JPH10186627A - フォトマスク及び露光方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 密なパターンと疎なパターンの両方を、精度
良く等しく、しかも微細な寸法にて形成することが可能
なフォトマスク及び露光方法を提供する。 【解決手段】 半遮光領域と光透過領域とによって所定
のパターンが形成されたフォトマスクにおいて、上記パ
ターンが密なパターンと疎なパターンとを有するような
ときに、疎なパターンが形成されている部分では、半遮
光領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光
の位相とが略等しくなるようにし、密なパターンが形成
されている部分では、半遮光領域を透過した光の位相
と、光透過領域を透過した光の位相とが異なり、当該位
相差が１５０度よりも小さくなるようにする。なお、本
発明は、ロジック回路とメモリ回路が混載された半導体
装置を生産する際に特に好適である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、半導体製
造工程において各種パターン形成技術等に用いられるフ
ォトマスク及び露光方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造では、所定のパターン
を転写するフォトリソグラフィー工程において、所定の
パターンが形成されたフォトマスクが、ウエハ上に形成
されたレジスト材料に対して所定のパターン形状を転写
するために用いられている。そして、半導体装置におけ
るパターンの加工寸法は、年々微細化しており、フォト
マスクに形成されるパターンも、より微細なものとなっ
てきている。

【０００３】ところで、近年、半導体装置では、集積度
の向上とともに、高速で大容量のデータを処理できるよ
うにするために、メモリ素子とロジック素子を同一チッ
プ上に同時に形成するようなことが行われている。この
ような半導体装置では、密なパターンと疎なパターンと
を、同一チップ上に形成する必要がある。具体的には、
例えば、トランジスタのゲート部分に着目すると、メモ
リ素子のゲートパターンは密集して配置され、一方、ロ
ジック素子のゲートパターンは比較的疎に配置される。

【０００４】このような密なパターンと疎なパターンと
を同一の設計寸法としてフォトマスクに形成し、当該フ
ォトマスクを用いて露光すると、光近接効果により、密
なパターンと疎なパターンとで、ウエハ上に形成される
パターン寸法が異なるものとなってしまう。そこで、従
来は、フォトマスクに形成するパターン寸法を予め補正
することにより、ウエハ上に形成されるパターンが、密
なパターンと疎なパターンとで、ほぼ同一の寸法が得ら
れるように調整している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところが、フォトマス
クに形成されるパターン寸法を予め補正する方法には、
以下に挙げるような問題がある。

【０００６】まず、フォトマスクに形成されるパターン
寸法を補正する方法では、パターンデータ処理が煩雑に
なることが多く、パターンデータ処理に多大な工数が必
要となってしまう。例えば、フォトマスクに形成される
パターン寸法を一様に小さくする場合には、パターンの
断線等の不具合が生じないように、図形演算処理を行う
必要がある。また、フォトマスクに形成されるパターン
寸法を一様に大きくする場合には、パターン同士の重な
りを取り除くための図形演算処理を行う必要がある。更
に、フォトマスクに形成されるパターン寸法の補正によ
り、電子線によるマスク描図工程において、電子線の後
方散乱半径よりもパターン寸法が小さくなる場合には、
マスク描図工程における電子線の近接効果の補正も行う
必要がある。

【０００７】また、パターン設計グリッドサイズは、ウ
エハ上の単位で０．０１μｍに制約されている場合が多
く、パターンの両側のエッジに補正を施す場合には、最
小補正量は０．０２μｍ単位になる。しかしながら、通
常、この最小補正量は、密なパターンと疎なパターン
を、ウエハ上に等しく形成するためには粗すぎる。した
がって、フォトマスクに形成されるパターン寸法を補正
する方法では、ウエハ上において、密なパターンと疎な
パターンとの両方を同様に微細な寸法とすることは、非
常に困難である。

