあ
る。Therefore, the formation of a depletion layer on the electrode or wiring side can be prevented by reducing the carrier concentration in the electrically insulating region. If a depletion layer is formed on the electrode or wiring side, the effective working area of the electrode or wiring may be reduced by the area of the depletion layer.
【００４０】[0040]
実施形態例１ 本発明の実施形態例にかかる半導体マイクロマシンにつ
き，図１，図２を用いて説明する。なお，本例の半導体
マイクロマシンはマイクロマシニング技術により作成さ
れた角速度センサであり，その基本的な構造は従来技術
において示した半導体マイクロマシンと同様の構造であ
る（図５〜図７参照）。First Embodiment A semiconductor micromachine according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Note that the semiconductor micromachine of this example is an angular velocity sensor manufactured by a micromachining technology, and its basic structure is the same as the semiconductor micromachine shown in the conventional technology (see FIGS. 5 to 7).
【００４１】図１，図２に示すごとく，本例の半導体マ
イクロマシン１は，基板１２と，該基板１２に間隙部１
１を設けて対向配置されると共に，針状体１５，１５０
によって支持された多結晶シリコンの薄膜からなる可動
部１３とを有する。上記可動部１３内には駆動用電極部
１６１と検出用電極部１６２とよりなる電極と配線１５
９とを設けてなり，かつ，これらの間には電気的絶縁領
域１６０が設けてある。また，上記可動部１３の両側に
は，基板１２に固定された一対の固定部１７が設けてあ
る。As shown in FIGS. 1 and 2, the semiconductor micromachine 1 of this embodiment has a substrate 12 and a gap portion 1 in the substrate 12.
1 and the needle-shaped bodies 15 and 150 are arranged to face each other.
And a movable portion 13 made of a polycrystalline silicon thin film supported by the substrate. In the movable portion 13, an electrode including the driving electrode portion 161 and the detection electrode portion 162 and the wiring 15 are provided.
9 and an electrically insulating region 160 is provided between them. A pair of fixed parts 17 fixed to the substrate 12 are provided on both sides of the movable part 13.
【００４２】上記可動部１３の両側には櫛形の駆動用電
極部１６１が設けてある。また，上記固定部１７には，
上記駆動用電極部１６１と相互にかみあうように配置さ
れる櫛形の固定部側駆動用電極部１７１が設けてある。
なお，上記駆動用電極部１６１と固定部側駆動用電極部
１７１との間には，微細な間隙が設けてなる。また，上
記針状体１５，１５０は図示を略した支持部によって，
上記基板１２に対し，固定されてなる。上記配線１５９
は，上記駆動用電極部１６１，上記検出用電極部１６２
と上記針状体１５との間を連結するよう設けてある。な
お，上記固定部１７は支持層１７９によって基板１２に
固定されてなる。On both sides of the movable section 13, a comb-shaped drive electrode section 161 is provided. In addition, the fixing portion 17 includes:
A comb-shaped fixed-part-side driving electrode 171 is provided so as to mesh with the driving electrode 161.
Note that a fine gap is provided between the driving electrode portion 161 and the fixed portion-side driving electrode portion 171. The needles 15 and 150 are supported by supporting portions (not shown).
It is fixed to the substrate 12. The wiring 159
Are the drive electrode 161 and the detection electrode 162
And the needle-like body 15 is provided so as to be connected. The fixing portion 17 is fixed to the substrate 12 by the support layer 179.
【００４３】また，図２に示すごとく，上記基板１２に
は上記可動部１３における検出用電極部１６２に対面す
る位置に，基板１２と可動部１３との間の間隙部１１の
距離を検出するための距離検出用電極１８を配設してな
る。なお，上記針状体１５の端部には電極パッド１５８
が設けてなる。また，上記針状体１５０は上記可動部１
３を支承するだけの役割を負っている。As shown in FIG. 2, the distance of the gap 11 between the substrate 12 and the movable portion 13 is detected at a position of the movable portion 13 facing the detection electrode portion 162 on the substrate 12. For detecting the distance is provided. An electrode pad 158 is provided at the end of the needle-like body 15.
