JPH10180747A - Wafer manufacturing system - Google Patents
Wafer manufacturing systemInfo
- Publication number
- JPH10180747A JPH10180747A JP34390296A JP34390296A JPH10180747A JP H10180747 A JPH10180747 A JP H10180747A JP 34390296 A JP34390296 A JP 34390296A JP 34390296 A JP34390296 A JP 34390296A JP H10180747 A JPH10180747 A JP H10180747A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- peeling
- cleaning
- wire saw
- shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はウェーハ製造システ
ムに係り、ワイヤソーを用いたウェーハ製造システムに
関する。The present invention relates to a wafer manufacturing system, and more particularly, to a wafer manufacturing system using a wire saw.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のウェーハ製造システムでは、各製
造工程で加工処理されたウェーハの形状測定は、各製造
工程の合間に別途独立して設けられた測定装置により、
独立して設けて行われていた。2. Description of the Related Art In a conventional wafer manufacturing system, the shape of a wafer processed in each manufacturing process is measured by a measuring device separately and separately provided between each manufacturing process.
It was provided independently.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、測定工
程を別装置で行うと、各装置間の搬送処理が大がかりと
なり、コストアップ、生産効率の低下等の問題を起こし
ていた。また、通常は、ワイヤソーによる切断の後、数
工程を経たのちにウェーハの形状が測定されるため、ワ
イヤソーによる切断段階で切断不良が生じた場合に、発
見が遅れ、大量の不良ウェーハを発生させることになる
という問題もあった。However, when the measurement process is performed by another device, the transport process between the devices becomes large, causing problems such as an increase in cost and a decrease in production efficiency. Also, usually, after cutting with a wire saw, since the shape of the wafer is measured after several steps, if a cutting failure occurs in the cutting step with the wire saw, discovery is delayed, causing a large number of defective wafers There was another problem.
【０００４】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、ウェーハを効率的に無駄なく製造することが
できるウェーハ製造システムを提供することを目的とす
る。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer manufacturing system capable of efficiently manufacturing wafers without waste.
【０００５】[0005]
【課題を解決する為の手段】本発明は前記目的を達成す
るために、ワイヤソーで切断されたウェーハをスライス
ベースから剥離して洗浄する剥離洗浄装置にウェーハの
形状を測定する形状測定装置を設け、該形状測定装置の
測定結果に基づき前記ワイヤソーの運転条件を修正する
ことを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a peeling and cleaning apparatus for peeling and cleaning a wafer cut by a wire saw from a slice base and a shape measuring apparatus for measuring the shape of the wafer. The operating condition of the wire saw is corrected based on the measurement result of the shape measuring device.
【０００６】本発明によれば、ワイヤソーで切断された
ウェーハは、スライスベースから剥離洗浄された後、そ
の剥離洗浄装置に組み込まれた形状測定装置によって、
その形状が測定される。そして、その測定結果に基づい
てワイヤソーの運転条件が修正される。また、本発明は
前記目的を達成するために、ワイヤソーで切断されたウ
ェーハをスライスベースから剥離して洗浄する剥離洗浄
装置にウェーハの形状を測定する形状測定装置を設け、
該形状測定装置の測定結果に基づき次工程における前記
ウェーハの加工条件を設定することを特徴とする。According to the present invention, a wafer cut with a wire saw is peeled and cleaned from a slice base, and then is measured by a shape measuring device incorporated in the peeling and cleaning device.
The shape is measured. Then, the operating conditions of the wire saw are corrected based on the measurement result. Further, in order to achieve the above object, the present invention provides a peeling and cleaning apparatus for peeling and cleaning a wafer cut with a wire saw from a slice base and providing a shape measuring apparatus for measuring the shape of the wafer,
The processing condition of the wafer in the next step is set based on the measurement result of the shape measuring device.
【０００７】本発明によれば、ワイヤソーで切断された
ウェーハは、スライスベースから剥離洗浄された後、そ
の剥離洗浄装置に組み込まれた形状測定装置によって、
その形状が測定される。そして、その測定結果に基づい
て次工程の加工条件を設定される。According to the present invention, a wafer cut with a wire saw is peeled and cleaned from a slice base, and then the wafer is cut by a shape measuring apparatus incorporated in the peeling and cleaning apparatus.
The shape is measured. Then, processing conditions for the next step are set based on the measurement results.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下添付図面に従って本発明に係
るウェーハ製造システムの好ましい実施の形態について
詳説する。図１は、本発明に係るウェーハ製造システム
１０の全体構成図であり、図２は、そのフローチャート
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of a wafer manufacturing system according to the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is an overall configuration diagram of a wafer manufacturing system 10 according to the present invention, and FIG. 2 is a flowchart thereof.
【０００９】溶炉から引き上げられたインゴットは、ま
ず、端部の切断、外周面の研削、オリフラ加工等の処理
が施され、その後、スライスベース及びワークブロック
が接着されてワイヤソー１２に搬送される。ワイヤソー
１２では、高速走行するワイヤ列にスラリを供給しなが
らインゴットを押しつけ、これにより、インゴットを多
数のウェーハに切断する。そして、切断後、ウェーハ
は、次工程である剥離洗浄装置１４に搬送される。The ingot pulled up from the furnace is first subjected to processing such as cutting of an end portion, grinding of an outer peripheral surface, orientation flat processing, and the like, and thereafter, the slice base and the work block are bonded and transported to the wire saw 12. . The wire saw 12 presses the ingot while supplying the slurry to the high-speed running row of wires, thereby cutting the ingot into a number of wafers. Then, after cutting, the wafer is transferred to the peeling / cleaning apparatus 14 which is the next step.
【００１０】剥離洗浄装置１４では、まず、剥離洗浄部
１４Ａにおいて、ウェーハをスライスベースから剥離し
て洗浄し、その後、その剥離洗浄されたウェーハを形状
測定部１４Ｂにおいて、形状測定する（厚さ、反り、表
面粗さ等の測定）。図３及び図４は、この剥離洗浄装置
１４の平面図と側面図であり、該剥離洗浄装置１４は、
次のように構成されている。In the peeling and cleaning apparatus 14, first, in a peeling and cleaning section 14A, the wafer is peeled off from the slice base and cleaned, and thereafter, the wafer subjected to the peeling and cleaning is measured for a shape (thickness, thickness). Measurement of warpage, surface roughness, etc.). 3 and 4 are a plan view and a side view of the peeling / cleaning device 14, and the peeling / cleaning device 14 includes:
It is configured as follows.
【００１１】図３及び図４に示すように、前記剥離洗浄
部１４Ａは、粗洗浄装置１４Ａ1 、剥離装置１４Ａ2 、
及び、精洗浄装置１４Ａ3 を主要構成として構成されて
いる。前記粗洗浄装置１４Ａ1 は、洗浄液が貯留された
洗浄槽１４ａ1 の中にバッチ状態のウェーハを浸漬さ
せ、その浸漬させたウェーハを上下動させることによ
り、ウェーハを洗浄する。これにより、前記ワイヤソー
１２による切断時に付着したスラリ等の除去が行われ
る。なお、前記ウェーハの上下動は、前記洗浄槽１４ａ
1 の上方に設けられたリフタ１４Ｃで行い、該リフタ１
４Ｃは、そのアームの先端に設けられたチャックで前記
ウェーハのワークブロック部を保持して、前記ウェーハ
を上下動させる。また、このリフタ１４Ｃは、前記剥離
装置１４Ａ2 への搬送装置も兼ねており、前記粗洗浄装
置１４Ａ1 による粗洗浄を終えたウェーハは、このリフ
タ１４Ｃによって剥離装置１４Ａ2 に搬送される。As shown in FIGS. 3 and 4, the peeling and cleaning unit 14A includes a rough cleaning device 14A 1 , a peeling device 14A 2 ,
And it is configured to fine washing apparatus 14A 3 as main components. The rough cleaning device 14A 1 has washings were the immersed wafer batch conditions in the pooled cleaning vessel 14a 1, by vertically moving the wafer obtained by the dipping, washing the wafer. Thus, the slurry and the like attached at the time of cutting by the wire saw 12 are removed. The vertical movement of the wafer is caused by the cleaning tank 14a.
1 is performed by a lifter 14C provided above the
4C moves the wafer up and down while holding the work block portion of the wafer with a chuck provided at the tip of the arm. Further, the lifter 14C, the conveying device also serves as to peeling apparatus 14A 2, the wafer having been subjected to coarse cleaning by the rough cleaning device 14A 1 is conveyed to the peeling apparatus 14A 2 This lifter 14C.
【００１２】前記剥離装置１４Ａ2 は、熱水が貯留され
た熱水槽にウェーハとスライスベースとの接着部分を浸
漬させ、その接着部分を熱軟化させて、ウェーハをスラ
イスベースから剥離させる。なお、剥離時は、ウェーハ
の端面を吸着パッド１４ａ2で吸着保持し、該吸着パッ
ド１４ａ2 により、ウェーハとスライスベースとの接着
部を中心にウェーハに揺動を与える。これにより、ウェ
ーハは、スライスベースから容易に剥離される。剥離さ
れたウェーハは、その吸着パッド１４ａ2 によってシャ
トルコンベア１４Ｃ2 に受け渡され、該シャトルコンベ
ア１４Ｃ2 によって精洗浄装置１４Ａ3 に搬送される。[0012] The peeling apparatus 14A 2 is hot water bath which hot water is stored in the soaked adhesion portion between the wafer and the slice base, the bonding part is thermally softened, it is peeled off the wafer from the slice base. At the time of peeling, the end face of the wafer is sucked and held by the suction pads 14a 2, by adsorption pad 14a 2, gives center of swinging the wafer bonding portion of the wafer and the slice base. Thereby, the wafer is easily peeled from the slice base. Exfoliated wafers, the passed by the suction pads 14a 2 to the shuttle conveyer 14C 2, carried by the shuttle conveyer 14C 2 in fine washing apparatus 14A 3.
【００１３】前記精洗浄装置１４Ａ3 は、ブラッシング
洗浄、すなわち、回転する上下一対のブラシの間に、洗
浄液を噴射しながらウェーハを通過させて洗浄する。な
お、この精洗浄装置１４Ａ3 は、３段階のステップでウ
ェーハを洗浄する。すなわち、まず、真水洗浄装置１４
ａ3 において、真水でウェーハを洗浄し、その後、プレ
リンス洗浄装置１４ａ3 ' において洗浄液でウェーハを
洗浄する。そして、最後に、すすぎ洗浄装置１４ａ3 ”
において、洗浄液を除去して、圧縮エアを噴射して乾燥
させる。洗浄の終了したウェーハは、受台１４Ｃ3 上に
排出され、移送装置１４Ｃ4 によって、該受台１４Ｃ3
から形状測定部１４Ｂに移送される。[0013] The fine washing apparatus 14A 3 are brushing washing, i.e., between a pair of upper and lower brushes rotating, washed and passed through a wafer while spraying a cleaning liquid. Incidentally, the fine washing apparatus 14A 3 washes the wafers with three steps. That is, first, the fresh water cleaning device 14
In a 3, washing the wafers with fresh water, then wash the wafer with a cleaning liquid in the pre-rinse the washing device 14a 3 '. And finally, the rinse cleaning device 14a 3 ″
In, the cleaning liquid is removed, and compressed air is jetted to dry. Finished wafer cleaning is discharged onto the cradle 14C 3, the transfer device 14C 4, receiving stand 14C 3
Is transferred to the shape measuring unit 14B.
【００１４】なお、この移送装置１４１４Ｃ4 は、旋回
自在なアームの先端に設けられたチャックでウェーハを
保持し、その保持したウェーハを受台１４Ｃ3 から形状
測定部１４Ｂに移送するとともに、形状測定装置１４Ｂ
からカセット１４Ｄ（後述）に移送する。前記形状測定
部１４Ｂでは、ウェーハの厚さ、反り、表面粗さ等の測
定を行い、その測定データを剥離洗浄された順に、個別
に蓄積する。[0014] Incidentally, with the transfer device 1414c 4 holds the wafer by a chuck provided at the tip of the pivotable arm, transferring the held wafer from cradle 14C 3 in the shape measuring portion 14B, the shape measurement Device 14B
To a cassette 14D (described later). The shape measurement unit 14B measures the thickness, warpage, surface roughness, and the like of the wafer, and accumulates the measured data individually in the order in which the wafer was peeled and cleaned.
【００１５】前記形状測定部１４Ｂで形状測定の終了し
たウェーハは、再び移送装置１４Ｃ 4 によって移送さ
れ、カセット１４Ｄ内に、順に格納される。そして、す
べてのウェーハの剥離洗浄及び形状測定がなされ、すべ
てウェーハがカセット内に格納されたところで、ウェー
ハは、カセット１４Ｄごと、次工程である荒面取装置１
６に搬送される。When the shape measurement is completed by the shape measuring section 14B.
The transferred wafer is again transferred to the transfer device 14C. FourTransported by
Then, they are sequentially stored in the cassette 14D. And
All wafers are peeled and cleaned and their shape is measured.
When the wafers are stored in the cassette,
C is the next step, the rough chamfering device 1 for each cassette 14D.
6.
【００１６】荒面取装置１６では、回転する砥石にウェ
ーハの周縁を押しつけ、ウェーハの周縁部の荒面取りを
行う。荒面取りされたウェーハは、洗浄装置により加工
時に付着した加工液等を洗浄されたのち、ラッピング装
置１８に搬送される。ラッピング装置１８では、ウェー
ハの表面にスラリを供給しながら回転するラップ定盤を
押し付け、ウェーハの表面を研磨する。ラッピングの終
了したウェーハは、洗浄装置により加工時に付着したス
ラリ等を洗浄されたのち、精研面取装置２０に搬送され
る。In the rough chamfering device 16, the peripheral edge of the wafer is pressed against the rotating grindstone to roughen the peripheral edge of the wafer. The rough-chamfered wafer is cleaned by a cleaning device to remove a processing liquid and the like adhered during processing, and then transferred to the lapping device 18. The lapping device 18 polishes the wafer surface by pressing the rotating lap plate while supplying slurry to the wafer surface. The lapping-completed wafer is transported to the fine polishing chamfering device 20 after the cleaning device removes slurry and the like adhered during processing.
【００１７】精研面取装置２０では、回転する砥石にウ
ェーハの周縁を押しつけ、所定寸法となるようにウェー
ハの周縁部の精研面取りを行う。精研面取りされたウェ
ーハは、洗浄装置によって加工時に付着した加工液等を
洗浄されたのち、第１形状測定装置２２に搬送される。
第１形状測定装置２２では、前記ラッピング装置１８及
び精研面取装置２０でラッピング加工及び精研面取り加
工されたウェーハの面荒さ、加工歪層、ＣTH、ＴＴＶ等
を測定する。測定の終了したウェーハは、エッチング装
置２４に搬送される。In the fine polishing chamfering apparatus 20, the peripheral edge of the wafer is pressed against the rotating grindstone, and the peripheral edge of the wafer is finely chamfered to have a predetermined size. The finely chamfered wafer is transported to the first shape measuring device 22 after the working fluid and the like adhering during processing are cleaned by the cleaning device.
The first shape measuring device 22 measures the surface roughness, processed strain layer, C TH , TTV, and the like of the wafer subjected to the lapping process and the fine polishing chamfering process by the lapping device 18 and the fine polishing chamfering device 20. The wafer whose measurement has been completed is transferred to the etching device 24.
【００１８】エッチング装置２４では，ラッピングされ
たウェーハの表面にエッチングを施す。エッチングを施
されたウェーハは、熱処理装置２６に搬送され、熱処理
を施されたのち、エッジポリッシング装置２８に搬送さ
れる。エッジポリッシング装置２８では、前記精研面取
装置で精研面取りされたウェーハの周縁部を鏡面加工す
る。加工の終了したウェーハは、洗浄装置により加工時
に付着したスラリ等を洗浄されたのち、ポリッシング装
置３０に搬送される。In the etching device 24, the surface of the wrapped wafer is etched. The etched wafer is transferred to a heat treatment device 26, subjected to a heat treatment, and then transferred to an edge polishing device 28. In the edge polishing device 28, the peripheral edge portion of the wafer that has been subjected to the fine polishing by the fine polishing chamfering device is mirror-finished. The processed wafer is transported to the polishing apparatus 30 after the cleaning device removes slurry and the like adhered during the processing.
【００１９】ポリッシング装置３０では、ウェーハの表
面にスラリを供給しながら回転する研磨布を押し付け、
ウェーハの表面を鏡面加工する。ポリッシングの終了し
たウェーハは、洗浄装置により加工時に付着したスラリ
等を洗浄されたのち、第２形状測定装置３２に搬送され
る。第２形状測定装置３２では、前記ポリッシング装置
３０で鏡面加工されたウェーハのの面荒さ、加工歪層、
ＣTH、ＴＴＶ等を測定する。そして、この測定が終了す
ると、ウェーハは完成する。In the polishing apparatus 30, a rotating polishing cloth is pressed while supplying slurry to the surface of the wafer,
The surface of the wafer is mirror-finished. The wafer that has been polished is cleaned by a cleaning device to remove slurry and the like attached during processing, and then transferred to the second shape measuring device 32. In the second shape measuring device 32, the surface roughness of the wafer mirror-processed by the polishing device 30, the processing strain layer,
Measure C TH , TTV, etc. When the measurement is completed, the wafer is completed.
【００２０】ところで、上述した本実施の形態のウェー
ハ製造システム１０では、ウェーハをスライスベースか
ら剥離して洗浄する剥離洗浄装置１４において、ウェー
ハの厚さと反り等を測定が行われている。このウェーハ
の厚さと反り等の測定は、前記剥離洗浄装置１４に設け
られている形状測定部１４Ｂで行われるが、この形状測
定部１４Ｂで測定されるウェーハの厚さと反り等の測定
結果は、ワイヤソー１２の切断精度を示している。In the above-described wafer manufacturing system 10 of the present embodiment, the thickness and warpage of the wafer are measured in the peeling and cleaning apparatus 14 for peeling and cleaning the wafer from the slice base. The measurement of the thickness and the warpage of the wafer is performed by the shape measuring unit 14B provided in the peeling and cleaning apparatus 14. The measurement results of the thickness and the warpage of the wafer measured by the shape measuring unit 14B are as follows. The cutting accuracy of the wire saw 12 is shown.
【００２１】すなわち、ワイヤソー１２が正常に運転し
ている場合は、切断されるウェーハも設定通りのものが
切断されるが、ワイヤソー１２に異常が発生した場合
は、設定とは異なるウェーハが切断される。このため、
前記剥離洗浄装置１４の形状測定部１４Ｂで測定される
ウェーハの厚さと反り等の測定結果に異常が発見された
場合は、システム全体は、次のように運転される。That is, when the wire saw 12 is operating normally, the wafer to be cut is also cut according to the setting, but when an abnormality occurs in the wire saw 12, a wafer different from the setting is cut. You. For this reason,
When an abnormality is found in the measurement results such as the thickness and the warpage of the wafer measured by the shape measuring unit 14B of the peeling and cleaning apparatus 14, the entire system is operated as follows.
【００２２】まず、ワイヤソー１２の運転条件の修正を
行う。即ち、前記形状測定測地１４で測定されたウェー
ハの形状データに異常があれば、次に切断するインゴッ
トにも同じ現象が現れるものと思われるので、これを未
然に防止する。ウェーハの厚さや反りに異常が発生する
原因には、次のようなことが考えられる。First, the operating conditions of the wire saw 12 are corrected. That is, if there is an abnormality in the shape data of the wafer measured by the shape measuring geodesic 14, it is considered that the same phenomenon appears in the ingot to be cut next, and this is prevented beforehand. The following can be considered as causes of the abnormality in the thickness and warpage of the wafer.
【００２３】まず第１に、ワイヤソー１２の運転制御が
適正でなかったこと。たとえば、ワイヤ列に供給するス
ラリの温度制御が適正な温度ではなかったことや、ワイ
ヤの走行制御が適正な温度ではなかったこと、インゴッ
トの送り制御が適正でなかったこと等が挙げられる。第
２に、ワイヤソー１２を構成する部品が寿命であったこ
と。例えば、ワイヤが磨耗していたことや、ワイヤ列を
構成する溝付ローラの溝が磨耗していたこと、ワイヤを
ガイドするガイドローラの溝が磨耗していたこと等が挙
げられる。First, the operation control of the wire saw 12 was not appropriate. For example, the temperature control of the slurry supplied to the wire array was not an appropriate temperature, the traveling control of the wire was not an appropriate temperature, the feed control of the ingot was not appropriate, and the like. Second, the components of the wire saw 12 have reached the end of their life. For example, the wire may be worn, the groove of the grooved roller constituting the wire row may be worn, or the groove of the guide roller for guiding the wire may be worn.
【００２４】第３に、ワイヤソー１２を構成する部品の
精度が低かったこと、又は、ワイヤソー１２を構成する
物品の取り付け精度が低かったこと。以上３つの原因の
うち第１の原因は、ワイヤソー１２の運転時の制御が適
正ではかなったことによるものであるから、前記形状測
定部１４Ｂの測定結果とワイヤソー１２の制御設定デー
タとを比較し、最適なウェーハが切断されるように、各
機構の制御量を修正する。Third, the accuracy of the parts constituting the wire saw 12 is low, or the accuracy of mounting the articles constituting the wire saw 12 is low. The first of the three causes is that the control during the operation of the wire saw 12 is not proper, so the measurement result of the shape measuring unit 14B is compared with the control setting data of the wire saw 12. The control amount of each mechanism is corrected so that an optimal wafer is cut.
【００２５】一方、第２、第３の原因に関しては、ワイ
ヤや溝付ローラの交換を行って対処する。以上のよう
に、ワイヤソー１２の次の工程である剥離洗浄装置１４
に組み込んだ形状測定部１４Ｂの測定結果をワイヤソー
１２にフィードバックすることにより、次にワイヤソー
１２で切断するウェーハの高精度を向上させることがで
きる。On the other hand, the second and third causes are dealt with by replacing the wire and the grooved roller. As described above, the peeling and cleaning apparatus 14 which is the next step of the wire saw 12
By feeding back the measurement result of the shape measuring unit 14B incorporated into the wire saw 12 to the wire saw 12, it is possible to improve the accuracy of a wafer to be cut by the wire saw 12 next.
【００２６】一方、前記ワイヤソー１２で切断されたウ
ェーハは、前記形状測定部１４Ｂの測定結果に基づき、
剥離洗浄工程以降の工程で次のように扱われる。すなわ
ち、前記剥離洗浄工程以降の工程では、ウェーハが設定
通りに切断されていることを前提として各装置の加工条
件が定められているので、前記ワイヤソー１２で設定と
は異なるものが切断された場合は、その加工条件を修正
する必要がある。On the other hand, the wafer cut by the wire saw 12 is based on the measurement result of the shape measuring unit 14B,
In the steps after the peeling and cleaning step, it is handled as follows. That is, in the steps after the peeling and cleaning step, since the processing conditions of each apparatus are determined on the assumption that the wafer is cut as set, when a wafer different from the setting is cut by the wire saw 12 Need to correct the processing conditions.
【００２７】このため、前記剥離洗浄工程以降の工程で
は、その形状測定部１４Ｂで測定されたウェーハの厚さ
と反り等の測定結果に基づいて加工条件が修正される。
たとえば、厚さや反りが規定のものと異なる場合は、そ
の厚さや反り形状に適合した加工制御を行うように、次
工程以降の加工条件を修正する。また、この他の方法と
して、厚さが規定の厚さになるように加工条件を設定し
たり、反りが無くなるように加工条件を設定する。For this reason, in the steps after the peeling and cleaning step, the processing conditions are corrected based on the measurement results such as the thickness and the warpage of the wafer measured by the shape measuring section 14B.
For example, if the thickness and warpage are different from the specified ones, the processing conditions in the next and subsequent steps are corrected so as to perform processing control suitable for the thickness and warpage shape. As another method, processing conditions are set so that the thickness becomes a specified thickness, or processing conditions are set so that warpage is eliminated.
【００２８】以上のように、形状測定部１４Ｂの測定結
果を剥離洗浄工程以降の工程以降に流すことにより、無
駄のないウェーハの加工ができるようになる。なお、前
記形状測定部１４Ｂで測定した結果、次工程以降におい
ても、修正できないような異常ウェーハが発見された場
合は、次工程以降へのウェーハの供給は停止する。これ
により、無駄な加工をしなくて済むので、生産効率が向
上する。As described above, by flowing the measurement result of the shape measuring section 14B after the separation cleaning step and thereafter, the wafer can be processed without waste. In addition, as a result of the measurement by the shape measuring unit 14B, if an abnormal wafer that cannot be corrected is found even in the next step and thereafter, the supply of the wafer to the next step and thereafter is stopped. This eliminates unnecessary processing, thereby improving production efficiency.
【００２９】このように、本実施の形態のウェーハ製造
システムによれば、ワイヤソー１２による切断直後にウ
ェーハの形状が測定され、その測定結果に基づいて次工
程以降の加工条件の修正、及び、ワイヤソー１２の運転
条件の修正がなされるため、無駄のないウェーハの製造
が可能になるとともに、精度の高いウェーハの切断が可
能になる。As described above, according to the wafer manufacturing system of the present embodiment, the shape of the wafer is measured immediately after cutting by the wire saw 12, and based on the measurement result, the processing conditions in the next and subsequent steps are corrected, and Since the 12 operating conditions are corrected, it is possible to manufacture a wafer without waste and to cut the wafer with high accuracy.
【００３０】また、ウェーハの形状測定を別装置で行う
のではなく、剥離洗浄装置１４に組み込んだ形状測定部
１４Ｂでおこなうとにより、装置間の搬送処理の簡略化
を図ることができる。なお、本実施の形態では、ウェー
ハの測定は、切断されたウェーハ全てについて行ってい
るが、これに限らず、サンプル的に１枚又は数枚取り出
して測定してもよい。そして、全てのウェーハの測定を
した場合は、各ウェーハの形状に合わせた加工を次工程
以降で施し、サンプル的に測定した場合は、その平均デ
ータから次工程の加工条件を設定する。Further, when the shape of the wafer is measured by a shape measuring unit 14B incorporated in the peeling and cleaning device 14 instead of by a separate device, the transfer processing between the devices can be simplified. In the present embodiment, the measurement of the wafer is performed on all the cut wafers. However, the present invention is not limited to this, and one or several wafers may be sampled and measured. Then, when all the wafers are measured, processing according to the shape of each wafer is performed in the next step and thereafter, and when measurement is performed in a sample manner, processing conditions in the next step are set from the average data.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ワイヤソーによる切断直後にウェーハの形状が測定さ
れ、その測定結果に基づいて次工程以降の加工条件の修
正、及び、ワイヤソーの運転条件の修正がなされるた
め、無駄のないウェーハの製造が可能になるとともに、
精度の高いウェーハ切断が可能になる。また、その測定
を剥離洗浄装置に組み込んだ形状測定装置で行うことに
より、別装置で測定を行うものに比べ、各装置間の搬送
処理の簡略化を図ることができる。As described above, according to the present invention,
Immediately after cutting by the wire saw, the shape of the wafer is measured, and based on the measurement result, the processing conditions in the next and subsequent steps are corrected, and the operating conditions of the wire saw are corrected, so that it is possible to manufacture a wafer without waste. With
Highly accurate wafer cutting becomes possible. In addition, by performing the measurement with a shape measuring device incorporated in the peeling and cleaning device, the transfer processing between the devices can be simplified as compared with a device that measures with a separate device.
【図１】本発明に係るウェーハ製造システムが適用され
たウェーハ製造システムの全体構成図FIG. 1 is an overall configuration diagram of a wafer manufacturing system to which a wafer manufacturing system according to the present invention is applied.
【図２】本発明に係るウェーハ製造システムのフローチ
ャートFIG. 2 is a flowchart of a wafer manufacturing system according to the present invention.
【図３】剥離洗浄装置の平面図FIG. 3 is a plan view of a peeling and cleaning apparatus.
【図４】剥離洗浄装置の側面図FIG. 4 is a side view of a peeling cleaning apparatus.
１２…ワイヤソー １４…剥離洗浄装置 １４Ａ…剥離洗浄部 １４Ｂ…形状測定部 １６…荒面取装置 １８…ラッピング装置 ２０…精研面取装置 ２２…第１形状測定装置 ２４…エッチング装置 ２６…熱処理装置 ２８…エッジポリッシング装置 ３０…ポリッシング装置 ３２…第２形状測定装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 ... Wire saw 14 ... Peeling cleaning apparatus 14A ... Peeling cleaning part 14B ... Shape measuring part 16 ... Rough chamfering apparatus 18 ... Lapping apparatus 20 ... Fine grinding chamfering apparatus 22 ... 1st shape measuring apparatus 24 ... Etching apparatus 26 ... Heat treatment apparatus 28: Edge polishing device 30: Polishing device 32: Second shape measuring device
Claims (2)
イスベースから剥離して洗浄する剥離洗浄装置にウェー
ハの形状を測定する形状測定装置を設け、該形状測定装
置の測定結果に基づき前記ワイヤソーの運転条件を修正
することを特徴とするウェーハ製造システム。An apparatus for measuring the shape of a wafer is provided in a peeling and cleaning apparatus for peeling and cleaning a wafer cut by a wire saw from a slice base, and operating conditions of the wire saw based on a measurement result of the shape measuring apparatus. A wafer manufacturing system characterized by correcting.
イスベースから剥離して洗浄する剥離洗浄装置にウェー
ハの形状を測定する形状測定装置を設け、該形状測定装
置の測定結果に基づき次工程における前記ウェーハの加
工条件を設定することを特徴とするウェーハ製造システ
ム。2. A peeling / cleaning apparatus for peeling and cleaning a wafer cut by a wire saw from a slice base is provided with a shape measuring device for measuring a shape of the wafer, and the wafer in the next step is measured based on a measurement result of the shape measuring device. A wafer manufacturing system, wherein processing conditions are set.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34390296A JPH10180747A (en) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | Wafer manufacturing system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34390296A JPH10180747A (en) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | Wafer manufacturing system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10180747A true JPH10180747A (en) | 1998-07-07 |
Family
ID=18365131
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34390296A Pending JPH10180747A (en) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | Wafer manufacturing system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10180747A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10335062A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-04-07 | Siltronic Ag | Semiconductor bar scribing/cutting method, involves removing saw/scribing base by immersion in purification bath |
| JP2006278701A (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | Manufacturing method for semiconductor wafer |
| JP2009033204A (en) * | 2008-10-29 | 2009-02-12 | Sumco Corp | Method for plasma-etching semiconductor wafer |
| JP2015216375A (en) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ | Semiconductor wafer of silicon, and production method thereof |
-
1996
- 1996-12-24 JP JP34390296A patent/JPH10180747A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10335062A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-04-07 | Siltronic Ag | Semiconductor bar scribing/cutting method, involves removing saw/scribing base by immersion in purification bath |
| JP2006278701A (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Kyocera Corp | Manufacturing method for semiconductor wafer |
| JP2009033204A (en) * | 2008-10-29 | 2009-02-12 | Sumco Corp | Method for plasma-etching semiconductor wafer |
| JP2015216375A (en) * | 2014-05-09 | 2015-12-03 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフトＳｉｌｔｒｏｎｉｃ ＡＧ | Semiconductor wafer of silicon, and production method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6863590B2 (en) | Wafer planarization apparatus | |
| KR100197090B1 (en) | Method for fabricating semiconductor wafer and system therefor | |
| WO2003094215A1 (en) | Semiconductor wafer manufacturing method and wafer | |
| EP0245289B1 (en) | Polishing system with underwater bernoulli pickup | |
| US6667238B1 (en) | Polishing method and apparatus | |
| JP2016197690A (en) | Polishing device | |
| JPH10284448A (en) | Polishing system for semiconductor wafer | |
| JPH10180747A (en) | Wafer manufacturing system | |
| JPH0761601B2 (en) | Wafer mirror surface processing method | |
| KR20040098559A (en) | Process for polishing a semiconductor wafer | |
| JP2007301697A (en) | Polishing method | |
| TW202218801A (en) | Polishing pad conditioning device, cmp device and method thereof | |
| JPH11274119A (en) | Automatic wafer polishing device and method for polishing wafer | |
| JPH0530592B2 (en) | ||
| JP2651479B2 (en) | Wafer mirror finishing equipment | |
| JP2010278448A (en) | Polishing platen rinse for controlled passivation of silicon/polysilicon surfaces | |
| US6530103B2 (en) | Method and apparatus for eliminating wafer breakage during wafer transfer by a vacuum pad | |
| JP3498288B2 (en) | Semiconductor wafer polishing method | |
| JPS6176262A (en) | Polishing device | |
| JP2007305884A (en) | Polishing method | |
| JP2023178836A (en) | Method and system for machining wafer | |
| KR20030031790A (en) | A clean apparatus of a chemical mechanical polishing machine | |
| KR100425471B1 (en) | Treatment apparatus for grinding and polishing backside of wafer | |
| JPH11277418A (en) | Thin plate polishing method and thin plate holding plate | |
| Bonora | Silicon wafer process technology: Slicing etching polishing |