JPH10186412A - Active matrix liquid crystal display device and its production - Google Patents

Active matrix liquid crystal display device and its production

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JPH10186412A
JPH10186412A JP34817196A JP34817196A JPH10186412A JP H10186412 A JPH10186412 A JP H10186412A JP 34817196 A JP34817196 A JP 34817196A JP 34817196 A JP34817196 A JP 34817196A JP H10186412 A JPH10186412 A JP H10186412A
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film
color filter
active matrix
liquid crystal
crystal display
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JP34817196A
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Inventor
Kazuo Yudasaka
一夫 湯田坂
Original Assignee
Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active matrix liquid crystal display device that can improve display quality by preventing generation of raggedness on a surface of a pixel electrode in spite of being an active matrix substrate of a color filter layer-built-in type, and provide a production method therefor. SOLUTION: In the active matrix substrate, a TFT, color filter layers 13R, 13G, 13B formed by an ink jet method and a pixel electrode 4 are formed on a transparent substrate 20 is this order from lower layer side. The pixel electrode 4 is composed of a sputtering ITO film 4A on the lower layer side and a coated ITO film 4B on the upper layer side and is conductivity connected with a repeating electrode 49 via a contact hole 131 having a large aspect ratio of the color filter layers. Since the coated ITO film 4B has an excellent level difference coating property, the surface thereof has no raggedness.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、マトリクス形成される画素領域の各々に対し、薄膜トランジスタまたはダイオードからなる薄膜スイッチング素子と、該薄膜スイッチング素子に導電接続する画素電極とを有するアクティブマトリクス液晶表示装置、およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to the, for each pixel region in a matrix form, an active matrix liquid crystal display device having a thin film switching element formed of a thin film transistor or diode, and a pixel electrode connected conductive to thin film switching element , and a manufacturing method thereof. さらに詳しくは、アクティブマトリクス液晶表示装置のアクティブマトリスク基板にカラーフィルタを内蔵させるための技術に関するものである。 More particularly, it relates to techniques for incorporating the color filter in the active matrix-substrate of the active matrix liquid crystal display device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】アクティブマトリクス液晶表示装置では、画素スイッチング用の薄膜スイッチング素子として、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor/以下、 BACKGROUND OF THE INVENTION Active matrix liquid crystal display device, as a thin film switching element for pixel switching, a thin film transistor (Thin Film Transistor / or less,
TFTという。 That TFT. )またはMIM(Metal-Insulator-Meta ) Or MIM (Metal-Insulator-Meta
l )ダイオードのいずれを用いた場合でも、2枚の透明基板の間に封入した液晶を各透明基板に形成した対向電極と画素電極との間で駆動する。 Even with any of l) diode, a liquid crystal encapsulated between two transparent substrates to drive between the counter electrode and the pixel electrode formed on the transparent substrate. また、図13に示すように、アクティブマトリックス型のカラー液晶表示装置1では、液晶30を封入した2枚の透明基板10、20 Further, as shown in FIG. 13, in the color liquid crystal display device 1 of active matrix type, two transparent substrates encapsulating the liquid crystal 30 10,20
のうち透明基板10の側には、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色の有色層からなるカラーフィルタ層13 On the side of the transparent substrate 10 of the red (R), green (G), and a color filter layer composed of three colors colored layer of blue (B) 13
R、13G、13Bによってカラーフィルタ130が構成されている。 R, 13G, the color filter 130 is formed by 13B. 3色のカラーフィルタ層13R、13 Three color filter layers 13R, 13
G、13Bの間には色と色の隙間を遮光するためのブラックマトリックス120が形成され、カラーフィルタ層13R、13G、13B上には対向電極11となる透明導電膜が形成されている。 G, a black matrix 120 for shielding the color and color gap is formed between the 13B, the color filter layer 13R, 13G, transparent conductive film to be a counter electrode 11 is formed on 13B. カラーフィルタ130を製造する際には、透明基板10上に例えばクロム等の金属からなる遮光膜を形成した後、周知のフォトリソグラフィー技術を用いてこれを格子状にパターニングし、ブラックマトリックス120とする。 When manufacturing a color filter 130 is formed by forming a light shielding film made of a metal such as chromium or the like on the transparent substrate 10, which was patterned in a grid shape using a known photolithography technique, a black matrix 120 . 次にカラーフィルタ層1 Next, the color filter layer 1
3R、13G、13Bを形成するが、カラーフィルタ層13R、13G、13Bの代表的な形成法としては、染色法、顔料分散法等がある。 3R, 13G, forms a 13B, color filter layer 13R, 13G, as a typical method of forming 13B are dyeing, there is a pigment dispersion method, or the like. 染色法は、染色基材となるレジストを塗布、パターニング後、染色液中に浸漬してレジストを染色する方法である。 Dyeing process, the resist comprising a dyeing base coating, after patterning, a method of dyeing the resist was immersed in staining solution. 顔料分散法は、予め着色した顔料レジストを塗布、パターニングする方法である。 The pigment dispersion method is a pre-colored pigment resist coating, a method of patterning.

【0003】一方、透明基板20上にはデータ線31と走査線15とによって画素領域2が区画形成され、各画素領域2のそれぞれに対しては画素電極4への信号電圧の供給を制御するTFT40などの薄膜スイッチング素子が形成されている。 [0003] On the other hand, on the transparent substrate 20 is partitioned and formed in the pixel region 2 by the data lines 31 and the scan line 15, controls the supply of signal voltage to the pixel electrode 4 for each of the pixel areas 2 thin film switching element such TFT40 are formed. 従って、カラー液晶表示装置1を製造する際には、各カラーフィルタ層13R、13G、 Therefore, when manufacturing the color liquid crystal display device 1, each of the color filters 13R, 13G,
13Bと、各画素領域2とが対向するように透明基板1 13B and the transparent substrate so that the each pixel region 2 is opposed 1
0、20を貼り合わせる。 Attaching the 0,20.

【0004】但し、カラー液晶表示装置1の製造工程では、透明基板10、20同士の貼り合わせ精度を高めるのに限界がある一方、各カラーフィルタ層13R、13 [0004] However, in the manufacturing process of the color liquid crystal display device 1, while there is a limit in increasing the bonding precision between the transparent substrates 10 and 20, each of the color filters 13R, 13
G、13Bと各画素領域2との間にずれがあると、色情報の表示に乱れが発生する。 G, when there is a deviation between 13B and the respective pixel regions 2, turbulence is generated in the display of color information. そこで従来は、このようなずれがあっても色情報の表示に乱れが発生しないように、画素領域2の面積からみれば画素電極21を小さめに形成せざるを得ず、このような画素電極2の縮小はその分、高品位の表示を妨げることになる。 Therefore conventionally, as disturbances in the display of color information even if such displacement does not occur, it is inevitable rather small of forming the pixel electrode 21 when viewed from the area of ​​the pixel region 2, such a pixel electrode 2 of shrinking correspondingly, would prevent a high-quality display.

【0005】そこで、本出願人は、特願平5−8980 [0005] Therefore, the present applicant, Japanese Patent Application No. 5-8980
9号(特開平6−301057号公報)において、図1 No. 9 in (JP-A-6-301057), FIG. 1
4に示すカラーフィルタ一体型のアクティブマトリクス基板を提案している。 It proposes an active matrix substrate of the color filter integral shown in 4. このアクティブマトリクス基板では、透明基板20の上に、下層側からTFT40などの薄膜スイッチング素子、カラーフィルタ層13R、13 In this active matrix substrate, on a transparent substrate 20, a thin film switching elements such as the lower layer side TFT 40, a color filter layer 13R, 13
G、13B(カラーフィルタ130)、および画素電極4をこの順に積層してある。 G, 13B are stacked (color filter 130), and the pixel electrode 4 in this order. すなわち、TFT40の上層側にカラーフィルタ層13R、13G、13Bを形成した後、これらのカラーフィルタ層13R、13G、1 That is, the color filter layer 13R on the upper side of the TFT 40, after forming 13G, a 13B, these color filter layers 13R, 13G, 1
3Bのコンタクトホール131を介して画素電極4をT The pixel electrode 4 T through the contact hole 131 of 3B
FT40のドレイン領域46に導電接続している。 Electrically connected to the drain region 46 of the FT40. この構造によれば、対向電極を備える方の前記透明基板と、 According to this structure, and the transparent substrate of the person with a counter electrode,
アクティブマトリクス基板を構成する透明基板10とを貼り合わせる際に、カラーフィルタ層13R、13G、 When bonding the transparent substrate 10 which constitutes the active matrix substrate, a color filter layer 13R, 13G,
13Bと各画素領域2とがずれることがない。 Never 13B and the pixel area 2 is shifted. 従って、 Therefore,
画素電極4を最大限に拡張しても色情報の表示に乱れが発生することがないので、画素電極2を拡張できる分、 Since turbulence in the display of color information by extending the pixel electrode 4 to the maximum does not occur, minutes to extend the pixel electrode 2,
高品位の表示を行うことができる。 High-quality display can be performed.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図14 The object of the invention is to, however, as shown in FIG. 14
に示す構造のアクティブマトリクス基板では、シリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜48のコンタクトホール481のみを介して画素電極4をTFT40のドレイン領域46に導電接続する構造と違って、層間絶縁膜48 In the active matrix substrate having a structure shown, unlike the structure in which conductive connection to the pixel electrode 4 to the drain region 46 of the TFT40 via only contact hole 481 of the interlayer insulating film 48 made of a silicon oxide film, the interlayer insulating film 48
からみれば厚いカラーフィルタ層13R、13G、13 From the perspective of thick color filter layer 13R, 13G, 13
Bに形成したコンタクトホール131を介しても画素電極4をTFT40のドレイン領域46に導電接続させる必要がある。 Via a contact hole 131 formed in the B it is required to be electrically connected to the pixel electrode 4 to the drain region 46 of the TFT 40. すなわち、カラーフィルタ層13R、13 That is, the color filter layer 13R, 13
G、13Bは、たとえば0.5μm〜3μmの膜厚であり、通常用いられている層間絶縁膜からみれば厚いことから、カラーフィルタ層13R、13G、13Bに形成したコンタクトホール131はアスペクト比が大きい。 G, 13B is, for example, a thickness of 0.5 to 3 m, since a thick Viewed from the interlayer insulating film which is usually used, the color filter layer 13R, 13G, contact holes 131 formed in 13B has an aspect ratio large.
従って、画素電極4を形成する際にITO膜(Indium T Thus, ITO film (Indium T when forming the pixel electrode 4
in Oxide)をスパッタ法で形成すると、画素電極4の表面にコンタクトホール131の凹部形状などといった下層側の凹凸がそのまま反映し、大きな段差400が形成されてしまう。 When forming the in Oxide) by sputtering, as it reflects the lower layer side of the irregularities such as concave shape of the contact hole 131 on the surface of the pixel electrode 4, a large step 400 is formed. このような段差400の存在は、ラビングが不安定になって液晶の配向が乱れる原因となるため、好ましくない。 The presence of such a step 400, since the rubbing becomes unstable causing the alignment of the liquid crystal is disturbed, which is not preferable. また、段差400の存在はリバースチルトドメインの発生などに起因する表示品位の低下の原因ともなる。 The presence of the step 400 also causes deterioration of display quality due to such as the occurrence of reverse tilt domain. さらに、コンタクトホール131の段差により画素電極4が断線したり、ドレイン領域46と画素電極4との導電接続が不十分になるという問題点もある。 Furthermore, there is or disconnection pixel electrode 4 by the step of the contact hole 131, a problem that the conductive connection between the drain region 46 and the pixel electrode 4 becomes insufficient.

【0007】以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、 [0007] In view of the above problems, an object of the present invention,
カラーフィルタ一体型のアクティブマトリクス基板でありながら、画素電極の表面に凹凸が発生することを防止することによって、液晶の配向が乱れやリバースチルトドメインの発生などを防止し、表示品位の向上を図ることのできるアクティブマトリクス液晶表示装置およびその製造方法を提供することにある。 While an active matrix substrate of the color filter integral, by preventing irregularities are generated on the surface of the pixel electrode, alignment of the liquid crystal is prevented and occurrence of turbulence and the reverse tilt domain, to improve the display quality It is to provide an active matrix liquid crystal display device and a manufacturing method thereof that can.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明では、基板上にマトリクス形成される各画素領域に対し、薄膜トランジスタまたはダイオードからなる薄膜スイッチング素子と、該薄膜スイッチング素子に導電接続する画素電極とを有するアクティブマトリクス液晶表示装置において、前記基板上には、下層側から前記薄膜スイッチング素子、カラーフィルタ層、および前記画素電極がこの順に積層されているとともに、前記画素電極は、前記カラーフィルタ層より上層側に、該カラーフィルタ層に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜スイッチング素子に導電接続する導電性透明塗布膜を備えていることを特徴とする。 In order to solve the above problems SUMMARY OF THE INVENTION In the present invention, for each pixel region in a matrix form on a substrate, a thin film switching element formed of a thin film transistor or diode, the conductive the thin film switching element in an active matrix liquid crystal display device having a pixel electrode connected to said substrate, said from the lower side thin film switching element, color filter layer, and the pixel electrodes with are laminated in this order, the pixel electrode, wherein the upper layer side of the color filter layer, characterized in that it comprises a conductive transparent coating film connected conductive to said thin film switching element through a contact hole formed in the color filter layer.

【0009】本発明では、アクティブマトリクス基板の側にカラーフィルタ層を設けてあるため、対向電極を備える方の基板と、アクティブマトリクス基板(画素電極が構成されている側の基板)とを貼り合わせた際に、カラーフィルタ層と画素領域との間にずれが発生しない。 [0009] In the present invention, since the side of the active matrix substrate is provided with a color filter layer, bonding the substrate of the person who provided the opposing electrodes, the active matrix substrate (substrate on the side where the pixel electrode is configured) when the deviation is not generated between the color filter layer and the pixel region.
従って、画素電極を最大限に拡張しても色情報の表示に乱れが発生することがなく、画素電極を拡張できる分、 Therefore, there is no disturbance occurs in the display of color information be extended to maximize the pixel electrode, minutes to extend the pixel electrode,
画素領域における開口率を向上させることができるなど、高品位の表示を行うことができる。 Etc. can improve the aperture ratio in the pixel region, it is possible to perform high-quality display. また、対向電極を備える方の基板には精度が必要となるパターンがないため、この基板とアクティブマトリクス基板を貼り合わす際にアライメント作業が不要となり、貼り合わせ工程のコストを低減できる。 Further, since the substrate of the person with a counter electrode is not a pattern accuracy is required, when the adjust paste this substrate and the active matrix substrate alignment operation becomes unnecessary, cost can be reduced bonding process.

【0010】ここで、画素電極は液晶を駆動するためにカラーフィルタ層の上層側に形成されるが、この画素電極をITO膜などから構成するにあたって、スパッタ法を用いると、図14を参照して説明したように、画素電極の表面にはコンタクトホールの凹部形状などといった下層側の凹凸がそのまま反映し、大きな段差が形成されてしまう。 [0010] Here, although the pixel electrodes are formed on the upper layer side of the color filter layer in order to drive the liquid crystal, when constituting the pixel electrode of ITO film, using a sputtering method, with reference to FIG. 14 as explained Te, it reflects the lower layer side of the irregularities such as concave shape of the contact hole on the surface of the pixel electrode, a large step is formed. しかるに本発明では、画素電極を形成するにあたって、スピンコート法、ディップ法や印刷法などといった塗布成膜法を行って導電性透明塗布膜を形成する。 In the present invention however, in order to form a pixel electrode, a spin coating method to form a conductive transparent coating film by performing a coating deposition method such as a dip method or a printing method. この導電性透明塗布膜は、液状またはペースト状の塗布材を塗布するため塗布材が凹凸をスムーズに埋めるので、画素電極の表面形状は下層側の凹凸の影響を受けにくい。 The conductive transparent coating film, since the coating material for applying a liquid or pasty coating material to fill the irregularities on the smooth surface shape of the pixel electrode is less sensitive to the lower layer side irregularities. それ故、カラーフィルタ層の上層側に画素電極を構成したためアクペクト比の大きなコンンタクトホールを介して画素電極がTFTのドレイン領域に導電接続することになっても、表面に段差のない平坦な画素電極を形成できる。 Therefore, even the pixel electrode through the big con contact hole of Akupekuto ratio for configuring the pixel electrode on the upper layer side of the color filter layer is supposed to be conductively connected to the drain region of the TFT, a flat pixel no steps on the surface electrodes can be formed. それ故、ラビングを安定に行えるとともに、リバースチルトドメインの発生などを防止できる。 Therefore, along with enabling rubbing stable, it can be prevented and occurrence of the reverse tilt domain.
よって、本発明によれば、表示品位が向上する。 Therefore, according to the present invention, display quality is improved.

【0011】本発明において、前記導電性透明塗布膜の形成にあたっては、スピンコート法、ディップ法や印刷法などといった塗布成膜法を利用してもよいが、インクジェット法により塗布成膜した膜を利用してもよい。 [0011] In the present invention, in forming the conductive transparent coating film, spin coating may be used a coating deposition method such as a dip method or a printing method, but the film coated deposited by an ink jet method it may be used.

【0012】本発明において、前記薄膜スイッチング素子は、たとえばTFTである。 [0012] In the present invention, the thin film switching element is, for example, TFT.

【0013】本発明において、前記導電性透明塗布膜は塗布ITO膜などである。 [0013] In the present invention, the conductive transparent coating film or the like coated ITO film.

【0014】本発明において、前記画素電極は、前記導電性透明塗布膜の下層側に透明な導電性スパッタ膜を有し、この導電性スパッタ膜を介して前記導電性透明塗布膜が薄膜スイッチング素子に導電接続していることが好ましい。 [0014] In the present invention, the pixel electrode has a transparent conductive sputtering film on the lower layer side of the conductive transparent coating film, the conductive transparent coating film via the conductive sputtering film is thin film switching element it is preferable that the conductively connected to. 塗布成膜法により形成したITO膜(導電性透明塗布膜)は、スパッタ法により形成したITO膜や金属膜に比較してドレイン領域(シリコン膜)とのコンタクト抵抗が高い傾向にあるが、本発明では、塗布成膜法により形成したITO膜はあくまで導電性スパッタ膜を介してドレイン領域に電気的接続することになるので、 ITO film formed by a coating film-forming method (conductive transparent coating film), the contact resistance between the drain region as compared to the ITO film or a metal film formed by sputtering (silicon film) but tends to be higher, the the invention, will be electrically connected to the drain region via the ITO film only conductive sputtering film formed by a coating film-forming method,
前記のコンタクト抵抗が大きいという問題点も解消できる。 Problem contact resistance is large of the also eliminated.

【0015】また、前記導電性スパッタ膜は、前記導電性透明塗布膜の下層側に積層されている透明な導電性スパッタ膜であることが好ましい。 Further, the conductive sputtering film is preferably a transparent conductive sputtering film is laminated on the lower layer side of the conductive transparent coating film. このように構成すると、画素電極は前記導電性透明塗布膜と透明な導電性スパッタ膜とを備えるので、塗布成膜法により形成したI According to this structure, since the pixel electrodes and a conductive transparent coating film and the transparent conductive sputtering film was formed by a coating film-forming method I
TO膜(導電性透明塗布膜)がスパッタ法により形成したITO膜や金属膜に比較してシート抵抗が大きい傾向にあっても、このシート抵抗が大きいという問題点はシート抵抗の小さい導電性スパッタ膜が解消してくれる。 TO film also (conductive transparent coating film) is in the trend sheet resistance is large compared to the ITO film or a metal film formed by sputtering, less conductive sputtering of this problem the sheet resistance is high sheet resistance film us to eliminate.

【0016】本発明において、前記カラーフィルタ層はインクジェットプリンタにより定着された色素材であることが好ましい。 [0016] In the present invention, it is preferable that the color filter layer is a color material which is fixed by the ink-jet printer.

【0017】この場合には、前記色素材の定着領域は、 [0017] In this case, the fixing area of ​​the color material,
該色素材の表面よりも上層側に突出して前記カラーフィルタ層を形成する際にプリンタヘッドから吐出されたインクが周囲に流出することを防止する突条のバンクによって囲まれていることが好ましい。 It is preferred that the ink discharged from the printer head when forming the color filter layer projects on the upper layer side than the surface of the color material is surrounded by a bank of ridges prevented from flowing out to the surroundings. このように構成すると、インクジェットプリンタのヘッドからインクを吐出したときにインクの流出をバンクによって防止できるので、いわゆる色にじみが発生しない。 According to this structure, since the outflow of ink can be prevented by the bank when the ink is ejected from the ink jet printer head, bleeding-called color does not occur.

【0018】このような構成のアクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法では、前記導電性透明塗布膜を形成するにあたって、前記カラーフィルタ層より上層側に透明導電膜の前駆体を塗布成膜した後、該前駆体に熱処理を行って導電膜とし、しかる後に該導電膜をパターニングして前記導電性透明塗布膜とする。 [0018] In the manufacturing method of the active matrix liquid crystal display device having such a structure, when forming a conductive transparent coating film, after a precursor of the transparent conductive film on the upper layer side than the color filter layer by coating deposition, a conductive film by a heat treatment to the precursor, by patterning the conductive film thereafter to the conductive transparent coating film. このように、透明導電膜の前駆体に熱処理を行うとしてもこの状態ではカラーフィルタ層が透明導電膜の前駆体に覆われた状態にある。 Thus, in a state where the color filter layer is covered with the precursor of the transparent conductive film in this state as a heat treatment is performed to the precursor of the transparent conductive film. 従って、この熱処理をたとえ大気中で行ったとしてもカラーフィルタ層は加熱時に大気に触れない状態にあるので、耐酸化性が低いカラーフィルタ層であってもカラーフィルタ層は劣化しない。 Therefore, since the color filter layer even make this heat treatment even in the atmosphere is in a state not exposed to the air during the heating, the color filter layer also oxidation resistance even at low color filter layer is not deteriorated.

【0019】この場合に、前記前駆体を熱処理するにあっては、該前駆体に対してランプアニールまたはレーザアニールを行うことが好ましい。 [0019] In this case, the In the heat treatment of the precursor, it is preferable to carry out the lamp annealing or laser annealing against the precursor. このように構成すると、前駆体へのアニール時にカラーフィルタ層はランプあるいはレーザによって局部的に加熱されるだけで、瞬時に冷却することになるので、透明基板の変形やカラーフィルタ層の劣化を防止できる。 Prevention With this configuration, the color filter layer during annealing to precursors only be locally heated by a lamp or laser, since the cooling instantaneously, the deterioration of the transparent substrate of the deformation and the color filter layer it can.

【0020】 [0020]

【発明の実施の形態】図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。 Referring THE PREFERRED EMBODIMENTS Referring to the drawings, an embodiment of the present invention. なお、以下に説明する各形態において、従来のカラー液晶表示装置と共通する機能を有する部分には同一符号を付してある。 In each embodiment described below, portions having the same functions as the conventional color liquid crystal display device are denoted by the same reference numerals.

【0021】[実施の形態1] (全体構成)図1は本発明を適用したカラー液晶表示装置の構成図、図2は、このカラー液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板に区画形成されている画素領域の一部を拡大して示す断面図、図3は、その平面図である。 [0021] [Embodiment 1] (Overall Configuration) FIG. 1 is a configuration diagram of a color liquid crystal display device according to the present invention, FIG 2 is partitioned and formed on the active matrix substrate used in the color liquid crystal display device sectional view showing an enlarged part of the pixel region, 3 is a plan view thereof. なお、図2は図3のY−Y′線における断面図に相当する。 Incidentally, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line line Y-Y 'in FIG.

【0022】図1に示すカラー液晶表示装置1では、2 [0022] In the color liquid crystal display device 1 shown in FIG. 1, 2
枚の透明基板10、20の間に封入した液晶30を各透明基板10、20に形成した対向電極11と画素電極4 Counter electrode 11 liquid crystal 30 encapsulated formed on the transparent substrates 10 and 20 between the pair of transparent substrates 10 and 20 and the pixel electrode 4
との間で駆動するようになっている。 And drives between. すなわち、透明基板10の方には透明な対向電極11が形成されている一方、透明基板20上にはデータ線41と走査線45とによって画素領域2が区画形成され、各画素領域2のそれぞれに対しては画素電極4と、この画素電極4への信号電圧の供給を制御する画素スイッチング用のTFT40 That is, the transparent while transparent counter electrode 11 toward the substrate 10 is formed, on the transparent substrate 20 pixel region 2 by the data lines 41 and scanning lines 45 are partitioned and formed, each of the pixel areas 2 the pixel electrode 4 with respect to, TFT 40 for pixel switching for controlling the supply of signal voltage to the pixel electrode 4
(薄膜スイッチング素子)が形成されている。 (Thin film switching element) is formed.

【0023】本形態のカラー液晶表示装置1では、2枚の透明基板10、20のうちアクティブマトリクス基板とされる透明基板20の側には、各画素領域2毎に、赤(R)、緑(G)、青(B)の3色の有色層からなるカラーフィルタ層13R、13G、13Bが交互に形成され、これらのカラーフィルタ層13R、13G、13B [0023] In the color liquid crystal display device 1 of this embodiment, the two side of the transparent substrate 20 that is an active matrix substrate of the transparent substrates 10 and 20, in each pixel region 2, red (R), green (G), and blue color filter layer 13R having three colors colored layer of (B), 13G, 13B are formed alternately, these color filter layers 13R, 13G, 13B
によってカラーフィルタ130が構成されている。 The color filter 130 is constituted by. これらのカラーフィルタ層13R、13G、13Bは、染色法、顔料分散法等の方法で製造可能であるが、本形態では、後述するように、インクジェットプリンタのヘッドから吐出したインクを色素材として定着させたものである。 These color filter layers 13R, 13G, 13B are staining, but can be prepared by the method of the pigment dispersion method, etc., in the present embodiment, as will be described later, fixes the ink ejected from the ink jet printer head as a color material it is obtained by. なお、染色法は、染色基材となるレジストを塗布、 In addition, the dyeing process, coated with a resist to be a dyeing substrate,
パターニング後、染色液中に浸漬してレジストを染色する方法である。 After patterning, a method of dyeing the resist was immersed in staining solution. 顔料分散法は、予め着色した顔料レジストを塗布、パターニングする方法である。 The pigment dispersion method is a pre-colored pigment resist coating, a method of patterning.

【0024】(アクティブマトリクス基板の構造)図2 [0024] (structure of the active matrix substrate) Figure 2
に示すように、本形態のカラー液晶表示装置1に用いたアクティブマトリクス基板では、画素スイッチング用のTFT40、膜厚がたとえば0.5μm〜3μmのカラーフィルタ層13R、13G、13B(カラーフィルタ130)、および画素電極4は、下層側からこの順に絶縁性の透明基板20の上に積層されている。 As shown, in the active matrix substrate used in a color liquid crystal display device 1 of this embodiment, TFT 40 for pixel switching, the thickness is for example 0.5μm~3μm color filter layer 13R, 13G, 13B (color filter 130) , and the pixel electrode 4, the lower side in this order is laminated on the insulating transparent substrate 20. TFT40 TFT40
は、ソース領域44、ドレイン領域46、ソース領域4 The source region 44, drain region 46, source region 4
4とドレイン領域46との間にチャネルを形成するためのチャネル領域47、およびこのチャネル領域47にゲート絶縁膜43を介して対峙するゲート電極45、このゲート電極45の表面側に形成された膜厚が500nm 4 and the channel region 47 for forming a channel between the drain region 46, and gate electrode 45 to face each other via the gate insulating film 43 on the channel region 47, the film formed on the surface side of the gate electrode 45 thickness of 500nm
の層間絶縁膜48、この層間絶縁膜48のコンタクトホール482を介してソース領域44に電気的接続するアルミニウム膜からなるソース電極31、および層間絶縁膜48のコンタクトホール481を介してドレイン領域46に電気的接続する中継電極49とを有している。 The interlayer insulating film 48, the source electrode 31 and the interlayer insulating film 48 of the contact hole 481 drain region 46 through a made of aluminum film through a contact hole 482 for electrically connecting the source region 44 of the interlayer insulating film 48 and a relay electrode 49 to be electrically connected. 中継電極49はソース電極31と同時形成されたアルミニウム膜であり、光透過性がないので、画素領域2の開口率を低下させないようにその形成領域はコンタクトホール481の内部および周囲に限定されている。 Relay electrode 49 is an aluminum film formed simultaneously with the source electrode 31, since there is no optical transparency, their formation region so as not to reduce the aperture ratio of the pixel region 2 is limited to and around the contact hole 481 there. ソース電極41はデータ線の一部であり、ゲート電極45は走査線の一部である。 The source electrode 41 is a part of the data line, the gate electrode 45 is a part of the scanning line.

【0025】本形態では、層間絶縁膜48の表面側に膜厚が0.5μm〜3μmのカラーフィルタ層13R、1 [0025] In this embodiment, the color filter layer 13R on the surface side thickness of 0.5μm~3μm interlayer insulating film 48, 1
3G、13Bが形成され、このカラーフィルタ層13 3G, 13B are formed, the color filter layer 13
R、13G、13Bの表面側に画素電極4が形成されている。 R, 13G, the pixel electrode 4 is formed on the surface side of 13B. カラーフィルタ層13R、13G、13Bには、 The color filter layer 13R, 13G, the 13B,
中継電極49が位置する領域(TFT40のドレイン領域46に対応する領域)にコンタクトホール131が形成され、このアスペクト比の大きなコンタクトホール1 A contact hole 131 is formed in a region where the relay electrode 49 is positioned (the region corresponding to the drain region 46 of the TFT 40), a large contact hole 1 of the aspect ratio
31を介して、画素電極4は中継電極49に導電接続している。 31 through the pixel electrode 4 are electrically connected to the relay electrode 49. 従って、画素電極4はカラーフィルタ層13 Accordingly, the pixel electrode 4 color filter layer 13
R、13G、13Bのコンタクトホール131を介してTFT40のドレイン領域46に導電接続しているといえる。 R, 13G, it can be said to be electrically connected to the drain region 46 of the TFT40 via the contact hole 131 of 13B.

【0026】ここで、ソース電極41は層間絶縁膜48 [0026] Here, the source electrode 41 interlayer insulating film 48
の表面上に積層されているのに対して、画素電極4は、 Whereas it is laminated on the surface of the pixel electrode 4,
カラーフィルタ層13R、13G、13Bの表面上に形成され、ソース電極41と画素電極4とは異なる層間に位置している。 The color filter layer 13R, 13G, is formed on the surface of 13B, are located in different layers from the source electrode 41 and the pixel electrode 4. 従って、ソース電極41と画素電極4は短絡することはないので、本形態ではいずれの画素領域2においても、図3からわかるように、画素電極4は、 Accordingly, since the source electrode 41 and the pixel electrode 4 are never short-circuited, in any of the pixel region 2 in the present embodiment, as can be seen from FIG. 3, the pixel electrode 4,
外周縁401、402が隣接画素領域との間においてデータ線41の上方に位置するように形成されている。 The outer peripheral edge 401 and 402 are formed so as to be located above the data line 41 between the adjacent pixel regions. また、画素電極4は、外周縁403、404が隣接画素領域との間において走査線45の上方に位置するように形成されている。 Further, the pixel electrode 4, the outer peripheral edge 403 and 404 are formed so as to be positioned above the scanning line 45 between the adjacent pixel regions. すなわち、画素電極4は、その一部がデータ線41および走査線45の上方に被さっているので、画素素電極4の外周縁401、402、403、4 That is, the pixel electrode 4, since part of which overlying above the data lines 41 and scanning lines 45, the outer peripheral edge of the pixel element electrode 4 401,402,403,4
04と、データ線41および走査線45との間には隙間がない。 And 04, there is no gap between the data lines 41 and the scanning line 45. それ故、データ線41および走査線45は、それら自身がブラックマトリクスとして機能するので、工程数を増やさなくても高品位の表示を行うことができる。 Therefore, the data lines 41 and the scanning line 45, since they themselves function as a black matrix, it is possible without increasing the number of steps for displaying a high quality.

【0027】図2および図3に示すように、ソース電極41(データ線41)の表面にはそれに沿って、後述するように色素材をインクジェットプリンタにより定着させる際に、インクの流出を防止する突条のバンク133 As shown in FIGS. 2 and 3, the surface of the source electrode 41 (data lines 41) along which, when fixing the ink jet printer color materials as described below, to prevent the outflow of ink ridge of the bank 133
が形成されている。 There has been formed. このバンク133は、色素材の表面よりも上層側に突出する厚さに形成されたポリイミドなどの感光性のレジスト膜、アモルファスシリコン膜、その他の絶縁膜である。 The bank 133, photosensitive resist film, an amorphous silicon film such as polyimide is formed to a thickness that protrudes on the upper side than the surface of the color material, and other insulating films. 本形態ではアモルファスシリコン膜が用いられている。 In this embodiment an amorphous silicon film is used. また、バンク133は、層間絶縁膜48の表面のうち、走査線45の表面に相当する位置にもそれに沿うように形成されている。 Further, the bank 133, of the surface of the interlayer insulating film 48, are formed along with it also the position corresponding to the surface of the scanning line 45. 従って、カラーフィルタ層13R、13G、13Bの形成領域(画素領域2)はバンク133で囲まれている状態にある。 Therefore, the color filter layer 13R, 13G, 13B region forming the (pixel region 2) is in a state of being surrounded by the bank 133.

【0028】再び図2において、本形態では、画素電極4は、カラーフィルタ層13R、13G、13Bの表面にスパッタ形成されたスパッタITO膜4A(導電性スパッタ膜)と、このITO膜の表面上に塗布成膜された塗布ITO膜4B(導電性透明塗布膜)との2層構造になっている。 [0028] In FIG. 2 again, in this embodiment, the pixel electrode 4, a color filter layer 13R, 13G, and sputtered sputter ITO film 4A on the surface of 13B (conductive sputtering film) on the surface of the ITO film has a two-layer structure of the film coating has been applied ITO film 4B (conductive transparent coating film). 従って、塗布ITO膜4Bは、その下層側に位置するスパッタITO膜4Aを介して中継電極49 Therefore, coating the ITO film 4B, the relay electrode 49 via a sputtered ITO film 4A positioned on the lower layer side
に導電接続し、TFT40のドレイン領域46に導電接続している。 And electrically connected to, electrically connected to the drain region 46 of the TFT 40. スパッタITO膜4Aと塗布ITO膜4B Sputtered ITO film 4A and the coating ITO film 4B
とは、後述するように、順次形成された後に一括してパターニング形成されたものであるため、それらの形成領域は同一である。 And, as described later, because it was patterned collectively after being sequentially formed formed, their formation region are identical. なお、後述するように、スパッタIT As described later, sputtering IT
O膜4Aによって塗布ITO膜4Bのシート抵抗が大きいことを補うという観点からすれば、スパッタITO膜4Aは塗布ITO膜4Bよりも狭い領域に形成されていてもよい。 If the O film 4A from the viewpoint compensate for greater sheet resistance of the coating ITO film 4B, the sputtered ITO film 4A may be formed in a narrow region than coated ITO film 4B. また、塗布ITO膜4Bのシート抵抗が大きいことを補うという観点だけからすれば、スパッタIT Furthermore, if only from the standpoint of supplementing the greater sheet resistance of the coating ITO film 4B, a sputtering IT
O膜4Aは塗布ITO膜4Bの上層側に形成することもある。 O film 4A may also be formed on the upper layer side of the coated ITO film 4B.

【0029】(本形態の構造に関する主な効果)このように構成したアクティブマトリクス基板を用いたカラー液晶表示装置1では、アクティブマトリクス基板の側にカラーフィルタ層13R、13G、13Bを設けてあるため、対向電極11を備える方の透明基板10と、アクティブマトリクス基板(透明基板20)とを貼り合わせた際に、カラーフィルタ層13R、13G、13Bと画素領域2との間にずれが発生しない。 [0029] In the color liquid crystal display device using an active matrix substrate (major effect on the structure of the present embodiment) This configuration 1, the side on the color filter layer 13R of the active matrix substrate, since the 13G, is provided with 13B a transparent substrate 10 of the person who provided the counter electrode 11, when bonding the active matrix substrate (transparent substrate 20), a color filter layer 13R, 13G, deviation between 13B and the pixel area 2 does not occur. 従って、画素電極4を最大限に拡張しても色情報の表示に乱れが発生することがないので、従来のものと比して画素電極4を拡張できた分、高品位の表示を行うことができる。 Accordingly, since no disturbance occurs in the display of color information even extend the pixel electrode 4 to the maximum, amount that can extend the pixel electrode 4 as compared with the conventional, to perform high quality display can. また、対向電極11を備える方の透明基板10には精度が必要となるパターンがないため、この基板とアクティブマトリクス基板(透明基板20)を貼り合わす際にアライメント作業が不要となり、貼り合わせ工程のコストを低減できる。 Moreover, since there is no pattern accuracy is required for the transparent substrate 10 of the person who provided the counter electrode 11, when the adjust paste this substrate and the active matrix substrate (transparent substrate 20) alignment operation becomes unnecessary, the bonding step the cost can be reduced.

【0030】また、カラーフィルタ一体型のアクティブマトリクス基板では、液晶を駆動するためには画素電極4をカラーフィルタ層13R、13G、13Bの上層側に形成する必要があることから、膜厚が0.5μm〜3 Further, in the active matrix substrate of the color filter integral color filter layer 13R pixel electrode 4 in order to drive the liquid crystal, 13G, it is necessary to form the upper layer side of 13B, thickness 0 .5μm~3
μmもあるカラーフィルタ層13R、13G、13Bのコンタクトホール131を介して、画素電極4がTFT μm also color filter layer 13R, 13G, through the contact hole 131 of the 13B, the pixel electrode 4 is TFT
40のドレイン領域46に導電接続することになる。 It will electrically connected to the drain region 46 of the 40. すなわち、シリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜に比して厚いカラーフィルタ層13R、13G、13Bに形成したアクペクト比の大きなコンタクトホール131を介して、画素電極4がTFT40のドレイン領域46に導電接続することになる。 That is, a thick color filter layer 13R as compared with the interlayer insulating film made of a silicon oxide film, 13G, via a large contact hole 131 of the formed Akupekuto ratio 13B, the pixel electrode 4 is electrically connected to the drain region 46 of the TFT40 It will be. それでも本形態では、後述するように、スピンコート法、ディップ法や印刷法などといった塗布成膜法を用いて形成した段差被覆性のよい導電性透明塗布膜4Bを利用して画素電極4を構成しているため、表面に段差のない平坦な画素電極4を形成できる。 Still in this embodiment, as described later, a spin coating method, forming the pixel electrode 4 by using a good conductive transparent coating film 4B step coverage formed by using the coating film forming method such as a dipping method or a printing method because you are, it can form a flat pixel electrode 4 without steps on the surface. それ故、ラビングを安定に行えるとともに、リバースチルトドメインの発生などを防止できる。 Therefore, along with enabling rubbing stable, it can be prevented and occurrence of the reverse tilt domain. よって、本発明に係るカラー液晶表示装置1によれば、表示品位が向上する。 Therefore, according to the color liquid crystal display device 1 according to the present invention, display quality is improved.

【0031】さらに、塗布ITO膜4Bの下層側にはスパッタITO膜4Aが形成されているので、塗布成膜法により形成したITO膜が、スパッタ法により形成したITO膜に比較してシート抵抗が大きい傾向にあっても、このシート抵抗が大きいという問題はシート抵抗の小さいスパッタITO膜4Aが解消してくれる。 Furthermore, since the lower layer side of the coated ITO film 4B is formed sputtered ITO film 4A, ITO film formed by a coating film-forming method, the sheet resistance as compared to the ITO film formed by sputtering even in a greater tendency, the problem sheet resistance is large us to eliminate small sputtered ITO film 4A of the sheet resistance.

【0032】(アクティブマトリクス基板の製造方法) [0032] (the method of manufacturing the active matrix substrate)
このようなアクティブマトリクス基板の製造方法を、図4ないし図6を参照して説明する。 A method of manufacturing such an active matrix substrate will be described with reference to FIGS. 図4および図6は、 4 and 6,
本形態のアクティブマトリクス基板の製造方法で行う工程の一部を示す工程断面図であり、図5は、インクジェット法によりカラーフィルタ層13R、13G、13B A process cross-sectional view showing a part of the steps performed in the manufacturing method of the active matrix substrate of this embodiment, FIG. 5, a color filter layer 13R by an ink jet method, 13G, 13B
を形成する際の説明図である。 It is an explanatory view for forming the.

【0033】(TFT形成工程)本形態では、図4 [0033] In (TFT forming step) In this embodiment, FIG. 4
(A)に示すように、絶縁基板20として汎用の無アリカリガラスを用いる。 (A), the use of non-ants potash glass generally used as the insulating substrate 20. まず、絶縁基板20を清浄化した後、絶縁基板20の上にCVD法(Chemical Vapor Dep First, after cleaning the insulating substrate 20, CVD method on the insulating substrate 20 (Chemical Vapor Dep
osition )やPVD法(Physical Vapor Deposition) osition) and PVD (Physical Vapor Deposition)
により膜厚が300nmのシリコン酸化膜などからなる下地保護膜21を形成する。 Thickness to form a protective underlayer 21 made of a silicon oxide film of 300nm by. CVD法としては、たとえば減圧CVD法(LPCVD法)やプラズマCVD法(PECVD法)などがある。 As the CVD method, for example, low-pressure CVD (LPCVD) method or a plasma CVD method (PECVD method), and the like. PVD法としては、たとえばスパッタ法などがある。 The PVD method, for example, there is a sputtering method.

【0034】次に、TFTの能動層となるべき真性のシリコン膜などの半導体膜をCVD法やPVD法により形成した後、それに島状にパターニングする。 Next, patterning the semiconductor film such as a silicon film of intrinsic to the active layer of the TFT after forming by a CVD method or a PVD method, it into an island shape. このようにして得られる半導体膜42は、成膜したままのas−d The semiconductor film 42 thus obtained is, the as-d which remains deposited
eposited膜としてTFTのチャネル領域などの半導体層として用いることができる。 It can be used as a semiconductor layer, such as a channel region of the TFT as eposited film. また、半導体膜4 In addition, the semiconductor film 4
2に対しては、パターニングする前に、あるいはパターニングした後にランプ光やレーザ光などの光学エネルギーまたは電磁エネルギーを短時間照射して結晶化を進めてもよい。 For 2, prior to patterning, or optical energy or electromagnetic energy, such as lamp light or laser light may proceed for a short time irradiation to crystallize after patterning.

【0035】次に、半導体膜42の表面側にPVD法やCVD法などで膜厚が100nmのゲート絶縁膜43を形成した後、ゲート電極となるアルミニウム膜などの薄膜(図示せず。)をスパッタ形成する。 Next, after the film thickness such as a PVD method or a CVD method on the surface side of the semiconductor film 42 to form the gate insulating film 43 of 100 nm, a thin film such as an aluminum film serving as a gate electrode (not shown.) formed by sputtering. 通常はゲート電極とゲート配線とは、同一の金属材料などで同一の工程により形成される。 The gate electrode and the gate wiring usually formed by the same process same metal material or the like. ゲート電極となる薄膜を堆積した後、パターニングを行い、ゲート電極45を形成する。 After depositing the thin film to be the gate electrode and patterned to form a gate electrode 45.
このとき走査線も形成される。 In this case scanning lines are also formed. 次に、半導体膜42に対してゲート電極45をマスクとして不純物イオンを導入し、ソース領域44およびドレイン領域46を形成する。 Then, by introducing impurity ions using the gate electrode 45 as a mask to the semiconductor film 42 to form the source region 44 and drain region 46. 不純物イオンが導入されなかった部分はチャネル領域47となる。 Portion into which the impurity ions have not introduced serves as a channel region 47. この方法では、ゲート電極45がイオン注入のマスクとなるため、チャネル領域47は、ゲート電極45下のみに形成される自己整合構造となるが、オフセットゲート構造やLDD構造のTFTを構成してもよい。 In this way, since the gate electrode 45 serves as a mask for ion implantation, the channel region 47 is a self-aligned structure formed only under the gate electrode 45, also constitute a TFT of an offset gate structure or LDD structure good. 不純物イオンの導入は、質量非分離型イオン注入装置を用いてドーパントとなる不純物元素と水素とを同時に注入するイオン・ドーピング法、あるいは質量分離型イオン注入装置を用いて所望の不純物イオンのみを注入するイオン打ち込み法などを適用することができる。 The introduction of impurity ions implanted only desired impurity ions using the same time ion doping method injects, or mass-separation ion implantation apparatus an impurity element and hydrogen as the dopant using mass non-separated ion implanter it can be applied to an ion implantation method to be.
イオン・ドーピング法の原料ガスとしては、水素中に希釈された濃度が0.1%程度のホスフィンやジボランなどの注入不純物の水素化物を用いる。 As the raw material gas of the ion doping method, the concentration diluted in hydrogen using a hydride of implanted impurities, such as about 0.1% of the phosphine and diborane.

【0036】このようにしてTFT40のソース領域4 The source region 4 of the thus TFT40
4、ドレイン領域46、チャネル領域47、ゲート絶縁膜43、およびゲート電極45を形成した後、ゲート電極45の表面側に膜厚が500nmのシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜48をCVD法あるいはPVD法で形成する。 4, the drain region 46, channel region 47, after forming the gate insulating film 43 and the gate electrode 45, an interlayer insulating film 48 by CVD or PVD to a thickness on the surface side of the gate electrode 45 is made of silicon oxide film 500nm to form by law.

【0037】次に、図4(B)に示すように、層間絶縁膜48のうち、ソース領域44およびドレイン領域46 Next, as shown in FIG. 4 (B), of the interlayer insulating film 48, source region 44 and drain region 46
に相当する位置のそれぞれにコンタクトホール481、 Contact holes 481 to the respective position corresponding to,
482を形成する。 482 to the formation. 次に、層間絶縁膜48の表面側にアルミニウム膜をスパッタ法により形成した後、このアルミニウム膜をパターニングし、ソース電極41、中継電極49、およびデータ線を同時形成する。 After forming by sputtering an aluminum film on the surface side of the interlayer insulating film 48, the aluminum film is patterned to simultaneously form a source electrode 41, the relay electrode 49, and the data lines.

【0038】(バンク形成工程)次に、層間絶縁膜48 Next (bank forming step), the interlayer insulating film 48
の表面側に真性のアモリファスシリコン膜を減圧CVD Pressure CVD the Amorites Fas silicon film intrinsic to the surface side of the
法やPECVD法、あるいはスパッタ法などに厚めに形成した後、このアモルファスシリコン膜を格子状にパターニングして、図4(C)に示すように、ソース電極4 Law and a PECVD method, or after the formation of the thick to the sputtering method, and patterning the amorphous silicon film in a grid pattern, as shown in FIG. 4 (C), the source electrode 4
1(データ線41)の表面にはそれに沿って突条のバンク133を形成する。 The surface of 1 (data line 41) to form a bank 133 of protrusions therealong. この際には、図2を参照して説明したように、層間絶縁膜48の表面のうち、走査線45 At this time, as described with reference to FIG. 2, of the surface of the interlayer insulating film 48, the scanning line 45
の表面に相当する位置にもそれに沿うように突条のバンク133を形成する。 Even at a position corresponding to the surface of forming a bank 133 of ridges along it. 従って、画素領域2はバンク13 Thus, the pixel area 2 banks 13
3で囲まれ、その内側がカラーフィルタ層形成予定領域139となる。 Surrounded by 3, inside is the color filter layer forming region 139.

【0039】この際には、アモルファスシリコン膜のエッチングにCDE(Chemical Dry Etching)法を用い、 [0039] At this time, using the CDE (Chemical Dry Etching) method to etch the amorphous silicon film,
テーパエッチングを行ってもよい。 It may be subjected to a taper etching. この際のCDEの条件としては、エッチングガスをCF 4 /O 4とし、マイクロ波プラズマエッチング装置を用い、周波数2.54 The CDE condition at this time, the etching gas was CF 4 / O 4, using a microwave plasma etching apparatus, frequency 2.54
GHz 、マイクロ波パワー700W 、圧力30Pa、CF 4 GHz, the microwave power 700 W, pressure 30 Pa, CF 4
ガス流量990sccm 、O 2ガス流量90sccm、エッチングレート2500オングストローム/分、エッチング時間12分とする。 Gas flow rate 990sccm, O 2 gas flow rate 90 sccm, the etching rate 2500 Å / min, and etching time 12 minutes. この条件でエッチングを行うと、バンク133はテーパ角が60°〜80°程度のテーパエッチングされた形状となる。 When etched in this condition, the bank 133 has a shape which taper angle is taper-etching of approximately 60 ° to 80 °. このようにしてテーパエッチングを行うと、バンク133で区画形成されたカラーフィルタ層形成予定領域139は、底面側から開口側に向かって幅が拡張された形状となる。 Doing taper etching this manner, the color filter layer forming region 139 which is defined and formed by the banks 133, the width toward the bottom side to the opening side becomes expanded configuration. それ故、カラーフィルタ層形成予定領域139にインクを注入する際にカラーフィルタ層形成予定領域139内にインクを注入しやすいという利点がある。 Therefore, there is an advantage that the ink easily injected into the color filter layer forming region 139 when injecting the ink into the color filter layer forming region 139.

【0040】(カラーフィルタ層形成工程)次に、図4 Next (color filter layer forming step), 4
(D)に示すように、バンク133によって区画形成されているカラーフィルタ層形成予定領域139内にR、 As shown in (D), R in the color filter layer forming region 139 are defined and formed by the bank 133,
G、Bの各インク51R、51G、51Bをそれぞれ注入する。 G, the ink 51R for B, 51G, 51B is injected, respectively. この際には、一般のインクジェットプリンタを用いることができるが、プリンタヘッド50のR、G、 At this time, it is possible to use a general ink jet printer, the printer head 50 R, G,
Bの各ノズル52の間隔は、隣接する画素領域2の中心間の距離に一致するように調整しておく。 Intervals between the nozzles 52 of the B is previously adjusted to match the distance between the adjacent pixel regions 2 center.

【0041】すなわち、図5に、バンク133で区画形成されたカラーフィルタ層形成予定領域139の平面構造を拡大して示すように、カラーフィルタ層形成予定領域139の寸法はたとえば250μm×80μm程度であり、バンク133の幅は5μm〜20μm程度である。 [0041] That is, in FIG. 5, as an enlarged view of a planar structure of the color filter layer forming region 139 which is defined and formed by the banks 133, the size of the color filter layer forming region 139, for example 250 [mu] m × 80 [mu] m approximately Yes, the width of the bank 133 is about 5μm~20μm. 従って、プリンタヘッド50の各ノズル52の間隔は85μm〜100μm程度とすればよい。 Therefore, intervals between the nozzles 52 of the printer head 50 may be about 85Myuemu~100myuemu. また、使用するインクジェットプリンタの解像度が360dpi の場合、インク1ドットの径は70μm〜100μm程度であるから、平面的な寸法だけから見ると、1つのカラーフィルタ層形成予定領域139内にインク51R、51 Also, when the resolution of an ink jet printer to be used is 360 dpi, since the diameter of the ink dot is about 70Myuemu~100myuemu, when viewed only from the planar dimensions, ink 51R into one of the color filter layer forming region 139, 51
G、51Bを3ドットずつ注入することができる。 G, 51B can be injected by 3 dots. ここで、インク1ドットの占める体積は通常決まっているが、カラーフィルタ層形成予定領域139の平面寸法も液晶表示装置毎にたとえば250μm×80μmと定まっている。 Here, the volume occupied by the ink dot is being normally fixed, planar dimensions of the color filter layer forming region 139 is also definite, for example 250 [mu] m × 80 [mu] m for each liquid crystal display device. 従って、インクが多過ぎたり、少な過ぎたりしないように、バンク133の高さとインクの注入ドット数を適宜最適条件に設定する。 Accordingly, or ink is too much, not to too small, suitably set optimum number injection dots height and ink bank 133. 但し、バンク133からインク51R、51G、51Bがはみ出ると、カラーフィルタ130に色にじみが発生するため、本形態では、バンク133をやや厚めに形成してインク51R、 However, the ink 51R from the bank 133, 51G, when 51B from protruding, since color fringing in the color filter 130 occurs, in this embodiment, the ink to form a bank 133 slightly thicker 51R,
51G、51Bのはみ出しを防止してある。 51G, are to prevent 51B sticking out of.

【0042】ここで用いることのできるインクの種類としては、たとえば表1に示すようなものがあげられる。 [0042] As the type of the ink which can be used here, it may be mentioned for example those shown in Table 1.

【0043】 [0043]

【表1】 [Table 1]

【0044】この表1に示すように、顔料系インク、染料系インクのいずれを用いてもよいが、インクに色素材として求められる特性としては、カラーフィルタ層13 [0044] As shown in Table 1, pigment-based inks, may be either dye-based inks, as properties required as an ink color material, color filter layer 13
R、13G、13Bとなった時にその機能を満たすことは勿論、インクジェットプリンタに適応できるように、 R, 13G, of course will meet its function when a 13B, so that it can accommodate the ink jet printer,
粘度が10cps 以下、表面張力が30dyne/cm 前後の特性を有する必要がある。 Viscosity 10cps or less, the surface tension is required to have a 30 dyne / cm before and after characteristics. なお、表1中の「湿潤剤」、 It should be noted that, "wetting agents" in Table 1,
「浸透剤」とは、インクの表面張力を低下させて濡れ性を高めるために含有させるものである。 By "osmotic agent" is intended to be contained in order to improve the wettability lowers the surface tension of the ink.

【0045】図4(D)に示すようにインク51R、5 The ink as shown in FIG. 4 (D) 51R, 5
1G、51Bの注入を終えた後には、透明基板20全体をオーブン内で加熱して、インク51R、51G、51 1G, after completing the injection of 51B is an overall transparent substrate 20 is heated in an oven, the ink 51R, 51G, 51
Bを乾燥、定着させる。 Dried B, is fixed. その条件としては、空気中雰囲気、温度110℃、時間10分とする。 As the condition, an air atmosphere, temperature 110 ° C., and the time 10 minutes. なお、雰囲気は窒素雰囲気でもよく、温度は80℃〜140℃程度、時間は10分〜1時間程度でよい。 Incidentally, the atmosphere may be a nitrogen atmosphere, the temperature is 80 ° C. to 140 ° C. approximately, the time may be about 10 minutes to 1 hour.

【0046】この工程を経てインク51R、51G、5 [0046] ink through this process 51R, 51G, 5
1Bが乾燥すると、図6(A)に示すように、表面が平坦化した3色のカラーフィルタ層13R、13G、13 When 1B is dried, as shown in FIG. 6 (A), 3-color surface is planarized color filter layer 13R, 13G, 13
Bが形成される。 B is formed.

【0047】(画素電極形成工程)次に、図6(B)に示すように、カラーフィルタ層13R、13G、13B [0047] (pixel electrode forming step) Next, as shown in FIG. 6 (B), the color filter layer 13R, 13G, 13B
にコンタクトホール131を開口した後、カラーフィルタ層13R、13G、13Bの表面全体にスパッタ法によりスパッタITO膜4A(導電性スパッタ膜)を形成する。 After contact holes 131, the color filter layer 13R, 13G, by sputtering on the entire surface of 13B to form a sputtered ITO film 4A (conductive sputtering film).

【0048】続いて、スパッタITO膜4Aの表面上に塗布ITO膜4B(導電性透明塗布膜)を形成する。 [0048] Subsequently, a coating ITO film 4B (conductive transparent coating film) on the surface of the sputtered ITO film 4A.

【0049】この塗布ITO膜4Bの形成にあたっては、各種の液状またはペースト状の塗布材(透明導電膜の前駆体)を用いることができる。 [0049] In forming the coating ITO film 4B, various liquid or pasty coating material (transparent conductive film precursor) can be used. これらの塗布材のうち、液状のものであればディップ法やスピンコート法などを用いることができ、ペースト状のものであればスクリーン印刷法などを用いることができる。 Of these coating materials, as long as a liquid it can be used as a dipping method or a spin coating method, as long as paste or the like can be used a screen printing method. 本形態で用いた塗布材は、有機インジウムと有機スズとがキシロール中に97:3の比率で8%配合された液状のもの(たとえば、旭電化工業株式会社製の商品名:アデカITO塗布膜/ITO−103L)であり、透明基板20の表面側(スパッタITO膜4Aの表面)にスピンコート法で塗布できる。 Coating material used in the present embodiment, an organic indium and an organic tin 97 in xylene: one 8% compounded liquid at a ratio of 3 (e.g., trade name manufactured by Asahi Denka Kogyo: ADEKA ITO coating film / ITO-103L) and is, can be applied by spin coating on the surface of the transparent substrate 20 (the surface of the sputtered ITO film 4A). ここで、塗布材としては、有機インジウムと有機スズとの比が99/1から90/10までの範囲にあるものを使用することができる。 Here, as the coating material, the ratio of the organic indium and an organic tin may be used that is in the range of from 99/1 to 90/10.

【0050】本形態では、透明基板20の表面側に塗布した液状またはペースト状の塗膜については、溶剤を乾燥、除去した後、熱処理装置内で熱処理を行う。 [0050] In this embodiment, for the liquid or pasty coating film applied to the surface side of the transparent substrate 20, the solvent dried, after removal, heat treatment is performed in a thermal processing apparatus.

【0051】このとき熱処理条件としては、たとえば炉内での熱処理であれば、温度が200℃〜300℃の空気中あるいは酸素含有雰囲気中または非還元性雰囲気中で30分から60分の第1の熱処理(焼成)を行った後、温度が約200℃の水素含有の還元性雰囲気中で3 [0051] As the time heat treatment conditions, for example if the heat treatment in the furnace, the temperature is first of 30 minutes to 60 minutes at 200 ° C. to 300 in ° C. in air or an oxygen-containing atmosphere or a non-reducing atmosphere heat treatment after (calcined), 3 in a reducing atmosphere of hydrogen containing a temperature of about 200 ° C.
0分から60分の第2の熱処理を行う。 0 minutes for 60 minutes the second heat treatment. いずれの場合でも、第1の熱処理で安定化した皮膜が熱劣化しないように、第2の熱処理での処理温度は第1の熱処理での処理温度よりも低く設定する。 In any case, it stabilized film in the first heat treatment so as not to heat deterioration, the treatment temperature in the second heat treatment is set to be lower than the processing temperature in the first heat treatment. このような熱処理を行うと、 When performing such a heat treatment,
有機成分が除去されるとともに、塗膜はインジウム酸化物と錫酸化物の混合膜(塗布ITO膜4B)となる。 Together with the organic components are removed, the coating film becomes a mixed film of indium oxide and tin oxide (coated ITO film 4B). その結果、膜厚が約500オングストローム〜約2000 As a result, the film thickness is about 500 angstroms to about 2000
オングストロームの塗布ITO膜4Bは、シート抵抗が10 3 Ω/□〜10 5 Ω/□で、光透過率が90%以上となり、スパッタITO膜4Aとともに十分な性能を備えた画素電極4を構成することができる。 Angstrom coating ITO film 4B has a sheet resistance of 10 3 Ω / □ ~10 5 Ω / □ and a light transmittance of becomes 90% or more, constitutes a pixel electrode 4 with sufficient performance with sputtered ITO film 4A be able to.

【0052】しかる後に、基板温度が150℃以下になるまで透明基板20を第2の熱処理を行った還元性雰囲気中または窒素ガスなどの非酸化性雰囲気中、あるいはその他の非酸化性雰囲気中に保持し、基板温度が150 [0052] Thereafter, in a non-oxidizing atmosphere such as a reducing atmosphere or a nitrogen gas a transparent substrate 20 to the substrate temperature is 0.99 ° C. or less was the second heat treatment, or other in a non-oxidizing atmosphere held, the substrate temperature is 150
℃以下になった以降、透明基板20を熱処理装置から大気中に取り出す。 ℃ later it falls below, taken in the atmosphere a transparent substrate 20 from the heat treatment apparatus. このように、透明基板20の温度が約150℃以下に低下した後に大気にさらすのであれば、 Thus, if the exposure to the air after the temperature of the transparent substrate 20 is reduced to less than about 0.99 ° C.,
水素含有雰囲気下での第2の熱処理での還元により低抵抗化した皮膜が再び酸化してしまうことを防止できるので、シート抵抗の小さな塗布ITO膜4Bを得ることができる。 Since it is possible to prevent the resistance reduction was film by reduction with a second heat treatment in a hydrogen-containing atmosphere oxidizes again, it is possible to obtain a small coating ITO film 4B of sheet resistance. 透明基板20を熱処理装置から大気中に取り出すときの温度は、塗布ITO膜4Bの再酸化を防止するためには100℃以下であることがより望ましい。 Temperature when taking out into the atmosphere transparent substrate 20 from the heat treatment apparatus, it is more desirable to prevent re-oxidation of the coating ITO film 4B is 100 ° C. or less. 塗布ITO膜4Bの比抵抗は膜中の酸素欠陥が多い程低くなるので、大気中の酸素によって塗布ITO膜4Bの再酸化が起きると比抵抗が増大するからである。 Since the specific resistance of the coating ITO film 4B is lower the greater the oxygen defects in the film, because the specific resistance increases when the re-oxidation of the coating ITO film 4B by oxygen in the atmosphere occurs.

【0053】このような熱処理を行うといっても、その下層側に位置するカラーフィルタ層13R、13G、1 [0053] Even though performing such heat treatment, the color filter layer 13R is positioned on the lower layer side, 13G, 1
3BはスパッタITO膜4A、および塗布ITO膜4B 3B is sputtered ITO film 4A, and coated ITO film 4B
を形成するための塗膜によって覆われているので、空気に晒されていない。 It is covered by a coating film for forming a not exposed to air. それ故、塗布ITO膜4Bを形成するために熱処理を行ってもカラーフィルタ層13R、1 Therefore, even when the heat treatment for forming a coating ITO film 4B color filter layer 13R, 1
3G、13Bには空気酸化などの劣化が生じない。 3G, the 13B does not occur degradation such as air oxidation.

【0054】このような熱処理を行うにあたっては、炉内での熱処理に代えて、ランプアニール(急速加熱処理)やレーザアニールを行うことが好ましい。 [0054] In conducting such heat treatment, instead of the heat treatment in the furnace, it is preferable to carry out the lamp annealing (rapid thermal processing) or laser annealing. このようなランプアニールやレーザアニールはいずれも、TFT Any such lamp annealing or laser annealing, TFT
の製造工程においてアモルファスシリコン膜を結晶化するための熱処理として広く用いられており、ランプ光あるいはレーザ光によって絶縁基板20の表面側に塗布した液状またはペースト状の塗膜を局部的に順次加熱していく。 The manufacturing process is widely used an amorphous silicon film as a heat treatment for crystallizing the locally sequentially heating the liquid or pasty coating film applied to the surface side of the insulating substrate 20 by lamp light or laser beam To go. このため、局部的にはたとえば300℃にまで加熱されたとしても、その加熱時間は短時間で、かつ瞬時に冷却されることになる。 Therefore, even in the locally heated to for example 300 ° C., the heating time will be cooled in a short time, and instantaneously. 従って、透明基板20に熱変形が起きるのを防止できるとともに、カラーフィルタ層13R、13G、13Bが熱劣化するのを防止できる。 Therefore, it is possible to prevent the thermal deformation occurs in the transparent substrate 20, a color filter layer 13R, 13G, from 13B to thermal degradation can be prevented.

【0055】このようにしてスパッタITO膜4Aおよび塗布ITO膜4Bを形成した後、それらを一括して王水系やHBrなどのエッチング液で、またはCF 4などを用いたドライエッチングによりパターニングして図2 [0055] After forming the sputtered ITO film 4A and the coating ITO film 4B in this way, they in etchant such as aqua regia or HBr at once, or is patterned by dry etching using CF 4 Figure 2
に示すように画素電極4を形成する。 As shown in forming the pixel electrode 4.

【0056】図3を参照して説明したように、いずれの画素領域2においても、画素電極4の外周縁401、4 [0056] As described with reference to FIG. 3, in any of the pixel region 2, the outer peripheral edge of the pixel electrode 4 401,4
02、403、404が隣接画素領域との間においてデータ線41および走査線45に被さるようにパターニングするだけで、データ線41および走査線45からなるブラックマトリクスを構成できる。 02,403,404 is simply patterned to cover the data lines 41 and scanning lines 45 between the adjacent pixel regions can be configured black matrix of data lines 41 and the scanning line 45. すなわち、データ線41および走査線45は通常、金属膜で構成されているので、これらのデータ線41および走査線45が遮光膜となる。 That is, the data lines 41 and the scanning line 45 is typically because it is composed of a metal film, these data lines 41 and the scanning line 45 is a light shielding film. それ故、工程数を増やさなくても高品位の表示を行うことができる。 Therefore, it is possible without increasing the number of steps for displaying a high quality. しかも、画素電極4をデータ線4 Moreover, the data line 4 and a pixel electrode 4
1および走査線45に被さるまでその形成範囲を最大限拡張したため、画素領域2の開口率が高いので、表示の品位が向上する。 Because it full extends the formation range to cover the first and the scanning line 45, because of the high aperture ratio of the pixel region 2, thereby improving the display quality of the.

【0057】このように構成したアクティブマトリクス基板を用いてカラー液晶表示装置1を製造しても、カラーフィルタ層13R、13G、13Bは画素電極2の下層側に位置するので、走査線45を介して供給される制御信号によってTFTを駆動すれば、画素電極4と対向基板(図示せず。)との間に構成されている液晶セルには、データ線41からTFT40を介して画像情報が書き込まれ、所定の表示を行うことができる。 [0057] be produced a color liquid crystal display device 1 using an active matrix substrate having such a configuration, the color filter layer 13R, 13G, since 13B is located on the lower layer side of the pixel electrode 2, through the scanning line 45 if driving the TFT by a control signal supplied Te, the liquid crystal cell is configured between the pixel electrode 4 and the counter substrate (not shown.), the image information is written from the data line 41 via the TFT40 is, it is possible to perform a predetermined display.

【0058】(本形態の製造方法に関する主な効果)また本形態では、画素電極4を形成するにあたっては塗布ITO膜4Bを用いている。 [0058] In (major effect on the production method of the present embodiment) The present embodiment uses a coating ITO film 4B is in forming the pixel electrode 4. この塗布成膜法は段差被覆性に優れているので、塗布ITO膜4Bを構成するための液状またはペースト状の塗布材は、コンタクトホール131に起因して生じたスパッタITO膜4B表面の凹凸などをスムーズに埋める。 This coating film forming method has excellent step coverage, coating liquid or pasty coating material for forming an ITO film 4B is unevenness of sputtered ITO film 4B surface caused due to the contact hole 131, etc. the fill smoothly. また、カラーフィルタ層1 In addition, the color filter layer 1
3R、13G、13Bを形成するのにインクジェット法を用いているため、インクを絶縁基板20上に塗布すると、凹部となっている部分ではその分厚く、凸部となっている部分ではその分薄いカラーフィルタ層13R、1 3R, 13G, due to the use of ink-jet method to form 13B, when ink is applied on the insulating substrate 20, the in the portion which is a recess thick, correspondingly thin at a portion that is a protrusion collar filter layer 13R, 1
3G、13Bが形成される。 3G, 13B are formed. 従って、データ線41や走査線45に起因する凹凸などが画素電極4の表面に反映されない。 Therefore, such irregularities due to the data lines 41 and scanning lines 45 are not reflected on the surface of the pixel electrode 4. それ故、表面に段差のない平坦な画素電極4 Therefore, no step in the surface planar pixel electrode 4
を形成できるので、ラビングを安定に行えるとともに、 Can be formed of, together with enabling a stable rubbing,
リバースチルトドメインの発生などを防止できる。 Etc. can be prevented occurrence of the reverse tilt domain. よって、本発明によれば、表示品位が向上する。 Therefore, according to the present invention, display quality is improved.

【0059】また、カラーフィルタ130の製造にインクジェット法を用い、しかも、プリンタヘッド50の各ノズル52R、52G、52Bの間隔を、カラーフィタ形成予定領域の中心間の距離に一致させたため、カラーフィタ形成予定領域内にインクインク51R、51G、 [0059] Also, an inkjet method for manufacturing a color filter 130, moreover, the nozzles 52R of the printer head 50, 52G, since the interval of 52B, were matched to the distance between the centers of Karafita forming region, Karafita formation planned ink ink 51R in the area, 51G,
51Bを高速で注入することができる。 51B can be injected at high speed. 従って、カラーフィルタ130全体の製造に要する時間を格段に短縮することができる。 Therefore, it is possible to remarkably reduce the time required for manufacturing the entire color filter 130. また、完成したカラーフィルタ130 In addition, the color filter 130 completed
にインク51R、51G、51Bが注入されていない部分、いわゆる欠陥があったような場合、インクジェット法であれば、その個所にのみ再度インク51R、51 Ink 51R, 51G, 51B portion is not injected, when as a so-called defect, if the ink jet method, ink again only to that point 51R, the 51
G、51Bを注入することができ、欠陥を補修することが可能である。 G, can be injected 51B, it is possible to repair defects. さらに、カラーフィルタ層13R、13 Further, a color filter layer 13R, 13
G、13Bの形成に関しては、使用する装置がインクジェットプリンタとインク乾燥用のオーブンなどで済むため、設備コストを低く抑えることが可能となる。 G, with respect to the 13B forming apparatus to be used because it requires such an oven for ink drying and ink-jet printer, it is possible to reduce the equipment cost. また、 Also,
インク51R、51G、51Bの注入を行う際にバンク133が、いわゆるインクを収容するための槽を構成し、このインク収容槽内にインクを注入するようになっているので、インク51R、51G、51Bが他の領域にはみ出ない。 Ink 51R, 51G, bank 133 when performing the injection of 51B, constitutes a bath for containing a so-called ink, because is adapted to inject ink into the ink accommodating chamber, the ink 51R, 51G, 51B does not protrude in the other regions. 従って、インク51R、51G、51B Therefore, the ink 51R, 51G, 51B
が所定領域内に各々閉じ込められた状態にあるため、色にじみのないカラーフィルタ130を実現することができる。 There because in each confined state within a predetermined area, can be realized without color fringing color filter 130. それ故、表示品位の高い液晶表示装置1を実現することができる。 Therefore, it is possible to realize a high display quality liquid crystal display device 1.

【0060】また、インク51R、51G、51Bの注入を行う際のはみ出しを確実に防止するためのバンク1 [0060] Further, the ink 51R, 51G, bank to reliably prevent the protrusion when performing the injection of 51B 1
33を高くしても、塗布ITO膜4Bを厚膜化することにより、バンク133と塗布ITO膜4B(画素電極4)の表面の高さ位置を合わすことができる。 Even by increasing the 33, the coating ITO film 4B by increasing the thickness of can match the height position of the surface of the bank 133 and the coating ITO film 4B (pixel electrode 4). 従って、 Therefore,
画素電極4の表面にはバンク133に起因する凹凸がない。 No irregularities due to the bank 133 on the surface of the pixel electrode 4. それ故、セルギャップが5μm以下のカラー液晶表示装置1にも適応することができる。 Therefore, it is possible that the cell gap to adapt to the following color liquid crystal display device 1 5 [mu] m. しかも、カラーフィルタ層13R、13G、13Bは画素電極4に覆われ、外気と隔絶されているため、カラーフィルタ層13 Moreover, the color filter layer 13R, 13G, 13B is covered with the pixel electrode 4, because it is isolated from the outside air, the color filter layer 13
R、13G、13Bの経時的な変色を防ぐことができる。 It is possible to prevent R, 13G, and discoloration over time of 13B.

【0061】[実施の形態2]以下に説明するいずれの形態でも、基本的な構成が実施の形態1と同様であるので、対応する主要部分には同じ符号を付して図示するとともに、それらの説明を省略する。 [0061] In any of embodiments described below Embodiment 2, since the basic configuration is the same as in the first embodiment, the corresponding main portion while illustrated with the same reference numerals, they omitted of explanation.

【0062】実施の形態1では、ゲート電極45の表面側に形成された層間絶縁膜48の表面上にカラーフィルタ層13R、13G、13Bを直接、形成したが、図7 [0062] In the first embodiment, the color filter layer 13R on the surface of the interlayer insulating film 48 formed on the surface side of the gate electrode 45, 13G, 13B directly has been formed, FIG. 7
に示すように、ソース電極41および中継電極49を形成した後、その表面側にシリコン酸化膜などの上層側の層間絶縁膜48Aを形成し、この層間絶縁膜48Aの表面にカラーフィルタ層13R、13G、13Bを形成してもよい。 As shown, after forming the source electrode 41 and the relay electrode 49, the upper side of the interlayer insulating film 48A such as a silicon oxide film is formed on the surface side, the color filter layer 13R on the surface of the interlayer insulating film 48A, 13G, may be formed 13B. このような構成でも、画素スイッチング用のTFT40、カラーフィルタ層13R、13G、13B In this configuration, TFT 40 for pixel switching, the color filter layer 13R, 13G, 13B
(カラーフィルタ130)、および画素電極4は、下層側からこの順に絶縁性の透明基板20の上に積層されるので、画素電極4は、カラーフィルタ層13R、13 (Color filters 130), and the pixel electrode 4, since the lower layer side in this order is laminated on the insulating transparent substrate 20, the pixel electrode 4, a color filter layer 13R, 13
G、13Bのコンタクトホール131、および上層側の層間絶縁膜48Aのコンタクトホール481Aを介して中継電極49に導電接続することになる。 G, so that the contact hole 131 of 13B, and through a contact hole 481A of the upper side of the interlayer insulating film 48A conductively connected to the relay electrode 49. このような構成では、上層側の層間絶縁膜48Aが加わった分、アスペクト比の大きなコンタクトホール131、481Aを介して、画素電極4が中継電極49に導電接続することになる。 In such a configuration, amount that applied the upper side of the interlayer insulating film 48A, via a large contact hole 131,481A aspect ratio, pixel electrode 4 is to be conductively connected to the relay electrode 49. それでも、本発明では画素電極4に、段差被覆性のよい塗布ITO膜4Bを利用しているので、表面が平坦な画素電極4を構成できる。 Nevertheless, in the present invention in a pixel electrode 4, the use of the good coating ITO film 4B step coverage, surface can constitute a flat pixel electrode 4.

【0063】[実施の形態3]図2または図7に示した構造の画素電極4からスパッタITO膜4Bを省略して、塗布ITO膜4Aがアルミニウム膜からなる中継電極49に直接、導電接続する構造としてもよい。 [0063] omitted sputtered ITO film 4B from the pixel electrode 4 with the structure shown in FIG. 2 or FIG. 7 Third Embodiment, coated ITO film 4A directly to the relay electrode 49 made of aluminum film, conductively connected it may be used as the structure. このような構造でも、スパッタITO膜4Bはあくまで中継電極49を介してTFT40のドレイン領域46(シリコン膜)に導電接続している。 Such in structure, electrically connected to the drain region 46 of sputtered ITO film 4B is only via the relay electrode 49 TFT 40 (silicon film). それ故、塗布ITO膜4B Therefore, coating the ITO film 4B
はスパッタITO膜やその他の金属電極に比較してドレイン領域(シリコン膜)とのコンタクト抵抗が高い傾向にあっても、このようなコンタクト抵抗の問題は中継電極49が解消してくれる。 It is even in contact resistance tends to be high with the sputtered ITO film or other metal electrode in comparison to the drain region (silicon film), such contact resistance problems us to solve the relay electrode 49.

【0064】このような構成を採用するにあたって、中継電極49としてアルミニウムを用いたが、アルミニウムと高融点金属との2層膜を中継電極49に用い、高融点金属が塗布ITO膜4Bと接触するように構成すれば、塗布ITO膜4Bと中継電極49とのコンタクト抵抗をより低く抑えることができる。 [0064] In such a structure, aluminum is used as the relay electrode 49, using a two-layer film of aluminum and refractory metal to the relay electrode 49, the refractory metal is in contact with the coated ITO film 4B by configuring so, it is possible to suppress lower the contact resistance between the coating ITO film 4B and the relay electrode 49. すなわち、タングステンやモリブデンなどの高融点金属はアルミニウムに比して酸化されにくいため、酸素を多量に含む塗布ITO That is, since the high-melting metal such as tungsten or molybdenum is hardly oxidized than aluminum, oxygen coated ITO containing a large amount
膜4Bと接触しても酸化されることがない。 Not be oxidized even in contact with the film 4B. それ故、中継電極49と塗布ITO膜4Bとのコンタクト抵抗を低く保つことができる。 Therefore, it is possible to maintain a low contact resistance between the relay electrode 49 coated ITO film 4B.

【0065】[実施の形態4]また、図2または図7に示した構造から中継電極49を省略して、図8(A)、 [0065] [Embodiment 4] In addition, by omitting the relay electrode 49 from the structure shown in FIG. 2 or FIG. 7, FIG. 8 (A), the
(B)に示す構造としてもよい。 It may have a structure shown in (B). これらの構造のうち、 Of these structures,
図8(A)に示す形態では、画素電極4は、カラーフィルタ層13R、13G、13Bのコンタクトホール13 In the embodiment shown in FIG. 8 (A), the pixel electrode 4, a color filter layer 13R, 13G, 13B of the contact hole 13
1、および層間絶縁膜48のコンタクトホール481を介して直接、TFT40のドレイン領域46に導電接続している。 1, and directly through the contact hole 481 of the interlayer insulation film 48, electrically connected to the drain region 46 of the TFT 40. また、図8(B)に示す形態では、画素電極4は、カラーフィルタ層13R、13G、13Bのコンタクトホール131、上層側の層間絶縁膜48Aのコンタクトホール481A、および下層側の層間絶縁膜48 Further, in the embodiment shown in FIG. 8 (B), the pixel electrode 4, a color filter layer 13R, 13G, contact holes 131 of 13B, contact holes 481A of the upper side of the interlayer insulating film 48A, and the lower side of the interlayer insulating film 48
のコンタクトホール481を介して直接、TFT40のドレイン領域46に導電接続している。 Directly through the contact hole 481, electrically connected to the drain region 46 of the TFT 40. このような構造では中継電極を省略した分、アスペクト比の大きなコンタクトホールを介して、画素電極4がTFT40のドレイン領域46に導電接続することになる。 Min is omitted relay electrode in such a structure, via a large contact hole aspect ratio, pixel electrode 4 is to be electrically connected to the drain region 46 of the TFT 40. それでも、本発明では画素電極4に、段差被覆性のよい塗布ITO膜4Bを利用しているので、表面が平坦な画素電極4を構成できる。 Nevertheless, in the present invention in a pixel electrode 4, the use of the good coating ITO film 4B step coverage, surface can constitute a flat pixel electrode 4.

【0066】また、図8(A)、(B)に示す形態では中継電極がないので、画素電極4はTFT40のドレイン領域46に直接、導電接続することになる。 [0066] Further, FIG. 8 (A), the there is no relay electrode in the form of (B), the pixel electrode 4 will be directly connected, conducting a drain region 46 of the TFT 40. それでも、本発明では、画素電極4の塗布ITO膜4Bの下層側にスパッタITO膜4Aが形成されているので、塗布ITO膜4BとTFT40のドレイン領域46(シリコン膜)とはスパッタITO膜4Aを介して導電接続している。 Nevertheless, in the present invention, since sputtered ITO film 4A is formed on the lower layer side of the coated ITO film 4B of the pixel electrode 4, a sputtered ITO film 4A and the drain region 46 (silicon film) of the coating ITO film 4B and TFT40 connecting conductive via. それ故、塗布ITO膜4BはスパッタITO膜4 Therefore, coating the ITO film 4B is sputtered ITO film 4
Aに比較してドレイン領域(シリコン膜)とのコンタクト抵抗が高い傾向にあっても、このようなコンタクト抵抗の問題はスパッタITO膜4Aが解消してくれる。 Even in the contact resistance tends to be high with the drain region as compared to A (silicon film), such contact resistance problems us to eliminate the sputtered ITO film 4A.

【0067】[実施の形態5]図9(A)、(B)に示すように、図2または図7に示した構造から中継電極4 [0067] [Embodiment 5] FIG. 9 (A), the (B), the relay electrode 4 from the structure shown in FIG. 2 or FIG. 7
9を省略してある。 It is omitted from the 9. また、本形態では、ソース電極や走査線に沿ってカラーフィルタ層形成予定領域(インクジェット法により定着させて色素材の定着領域)を囲むバンク133を省略してある。 Further, in this embodiment, it is omitted bank 133 surrounding the color filter layer forming region along the source electrode and the scanning lines (fixing area of ​​the color material by fixing an ink jet method). 従って、本形態では、インクジェット法ではなく、染色法や顔料分散法によって、 Thus, in this embodiment, instead of the ink-jet method, the dyeing method and pigment dispersion method,
カラーフィルタ層13R、13G、13Bを形成してある。 The color filter layer 13R, 13G, is formed with 13B. 但し、隣接するカラーフィルタ層13R、13G、 However, adjacent color filter layers 13R, 13G,
13B同士はいずれの部分でも重なっていない。 13B to each other do not overlap in any of the parts. 染色法は、染色基材となるレジストを塗布、パターニング後、 Dyeing process, coated with a resist to be a dyeing base, after patterning,
染色液中に浸漬してレジストを染色する方法である。 A method for dyeing the resist was immersed in staining solution. 顔料分散法は、予め着色した顔料レジストを塗布、パターニングする方法である。 The pigment dispersion method is a pre-colored pigment resist coating, a method of patterning. 従って、カラーフィルタ層13 Therefore, the color filter layer 13
R、13G、13B自身は、インクジェット法で形成したカラーフィルタ層と違って段差被覆性が格段に劣っているが、それでも、本形態では画素電極4に、段差被覆性のよい塗布ITO膜を利用しているので、表面が平坦な画素電極4を構成できる。 R, 13G, 13B themselves, but step coverage Unlike color filter layer formed by an inkjet method is inferior to the much, but still, the pixel electrode 4 in the present embodiment, utilizing the good coating ITO film step coverage since it is, and the surface can be configured a flat pixel electrode 4. この場合でも、画素電極4 In this case, the pixel electrode 4
の塗布ITO膜4Bの下層側にスパッタITO膜を形成し、塗布ITO膜4BはスパッタITO膜に比較してドレイン領域(シリコン膜)とのコンタクト抵抗が高いという問題をスパッタITO膜によって解消してもよい。 The sputtered ITO film is formed in the lower layer side of the coated ITO film 4B, coated ITO film 4B is to eliminate the problem that the contact resistance is high and the drain region as compared to the sputtered ITO film (silicon film) by sputtering ITO film it may be.

【0068】[実施の形態5]また、上記のいずれの形態もプレーナ型のTFTを例に説明したが、逆スタガ型等のTFTに本発明を適用してもよい。 [0068] [Embodiment 5] In addition, any of the above also have been described planar type TFT as an example, the present invention may be applied to the TFT of the reversed stagger type. たとえば、図1 For example, as shown in FIG. 1
0に示す逆スタガ型のTFT40において、透明基板2 In TFT40 inverted staggered shown in 0, the transparent substrate 2
0上には、下層側からTFT40、カラーフィルタ層1 On 0, from the lower side TFT 40, the color filter layer 1
3R、13G、13B、および画素電極4がこの順に積層されているとともに、画素電極4に塗布ITO膜を用いてあるので、画素電極4表面の平坦化を図ることができる。 3R, 13G, 13B, and the pixel electrode 4 with are laminated in this order, so are using the coating ITO film on the pixel electrode 4, it is possible to flatten the pixel electrode 4 surface. このTFT40では、絶縁基板20の表面側に下地保護膜21、ゲート電極45、ゲート絶縁膜43、チャネル領域47を構成する真性のアモルファスシリコン膜、およびチャネル保護用の絶縁膜29がこの順序で積層されている。 In the TFT 40, the underlying protective film 21 on the surface side of the insulating substrate 20, a gate electrode 45, the gate insulating film 43, an intrinsic amorphous silicon film constituting the channel region 47, and the stacked insulating film 29 for channel protection in this order It is. チャネル保護用の絶縁膜29の両側には高濃度N型のアモルファスシリコン膜がソース・ドレイン領域44、46として構成され、これらのソース・ドレイン領域44、46の表面にはクロム、アルミニウム、チタンなどのスパッタ膜からなるソース電極41および中継電極49が構成されている。 On both sides of the insulating film 29 for channel protection high concentration N-type amorphous silicon film is formed as the source and drain regions 44 and 46, on the surface of these source and drain regions 44 and 46 chromium, aluminum, titanium, etc. the source electrode 41 and the relay electrode 49 consisting of sputtered film is formed. さらに、それらの表面側にはカラーフィルタ層13R、13G、13B、 Moreover, they are on the surface side color filter layer 13R, 13G, 13B,
および画素電極4が構成されている。 And the pixel electrode 4 is formed. ここで、画素電極4は、カラーフィルタ層13R、13G、13Bのアスペクト比の大きいコンタクトホール131を介して中継電極49に電気的接続しているが、画素電極4には段差被覆性のよい塗布ITO膜を用いてあるので、画素電極4表面の平坦化を図ることができる。 Here, the pixel electrode 4, a color filter layer 13R, 13G, but through a larger contact hole 131 of the aspect ratio of 13B is electrically connected to the relay electrode 49, good coating step coverage in the pixel electrode 4 because are using an ITO film, it is possible to flatten the pixel electrode 4 surface. また、画素電極4 Further, the pixel electrode 4
は、スパッタ膜からなる中継電極49を介してドレイン領域46に電気接続しているため、塗布ITO膜からなる画素電極4はドレイン領域46(シリコン膜)とのコンタクト抵抗が高いという問題を解消できる。 Is, since the electrical connection to the drain region 46 via a relay electrode 49 formed of a sputtered film, the pixel electrode 4 consisting of coating the ITO film can solve the problem that contact resistance is high and the drain region 46 (silicon film) . さらに、 further,
画素電極4は、ソース電極41と異なる層間に構成されているため、これらの電極が短絡することがない。 Pixel electrodes 4, because it is composed in layers different from the source electrode 41, never these electrodes are short-circuited. それ故、逆スタガ型のTFT40を用いた場合でも、画素電極4がソース電極4(データ線)や走査線(図示せず。)に被さる位まで画素電極4を広い領域に形成できるので、データ線や走査線自身をブラックマトリクスとして利用できるとともに、画素領域の開口率を高めることができる。 Therefore, even when a TFT40 inverted staggered, the pixel electrode 4 can be formed in a wide region of the pixel electrode 4 to the nearest overlying the source electrode 4 (data lines), scanning lines (not shown.) Data with available lines and scan lines themselves as a black matrix, it is possible to increase the aperture ratio of the pixel area.

【0069】また、この場合でも、カラーフィルタ層1 [0069] In addition, even in this case, the color filter layer 1
3R、13G、13Bをインクジェット法で形成するのであれば、カラーフィルタ層13R、13G、13B 3R, 13G, if 13B of being formed by an inkjet method, the color filter layer 13R, 13G, 13B
(色素材)の表面よりも上層側に突出してプリンタヘッドから吐出されたインクが周囲に流出することを防止する突条のバンク133を形成しておく。 Ink ejected from the printer head protrudes on the upper side than the surface of the (color material) is preliminarily formed a bank 133 of ridges prevented from flowing out to the surroundings.

【0070】[その他の実施の形態]なお、工程数を最小限とするという観点からは中継電極49(導電性スパッタ膜)をソース電極41およびデータ線と同時形成してそれらと同一材質からなる金属膜(アルミニウム膜) [0070] consisting of [Other Embodiments] Incidentally, the same material as those of the number of steps from the viewpoint of minimizing co-formed with the relay electrode 49 (conductive sputtering film) and the source electrode 41 and the data line a metal film (aluminum film)
から構成するのが好ましいが、ソース電極41と異なる材料のいずれであってもよい。 Preferably composed but may be any of different material as a source electrode 41.

【0071】またいずれの形態でも、画素電極の塗布I [0071] Also in any form, of the pixel electrode coating I
TO膜を形成するにあたって、液状の塗布材から塗布I In forming a TO film, coating I from liquid coating material
TO膜を形成するためスピンコート法を用いたが、ペースト状の塗布材を用いれば印刷法を用いて塗布ITO膜を形成することができる。 While using spin coating method for forming a TO film, it is possible to form a coating ITO film by a printing method by using the paste-like coating material. このペースト状の塗布材を用いればスクリーン印刷を利用することもできるので、画素電極を形成すべき領域のみにペースト状の塗布材(透明導電膜の前駆体)を印刷し、それに乾燥、熱処理を行ったものをそのまま画素電極として用いてもよい。 Since it is also possible to use the screen printing by using this paste-like coating material, pasty coating material (precursor of the transparent conductive film) is printed only in the region for forming the pixel electrode, drying it, the heat treatment it may be used as it is as a pixel electrode having been subjected. この場合にはエッチングによるITO膜に対するパターニングが不要であるため、製造コストを大幅に低減できるという利点がある。 For patterning for ITO film by etching in this case is not required, there is an advantage that the manufacturing cost can be greatly reduced.

【0072】また、図2、図6、図7、図8、図10に示すように、画素電極4を構成する塗布ITO膜などの導電性透明塗布膜はバンク133の内側領域に形成される。 [0072] Further, formed in the inner area of ​​FIG. 2, 6, 7, 8, as shown in FIG. 10, a conductive transparent coating film such as coating ITO film constituting the pixel electrode 4 banks 133 . 従って、導電性透明塗布膜を形成する際には、インクジェット法により液状の塗布材(透明導電膜の前駆体)をバンク133の内側領域の塗布成膜し、しかる後にこの塗布膜に熱処理などを加えてもよい。 Therefore, when forming a conductive transparent coating film, the liquid coating material by an ink jet method (the precursor of the transparent conductive film) and film coating the inner region of the bank 133, and heat treatment to the coating film thereafter in addition it may be.

【0073】さらに、カラーフィルタ130の配列には、図11(A)〜(E)にそれぞれ示すように、縦ストライプ型、横ストライプ型、モザイク型、トライアングル型(カラーローテーション有り)、トライアングル型(カラーローテーション無し)など方式があり、本発明のカラーフィルタはこれらいずれの方式にも適用できる。 [0073] Furthermore, the arrangement of the color filter 130, as shown in FIGS. 11 (A) ~ (E), the vertical stripe, horizontal stripe type, a mosaic type, (with color rotation) Triangle, Triangle ( There are methods such as a color without rotation), a color filter of the present invention can be applied to any of these methods. 特に、ストライプ方式では前記のインク流出防止用のバンクもストライプ形状でよいので、インクジェットプリンタによるカラーフィルタ形成工程が簡単になる。 In particular, since the stripe may bank also stripes for preventing the ink outflow of the color filter formation process is simplified by an inkjet printer.

【0074】また、図12(A)、(B)に示すように、アクティブマトリクス基板を構成する透明基板に形成する画素スイッチング用の駆動素子(薄膜スイッチング素子)としては、TFTに代えて、MIMダイオード60を形成してもよい。 [0074] Further, as shown in FIG. 12 (A), (B), as a driving element for pixel switching is formed on a transparent substrate constituting the active matrix substrate (thin film switching elements), in place of the TFT, MIM it may form a diode 60. すなわち、MIMダイオード6 In other words, MIM diode 6
0のタンタル膜からなる下電極61にはその表面にタンタル酸化膜62が形成され、それにクロム膜からなる上電極63が部分的に重なっている。 The lower electrode 61 made of tantalum film of 0 tantalum oxide film 62 is formed on the surface, it upper electrode 63 made of chromium film is partially overlap. MIMダイオード6 MIM diode 6
0の表面側にはカラーフィルタ層13R、13G・・が形成され、そのコンタクトホール131を介して、画素電極4は上電極63に導電接続している。 The color filter layer 13R on the surface side of the 0, 13G · · are formed, through the contact hole 131, the pixel electrode 4 are electrically connected to the upper electrode 63. このような構造のアクティブマトリクス基板を用いたカラー液晶表示装置でも、カラーフィルタ層13R、13G・・のアスペクト比の大きなコンタクトホール131を介して、画素電極4が上電極63に導電接続することになる。 In the color liquid crystal display device using an active matrix substrate having such a structure, the color filter layer 13R, via a large contact hole 131 of the aspect ratio of 13G · ·, to the pixel electrode 4 is electrically connected to the upper electrode 63 Become. それでも、本発明では画素電極4に段差被覆性のよい塗布I Nevertheless, the present invention good step coverage in the pixel electrode 4 applied I
TO膜を利用しているので、表面が平坦な画素電極4を構成できる。 Since utilizes TO membrane surface can constitute a flat pixel electrode 4.