Is provided. In addition, the needle-like body 150 is
It has a role to support 3 points.
【００４４】上記可動部１３，固定部１７，針状体１
５，１５０はいずれも多結晶シリコンよりなる。そし
て，上記可動部１３における駆動用電極部１６１，検出
用電極部１６２，針状体１５，上記固定部１７における
固定部側駆動用電極部１７１は，上記多結晶シリコンに
対し，ドーパントであるリンをイオン注入によりドープ
したｎ型半導体より構成されている。また，上記電気的
絶縁領域１６０は，アンドープの状態のままの多結晶シ
リコンよりなる。そして，上記基板１２はｐ型単結晶シ
リコンよりなり，上記距離検出用電極１８は，導電性材
料であるｎ型シリコンよりなる。The movable part 13, the fixed part 17, and the needle 1
All of 5,150 are made of polycrystalline silicon. The drive electrode portion 161, the detection electrode portion 162, the needle-shaped body 15, and the fixed portion-side drive electrode portion 171 of the fixed portion 17 in the movable portion 13 are phosphorus as a dopant for the polycrystalline silicon. Is made of an n-type semiconductor doped by ion implantation. The electrically insulating region 160 is made of polycrystalline silicon in the undoped state. The substrate 12 is made of p-type single crystal silicon, and the distance detecting electrode 18 is made of n-type silicon which is a conductive material.
【００４５】上記半導体マイクロマシン１において，角
速度の検出は以下に示すごとく行なわれる。従来技術に
示す半導体マイクロマシン９と同様に，一対の固定部側
櫛形電極１７１，駆動用電極部１６１間に０〜Ｖ
0 （Ｖ）で基板に平行方向の共振周波数の矩形波交流電
圧を印加する。これにより，上記可動部１３において，
上記基板９２に対して平行方向の水平振動が発生する。
この状態にある上記半導体マイクロマシン１に対し，図
１に示す回転軸の方向に，角速度ωとなる回転運動を加
える。これにより，上記可動部１３には上記基板１２に
対する垂直方向への振動が発生する。In the semiconductor micromachine 1, the angular velocity is detected as described below. As in the case of the semiconductor micromachine 9 shown in the prior art, 0 to V
A rectangular wave AC voltage having a resonance frequency in the parallel direction is applied to the substrate at 0 (V). Thereby, in the movable part 13,
Horizontal vibration occurs in a direction parallel to the substrate 92.
To the semiconductor micromachine 1 in this state, a rotational movement having an angular velocity ω is applied in the direction of the rotation axis shown in FIG. As a result, a vibration in the direction perpendicular to the substrate 12 is generated in the movable portion 13.
【００４６】上記可動部１３の垂直振動により，該可動
部１３と基板１２との間の間隙部１１の距離が，上記振
動の周期に従って変化する。ところで，上記検出用電極
部１８と可動部１３内の検出用電極部１６２とは，コン
デンサを構成し，間隙部１１の距離変化に伴い静電容量
変化を起こす。このため，回路による容量検出により，
上記間隙部１１の距離の変化を電気信号の値として検出
することができる。そして，この検出値より上記半導体
マイクロマシン１にかかる角速度ωを検出することがで
きる。Due to the vertical vibration of the movable part 13, the distance of the gap 11 between the movable part 13 and the substrate 12 changes according to the period of the vibration. By the way, the detection electrode portion 18 and the detection electrode portion 162 in the movable portion 13 constitute a capacitor, and the capacitance changes as the distance of the gap 11 changes. Therefore, the capacitance detection by the circuit
A change in the distance of the gap 11 can be detected as a value of an electric signal. Then, the angular velocity ω applied to the semiconductor micromachine 1 can be detected from the detected value.
