JPH1018064A - 平面加工装置及び平面加工方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマエッチングあるいは光励起エッチン
グの原理を利用して、半導体基板、光学素子などの表面
の平坦化加工に適した平面加工装置及び方法を提供する
こと。 【解決手段】 本発明の平面加工装置は、被加工物１０
を収容するエッチング室３と、被加工物１０の表面に反
応性ガスを供給する反応性ガス供給手段７と、被加工物
１０の表面近傍に高周波電場を形成する平行平板電極３
２、３３と、被加工物１０の側方から被加工物１０の表
面に対して平行に光を照射して、その表面を励起させる
光源１と、光源１と被加工物１０との間に配置され、光
源１からの光の一部を遮断して光の照射範囲を所定の平
面以上の領域に限定する遮光板２と、を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマあるいは
光照射による反応性ガスの解離と、光照射による被加工
物表面の励起とを利用して、被加工物のプラズマエッチ
ングあるいは光励起エッチングを行う装置及び方法に係
り、特に、半導体基板、光学素子などの被加工物の表面
の平坦化加工に適した装置及び方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】

ａ．プラズマを用いた平面加工 特開平６−５５７１号公報及び特開平６−１７２６７号
公報には、プラズマを用いた平面加工方法及び装置につ
いて記載されている。これは、小形のプラズマ生成電極
を組込んだ加工ヘッドを、被加工物（半導体基板）の表
面に沿って走査させて、被加工物の表面の平坦化加工を
行うものである。しかし、平面加工を精度よく行うため
には、事前の形状測定、加工ヘッドの走査方法の最適化
などが必要となり、そのための制御装置を加工装置へ組
込むことが不可欠となる。 ｂ．光励起エッチング 光励起エッチングでは、被加工物の表面に反応性のラジ
カルを供給するとともにその表面に光を照射することに
よって、その表面を励起させて化学反応を生じさせ、被
加工物のエッチングを行う。

【０００３】例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板の表面
に紫外線で解離させた三弗化窒素を供給すると同時に、
その表面に弗化クリプトンエキシマレーザ光を照射する
ことによって、炭化ケイ素基板表面の微細加工を行った
例、あるいは、半導体基板上の銅（Ｃｕ）薄膜に対し
て、赤外光を照射しながら反応性イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ）を行った例などが報告されている。

【０００４】以上の各例は、半導体基板上での微細な平
面パターンの形成を目的としたものであり、光を被加工
物表面に対してほぼ垂直に照射するか、あるいは光源を
被加工物の直上方向に位置させて半導体基板表面のパタ
ーニングを行っている。従って、被加工物表面の平坦化
加工については考慮されていない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、プラ
ズマエッチングあるいは光励起エッチングの原理を利用
して、半導体基板、光学素子などの表面の平坦化加工に
適した平面加工装置及び同方法を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の平面加工装置
は、被加工物を収容するエッチング室と、被加工物の表
面に反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段と、被加
工物の表面近傍に高周波電場を形成する平行平板電極
と、被加工物の側方から被加工物の表面に沿う様に光を
照射して、その表面を励起させる光源と、光源と被加工
物との間に配置され、光源からの光の一部を遮断して光
の照射範囲を所定の平面以上の領域に限定する遮光板
と、を備えたことを特徴とする。

【０００７】上記の平面加工装置では、被加工物の表面
に反応性ガスを供給するとともに、平行平板電極を用い
て被加工物の表面近傍に高周波電場を形成して反応性ガ
スのプラズマを形成し、プラズマ中で生成されたラジカ
ルを被加工物の表面に供給する。これと同時に、被加工
物の側方から被加工物の表面に沿う様に光を照射する。
これにより、光が照射された部分が励起されて当該部分
で反応性ガスとの化学反応が起こり、当該部分のみが選
択的にエッチングされる結果、被加工物表面の凸部が除
去される。更に、遮光板を用いて光の照射範囲を所定の
平面以上の領域に限定することによって、被加工物表面
の平坦化加工が行われる。

【０００８】なお、好ましくは、上記の遮光板に代っ
て、被加工物の表面に沿う所定の平面内でレーザ光を走
査しながら、被加工物の側方からレーザ光を照射する。
この場合には、前記光源はレーザ光発振器及びその走査
手段で構成される。

【０００９】また、被加工物の表面近傍にプラズマを形
成してラジカルを生成させる方式に代って、エッチング
室の外部にプラズマ発生室を設け、このプラズマ発生室
で生成されたラジカルを接続配管を介してエッチング室
に移送して、被加工物の表面へ供給することもできる。