【0075】なお、カラーフィルタやカラー液晶表示装置を構成する各膜の膜厚等の具体的な数値、あるいは各製造工程における具体的な製造条件等に関しては、上記実施の形態に限らず、適宜設計変更が可能なことは勿論である。 [0075] Regarding the specific production conditions in specific numerical values ​​or the manufacturing process, the film thickness of each film constituting the color filter or a color liquid crystal display device is not limited to the above embodiments, as appropriate it is of course possible design changes. また、本発明の液晶表示装置は、例えばパーソナルコンピュータ、プロジェクター、ビューファインダー等の機器に適用することができ、用途に限定がないことも勿論である。 The liquid crystal display device of the present invention, for example, a personal computer, a projector, can be applied to equipment such as a viewfinder, it is of course is not limited to applications.

【0076】 [0076]

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るアクティブマトリクス液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板側の基板上には、下層側から薄膜スイッチング素子、カラーフィルタ層、および画素電極がこの順に積層され、かつ、画素電極はカラーフィルタ層のコンタクトホールを介して薄膜スイッチング素子に導電接続する導電性透明塗布膜を備えていることを特徴とする。 As described in the foregoing, in the active matrix liquid crystal display device according to the present invention, the active matrix substrate side of the substrate, stacked from the lower layer thin film switching element, color filter layer, and the pixel electrode in this order It is, and the pixel electrode is characterized in that it comprises a conductive transparent coating film connected conductive thin film switching element through the contact hole of the color filter layer. 従って、本発明によれば、アクティブマトリクス基板の側にカラーフィルタ層を設けてあるため、対向電極を備える方の基板とアクティブマトリクス基板を貼り合わせる際に、カラーフィルタ層と画素領域との間にずれが発生しない。 Therefore, according to the present invention, since the side of the active matrix substrate is provided with a color filter layer, when bonding the substrate and the active matrix substrate of the person with a counter electrode, between the color filter layer and the pixel region shift does not occur. 従って、画素電極を最大限にまで拡張しても色情報の表示に乱れが発生することがなく、画素電極を拡張できた分、画素領域における開口率を向上させることができるなど、高品位の表示を行うことができる。 Therefore, there is no disturbance occurs in the display of color information even when extended to maximize the pixel electrodes, amount that can extend the pixel electrodes, etc. can improve the aperture ratio in the pixel region, a high-quality it is possible to perform the display. また、 Also,
対向電極を備える方の基板には精度が必要となるパターンがないため、この基板とアクティブマトリクス基板を貼り合わす際にアライメント作業が不要となり、貼り合わせ工程のコストを低減できる。 For the substrate of the person with a counter electrode is not a pattern accuracy is required, when the adjust paste this substrate and the active matrix substrate alignment operation becomes unnecessary, cost can be reduced bonding process.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明を適用したカラー液晶表示装置の構成図である。 1 is a configuration diagram of a color liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】本発明の実施の形態1に係るカラー液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板に区画形成されている画素領域の一部を拡大して示す断面図である。 2 is an enlarged sectional view showing a part of the pixel regions that are partitioned and formed on the active matrix substrate for use in color liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.

【図3】図2に示す画素領域の平面図である。 3 is a plan view of a pixel region shown in FIG.

【図4】図1に示すアクティブマトリクス基板の製造方法を示す工程断面図である。 4 is a process cross-sectional views showing a manufacturing method of the active matrix substrate shown in FIG.

【図5】図1に示すアクティブマトリクス基板の製造方法において、インクジェット法によりカラーフィルタ層を形成する工程の説明図である。 In the manufacturing method of the active matrix substrate shown in FIG. 5 FIG. 1 is an explanatory view of a step of forming a color filter layer by ink jet method.

【図6】図1に示すアクティブマトリクス基板を製造するにあたって、図4に示す工程以降に行う各工程を示す工程断面図である。 In producing the active matrix substrate shown in FIG. 6 FIG. 1 is a process cross-sectional views showing steps performed after the step shown in FIG.

【図7】本発明の実施の形態2に係るカラー液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板に区画形成されている画素領域の一部を拡大して示す断面図である。 7 is a sectional view showing an enlarged part of the pixel regions that are partitioned and formed on the active matrix substrate for use in color liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図8】(A)、(B)のいずれも、本発明の実施の形態3に係るカラー液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板に区画形成されている画素領域の一部を拡大して示す断面図である。 8 (A), showing an enlarged Both some regions that are partitioned and formed on the active matrix substrate for use in color liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention (B) it is a cross-sectional view.

【図9】(A)、(B)のいずれも、本発明の実施の形態4に係るカラー液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板に区画形成されている画素領域の一部を拡大して示す断面図である。 9 (A), showing an enlarged Both some regions that are partitioned and formed on the active matrix substrate for use in color liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention (B) it is a cross-sectional view.

【図10】本発明の実施の形態5に係るカラー液晶表示装置に用いたアクティブマトリクス基板に区画形成されている画素領域の一部を拡大して示す断面図である。 10 is a cross-sectional view showing an enlarged part of the pixel regions that are partitioned and formed on the active matrix substrate for use in color liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図11】(A)ないし(E)は、それぞれ本発明の別の実施の形態に係るカラーフィルタに構成されるカラーフィルタ層の配置を示す説明図である。 [Figure 11] to (A) without (E) is an explanatory diagram in the color filter showing the arrangement of the formed color filter layer according to another embodiment of the present invention, respectively.

【図12】(A)は、MIMダイオードを駆動素子に用いたカラー液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の画素領域の一部を示す平面図、(B)はX−X′線における断面図である。 [12] (A) is a plan view showing a part of a pixel region of an active matrix substrate of a color liquid crystal display device using the MIM diode drive device, is a cross-sectional view in (B) is line X-X ' .

【図13】従来のカラー液晶表示装置の構成図である。 13 is a block diagram of a conventional color liquid crystal display device.

【図14】従来のカラー液晶表示装置に用いたカラーフィルタ一体型のアクティブマトリクス基板に区画形成されている画素領域の一部を拡大して示す断面図である。 14 is a cross-sectional view showing an enlarged part of a conventional color liquid crystal display device a color filter integral pixel region are partitioned and formed on the active matrix substrate used for.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 カラー液晶表示装置 2 画素領域 4 画素電極 4A スパッタITO膜(導電性スパッタ膜) 4B 塗布ITO膜(透明導電性塗布膜) 10 透明基板 11 対向電極 13R、13G、13B カラーフィルタ層 130 カラーフィルタ 131 カラーフィルタ層に形成したコンタクトホール 133 インクの流出を防ぐためのバンク 20 透明基板 21 下地保護膜 30 液晶 40 TFT 41 ソース電極(データ線) 43 ゲート絶縁膜 44 ソース領域 45 ゲート電極(走査線) 46 ドレイン領域 47 チャネル領域 48、48A 層間絶縁膜 481、481A 層間絶縁膜のコンタクトホール 49 アルミニウムスパッタ膜等の中継電極 50 プリンタヘッド 51R、51G、51B インク 52 ノズル 60 MIMダイオード 61 下電極 1 color liquid crystal display device 2 pixel area 4 pixels electrodes 4A sputtered ITO film (conductive sputtering film) 4B coated ITO film (transparent conductive coating film) 10 transparent substrate 11 opposing electrodes 13R, 13G, 13B the color filter layer 130 color filter 131 a color filter layer on the formed contact hole 133 ink bank 20 transparent substrate 21 underlying the protective film 30 liquid crystal 40 TFT 41 source electrodes (data lines) 43 gate insulating film 44 source region 45 a gate electrode for preventing outflow of (scanning lines) 46 drain region 47 channel region 48,48A interlayer insulating film 481,481A interlayer insulating film of the contact hole 49 aluminum sputtered film or the like of the relay electrodes 50 printer head 51R, 51G, 51B ink 52 nozzles 60 MIM diode 61 lower electrode 62 タンタル酸化膜 63 上電極 62 tantalum oxide film 63 on the electrode

Claims (10)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 基板上にマトリクス形成される各画素領域には、薄膜スイッチング素子と、該薄膜スイッチング素子に導電接続する画素電極とを有するアクティブマトリクス液晶表示装置において、 前記基板上には、下層側から前記薄膜スイッチング素子、カラーフィルタ層、および前記画素電極がこの順に積層されているとともに、 前記画素電極は、前記カラーフィルタ層より上層側に、 The method according to claim 1 wherein each pixel region in a matrix form on a substrate, a thin film switching element, an active matrix liquid crystal display device having a pixel electrode connected conductive to thin film switching element, on the substrate, the lower layer wherein from the side thin film switching element, color filter layer, and together with the pixel electrode are stacked in this order, the pixel electrode, the upper layer side than the color filter layer,
    該カラーフィルタ層に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜スイッチング素子に導電接続する導電性透明塗布膜を備えていることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置。 The active matrix liquid crystal display device characterized by comprising a conductive transparent coating film connected conductive to said thin film switching element through a contact hole formed in the color filter layer.
  2. 【請求項2】 請求項1において、前記導電性透明塗布膜はインクジェット法により塗布成膜された膜であることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置。 2. A method according to claim 1, wherein the conductive transparent coating film active matrix liquid crystal display device which is a film coated deposited by an ink jet method.
  3. 【請求項3】 請求項1または2において、前記薄膜スイッチング素子は薄膜トランジスタであることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置。 3. An apparatus according to claim 1 or 2, wherein the thin film switching element is an active matrix liquid crystal display device which is a thin film transistor.
  4. 【請求項4】 請求項1ないし3のいずれかにおいて、 4. In any of claims 1 to 3,
    前記導電性透明塗布膜は塗布ITO膜であることを特徴とする液晶表示用アクティブマトリクス基板。 An active matrix substrate for a liquid crystal display, wherein the conductive transparent coating film is a coating ITO film.
  5. 【請求項5】 請求項1ないし4のいずれかにおいて、 5. The one of claims 1 to 4,
    前記画素電極は、前記導電性透明塗布膜の下層側に導電性スパッタ膜を有し、前記導電性透明塗布膜は前記導電性スパッタ膜を介して前記薄膜スイッチング素子に導電接続していることを特徴とする液晶表示用アクティブマトリクス基板。 Said pixel electrode has a conductive sputtering film on the lower layer side of the conductive transparent coating film, the conductive transparent coating film that is conductively connected to said thin film switching element via the conductive sputtering film an active matrix substrate for a liquid crystal display according to claim.
  6. 【請求項6】 請求項5において、前記導電性スパッタ膜は、前記導電性透明塗布膜の下層側に積層されている透明な導電性スパッタ膜であることを特徴とする液晶表示用アクティブマトリクス基板。 6. The method of claim 5, wherein the conductive sputtering film is an active matrix substrate for a liquid crystal display, which is a transparent conductive sputtering film is laminated on the lower layer side of the conductive transparent coating film .
  7. 【請求項7】 請求項1ないし6のいずれかにおいて、 7. In any of claims 1 to 6,
    前記カラーフィルタ層はインクジェットプリンタにより定着された色素材であることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置。 The active matrix liquid crystal display device wherein the color filter layer is a color material which is fixed by the ink-jet printer.
  8. 【請求項8】 請求項7において、前記色素材の定着領域は、該色素材の表面よりも上層側に突出して前記カラーフィルタ層を形成する際にプリンタヘッドから吐出されたインクが周囲に流出することを防止する突条のバンクによって囲まれていることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置。 8. The method of claim 7, the fixing area of ​​the color material, outflow ink ejected from the printer head when than the surface of the color material protrudes on the upper side to form the color filter layer is around the active matrix liquid crystal display device characterized in that it is surrounded by a bank of ribs to prevent the.
  9. 【請求項9】 請求項1ないし8のいずれかに規定するアクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法であって、前記導電性透明塗布膜を形成するにあたっては、前記カラーフィルタ層より上層側に透明導電膜の前駆体を塗布成膜した後、該前駆体に熱処理を行って導電膜とし、しかる後に該導電膜をパターニングして前記導電性透明塗布膜とすることを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法。 9. A method for manufacturing an active matrix liquid crystal display device as defined in any of claims 1 to 8, when forming a conductive transparent coating film is a transparent conductive than the upper side the color filter layer after coating deposited precursor film, the conductive film by a heat treatment to the precursor, an active matrix liquid crystal display device comprising patterning the conductive film and thereafter to said conductive transparent coating film the method of production.
  10. 【請求項10】 請求項9において、前記前駆体を熱処理するにあっては、該前駆体に対してランプアニールまたはレーザアニールを行うことを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置の製造方法。 10. The method of claim 9, wherein In the heat treatment of the precursor, the production method of the active matrix liquid crystal display device which is characterized in that the lamp annealing or laser annealing against the precursor.
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