【００４７】次に，本例における作用効果につき説明す
る。本例にかかる半導体マイクロマシン１においては，
可動部１３における駆動用電極部１６１，検出用電極部
１６２，配線１５９の間には電気的絶縁領域１６０が設
けてある。これにより，駆動用電極部１６１，検出用電
極部１６２，配線１５９は，互いに電気的に独立した状
態にある。Next, the operation and effect of this embodiment will be described. In the semiconductor micromachine 1 according to this example,
An electrically insulating region 160 is provided between the driving electrode portion 161, the detection electrode portion 162, and the wiring 159 in the movable portion 13. As a result, the drive electrode portion 161, the detection electrode portion 162, and the wiring 159 are electrically independent from each other.
【００４８】このため，これらの間における電荷の移
動，即ち信号のクロストークが生じがたい。また，信号
のクロストークが生じ難いことから，駆動用電極部１６
１，検出用電極部１６２，配線１５９におけるＳ／Ｎ比
を高めることができる。これにより，本例にかかる半導
体マイクロマシン１は精度の高い角速度検出を行うこと
ができる。For this reason, the movement of charges between them, that is, the signal crosstalk hardly occurs. Further, since the signal crosstalk is unlikely to occur, the driving electrode portion 16
1, the S / N ratio in the detection electrode portion 162 and the wiring 159 can be increased. As a result, the semiconductor micromachine 1 according to the present example can perform angular velocity detection with high accuracy.
【００４９】また，ある駆動用電極部１６１，検出用電
極部１６２，配線１５９を流通する電流または電圧は，
他の部分を流通する電流または電圧とは別制御とするこ
とができる。これにより，上記半導体マイクロマシン１
において，回路の設計の自由度を高くすることができ
る。The current or voltage flowing through a certain driving electrode portion 161, detection electrode portion 162, and wiring 159 is
The control may be independent of the current or voltage flowing through the other parts. As a result, the semiconductor micromachine 1
In, the degree of freedom in circuit design can be increased.
【００５０】従って，本例によれば，複数の電極または
配線の相互間における信号のクロストークを防止でき，
Ｓ／Ｎ比及び回路の設計自由度の高い，半導体マイクロ
マシンを提供することができる。Therefore, according to this embodiment, it is possible to prevent signal crosstalk between a plurality of electrodes or wirings.
A semiconductor micromachine having a high S / N ratio and a high degree of freedom in circuit design can be provided.
【００５１】実施形態例２ 本例は，電極または配線と電気的絶縁領域とは，一方が
ｎ型半導体，他方がｐ型半導体よりなり，かつ両者の間
にはアンドープの半導体が配置されてなる半導体マイク
ロマシンについて説明するものである。なお，本例にか
かる半導体マイクロマシン１９についても，その構造は
実施形態例１とほぼ同様である。Embodiment 2 In this embodiment, one of the electrode or wiring and the electrically insulating region is made of an n-type semiconductor, the other is made of a p-type semiconductor, and an undoped semiconductor is arranged between the two. This is for describing a semiconductor micromachine. The structure of the semiconductor micromachine 19 according to the present embodiment is substantially the same as that of the first embodiment.
【００５２】図３に示すごとく，上記半導体マイクロマ
シン１９において，上記可動部１３には，その両側に櫛
形の駆動用電極部１６１が設けてなり，上記可動部１３
における中央部分が検出用電極部１６２となる。また，
上記可動部１３には，針状体１５に対し上記検出用電極
部１６２及び駆動用電極部１６１を電気的に導通させる
ための配線１５９が設けてある。そして，上記駆動用電
極部１６１，上記検出用電極部１６２，上記配線１５９
との相互間には，電気的絶縁領域１６０が設けてある。As shown in FIG. 3, in the semiconductor micromachine 19, the movable portion 13 is provided with comb-shaped driving electrode portions 161 on both sides thereof.
A central portion of the detection electrode portion 162 becomes the detection electrode portion 162. Also,
The movable section 13 is provided with a wiring 159 for electrically connecting the detection electrode section 162 and the drive electrode section 161 to the needle-like body 15. Then, the driving electrode section 161, the detection electrode section 162, and the wiring 159
An electrically insulating region 160 is provided between the two.