【００１０】また、上記の様に高周波電場を用いて反応
性ガスをプラズマ化してラジカルを生成させる代わり
に、反応性ガスに応じた特定の波長の光を照射して反応
性ガスを解離させてラジカルを生成させることも可能で
ある。

【００１１】なお、反応性ガス（あるいはラジカルを含
んだ反応性ガス）を被加工物の側方から光の照射方向に
沿って供給することによって、被加工部分に効率良く反
応性ガス（あるいはラジカルを含んだ反応性ガス）を到
達させるとともに、反応生成物を被加工物の表面近傍か
ら速やかに排出して、被加工物の表面への反応生成物の
吸着を防止することができる。

【００１２】更に、前記エッチング室の内部の、被加工
物を挟んで前記光源に対向する位置に光検知器を配置し
て、この光検知器に到達する光の強度あるいは強度分布
を測定することにより、被加工物表面の加工の終点検出
を行うことができる。

【００１３】また、本発明の平面加工装置は、被加工物
を収容するエッチング室と、被加工物の裏面側に配置さ
れ、被加工物の温度を調整する温度調整手段と、被加工
物の表面に反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段
と、被加工物の表面近傍に高周波電場を形成する平行平
板電極と、被加工物の側方から被加工物の表面に沿う様
に光を照射して、その表面を加熱することにより活性化
させる光源と、光源と被加工物との間に配置され、光源
からの光の一部を遮断して光の照射範囲を所定の平面以
上の領域に限定する遮光板と、を備えたことを特徴とす
る。

【００１４】上記の平面加工装置では、被加工物の表面
に反応性ガスを供給するとともに、平行平板電極を用い
て被加工物の表面近傍に高周波電場を形成して反応性ガ
スのプラズマを形成し、プラズマ中で生成されたラジカ
ルを被加工物の表面に供給する。これと同時に、被加工
物の側方から被加工物の表面に対して沿う様に光を照射
する。これにより、光が照射された部分のみが加熱され
ることによって活性化され、当該部分で反応性ガスとの
化学反応が起こり、当該部分のみが選択的にエッチング
される結果、被加工物表面の凸部が除去される。前記温
度調整手段は、被加工物の所定の部位以外における化学
反応を抑制するために、被加工物の表面以外の部位の温
度を一定温度以下に維持するために用いられる。また、
遮光板を用いて光の照射範囲を所定の平面以上の領域に
限定することによって、被加工物表面の平坦化加工が行
われる。なお、この装置の場合にも、光の照射方法、反
応性ガス及びラジカルの供給方法、あるいは加工の終点
検出等に関して、先の装置と同様な変形が可能である。

【００１５】

【発明の実施の形態】

（例１）図１に本発明の平面加工装置の実施の形態の一
例を示す。図２に本発明の平面加工装置の原理図を示
す。

【００１６】図中、１０は被加工物、１は光源、２は遮
光板、３はエッチング室、４は石英ガラス製の窓、５は
サセプタ（兼平行平板電極）、６は光検知器、７は反応
性ガス供給口、８は排気口、３１は高周波電源、３２は
高周波電極（平行平板電極）を表す。

【００１７】エッチング室３の内部にはサセプタ５が配
置され、被加工物１０はサセプタ５の上にセットされ
る。サセプタ５の上方には、サセプタ５と対向する様に
高周波電極３２が配置される。高周波電極３２には高周
波電源３１が接続され、サセプタ５にはアースが接続さ
れ、対向電極の機能も兼ねる。なお、サセプタ５は、そ
の下部に設けられた昇降機構８１によって、上下方向の
位置調整が行われる。

【００１８】エッチング室３は、反応性ガス供給口７を
介して反応性ガス供給装置（図示せず）に接続され、ま
た、排気口８を介して真空ポンプ（図示せず）に接続さ
れ、その内部が所定の圧力に減圧排気される。

【００１９】この例では、高周波電極３２は中空の円板
で構成され、その内部の空洞部には反応性ガス供給口７
が接続されるとともに、高周波電極３２の下面側には多
数のノズル３５が組込まれている。反応性ガス供給口７
を介して前記空洞に導入された反応性ガスは、ノズル３
５を介して被加工物１０の表面付近に供給される。更
に、この例では、反応性ガスはノズル３５を介して光の
照射方向に沿って被加工物１０の表面に吹き付られる様
になっている。