【０００８】本発明は、以上のような従来の実情に鑑み
て提案されたものであり、ウエハ上において、密なパタ
ーンと疎なパターンの両方を、精度良く等しく、しかも
微細な寸法にて形成することが可能なフォトマスク及び
露光方法を提供することを目的としている。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係るフォトマス
クは、半遮光領域と光透過領域とによって所定のパター
ンが形成されたフォトマスクであって、少なくとも一部
の領域において、半遮光領域を透過した光の位相と、光
透過領域を透過した光の位相とが異なり、当該位相差が
１５０度よりも小さいことを特徴とするものである。

【００１０】なお、上記パターンが、密なパターンと疎
なパターンとを有するときは、例えば、疎なパターンが
形成されている部分における光透過領域を透過した光の
位相と、密なパターンが形成されている部分における光
透過領域を透過した光の位相とが異なり、当該位相差が
１５０度よりも小さくなるようにする。或いは、例え
ば、疎なパターンが形成されている部分において、半遮
光領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光
の位相とが略等しくなるようにし、密なパターンが形成
されている部分において、半遮光領域を透過した光の位
相と、光透過領域を透過した光の位相とが異なり、当該
位相差が１５０度よりも小さくなるようにする。

【００１１】また、本発明に係る露光方法は、半遮光領
域と光透過領域とによって所定のパターンが形成された
フォトマスクをマスクとしてフォトレジストを露光する
際に、上記フォトマスクとして、少なくとも一部の領域
において、半遮光領域を透過した光の位相と、光透過領
域を透過した光の位相とが異なり、当該位相差が１５０
度よりも小さいフォトマスクを用いることを特徴とする
ものである。

【００１２】なお、上記パターンが、密なパターンと疎
なパターンとを有するときは、例えば、疎なパターンが
形成されている部分における光透過領域を透過した光の
位相と、密なパターンが形成されている部分における光
透過領域を透過した光の位相とが異なり、当該位相差が
１５０度よりも小さいフォトマスクを用いるようにす
る。或いは、例えば、疎なパターンが形成されている部
分において、半遮光領域を透過した光の位相と、光透過
領域を透過した光の位相とが略等しく、密なパターンが
形成されている部分において、半遮光領域を透過した光
の位相と、光透過領域を透過した光の位相とが異なり、
当該位相差が１５０度よりも小さいフォトマスクを用い
るようにする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。なお、本発明は以下の例に限定されるものではな
く、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、任意に変更可能
であることは言うまでもない。

【００１４】本実施の形態に係るフォトマスクを図１に
示す。このフォトマスクは、いわゆるラインアンドスペ
ースパターンのように密なパターンが形成されている部
分と、いわゆる孤立ラインパターンのように疎なパター
ンが形成されている部分とを有している。そして、図１
（ａ）は、密なパターンが形成されている部分の一部を
拡大した断面を模式的に示し、図１（ｂ）は、疎なパタ
ーンが形成されている部分の一部を拡大した断面を模式
的に示している。

【００１５】図１に示すように、このフォトマスクは、
透明な石英材料からなるガラス基板１と、ガラス基板１
上に形成された半遮光膜２とを有している。ここで、半
遮光膜２は、所定のパターンにてエッチングされてお
り、半遮光膜２が除去された領域が光透過領域となって
おり、半遮光膜２が残された領域が半遮光領域となって
いる。

【００１６】そして、図１（ａ）に示すように、密なパ
ターンが形成された部分においては、半遮光領域におけ
るガラス基板１の厚さｔ１と、光透過領域におけるガラ
ス基板１の厚さｔ２とが異なっており、一方、図１
（ｂ）に示すように、疎なパターンが形成された部分に
おいては、半遮光領域におけるガラス基板１の厚さｔ３
と、光透過領域におけるガラス基板１の厚さｔ４とが同
じとなっている。

【００１７】これにより、このフォトマスクでは、密な
パターンが形成されている部分においては、半遮光領域
におけるガラス基板１の厚さｔ１と、光透過領域におけ
るガラス基板１の厚さｔ２との差Δｔの分だけ、半遮光
領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光の
位相とが異なるものとなる。一方、疎なパターンが形成
されている部分においては、半遮光領域におけるガラス
基板１の厚さｔ３と、光透過領域におけるガラス基板１
の厚さｔ４とが等しいので、半遮光領域を透過した光の
位相と、光透過領域を透過した光の位相とは等しくな
る。

【００１８】このようなフォトマスクを作製する際は、
先ず、透明な石英材料からなるガラス基板１上に、所望
の透過率及び位相を具備する半遮光膜２を形成する。こ
こで、半遮光膜２は、例えば、酸化クロム及びクロム、
或いは酸化クロム等の材料を用いて、スパッタ法等によ
って形成する。

【００１９】次に、半遮光膜２上に光に感光するフォト
レジストを塗布する。ここで、フォトレジストの塗布
は、例えば、スピンコート法によって行う。その後、フ
ォトレジストが感光する波長領域の光、具体的には紫外
光乃至可視光のレーザ光等によって、フォトレジストを
露光して、フォトレジストに所定のパターンを描画す
る。ここで、所定のパターンとしては、密なパターンと
疎なパターンとの両方を含むようなパターンを形成す
る。

【００２０】なお、ここでは、光によってフォトレジス
トを露光する例を挙げたが、電子線等によってフォトレ
ジストを露光するようにしてもよい。ただし、電子線に
よってフォトレジストを露光する際は、半遮光膜２上に
形成するフォトレジストとして、電子線によって感光す
るものを使用する。

【００２１】次に、所定のパターンが形成されたフォト
レジストをマスクとして、半遮光膜２をエッチングし、
半遮光膜２にパターンを形成する。ここで、半遮光膜２
のエッチングは、ウエットエッチングで行っても良い
し、或いは、ドライエッチングで行っても良い。そし
て、半遮光膜２のエッチングが完了したら、半遮光膜２
上のフォトレジストを除去する。これにより、半遮光膜
２のパターニングが完了する。

【００２２】その後、再度、フォトレジストをスピンコ
ート法等によって塗布する。そして、密なパターンが形
成された部分のフォトレジストを露光して、密なパター
ンが形成された部分のフォトレジストを除去する。ここ
で、フォトレジストの露光は、上述のフォトレジストの
露光と同様、光露光又は電子線露光等によって行う。

【００２３】次に、フッ素を含む反応性ガスを用いた反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等によって、ガラス基
板１をエッチングする。このとき、密なパターンが形成
された部分については、フォトレジストが除去されてお
り、疎なパターンが形成された部分については、フォト
レジストが残された状態となっている。すなわち、ガラ
ス基板１が露呈しているのは、密なパターンが形成され
ている部分だけである。したがって、ガラス基板１のエ
ッチングは、密なパターンが形成されている部分につい
てだけ行われる。

【００２４】そして、このエッチングにより、図１
（ａ）に示すように、密なパターンが形成された部分に
おいては、半遮光膜２が形成された半遮光領域における
ガラス基板１の厚さｔ１と、半遮光膜２が除去された光
透過領域におけるガラス基板１の厚さｔ２とが異なるも
のとなる。一方、図１（ｂ）に示すように、疎なパター
ンが形成された部分においては、ガラス基板１のエッチ
ングがなされていないので、半遮光膜２が形成された半
遮光領域におけるガラス基板１の厚さｔ３と、半遮光膜
２が除去された光透過領域におけるガラス基板ｔ４の厚
さとは同じものとなる。

【００２５】この結果、密なパターンが形成されている
部分においては、半遮光領域を透過した光の位相と、光
透過領域を透過した光の位相とが異なるものとなり、一
方、疎なパターンが形成されている部分においては、半
遮光領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した
光の位相とが等しくなる。

【００２６】以上のようにフォトレジストを作製する
際、密なパターンが形成されている部分における、半遮
光領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光
の位相との差は、ガラス基板１のエッチング深さによっ
て調整することができる。すなわち、ガラス基板１のエ
ッチングは、密なパターンが形成されている部分におい
て、半遮光領域を透過した光の位相と、光透過領域を透
過した光の位相との差が、所望の位相差となるような深
さまでエッチングする。

【００２７】なお、半遮光領域を透過した光の位相と、
光透過領域を透過した光の位相とが異なるようにする方
法は、上述の例に限られるものではない。

【００２８】例えば、半遮光膜２のパターニングの完了
後、再度、フォトレジストをスピンコート法等によって
塗布し、次いで、疎なパターンが形成された部分のフォ
トレジストを光露光又は電子線露光等により露光して、
疎なパターンが形成された部分のフォトレジストを除去
し、その後、フッ素を含む反応性ガスを用いた反応性イ
オンエッチング等によってガラス基板１を、所望する位
相差が得られる深さまでエッチングするようにしてもよ
い。このようにフォトマスクを形成したときは、疎なパ
ターンが形成されている部分において、半遮光領域を透
過した光の位相と、光透過領域を透過した光の位相とが
異なるものとなる。

【００２９】或いは、半遮光膜２のパターニングの完了
後、ガラス基板１が１８０度の位相差を具備するように
ガラス基板１の全面をエッチングする。次いで、再度、
フォトレジストをスピンコート法等によって塗布し、そ
の後、密なパターンが形成された部分のフォトレジスト
を光露光又は電子線露光等により露光して、密なパター
ンが形成された部分のフォトレジストを除去する。次い
で、フッ素を含む反応性ガスを用いた反応性イオンエッ
チング等によってガラス基板１のうち、密なパターンが
形成された部分を、疎なパターンが形成された部分に対
して所望する位相差が得られる深さまでエッチングす
る。このようにフォトマスクを形成したときは、密なパ
ターンが形成されている部分における光透過領域を透過
した光の位相と、疎なパターンが形成されている部分に
おける光透過領域を透過した光の位相とが異なるものと
なり、しかも、疎なパターンが形成された部分において
は、いわゆるハーフトーン位相シフト効果が得られる。

【００３０】或いは、半遮光膜２のパターニングの完了
後、ガラス基板１が１８０度の位相差を具備するように
ガラス基板１の全面をエッチングする。次いで、再度、
フォトレジストをスピンコート法等によって塗布し、そ
の後、疎なパターンが形成された部分のフォトレジスト
を光露光又は電子線露光等により露光して、疎なパター
ンが形成された部分のフォトレジストを除去する。次い
で、フッ素を含む反応性ガスを用いた反応性イオンエッ
チング等によってガラス基板１のうち、疎なパターンが
形成された部分を、密なパターンが形成された部分に対
して所望する位相差が得られる深さまでエッチングす
る。このようにフォトマスクを形成したときは、疎なパ
ターンが形成されている部分における光透過領域を透過
した光の位相と、密なパターンが形成されている部分に
おける光透過領域を透過した光の位相とが異なるものと
なり、しかも、密なパターンが形成された部分において
は、いわゆるハーフトーン位相シフト効果が得られる。

【００３１】或いは、密なパターンが形成される部分の
半遮光膜２を、所望の透過率が得られる薄膜によって形
成するとともに、疎なパターンが形成される部分の半遮
光膜２を、所望する透過率及び位相を具備する薄膜によ
って形成するようにしてもよい。具体的には、例えば、
密なパターンが形成される部分の半遮光膜２として、所
望する透過率が得られるような膜厚にてクロム膜を形成
し、疎なパターンが形成される部分の半遮光膜２とし
て、所望する透過率及び位相が得られるような膜厚にて
酸化クロム膜を形成する。このようにフォトマスクを形
成したときは、疎なパターンが形成されている部分にお
いて、半遮光領域を透過した光の位相と、光透過領域を
透過した光の位相とが異なるものとなり、しかも、疎な
パターンが形成される部分において、いわゆるハーフト
ーン位相シフト効果が得られる。

【００３２】或いは、疎なパターンが形成される部分の
半遮光膜２を、所望の透過率が得られる薄膜によって形
成するとともに、密なパターンが形成される部分の半遮
光膜２を、所望する透過率及び位相を具備する薄膜によ
って形成するようにしてもよい。具体的には、例えば、
疎なパターンが形成される部分の半遮光膜２として、所
望する透過率が得られるような膜厚にてクロム膜を形成
し、密なパターンが形成される部分の半遮光膜２とし
て、所望する透過率及び位相が得られるような膜厚にて
酸化クロム膜を形成する。このようにフォトマスクを形
成したときは、密なパターンが形成されている部分にお
いて、半遮光領域を透過した光の位相と、光透過領域を
透過した光の位相とが異なるものとなり、しかも、密な
パターンが形成される部分において、いわゆるハーフト
ーン位相シフト効果が得られる。

【００３３】つぎに、本発明を適用した具体的な実施例
について、図面を参照しながら詳細に説明する。ただ
し、当然の事ながら、本発明は以下の実施例に限定され
るものではない。

【００３４】実施例１ 本実施例では、先ず、透明な石英材料からなるガラス基
板上に、４％の透過率となるように酸化クロム及びクロ
ムからなる半遮光膜をスパッタ法により形成した。次
に、電子線に感光するフォトレジストをスピンコート法
により半遮光膜上に塗布し、その後、加速電圧１０ｋＶ
の電子線によって、密なパターンと疎なパターンとを含
む所定のパターンの露光を行った。次に、このフォトレ
ジストをマスクとして、ドライエッチングにより半遮光
膜をエッチングし、半遮光膜に所定のパターンを形成し
た。ここで、半遮光膜のエッチングは、塩素を含む反応
性ガスを用いた反応性イオンエッチングによって行っ
た。

【００３５】その後、半遮光膜上のフォトレジストを除
去した上で、再度、フォトレジストをスピンコート法に
よって塗布した。そして、密なパターンが形成された部
分のフォトレジストを電子線によって露光して、密なパ
ターンが形成された部分のフォトレジストを除去した上
で、フッ素を含む反応性ガスを用いた反応性イオンエッ
チングを行い、所望の位相差が得られる深さまでガラス
基板をエッチングした。

【００３６】そして、本実施例では、ガラス基板のエッ
チング深さを調整して、表１に示す８つのフォトマスク
Ａ〜Ｈを作製した。なお、表１において、位相差は、密
なパターンが形成されている部分における、半遮光領域
を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光の位相
との差を示しており、この位相差は、疎なパターンが形
成されている部分における光透過領域を透過した光の位
相と、密なパターンが形成されている部分における光透
過領域を透過した光の位相との差に相当する。

【００３７】

【表１】

【００３８】そして、以上のようなフォトマスクＡ〜Ｈ
を用いて、ＫｒＦステッパによりＮＡ＝０．５５及びσ
＝０．６４の条件にて、ウエハ上に形成されたフォトレ
ジストの露光を行なった。ここで、露光量は、フォトマ
スク上において０．２４μｍに形成されたパターンが、
ウエハ上で０．２５μｍに転写されるように設定した。

【００３９】上記フォトマスクＡ〜Ｈについて、パター
ンの線幅と、デフォーカス量との関係を調べた結果を図
２に示す。なお、図２では、比較のために、疎なパター
ンだけを有するフォトマスクを用いたときについてもプ
ロットしている。

【００４０】通常、半導体装置を作製する際の線幅裕度
は±１０％程度であるが、図２から分かるように、位相
差が０度のときには、線幅裕度±１０％の条件では、疎
なパターンと密なパターンの両方を、同一のフォトマス
クを用いて形成することができない。これに対して、図
２から分かるように、位相差を持たせたときには、線幅
裕度の条件を満たしやすくなり、疎なパターンと密なパ
ターンの両方を、同一のフォトマスクを用いて形成する
ことが可能となる。

【００４１】そして、図２から分かるように、本実施例
の場合には、位相差は約７０度のときが最適であり、約
７０度の位相差を持たせることにより、線幅のばらつき
を最小とすることができる。なお、位相差が小さすぎる
と、位相差を持たせたことによる効果が小さくなってし
まうので、この位相差は３０度程度以上とすることが好
ましい。また、位相差が大きすぎても、位相差を持たせ
たことによる効果が小さくなってしまうので、この位相
差は１５０度程度以下とすることが好ましい。

【００４２】実施例２ 本実施例では、ロジック回路のゲート部分に対応する疎
なパターンと、メモリ回路のゲート部分に対応する密な
パターンとの両方が形成されたフォトマスクを用いて、
半導体装置を作製した。なお、本実施例では、ＫｒＦス
テッパによりＮＡ＝０．５５及びσ＝０．６４の条件に
て、デザインルール０．２４μｍに設定された回路パタ
ーンがウエハ上に転写されるように露光量を設定した。

【００４３】ここで、フォトマスクを用いて回路パター
ンをウエハ上に転写するのに先立ち、回路パターンの転
写に使用するフォトマスクについて、密なパターンが形
成された部分における光透過領域を透過した光の位相
と、疎なパターンが形成された部分における光透過領域
を透過した光の位相との差の最適な値を調べたところ、
この位相差は約５０度とすることが最適であった。

【００４４】そこで、本実施例では、この位相差が約５
０度のフォトマスクを用いて、ロジック回路及びメモリ
回路のパターンをウエハ上に転写して半導体装置を作製
した。

【００４５】なお、本実施例において使用するフォトマ
スクを形成する際は、先ず、透明な石英材料からなるガ
ラス基板上に、４％の透過率となるように酸化クロム及
びクロムからなる半遮光膜をスパッタ法により形成し
た。次に、電子線に感光するフォトレジストをスピンコ
ート法により半遮光膜上に塗布し、その後、加速電圧１
０ｋＶの電子線によって、密なパターンと疎なパターン
とを含む所定のパターンの露光を行った。次に、このフ
ォトレジストをマスクとして、ドライエッチングにより
半遮光膜をエッチングし、半遮光膜に所定のパターンを
形成した。ここで、半遮光膜のエッチングは、塩素を含
む反応性ガスを用いた反応性イオンエッチングによって
行った。

【００４６】その後、半遮光膜上のフォトレジストを除
去した上で、再度、フォトレジストをスピンコート法に
よって塗布した。そして、密なパターンが形成された部
分のフォトレジストを電子線によって露光して、密なパ
ターンが形成された部分のフォトレジストを除去した上
で、フッ素を含む反応性ガスを用いた反応性イオンエッ
チングを行い、約５０度の位相差が得られる深さまでガ
ラス基板をエッチングした。

【００４７】そして、本実施例では、以上のようなフォ
トマスクを用いて、ＫｒＦステッパによりＮＡ＝０．５
５及びσ＝０．６４の条件にて、ウエハ上に形成された
フォトレジストの露光を行い、回路パターンを転写し
た。ここで、露光量は、上述したように、デザインルー
ル０．２４μｍに設定された回路パターンがウエハ上に
転写されるように設定した。

【００４８】以上のように露光したとき、線幅裕度±１
０％の条件で許容される露光裕度とデフォーカス裕度を
調べた結果を図３に示す。また、比較のために、上述の
ような位相差を有していないフォトレジストを用いたと
きに、線幅裕度±１０％の条件で許容される露光裕度と
デフォーカス裕度を調べた結果を図４に示す。図３及び
図４から分かるように、位相差を有しているフォトレジ
ストでは、各露光量に対してデフォーカス裕度及び露光
裕度が拡大している。