【００５３】そして，上記可動部１３は，アンドープの
多結晶シリコンよりなり，上記駆動用電極部１６１，上
記検出用電極部１６２，上記配線１５９は，該多結晶シ
リコンにそれぞれリンをイオン注入によりドープしたｎ
型半導体より構成されている。The movable portion 13 is made of undoped polycrystalline silicon. The drive electrode portion 161, the detection electrode portion 162, and the wiring 159 are each doped with phosphorus by ion implantation of the polycrystalline silicon. N
Type semiconductor.
【００５４】そして，図３，図４に示すごとく，上記駆
動用電極部１６１，上記検出用電極部１６２，上記配線
１５９らの相互間はアンドープの状態のままとしてお
く。この部分が上記電気的絶縁領域１６０となる。更
に，上記電気的絶縁領域１６０の中央には，硼素をイオ
ン注入することによりドープしたｐ型半導体よりなる中
央部１６９が設けてあり，より一層の各電極−配線間の
絶縁が確保されている。その他は実施形態例１と同様で
ある。また，本例の半導体マイクロマシン１９は実施形
態例１と同様の作用効果を有する。Then, as shown in FIG. 3 and FIG. 4, the space between the driving electrode section 161, the detection electrode section 162, and the wiring 159 is kept undoped. This portion becomes the electrically insulating region 160. Further, a central portion 169 made of a p-type semiconductor doped by ion implantation of boron is provided at the center of the electrically insulating region 160, and further insulation between each electrode and wiring is ensured. . Others are the same as those in the first embodiment. Further, the semiconductor micromachine 19 of the present embodiment has the same operation and effect as the first embodiment.
【００５５】[0055]
【発明の効果】上記のごとく，本発明によれば，複数の
電極または配線の相互間における信号のクロストークを
防止でき，Ｓ／Ｎ比及び電極または配線，及び回路の設
計自由度の高い，半導体マイクロマシンを提供すること
ができる。As described above, according to the present invention, it is possible to prevent signal crosstalk between a plurality of electrodes or wirings, and the S / N ratio and the degree of freedom in designing electrodes or wirings and circuits are high. A semiconductor micromachine can be provided.
【図１】実施形態例１にかかる，半導体マイクロマシン
の平面図。FIG. 1 is a plan view of a semiconductor micromachine according to a first embodiment.
【図２】実施形態例１にかかる，図１のＡ−Ａ矢視断面
図。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 1 according to the first embodiment.
【図３】実施形態例２にかかる，半導体マイクロマシン
の平面図。FIG. 3 is a plan view of a semiconductor micromachine according to the second embodiment.
【図４】実施形態例２にかかる，図３のＢ−Ｂ矢視断面
図。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 3 according to the second embodiment.
【図５】従来例にかかる，半導体マイクロマシンの平面
図。FIG. 5 is a plan view of a semiconductor micromachine according to a conventional example.
【図６】従来例にかかる，半導体マイクロマシンのＣ−
Ｃ断面図。FIG. 6 shows a C- of a semiconductor micromachine according to a conventional example.
C sectional drawing.
【図７】従来例にかかる，半導体マイクロマシンのＤ−
Ｄ断面図。FIG. 7 shows a conventional semiconductor micromachine D-
D sectional drawing.
１．．．半導体マイクロマシン， １２．．．基板， １３．．．可動部， １５．．．針状体， １５９．．．配線， １６０．．．電気的絶縁領域， １６１．．．駆動用電極部， １６２．．．検出用電極部， １８．．．距離検出用電極， 1. . . Semiconductor micromachine, 12. . . Substrate, 13. . . Movable part, 15. . . Needles, 159. . . Wiring, 160. . . Electrical isolation region, 161. . . Drive electrode section, 162. . . Detection electrode section, 18. . . Distance detection electrode,
Claims (9)
置されると共に，針状体によって支持された半導体薄膜
からなる可動部とを有する半導体マイクロマシンにおい
て，上記可動部内には複数の電極または配線とを設けて
なり，かつ，これらの間には電気的絶縁領域が設けてあ
ることを特徴とする半導体マイクロマシン。1. A semiconductor micromachine having a substrate and a movable portion comprising a semiconductor thin film supported by a needle-like body and opposed to each other with a gap provided between the substrate and a plurality of electrodes in the movable portion. Alternatively, a semiconductor micromachine provided with wiring and an electrically insulating region provided therebetween.