【００２０】エッチング室３の側壁には石英ガラス製の
窓４が設けられ、光源１はその外側に配置される。光源
１と窓４との間には遮光板２が配置される。光源１から
発射された光は、遮光板２の上端を通る光軸Ａ−Ａに沿
ってエッチング室３の内部に入射し、被加工物１０の側
方から、その表面に対して平行な角度で被加工物１０に
照射される。光軸Ａ−Ａ上の、前記石英ガラス製の窓４
と対向する側のエッチング室３の側壁の内面には、光検
知器６が取り付けられている。

【００２１】次に、この装置を用いて、被加工物１０の
表面の加工を行うプロセスについて説明する。被加工物
１０をサセプタ５の上にセットした後、エッチング室３
内を所定の圧力に減圧排気すると同時に、被加工物１０
の表面に反応性ガス供給口７及びノズル３５を介して反
応性ガスを供給する。次に、高周波電圧電極３２とサセ
プタ５との間に高周波電圧を印加して、被加工物１０の
表面近傍に高周波電場を形成する。反応性ガスは高周波
電場によってプラズマ状になり、プラズマ中でラジカル
が生成される。

【００２２】一方、光源１から、遮光板２及び窓４を介
して、被加工物１０の表面に対して平行な光を被加工物
１０の表層部に照射する。このとき、遮光板２は照射さ
れる光の一部を遮蔽して、被加工物１０の表面に対して
平行な所定の平面以上の部位のみに光が照射される。照
射する光としては、被加工物１０の種類に応じて、その
表面を励起することができる波長の光を選択する、例え
ば、ＳｉＣに対しては波長２４８ｎｍの弗化クリプトン
エキシマレーザが使用できる。

【００２３】これによって、図２に示す様に、光が照射
された領域内にある被加工物１０の表層部分１１が励起
されて化学的活性が高められ、この部分でラジカル７２
との化学反応が起こる。揮発性の高い反応生成物７３が
発生する様に、反応性ガス７１を被加工物１０に応じて
選択しておけば、励起された部分１１のみが選択的にエ
ッチングされる。この結果、被加工物１０の表層部１９
のみが除去されて、表面が平坦に加工される。

【００２４】なお、この例では、反応性ガスを被加工物
の側方から光の照射方向に沿って供給することによっ
て、被加工部分に効率良く反応性ガスを到達させるとと
もに、反応生成物を被加工物の表面近傍から速やかに流
し去り、被加工物の表面への反応生成物の吸着を防止し
ている。

【００２５】また、図１に示す様に、光源の反対側に当
るエッチング室の側壁の内面に光検知器６を設置して、
光量の変化をモニターすれば、エッチングの終点検出を
行うことができる。図３に、光検知器を用いて光量の変
化をモニターした結果の一例（検知器出力）を示す。エ
ッチングが進行して、エッチングされた部分が被加工物
の全表面に及んだ時点から受光量が増大し始め（Ｂ
点）、目標平面が完全に加工された時点から以降（Ｃ
点）は、受光量が変化しない。従って、この変化をモニ
ターすることにより、エッチングの終点検出が可能とな
る。 （例２）図４に、本発明の平面加工装置の実施の形態の
他の例を示す。図５に、この平面加工装置のレーザ光源
部分の部分拡大面図を示す。

【００２６】図中、１０は被加工物、３はエッチング
室、４は石英ガラス製の窓、５はサセプタ、８は排気
口、２０はレーザ光源（光源）、２１はレーザ発振器、
２２はポリゴンミラー（走査手段）、３０はプラズマ発
生室、３１は高周波電源、３２は高周波電極、３３は対
向電極、３７はノズル、４０は温度調整器（温度調整手
段）を表す。

【００２７】この装置では、プラズマ発生室３０がエッ
チング室３から分離されて構成されている。エッチング
室３の内部にはサセプタ５が配置され、被加工物１０は
サセプタ５の上にセットされる。サセプタ５は中空の円
板で構成され、サセプタ５の内部の空洞部には温度調整
器４０から冷却媒体が供給され、サセプタ５を介して裏
面側から被加工物１０の温度制御が行われる様になって
いる。また、サセプタ５は、その下部に設けられた昇降
機構８１によって、上下方向の位置調整が行われる。

