JPH10188250A - 磁気ヘッドレール面の露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スライダの左右位置に磁気ヘッド素子を形成
し、そのうち特性が良好な素子を使用するようにした磁
気ヘッドに、いずれの素子を使用するかに応じて別々の
レールパターンをフォトリソグラフィを用いて形成する
ために、個々のスライダに切断する前のローの状態で当
該レールパターンを形成する面に形成された感光膜を当
該レールパターンが描かれたマスクを通して露光する場
合に、少ないマスク数で各磁気ヘッドに適正なレールパ
ターンを露光して、高歩留りを維持しつつ、露光効率を
高める。 【解決手段】 露光用マスクとして左素子用３個同時露
光マスク５４、右素子用３個同時露光マスク５５、左素
子用単独露光マスク５６、右素子用単独露光マスク５７
を用意し、３個同時露光を優先して、これらマスクを順
次切り換えて露光する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、固定ディスク装
置等に用いられる磁気ヘッドにおいて、レール面をフォ
トリソグラフィを用いて加工する際に、レール面を形成
する面に形成された感光膜を露光する方法に関し、異な
る種類のレールパターンを少ないマスク数で歩留りよく
かつ生産性よく露光できるようにしたものである。

【０００２】

【従来の技術】固定ディスク装置に用いられるエアフロ
ー式磁気ヘッドは、スライダの下面（ＡＢＳ（Air Bear
ing Surface ）面）に２本以上のレールを形成し、この
レールの後端部に磁気ヘッド素子を配置して構成され
る。従来のレールは平行な直線状レールが一般的であっ
たが、このような平行レールを持つ磁気ヘッドの浮上量
は、回転している磁気ディスクとの相対スピードに依存
し、通常、スピードの増大とともに浮上量も大きくな
る。そこで、近年、磁気ヘッドと磁気ディスクとの相対
スピードにかかわらず浮上量を一定にしたいという要望
が出てきており、それを実現するための一手法として、
例えば図２に示すような非対称非平行レール１０，１２
を有する磁気ヘッド１４が提案されている。各レール１
０，１２の後端部には薄膜磁気ヘッド素子１６，１８が
配設され、特性のよい一方の素子が用いられる。非対称
非平行レール１０，１２は、回転ブレード等による機械
加工（溝入加工）によって製作するのは困難である。こ
のため、フォトリソグラフィを用いてマスクパターンで
非対称非平行レール１０，１２が形成される。

【０００３】ところで、非対称非平行レール１０，１２
のレールパターンは、磁気ディスクの上面側で用いられ
る磁気ヘッドと下面側で用いられる磁気ヘッドとでは異
なる（左右を反転したパターンになる。）。また、磁気
ディスクの上面側と下面側では、左右の磁気ヘッド素子
（以下「左素子」、「右素子」という場合がある。）１
６，１８のうち使用するものが異なる（通常、外側の素
子が使用される。）。一方、薄膜形成技術を利用して作
られる磁気ヘッド素子１６，１８の中には所望の特性が
得られない欠陥品が頻繁に生じる。したがって、一方の
素子に欠陥がある磁気ヘッドは、良好な特性が得られる
他方の素子を生かせるように、特性が良好な方の素子に
合致したレールパターンを形成して、このレールパター
ンに合致した側の磁気ディスクの面に配置して使用する
のが合理的である。

【０００４】フォトリソグラフィを用いたレールパター
ンの露光は通常、基板を一方向に切断したローの状態で
行われる。１本のローには多数の磁気ヘッドが横方向に
一列に配列されている。露光は、ＡＢＳ面に感光膜を被
せた複数本のローをＸ−Ｙワークステージ上に配置し、
それに対向して、左素子用あるいは右素子用のレールパ
ターンが描かれたマスクをマスクステージに配置し、レ
ーザビーム等の露光用光線をマスクを通してローのＡＢ
Ｓ面に照射することにより行われる。露光後これを現像
することにより、ＡＢＳ面上に所定のレールパターンに
形成されたレジストパターンが形成される。次いで、イ
オンエッチング等でレジストパターンで覆われてない部
分をエッチング掘込みし、掘込後レジストパターンを除
去することにより、ＡＢＳ面に非対称非平行レールが形
成される。

【０００５】上記の工程において、マスクを用いてＡＢ
Ｓ面上の感光膜を露光する手順としては、次の各種方法
が考えられる。 （ａ） 予め測定した各素子の良否データに基づき、各
磁気ヘッドごとに、形成すべきレールパターン（左素子
用または右素子用）を決定してメモリにマップとして登
録しておく。一方、マスクとして、左素子用レールパタ
ーンを１つの磁気ヘッドに単独露光するパターンが描か
れたマスク（左素子用単独露光マスク）と、右素子用レ
ールパターンを１つの磁気ヘッドに単独露光するパター
ンが描かれたマスク（右素子用単独露光マスク）の２つ
のマスクをマスクステージに並べて配列する。そして、
マスクステージを駆動して始めに例えば左素子用単独露
光マスクを露光用光源の直下に位置決めして、左素子用
レールパターンを形成すべき磁気ヘッドをＸ−Ｙワーク
ステージの駆動によりマスクの位置に順次位置決めして
露光する。

【０００６】Ｘ−Ｙワークステージ上に配列されたすべ
てのローについて、左素子用レールパターンを形成すべ
き磁気ヘッドの露光がすべて終了したら、マスクステー
ジを切り換えて、右素子用単独露光マスクを露光用光源
の直下に位置決めして、右素子用レールパターンを形成
すべき磁気ヘッドをＸ−Ｙステージの駆動によりマスク
の位置に順次位置決めして露光する。Ｘ−Ｙワークステ
ージ上に配列されたすべてのローについて、右素子用レ
ールパターンを形成すべき磁気ヘッドの露光がすべて終
了したらすべての露光が終了する。この方法は、本出願
人が特願平６−７８２１６号で提案した方法である。以
下この方法を「単独露光２マスク切換方式」という。

【０００７】（ｂ） 隣接するｎ個の磁気ヘッドに左素
子用レールパターンを同時に露光するマスク（左素子用
ｎ個同時露光マスク）と、隣接するｎ個の磁気ヘッドに
右素子用レールパターンを同時に露光するマスク（右素
子用ｎ個同時露光マスク）の２つのマスクをマスクステ
ージに並べて配列する。そして、マスクステージを駆動
して、始めに例えば左素子用ｎ個同時露光マスクを露光
用光源の直下に位置決めして、Ｘ−Ｙワークステージを
所定ステップずつ順次移動して、磁気ヘッドをｎ個ずつ
順次露光する。Ｘ−Ｙワークステージ上の半分のローに
ついて露光が終了したら、マスクステージを切り換えて
右素子用ｎ個同時露光マスクを露光用光源の直下に位置
決めして、残りのローについてｎ個ずつ順次露光する。
以下この方法を「ｎ個同時２マスク切換方式」という。

【０００８】（ｃ） 予め測定した各素子の良否データ
に基づき、各磁気ヘッドごとに、形成すべきレールパタ
ーン（左素子用または右素子用）を決定してメモリにマ
ップとして登録しておく。一方、マスクとして、隣接す
るｎ個の磁気ヘッドにレールパターンを同時露光するマ
スクであって左素子用レールパターンと右素子用レール
パターンの組み合わせを異ならせたｎ² 個のマスクをマ
スクステージに並べて配列する。そして、そのうちの１
つのマスクを露光用光源の直下に位置決めして、このマ
スクで露光すべきｎ個の磁気ヘッドの位置（すなわち、
左素子のみ良好な磁気ヘッドには左素子用レールパター
ンが露光され、右素子のみ良好な磁気ヘッドには右素子
用レールパターンが露光される位置）にＸ−Ｙワークス
テージを位置決めして順次露光し、以後順次マスクを切
り換えて露光する。この方法は、本出願人が特願平８−
１０８３３４号で提案した方法である。以下この方法を
「ｎ個同時ｎ² マスク切換方式」という。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】前記（ａ）の単独露光
２マスク切換方式によれば、左素子のみ良好な磁気ヘッ
ドには左素子用レールパターンを露光し、右素子のみ良
好な磁気ヘッドには右素子用レールパターンを露光でき
るので、左右両素子とも不良な磁気ヘッド以外はすべて
生かすことができ、歩留りが良い。しかし、磁気ヘッド
を同時に１個ずつしか露光できないので、長いタクトタ
イム（ラインの停止時間）を要し、スループット（生産
性）が低い。

【００１０】前記（ｂ）のｎ個同時露光２マスク切換方
式では、左素子のみ良好な磁気ヘッドに右素子用レール
パターンが形成されたり、右素子のみ良好な磁気ヘッド
に左素子用レールパターンが形成されたりするので、歩
留りが悪くなる。

【００１１】前記（ｃ）のｎ個同時露光ｎ² マスク切換
方式では、左右両素子とも不良な磁気ヘッド以外はすべ
て生かすことができ、歩留りが良い。しかし、ｎが大き
くなると用意すべきマスクの種類が増え、マスクステー
ジの移動量（最大ストローク）を延ばすかまたはマスク
ステージの移動軸を１軸（Ｘ軸）から２軸（Ｘ−Ｙ軸）
に増やさなければならない。また、その際位置決め精度
が要求されるので、マスクステージ機能の改良が要求さ
れる。

【００１２】この発明は、上述の点に鑑みてなされたも
ので、少ないマスク数で歩留りよくかつ生産性よく露光
できるようにした磁気ヘッドレール面の露光方法を提供
しようとするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】この発明は、１本のロー
上の連続するｎ個の磁気ヘッドに共に左素子用のレール
パターンを同時に露光する左素子用ｎ個同時露光マスク
と、１本のロー上の連続するｎ個の磁気ヘッドに共に右
素子用のレールパターンを同時に露光する右素子用ｎ個
同時露光マスクと、１本のロー上の１個の磁気ヘッドに
左素子用のレールパターンを単独露光する左素子用単独
露光マスクと、１本のロー上の１個の磁気ヘッドに右素
子用のレールパターンを単独露光する右素子用単独露光
マスクの４個のマスクをマスクステージに並べて配列
し、これらを順次切り換えて露光するようにしたもので
ある。

【００１４】この発明によれば、左右素子とも良好な磁
気ヘッド、左素子のみ良好な磁気ヘッド、左右素子とも
不良な磁気ヘッドで構成されている連続するｎ個の磁気
ヘッドについては、左素子用ｎ個同時露光マスクを用い
て同時に露光し、左右素子とも良好な磁気ヘッド、右素
子のみ良好な磁気ヘッド、左右素子とも不良な磁気ヘッ
ドで構成されている連続するｎ個の磁気ヘッドについて
は右素子用ｎ個同時露光マスクを用いて同時に露光し、
残りの磁気ヘッドについては、左素子用単独露光マスク
あるいは右素子用単独露光マスクを用いて個々に露光す
る（左右素子とも不良な磁気ヘッドについては単独露光
不要）ことにより、左右素子とも不良な磁気ヘッド以外
はすべて生かすことができ歩留りがよい。しかも、右素
子用ｎ個同時露光マスクあるいは右素子用ｎ個同時露光
マスクを使用して露光できる箇所は、これらのマスクを
用いてｎ個同時に露光できるので総露光回数が減り、生
産性ががよい。また、マスク数は４個ですむので既存の
マスクステージを使用することができる。

【００１５】尚、同時露光の個数ｎは、左右素子の良品
率に応じて定めることができる。すなわち、左右素子と
も良品である確率が高い場合にはｎ値を大きくして生産
性を向上させることができる。また、左右いずれか一方
の素子が不良である確率が高い場合は、ｎ値を小さくす
ることにより、単独露光回数を減らして生産性を向上さ
せることができる。現状の左右素子の良品率の実績から
は、ｎ＝３とした場合高い生産効率が得られた。良品率
が現状よりも低い場合は、ｎ＝２とした方が単独露光数
が少なくなる分総露光回数が少なくなって生産性が高め
られる場合もあり、また良品率が現状よりも高い場合
は、ｎ＝４以上とした方が一度に露光する数が増える分
総露光回数が減って生産性が高められる場合もある。

【００１６】また、所定のロットごと（例えば１枚のウ
ェファーごと等）に左側の素子を使用する磁気ヘッドと
右側の素子を使用する磁気ヘッドの数が略々同等となる
ように、左右両素子とも良好な磁気ヘッドに形成するレ
ールパターンを決定することにより、左側の素子を使用
する磁気ヘッドと右側の素子を使用する磁気ヘッドを略
々同等数作ることができ、無駄が出ず歩留りがより向上
する。

【００１７】

【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を図１を参
照して説明する。この実施の形態では同時露光ヘッド数
ｎを３とした場合について説明する。 Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣ系セラミック板等のウェファー
２１上にフォトリソグラフィ等により多数の薄膜磁気ヘ
ッド素子を形成する。ここでは、各スライダ（磁気ヘッ
ド）の左右にそれぞれ薄膜磁気ヘッド素子１６，１８を
形成するものとする。

【００１８】 各薄膜磁気ヘッド素子１６，１８につ
いてプローバ検査を行なう。すなわち、磁気ヘッドごと
に左素子１６のみ良好、右素子１８のみ良好、左右の素
子１６，１８とも良好、左右の素子１６，１８とも不良
等の情報を得て、コンピュータ４４の素子状態メモリ４
６に１ロット分（例えば１枚のウェファー２１分）の情
報を記憶する。

【００１９】コンピュータ４４の演算手段４８は、１ロ
ット分で、左素子１６を用いる左素子用磁気ヘッドと右
素子を用いる右素子用磁気ヘッドの割合が所望の割合と
なるように、各磁気ヘッドを左素子用、右素子用に振り
分ける。すなわち、左素子１６のみ良好なものは左素子
用とし、右素子１８のみ良好なものは右素子用とし、左
右両素子１６，１８とも良好なものは左素子用または右
素子用に振り分けて、１ロット分で左素子用磁気ヘッド
と右素子用磁気ヘッドの割合が所望の割合となるように
する。

【００２０】例えば、１ロット分で、少くとも左右いず
れか一方の素子が良好な磁気ヘッドの総数をＭとし、そ
のうち左素子１６のみ良好な個数をａ個、右素子１８の
み良好な個数をｂ個とすると、両素子とも良好なものＭ
−（ａ＋ｂ）のうち、Ｍ÷２−ａ個を右素子用とし、Ｍ
÷２−ｂを右素子用とする（Ｍが奇数の場合は左素子用
または右素子用を１個多くする。）このように左右両素
子１６，１８とも良好な磁気ヘッドを左素子用、右素子
用に振り分けることにより、左素子用磁気ヘッドと右素
子用磁気ヘッドが所望の割合で得られ、無駄が出ず歩留
りが最良となる。すなわち、一般に固定ディスク装置用
薄膜磁気ヘッドは左右２個の素子のうち外周側の素子だ
けが用いられる。そして、１枚の磁気ディスク記録媒体
に対し磁気ヘッドはその上面および下面に１個ずつ配置
されてペアで用いられるので、外周側に来る素子が上面
と下面で左右逆になる。したがって、右側の素子を用い
る右素子用磁気ヘッドと左側の素子を用いる左素子用磁
気ヘッドの数を等しく取ることができれば余りが出ず歩
留りが最良になる。

【００２１】演算手段４８は、各ロー２６を左右一端部
から３個の磁気ヘッドずつ区切っていった場合の各区間
ごとの３個の磁気ヘッドの組合せとして、左素子１６の
み良好な磁気ヘッド、右素子１８のみ良好な磁気ヘッ
ド、左右素子１６，１８とも良好な磁気ヘッド、左右素
子１６，１８とも不良な磁気ヘッドの４種類の磁気ヘッ
ドの組合わせを求め（ロー２６の他端部で端数（１また
は２）が出る場合は、その箇所について不足の個数（２
または１）分を左右の素子とも不良な磁気ヘッドとして
取り扱うことができる。）、各組合せごとに左素子用３
個同時露光、右素子用３個同時露光、左素子用単独露
光、右素子用単独露光のいずれを行うかを決定して（３
個同時露光を行える箇所はすべて３個同時露光を行うよ
うにして、３個同時露光を優先する。）、露光パターン
データメモリ４９にマップとして記憶しておく。

【００２２】３個の磁気ヘッドの組合せと、各組合せに
適用される４種類の露光パターン（左素子用３個同時露
光、右素子用３個同時露光、左素子用単独露光、右素子
用単独露光）の関係を表１に示す。

【００２３】

【表１】 演算手段４８は、左素子用３個同時露光と右素子用３個
同時露光のいずれも使用できる磁気ヘッドの組合せおよ
び左素子用単独露光と右素子用単独露光のいずれも使用
できる磁気ヘッドの組合せについては、１ロットで得ら
れる左素子用磁気ヘッドと右素子用磁気ヘッドの割合が
所定の割合（例えば１対１）となるように、使用する露
光種類を決定する。

【００２４】 ウェファー２１を切断してロー２６に
分割する。 ロー２６のレール面２８を研磨する。 レール面２８にレジストを塗布しあるいはドライフ
ィルムをラミネートする等により感光膜４０を形成す
る。 ロー２６をＸ−Ｙワークステージ５０上に並べて
（ウェファー２１に並べられていた順序で並べる）２０
〜３０本配列する（ロー２６の長さ方向をＸ軸方向に合
わせ、ロー２６，２６，……の配列方向をＹ軸方向に合
わせる）。Ｘ−Ｙワークステージ５０は、Ｘ，Ｙ方向に
移動可能である。Ｘ−Ｙワークステージ５０の上方に
は、レーザ光源５２（例えばエキシマレーザ光源）が照
射方向を下方に向けて固定配設されている。レーザ光源
５２とＸ−Ｙワークステージ５０との間には、Ｘ−Ｙマ
スクステージ５８がＸ，Ｙ方向に移動可能に配設されて
いる（Ｘ軸方向のみ移動する１軸ステージでも可）。Ｘ
−Ｙマスクステージ５８には、左素子用３個同時露光マ
スク５４、右素子用３個同時露光マスク５５、左素子用
単独露光マスク５６、右素子用単独露光マスク５７の４
種類のマスクが配列されている。尚、図１の例では４個
のマスク５４〜５７をＸ軸方向に１列に並べているが、
Ｘ軸方向に２個ずつ並べたものをＹ軸方向に２列に並べ
ることもできる。

【００２５】露光用光源としてエキシマレーザビームを
用いる場合は、マスク５４〜５７は、例えばＳｉＯ₂ な
どのエキシマレーザビームに対して透明な材料をマスク
基板として用い、その上にエキシマレーザビームに対し
て不透明でかつ損傷を受け難い金属材料をマスク材とし
てマスクパターンを形成して構成されている。その場
合、マスクパターンの形成には、リソグラフィを用いる
ことができる。すなわち、はじめにマスク基板上にマス
ク材を構成する金属材料を一定の厚さに付着させ、その
上に感光剤レジストを塗布し、レジストをマスクパター
ンに露光する。そして、これを現像してパターンカット
し、露出したマスク材部分をプラズマエッチング加工等
により除去し、最後に不用なレジストを取り除くことに
より、マスク５４〜５７が完成する。

【００２６】制御装置６１は、Ｘ−Ｙワークステージ５
０の移動制御、Ｘ−Ｙマスクステージ５８の移動制御、
レーザ光源５２の発振オン、オフ制御等を行なって、ロ
ー２６の各磁気ヘッドレール面の感光膜４０にレールパ
ターンの露光を行なう。この露光の手順の一例を図３を
参照して説明する。

【００２７】制御装置６１は、まず露光パターンデータ
メモリ４９から露光パターンデータを読み込む（Ｓ
１）。次にＸ−Ｙマスクステージ５８に対するマスク５
４〜５７の位置決めと、Ｘ−Ｙワークステージ５０に対
する各ロー２６の位置決めを行う（Ｓ２）。露光開始前
には、Ｘ−Ｙマスクステージ５８は、最初のマスク５４
（左素子用３個同時露光のパターン）がレーザ光５９の
直下に位置するように移動する（Ｓ３）。また、Ｘ−Ｙ
ワークステージ５０は露光パターンデータに基づき、左
素子用３個同時露光を行う３個の磁気ヘッドがレーザ光
５９の直下に位置するように移動し、所定時間露光する
（Ｓ４）。

【００２８】Ｘ−Ｙワークステージ５０を順次移動させ
て全てのロー２６について左素子用３個同時露光が終了
したら、Ｘ−Ｙマスクステージ５８を次のマスク５５
（右素子用３個同時露光のパターン）がレーザ光５９の
直下に位置するように移動し（Ｓ５）、Ｘ−Ｙワークス
テージ５０を右素子用３個同時露光を行う３個の磁気ヘ
ッドがレーザ光５９の直下に位置するように移動して露
光する（Ｓ６）。

【００２９】Ｘ−Ｙワークステージ５０を順次移動させ
て全てのロー２６について右素子用３個同時露光が終了
したら、Ｘ−Ｙマスクステージ５８を次のマスク５６
（左素子用単独露光のパターン）がレーザ光５９の直下
に位置するように移動し（Ｓ７）、Ｘ−Ｙワークステー
ジ５０を左素子用単独露光を行う１個の磁気ヘッドがレ
ーザ光５９の直下に位置するように移動して露光する
（Ｓ８）。

【００３０】Ｘ−Ｙワークステージ５０を順次移動させ
て全てのロー２６の左素子用単独露光のパターンを形成
すべき磁気ヘッドについて露光が終了したら、Ｘ−Ｙマ
スクステージ５８をマスク５７（右素子用単独露光のパ
ターン）がレーザ光５９の直下に位置するように移動し
（Ｓ９）、Ｘ−Ｙワークステージ５０を右素子用単独露
光を行う１個の磁気ヘッドがレーザ光５９の直下に位置
するように移動して露光する（Ｓ１０）。以上３回のマ
スク交換ですべての磁気ヘッドの露光が終了する。

【００３１】 以上のようにして、すべてのロー２６
のすべてのスイラダチップについてレールパターンの露
光が終了したら、これを現像することにより、感光膜が
レールパターンの形状に残されてレジストパターン４
０′が形成される。

【００３２】 イオンビームエッチング、パウダーブ
ラスト、反応性エッチング等によるエッチング掘込加工
によりレジストパターン４０′が無い部分のロー２６の
表面が掘込まれる。

【００３３】 レジストパターン４０′を除去してロ
ー２６をスライダごとに切断すると、右側用、左側用で
別々のパターン６０，６２に形成された非対称非平行レ
ール１０，１２を有する磁気ヘッド１４ができ上がる。

【００３４】ここで、ｎ＝３とした場合について、この
発明を用いて露光とした場合の総露光時間と他の方法に
より露光した場合の総露光時間の比較例を示す。表２は
実際のウェアァーにおいて左右素子１６，１８とも良好
な場合Ｂと、左素子１６のみ良好な場合Ｌと、も右素子
１８のみ良好な場合Ｒと、左右素子とも不良な場合Ｎの
発生確率と、ロー上で連続する３個の磁気ヘッドにおけ
るＢ，Ｌ，Ｒ，Ｎの各種組合せの発生確率の実績を示し
たものである。ケース１〜４のうちケース２が現状での
最も平均的な例で、このときＬＲ混在率（Ｌ，Ｒが混在
しているヘッドの組合せが発生する確率）は約１．１６
％である。

【００３５】

【表２】 ケース２について下記の条件で露光を行う場合について
総露光時間を求める。

【００３６】 ［条 件］ 露光時間 ０．０１秒／ショット（ショット：１回の露光） ワークステージ移動時間 ０．０５秒／ヘッド ワークステージ整定時間 ０．３５秒／ショット 同時露光ヘッド数 ｎ個／ショット 総露光ヘッド数 Ｎ個／ワーク マスク切換時間 １秒 上記条件より、 総露光時間＝（０．０１＋０．０５ｎ＋０．３５）×Ｎ／ｎ＋マスク交換時間 一般にＮは１０００以上であるため、右辺第１項>>第２項となり、 ＝（０．３６／ｎ＋０．０５）Ｎ となる。したがって、総露光時間は、前記従来の技術で
述べた単独露光２マスク切換方式の場合０．４１Ｎ、ｎ
個同時２マスク切換方式（ｎ＝３）の場合０．１７Ｎ、
ｎ個同時ｎ² マスク切換方式（ｎ＝３）の場合０．１７
Ｎとなる。これに対し、この発明の露光方法による場合
の総露光時間（表２のケース２の場合）は、単独露光の
割合（＝ＬＲ混在率）は１．１６％であるので、 総露光時間＝０．４１×０．０１１６Ｎ＋０．１７×（１−０．０１１６）Ｎ ＝０．１７２８Ｎ となる。この総露光時間はｎ個同時２マスク切換方式、
ｎ個同時ｎ² マスク切換方式の総露光時間（０．１７
Ｎ）とほとんど差がない。

【００３７】この発明の露光方法を他の露光方法の比較
を表３に示す（いずれもｎ＝３でケース２の場合）。

【００３８】

【表３】 表３によれば、この発明による方法では、少ないマスク
数が歩留りよくかつ生産性よく露光できることがわか
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態を示す工程図で、この
発明の露光方法を適用した磁気ヘッドの製造工程全体を
示したものである。

【図２】 非対称非平行レール面を有する磁気ヘッドを
示す斜視図である。

【図３】 図１における制御装置５７による制御フロー
の一例を示す図である。

【符号の説明】

１０，１２ レール １４ 磁気ヘッド（スライダ） １６，１８ 磁気ヘッド素子 ２６ ロー ４０ 感光膜 ５０ ワークステージ ５２ レーザ光源 ５４ 左素子用３個同時露光マスク ５５ 右素子用３個同時露光マスク ５６ 左素子用単独露光マスク ５７ 右素子用単独露光マスク ５８ マスクステージ ５９ レーザ光

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】左右に磁気ヘッド素子を形成しそのうち特
   性が良好な一方の素子を使用するようにした磁気ヘッド
   に、左右いずれの素子を使用するかに応じて左素子用と
   右素子用の別々のレールパターンをフォトリソグラフィ
   を用いて形成するために、個々のスライダに切断する前
   のローの状態で当該レールパターンを形成する面に形成
   された感光膜を当該レールパターンが描かれたマスクを
   通して露光する方法であって、 前記ローを前記感光膜が形成された面を露光方向に向け
   てワークステージに複数本並べて配列し、 １本のロー上の連続する２個の磁気ヘッドに共に左素子
   用のレールパターンを同時に露光する左素子用２個同時
   露光マスク、１本のロー上の連続する２個の磁気ヘッド
   に共に右素子用のレールパターンを同時に露光する右素
   子用２個同時露光マスク、１本のロー上の１個の磁気ヘ
   ッドに左素子用のレールパターンを単独露光する左素子
   用単独露光マスク、１本のロー上の１個の磁気ヘッドに
   右素子用のレールパターンを単独露光する右素子用単独
   露光マスクの４個のマスクをマスクステージに並べて配
   列し、 前記左素子用２個同時露光マスクを使って同時に露光す
   る２個の磁気ヘッドが存在する１または複数箇所に前記
   ワークステージを順次移動して露光する工程、前記右素
   子用２個同時露光マスクを使って同時に露光する２個の
   磁気ヘッドが存在する１または複数箇所に前記ワークス
   テージを順次移動して露光する工程、前記左素子用単独
   露光マスクを使って露光する１個の磁気ヘッドが存在す
   る１または複数箇所に前記ワークステージを順次移動し
   て露光する工程、前記右素子用単独露光マスクを使って
   露光する１個の磁気ヘッドが存在する１または複数箇所
   に前記ワークステージを順次移動して露光する工程を前
   記マスクステージを順次切り換えながら任意の順序で実
   行することを特徴とする磁気ヘッドレール面の露光方
   法。
2. 【請求項２】左右に磁気ヘッド素子を形成しそのうち特
   性が良好な一方の素子を使用するようにした磁気ヘッド
   に、左右いずれの素子を使用するかに応じて左素子用と
   右素子用の別々のレールパターンをフォトリソグラフィ
   を用いて形成するために、個々のスライダに切断する前
   のローの状態で当該レールパターンを形成する面に形成
   された感光膜を当該レールパターンが描かれたマスクを
   通して露光する方法であって、 前記ローを前記感光膜が形成された面を露光方向に向け
   てワークステージに複数本並べて配列し、 １本のロー上の連続する３個の磁気ヘッドに共に左素子
   用のレールパターンを同時に露光する左素子用３個同時
   露光マスク、１本のロー上の連続する３個の磁気ヘッド
   に共に右素子用のレールパターンを同時に露光する右素
   子用３個同時露光マスク、１本のロー上の１個の磁気ヘ
   ッドに左素子用のレールパターンを単独露光する左素子
   用単独露光マスク、１本のロー上の１個の磁気ヘッドに
   右素子用のレールパターンを単独露光する右素子用単独
   露光マスクの４個のマスクをマスクステージに並べて配
   列し、 前記左素子用３個同時露光マスクを使って同時に露光す
   る３個の磁気ヘッドが存在する１または複数箇所に前記
   ワークステージを順次移動して露光する工程、前記右素
   子用３個同時露光マスクを使って同時に露光する３個の
   磁気ヘッドが存在する１または複数箇所に前記ワークス
   テージを順次移動して露光する工程、前記左素子用単独
   露光マスクを使って露光する１個の磁気ヘッドが存在す
   る１または複数箇所に前記ワークステージを順次移動し
   て露光する工程、前記右素子用単独露光マスクを使って
   露光する１個の磁気ヘッドが存在する１または複数箇所
   に前記ワークステージを順次移動して露光する工程を前
   記マスクステージを順次切り換えながら任意の順序で実
   行することを特徴とする磁気ヘッドレール面の露光方
   法。
3. 【請求項３】左右に磁気ヘッド素子を形成しそのうち特
   性が良好な一方の素子を使用するようにした磁気ヘッド
   に、左右いずれの素子を使用するかに応じて左素子用と
   右素子用の別々のレールパターンをフォトリソグラフィ
   を用いて形成するために、個々のスライダに切断する前
   のローの状態で当該レールパターンを形成する面に形成
   された感光膜を当該レールパターンが描かれたマスクを
   通して露光する方法であって、 前記ローを前記感光膜が形成された面を露光方向に向け
   てワークステージに複数本並べて配列し、 １本のロー上の連続するｎ個の磁気ヘッドに共に左素子
   用のレールパターンを同時に露光する左素子用ｎ個同時
   露光マスク、１本のロー上の連続するｎ個の磁気ヘッド
   に共に右素子用のレールパターンを同時に露光する右素
   子用ｎ個同時露光マスク、１本のロー上の１個の磁気ヘ
   ッドに左素子用のレールパターンを単独露光する左素子
   用単独露光マスク、１本のロー上の１個の磁気ヘッドに
   右素子用のレールパターンを単独露光する右素子用単独
   露光マスクの４個のマスクをマスクステージに並べて配
   列し、 前記左素子用ｎ個同時露光マスクを使って同時に露光す
   るｎ個の磁気ヘッドが存在する１または複数箇所に前記
   ワークステージを順次移動して露光する工程、前記右素
   子用ｎ個同時露光マスクを使って同時に露光するｎ個の
   磁気ヘッドが存在する１または複数箇所に前記ワークス
   テージを順次移動して露光する工程、前記左素子用単独
   露光マスクを使って露光する１個の磁気ヘッドが存在す
   る１または複数箇所に前記ワークステージを順次移動し
   て露光する工程、前記右素子用単独露光マスクを使って
   露光する１個の磁気ヘッドが存在する１または複数箇所
   に前記ワークステージを順次移動して露光する工程を前
   記マスクステージを順次切り換えながら任意の順序で実
   行することを特徴とする磁気ヘッドレール面の露光方
   法。
4. 【請求項４】所定のロットごとに、左側の素子を用いる
   磁気ヘッドと、右側の素子を用いる磁気ヘッドの数がほ
   ぼ同数となるように、左右の素子とも良好な磁気ヘッド
   に形成するレールパターンが決定されていることを特徴
   とする請求項１から３のいずれかに記載の磁気ヘッドレ
   ール面の露光方法。