る上記複数の電極または配線は，互いに絶縁されてなる
駆動用電極部と検出用電極部とよりなることを特徴とす
る半導体マイクロマシン。2. The semiconductor micromachine according to claim 1, wherein the plurality of electrodes or wirings in the movable portion include a driving electrode portion and a detection electrode portion which are insulated from each other.
上記可動部に対面する位置に，基板と可動部との間の距
離を検出するための距離検出用電極を配設してなること
を特徴とする半導体マイクロマシン。3. The device according to claim 1, wherein a distance detecting electrode for detecting a distance between the substrate and the movable portion is provided on the substrate at a position facing the movable portion. Semiconductor micromachine characterized by the above-mentioned.
上記半導体薄膜は，シリコン，ゲルマニウム，ＳｉＣ，
ＳｉＧｅ，ＳｉＣＧｅより選ばれる少なくとも一種であ
ることを特徴とする半導体マイクロマシン。4. The method according to claim 1, wherein:
The semiconductor thin film is made of silicon, germanium, SiC,
A semiconductor micromachine characterized by at least one selected from SiGe and SiCGe.
結晶シリコンまたは非晶質シリコンのいずれかであるこ
とを特徴とする半導体マイクロマシン。5. The semiconductor micromachine according to claim 3, wherein the silicon is either polycrystalline silicon or amorphous silicon.
上記電極または配線はｎ型半導体またはｐ型半導体のい
ずれかよりなり，かつ上記電気的絶縁領域はアンドープ
の半導体よりなることを特徴とする半導体マイクロマシ
ン。6. The method according to claim 1, wherein:
A semiconductor micromachine, wherein the electrode or the wiring is made of either an n-type semiconductor or a p-type semiconductor, and the electrically insulating region is made of an undoped semiconductor.
上記電極または配線と上記電気的絶縁領域とは，一方が
ｎ型半導体，他方がｐ型半導体よりなることを特徴とす
る半導体マイクロマシン。7. The method according to any one of claims 1 to 5,
One of the electrodes or wirings and the electrically insulating region is an n-type semiconductor and the other is a p-type semiconductor.
上記電極または配線と上記電気的絶縁領域とは，一方が
ｎ型半導体，他方がｐ型半導体よりなり，かつ両者の間
にはアンドープの半導体が配置されてなることを特徴と
する半導体マイクロマシン。8. The method according to claim 1, wherein
One of the electrode or wiring and the electrically insulating region is an n-type semiconductor and the other is a p-type semiconductor, and an undoped semiconductor is arranged between the two.