【００２８】エッチング室３は、ノズル３７を介してプ
ラズマ発生室３０に接続される。プラズマ発生室３０
は、平行平板電極を構成する高周波電極３２及び対向電
極３３の間に配置され、高周波電極３２は高周波電源３
１に接続され、対向電極３３はアースに接続される。プ
ラズマ発生室３０は、反応性ガス供給口７を介して反応
性ガス供給装置（図示せず）に接続される。反応性ガス
は、反応性ガス供給口７を介してプラズマ発生室３０に
導入された後、ノズル３７を介して、被加工物１０の表
面に光の照射方向に沿って吹き付られる様になってい
る。また、エッチング室３は、排気口８を介して真空ポ
ンプ（図示せず）に接続され、その内部が所定の圧力に
減圧排気される。

【００２９】エッチング室３の側壁には石英ガラス製の
窓４が設けられ、レーザ光源２０はその外側に配置され
る。レーザ光源２０は、図５の部分拡大図に示す様に、
レーザ発振器２１及びポリゴンミラー２２（走査手段）
を備える。また、ポリゴンミラー２２と窓４との間には
遮光板２４が配置される。レーザ発振器２１から発射さ
れた光は、ポリゴンミラー２２によって反射され、窓４
を通る光軸Ｂ−Ｂに沿ってエッチング室３の内部に入射
し、被加工物１０の側方から、その表面に対して平行な
角度で被加工物１０に照射される。ポリゴンミラー２２
は、被加工物１０の表面に対して垂直な軸２３の回りを
回転して、反射されたレーザ光は、被加工物１０の表面
に対して平行な平面内で走査される。

【００３０】次に、この装置を用いて、被加工物１０の
表面の加工を行うプロセスについて説明する。被加工物
１０をサセプタ５の上にセットした後、エッチング室３
内を所定の圧力に減圧排気する。プラズマ発生室３０に
反応性ガス供給口７を介して反応性ガスを供給するとと
もに、高周波電極３２と対向電極３３との間に高周波電
圧を印加して、プラズマ発生室３０の内部に高周波電場
を形成する。反応性ガスは、高周波電場によってプラズ
マ状になりラジカルが生成される。この様にして生成さ
れたラジカルを含む反応性ガスは、ノズル３７を介して
被加工物１０の表面に供給される。

【００３１】一方、レーザ発振器２１から、ポリゴンミ
ラー２２及び窓２４を介して、被加工物１０の表面に対
して平行な光を被加工物１０の表層部に照射する。この
とき、被加工物１０の表面に対して平行な所定の平面以
上の部位のみに光が照射される。これによって、光が照
射された領域内にある被加工物１０の表層部分が加熱さ
れて、化学的活性が高められ、この部分でラジカルとの
化学反応が起こる。揮発性の高い反応生成物が発生する
様に、反応性ガスを被加工物に応じて選択しておけば、
加熱された部分のみが選択的にエッチングされる。この
結果、被加工物１０の表層部のみが除去されて、表面が
平坦に加工される。

【００３２】なお、この場合、レーザ発振器としては、
加熱効果の大きい赤外領域の発光が可能なレーザ発振
器、例えばＣＯ₂ レーザ、を用いる。なお、以上の例で
は、いずれも反応性ガスを高周波電場の中でプラズマ化
してラジカルを生成させているが、これに代って、反応
性ガスに応じて特定の波長の光を照射して反応性ガスを
解離させてラジカルを生成させることも可能である。

【００３３】

【発明の効果】本発明の平面加工装置によれば、被加工
物の表面に沿う所定の平面以上の部位に限定して光を照
射するので、当該部位のみがエッチングされて除去され
る。従って、被加工物の表面を平坦に加工することが可
能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に基く平面加工装置の一例を示す図。

【図２】本発明に基く平面加工装置の原理を説明する
図。

【図３】光検知器の出力変化の一例を示す図。

【図４】本発明による平面加工装置の他の例を示す図。

【図５】レーザ光源部分の拡大平面図。

【符号の説明】

１・・・光源、 ２・・・遮光板、 ３・・・エッチング室、 ４・・・石英ガラス製の窓、 ５・・・サセプタ（兼平行平板電極）、 ６・・・光検知器、 ７・・・反応性ガス供給口、 ８・・・排気口 １０・・・被加工物、 ２０・・・レーザ光源（光源）、 ２１・・・レーザ発振器、 ２２・・・ポリゴンミラー、 ３０・・・プラズマ発生室、 ３１・・・高周波電源、 ３２・・・高周波電極（平行平板電極）、 ３３・・・対向電極、 ３５・・・ノズル、 ３７・・・ノズル、 ４０・・・温度調整器（温度調整手段）。

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被加工物を収容するエッチング室と、 被加工物の表面に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
   手段と、 被加工物の表面近傍に高周波電場を形成する平行平板電
   極と、 被加工物の側方から被加工物の表面に沿う様に光を照射
   して、その表面を励起させる光源と、 光源と被加工物との間に配置され、光源からの光の一部
   を遮断して光の照射範囲を所定の平面以上の領域に限定
   する遮光板と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
2. 【請求項２】 被加工物を収容するエッチング室と、 被加工物の表面に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
   手段と、 被加工物の表面近傍に高周波電場を形成する平行平板電
   極と、 レーザ発振器及びその走査手段を備え、被加工物の表面
   に沿う所定の平面内でレーザ光を走査しながら被加工物
   の側方からレーザ光を照射して、その表面を励起させる
   光源と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
3. 【請求項３】 被加工物を収容するエッチング室と、 高周波電極が備えられたプラズマ発生室と、 プラズマ発生室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
   手段と、 プラズマ発生室とエッチング室とを接続し、プラズマ発
   生室で生成されたラジカルを反応性ガスとともにエッチ
   ング室へ移送する接続配管と、 被加工物の側方から被加工物の表面に沿う様に平行に光
   を照射して、その表面を励起させる光源と、 光源と被加工物との間に配置され、光源からの光の一部
   を遮断して光の照射範囲を所定の平面以上の領域に限定
   する遮光板と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
4. 【請求項４】 被加工物を収容するエッチング室と、 高周波電極が備えられたプラズマ発生室と、 プラズマ発生室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
   手段と、 プラズマ発生室とエッチング室とを接続し、プラズマ発
   生室で生成されたラジカルを反応性ガスとともにエッチ
   ング室へ移送する接続配管と、 レーザ発振器及びその走査手段を備え、被加工物の表面
   に沿う所定の平面内でレーザ光を走査しながら被加工物
   の側方からレーザ光を照射して、その表面を励起させる
   光源と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
5. 【請求項５】 被加工物を収容するエッチング室と、 被加工物の表面に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
   手段と、 この反応性ガスを解離させてラジカルを生成させる第一
   の光源と、 被加工物の側方から被加工物の表面に沿う様に光を照射
   して、その表面を励起させる第二の光源と、 第二の光源と被加工物との間に配置され、第二の光源か
   らの光の一部を遮断して光の照射範囲を所定の平面以上
   の領域に限定する遮光板と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
6. 【請求項６】 被加工物を収容するエッチング室と、 被加工物の表面に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
   手段と、 この反応性ガスを解離させてラジカルを生成させる第一
   の光源と、 レーザ発振器及びその走査手段を備え、被加工物の表面
   に沿う所定の平面内でレーザ光を走査しながら被加工物
   の側方からレーザ光を照射して、その表面を励起させる
   第二の光源と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
7. 【請求項７】 前記反応性ガス供給手段は、被加工物の
   側方から光の照射方向に沿って反応性ガスを供給するこ
   とを特徴とする請求項１、２、５あるいは６のいずれか
   に記載の平面加工装置。
8. 【請求項８】 前記プラズマ発生室で生成されたラジカ
   ルを、前記接続配管を介して、被加工物の側方から光の
   照射方向に沿って供給することを特徴とする請求項３あ
   るいは４のいずれかに記載の平面加工装置。
9. 【請求項９】 前記エッチング室の内部の、被加工物を
   挟んで前記光源に対向する位置に光検知器を備え、当該
   光検知器を用いて被加工物表面の加工の終点検出を行う
   ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の平
   面加工装置。
10. 【請求項１０】 被加工物の表面にラジカルを含む反応
    性ガスを供給するとともに、被加工物の側方から被加工
    物の表面にに沿う様に光を照射して、その表面を励起さ
    せてエッチングを行うことを特徴とする平面加工方法。
11. 【請求項１１】 被加工物を収容するエッチング室と、 被加工物の裏面側に配置され、被加工物の温度を調整す
    る温度調整手段と、 被加工物の表面に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
    手段と、 被加工物の表面近傍に高周波電場を形成する平行平板電
    極と、 被加工物の側方から被加工物の表面に沿う様に光を照射
    して、その表面を加熱することにより活性化させる光源
    と、 光源と被加工物との間に配置され、光源からの光の一部
    を遮断して光の照射範囲を所定の平面以上の領域に限定
    する遮光板と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
12. 【請求項１２】 被加工物を収容するエッチング室と、 被加工物の裏面側に配置され、被加工物の温度を調整す
    る温度調整手段と、 被加工物の表面に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
    手段と、 被加工物の表面近傍に高周波電場を形成する平行平板電
    極と、 レーザ発振器及びその走査手段を備え、被加工物の表面
    に沿う所定の平面内でレーザ光を走査しながら被加工物
    の側方からレーザ光を照射して、その表面を加熱するこ
    とにより活性化させる光源と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
13. 【請求項１３】 被加工物を収容するエッチング室と、 被加工物の裏面側に配置され、被加工物の温度を調整す
    る温度調整手段と、 高周波電極が備えられたプラズマ発生室と、 プラズマ発生室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
    手段と、 プラズマ発生室とエッチング室とを接続し、プラズマ発
    生室で生成されたラジカルを反応性ガスとともにエッチ
    ング室へ移送する接続配管と、 被加工物の側方から被加工物の表面に沿う様に光を照射
    して、その表面を加熱することにより活性化させる光源
    と、 光源と被加工物との間に配置され、光源からの光の一部
    を遮断して光の照射範囲を所定の平面以上の領域に限定
    する遮光板と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
14. 【請求項１４】 被加工物を収容するエッチング室と、 被加工物の裏面側に配置され、被加工物の温度を調整す
    る温度調整手段と、 高周波電極が備えられたプラズマ発生室と、 プラズマ発生室に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
    手段と、 プラズマ発生室とエッチング室とを接続し、プラズマ発
    生室で生成されたラジカルを反応性ガスとともにエッチ
    ング室へ移送する接続配管と、 レーザ発振器及びその走査手段を備え、被加工物の表面
    に沿う所定の平面内でレーザ光を走査しながら被加工物
    の側方からレーザ光を照射して、その表面を加熱するこ
    とにより活性化させる光源と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
15. 【請求項１５】 被加工物を収容するエッチング室と、 被加工物の裏面側に配置され、被加工物の温度を調整す
    る温度調整手段と、 被加工物の表面に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
    手段と、 この反応性ガスを解離させてラジカルを生成させる第一
    の光源と、 被加工物の側方から被加工物の表面に沿う様に光を照射
    して、その表面を加熱することにより活性化させる第二
    の光源と、 第二の光源と被加工物との間に配置され、第二の光源か
    らの光の一部を遮断して光の照射範囲を所定の平面以上
    の領域に限定する遮光板と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
16. 【請求項１６】 被加工物を収容するエッチング室と、 被加工物の裏面側に配置され、被加工物の温度を調整す
    る温度調整手段と、 被加工物の表面に反応性ガスを供給する反応性ガス供給
    手段と、 この反応性ガスを解離させてラジカルを生成させる第一
    の光源と、 レーザ発振器及びその走査手段を備え、被加工物の表面
    に沿う所定の平面内でレーザ光を走査しながら被加工物
    の側方からレーザ光を照射して、その表面を加熱するこ
    とにより活性化させる第二の光源と、 を備えたことを特徴とする平面加工装置。
17. 【請求項１７】 前記反応性ガス供給手段は、被加工物
    の側方から光の照射方向に沿って反応性ガスを供給する
    ことを特徴とする請求項１１、１２、１５あるいは１６
    のいずれかに記載の平面加工装置。
18. 【請求項１８】 前記プラズマ発生室で生成されたラジ
    カルを、前記接続配管を介して、被加工物の側方から光
    の照射方向に沿って供給することを特徴とする請求項１
    ３あるいは１４のいずれかに記載の平面加工装置。
19. 【請求項１９】 前記エッチング室の内部の、被加工物
    を挟んで前記光源に対向する位置に光検知器を備え、当
    該光検知器を用いて被加工物表面の加工の終点検出を行
    うことを特徴とする請求項１１から１６のいずれかに記
    載の平面加工装置。
20. 【請求項２０】 被加工物の表面にラジカルを含む反応
    性ガスを供給するとともに、裏面側から被加工物の温度
    制御を行い、且つ、被加工物の側方から被加工物の表面
    に沿う様に光を照射して、その表層部のみを加熱して活
    性化させてエッチングを行うことを特徴とする平面加工
    方法。