【００４９】以上の実施例１及び実施例２の結果から分
かるように、本発明を適用してフォトマスクに適切な位
相差を持たせることにより、線幅裕度、露光裕度、デフ
ォーカス裕度等を大きくすることが可能となる。

【００５０】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
では、フォトマスクに適切な位相差を持たせているの
で、疎なパターンと密なパターンとを同一のフォトマス
クで同時に形成することが可能となる。すなわち、本発
明によれば、密なパターンと疎なパターンの両方を、精
度良く等しく、しかも微細な寸法にて形成することがで
きる。したがって、本発明を適用することにより、集積
度が高く、しかも、密なパターンと疎なパターンの両方
を備えた半導体装置を作製することが可能となる。な
お、本発明は、ロジック回路とメモリ回路が混載された
半導体装置を生産する際に特に著しい効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用したフォトマスクの一例につい
て、密なパターンが形成されている部分と、疎なパター
ンが形成されている部分とを模式的に示す断面図であ
る。

【図２】フォトマスクの位相差をパラメータとして、ウ
エハに転写されるパターンの線幅と、デフォーカス量と
の関係を示す図である。

【図３】約５０度の位相差を有するフォトマスクを用い
たときのデフォーカス裕度及び露光裕度の許容範囲を示
す図である。

【図４】位相差を有さないフォトマスクを用いたときの
デフォーカス裕度及び露光裕度の許容範囲を示す図であ
る。

【符号の説明】

１ ガラス基板、 ２ 半遮光膜

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半遮光領域と光透過領域とによって所定
   のパターンが形成され、 少なくとも一部の領域において、半遮光領域を透過した
   光の位相と、光透過領域を透過した光の位相とが異な
   り、当該位相差が１５０度よりも小さいことを特徴とす
   るフォトマスク。
2. 【請求項２】 上記パターンは、密なパターンと疎なパ
   ターンとを有し、 疎なパターンが形成されている部分における光透過領域
   を透過した光の位相と、密なパターンが形成されている
   部分における光透過領域を透過した光の位相とが異な
   り、当該位相差が１５０度よりも小さいことを特徴とす
   る請求項１記載のフォトマスク。
3. 【請求項３】 上記パターンは、密なパターンと疎なパ
   ターンとを有し、 疎なパターンが形成されている部分においては、半遮光
   領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光の
   位相とが略等しく、 密なパターンが形成されている部分においては、半遮光
   領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光の
   位相とが異なり、当該位相差が１５０度よりも小さいこ
   とを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
4. 【請求項４】 半遮光領域と光透過領域とによって所定
   のパターンが形成されたフォトマスクをマスクとしてフ
   ォトレジストを露光する際に、 上記フォトマスクとして、少なくとも一部の領域におい
   て、半遮光領域を透過した光の位相と、光透過領域を透
   過した光の位相とが異なり、当該位相差が１５０度より
   も小さいフォトマスクを用いることを特徴とする露光方
   法。
5. 【請求項５】 上記パターンは、密なパターンと疎なパ
   ターンとを有し、 疎なパターンが形成されている部分における光透過領域
   を透過した光の位相と、密なパターンが形成されている
   部分における光透過領域を透過した光の位相とが異な
   り、当該位相差が１５０度よりも小さいことを特徴とす
   る請求項４記載の露光方法。
6. 【請求項６】 上記パターンは、密なパターンと疎なパ
   ターンとを有し、 疎なパターンが形成されている部分においては、半遮光
   領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光の
   位相とが略等しく、 密なパターンが形成されている部分においては、半遮光
   領域を透過した光の位相と、光透過領域を透過した光の
   位相とが異なり、当該位相差が１５０度よりも小さいこ
   とを特徴とする請求項４記載の露光方法。