上記電気的絶縁領域におけるキャリア濃度は，上記電極
または配線におけるキャリア濃度よりも低いことを特徴
とする半導体マイクロマシン。9. The method according to claim 1, wherein
A semiconductor micromachine, wherein a carrier concentration in the electrically insulating region is lower than a carrier concentration in the electrode or the wiring.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35533996A JP3536563B2 (en) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Semiconductor micromachine |
| GB9726734A GB2320571B (en) | 1996-12-20 | 1997-12-18 | Semiconductor micromachine and manufacturing method thereof |
| US08/994,759 US6190571B1 (en) | 1996-12-20 | 1997-12-19 | Semiconductor micromachine and manufacturing method thereof |
| DE19756849A DE19756849A1 (en) | 1996-12-20 | 1997-12-19 | Semiconductor micro machine and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35533996A JP3536563B2 (en) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Semiconductor micromachine |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10190008A true JPH10190008A (en) | 1998-07-21 |
| JP3536563B2 JP3536563B2 (en) | 2004-06-14 |
Family
ID=18443370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35533996A Expired - Fee Related JP3536563B2 (en) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | Semiconductor micromachine |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3536563B2 (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002534285A (en) * | 1999-01-15 | 2002-10-15 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア | Polycrystalline silicon germanium films for forming microelectromechanical systems |
| JP2006105939A (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Canon Inc | Electric potential measuring apparatus and image forming apparatus |
| US7492020B2 (en) | 2003-08-01 | 2009-02-17 | Yamaha Corporation | Micro structure with interlock configuration |
| JP2012141289A (en) * | 2010-11-23 | 2012-07-26 | Honeywell Internatl Inc | Mems vertical comb structure with linear drive/pickoff |
| WO2016038794A1 (en) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | ソニー株式会社 | Electrostatic device |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP35533996A patent/JP3536563B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002534285A (en) * | 1999-01-15 | 2002-10-15 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァーシティ オブ カリフォルニア | Polycrystalline silicon germanium films for forming microelectromechanical systems |
| US7492020B2 (en) | 2003-08-01 | 2009-02-17 | Yamaha Corporation | Micro structure with interlock configuration |
| JP2006105939A (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-20 | Canon Inc | Electric potential measuring apparatus and image forming apparatus |
| JP2012141289A (en) * | 2010-11-23 | 2012-07-26 | Honeywell Internatl Inc | Mems vertical comb structure with linear drive/pickoff |
| US9493344B2 (en) | 2010-11-23 | 2016-11-15 | Honeywell International Inc. | MEMS vertical comb structure with linear drive/pickoff |
| WO2016038794A1 (en) * | 2014-09-11 | 2016-03-17 | ソニー株式会社 | Electrostatic device |
| US10287160B2 (en) | 2014-09-11 | 2019-05-14 | Sony Corporation | Electrostatic device |
| US10669150B2 (en) | 2014-09-11 | 2020-06-02 | Sony Corporation | Electrostatic device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3536563B2 (en) | 2004-06-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6190571B1 (en) | Semiconductor micromachine and manufacturing method thereof | |
| JP3457037B2 (en) | Integrated accelerometer | |
| US8339131B2 (en) | Electric field sensor with electrode interleaving vibration | |
| US6044707A (en) | Angular rate sensor | |
| WO2001022094A2 (en) | Microfabricated tuning fork gyroscope and associated three-axis inertial measurement system to sense out-of-plane rotation | |
| US20100127715A1 (en) | Semiconductor physical quantity sensor and control device using the same | |
| KR101928371B1 (en) | Nano resonator transistor and method for manufacturing thereof | |
| EP0742904A1 (en) | Method of making a micromechanical silicon-on-glass tuning fork gyroscope | |
| JPH05508914A (en) | Micromechanical rotation value sensor | |
| USRE41856E1 (en) | Process for manufacturing high-sensitivity accelerometric and gyroscopic integrated sensors, and sensor thus produced | |
| JPH11325916A (en) | Integrated angular velocity sensor device and its manufacture | |
| JP3536563B2 (en) | Semiconductor micromachine | |
| JPH10335675A (en) | Semiconductor micromachine | |
| JP2006344934A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
| JPH1144541A (en) | Angular velocity sensor | |
| JP2001044450A (en) | Semiconductor dynamic quantity sensor | |
| EP3342035B1 (en) | Micro-electromechanical device, system and method for energy harvesting and sensing | |
| JPH10313123A (en) | Transducer using thin film and manufacture thereof | |
| JP2013055647A (en) | Mems resonator and electrical device using the same | |
| JP7369399B2 (en) | Method for manufacturing a vibration element, method for manufacturing a vibration power generation element, vibration element, and vibration power generation element | |
| JP5333354B2 (en) | Mechanical quantity sensor | |
| JPH1183494A (en) | Angular velocity sensor | |
| CN220273651U (en) | Microelectromechanical system resonator and microelectromechanical system oscillator | |
| JPH11230983A (en) | Dynamic quantity sensor | |
| JP2005265795A (en) | Semiconductor mechanical quantity sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040224 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040308 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080326 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090326 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100326 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110326 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |